IT1192791B - Procedimento ed apparecchio per la produzione di cristalli di silicio mediante accrescimento - Google Patents
Procedimento ed apparecchio per la produzione di cristalli di silicio mediante accrescimentoInfo
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- C30B17/00—Single-crystal growth onto a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method
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- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
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