IN187131B - - Google Patents

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IN187131B
IN187131B IN165CA1996A IN187131B IN 187131 B IN187131 B IN 187131B IN 165CA1996 A IN165CA1996 A IN 165CA1996A IN 187131 B IN187131 B IN 187131B
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IN
India
Application number
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English (en)
Inventor
Wolfgang Krautschneider
Lothar Risch
Franz Hofmann
Original Assignee
Siemens Ag
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Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00Read-only memory [ROM] devices
    • H10B20/27ROM only
    • H10B20/30ROM only having the source region and the drain region on the same level, e.g. lateral transistors
    • H10B20/38Doping programmed, e.g. mask ROM
    • H10B20/383Channel doping programmed
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00Read-only memory [ROM] devices
IN165CA1996 1995-03-20 1996-01-31 IN187131B (it)

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ID=7757156

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IN165CA1996 IN187131B (it) 1995-03-20 1996-01-31

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US (1) US5920099A (it)
EP (1) EP0815594B1 (it)
JP (1) JPH11502370A (it)
KR (1) KR19980703121A (it)
CN (1) CN1079994C (it)
AR (1) AR001255A1 (it)
DE (2) DE19510042C2 (it)
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WO1996029739A1 (de) 1996-09-26
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