HUT62100A - Method and apparatus for making submicrometric surface structures on substrates by microlithography, particularly in the course of manufacture on integrated circuit chip - Google Patents
Method and apparatus for making submicrometric surface structures on substrates by microlithography, particularly in the course of manufacture on integrated circuit chip Download PDFInfo
- Publication number
- HUT62100A HUT62100A HU9200910A HU9200910A HUT62100A HU T62100 A HUT62100 A HU T62100A HU 9200910 A HU9200910 A HU 9200910A HU 9200910 A HU9200910 A HU 9200910A HU T62100 A HUT62100 A HU T62100A
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- substrate
- fiber optic
- distance
- light
- source
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70375—Multiphoton lithography or multiphoton photopolymerization; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Description
A találmány tárgya direkt letapogatásos eljárás és berendezés szubmikrométeres felületi struktúrák készítésére szubsztrátumon sugárforráshoz közeli tér fizikai hatására támaszkodó mikrőlitográfiával, különösen integrált áramkör lapkán való gyártása során. Az eljárás végrehajtása során szubsztrátum felületét optikai és/vagy elektronikus sugárnyalábbal besugározzuk, amivel azon fotomechanikai és/vagy elektromechanikai litográfia kialakításával szubmikrométeres struktúrákat hozunk létre, aminek során a litográfiához alkalmazott optikai és/vagy elektronikus sugárnyaláb forrását a szubsztrátumtól hullámvezetővel ellátott távolságérzékelő elemmel, különösen száloptikás távolságérzékelővel beállított távolságon tartjuk. Az eljárást is megvalósító berendezés szubmikrométeres szerkezeti elemek kialakítására alkalmas szubsztrátum felületénél elrendezett, száloptikával ellátott távolságérzékelőt, a távolságérzékelő száloptikájának végét a szubsztrátum felületétől meghatározott távolságon tartó, a száloptikával visszacsatolt tartóeszközt, ez utóbbi részét képező függőleges pozícionáló berendezést tartalmaz .
Az integrált áramkörök és különösen az igen nagy számú alkatrészt tartamazó nagy integritású integrált áramköri elemek (VLSI) gyártása során hártyaszerűen bevont szubsztrátum (lapka) felületén maratással a kívánt komplex struktúrát több lépésben állítják elő. Ezek lényegében a következők:
- a lapka alakra hozott szilícium anyagú szubsztrátum vékony felszíni rétegének oxidálása és ezzel kívánt vastagságú oxidréteg elkészítése; az oxid általában vékonyréteget alkot;
- az oxidréteg felületére sugárzással szemben ellenálló • · · • · · • · · · · · • · · · · · • · · ·
- 3 anyagréteg felvitele, ahol az anyagréteg szükség szerint ultraibolya fénnyel, elektronsugárral vagy röntgensugárzással szemben mutat ellenállást;
- mikrolitográfiás eljárással, például maszkkészítéssel látens kép kialakítása a bevonat felületén;
- a látens képnek megfelelően a kívánt alakzat kifejlesztése, amikoris adott struktúrának megfelelő felületi alakot hoznak létre;
- a kapott kép stabilizálása megfelelő fixálással vagy litográfiás eljárással, például plazma felhasználásával;
- a szilícium ionsugaras kezelése a szilícium-dioxidban előállított ablakokon keresztül, aminek révén a szilíciumban különböző módon és mértékben dópolt területek, zónák alakulnak ki.
Az eljárás fent vázolt lépéseit szokás szerint többször ismétlik, ahol a fotolitográfiás (mikrolitográfiás) lépés döntő jelentőségű a késztermék minősége szempontjából, vagyis abban, hogy a rendkívül kis méretű alakzatokat (áramköri elemeket) megbízhatóan lehessen elkészíteni. A fotolitográfiás eljárások többsége során a fotomaszkolást vagy nyomtatást vetítéssel végzik. Ilyenkor az integrált áramkör gyártásának előkészítése során áttetsző anyagú maszkok sorozatát alakítják ki, amelyek fotorezisztens megfelelő alakzat biztosítására alkalmas (negatív rezisztet alkalmaznak transzparens alakzatok, míg pozitív rezisztet nem áttetsző alakzatok készítéséhez). A megvilágítást célszerűen rövid hullámhosszú, például ultraibolya fénnyel végzik. A nem áttetsző maszk elhelyezését, illetve helyzetének szükséges változtatását a szubsztrátumot igen nagy pontossággal • · · • · • ·· · ···· * • · · · · · < ······· ·· ·
- 4 kell biztosítani, a maszkok egymáshoz viszonyított helyzetét a lehető legpontosabban kell beállítani. Az is problémát jelent, hogy a megvilágítás során a reziszt és a maszk között szoros, árnyékmentes felületi kapcsolatot kell létrehozni, vagyis mind a maszk, mind a szubsztrátum méreteinek hőmérséklet vagy más tényezők okozta változásait pontosan figyelembe kell venni. Ezzel az eljárással végülis olyan integrált áramkörök készíthetők, amelyeknél pozitív elektroreziszt felhasználása mellett a felbontóképesség akár 0,5 /im szintet is elérhet (negatív reziszt alkalmazásánál a felbontóképesség általában ennél sokkal rosszabb).
Az integrált áramkörökkel szembeni követelmények szigorodásável egyre inkább igény van a felbontóképesség csökkentésére. A félvezetőfizika elméleti következtetései szerint a felbontóképesség határa lényegében 0,1 μια körül van, ami azonban ultraibolya sugárzással már nem érhető el. Ezért fejlesztették ki a fotolitográfiás technikák nem optikai, nevezzük így, mikrolitográfiás változatait, amelyeknél a kis hullámhosszú fénysugár helyett elektronnyalábot vagy röntgensugárzást használnak. Ezzel a sugárzással a hatásával szemben érzékeny reziszt rétegét megfelelő maszkon keresztül sugározzák be vagy tapogatják le. Az ilyen jellegű jelenlegi technikák által nyújtott legjobb felbontóképesség a 0,3 μιη-hez közelít.
A legkorszerűbb (optolitográfiás) mikrolitográfiás eljárások végrehajtása során számos gyakorlati problémával kell megküzdeni.
Az elektrorezisztek közvetlen litográfiás megmunkálása során monokinetikus elektronnyalábot alkalmaznak, amely adott • · • · · · · · • ··· · · · ♦ · • » · · · · · ······· ·· ·
- 5 energiájú elektronokat hordoz. Ennél az eljárásnál nincs szükség maszk felhasználására, ilyenkor azonban a felbontóképességet számos másodlagos jelenség elfogadhatatlan mértékben lerontja. A minőségromláshoz vezető egyik alapvető tényező a szekunder elektronok emissziója, amelyek a primer elektronoknak a reziszt és/vagy a szilícium felületébe való becsapódása során szabadulnak fel. Az ilyenkor visszaszóródó elektródok hatására a kimaratott alakzatok vastagsága csökken, a kijelölt vonalak követhetősége romlik, másrészt a rezisztréteg alsó szintjének terhelése növekszik, vagyis a szomszédos rétegek között szomszédsági hatások jönnek létre, amit úgy lehet kiküszöbölni, ha a megvilágítás során korrekciós tényezőket veszünk figyelembe és tartunk be. Ennek megfelelően a megvilágítás a reziszt vastagságától függően nehezen befolyásolható paramétereknek megfelelően változó idejű és intenzitású lehet.
Ha a mikrolitográfiás eljárást lágy (mintegy 280 eV—tói 1000 eV-ig terjedő energiájú) röntgensugárzásai végzik, a megvilágításhoz igen finom szerkezetű maszkokat használnak, amelyek hatására teljesen kizárt, hogy az integrált áramkörök gyártása során a felbontóképesség elméleti határát (0,1 Mm) az eddigieknél jobban meg tudják közelíteni. Ennél a megoldásnál nem lép fel az az előzőleg említett és az elektronok felhasználásával kapcsolatos negatív hatás, de a szubsztrátumot az eljárás folyamatában mindenkor a maszkokkal egy adott pozícióba kell hozni, ami munka- és időigényes műveleteket tesz szükségessé.
Az ismert litográfiás eljárások továbbfejlesztésének köszönhetően sikerült olyan ígéretes további megoldások alapelve• · · • ·
- 6 it tisztázni, amelyek mindeddig nem kerültek ipari alkalmazásra, mint ennek okát a későbbiekben még kifejtjük. A legkorszerűbbnek tekintett, de a gyakorlatban lényegében nem alkalmazott eljárás menetében fotolitográfiás lépéseket hajtanak végre. A fényforrást a szubsztrátum felületétől kis távolságra helyezik el, letapogató mikroszkóppal végzett érzékelésre épülő távolságérzékelőt alkalmaznak, és azt a fényforrás mellett rendezik el. Ezzel az érzékelővel lehetővé válik olyan feltételek beállítása, amikoris a felület és az érzékelő vezető tulajdonságú csúcsa között mintegy 1 nm távolság állítható be. Ezt a távolságot tartva olyan fényforrást alkalmaznak, amely általában ultraibolya sugárzást csak igen kis mértékben diffraktálódó nyalábban bocsát ki. Ennek révén a javasolt fotolitográfiás eljárás elvileg a fotoreziszt nagy pontosságú megmunkálását eredményezi, nincs szükség a rendkívül kis hullámhosszú (elektronvagy röntgen-) sugárzás felhasználására a felbontóképesség javítására.
Ezt az eljárást elméletileg könnyen le lehet írni, gyakorlati megvalósítása azonban számos nehézséggel jár. Ennek több oka van, mégpedig
- mindenek előtt a sugárzás forrása és a távolságérzékelő egymáshoz képest eltoltan helyezkedik el, vagyis a fényforrás és a vele besugárzandó fotoreziszt felülete közötti távolságot nem lehet az elméletileg elérhető legnagyobb pontossággal szabályozni; mivel az érzékelés távolsága nanométer nagyságrendű, ezért a távolság szabályozását kísérő pontatlanságok következtében felület hasonló nagyságrendű pontatlanságai miatt a fényforrás a felülettel akár kapcsolatba is kerülhet, aminek • · · · · · • ··· ···· · • · ······ ······· ·· · * következménye a felület megsérülése;
- a távolságérzékelő a csatornahatásra (tűnneleffektusra) támaszkodva működik, és ezért annak aktív elemeit elektromosan vezető anyagból kell kialakítani, a felülettől adott távolságra kell tartani; ha fotorezisztet alkalmazunk, ennek felületére szintén vezető tulajdonságú réteg kerül, ami a távolságérzékelés szempontjából komoly nehézségeket okoz, az eljárást bonyolulttá teszi; ha viszont elektroreziszt, tehát ugyancsak vezető jellegű anyag rétegét hozzák létre, a felület vezető tulajdonságai miatt a mikrolitográfia alapjául elektronnyaláb vagy röntgensugárzás szolgál, ahol azonban sugárforrásként akár elektronágyút vagy röntgenforrást használnak, ezeket a kimaratandó felülethez képest elektromosan polarizálni kell, hogy a megfelelő működést biztosítsák, és a polarizáció az érzékelő egyik része és a csatornahatást biztosító másik része között folyó rendkívül kis erősségű áramok folyását akadályozza vagy azt adott esetben lehetetlenné teszi;
- a reziszt rétegének kémiai tulajdonságai a maratás során változnak, és mivel a csatornahatás alapján működő érzékelő által érzékelt áram nagysága a csatornahatást biztosító anyag kémiai jellegével változik, a távolságérzékelés pontatlanná válhat.
Mindezek alapján igény van a fotolitográfiás és közöttük a mikrolitográfiás eljárások továbbfejlesztésére.
Találmányunk célja ennek az igénynek a kielégítése.
A találmány feladata olyan eljárás és berendezés létrehozása, amellyel integrált áramkörök eljárásánál szükséges foto- illetve mikrolitográfiás eljárások az eddigieknél egysze• · · · • « ····· · ······· ·· · *
- 8 rűbben hajtható végre, a felbontóképesség elméleti határához közelítő felbontási feltételeket biztosíthatók.
A kitűzött feladat megoldására egyrészt eljárást, másrészt berendezést dolgoztunk ki.
A szubsztrátumon szubmikrométeres felületi struktúrák készítésére szolgáló, mikrolitográfiára támaszkodó eljárásban, amely különösen integrált áramkör lapkán való gyártása során hasznosítható, szubsztrátum felületét optikai és/vagy elektronikus sugárnyalábbal besugározzuk, amivel azon fotomechanikai és/vagy elektromechanikai litográfia kialakításával szubmikrométeres struktúrákat hozunk létre, aminek során a litográfiához alkalmazott optikai és/vagy elektronikus sugárnyaláb forrását a szubsztrátumtól hullámvezetővel ellátott távolságérzékelő elemmel, különösen száloptikás távolságérzékelővel beállított távolságon tartjuk, és a találmány szerint a sugárnyaláb forrásának kimeneti pontját a hullámvezető végével összefogjuk, továbbá az optikai és/vagy elektronikus sugárnyaláb forrását és a távolságérzékelő elemet úgy rendezzük el, hogy a sugárnyalábnak és a távolságérzékeléshez alkalmazott fénysugárnak a szubsztrátumra való beesési pontjai egymást fedik, miközben a távolságérzékeléshez célszerűen a hullámvezetőbe koherens fényt injektálunk, továbbá a hullámvezető végét a szubsztrátum fölött a olyan távolságon tartjuk, amelynél a hullámvezetőre jellemző hullámterjedési módus és a felület által visszasugárzott, a hullámvezetőben visszavezetett fénynyalábhoz tartozó elektromos tér hullámterjedési módusa közötti csatolási tényezővel a távolság változásával gyorsan csökkenő függvényt határozunk meg. Ez a jelenség akkor hasznosítható különösen jól, ha a sugárzást • · *· ·« » · · · · • » · · • ··» ····· · • · ·«···· ····»«« · · · *
- 9 kibocsátó száloptika vége és a felület közötti távolság a méréshez használt elektromágneses sugárzás hullámhosszának legfeljebb mintegy tízszerese.
A találmány szerinti eljárásnál jól hasznosítható az a távolságérzékelő, amelyet 1989. augusztus 28-án 89-11,297 számon Franciaországban jelentettek be szabadalmaztatásra.
Az optikai jellegű távolságérzékelő felhasználása révén a jelenleg alkalmazásban levő mikrolitográfiás eszközök hátrányai jól kiküszöbölhetők. A foto- vagy elektroreziszt rétegének litográfiája a megfelelő optikai vagy elektronsugárzással elvégezhető, a távolságtartást magát a távolságérzékelés folyamata hátrányosan nem befolyásolja. A találmány lehetővé teszi azt is, hogy a reziszt rétegének litográfiáját a távolságmérésre kijelölt folton hajtsuk végre, amikor a sugárzás forrása és a mérésre kijelölt felület lényegében a reziszt felületével párhuzamos.
A találmány szerinti eljárásban hasznosított távolságérzékelők optikai jellegű, sugárforráshoz közeli tér (near field) fizikai hatását hasznosító száloptikás eszközök. A száloptika megfelelő módon elektromágneses sugárzás forrásához (például keskenysávú elektrolumineszcens diódához) kapcsolódik, végén visszatükröző felület irányába elektromágneses hullámokat sugároz. A hullámterjedés feltételei olyanok, hogy a száloptikán belül a sugárzás megfelelő vezetett módon terjed. A felszínen való visszatükröződés után a sugárnyalábot a szál újból befogja és a száloptikában megfelelő vezetési módusban jut el a vevőberendezésbe, amely annak intenzitását méri. Ha feltételezzük, és a gyakorlat ezt igazolja, mégpedig számos kísérlet alapján, • «· hogy a száloptika által befogott visszatérő hulláin virtuális száloptikától származó hullámnak tekinthető, amely a visszaverő felülettel korlátozott síkhoz képest szimmetrikusan helyezkedik el, kimutatható, hogy a vevőberendezés által érzékelt intenzitás a visszatükrözött hullám levegőben kialakuló terjedési módusai (azaz a virtuális száloptika által emittált hullámzás propagációs módusa) és a távolságérzékelő száloptikájában való terjedés módusa közötti csatolási tényező függvénye. Ebben az esetben érvényes az a feltétel, hogy a száloptika vége és a reflektáló felület közötti távolság függvényében az érzékelt hullám intenzitása rendkívül gyorsan változik, mégpedig növekedésével csökken.
Ezt a jelenséget az említett francia szabadalmi leírás szerinti megoldásban úgy hasznosítják, hogy a vizsgálandó felület topográfiáját letapogatással állapítják meg, vagy a felületről lokalizált spektroszkópiai információkat nyernek. Elméletileg és mérésekkel bizonyítható, hogy a letapogatásos (scanning) berendezés függőleges és oldalirányú felbontása mikroszkopikus alkalmazás mellett rendre 10 ... 21 nm, illetve 50 nm értéket érhet el. Az intenzitás csökkenése jól észlelhető (és ennek megfelelően jól hasznosítható) a néhány mikrométeres távolságokon.
A találmány szerinti eljárás végrehajtásával ezért adott sugárzásnak megfelelően kialakított reziszt felülete letapogatható és maratható, amikor a sugárzás forrását a felülettől néhányszor tíz nanométer és néhány mikrométer közötti távolságon tartjuk. A sugárforrás és a reziszt ütközésének veszélyét ezzel jelentős mértékben lecsökkenthetjük. A laterális felbontásnak « ··· ··· · · • Ρ ·«·««· ···« ··· ·* < ♦ ez a mértéke a tapasztalatok szerint teljes mértékben elegendő, hiszen általában a mikroelektronikai (integrált) áramkörök lapkáin olyan alakzatokat kell létrehozni, amelyek elemeinek méretei 100 nm-nél nagyobbak.
A szonda jellegű távolságérzékelő működtetéséhez a találmány értelmében nincs szükség a felület metallizálására. A lapkára felvitt reziszt tehát bármilyen, az adott technológia szempontjából elfogadható típusú lehet, azaz a különböző fotorezisztek és elektrorezisztek jöhetnek számításba. Mindezen túlmenően a távolságérzékelés szempontjából a reziszt vastagsága lényegében semmiféle szerepet sem játszik, ezért igen előnyös a nagyon vékony rezisztrétegek létrehozása, ami a felbontóképességet javítja, a maratáshoz szükséges besugárzás időtartamának csökkentését teszi lehetővé.
A találmány szerinti eljárás egy különösen előnyös megvalósításában a szubsztrátum, különösen integrált áramköri lapka mikrolitografiás megmunkálását fotomechanikai litografálási eljárással fotoreziszt műgyantán végezzük el, amelyet előzetesen a szubsztrátumra lerakatunk, továbbá erre a célra a nyaláb forrását a besugárzandó felszíntől az előírt távolságon tartó száloptikás eszközben alkalmazott elektromágneses sugárzásra jellemző hullámhossztól kis mértékben különböző hullámhosszú fénysugár előálltására állítjuk be.
A szokásosan alkalmazott fotorezisztek segítségével ultraibolya fénysugárzás (tehát mintegy 400 nm alatti hullámhosszú optikai sugárzás) felhasználásával lehetővé válik szubmikrométeres méretű alakzatok kimaratása. Ezek a rezisztek az infravörös vagy vörös fény spektrumtartományában ugyancsak áttetszőek,
4« · 4· 9 · · · *· • · » 4 4 4 * • ··· ··» » · · * * ····«· • «Μ * »*» ·» · *
- 12 tehát például hélium-neon lézerekkel megmunkálhatók, amelyek ismert módon 632,8 nm hullámhosszú sugárzást gerjesztenek. Ennek megfelelően a száloptikás távolságérzékelő működtetéséhez vörös színű fényt használhatunk, miközben a fotorezisztet ismert módon ultraibolya tartományba eső fénnyel maratjuk. Különösen hasznos, hogy a rezisztrétegen áthaladó vörös fény az érzékelő száloptikájának vége és a reziszt megmunkálásra kijelölt felülete közötti távolság meghatározásának indirekt módját teszi lehetővé, amikoris a távolságtartás alapjául szolgáló reflektáló felületet a szubsztrátum és a rajta lerakatott reziszt közötti átmeneti réteg képezi. Ezzel a megoldással a következő hátrányok szüntethetők meg:
- a szubsztrátumon a reziszt rétegének egyenetlenségei nem befolyásolják a mérést, továbbá
- a reziszt kémiai jellegének változása, ami a besugárzás következménye és adott esetben a reziszt méreteinek megváltozásával is jár, szintén a mérési eredmény pontossága szempontjából jelentéktelen tényezővé válik.
A találmány szerinti eljárás egy még további igen előnyös megvalósítási módjában tehát a száloptikás berendezésbe fotoreziszt műgyantában kívánt változás létrehozására alkalmas hullámhosszú fényt injektálunk, ami abból a szempontból célszerű, hogy ugyanaz a száloptika azonos feltételek mellett képes a sugárzás továbbítására és emittálására. A litográfiát ezért pontosan azon a helyen tudjuk létrehozni, ahol a megmunkáló sugárforrás kimenetének és a felület távolságát aktuálisan ellenőrizzük.
Ugyancsak igen előnyös a találmány szerinti eljárásnak
- · ·
- 13 az a további megvalósítási módja, amelynél a szubsztrátumot, különösen integrált áramköri lapkát elektromechanikai litográfiás eljárással a rajta előzetesen elhelyezett elektroreziszt műgyanta feldolgozásával dolgozzuk fel, amikoris elektronnyaláb forrásaként olyan vezető huzal csúcsát használjuk, amely a szubsztrátum és a csúcs között létrehozott és megfelelő módon a száloptikás távolságérzékelővel összekapcsolt elektromos tér hatására emittál.
A találmány szerinti eljárásnak ebben a célszerű változatában a sugárnyaláb forrását sokkal bonyolultabb felépítésű eszköz adja, mint az előző változatban alkalmazott fényforrás. A továbbiakban is ismertetendő módon ilyenkor a száloptikás távolságérzékelő felületének egy részét metallizáljuk és a metallizált felületet alkotó fémréteg szolgálhat elektronok forrásaként, amikoris az ún. téremisszió jelenségét idézzük elő, amihez általában legalább 109 V/cm erősségű elektromos teret kell generálni.
A találmány szerinti eljárás előzőekben részletezett változatainak megvalósítása során a szubsztrátum felületének letapogatását az oldalirányú letapogatás hagyományos eszközeivel rendkívül pontosan lehet vezérelni. A litográfiát magát pontról pontra valósítjuk meg, szerkezete egyenes szakaszokból épül fel, amikoris az oldalirányú eltolás létrehozásához szükséges információkat szokásosan közvetlenül számítógépes vezérlés szolgáltatja, amely ismert módon felépített programok alapján működik és digitális módon rögzített alakzatok kiképezésére használható. Ez a technika a maszkok fototechnikai összeállításának módszereivel összehasonlítva hasonlóan eredményesnek te• · ·
- 14 kiüthető.
Ugyancsak a kitűzött feladat megoldására, tehát szubsztrátumon szubmikrométeres felületi struktúrák mikrőlitográfiával való közvetlen, különösen integrált áramkör lapkán való gyártása során szükséges letapogatásos elkészítésére olyan berendezést alkottunk meg, amely szubmikrométeres szerkezeti elemek kialakítására alkalmas anyagból álló szubsztrátum felületénél elrendezett, száloptikával ellátott távolságérzékelőt, a távolságérzékelő száloptikájának végét a szubsztrátum felületétől meghatározott távolságon tartó, a száloptikával visszacsatolt tartóeszközt, ez utóbbi részét képező függőleges pozícionáló berendezést tartalmaz, és a találmány értelmében a száloptika vége optikai úton előállított vagy elektronokból álló, a szubsztrátum előzetesen fotoreziszt vagy elektroreziszt műgyantával bevont felületének litográfiás úton való megmunkálására szolgáló nyaláb forrásaként van kiképezve.
Igen előnyös a találmány szerinti berendezésnek az a kiviteli alakja, amelynél a száloptika első optikai csatoló kimeneténél elhelyezett transzmissziós utat alkotóan van kiképezve, ahol az első optikai csatoló bemeneti transzmissziós útja második optikai csatoló kimeneti transzmissziós útjára van csatlakoztatva, amely egyrészt első bemeneti transzmissziós úttal a fotoreziszt műgyanta feldolgozására szolgáló fény forrására, másrészt második bemeneti transzmissziós út közvetítésével a távolságérzékelő működtetésére szolgáló fényt előállító fényforrásra van csatlakoztatva és így két fénysugár együttes továbbítására alkalmasan kiképzett száloptikát alkot.
A távolságérzékelés pontosságát és a megmunkálás minősé• · ··« ·· · ··· · • · · · · · · • ··« ··· · · · • · *····« ······· · · * ·
- 15 ge szempontjából alapvető jelentőségű felbontóképességet növeli a találmány szerinti berendezésnek az a rendkívül célszerű további kiviteli alakja, amelynél a száloptika rövid hullámhosszú, a műgyanta feldolgozására alkalmas fényt vagy a röntgensugárzás tartományába eső hullámhosszú nyalábot előállító fluoreszcens szál.
A távolság megállapítása és tartása szempontjából különösen célszerű a találmány szerinti berendezésnek az a még további kiviteli alakja, amelyben a távolságérzékelő száloptikájának vége részben elektronemitter tulajdonságú, a feldolgozandó és előzetesen fotoreziszt műgyantával borított felületű megmunkálandó szubsztrátum irányában elektronokat generáló fémréteggel van beborítva, és a fémréteggel, amely célszerűen a távolságérzékelő száloptikájába injektált fény hullámhossztartományában a fényben átlátszó, téremissziós elektronok generálására alkalmas potenciálkülönbséget előállító polarizáló eszköz működik együtt.
A találmány tárgyát a továbiakban példakénti kiviteli alakok, illetve megvalósítási módok alapján, a csatolt rajzra hivatkozással ismertetjük részletesen. A rajzon az
1. ábra: a találmány szerinti mikrolitográfiás berendezés egy előnyös, optikai sugárzást hasznosító kiviteli alakjának diagramja, a
2. ábra: a találmány szerinti mikrolitográfiás berendezés egy további, elektronsugárzást hasznosító előnyös kiviteli alakjának diagramja, míg a
3. ábra: a 2. ábra szerinti berendezésben felhasznált távol- ságérzékelő végének vázlatos kialakítása.
» · «λ·····*·· • · ······ ······· ·· · ·
- 16 A találmány szerinti eljárást is megvalósító 1 mikrolitográfiás berendezés egyik alapváltozatát vázlatosan az 1. ábra mutatja. Ez a berendezés szubmikrométeres felületi struktúráknak 2 szubsztrátumon, különösen lapkán való létrehozására szolgál és legfontosabb alkotóelemei a következők:
- tiszta és szabályozott összetételű atmoszférában a 2 szubsztrátumot befogadó 3 gáztömören lezárt kamra, amelyben az előbbi maratását végezzük;
- 4 első fényforrás, például ultraibolya fényt előállító lámpa, célszerűen nagynyomású xenon, higany vagy xenon-higany töltetű gázkisülő lámpa;
- 5 második fényforrás, például vörös színű koherens fénynyalábot sugárzó hélium-neon lézer, amely 632,8 nm hullámhosszú monokromatikus fényt bocsát ki;
- kis távolságokon hatásos 7 száloptika, amely 7 száloptikával van felépítve és 8 végén optikai sugárnyalábot bocsát ki;
- hagyományosan és az ismert alapelveknek megfelelően kialakított 9 rázásmentes támasz, amelyen a 2 szubsztrátum van megtámasztva és ez szokásos elrendezéssel létrehozott, ugyancsak ismert felépítésű letapogató eszközzel, például mikrométercsavarral látható el, amelynek segítségével a 2 szubsztrátum felülete oldalirányban a 7 száloptika 8 végének beiktatásával letapogatható;
- hagyományosan és az ismert alapelveknek megfelelően felépített 10 függőleges pozícionáló eszköz, amellyel a 7 száloptika 8 vége a 2 szubsztrátum felületéhez képest pontosan beállítható; a függőleges pozicionálás például piezoelektromos
- · · csővel alakítható ki, segítségével a 7 száloptika 8 vége oldalirányban rendkívül kis osztásokkal, például szubmikrométeres lépésekben tolható el;
- olvasztásos és kiengedéses eljárással vagy más hasonló ismert módon létrehozott 11 első optikai csatoló, amely a 7 száloptika részét képezi; ez 11a és 11b bemeneti transzmissziós csatornával, valamint 11c és lld kimeneti transzmissziós csatornával van felépítve. A 7 száloptika a 11 első optikai csatoló 11c kimeneti transzmissziós csatornáját képezi, míg általában a lld kimeneti transzmissziós csatorna nem kerül felhasználásra;
- a 11 első optikai csatolóhoz hasonló módon felépített, azzal azonos típusú 12 második optikai csatoló, amely ugyancsak 12a és 12b bemeneti transzmissziós csatornára, valamint 12c és 12d kimeneti transzmissziós csatornára van felosztva, ahol a 12c kimeneti transzmissziós csatorna megfelelő eszközök révén a 11 első optikai csatoló 11a bemeneti transzmissziós csatornájára van vezetve; a 12 második optikai csatolónál a 12a bemeneti transzmissziós csatorna a 4 első fényforrásra kapcsolódik, tehát a például ultraibolya fényt szolgáltató fényforrásra, amihez hagyományos módon kialakított optikai eszközök, például szűrősorozat alkalmazható, míg a 12b bemeneti transzmissziós csatorna a 5 második fényforrásra kapcsolódik, ugyancsak ismert módon kialakított optikai eszközök révén és így a vörös fényt fogadja, valamint a 12d kimeneti transzmissziós csatorna ez esetben is általában nem kerül felhasználásra;
- 13 fotonérzékelő, például fotoelektromos sokszorozó, amely a 5 második fényforrás által kibocsátott fénnyel szemben »♦♦· érzéketlen és amely a 11 első optikai csatoló 11b bemeneti transzmissziós csatornájára van csatlakoztatva; továbbá
- 14 visszacsatolt távolságtartó berendezés, amely a 10 függőleges pozícionáló eszközt, tehát a 7 száloptika 8 végének helyzetét beállító részegységet 15 számítógépre csatlakoztatja; a 15 számítógép a 7 száloptika 8 vége és a 2 szubsztrátum felülete közötti távolságot a 13 fotonérzékelő jelei alapján szabályozza, de alkalmas a 2 szubsztrátum, továbbá a 7 száloptika 8 végének oldalirányú eltolása során az elmozdulások pontos beállítására.
Az integrált áramkörök gyártásának hagyományos eljárása során a lapkaszerű 2 szubsztrátum felületét először oxidálják. Ennek segítségével kívánt vastagságú szilícium-dioxid réteget képeznek, amelyben tartományokat kell megnyitni, hogy a későbbiekben a szilícium elektromos tulajdonságainak igény szerinti változtatásához szükséges ionos besugárzás a kívánt eredményhez vezethessen.
Ezeket a tartományokat, pontosabban ablakokat a 2 szubsztrátum felületén olyan tartományokat kell képezni, amelyeket folyékony hatóanyaggal (például savval) vagy száraz eszközökkel (például plazmabesugárzással) ki lehet maratni. Ezeket az ablakokat úgy hozzuk létre, hogy a szilícium-dioxid rétegére a 2 szubsztrátum felületén fotorezisztet helyezünk el és azt a kialakítandó hálózatnak (alakzatnak) megfelelően besugározzuk. A találmány szerinti 1 mikrolitográfiás berendezés alkalmas ilyen pontos megmunkálás biztosítására.
Miután a fotorezisztet a 2 szubsztrátum felületén elrendeztük, a 2 szubsztrátumot a 3 gáztömören lezárt kamrába he • ·
- 19 lyezzíik, ahol igen nagy tisztaságú és szabályozott összetételű atmoszférát tartunk fenn. Ezt követően az 1 mikrolitográfiás berendezés működése a következő:
A 2 szubsztrátum felületén létrehozandó alakzat részleteit nagy pontossággal a 15 számítógép tárolójában levő program határozza meg. A részleteket alapvetően adott szélességű egyenes szakaszok jelentik, amelyeket azonban a 2 szubsztrátum felületén a lehető legnagyobb pontossággal kell létrehozni. Az egyenes szakaszok besugárzásos készítése a következő módon hajtható végre:
a) a 15 számítógép a hagyományos felépítésű letapogató eszközt, amely a 9 rázásmentes támasz részét képezi, úgy vezérli, hogy a 2 szubsztrátum a 7 száloptika 8 végéhez képest pontosan meghatározott helyzetbe kerüljön - ezt a műveletet mikrométeres pontossággal kell elvégezni. Ezután a 15 számítógép az 5 második fényforrás mozgatását vezérli;
b) az 5 második fényforrásból származó fény a 12 második optikai csatoló 12b bemeneti transzmissziós csatornáján keresztül terjed, miközben a fényintenzitás egy része, például kb. 50 %-a a 12c kimeneti transzmissziós csatornán át halad és a 12 második optikai csatolóból származó fény teljes egésze a 11 első optikai csatoló 11a bemeneti transzmissziós csatornáján terjed tovább. A fényintenzitásnak egy adott, például 50 %-os, a 11a bemeneti transzmissziós csatornában terjedő része a 11 első optikai csatoló 11c kimeneti transzmissziós csatornájában halad tovább és ezt már a 7 száloptika alkotja;
c) az 5 második fényforrás által kibocsátott fény így a 7 száloptika 8 végébe jut és onnan a 2 szubsztrátum felületére, • * ·
• ··· ··· · · * · * ···« ·····♦· ·Λ · ahol visszatükröződik, mégpedig a 2 szubsztrátum és a fotoreziszt közötti átmeneti rétegben, mivel a fotoreziszt a 5 második fényforrás által kibocsátott fényben átlátszó;
d) a felületről visszasugárzott fényt ugyancsak a 7 száloptika 8 vége fogadja és ez az összegyűjtött fény a 7 száloptikán belül az előzőekben leírt iránnyal ellentétesen halad, a visszasugárzott fény egy adott, például 50 %-os része a 11 első optikai csatoló 11b bemeneti transzmissziós csatornájába jut, ahol azt adott esetben szűrés után 13 fotonérzékelő fogadja. A 13 fotonérzékelő által megállapított intenzitásnak megfelelő jel például digitális alakban kerülhet a 15 számítógép bemenetére. A 15 számítógép tárolójában megfelelő referenciaérték is van. Ez a referenciaérték az előzőekben leírt távolságérzékelés alapelveinek megfelelően a 7 száloptika 8 vége és a 2 szubsztrátum felülete közötti távolság kívánt értékét képvise- li. Igen előnyös, ha a 7 száloptika 8 vége lapos felületű, amely a vele szemben fekvő 2 szubsztrátum felületével párhuzamosan, a 7 száloptikában továbbított fény terjedési irányára merőlegesen van kiképezve;
e) a 13 fotonérzékelővel végzett méréssel megállapított intenzitás és a referenciaérték közötti összehasonlítás eredményeként a 15 számítógép a 14 visszacsatolt távolságtartó berendezés működését megfelelő módon vezérli, vagyis biztosítja, hogy a 7 száloptika 8 vége függőleges irányban a kívánt távolság beállításához szükséges mértékben elmozduljon, tehát a 6 távolságérzékelő a hagyományos módon kialakított visszacsatoló körben működik;
f) a 7 száloptika 8 végét a fentieknek megfelelően a 15 • ·
- 21 • * ·4 • · ·· «·♦ • · ♦ * · ♦· ·· ·· « számítógép a 2 szubsztrátum felületétől a kívánt távolságra beállítja és ezt követően a 15 számítógép a 14 visszacsatolt távolságtartó berendezés finom szabályozásával képes a távolságot tartani. Ebből a célból a 14 visszacsatolt távolságtartó berendezés a 10 függőleges pozícionáló eszközzel egy egységet képez és így az oldalirányú eltolás ugyancsak biztosítható. A 10 függőleges pozícionáló eszköz például piezoelektromos elven működő szabályozóeszköz, míg a 15 számítógép a 14 visszacsatolt távolságtartó berendezés megfelelő vezérlésével biztosíthatja az előbbi működéséhez szükséges feszültségek beállítását, vagyis azt, hogy a 7 száloptika 8 vége oldalirányban nanométeres pontossággal legyen elmozdítható (a függőleges mozgást a piezoelektromos csőben levő elektród megfelelő potenciálkülönbségre való beállításával lehet elérni);
g) az előzőekben említett pozicionálások végrehajtását követően a 15 számítógép a 4 első fényforrás mozgatását vezérli, amikoris például ultraibolya fény forrását a 7 száloptika 8 végének a 2 szubsztrátumhoz képest reciprok mozgásával együtt mozgatja (vagyis a 9 rázásmentes támasszal egybeépített, mikrométeres oldalirányú eltolást biztosító eszközök, valamint a 7 száloptika 8 végével csatolt 10 függőleges pozícionáló eszköz részét képező finom pozícionáló eszközök együttes mozgását biztosítja) ;
h) a 4 első fényforrás működhet folyamatosan vagy szakaszosan (impulzusos üzemmódban) , attól függően, hogy a fotorezisztben folyamatos vagy szaggatott egyenes vonalakat kell képezni. Ehhez a művelethez a 4 első fényforrás fényét szűrés után a 12 második optikai csatoló 12a bemeneti transzmissziós • · · · • ♦·< ··· ♦ · · • · ······ *····»« ·· · ·
- 22 csatornája továbbítja, miközben a fényintenzitás egy adott, például 50 %-os része a 12 második optikai csatoló 12c kimeneti transzmissziós csatornájába jut, ahonnan a 11 első optikai csatoló 11a bemeneti transzmissziós csatornájába továbbítódik. Ennek a fénynek egy része végülis a 11 első optikai csatoló 11c kimeneti transzmissziós csatornájába kerül, amelyet a 6 távolságérzékelő 7 száloptikája alkot;
i) a 4 első fényforrásból származó fény, például ultraibolya tartományba eső hullámhosszú sugárzás egy része ennek megfelelően a 2 szubsztrátum felületére jut. A 7 száloptika 8 végének és a 2 szubsztrátumnak a reciprok eltolása által meghatározott alakzatot így a fotorezisztben ki lehet maratni. A kimaratás végrehajtása során a 13 fotonérzékelővel végzett mérések eredményeinek felhasználásával a 14 visszacsatolt távolságtartó berendezés biztosítja, hogy a 7 száloptika 8 vége a megfelelően kis távolságon marad a 2 szubsztrátum felületétől. A folyamatos mérés azért lehetséges, mert a mért távolság változásai nagy valószínűséggel kicsik, hiszen a 2 szubsztrátum felületén létrehozott szilícium-dioxid bevonat kis mértékű felületi egyenetlenséget jelent, ami még az integrált áramkörök lapkáinál is elfogadható.
A fentiekben ismertetett 1 mikrolitográfiás berendezés működése igen sok előnyt nyújt. Lehetőséget ad arra például, hogy a 2 szubsztrátum felületére felvitt fotorezisztet anélkül marassuk ki, hogy azt metallizálni kellene. A maratáshoz alkalmazott sugárnyalábot előállító 4 első fényforrás alapvetően csak optikai sugárzást gerjeszt, míg a 6 távolságérzékelő a litográfiától teljes mértékben el van választva. így a két fény{· · · · • · · · · ♦ • · ···« · • ··· ··« · · * ·
- 23 sugár között semmiféle interferenciajelenség sem alakulhat ki. Mivel a maratást nagy pontossággal azokon a helyeken hajtjuk végre, ahol a távolságmérésre sor kerül, a távolság mérése követheti azt a pozíciót, ahol a kijelölt szükséges technológiai lépést végezzük.
A javasolt eljárás egy példaként! megvalósítása során szilícium alapú lapkát dolgoztunk fel. A lapka felületét először kívánt mértékben oxidáltuk, amivel védő jellegű vékonyrétegként szilicium-dioxid bevonatot készítettünk, és ezt a védőréteget ismert módon oldószerrel tisztítottuk. A tisztított felületű lapkát 200 °C hőmérsékletre hevítettük, amivel felületéről a víz nyomait is eltávolítottuk. Ezután a Shiplet Company Inc. amerikai cég által ajánlott eljárást és termékeket alkalmaztuk a további megmunkálásra. A nedvesség eltávolítását követően a lapka felületére a kereskedelmi forgalomban Microposit Primer név alatt beszerezhető tapadást elősegítő készítményt szórtunk fel, amely alkalmas arra, hogy a szilícium-dioxid és a rá kerülő reziszt közötti érintkezést javítsa. A felületre a kereskedelmi forgalomban Microposit 3000 Resist név alatt beszerezhető pozitív fotorezisztet vittünk fel, amely szükség szerint 300 nm hullámhosszú sugárzással dolgozható fel. Ezt a sugárzást a szilícium-dioxid alapú 7 száloptika minden akadály nélkül képes továbbítani és így a 11 első és a 12 második optikai csatoló a feladat ellátására alkalmas. A 7 száloptika anyaga általában olyan jó fényvezető jellegű, szilícium-dioxid vagy kvarc alapú, ismert összetételű készítmény, amely hozzávetőlegesen 180 nm hullámhossztól kezdődően képes a fény továbbítására. A lapkára a fotorezisztet folyékony fázisban pergető-szárí·· ··« »« · · ·♦· • · · · · · * • ··· ·«··« · • · ♦ ♦··· · *······ ·· * · tógép segítségével vittük fel, ilyet például az amerikai Eaton cég készít és az System 6000 típusjel alatt a kereskedelmi forgalomban hozzáférhető. Az említett pergető-szárítógép mintegy 9000 min-1 fordulatszámon üzemel, aminek révén nagyjából 20 másodperc kellett ahhoz, hogy a fotoreziszt vékony, hozzávetőlegesen 0,6 μπι vastagságú hártyaszerű rétege kialakuljon. Ezt a vastagságot egyébként szükség szerint jelentős mértékben lehet csökkenteni, ha a fotoreziszt viszkozitását oldószerrel, például a kereskedelmi forgalomban Microposit Thinner Type 30 típusjelű oldószerrel hígítjuk. Az így kapott fotoreziszt hártya a hélium-neon lézer által generált és mintegy 632,8 nm hullámhosszú fényben átlátszó.
Ezután a fotoreziszt rétegét kis mértékben felmelegítettük, hogy az oldószert elpárologtassuk, a tapadás minőségét javítsuk és a fotorezisztet megszilárdítsuk, mielőtt azt az 1 mikrolitográfiás berendezés 3 gáztömören lezárt kamrájába szállítanánk. A szállítást természetesen szabályozott összetételű atmoszférájú térben, például 10 osztályú fehér szobában hajthatjuk végre, amihez ismert módon felépített szállító berendezést használhatunk.
A fentiekben leírtak végrehajtása után a fotorezisztet a szükséges hullámhosszú fénnyel megvilágítottuk. A megvilágítás célja a fotoreziszt előhívása és ennek időtartama nyilvánvalóan függ a 4 első fényforrásként használt nagynyomású gázkisülő lámpa optikai teljesítményétől.
A megvilágított lapkát (2 szubsztrátumot) ezután olyan zárt térbe helyeztük el, ahol a kifejlesztés elvégezhető volt. Erre a célra a kereskedelmi forgalomban Microposit 300 Develo* ··
A per néven beszerezhető készítményt használtunk, majd a kifejlesztett lapkát ionmentes vízzel többször leöblítettük és nitrogénatmoszférábna kiszárítottuk. Ezután a fotorezisztet 20 percen keresztül 90 °C hőmérsékletű térben tartottuk, amivel kiszárítottuk.
A gyártási folyamat befejezéseként a reziszttel határolt szilícium—dioxidos felületek plazmás száraz litográfiásan kimarattuk, aminek műveletei önmagukban véve a műszaki irodalomból jól ismeretesek.
Az elkészült terméket egyrészt elektronmikroszkóppal, másrészt nagy térerejű, például száloptikás optikai mikroszkóppal ellenőriztük. Erre a célra az előbb említett 89-11297 alapszámú francia szabadalmi bejelentésben ismertetett elrendezés ugyancsak használható. A vizsgálatok azt bizonyították, hogy mintegy 100 nm szélességű felületi objektumokat lehetett megvalósítani. A további felépítési részletek a következők: a 6 távolságérzékelő megvalósításában szükséges és a besugárzást továbbító eszközként szereplő 7 száloptika 8 vége mintegy 500 nm nagyságú magot képez, amelyhez mintegy 1 μπι átmérőjű felület tartozik. Ezeket a jellemzőket a 8 végnél úgy biztosítottuk, hogy az 11 első optikai csatoló 11c kimeneti transzmissziós csatorna végét megolvasztottuk és megnyújtottuk. Magát a kiindulási eszközt a Gould Inc. amerikai cég által gyártott optikai csatoló jelentette, amelynél a mag 4 μπι átmérőjű és hozzá 125 μιη átmérőjű felület tartozott.
Az eddigiekben az optikai elvre támaszkodó berendezést ismertettük. A találmány szerinti eljárás és berendezés megvalósítható azonban elektronsugár hasznosításával is. Ezt a 2.
·· «·· «4 · · · ♦ · • · · · · * · • ··· ··· · · · • · ··♦·♦· • ··« · ·· ·« * ·
- 26 ábrára hivatkozással mutatjuk be, amikoris 21 mikrolitográfiás berendezést írunk le.
Az 1. ábrán bemutatottakkal azonosan kialakított részletek vannak ebben a berendezésben is, ezek a részletek ugyanolyan típusú és felépítésű megoldásokat takarhatnak.
A szubmikrométeres struktúrák megvalósítására alkalmas 21 mikrolitográfiás berendezés szintén 2 szubsztrátumon hoz létre kívánt nagyságú felületi elemeket. Ez a berendezés a következő elemekből épül fel:
- 3 gáztömören lezárt kamra,
- 5 második fényforrás, amely például vörös fényt gerjesztő hélium-neon lézer,
- 6 távolságérzékelő, amely erős elektromos térben működik és 7 száloptikát tartalmaz, amelynek 8 vége optikai szondaként hasznosítható,
- hagyományosan felépített és a 2 szubsztrátumot megfogó rázásmentes támasz,
- a 7 száloptika 8 végének térbeli helyzetét a 2 szubsztrátumhoz viszonyítva tartó és beállító 10 függőleges pozícionáló eszköz, amely adott esetben a 8 vég finom oldalirányú beállítására is alkalmas,
- száloptikás 22 optikai csatoló, amely akár a 11 első, akár a 12 második optikai csatolóhoz hasonlóan hozható létre, benne 22a és 22b bemeneti transzmissziós csatorna, illetve 22c és 22d kimeneti transzmissziós csatorna van. A 22 optikai csatolónál a 7 száloptika a 22c kimeneti transzmissziós csatorna szerepét játsza. A 22d kimeneti transzmissziós csatorna a találmány szerinti berendezésben nem játszik szerepet. A 22a be- ·· · ·· «· · «··· ♦ · · · · · · • · ·· ··· · · · • · ·»··*· ··«···· · * · · meneti transzmissziós csatorna 4 első fényforrásra van csatlakoztatva, amely például vörös fényt szolgáltat, a csatolást pedig ismert módon valósítjuk meg,
- 13 fotonérzékelő, például fotoelektronikus sokszorozó, amely a 5 második fényforrás fényével szemben érzéketlen és a optikai csatoló segítségével a 22b bemeneti transzmissziós csatornára van illesztve,
- 14 visszacsatolt távolságtartó berendezés, amely a 10 függőleges pozícionáló eszközt 15 számítógépre csatlakoztatja és az utóbbi a 13 fotonérzékelőből kapott jelek alapján biztosítja a 7 száloptika 8 vége és a 2 szubsztrátum felülete közötti távolság pontos tartását. A 15 számítógép alkalmas a 2 szubsztrátum és a 7 száloptika egymáshoz viszonyított mozgatásának tetszőleges irányú szabályozására, így az oldalirányú elmozdulások beállítására.
A 2. ábrán bemutatott szerkezetben felépített 21 mikrolitográfiás berendezéshez a 3. ábra szerinti kiegészítő eszköz tartozik. Az itt láthatóak szerint a 7 száloptika 8 végének legalább egy részét fémréteg borítja, az metallizálva van. A 6 távolságérzékelő 7 száloptikájának felületén ily módon elkészített 23 fémréteg a 8 véget körbeveheti, például félhenger alakban, ennek sugárzást generáló vonala C körívet alkot, amely a 7 száloptika körül húzódik. A 23 fémréteg vastagsága általában olyan, hogy azt a 7 száloptikával továbbított fény képes átvilágítani. Igen fontos viszont, hogy a 7 száloptika 8 végén levő fémréteg ne akadályozza a 2 szubsztrátum besugárzását és az onnan visszaszórt fény összegyűjtését.
A 7 száloptika 8 végén levő 23 fémréteget célszerűen ·· · · · ·· • · · · · · · *· ·«··· · • · ······ ······· · · · ·
- 28 vékony huzallal forrasztjuk össze és érintkeztetjük, például megfelelő kontaktusjavító ragasztóanyag segítségével. Ezt a huzalt a rajz nem mutatja és az a rajzon ugyancsak nem szereplő csatlakozóba van vezetve, ahonnan viszonylag nagyobb átmérőjű 24 vezeték indul és ez 3 gáztömören lezárt kamrán át van vezetve, ahol megfelelő helyen 25 kisfeszültségű áramforrásra kapcsolódik. A 2 szubsztrátum felületét 26 elektromos csatlakozó révén szintén a 25 kisfeszültségű áramforrásra vezetjük. A 23 fémréteg és a 2 szubsztrátum felülete között így megfelelő potenciálkülönbség hozható létre, amely például 25 V értékű. Eközben a 23 fémréteg a 7 száloptika 8 végén néhányszor tíz nanométer távolságra van a 2 szubsztrátum felületétől. így olyan elektromos tér jön létre, amelyet a csúcshatások erősítenek és így a 7 száloptika 8 vége környezetében elektronáram emissziója alakul ki.
A 3. ábrán látható elrendezés kapcsán érdemes megjegyezni, hogy az a 7 száloptika 8 végét mindenféle megolvasztásos és húzásos megmunkálás nélküli állapotban mutatja, ahol kémiai eszközöket sem használtunk az előkészítésre - az ezekből származó problémákra még visszatérünk. A 3. ábra szerint tehát a 7 száloptika kimeneti 27 felülete síkszerű. A 7 száloptikában terjedő fény longitudinális propagációs irányához viszonyítva a 27 felületnek a helyzete általában nem ortogonális, az ahhoz képest néhány fokkal, célszerűen 3 ... 4 °-os mértékben meg van döntve. Ez a megoldás a találmány szerinti berendezésnek egy előnyös továbbfejlesztését jelenti, ezzel a 23 fémréteg nagyságát korlátozzuk és ez 28 fémezett csúcsot alkot. A 28 fémezett csúcs vége tehát a 2 szubsztrátum felületéhez közelebb van, ·· ··· ·· · « · « · · · • ··« «···· · • · ······ ·*·· ··· ·· · ·
- 29 mint a 7 száloptika 8 végének 27 felületén kijelölhető középpont. Ez semmiképpen sem jelent hátrányt, mivel ezzel figyelembe lehet venni azokat a visszacsatolási paramétereket, amelyek révén a 6 távolságérzékelő működik. Az itt mutatott elrendezésnél a 28 fémezett csúcs jelenti azt az elemet, amely a 2 szubsztrátum felületének megmunkálásához szükséges elektronok nyalábját kibocsátja.
Bár a 27 felület megdöntése miatt a 7 száloptika 8 vége nem alkot a 2 szubsztrátum felületével párhuzamos felületet, ez a visszacsatolás megvalósításához szükséges mérések elvégzése során jelentősebb problémákat nem okoz. A megdőlés maga könnyen figyelembe vehető, a javasolt elrendezés segítségével, a 13 fotonérzékelő által érzékelt sugárzás intenzitása ezzel szemben csökken, ami azonban nem okozhat gondot, mivel az ismert felépítésű 5 második fényforrás, például hélium-neon lézer sugárzása elegendő intenzitású, az adott esetben kis mértékben növelhető.
A találmány szerinti berendezésnek az ábrákon nem bemutatott további kedvező megvalósítási lehetőséget jelenti a 7 száloptika 8 végének teljes metallizációja, amikor a 8 véget egész felületén fémréteggel borítjuk be, a véget magát előzőleg megolvasztással és húzással hozzuk a kívánt alakra, majd felületének egy részét kémiai eszközökkel (például HF típusú savakkal) kezeljük. Ezzel a fémréteg egy részét eltávolítjuk. A későbbiekben a 7 száloptika kimeneti felületét a rajta létrehozott fémrétegtől megtisztíthatjuk, de ez nem feltétlenül szükséges. A 7 száloptika 8 végének kialakítására így alkalmazott eljárásnak az az előnye, hogy a 6 távolságérzékelőben a fényt ·· ··>···» β · * · · · • ··♦ ··· * · • · · ·»·· ··«·«·· ·» · kibocsátó felület ugyanott helyezkedik el, mint az a fémcsúcs, amely a 25 kisfeszültségű áramforrás sarkaira csatlakoztatott szerkezeti elemek között kialakuló potenciálkülönbség miatt gerjesztett elektromos térrel előállított elektronok forrásaként szolgál.
A 21 mikrolitográfiás berendezés működtetése során végrehajtott lépések részleteik tekintetében lényegében teljesen azonosak azokkal, amelyeket az 1. ábra kapcsán, a 1 mikrolitográf iás berendezésre hivatkozással már ismertettünk. Nyilvánvaló azonban, hogy fotoreziszt helyett más jellegű reziszt rétegét kell használni és a megvilágítás jellege ugyancsak változik. A pozitív fotoreziszt helyébe tehát ezért olyan rezisztet helyeztünk, amely elektronnyaláb hatására polimer izálódni képes, ilyen például a PMMA márkanév alatt forgalmazott és az integrált áramkörök gyártásában széles körben elterjedten használt negatív rezisztet képező fotopolimer. Ezt a rezisztet klór-benzolban oldottuk fel, majd folyékony fázisban, vagyis oldott állapotban előzőleg kiszárított és tapadást javító adalékkal bevont lapkára vittük fel, mégpedig az előzőekben is ismertetett módon, 8000 min-1 fordulatszámmal működtetett pergető-szárítógéppel. A rezisztet mintegy 8 órán keresztül 175 °C hőmérsékleten szárítottuk és ezzel a PMMA jelű anyagból mintegy 2 nm vastagságú réteget nyertünk.
A lapkát a fénynyalábbal működtetett berendezéshez hasonlóan most is a 3 gáztömören lezárt kamrába helyeztük és ezt követően a 7 száloptika 8 végét a 2 szubsztrátum felületétől a kívánt távolságon rendeztük el. Ezt a pozícionálási műveletet úgy hajtottuk végre, hogy a 15 számítógép segítségével a 25 ·· · ·4 4· « ··· a · « · « * • ··♦ *♦· · · · • * ······ ··»···» ·· · ·
- 31 kisfeszültségű áramforrást is megfelelő módon elmozgattuk, miközben a 7 száloptika 8 végét és a 2 szubsztrátumot szükség szerinti mértékben eltoltuk (a 9 rázásmentes támasszal kapcsolódó eszközöket elmozgattuk és a 10 függőleges pozícionáló eszközzel egybeépített elemeket oldalirányban a szükséges finom kiosztással eltoltuk).
A lapka felületén rögzíteni kívánt alakzatoknak megfelelő vonalak a PMMA rezisztben a 25 kisfeszültségű áramforrás által szolgáltatott 25 V-os potenciálkülönbség fenntartása mellett létrejövő elektronáram segítségével minden akadály nélkül elkészíhetük voltak. Ehhez a 15 számítógép tárolójában előzetesen rögzített digitális leírást hasznosítottuk. Az elektronsugaras besugárzás alatt a 6 távolságérzékelő néhányszor tíz nanométer távolságot tartott a 2 szubsztrátum felülete és a 7 száloptika 8 végének metallizált része között. Érdemes megemlíteni, hogy a 6 távolságérzékelő segítségével végzett távolságmérés alapjaként hélium—neon lézer által generált vörös fény szolgált, a mérés során referenciát jelentő felületet a reziszt és a lapkát egyenletes vastagságú vékonyrétegben befedő szilícium-dioxid felszíne közötti átmenet adott. A PMMA reziszt előhívásához az elektronsugaras besugárzás után - ezt a 25 V nagyságú potenciálkülönbséggel gyorsított elektronok biztosították - a rezisztet ismert módon kezeltük, mégpedig negatív reziszt esetében a besugárzott részek eltávolítására aceton szolgált. Ha az elektronok energiája kisebb lett volna, a megvilágított részek oldatba viteléhez metilalkoholos készítmények is elegendőek lettek volna.
A reziszt kötését (megkeményítését) elegendő megemelt
- 32 hőmérséklettel elvégezni, ilyenkor olyan felületek alakulnak ki, amelyeket a későbbiekben nem tudunk ionos besugárzással kezelni, vagyis csak a reziszt maradványai közötti területeken lehet a szilícium—dioxidot ionsugárral a kívánt tulajdonságú térfogati elemekké alakítani.
Az elkészült felszíni struktúrát ez esetben is elektronmikroszkóppal vizsgáltuk meg, kitűnt, hogy a felületi elemek mintegy 100 nm-nél nagyobbak, tehát a felbontóképesség nagyjából 100 nm.
A találmány szerinti eljárás megvalósítására alkalmas eszközök ismertetését azzal az információval egészítjük ki, hogy a reziszt rétegén másodpercenként mintegy 1 gm hosszú vonalat lehetett húzni.
A találmány szerinti berendezés számos további lehetőség szerint valósíható meg, de ezekre a csatolt rajz nem tér ki. Az
1. ábra szerinti 1 mikrőlitográfiás berendezés célszerűen létrehozható például úgy is, hogy a 7 száloptika alapját fluoreszcens szál jelenti, ahol a vele továbbítható fluoreszcens fény hullámhossza sokkal kisebb lehet, mint a szilícium-dioxidból vagy kvarcból álló fényvezető elemekre jellemző terjedési határhullámhossz, azaz mintegy 180 nm. A fluoreszcens száloptikák ismert módon alkalmasak röntgensugárzás tartományában való felhasználásra. Az ilyen szálat hasznosító 1 mikrolitográfiás berendezés felépítése igen egyszerű, jól alkalmazható a röntgensugaras mikrolitográfiás eljárások megvalósítására, problémát azonban a rendkívül vékony maszkok jelentenek, amelyeket egyrészt megvalósítani, másrészt a lapkán (2 szubsztrátumon) megtartani nehéz.
• · • ♦ ····· ,«»«·*« 99 · ·
- 33 A találmány szerinti eljárást és berendezést a fentiekben számos lehetséges megvalósítási mód és kiviteli változat ismertetésével mutattuk be részletesen. Ez azonban nem jelenti, hogy a leírás kimeríti az összes lehetőséget, azokat szakember az itt foglalt útmutatás alapján köteles tudására támaszkodva létre tudja hozni.
A találmány szerinti eljárással és berendezéssel integrált áramkörök és hasonló elemek gyártása során megfelelő anyagú szubsztrátumon, illetve lapkán szubmikrométeres, esetleg nanométeres felületi struktúrák megfelelő felbontóképesség és gyártási sebesség mellett hozhatók létre.
Claims (10)
- SZABADALMI IGÉNYPONTOK1. Eljárás szubmikrométeres felületi struktúrák készítésére szubsztrátűmön mikrolitográfiával, különösen integrált áramkör lapkán való gyártása során, amikoris szubsztrátum felületét optikai és/vagy elektronikus sugárnyalábbal besugározzuk, amivel azon fotomechanikai és/vagy elektromechanikai litográfia kialakításával szubmikrométeres struktúrákat hozunk létre, aminek során a litográfiához alkalmazott optikai és/vagy elektronikus sugárnyaláb forrását a szubsztrátumtól hullámvezetővel ellátott távolságérzékelő elemmel, különösen száloptikás távolságérzékelővel beállított távolságon tartjuk, azzal jellemezve, hogy a sugárnyaláb forrásának kimeneti pontját a hullámvezető végével összefogjuk, továbbá az optikai és/vagy elektronikus sugárnyaláb forrását és a távolságérzékelő elemet úgy rendezzük el, hogy a sugárnyalábnak és a távolságérzékeléshez alkalmazott fénysugárnak a szubsztrátumra való beesési pontjai egymást fedik, miközben a távolságérzékeléshez célszerűen a hullámvezetőbe koherens fényt injektálunk, továbbá a hullámvezető végét a szubsztrátum fölött olyan távolságon tartjuk, amelynél a hullámvezetőre jellemző hullámterjedési módus és a felület által visszasugárzott, a hullámvezetőben visszavezetett fénynyalábhoz tartozó elektromos tér hullámterjedési módusa közötti csatolási tényezővel a távolság változásával gyorsan csökkenő függvényt határozunk meg.
- 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a szubsztrátum, különösen lapka mikrolitográfiás megmunká- 35 - ·**· · ** ·**· X < ·♦· ··· * · • · ♦ ···· ···· ··· ·· · •*3V lását fotomechanikai litografálási eljárással fotoreziszt műgyantán végezzük el, amelyet előzetesen a szubsztrátumra lerakatunk, továbbá erre a célra a nyaláb forrását a besugárzandó felszíntől az előírt távolságon tartó száloptikás eszközben alkalmazott elektromágneses sugárzásra jellemző hullámhossztól kis mértékben különböző hullámhosszú fénysugár előálltására állítjuk be.
- 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a száloptikás berendezésbe fotoreziszt műgyantában kívánt változás létrehozására alkalmas hullámhosszú fényt injektálunk.
- 4. Az 1.-3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás, azzal jellemezve, hogy a szubsztrátumot, különösen lapkát elektromechanikai litográfiás eljárással a rajta előzetesen elhelyezett elektroreziszt műgyanta feldolgozásával dolgozzuk fel, amikoris elektronnyaláb forrásaként olyan vezető csúcsát használjuk, amely a szubsztrátum és a csúcs között létrehozott és megfelelő módon a száloptikás távolságérzékelővel összekapcsolt elektromos tér hatására emittál.
- 5. Berendezés szubmikrométeres felületi struktúrák készítésére szubsztrátumon mikrőlitográfiával, különösen integrált áramkör lapkán való gyártása során, amely szubmikrométeres szerkezeti elemek kialakítására alkalmas szubsztrátum (2) felületénél elrendezett, száloptikával (7) ellátott távolságérzékelőt (6), a távolságérzékelő (6) száloptikájának (7) végét (8) a szubsztrátum (2) felületétől meghatározott távolságon tartó, a száloptikával (7) visszacsatolt tartóeszközt (14), ez utóbbi részét képező függőleges pozícionáló berendezést (10) tártál- • · • ··· .··. : ···: ··· 4 ·« • · A ····« • 999 999 99 ··- 36 máz, azzal jellemezve, hogy a száloptika (7) vége optikai úton előállított vagy elektronokból álló, a szubsztrátum (2) előzetesen fotoreziszt vagy elektroreziszt műgyantával bevont felületének litográfiás úton való megmunkálására szolgáló nyaláb forrásaként van kiképezve.
- 6. Az 5. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a száloptika (7) első optikai csatoló (11) kimeneténél elhelyezett transzmissziós utat (11c) alkotóan van kiképezve, ahol az első optikai csatoló (11) bemeneti transzmissziós útja (11a) második optikai csatoló kimeneti transzmissziós útjára (12c) van csatlakoztatva, amely egyrészt első bemeneti transzmissziós úttal (12a) a fotoreziszt műgyanta feldolgozására szolgáló fény forrására (4), másrészt második bemeneti transzmissziós út (12b) közvetítésével a távolságérzékelő (6) működtetésére szolgáló fényt előállító fényforrásra (5) van csatlakoztatva és így két fénysugár együttes továbbítására alkalmasan kiképzett száloptikát (7) alkot.
- 7. Az 5. vagy 6. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a száloptika (7) rövid hullámhosszú, a műgyanta feldolgozására alkalmas fényt előállító fluoreszcens szál.
- 8. A 7. igénypont szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a száloptika (7) röntgensugárzás tartományába eső hullámhosszú nyalábot előállító fluoreszcens szál.
- 9. Az 5. — 8. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a távolságérzékelő (6) száloptikájának (7) vége (8) részben elektronemitter tulajdonságú, a feldolgozandó és előzetesen fotoreziszt műgyantával borított felületű megmunkálandó szubsztrátum (2) irányában elektronokat ge»··« • · · « ··· • · ···· ·«· neráló fémréteggel van beborítva, amelyhez végénél (29) téremissziós elektronok generálására alkalmas potenciálkülönbséget előállító polarizáló eszköz (25) van rendelve.
- 10. Az 5. — 9. igénypontok bármelyike szerinti berendezés, azzal jellemezve, hogy a fémréteg (23) a távolságérzékelő (6) száloptikájába (7) beinjektált fény hullámhossztartományában átlátszóságot biztosító vastagsággal van kiképezve.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8912497A FR2652423B1 (fr) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | Procede de microlithographie pour la realisation de structures superficielles submicrometriques sur un substrat du type d'une plaquette de silicium, ainsi qu'un dispositif le mettant en óoeuvre. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HU9200910D0 HU9200910D0 (en) | 1992-08-28 |
| HUT62100A true HUT62100A (en) | 1993-03-29 |
Family
ID=9385780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| HU9200910A HUT62100A (en) | 1989-09-22 | 1990-09-21 | Method and apparatus for making submicrometric surface structures on substrates by microlithography, particularly in the course of manufacture on integrated circuit chip |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5384464A (hu) |
| EP (1) | EP0419369B1 (hu) |
| JP (1) | JPH05504655A (hu) |
| CN (1) | CN1052559A (hu) |
| AT (1) | ATE165675T1 (hu) |
| AU (1) | AU6416890A (hu) |
| BR (1) | BR9007682A (hu) |
| CA (1) | CA2066586A1 (hu) |
| DD (1) | DD297721A5 (hu) |
| DE (1) | DE69032277T2 (hu) |
| FI (1) | FI921211A (hu) |
| FR (1) | FR2652423B1 (hu) |
| HU (1) | HUT62100A (hu) |
| OA (1) | OA09538A (hu) |
| WO (1) | WO1991004513A1 (hu) |
| ZA (1) | ZA907560B (hu) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0459392B1 (en) * | 1990-05-30 | 1999-08-18 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing a minute portion of a specimen |
| US5226107A (en) * | 1992-06-22 | 1993-07-06 | General Dynamics Corporation, Space Systems Division | Apparatus and method of using fiber-optic light guide for heating enclosed test articles |
| US5866911A (en) * | 1994-07-15 | 1999-02-02 | Baer; Stephen C. | Method and apparatus for improving resolution in scanned optical system |
| JP2001519040A (ja) | 1995-08-30 | 2001-10-16 | ドイッチェ テレコム アーゲー | 三次元表面の構造化におけるコントラストを向上させる方法 |
| DE19630705A1 (de) | 1995-08-30 | 1997-03-20 | Deutsche Telekom Ag | Verfahren zur Herstellung von 3-dimensional strukturierten Polymerschichten für die integrierte Optik |
| DE19632563A1 (de) * | 1996-01-04 | 1997-07-10 | Deutsche Telekom Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung strukturierter lambda/4-Plättchen, Spiegel, Gitter und Prismen auf dreidimensionalen Flächen |
| JP3264824B2 (ja) * | 1996-04-11 | 2002-03-11 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 光伝搬体プローブと走査型近視野顕微鏡及び光伝搬体プローブの透過孔形成方法 |
| KR20000016497A (ko) | 1996-06-10 | 2000-03-25 | 다니엘 제이. 설리반 | 포토레지스트내에 선택된 불연속 패턴이 기록될 수 있도록 간섭리소그래피를 개조하기 위한 방법 |
| US6088505A (en) * | 1996-06-10 | 2000-07-11 | Holographic Lithography Systems, Inc. | Holographic patterning method and tool for production environments |
| US6078055A (en) * | 1997-03-19 | 2000-06-20 | California Institute Of Technology | Proximity lithography device |
| EP0880078A3 (en) * | 1997-05-23 | 2001-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection device, apparatus using the same, exposure apparatus, and device manufacturing method using the same |
| US6806477B1 (en) | 1997-05-23 | 2004-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection device, apparatus using the same, exposure apparatus, and device manufacturing method using the same |
| DE19726634A1 (de) * | 1997-06-18 | 1998-12-24 | Biotools Inst Fuer Computerint | Verfahren und Vorrichtung zur Immobilisierung von Makromolekülen |
| TW460758B (en) | 1998-05-14 | 2001-10-21 | Holographic Lithography System | A holographic lithography system for generating an interference pattern suitable for selectively exposing a photosensitive material |
| DE59915204D1 (de) | 1998-08-28 | 2010-10-28 | Febit Holding Gmbh | Verfahren zur herstellung von biochemischen reaktionsträgern |
| US6312876B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for placing identifying mark on semiconductor wafer |
| JP4017795B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2007-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 光波長変換素子およびその作製方法 |
| US7167615B1 (en) | 1999-11-05 | 2007-01-23 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Resonant waveguide-grating filters and sensors and methods for making and using same |
| TW473823B (en) * | 1999-11-18 | 2002-01-21 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method as well as exposure apparatus, and method for manufacturing device |
| DE10051396A1 (de) | 2000-10-17 | 2002-04-18 | Febit Ferrarius Biotech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur integrierten Synthese und Analytbestimmung an einem Träger |
| US20020145113A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-10 | Applied Materials, Inc. | Optical signal transmission for electron beam imaging apparatus |
| US20020160427A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Febit Ag | Methods and apparatuses for electronic determination of analytes |
| FR2827967B1 (fr) * | 2001-07-26 | 2003-10-24 | Essilor Int | Procede d'impression d'une structure stable photoinduite en champ proche,et pointe de fibre optique pour sa mise en oeuvre |
| CA2625647A1 (en) * | 2005-10-12 | 2007-04-19 | Adelaide Research And Innovation Pty Ltd | Fabrication of nanowires |
| KR101403744B1 (ko) * | 2008-04-07 | 2014-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 패터닝 장치 및 방법 |
| CN102279556B (zh) * | 2011-06-02 | 2013-07-17 | 中山大学 | 相位全息与近场光学显微镜联用制备功能性光子晶体装置及其应用方法 |
| FR3017963B1 (fr) * | 2014-02-27 | 2016-03-25 | Essilor Int | Instrument optique pour identifier et localiser des microgravures presentes sur une lentille ophtalmique |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH461149A (de) * | 1967-05-09 | 1968-08-15 | Conradi G Ag | Einrichtung an einer Zeichenmaschine oder einem Koordinatographen zur mindestens angenähert fehlerfreien Auftragung von Punkten, Linien und Symbolen auf eine zur Führungsebene des Arbeitswagens nicht parallele und/oder nicht plane photographische Schicht |
| JPS5694742A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Jeol Ltd | Electronic beam exposure device |
| JPS5849298A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | 旭光学工業株式会社 | フォト自動製図機における自動合焦装置 |
| DE3371946D1 (en) * | 1983-06-17 | 1987-07-09 | Lasarray Holding Ag | Reference determining process for correcting mechanical movements when writing lines in a metallized grid by means of a laser, and apparatus therefor |
| EP0283256A3 (en) * | 1987-03-18 | 1990-02-07 | Tektronix Inc. | Scanning optical microscope |
| EP0459392B1 (en) * | 1990-05-30 | 1999-08-18 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing a minute portion of a specimen |
-
1989
- 1989-09-22 FR FR8912497A patent/FR2652423B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-21 US US07/842,184 patent/US5384464A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-21 JP JP2513307A patent/JPH05504655A/ja active Pending
- 1990-09-21 DE DE69032277T patent/DE69032277T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-21 HU HU9200910A patent/HUT62100A/hu unknown
- 1990-09-21 BR BR909007682A patent/BR9007682A/pt unknown
- 1990-09-21 CA CA002066586A patent/CA2066586A1/fr not_active Abandoned
- 1990-09-21 DD DD90344142A patent/DD297721A5/de not_active IP Right Cessation
- 1990-09-21 ZA ZA907560A patent/ZA907560B/xx unknown
- 1990-09-21 AU AU64168/90A patent/AU6416890A/en not_active Abandoned
- 1990-09-21 EP EP90402617A patent/EP0419369B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-21 WO PCT/FR1990/000682 patent/WO1991004513A1/fr active Application Filing
- 1990-09-21 AT AT90402617T patent/ATE165675T1/de active
- 1990-09-22 CN CN90108839A patent/CN1052559A/zh active Pending
-
1992
- 1992-03-20 FI FI921211A patent/FI921211A/fi not_active Application Discontinuation
- 1992-03-20 OA OA60174A patent/OA09538A/fr unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1991004513A1 (fr) | 1991-04-04 |
| DE69032277T2 (de) | 1998-12-17 |
| HU9200910D0 (en) | 1992-08-28 |
| ATE165675T1 (de) | 1998-05-15 |
| FI921211A0 (fi) | 1992-03-20 |
| EP0419369A1 (fr) | 1991-03-27 |
| EP0419369B1 (fr) | 1998-04-29 |
| FR2652423A1 (fr) | 1991-03-29 |
| DE69032277D1 (de) | 1998-06-04 |
| US5384464A (en) | 1995-01-24 |
| FI921211A (fi) | 1992-03-20 |
| OA09538A (fr) | 1992-11-15 |
| FR2652423B1 (fr) | 1992-05-22 |
| CN1052559A (zh) | 1991-06-26 |
| ZA907560B (en) | 1991-07-31 |
| JPH05504655A (ja) | 1993-07-15 |
| BR9007682A (pt) | 1992-07-07 |
| DD297721A5 (de) | 1992-01-16 |
| CA2066586A1 (fr) | 1991-03-23 |
| AU6416890A (en) | 1991-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| HUT62100A (en) | Method and apparatus for making submicrometric surface structures on substrates by microlithography, particularly in the course of manufacture on integrated circuit chip | |
| TWI431439B (zh) | 微影裝置之位準感測器配置及器件製造方法 | |
| US6683936B2 (en) | EUV-transparent interface structure | |
| US4711568A (en) | Exposure apparatus | |
| EP0192656B1 (en) | Interferometric methods for device fabrication | |
| CN110799903B (zh) | 确定边缘粗糙度参数 | |
| EP1589792A2 (en) | Light source apparatus and exposure apparatus having the same | |
| JPH0990607A (ja) | 原版検査修正装置及び方法 | |
| TW200916976A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| TW201312299A (zh) | 用於微影裝置之位階感測器配置、微影裝置及器件製造方法 | |
| CN111948908A (zh) | 基材上图案的测量系统及方法 | |
| KR20040050916A (ko) | 피처들의 패턴 및 이의 형성 방법 | |
| Myron et al. | Advanced mask metrology enabling characterization of imprint lithography templates | |
| CN117157587A (zh) | 光刻设备、温度传感器、和光纤布拉格光栅传感器 | |
| Bosse et al. | Comparison of linewidth measurements on COG masks | |
| TW554257B (en) | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method | |
| JP2998673B2 (ja) | ウェハ、該ウェハの位置合わせ方法および装置 | |
| JPH09306807A (ja) | Ｘ線露光用マスク構造体の製造方法 | |
| Yoon et al. | Latent image diffraction from submicron photoresist gratings | |
| JPS6216526A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JP2000081382A (ja) | スキャニングプローブ、該スキャニングプローブを用いた装置及び前記装置により製造された半導体デバイス及び微細構造素子 | |
| JPH08236425A (ja) | 放射線取出窓およびこれを有する露光装置 | |
| JPH11312644A (ja) | フォトレジスト層にマスク・パタ―ンを転写する方法 | |
| JP2007005507A (ja) | 露光装置 | |
| JP5465963B2 (ja) | 基板測定装置、リソグラフィ装置、基板測定方法およびデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| DFD9 | Temporary protection cancelled due to non-payment of fee |