HU191065B - Method and apparatus for implanting ions, preferably for making integrated circuits - Google Patents

Method and apparatus for implanting ions, preferably for making integrated circuits Download PDF

Info

Publication number
HU191065B
HU191065B HU269184A HU269184A HU191065B HU 191065 B HU191065 B HU 191065B HU 269184 A HU269184 A HU 269184A HU 269184 A HU269184 A HU 269184A HU 191065 B HU191065 B HU 191065B
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
electron
ion
target
anode
controlled
Prior art date
Application number
HU269184A
Other languages
English (en)
Other versions
HUT37843A (en
Inventor
Tivadar Foeldi
Tibor Balogh
Original Assignee
Foeldi,Tivadar,Hu
Balogh,Tibor,Hu
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Foeldi,Tivadar,Hu, Balogh,Tibor,Hu filed Critical Foeldi,Tivadar,Hu
Priority to HU269184A priority Critical patent/HU191065B/hu
Publication of HUT37843A publication Critical patent/HUT37843A/hu
Publication of HU191065B publication Critical patent/HU191065B/hu

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

A találmány eljárásra és berendezésre vonatkozik, ion implantációra és az integrált áramkörök előállításához alkalmazható igen előnyösen.
Ismeretes, hogy az integrált áramkörök, ezen oszthatatlan egységben készülő, több funkciót ellátó áramkörrendszer előállításához általában fotokémiai eljárásokat alkalmaznak. Ennek az eljárásnak a kapcsán az elkészíteni szándékozott áramköröket viszonylag nagy maszkok alakjában állítják elő, majd ezeket optikai úton kicsinyítik.
Egy, az előzőekben említett ún. maszk előállítása igen jelentős műszaki ráfordítást igényel, ezért ilyen maszkokat csak nagy darabszámú áramkörök előállítása esetén célszerű elkészíteni, ezen túlmenően pedig bármilyen áramköri módosítás a maszkon történő manipulációval jár, ami az egész műveletet bonyolulttá teszi és végrehajtása ismét csak nagy darabszám esetében előnyös.
További hátránya az ismertetett műszaki megoldásnak az, hogy a munkadarabok pozicionálása is jelentős ráfordítással járó feladatot jelent.
Problematikus továbbá a fotokémiai úton előállított áramköröknél a miniatürizálás „elméleti” alsó határa, amely a mechanikus ráhatások miatt viszonylag magas alsó értékre állítható csak be.
Találmányunk elé azt a célt tűztük ki, hogy olyan eljárást és berendezést hozzunk létre ion implantációra, célszerűen integrált áramkörök előállításához, amely az előzőekben leírt hátrányos tulajdonságokkal nem rendelkezik és a létrehozott áramkörök egyedi úton vagy kis sorozatban előállíthatok, továbbá miniatürizálásuk valamint megfelelő pozicionálásuk egyszerű eszközökkel megoldható, igen gyors úton reprodukálhatók, adott esetben hagyományos dokumentáció révén, valamint a gyártásuk minimális élőmunka igénybevételével oldható meg.
A kitűzött célnak olyan eljárással teszünk eleget, amely az ion implantációt előre meghatározott módon megváltoztatott erősségű, eltérített többféle ion- és/vagy elektronsugár alkalmazásával eszközli. Az eljárás értelmében egy önmagában ismert, vezérelt elektron- és/vagy ionoptikai eszközből, mint változtatható erősségű forrásból elektron- és/ vagy ionsugarat bocsátunk ki. A sugár alakjában kibocsátott részecskéket felgyorsítjuk és a sugár irányát számítógéppel vezérelt elektrostatikus és/ vagy magnetostatikus fegyverzet útján eltérítjük, a felületegységre eső anyagáramot adott esetben mágneses fókuszálással változtatjuk. A részecskéket pedig az áramköröket hordozó target térben előre meghatározott helyeire juttatjuk. A target célszerűen digitális vezérlésű, több szabadságfokkal rendelkező léptető-mozgató eszközzel rendelkezik.
Az eljárás foganatosítására szolgáló berendezés egy katódsugárcsőként kiképzett ion- és/vagy elektronkibocsátó forrással rendelkezik. Ehhez vezérlőelektróda közbejöttével a sugárzás szimmetriatengelyébe helyezett anód, és ennek folytatását képező gyorsító anódhenger illeszkedik. Ez utóbbihoz számítógéppel vezérlő kapcsolatban álló elektrostatikus és/vagy magnetostatikus fegyverzet kapcsolódik. Az említett fegyverzet folytatását fókuszáló elektródák képezik, amelyek után targethez illeszkedő utógyorsító elektródák vannak beépítve.
Találmányunk szerinti műszaki megoldást részleteiben egy előnyös kiviteli alak kapcsán rajzmellékleten mutatjuk be, amely a berendezés vázlatát ábrázolja.
Az 1. ábrából megállapíthatóan egy katódsugárcsőként kiképzett ion- és/vagy elektronkibocsátó 1 forrás néhány száz W nagyságrendű teljesítménynyel rendelkezik. Az említett forrás az elektronmikroszkóp elvén működik.
Az 1 forrás környezetében 2 vezérlőelektróda van elrendezve, amelyhez 3 anód és ennek folytatását képező gyorsító 4 anódhenger illeszkedik. Ez utóbbihoz 10 számítógéppel vezérlő kapcsolatban lévő elektrostatikus 5 fegyverzetpár kapcsolódik. Az 5 fegyverzetpár folytatását további irányéi téri tő 6 elektródák képezik. Ez után kerülnek beépítésre az utógyorsító 7 elektródák, és fókuszáló elektródák, amelyek a 9 target környezetében helyezkednek el.
A berendezés azon az elven működik, hogy amennyiben egy katódsugárcsőből kibocsátott elektronokat vagy ionokat nagyfeszültségű ion gyorsító módszerrel felgyorsítunk és mágneses úton fókuszáljuk, illetve a sugár irányát elektrostatikus fegyverzet útján változtatjuk, a sugárzás intenzitását pedig úgyszintén változtatjuk, ahhoz a sugárnyaláb megfelelő helyére helyezett target kristályszerkezetében olyan módosulást vagyunk képesek a sugárnyaláb révén elérni, hogy az anyagi részecskék vagy a target felületének felhevülését, vagy ion emissziót okoznak, vagy pedig a sugárzott részecske bennmarad a target kristályszerkezetében, és abban kellő célzott besugárzás mellett akár 1000 sor/mm sűrűségű szerkezeti módosulást okozhat, amelyet áramkörök kialakítására felhasználhatunk.
Előnye megoldásunknak, hogy a display rendszerben az áramkörök kialakítását irányítani és ellenőrizni lehet, valamint fenti irányítási mód alapján oly egyedi áramkörök létrehozását lehet programozni, amelyekről külön dokumentációt különböző - esetleg biztonsági - okokból nem ajánlatos készíteni.
További előnyös tulajdonságként említjük meg, hogy a teljes berendezés vacuumban dolgozik a munkadarabnak tekintett target elhelyezkedését is ideértve. Ez feleslegessé teszi a szupertiszta levegő alkalmazását a technológiai folyamatban, ami az ilyen jellegű épületek fenntartási költségének 50-60%-os csökkentését jelenti.

Claims (3)

  1. Szabadalmi igénypontok
    1. Eljárás ion implantációra, célszerűen integrált áramkörök létrehozásához, előre meghatározott módon változtatott erősségű, eltérített ion- és/vagy elektronsugár alkalmazásával, azzal jellemezve, hogy önmagában ismert vezérelt elektron- és/vagy ion optikai eszközből mint változtatható erősségű forrásból elektron- és/vagy ionsugarat bocsátunk ki, az említett sugár alakjában kibocsátott részecskéket felgyorsítjuk és a sugár irányát számítógéppel
    191 065 vezérelt elektrostatikus és/vagy magnetostatikus fegyverzet útján eltérítjük a felületegységre eső anyagáramot adott esetben mágneses fókuszálással változtatjuk és a részecskéket az áramköröket hordozó target térben előre meghatározott helyeire juttatjuk.
  2. 2. Berendezés az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítására, azzal jellemezve, hogy katódsugárcsőként kiképzett ion- és/vagy elektronkibocsátó forráshoz (1) vezérlőelektróda (2) közbejöttével a sugárzás szimmetriatengelyébe helyezett anód (3) és ennek folytatását képező gyorsító anódhenger (4) illeszkedik s ez utóbbihoz számítógéppel (10) vezérlő kapcsolatban álló elektrostatikus és/vagy magnetostatikus fegyverzetpár (5, 6) kapcsolódik, amikor is az említett fegyverzetpár folytatását fó5 kuszáló és utógyorsitó elektródák (6) képezik, és ezek környezetében a sugárnyaláb útjára merőlegesen vagy közel merőlegesen tájolva target (9) helyezkedik el.
  3. 3. A 2. igénypont szerinti berendezés kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy a target (9) célszerűen digitális vezérlésű, több szabadságfokkal rendelkező lépető-mozgató eszközzel rendelkezik.
HU269184A 1984-07-10 1984-07-10 Method and apparatus for implanting ions, preferably for making integrated circuits HU191065B (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
HU269184A HU191065B (en) 1984-07-10 1984-07-10 Method and apparatus for implanting ions, preferably for making integrated circuits

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
HU269184A HU191065B (en) 1984-07-10 1984-07-10 Method and apparatus for implanting ions, preferably for making integrated circuits

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HUT37843A HUT37843A (en) 1986-02-28
HU191065B true HU191065B (en) 1987-01-28

Family

ID=10960664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU269184A HU191065B (en) 1984-07-10 1984-07-10 Method and apparatus for implanting ions, preferably for making integrated circuits

Country Status (1)

Country Link
HU (1) HU191065B (hu)

Also Published As

Publication number Publication date
HUT37843A (en) 1986-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6333508B1 (en) Illumination system for electron beam lithography tool
KR20000070813A (ko) 디지털 방식의 직접 기입 전자 빔 리소그래피
JPH06101318B2 (ja) イオンマイクロビ−ム装置
JPH07101602B2 (ja) 入射角を一定にして高電流イオンビ−ムを走査する装置
JP3966350B2 (ja) 走査形電子顕微鏡
NL8200559A (nl) Bestralingsinrichting met bundelsplitsing.
US3585397A (en) Programmed fine ion implantation beam system
EP0690473A3 (en) Ion beam electron neutralizer
TW202316469A (zh) 控制離子束的方法
US5198674A (en) Particle beam generator using a radioactive source
JPH0828190B2 (ja) イオンビ−ム装置
GB1226886A (hu)
HU191065B (en) Method and apparatus for implanting ions, preferably for making integrated circuits
TWI794557B (zh) 離子植入設備、用於控制離子束的方法及高束彎曲靜電過濾器總成
NL8702570A (nl) Geladen deeltjes bundel apparaat.
US3483417A (en) Electron beam deflecting means
JPS5911180B2 (ja) 荷電粒子をタ−ゲットに指向させる装置
JP4179390B2 (ja) 走査形電子顕微鏡
JP4179369B2 (ja) 走査形電子顕微鏡
JPS5546553A (en) Method of projecting electron beam
JP2817277B2 (ja) X線銃
JP3992021B2 (ja) 走査形電子顕微鏡
CN210535623U (zh) X射线源和x射线成像设备
JPH0384838A (ja) 電子ビーム発生機用イオントラップ
JPS63216257A (ja) イオンビ−ム装置