HRP20150253T1 - Postupak proizvodnje monokristalnih metalnih ili polumetalnih tijela - Google Patents

Postupak proizvodnje monokristalnih metalnih ili polumetalnih tijela Download PDF

Info

Publication number
HRP20150253T1
HRP20150253T1 HRP20150253TT HRP20150253T HRP20150253T1 HR P20150253 T1 HRP20150253 T1 HR P20150253T1 HR P20150253T T HRP20150253T T HR P20150253TT HR P20150253 T HRP20150253 T HR P20150253T HR P20150253 T1 HRP20150253 T1 HR P20150253T1
Authority
HR
Croatia
Prior art keywords
melting pot
seeding
crystal
plate
metallic
Prior art date
Application number
HRP20150253TT
Other languages
English (en)
Inventor
Matthias Müller
Uwe Sahr
Original Assignee
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. filed Critical Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Publication of HRP20150253T1 publication Critical patent/HRP20150253T1/hr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/14—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Claims (13)

1. Postupak proizvodnje monokristalnog metalnog ili polumetalnog tijela usmjerenim stvrdnjavanjem, gdje: polumetalnu ili metalnu sirovinu (32-34) se tali u loncu za taljenje (2, 4) kako bi se dobilo talinu (3) ili se u lonac za taljenje dodaje talina polumetala ili metala, gdje se talina usmjereno stvrdnjava pod utjecajem temperaturnog gradijenta koji ide u okomitom smjeru od gornjeg kraja lonca za taljenje (2, 4) do njegovog donjeg kraja i u prisutnosti vodoravne granice faza između tekućeg i čvrstog stanja tijekom usmjerenog stvrdnjavanja u monokristalno metalno ili polumetalno tijelo, prije dodavanja polumetalne ili metalne sirovine (32-34) ili taline u lonac za taljenje (2, 4) dno lonca za taljenje se potpuno prekrije slojem s tankom monokristalnom pločom za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b) sa smjerom kristala uzdužnim okomitom smjeru lonca za taljenje (2, 4); gdje se temperaturu dna lonca za taljenje (2, 4) drži na temperaturi nižoj od tališta sirovine (32-34) ili taline kako bi se spriječilo taljenje sloja s kristalnom pločom za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b) u svakom slučaju dolje na dnu lonca za taljenje (2, 4); naznačen time što u postupku: sloj s tankom monokristalnom pločom za zasijavanje sadrži više tankih monokristalnih ploča za zasijavanje (31a-31d; 31a-b) iste veličine posloženih neposredno jedna uz drugu kako bi potpuno prekrile dno lonca za taljenje (2, 4) ili sadrži jednu monokristalnu ploču za zasijavanje u kojoj nastaje najmanje jedna dislokacijska linija, koja dijeli jednu monokristalnu ploču za zasijavanje na odjeljke kristalne ploče za zasijavanje (1a-31d; 36a-d; 36a-b) iste veličine; gdje monokristalni metal ili polumetalnino tijelo (35) se podijeli piljenjem duž najmanje jedne linije piljenja (37, 38) koja se pruža uzdužno smjeru kristala u više monokristalnih metalnih ili polumetalnih tijela; a početak odgovarajuće linije piljenja (37, 38) se tako bira da je navedeni početak određen rubom kristalne ploče za zasijavanje (36a-d; 36a-b) ili odgovarajućom dislokacijskom linijom unutar jedne monokristalne ploče za zasijavanje; gdje grijač koji okružuje lonac za taljenje (2, 4) sadrži gornji grijač (6), donji grijač (5) i pljosnati grijač (7) koji okružuje bočne stijenke lonca za taljenje (2, 4), gdje ogrjevna snaga pljosnatog grijača (7) opada tijekom usmjerenog stvrdnjavanja od gornjeg kraja prema donjem kraju lonca za taljenje (2, 4) prema temperaturnom gradijentu na sredini lonca za taljenje; a pljosnati grijač (7) sadrži više grijaćih elemenata (10-13) koji vijugaju u uzdužnom smjeru lonca za taljenje (2, 4) ili poprečno na isti, te koji su dodani kao premoštenja (10-13) koja se pružaju poprečno na uzdužni smjer, gdje se poprečni presjeci vodilica povećavaju od gornjeg kraja prema donjem kraju u više pojedinačnih koraka; gdje lonac za taljenje (2, 4) ima pravokutan ili kvadratni poprečni presjek; u područjima uglova lonca za taljenje (2, 4) ogrjevna snaga je veća ili je razmak između stijenke lonca za taljenje i pljosnatog grijača (7) manji nego u drugim područjima; a premoštenja (10-13) su dodana po poprečnom presjeku vodilice, suženom na područjima povrata (15-17) vijugavog tijeka.
2. Postupak u skladu s patentnim zahtjevom 1, naznačen time što se odgovarajuću kristalnu ploču za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b) odsječe od monokristalnog metalnog ili polumetalnog tijela proizvedenog usmjerenim stvrdnjavanjem taline u dodatnom loncu za taljenje, gdje se prije dodavanja polumetalne ili metalne sirovine (32-34) ili taline u dodatni lonac za taljenje (2, 4) dno dodatnog lonca za taljenje potpuno prekrije slojem s tankom monokristalnom pločom za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b) sa smjerom kristala uzdužnim okomitom smjeru dodatnog lonca za taljenje (2, 4); gdje se temperaturu dna dodatnog lonca za taljenje (2, 4) drži na temperaturi nižoj od tališta sirovine (32-34) ili taline kako bi se spriječilo taljenje sloja s kristalnom pločom za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b) u svakom slučaju dolje na dnu lonca za taljenje (2, 4); gdje sloj s tankom monokristalnom pločom za zasijavanje sadrži više tankih monokristalnih ploča za zasijavanje (31 a-d; 31a-b) iste veličine posloženih neposredno jedna uz drugu kako bi potpuno prekrile dno lonca za taljenje (2, 4) ili jednu monokristalnu ploču za zasijavanje u kojoj nastaje najmanje jedna dislokacijska linija, koja dijeli jednu monokristalnu ploču za zasijavanje na odjeljke kristalne ploče za zasijavanje (31a-31d; 36a-d; 36a-b) iste veličine.
3. Postupak u skladu s patentnim zahtjevom 2, naznačen time što temperaturni gradijent tijekom usmjerenog stvrdnjavanja prethodne šarže uzrokuje ravnu, vodoravnu granicu faza između tekućeg i čvrstog stanja polumetala ili metala.
4. Postupak u skladu s patentnim zahtjevom 1, naznačen time što je na početku proizvodnje kristalne ploče za zasijavanje samo mali središnji dio dna dodatnog lonca za taljenje (2, 4) prekriven tankom monokristalnom pločom za zasijavanje (31a) sa smjerom kristala uzdužnim okomitom smjeru lonca za taljenje (2, 4), gdje temperaturni gradijent tijekom usmjerenog stvrdnjavanja taline u dodatnom loncu za taljenje uzrokuje izbočenost granice faza između tekućeg i čvrstog stanja polumetala ili metala, tako da poprečni presjek monokristalnog metalnog ili polumetalnog tijela proizvedenog tijekom usmjerenog stvrdnjavanja povećava svoju veličinu u smjeru gornjeg kraja dodatnog lonca za taljenje, gdje se jedna monokristalna ploča za zasijavanje (31a) ili više monokristalnih ploča za zasijavanje odsjeca od gornjeg kraja ili blizu gornjeg kraja tako proizvedenog monokristalnog metalnog ili polumetalnog tijela.
5. Postupak u skladu s patentnim zahtjevom 1, naznačen time što se odgovarajuća kristalna ploča za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b) proizvodi odsjecanjem najmanje dvije kristalne ploče za zasijavanje (31a-31d; 36a-d; 36a-b) s osnovnim oblikom pravokutnika ili kvadrata od monokristalnog metalnog ili polumetalnog tijela proizvedenog zonskim taljenjem ili postupkom prema Czochralskom, potpunim prekrivanjem dna dodatnog lonca za taljenje s navedene najmanje dvije kristalne ploče za zasijavanje sa smjerom kristala uzdužnim okomitom smjeru dodatnog lonca za taljenje (2, 4), taljenjem polumetalne ili metalne sirovine (32-34) u dodatnom loncu za taljenje kako bi se dobila talina (3) ili dodavanjem taline polumetala ili metala u dodatni lonac za taljenje, usmjerenim stvrdnjavanjem taline pod utjecajem temperaturnog gradijenta koji ide u okomitom smjeru i od gornjeg kraja dodatnog lonca za taljenje (2, 4) do njegovog donjeg kraja kako bi se dobilo monokristalno metalno ili polumetalno tijelo, i odsjecanjem odgovarajuće kristalne ploče za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b) od monokristalnog metalnog ili polumetalnog tijela dobivenog usmjerenim stvrdnjavanjem, gdje se temperaturu dna dodatnog lonca za taljenje (2, 4) drži na temperaturi nižoj od tališta sirovine (32-34) ili taline kako bi se u svakom slučaju spriječilo taljenje sloja s kristalnom pločom za zasijavanje dolje na dnu dodatnog lonca za taljenje (2, 4).
6. Postupak u skladu s bilo kojim od patentnih zahtjeva 2 do 5, naznačen time što se odgovarajuću kristalnu ploču za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b) se dodatno odsječe od usmjerenog stvrdnjavanja monokristalnog metalnog ili polumetalnog tijela piljenjem u smjeru poprečnom na okomiti smjer.
7. Postupak u skladu s patentnim zahtjevom 6, naznačen time što se odgovarajuću kristalnu ploču za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b) dodatno presječe piljenjem u smjeru uzdužnom okomitom smjeru, gdje se početak odgovarajuće linije piljenja tako bira da je navedeni početak određen bilo rubom kristalne ploče za zasijavanje (36a-d; 36a-b) ili odgovarajućom dislokacijskom linijom unutar jedne monokristalne ploče za zasijavanje.
8. Postupak u skladu s bilo kojim od prethodnih patentnih zahtjeva, naznačen time što se smjer temperaturnog gradijenta nikad ne mijenja tijekom taljenja polumetalne ili metalne sirovine u loncu za taljenje i tijekom usmjerenog stvrdnjavanja taline u loncu za taljenje.
9. Postupak u skladu s bilo kojim od prethodnih patentnih zahtjeva, naznačen time što je polumetal silicij, a temperaturu dna lonca za taljenje se drži ispod 1.400 °C, poželjnije ispod 1.380 °C.
10. Postupak u skladu s bilo kojim od prethodnih patentnih zahtjeva, naznačen time što lonac za taljenje (2, 4) ima pravokutan ili kvadratni poprečni presjek.
11. Postupak u skladu s bilo kojim od prethodnih patentnih zahtjeva, naznačen time što su premoštenja (10-13) dodana u područjima povrata uz poprečni presjek vodilice, sužen u kosom smjeru, tako da je poprečni presjek vodilice isti kao poprečni presjek vodilice za odgovarajuće premoštenje ispred ili iza odgovarajućeg područja povrata.
12. Postupak u skladu s patentnim zahtjevom 11, naznačen time što suženja poprečnih presjeka vodilice u područjima povrata (15-17) nastaju zbog nastanka više rupa ili udubina unutar ili izvan premosnog materijala, gdje su navedene rupe ili udubine raspodijeljene poprečno u odnosu na poprečni presjek vodilice.
13. Postupak u skladu s bilo kojim od prethodnih patentnih zahtjeva, naznačen time što je polumetalna ili metalna sirovina silicij u grumenima, granulama koji se tali počevši od gornjeg ruba lonca za taljenje, tako da istaljeni, tekući silicij teče ili se cijedi niz punilicu za silicij, gdje radi dopunjavanja lonca za taljenje, gdje se granule sirovog silicija (34), po mogućnosti srednje ili fine veličine zrna, dodaje na dno prekriveno slojem s kristalnom pločom za zasijavanje (31; 31a-31d; 36a-d; 36a-b), najprije se dodaje granule silicija (34) u tankom sloju, a zatim velike ploče silicija (32) u vodoravnom smjeru, tako da se svaka od navedenih ploča pruža od sredine lonca za taljenje uglavnom do njegovih unutarnjih stijenki, i/ili ih se dodaje u okomitom smjeru, tako da se navedene ploče uglavnom pružaju do gornjeg ruba lonca za taljenje, velike ploče silicija (32) se prekriva dodatnim granulama silicija (34), i punilicu za silicij se na kraju prekriva manjim komadima silicija (33).
HRP20150253TT 2007-08-16 2015-03-06 Postupak proizvodnje monokristalnih metalnih ili polumetalnih tijela HRP20150253T1 (hr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007038851A DE102007038851A1 (de) 2007-08-16 2007-08-16 Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Metall- oder Halbmetallkörpern
EP08161248.3A EP2028292B1 (de) 2007-08-16 2008-07-28 Verfahren zur Herstellung von monokristallinen Metall- oder Halbmetallkörpern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
HRP20150253T1 true HRP20150253T1 (hr) 2015-06-05

Family

ID=39816878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HRP20150253TT HRP20150253T1 (hr) 2007-08-16 2015-03-06 Postupak proizvodnje monokristalnih metalnih ili polumetalnih tijela

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090047203A1 (hr)
EP (1) EP2028292B1 (hr)
DE (1) DE102007038851A1 (hr)
HR (1) HRP20150253T1 (hr)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2839505B1 (fr) * 2002-05-07 2005-07-15 Univ Claude Bernard Lyon Procede pour modifier les proprietes d'une couche mince et substrat faisant application du procede
US20070151504A1 (en) * 2005-10-19 2007-07-05 General Electric Company Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible
KR101136143B1 (ko) * 2009-09-05 2012-04-17 주식회사 크리스텍 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치
DE102009045680B4 (de) 2009-10-14 2012-03-22 Forschungsverbund Berlin E.V. Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Siliziumblöcken aus der Schmelze durch gerichtete Erstarrung
US8647433B2 (en) * 2009-12-13 2014-02-11 Axt, Inc. Germanium ingots/wafers having low micro-pit density (MPD) as well as systems and methods for manufacturing same
DE102010029741B4 (de) * 2010-06-07 2013-02-28 Solarworld Innovations Gmbh Verfahren zum Herstellen von Silizium-Wafern, Silizium Wafer und Verwendung eines Silizium-Wafer als Silizium-Solarzelle
TWI534307B (zh) 2010-06-15 2016-05-21 中美矽晶製品股份有限公司 製造矽晶鑄錠之方法
US20120260845A1 (en) * 2011-04-14 2012-10-18 Rec Silicon Inc Polysilicon system
CN102758242B (zh) * 2011-04-25 2015-04-08 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 一种单晶硅铸锭的装料方法及单晶硅铸锭方法
CN102206857A (zh) * 2011-04-30 2011-10-05 常州天合光能有限公司 111晶向铸锭硅单晶及其制备方法
CN102797036B (zh) * 2011-05-26 2016-06-15 浙江昱辉阳光能源有限公司 多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池
DE102011076860B4 (de) 2011-06-01 2016-01-14 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren zur gerichteten Kristallisation von Ingots
US20130252011A1 (en) * 2011-09-14 2013-09-26 MEMC Singapore, Pte. Ltd. (UEN200614797D) Multi-Crystalline Silicon Ingot And Directional Solidification Furnace
EP2589687A1 (en) 2011-11-04 2013-05-08 Vesuvius France (S.A.) Crucible and method for the production of a (near ) monocrystalline semiconductor ingot
DE102011086669B4 (de) * 2011-11-18 2016-08-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken sowie Silizium-Block
US10065863B2 (en) * 2011-11-28 2018-09-04 Sino-American Silicon Products Inc. Poly-crystalline silicon ingot having a nucleation promotion layer comprising a plurality of chips and chunks of poly-crystalline silicon on the bottom
US9493357B2 (en) * 2011-11-28 2016-11-15 Sino-American Silicon Products Inc. Method of fabricating crystalline silicon ingot including nucleation promotion layer
GB2497120A (en) * 2011-12-01 2013-06-05 Rec Wafer Norway As Production of mono-crystalline silicon
DE102011087759B4 (de) * 2011-12-05 2018-11-08 Solarworld Industries Gmbh Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots und Silizium-Ingot
DE102011056404A1 (de) 2011-12-14 2013-06-20 Schott Solar Ag Verfahren zur Qualitätsermittlung eines Siliciumwafers
DE102012100147A1 (de) 2012-01-10 2012-12-13 Schott Solar Ag Verfahren zur Herstellung von mono-, quasimono- oder multikristallinen Metall- oder Halbmetallkörpern
US20130193559A1 (en) * 2012-01-27 2013-08-01 Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) CAST SILICON ingot prepared BY DIRECTIONAL SOLIDIFICATION
US20150086464A1 (en) * 2012-01-27 2015-03-26 Gtat Corporation Method of producing monocrystalline silicon
TWI580825B (zh) * 2012-01-27 2017-05-01 Ｍｅｍｃ新加坡有限公司 藉由定向固化作用製備鑄態矽之方法
CN102703965A (zh) * 2012-05-08 2012-10-03 常州天合光能有限公司 一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法
GB2502102A (en) * 2012-05-16 2013-11-20 Rec Wafer Norway As Improved production of monocrystalline silicon
KR102144135B1 (ko) * 2013-03-11 2020-08-12 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 반도체 장치용 실리콘 부재 및 반도체 장치용 실리콘 부재의 제조 방법
DE102013107188A1 (de) 2013-03-18 2014-09-18 Schott Ag Rohling aus Silizium, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung desselben
DE102013107189A1 (de) 2013-03-22 2014-09-25 Schott Ag Rohling aus Silizium, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung desselben
WO2014147262A1 (de) 2013-03-22 2014-09-25 Schott Ag Rohling aus silizium, verfahren zu dessen herstellung sowie verwendung desselben
DE102013107193A1 (de) 2013-04-08 2014-10-09 Schott Ag Rohling aus Silizium, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung desselben
CN103255472B (zh) * 2013-04-25 2016-12-28 浙江晶盛机电股份有限公司 具有双电源加热的区熔炉热场及保温方法
CN103255473B (zh) * 2013-04-25 2016-06-29 浙江晶盛机电股份有限公司 一种用于区熔炉的辅助加热装置及其单晶棒保温方法
FR3005966B1 (fr) * 2013-05-27 2016-12-30 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un lingot de silicium par reprise sur germes en four de solidification dirigee
FR3005967B1 (fr) * 2013-05-27 2017-06-02 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un lingot de silicium dote de joints de grains symetriques
CN103789829B (zh) * 2014-02-11 2016-03-02 英利能源（中国）有限公司 硅锭底部晶粒均匀成核的方法
WO2015127157A2 (en) 2014-02-21 2015-08-27 Momentive Performance Materials Inc. Multi-zone variable power density heater apparatus containing and methods of using the same
FR3029941B1 (fr) * 2014-12-12 2019-10-11 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Pavage de germes
JP6850004B2 (ja) * 2015-04-29 2021-03-31 １３６６ テクノロジーズ インク． 材料が消費及び補給される溶融材料の含有体積を維持する方法
US10435814B2 (en) * 2015-10-30 2019-10-08 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Single metal crystals
JP6629886B2 (ja) * 2016-06-29 2020-01-15 株式会社クリスタルシステム 単結晶製造装置
DE102018200571A1 (de) 2018-01-15 2019-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Materialkörpers und zur Herstellung eines optischen Elements, optisches Element und Behälter
WO2019186871A1 (ja) 2018-03-29 2019-10-03 株式会社クリスタルシステム 単結晶製造装置および単結晶製造方法
DE102018207759A1 (de) * 2018-05-17 2019-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Substrats für ein optisches Element und reflektierendes optisches Element
AT522892A1 (de) * 2019-08-26 2021-03-15 Lkr Leichtmetallkompetenzzentrum Ranshofen Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Gussstückes bevorzugt als Vormaterial
CN113026088A (zh) * 2019-12-24 2021-06-25 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 晶体硅锭的制备方法
CN113089074B (zh) * 2021-03-30 2023-01-20 中国科学院上海光学精密机械研究所 Dkdp晶体长籽晶二维运动生长方法
CN114455591B (zh) * 2022-01-18 2023-08-18 山西宏晟利隆科技有限公司 一种工业制造二氧化硅设备

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1020311A (en) * 1961-01-20 1966-02-16 Eisler Paul Electrical heating film
US3538767A (en) * 1968-12-04 1970-11-10 Gen Electric Flowmeter fluid drive
US3939035A (en) * 1971-03-31 1976-02-17 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing monocrystalline semiconductor material, particularly silicon, with adjustable dislocation density
US3898051A (en) * 1973-12-28 1975-08-05 Crystal Syst Crystal growing
US4256774A (en) * 1977-07-11 1981-03-17 The Procter & Gamble Company Decaffeination process
US4256530A (en) 1978-12-07 1981-03-17 Crystal Systems Inc. Crystal growing
US4381214A (en) 1980-06-26 1983-04-26 The General Electric Company Limited Process for growing crystals
US4404172A (en) * 1981-01-05 1983-09-13 Western Electric Company, Inc. Method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound
FR2567922B1 (fr) * 1984-07-18 1987-05-07 Commissariat Energie Atomique Four de cristallogenese
DE3532131A1 (de) 1985-09-10 1987-03-12 Bayer Ag Verfahren zur gerichteten erstarrung von metallschmelzen
DD298532A5 (de) * 1988-06-03 1992-02-27 Veb Carl Zeiss Jena,De Verfahren zur zuechtung von quarzkeimkristallen
US4946542A (en) * 1988-12-05 1990-08-07 At&T Bell Laboratories Crystal growth method in crucible with step portion
DE4018967A1 (de) * 1990-06-13 1991-12-19 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zum giessen von siliciumbloecken mit kolumnarstruktur als grundmaterial fuer solarzellen
EP0631832B1 (de) 1993-07-02 1998-05-20 ALD Vacuum Technologies GmbH Verfahren zum gerichteten Erstarren einer Metallschmelze und Giessvorrichtung zu seiner Durchführung
JP3242292B2 (ja) 1995-06-15 2001-12-25 シャープ株式会社 多結晶半導体の製造方法および製造装置
JPH107493A (ja) * 1996-06-20 1998-01-13 Sharp Corp シリコン半導体基板および太陽電池用基板の製造方法
JP3520957B2 (ja) 1997-06-23 2004-04-19 シャープ株式会社 多結晶半導体インゴットの製造方法および装置
EP0996516B1 (de) 1997-07-16 2001-08-29 ALD Vacuum Technologies GmbH Verfahren und vorrichtung zur herstellung von werkstücken oder blöcken aus schmelzbaren materialien
DE19855061B4 (de) 1998-11-28 2012-05-16 Ald Vacuum Technologies Ag Schmelzofen zum Schmelzen von Silizium
DE10021585C1 (de) 2000-05-04 2002-02-28 Ald Vacuum Techn Ag Verfahren und Vorrichtung zum Einschmelzen und Erstarren von Metallen und Halbmetallen in einer Kokille
DE10239104B4 (de) * 2002-08-27 2006-12-14 Crystal Growing Systems Gmbh Kristallzüchtungsofen, nämlich Vertical-Bridgman- oder Vertical-Gradient-Freeze-Kristallzüchtungsofen mit einem Mantelheizer und Verfahren zur Regelung der Heizleistung des Mantelheizers
US7001456B2 (en) * 2003-05-16 2006-02-21 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Apparatus and method for supplying Crystalline materials in czochralski method
DE102004003035B4 (de) * 2004-01-21 2007-05-24 Ruhstrat Gmbh Elektrisches Heizelement aus einem flächigen Heizband
EP1974077A2 (en) 2006-01-20 2008-10-01 BP Corporation North America Inc. Methods and apparatuses for manufacturing monocrystalline cast silicon and monocrystalline cast silicon bodies for photovoltaics
DE102006017621B4 (de) 2006-04-12 2008-12-24 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silizium
DE102006017622B4 (de) 2006-04-12 2008-03-27 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von multikristallinem Silizium

Also Published As

Publication number Publication date
EP2028292A3 (de) 2009-07-15
EP2028292A2 (de) 2009-02-25
US20090047203A1 (en) 2009-02-19
DE102007038851A1 (de) 2009-02-19
EP2028292B1 (de) 2014-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HRP20150253T1 (hr) Postupak proizvodnje monokristalnih metalnih ili polumetalnih tijela
CN106245113B (zh) 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN105568365B (zh) 一种籽晶铺设方法、晶体硅及其制备方法
RU2015131829A (ru) Обработка материалов через оптически прозрачный шлак
EP2072645A3 (en) Method for producing a monocrystalline or polycrystalline semiconductor material
CN102758242A (zh) 一种单晶硅铸锭的装料方法及单晶硅铸锭方法
TWI541394B (zh) 多晶矽晶鑄錠之製造方法及其多晶矽晶棒
CN103255475A (zh) 包含成核促进颗粒的硅晶铸锭及其制造方法
KR101323901B1 (ko) 용융 미립자를 이용하여 실리콘으로 이루어진 단결정을 제조하는 방법
CN102473793B (zh) 制造光电元件的系统和方法
CN104451870A (zh) 一种多晶硅锭的铸造方法
CN105603521A (zh) 一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片
KR20130055534A (ko) 실리콘 블록 및 이의 제조방법
CN102703965A (zh) 一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法
WO2004092454A3 (en) System and method of making single-crystal structures through free-form fabrication techniques
CN102797036B (zh) 多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池
JP6121422B2 (ja) 方向性凝固によって結晶性材料を作製するための、追加の側方熱源が備わったシステム
JP5458295B1 (ja) 押湯を用いない鋳造方法
DE102007035756B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Nichteisenmetall-Blöcken
CN103132133B (zh) 用于生产硅锭的方法
CN104294358B (zh) 一种多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭
KR101408594B1 (ko) 다결정 실리콘 잉곳을 생산하기 위한 장치
CN103710744A (zh) 制造硅单晶籽晶和硅晶片的方法及硅晶片和硅太阳能电池
CN103924294A (zh) 一种多晶硅及其制备方法
CN103088418B (zh) 硅晶铸锭及其制造方法