FR2880189A1 - Procede de report d'un circuit sur un plan de masse - Google Patents
Procede de report d'un circuit sur un plan de masse Download PDFInfo
- Publication number
- FR2880189A1 FR2880189A1 FR0453229A FR0453229A FR2880189A1 FR 2880189 A1 FR2880189 A1 FR 2880189A1 FR 0453229 A FR0453229 A FR 0453229A FR 0453229 A FR0453229 A FR 0453229A FR 2880189 A1 FR2880189 A1 FR 2880189A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- semiconductor
- bonding
- buried
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 6
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76256—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques using silicon etch back techniques, e.g. BESOI, ELTRAN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, comportant :a) la réalisation d'au moins une partie d'un circuit, dans ou sur la couche superficielle (2) d'un substrat, comportant ladite couche superficielle (2), une couche enterrée (4) sous la couche superficielle, et une couche sous-jacente (6) servant de premier support,b) un transfert de ce substrat sur un substrat poignée (20) puis une élimination du premier support (6),c) la formation d'une couche (14) électriquement conductrice ou formant plan de masse sur la couche enterrée (4),d) la formation, sur cette couche (14) électriquement conductrice ou formant plan de masse, d'une couche de collage (12),e) un report de l'ensemble sur un deuxième support (30) et une élimination du substrat poignée (20).
Description
PROCEDE DE REPORT D'UN CIRCUIT SUR UN PLAN DE MASSE
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne la réalisation de nouvelles structures pour des composants semi-conducteurs ou des dispositifs de type MEMS, et notamment SOI ou de type SOI.
De nombreux microsystèmes ou MEMS (Micro Electro Mechanical Systems en anglais) sont réalisés à l'aide de matériaux SOI (de l'anglais Silicon On Insulator) qui permettent en particulier d'obtenir des membranes de silicium monocristallin suspendues au-dessus d'une cavité.
Les matériaux du type SOI sont des structures composées d'une couche superficielle 2 en silicium monocristallin sur une couche isolante 4, en général en oxyde de silicium (figure 1). Ces structures sont obtenues par exemple par assemblage par adhésion moléculaire d'une plaque 6 de silicium oxydée en surface, avec une autre plaque de silicium.
Cet assemblage comprend une étape de préparation de surface des deux plaques, une étape de mise en contact et une étape de traitement thermique. De façon classique ce traitement thermique est réalisé à des températures comprises entre, typiquement, 900 et 1250 C durant 2h.
Ensuite, au moins une des deux plaques est amincie, laissant subsister une couche mince 2 semi-conductrice sur une couche isolante 4.
L'amincissement a lieu par différents moyens mécaniques, ou chimiques, ou par séparation au niveau d'une couche fragile créée par exemple par implantation d'ions.
Pour certaines applications, il est intéressant d'obtenir des circuits sur un plan de masse métallique.
Dans le cas des circuits SOI on cherche ainsi à bien contrôler la densité des porteurs en face arrière du circuit, lui même réalisé dans la couche superficielle 2.
Pour cela, il faut que le circuit SOI, réalisé dans la couche 2 et superficiel à la couche 4 enterrée, de faible épaisseur (par exemple une couche d'oxyde de silicium), soit tel que l'ensemble constitué par ledit circuit et la couche 4 enterrée soit sur une couche conductrice électriquement, ou plan de masse métallique. Pour cela il est intéressant d'avoir un oxyde enterré d'épaisseur très faible, par exemple 10 nm à 50 nm. Ainsi il est possible de contrôler la densité des porteurs dans la couche du semi-conducteur au voisinage de l'interface par l'intermédiaire de la différence de potentiel appliquée à la couche conductrice enterrée et à la couche semi-conductrice.
Or, il est difficile d'obtenir des plaques SOI avec une fine couche diélectrique 4 et un plan de masse métallique, car les plaques ne pourraient alors pas subir de traitements thermiques à haute température nécessaires à la réalisation des circuits ou composants.
On peut par contre reporter, après formation des circuits sur matériau SOI, les circuits sur des plaques contenant un plan de masse métallique. Une possibilité est de transférer la couche contenant les circuits sur une couche avec un dépôt métallique par les techniques de double transfert utilisant l'adhésion moléculaire.
Mais d'un point de vue technologique, cela est difficile à mettre en oeuvre, car il est difficile d'avoir un collage direct entre une couche métallique et un oxyde, surtout lorsque celui-ci est de fine épaisseur, sans avoir de défauts de collage.
Il se pose donc le problème de pouvoir réaliser une structure comportant un circuit de type SOI ou comportant une couche de circuits sur une couche enterrée et un plan de masse sous ce circuit ou cette couche enterrée.
EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention concerne d'abord un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, comportant.
a) la réalisation d'au moins tout ou partie d'un composant ou d'un circuit, dans ou sur la couche superficielle d'un substrat, comportant ladite couche superficielle, une couche enterrée sous la couche superficielle, et une couche sous-jacente servant de premier support, b) un transfert de ce substrat sur un substrat poignée puis une élimination du premier support, c) la formation d'une couche formant plan de masse sur la couche enterrée, d) la formation, sur la couche formant plan de masse, d'une couche de collage, e) un report de l'ensemble sur un deuxième support et une élimination du substrat poignée.
Dans ce premier cas, la couche de collage peut être isolante électriquement, par exemple choisie parmi SiO2, Si3N4, SiON ou autre. Elle peut aussi être électriquement conductrice, par exemple en Si dopé ou en Si polycristallin dopé.
L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, comportant.
a) la réalisation d'au moins tout ou partie d'un composant ou d'un circuit, dans ou sur la couche superficielle d'un substrat, comportant ladite couche superficielle, une couche enterrée sous la couche superficielle, et une couche sous-jacente servant de premier support, b) un transfert de ce substrat sur un substrat poignée puis une élimination du premier support, c) la formation d'une couche en matériau semiconducteur fortement dopé, formant à la fois couche de collage et couche conductrice électriquement ou plan de masse sur la couche enterrée, d) un report de l'ensemble sur un deuxième support et une élimination du substrat poignée.
Selon l'invention, on réalise un circuit sur un substrat comportant une couche superficielle, une couche enterrée, par exemple en oxyde de silicium, épais ou mince, sous la couche superficielle, et un premier support.
Cet ensemble est ensuite assemblé sur une 5 plaque, par exemple en semi-conducteur, qui sert de poignée.
On peut alors amincir le substrat, de manière à éliminer le premier support jusqu'au niveau de la couche enterrée.
Cette étape d'amincissement peut être réalisée par exemple par amincissement mécanique et/ou attaque chimique.
Dans le premier cas, la couche formant plan de masse peut être en un matériau métallique ou en un matériau semi-conducteur fortement dopé. Dans le deuxième cas, la couche formant plan de masse forme également couche de collage.
L'étape de report peut être réalisé par adhésion moléculaire ou par collage à l'aide d'une substance adhésive telle qu'une colle, une résine,...etc.
Après l'étape b), une étape d'amincissement de la couche enterrée du substrat peut être réalisée, par exemple par des moyens mécaniques et/ou chimiques (humide ou sec). On peut donc adapter l'épaisseur de la couche enterrée à l'épaisseur désirée.
La couche superficielle peut être en matériau semi-conducteur, par exemple en silicium ou en germanium, ou en un semi-conducteur III-V, II- VI, ou en un semi-conducteur composé, par exemple en SiGe.
Le substrat initial peut être un substrat SOI.
Le composant ou circuit peut être un composant de type électronique ou optoélectronique ou MEMS.
L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur comportant une couche superficielle de circuits ou de composants, une première couche enterrée en un matériau diélectrique, une deuxième couche enterrée formant couche conductrice ou plan de masse, une troisième couche enterrée de collage, et un substrat.
La couche formant plan de masse peut être en un matériau métallique ou en semi-conducteur fortement dopé.
L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur comportant une couche superficielle de circuits ou de composants, une première couche enterrée en un matériau diélectrique, une deuxième couche enterrée en un matériau semi conducteur fortement dopé, formant à la fois couche de collage et couche conductrice électriquement, ou plan de masse, et un substrat.
Dans les deux cas, la couche superficielle, dans laquelle sont formés les circuits, peut être en semi-conducteur, par exemple en silicium ou en germanium, ou en un semi-conducteur III-V, II-VI, ou en un semi-conducteur composé, par exemple en SiGe.
La première couche enterrée peut être un isolant électrique, tel que le dioxyde de silicium, ou la silice thermique ou une multicouche par exemple de type SiO2/Si3N4.
7 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
La figure 1 représente une structure SOI.
La figure 2 représente un composant selon l'invention.
Les figures 3A-3E représentent des étapes d'un procédé selon l'invention.
La figure 4 représente un autre composant selon l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La figure 2 représente un dispositif ou composant selon l'invention, comportant, sur un substrat 30, une couche 12 de collage, une couche 14 formant plan de masse, une couche 4 de diélectrique et enfin une couche 2 de circuits.
L'ensemble couche 2-couche 4 forme un circuit SOI .
La couche 14 peut être métallique ou en matériau semi-conducteur (par exemple en silicium) fortement dopée.
La couche de collage 12 peut être isolante électriquement; ce peut être un oxyde, par exemple SiO2. Elle peut aussi être choisie parmi, par exemple, Si3N4, SiON ou autre.
Elle peut être aussi être électriquement conductrice, étant alors par exemple en Si amorphe dopé ou en Si polycristallin dopé, ou même en Si dopé.
L'interface de collage peut être localisée entre la couche de collage 12 et le substrat support 30 30. Cette interface peut aussi, dans le cas où une 15 couche de collage est déposée à la fois sur le plan de masse et sur le support 30, être localisée au milieu de la couche de collage elle même.
A titre d'exemple, la couche 4 a une épaisseur comprise par exemple entre 10 nm et 500 nm ou 1 pm, et la couche 2 une épaisseur comprise entre 10 nm et 1 pm ou 10 gm. La couche métallique peut avoir une épaisseur comprise entre 100 nm et 500 nm, et la couche de collage une épaisseur comprise entre 500 nm et quelques pm, par exemple 5 pm. Toutes ces gammes d'épaisseurs peuvent varier en dehors des gammes indiquées.
S'il y a une topologie en face arrière (côté plan de masse 14) il peut être avantageux de 15 réaliser une planarisation avant l'étape de collage ou avant le dépôt de la couche conductrice.
Un procédé de réalisation d'un tel composant va maintenant être décrit, en relation avec les figures 3A à 3G.
Une plaque SOI comporte initialement, comme illustré sur la figure 1, un support 6, une couche enterrée 4 et une couche superficielle 2. Cette dernière est par exemple en silicium, mais elle peut aussi être en germanium, ou en un semi-conducteur III-IV, ou II-VI, ou en un semiconducteur composé, tel que du SiGe par exemple.
Sur cette plaque SOI (figure 3A), on réalise des circuits 18 ou tout ou partie d'un composant dans la couche 2.
L'ensemble est alors assemblé (figure 3B), par le côté de la couche 2 de circuits, avec un substrat poignée 20, par collage par exemple par adhésion moléculaire. Un tel collage présente l'avantage d'être compatible avec des procédés thermiques.
Le support 6 peut alors être éliminé par exemple par amincissement mécanique, et/ou mécano-chimique, et/ou chimique (figure 3C).
On peut ensuite adapter l'épaisseur de la couche enterrée 4 à l'épaisseur désirée. Cette étape permet de bien contrôler l'effet de la couche conductrice à travers la couche diélectrique 4.
L'amincissement est de façon préférentielle réalisé par CMP (polissage mécano - chimique) ou par attaque chimique (gravure humide ou sèche) jusqu'à une épaisseur faible, par exemple de 10 nm à 50 nm.
On forme ensuite, sur la couche 4, une couche conductrice 14 (figure 3D), par exemple par dépôt chimique en phase gazeuse. Cette couche peut être par exemple en Cuivre, ou en aluminium ou en silicium dopé, ou en siliciure de tungstène (WSi2).
Sur cette couche métallique 14, une autre couche 12 en un matériau permettant de faciliter un collage sur un substrat, notamment de type semi-conducteur, peut être déposée ou formée. Cette couche 12 de collage est par exemple une couche d'oxyde de silicium ou une couche de silicium amorphe ou polycristallin. Suivant la nature de la couche de collage, il peut donc y avoir une conduction électrique entre le plan de masse et le substrat ou une isolation électrique. Dans le cas d'une isolation électrique, le contact de la couche conductrice peut être pris par la face avant ou par la face arrière de la structure. Dans le cas d'une couche de collage conductrice, le contact peut être pris par la face arrière.
Cette couche 12 de collage peut être une couche épaisse, par exemple supérieure à 100 nm, ce qui permet d'obtenir une bonne qualité de collage.
Il est alors possible de reporter l'ensemble, par exemple par collage par adhérence moléculaire sur un autre substrat 30 (figure 3E). Si une topologie est présente en face arrière (du côté à assembler avec le substrat 30), une planarisation peut être réalisée.
Ainsi, on peut reporter facilement la structure en assurant un bon contrôle du collage, le collage par adhésion moléculaire permettant notamment d'assurer pas ou peu de défauts et une forte énergie de collage. De plus il est compatible avec la réalisation d'étapes microélectroniques ultérieures. On peut aussi utiliser un collage à l'aide d'une substance adhésive, telle qu'une colle ou une résine.
Après cette étape de report, la plaque poignée 20 qui servait de manipulateur pour amincir la plaque initiale peut être éliminée, par exemple par amincissement mécanique et/ou chimique ou par décollage au niveau de l'interface de collage entre face avant et poignée.
On a ainsi une structure telle que celle de la figure 2 avec des circuits SOI contenant un oxyde mince 4 sur un plan 14 de masse.
Le tout repose sur une couche 12 qui a permis d'assurer le collage de la structure sur un nouveau support 30.
La figure 4 représente un autre composant selon l'invention, comportant, sur un substrat 30, une couche 34 en matériau semi-conducteur fortement dopé, formant plan de masse et couche de collage, une couche 4 de diélectrique et enfin une couche 2 de circuits. Le dopage de la couche 34 permet à la résistivité de cette couche d'être au plus de l'ordre de quelques mQ/cm2, par exemple au plus de l'ordre de 10 mQ/cm2 ou de 100 mQ/cm2. C'est par exemple une couche de polysilicium dopé.
L'ensemble couche 2 - couche 4 forme un circuit de type SOI .
La réalisation d'un tel dispositif peut être décrite en référence aux figures 3A - 3E: les étapes sont les mêmes, sauf pour la formation de la couche métallique 14 et de la couche de collage 12, qui sont remplacées par une couche unique 34.
Claims (18)
1. Procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, comportant: a) la réalisation d'au moins une partie d'un circuit ou d'un composant, dans ou sur la couche superficielle (2) d'un substrat, comportant ladite couche superficielle (2), une couche enterrée (4) sous la couche superficielle, et une couche sous-jacente (6) servant de premier support, b) un transfert de ce substrat sur un substrat poignée (20) puis une élimination du premier support (6), c) la formation d'une couche (14) 15 électriquement conductrice ou formant plan de masse sur la couche enterrée (4), d) la formation, sur cette couche (14) électriquement conductrice ou formant plan de masse, d'une couche de collage (12), e) un report de l'ensemble sur un deuxième support (30) et une élimination du substrat poignée (20).
2. Procédé selon la revendication 1, la couche de collage (12) étant isolante électriquement.
3 Procédé selon la revendication 2, la couche de collage (12) étant un oxyde, par exemple SiO2, ou étant choisie en Si3N4, ou en SiON.
4 Procédé selon la revendication 1, la couche de collage (12) étant électriquement conductrice, par exemple en semi-conducteur dopé, par exemple en Si dopé ou en Si polycristallin dopé.
5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, la couche (14) conductrice ou formant plan de masse étant en un matériau métallique ou en un matériau semi-conducteur fortement dopé.
6. Procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, comportant: a) la réalisation d'au moins une partie d'un circuit ou d'un composant, dans ou sur la couche superficielle (2) d'un substrat, comportant ladite couche superficielle (2), une couche enterrée (4) sous la couche superficielle, et une couche sous-jacente (6) servant de premier support, b) un transfert de ce substrat sur un 20 substrat poignée (20) puis une élimination du premier support (6), c) la formation d'une couche (14) en matériau semi-conducteur fortement dopé, formant plan de masse et couche de collage sur la couche enterrée (4), d) un report de l'ensemble sur un deuxième support (30) et une élimination du substrat poignée (20).
SP 25780 PM 2880189
7. Procédé selon l'une des revendications 1
à 6, l'étape e) ou d) de report étant réalisé par adhésion moléculaire.
8. Procédé selon l'une des revendications 1
à 7, comportant en outre, après l'étape b), une étape d'amincissement de la couche enterrée (4) du substrat.
9. Procédé selon l'une des revendications 1
à 8, la couche superficielle (2) étant en semi-conducteur, par exemple en silicium ou en germanium, ou en un semi-conducteur III-V, II- VI, ou en un semi-conducteur composé, par exemple en SiGe.
10. Procédé selon l'une des revendications
1 à 8, le substrat étant un substrat SOI.
11. Dispositif semi-conducteur comportant une couche superficielle (2) contenant tout ou partie de circuits ou composants, une première couche enterrée (4) en un matériau diélectrique, une deuxième couche enterrée (14) électriquement conductrice ou formant un plan de masse, une troisième couche enterrée (12) de collage, et un substrat (30).
12. Dispositif selon la revendication 11, la couche (14) formant plan de masse étant en un matériau métallique.
SP 25780 PM 2880189
13. Dispositif selon la revendication 11 ou 12, la couche de collage (12) étant isolante électriquement
14. Dispositif selon la revendication 13, la couche de collage étant un oxyde, par exemple SiO2, ou étant choisie en Si3N4 ou en SiON.
15. Dispositif selon la revendication 11 ou 12, la couche de collage (12) étant électriquement conductrice, par exemple en semi- conducteur dopé, par exemple en Si dopé ou en Si polycristallin dopé.
16. Dispositif semi-conducteur comportant une couche superficielle (2) de circuits, une première couche enterrée (4) en un matériau diélectrique, une deuxième couche enterrée (14) en un matériau semi-conducteur fortement dopé formant un plan de masse et couche de collage, et un substrat (30).
17. Dispositif selon l'une des revendications 11 à 16, la couche superficielle (2), dans laquelle sont formés les circuits, étant en semiconducteur, par exemple en silicium ou en germanium, ou en un semiconducteur III-V, II-VI, ou en un semi-conducteur composé, par exemple en SiGe.
18. Dispositif selon l'une des revendications 11 à 17, la première couche enterrée (4) étant un isolant électrique, tel que le dioxyde de silicium.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0453229A FR2880189B1 (fr) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | Procede de report d'un circuit sur un plan de masse |
US11/793,863 US8298915B2 (en) | 2004-12-24 | 2005-12-22 | Method of transferring a circuit onto a ground plane |
PCT/FR2005/051139 WO2006070167A1 (fr) | 2004-12-24 | 2005-12-22 | Procede de report d'un circuit sur un plan de masse |
EP05848368A EP1829100A1 (fr) | 2004-12-24 | 2005-12-22 | Procede de report d'un circuit sur un plan de masse |
JP2007547604A JP2008526009A (ja) | 2004-12-24 | 2005-12-22 | 回路を接地面に移動する方法 |
KR1020077013647A KR20070086316A (ko) | 2004-12-24 | 2005-12-22 | 접지면 상으로 회로를 전달하는 방법 |
CNB2005800443969A CN100543962C (zh) | 2004-12-24 | 2005-12-22 | 将电路转移到接地层的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0453229A FR2880189B1 (fr) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | Procede de report d'un circuit sur un plan de masse |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2880189A1 true FR2880189A1 (fr) | 2006-06-30 |
FR2880189B1 FR2880189B1 (fr) | 2007-03-30 |
Family
ID=34954819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0453229A Active FR2880189B1 (fr) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | Procede de report d'un circuit sur un plan de masse |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8298915B2 (fr) |
EP (1) | EP1829100A1 (fr) |
JP (1) | JP2008526009A (fr) |
KR (1) | KR20070086316A (fr) |
CN (1) | CN100543962C (fr) |
FR (1) | FR2880189B1 (fr) |
WO (1) | WO2006070167A1 (fr) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2963159A1 (fr) * | 2010-07-21 | 2012-01-27 | Soitec Silicon On Insulator | Procedes de formation de structures semi-conductrices liees, et structures semi-conductrices formees par ces procedes |
US8481406B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-07-09 | Soitec | Methods of forming bonded semiconductor structures |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2871291B1 (fr) * | 2004-06-02 | 2006-12-08 | Tracit Technologies | Procede de transfert de plaques |
US7927975B2 (en) | 2009-02-04 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
JP5847566B2 (ja) | 2011-01-14 | 2016-01-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
US8906779B2 (en) * | 2012-03-30 | 2014-12-09 | International Business Machines Corporation | Solar-powered energy-autonomous silicon-on-insulator device |
US8530337B1 (en) * | 2012-06-22 | 2013-09-10 | International Business Machines Corporation | Method of large-area circuit layout recognition |
WO2014020387A1 (fr) | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Soitec | Procédés de formation de structures semi-conductrices incluant des dispositifs de microsystème électromécanique et des circuits intégrés sur les côtés opposés de substrats, et structures ainsi que dispositifs connexes |
WO2014177612A1 (fr) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | Abb Technology Ag | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprenant une plaquette mince à semi-conducteurs |
FR3049761B1 (fr) * | 2016-03-31 | 2018-10-05 | Soitec | Procede de fabrication d'une structure pour former un circuit integre monolithique tridimensionnel |
FR3062238A1 (fr) | 2017-01-26 | 2018-07-27 | Soitec | Support pour une structure semi-conductrice |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0553853A2 (fr) * | 1992-01-31 | 1993-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Procédé pour fabriquer un substrat semi-conducteur |
US5391257A (en) * | 1993-12-10 | 1995-02-21 | Rockwell International Corporation | Method of transferring a thin film to an alternate substrate |
WO2002033746A1 (fr) * | 2000-10-19 | 2002-04-25 | International Business Machines Corporation | Transfert de couches de sige a faible defaut utilisant un procede de retrogravure |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3922705A (en) * | 1973-06-04 | 1975-11-25 | Gen Electric | Dielectrically isolated integral silicon diaphram or other semiconductor product |
US5849627A (en) * | 1990-02-07 | 1998-12-15 | Harris Corporation | Bonded wafer processing with oxidative bonding |
US5034343A (en) * | 1990-03-08 | 1991-07-23 | Harris Corporation | Manufacturing ultra-thin wafer using a handle wafer |
JP2621642B2 (ja) * | 1990-11-13 | 1997-06-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6627953B1 (en) * | 1990-12-31 | 2003-09-30 | Kopin Corporation | High density electronic circuit modules |
US5276338A (en) * | 1992-05-15 | 1994-01-04 | International Business Machines Corporation | Bonded wafer structure having a buried insulation layer |
US5436173A (en) * | 1993-01-04 | 1995-07-25 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming a semiconductor on insulator device |
US5591678A (en) * | 1993-01-19 | 1997-01-07 | He Holdings, Inc. | Process of manufacturing a microelectric device using a removable support substrate and etch-stop |
US5455202A (en) * | 1993-01-19 | 1995-10-03 | Hughes Aircraft Company | Method of making a microelectric device using an alternate substrate |
US5426072A (en) * | 1993-01-21 | 1995-06-20 | Hughes Aircraft Company | Process of manufacturing a three dimensional integrated circuit from stacked SOI wafers using a temporary silicon substrate |
JP3435930B2 (ja) | 1995-09-28 | 2003-08-11 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100304161B1 (ko) * | 1996-12-18 | 2001-11-30 | 미다라이 후지오 | 반도체부재의제조방법 |
US6551857B2 (en) * | 1997-04-04 | 2003-04-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuits |
US6191007B1 (en) * | 1997-04-28 | 2001-02-20 | Denso Corporation | Method for manufacturing a semiconductor substrate |
FR2767604B1 (fr) * | 1997-08-19 | 2000-12-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement pour le collage moleculaire et le decollage de deux structures |
JPH11195712A (ja) | 1997-11-05 | 1999-07-21 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20020089016A1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-07-11 | Jean-Pierre Joly | Thin layer semi-conductor structure comprising a heat distribution layer |
FR2795866B1 (fr) * | 1999-06-30 | 2001-08-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une membrane mince et structure a membrane ainsi obtenue |
US6482725B1 (en) * | 1999-08-18 | 2002-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Gate formation method for reduced poly-depletion and boron penetration |
KR100742790B1 (ko) | 2000-04-14 | 2007-07-25 | 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 | 특히 반도체 재료(들)로 제조된 기판 또는 잉곳에서 적어도 하나의 박층을 절단하는 방법 및 장치 |
FR2809867B1 (fr) * | 2000-05-30 | 2003-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Substrat fragilise et procede de fabrication d'un tel substrat |
FR2840731B3 (fr) * | 2002-06-11 | 2004-07-30 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat comportant une couche utile en materiau semi-conducteur monocristallin de proprietes ameliorees |
FR2817395B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
FR2823599B1 (fr) * | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
FR2823596B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-08-20 | Commissariat Energie Atomique | Substrat ou structure demontable et procede de realisation |
US6759282B2 (en) * | 2001-06-12 | 2004-07-06 | International Business Machines Corporation | Method and structure for buried circuits and devices |
US6531753B1 (en) | 2001-06-18 | 2003-03-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Embedded conductor for SOI devices using a buried conductive layer/conductive plug combination |
FR2830125B1 (fr) * | 2001-09-24 | 2006-11-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une prise de contact en face arriere d'un composant a substrats empiles et composant equipe d'une telle prise de contact |
FR2844634B1 (fr) * | 2002-09-18 | 2005-05-27 | Soitec Silicon On Insulator | Formation d'une couche utile relaxee a partir d'une plaquette sans couche tampon |
WO2004068582A1 (fr) * | 2003-01-08 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur et procede de production de ce dispositif |
US7436050B2 (en) * | 2003-01-22 | 2008-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a flexible printed circuit |
US6911375B2 (en) * | 2003-06-02 | 2005-06-28 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating silicon devices on sapphire with wafer bonding at low temperature |
FR2864336B1 (fr) * | 2003-12-23 | 2006-04-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de scellement de deux plaques avec formation d'un contact ohmique entre celles-ci |
FR2871291B1 (fr) * | 2004-06-02 | 2006-12-08 | Tracit Technologies | Procede de transfert de plaques |
FR2872625B1 (fr) * | 2004-06-30 | 2006-09-22 | Commissariat Energie Atomique | Assemblage par adhesion moleculaire de deux substrats, l'un au moins supportant un film conducteur electrique |
US7326629B2 (en) * | 2004-09-10 | 2008-02-05 | Agency For Science, Technology And Research | Method of stacking thin substrates by transfer bonding |
US7504277B2 (en) * | 2005-10-12 | 2009-03-17 | Raytheon Company | Method for fabricating a high performance PIN focal plane structure using three handle wafers |
JP4177876B2 (ja) | 2007-06-11 | 2008-11-05 | 株式会社東芝 | 光ディスクと記録方法と再生方法と再生装置 |
FR2926747B1 (fr) * | 2008-01-25 | 2011-01-14 | Commissariat Energie Atomique | Objet comportant un element graphique reporte sur un support et procede de realisation d'un tel objet. |
-
2004
- 2004-12-24 FR FR0453229A patent/FR2880189B1/fr active Active
-
2005
- 2005-12-22 EP EP05848368A patent/EP1829100A1/fr not_active Withdrawn
- 2005-12-22 WO PCT/FR2005/051139 patent/WO2006070167A1/fr active Application Filing
- 2005-12-22 JP JP2007547604A patent/JP2008526009A/ja active Pending
- 2005-12-22 KR KR1020077013647A patent/KR20070086316A/ko active Search and Examination
- 2005-12-22 US US11/793,863 patent/US8298915B2/en active Active
- 2005-12-22 CN CNB2005800443969A patent/CN100543962C/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0553853A2 (fr) * | 1992-01-31 | 1993-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Procédé pour fabriquer un substrat semi-conducteur |
US5391257A (en) * | 1993-12-10 | 1995-02-21 | Rockwell International Corporation | Method of transferring a thin film to an alternate substrate |
WO2002033746A1 (fr) * | 2000-10-19 | 2002-04-25 | International Business Machines Corporation | Transfert de couches de sige a faible defaut utilisant un procede de retrogravure |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8481406B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-07-09 | Soitec | Methods of forming bonded semiconductor structures |
US8866305B2 (en) | 2010-07-15 | 2014-10-21 | Soitec | Methods of forming bonded semiconductor structures |
FR2963159A1 (fr) * | 2010-07-21 | 2012-01-27 | Soitec Silicon On Insulator | Procedes de formation de structures semi-conductrices liees, et structures semi-conductrices formees par ces procedes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070086316A (ko) | 2007-08-27 |
EP1829100A1 (fr) | 2007-09-05 |
FR2880189B1 (fr) | 2007-03-30 |
JP2008526009A (ja) | 2008-07-17 |
CN100543962C (zh) | 2009-09-23 |
US8298915B2 (en) | 2012-10-30 |
WO2006070167A1 (fr) | 2006-07-06 |
CN101088153A (zh) | 2007-12-12 |
US20080128868A1 (en) | 2008-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2006070167A1 (fr) | Procede de report d'un circuit sur un plan de masse | |
EP0996150B1 (fr) | Procédé de réalisation de composants passifs et actifs sur un même substrat isolant | |
FR2797140A1 (fr) | Procede de fabrication de connexions traversantes dans un substrat et substrat equipe de telles connexions | |
EP1344249A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure empilee comprenant une couche mince adherant a un substrat cible | |
FR2864336A1 (fr) | Procede de scellement de deux plaques avec formation d'un contact ohmique entre celles-ci | |
EP2840589B1 (fr) | Procédé améliore de séparation entre une zone activé d'un substrat et sa face arrière ou une portion de sa face arrière | |
EP1027583A1 (fr) | Structure munie de contacts electriques formes a travers le substrat de cette structure et procede d'obtention d'une telle structure | |
EP3577683B1 (fr) | Structure pour application radiofréquence | |
EP3900029A1 (fr) | Substrat de type semi-conducteur sur isolant pour des applications radiofréquences | |
FR2798224A1 (fr) | Realisation d'un collage electriquement conducteur entre deux elements semi-conducteurs. | |
WO1999008318A1 (fr) | Procede d'interconnexion a travers un materiau semi-conducteur | |
EP2332171B1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice plan de masse enterre | |
WO2000003429A1 (fr) | Structure semiconductrice en couche mince comportant une couche de repartition de chaleur | |
EP4030467B1 (fr) | Procédé de collage direct hydrophile de substrats | |
EP2259304B1 (fr) | Procédé de formation d'un niveau d'un circuit intégré par intégration tridimensionnelle séquentielle | |
EP3903340A1 (fr) | Structure de type semi-conducteur pour applications digitales et radiofréquences | |
FR3063834A1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur tridimensionnel | |
WO2023194318A1 (fr) | Substrat comprenant des vias et procédés de fabrication associés | |
WO2023194142A1 (fr) | Substrat comprenant des vias et procédés de fabrication associés | |
WO1997027623A1 (fr) | Procede de realisation d'un transistor fonctionnant a haute frequence ou a haute temperature | |
FR3120736A1 (fr) | Procede de fabrication d’une structure semi-conductrice a base de carbure de silicium et structure composite intermediaire | |
FR3120737A1 (fr) | Procede de fabrication d’une structure semi-conductrice a base de carbure de silicium et structure composite intermediaire | |
FR2851370A1 (fr) | Procede de traitement par faisceau d'ions focalise et dispositif semi-conducteur convenant pour sa mise en oeuvre | |
WO1996027207A1 (fr) | Composant a semiconducteurs iii-v et son procede de realisation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TP | Transmission of property | ||
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 12 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 13 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 14 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 16 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 17 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 18 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 19 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 20 |