FR2815487A1 - Oscillateur et appareil electronique l'utilisant - Google Patents

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Abstract

Un substrat diélectrique (2), un transistor (3) qui est un dispositif actif et une diode varactor (4) qui est un dispositif variable en fréquence sont montés sur une surface principale d'un substrat de module (5) afin de configurer un oscillateur. Le substrat diélectrique est réalisé à partir d'un diélectrique à constante diélectrique importante qui présente une stabilité en température élevée. Un résonateur à ligne microbande (10) est formé au moyen d'une électrode en film mince. Le résonateur à ligne microbande et le transistor constituent un circuit d'oscillation.

Description

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ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention
La présente invention concerne des oscillateurs haute fréquence ainsi que des appareils électroniques qui utilisent des oscillateurs et par exemple, la présente invention concerne un oscillateur qui est utilisé en tant qu'oscillateur local dans un appareil de communication ainsi que d'autres appareils électroniques utilisant l'oscillateur.
2. Description de l'art antérieur
En tant qu'oscillateurs haute fréquence classiques, on connaît des structures comme décrit par exemple dans la publication de demande de brevet du Japon non examinée no Sho-63-9203 et dans la publication de demande de brevet du Japon non examinée no Hei-10-173 439.
Dans la publication de demande de brevet du Japon non examinée n Sho-63-9203, un oscillateur qui inclut essentiellement un substrat diélectrique, un résonateur diélectrique cylindrique réalisé à partir d'un diélectrique à constante diélectrique importante, un dispositif à semiconducteur et un boîtier métallique est décrit dans les grandes lignes. Le résonateur diélectrique est monté sur le substrat diélectrique par l'intermédiaire d'un diélectrique de support, est recouvert par le boîtier métallique, résonne par exemple dans le mode TE01s et est couplé électromagnétiquement à une ligne microbande qui est formée sur le substrat diélectrique. La ligne microbande est connectée au dispositif à semiconducteur qui est monté sur le substrat diélectrique.
Ces composants forment ensemble un circuit oscillant qui comporte une section de circuit résonnant et une section de circuit d'amplification.
Dans la publication de demande de brevet du Japon non examinée n Hei-10-173 439, un oscillateur qui inclut essentiellement un substrat à multiples couches ou multicouche, un résonateur microbande formé sur une couche interne du substrat multicouche et un dispositif à semiconducteur monté sur une surface du substrat multicouche est décrit dans les grandes lignes. Le résonateur microbande est connecté au dispositif à semiconducteur Ces composants forment ensemble un circuit oscillant qui comporte une section de circuit résonnant et une section de
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circuit d'amplification.
Dans l'oscillateur qui est décrit dans la publication de demande de brevet du Japon non examinée no Sho-63-9203, cependant, puisque le résonateur diélectrique est placé sur le substrat diélectrique, il est très difficile de réduire des décalages de position entre le résonateur diélectrique et la ligne microbande qui est formée sur le substrat diélectrique et il est également très difficile de réduire des déviations au niveau de la fréquence d'oscillation. En outre, du fait que le résonateur diélectrique cylindrique est monté sur le substrat diélectrique, l'oscillateur est relativement haut. Il est difficile de diminuer la hauteur de l'oscillateur ou de le rendre compact.
Dans l'oscillateur qui est décrit dans la publication de demande de brevet du Japon non examinée no Hei-10-173 439, puisque le résonateur présente un Q faible, des déviations au niveau de la fréquence d'oscillation deviennent importantes et la stabilité de la fréquence se détériore. En outre, du fait que le résonateur microbande est formé sur une couche interne du substrat multicouche, le résonateur microbande a besoin de comporter une couche diélectrique (substrat diélectrique) qui est réalisée à partir du même matériau que celui qui est
Figure img00020001

utilisé pour le substrat multicouche. Il est très difficile de sélectionner le matériau le plus approprié pour la couche diélectrique afin d'obtenir un résonateur qui présente une fréquence stable en relation avec des variations de la température.
RÉSUMÉ DE L'INVENTION
La présente invention a été élaborée afin de résoudre les problèmes mentionnés ci-avant. Par conséquent, un oscillateur selon la présente invention présente une faible hauteur, une faible valeur de déviation de la fréquence d'oscillation et une stabilité en température élevée ; et un appareil électronique qui utilise l'oscillateur dispose de ces avantages également.
Selon un aspect de la présente invention, l'oscillateur inclut un substrat diélectrique sur lequel un résonateur à ligne microbande et une ligne de couplage qui est couplée au résonateur à ligne microbande sont formés ; un dispositif actif qui est connecté à la ligne de couplage et qui
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constitue un circuit d'oscillation en association avec le résonateur à ligne microbande ; et un substrat de module sur lequel le substrat diélectrique est monté et qui présente une constante diélectrique inférieure à celle du substrat diélectrique, le dispositif actif étant monté sur le substrat de module.
Dans l'oscillateur, un dispositif variable en fréquence peut être monté sur le substrat de module. Selon un autre aspect de la présente invention, l'oscillateur inclut un substrat diélectrique qui comporte un résonateur à ligne microbande et une ligne de couplage qui est couplée au résonateur à ligne microbande formés dessus ; un dispositif actif qui est connecté à la ligne de couplage et qui constitue un circuit d'oscillation en association avec le résonateur à ligne microbande ; et un substrat de module sur lequel le substrat diélectrique est monté et qui présente une constante diélectrique inférieure à celle du substrat diélectrique, le dispositif actif étant monté sur le substrat diélectrique.
Dans l'oscillateur, un dispositif variable en fréquence peut être monté sur le substrat diélectrique. Dans l'oscillateur, une ligne de polarisation et une résistance de polarisation prévues toutes les deux pour appliquer une tension de polarisation sur le dispositif actif peuvent être formées sur le substrat diélectrique. Dans l'oscillateur, le résonateur à ligne microbande et la ligne de couplage peuvent être formés en même temps à l'aide de moyens de formation d'électrode identiques. Les moyens de formation d'électrode peuvent être des moyens de formation d'électrode en film mince. Le résonateur à ligne microbande et la ligne de couplage peuvent être formés par photolithographie. Les moyens de formation d'électrode peuvent être des moyens de formation d'électrode en film épais.
Dans l'oscillateur, le substrat diélectrique peut être monté sur le substrat de module au moyen d'une connexion de puce. Le substrat diélectrique et le substrat de module peuvent être connectés électriquement au moyen d'une liaison par fils. Le substrat diélectrique peut être monté sur le substrat de module au moyen d'un montage de puce à bosses.
Le substrat diélectrique peut présenter une permittivité relative de
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20 ou plus.
La caractéristique de température du substrat diélectrique peut être spécifiée de telle sorte que la dérive en température de la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande soit à l'intérieur de 0,1 % de la fréquence de résonance dans une plage de températures de 0 C à 70 C.
Dans l'oscillateur, le substrat de module peut être un substrat en alumine. Le substrat de module peut être un substrat en résine.
L'oscillateur peut en outre inclure un capuchon électriquement conducteur pour sceller le substrat diélectrique monté sur le substrat de module, et le dispositif actif.
Selon encore un autre aspect de la présente invention, un appareil électronique inclut un oscillateur comme décrit ci-avant.
Moyennant les structures qui ont été mentionnées ci-avant, un oscillateur conformément à la présente invention est constitué de manière à présenter une faible hauteur. En outre, l'oscillateur présente une déviation de fréquence d'oscillation étroite. Qui plus est, l'oscillateur présente une stabilité en température élevée. En outre, lorsque le dispositif actif est monté sur le substrat diélectrique, l'oscillateur est compact et présente une faible hauteur.
Lorsqu'un dispositif variable en fréquence est monté sur le substrat de module ou sur le substrat diélectrique, l'oscillateur peut jouer le rôle d'oscillateur commandé en tension.
Lorsque le résonateur à ligne microbande et la ligne de couplage sont formés en même temps à l'aide de moyens de formation d'électrode identiques, la fréquence d'oscillation de l'oscillateur présente une déviation étroite.
Lorsque la permittivité relative du substrat diélectrique est établie à 20 ou plus, le résonateur à ligne microbande est rendu compact.
Lorsque la caractéristique de température du substrat diélectrique est spécifiée de telle sorte que la dérive en température de la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande soit à l'intérieur de 0,1 % de la fréquence de résonance dans une plage de températures de 0 C à 70 C, une stabilité en température élevée est obtenue.
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Lorsqu'un capuchon électriquement conducteur est prévu pour sceller le substrat diélectrique et le dispositif actif comme monté sur le substrat de module, la stabilité en fréquence est maintenue à l'encontre d'une interférence électromagnétique externe.
Dans un appareil électronique de la présente invention, puisqu'un oscillateur conformément à la présente invention est utilisé, un profil de faible hauteur et une performance élevée sont assurés et une stabilité en température élevée est obtenue.
D'autres caractéristiques et d'autres avantages de l'invention apparaîtront au vu de la description complète des modes de réalisation afférents par report aux dessins annexés sur lesquels des index ou symboles de référence identiques représentent des éléments et des parties identiques.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
La figure 1 est une vue en perspective d'un oscillateur conformément à un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 2 est une vue en plan d'un substrat diélectrique qui est utilisé pour l'oscillateur qui est représenté sur la figure 1 ; la figure 3 est une vue en perspective d'un oscillateur conformément à un autre mode de réalisation de la présente invention ;
Figure img00050001

la figure 4 est une vue en perspective d'un oscillateur conformément à encore un autre mode de réalisation de la présente invention ; la figure 5 est une vue en plan d'un substrat diélectrique qui est utilisé pour l'oscillateur qui est représenté sur la figure 4 ;
Figure img00050002

la figure 6 est une vue en perspective d'un oscillateur conformément à encore un autre mode de réalisation de la présente invention ; et la figure 7 est une vue en perspective d'un appareil électronique conformément à un mode de réalisation de la présente invention.
DESCRIPTION DE MODES DE RÉALISATION DE L'INVENTION
La figure 1 est une vue en perspective d'un oscillateur conformément à un mode de réalisation de la présente invention.
L'oscillateur 1 qui est représenté sur la figure 1 est structuré de telle
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sorte qu'un substrat diélectrique 2, un transistor 3 qui est un dispositif actif moulé en résine et une diode varactor 4 qui est un dispositif variable en fréquence moulé en résine soient montés sur une surface principale d'un substrat de module 5.
Le substrat de module est constitué par un substrat en alumine qui présente une constante diélectrique relativement faible (une permittivité relative d'environ 9 à 10). En plus de zones pour monter le substrat diélectrique 2, le transistor 3 et la diode varactor 4, le substrat de module 5 comporte des fils pour connecter des composants et des plages ou zones de connexion 6 pour une liaison par fil comme formé sur sa surface principale. Des bornes de connexion 7 sont formées au niveau d'une face d'extrémité afférente. Les bornes de connexion 7 sont connectées à une électrode de mise à la masse, à des plages ou zones pour le montage de composants, à des fils et à des zones de connexion tous ces éléments étant formés sur le substrat de module 5 par l'intermédiaire de surfaces ou à l'intérieur du substrat de module 5.
Le substrat diélectrique 2 est un substrat diélectrique à constante diélectrique importante qui présente une permittivité relative relativement élevée d'environ 30. Une ligne microbande est formée sur une surface principale afférente et une électrode de mise à la masse est formée sur pratiquement la totalité de l'aire de l'autre surface principale.
La figure 2 est une vue en plan du substrat diélectrique 2.
Comme représenté sur la figure 2, un résonateur à ligne microbande 10 qui résonne à une demi-longueur d'onde à environ 10 GHz et qui est ouvert au niveau des deux extrémités, des lignes de couplage 11,12 et 13, une résistance 14, une plage ou zone 15 et des lignes de polarisation 16 et 17 sont formés sur la surface principale considérée du substrat diélectrique 2. Le résonateur à ligne microbande 10 est disposé pratiquement au centre du substrat diélectrique 2 et les lignes de couplage 11 et 12 sont respectivement disposées au niveau des deux côtés afférents, des espaces g1 et g2 étant prévus. La ligne de couplage 13 est disposée au niveau d'une extrémité ouverte du résonateur à ligne microbande 10, un espace g3 étant prévu. Une partie de la ligne de couplage 11 est connectée à la zone de connexion 15 par l'intermédiaire
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de la résistance 14. Une partie de la ligne de couplage 12 est connectée aux lignes de polarisation 16 et 17. La résistance 14 et les lignes de polarisation 16 et 17 sont utilisées pour appliquer une tension de polarisation sur le transistor 3.
Des motifs d'électrode en film mince sont formés au moyen d'une technologie de photolithographie sur la surface principale considérée du substrat diélectrique 2, de préférence en même temps et au moyen du même équipement de formation d'électrode, afin de constituer toutes les lignes de transmission et toutes les électrodes autres que la résistance 14.
Le substrat diélectrique 2 est réalisé en un matériau qui présente une constante diélectrique et un taux de dilatation thermique tous deux spécifiés de telle sorte que la dérive en température de la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande 10 qui est formé sur la surface principale considérée du substrat diélectrique 2 soit à l'intérieur de 0,1 % de la fréquence de résonance pour une plage de températures de 0 C à 70 C. Dans ce cas, puisque la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande 10 est d'environ 10 GHz, sa dérive en température est à l'intérieur d'environ 10 MHz.
Par report à nouveau à la figure 1, le substrat diélectrique 2 est connecté à des zones prédéterminées sur le substrat de module 5 au moyen d'une liaison par fil. Un métal susceptible de fondre tel qu'une soudure ou qu'un adhésif électriquement conducteur est de préférence utilisé en tant que matériau pour une liaison par fil. Le transistor 3 et la diode varactor 4 sont montés sur des zones prédéterminées sur le substrat de module 5 par soudage. Les lignes de couplage 11 et 12 qui
Figure img00070001

sont formées sur le substrat diélectrique 2 sont connectées aux électrodes qui sont connectées à des bornes du transistor 3 au moyen d'une liaison paar fit et la ligne de couplage 13 est connectée à l'électrode qui est connectée à une borne de la diode varactor 4 également au moyen d'une liaison par fil. La zone de connexion 15 et les lignes de
Figure img00070002

connexion 16 et 17 qui sont formées sur le substrat diélectrique 2 sont connectées aux zones de connexion 6 qui sont formées sur le substrat de module 5 au moyen d'une liaison par fil.
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Dans l'oscillateur 1 qui est configuré de cette façon, un circuit oscillant est formé par le résonateur à ligne microbande 10 et par le transistor 3 et il oscille à environ 10 GHz. Puisque le résonateur à ligne microbande 10 est connecté à la diode varactor 4 par l'intermédiaire de la ligne de couplage 13, une tension de polarisation qui est appliquée sur
Figure img00080001

la diode varactor 4 peut être modifiée afin de faire varier ou de modifier la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande 10, ce qui modifie la fréquence d'oscillation de l'oscillateur 1. En d'autres termes, l'oscillateur 1 peut jouer le rôle d'oscillateur commandé en tension.
Puisque, dans l'oscillateur 1, le résonateur à ligne microbande 10 est formé sur le substrat diélectrique 2 qui présente une constante diélectrique importante, le résonateur à ligne microbande 10 peut être rendu compact et peut être amené à présenter un profil de faible hauteur et par conséquent, l'oscillateur 1 peut être rendu compact et peut être amené à présenter un profil de faible hauteur.
En outre, du fait que le substrat diélectrique 2 peut être réalisé à partir d'un matériau qui présente une valeur de Q élevée, lequel est
Figure img00080002

différent de celui qui est utilisé pour le substrat de module 5, la valeur de Q du résonateur à ligne microbande 10 lui-même peut être augmentée.
Qui plus est, puisque seulement le résonateur et ses circuits périphériques sont formés sur le substrat diélectrique 2 qui présente une constante diélectrique importante et que les bornes de connexion 7 qui sont utilisées pour des entrées de signal et des sorties de signal sont prévues sur le substrat de module 5 qui présente une constante diélectrique relativement faible, un problème généré par la formation de tous les composants sur un substrat à constante diélectrique importante, c'est-à-dire une augmentation de la valeur de capacité parasite qui est générée au niveau des lignes de transmission et des bornes, est réduit, ce qui empêche que la caractéristique haute fréquence de l'oscillateur 1 ne se détériore.
Si le substrat de module 5 est formé en alumine, un coût plus faible est mis en oeuvre. En outre, puisque le substrat en alumine présente une résistance mécanique élevée et une bonne stabilité de long terme, l'oscillateur 1 présente une fiabilité élevée.
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Si les motifs d'électrode en film mince sont formés au moyen d'une technologie de photolithographie en même temps et au moyen d'équipements de formation d'électrode identiques afin de constituer le résonateur à ligne microbande 10 et les lignes de couplage 11,12 et 13, la dimension de chaque électrode et leurs relations de positionnement mutuelles, de façon davantage spécifique les dimensions du résonateur à ligne microbande 10 et des lignes de couplage 11,12 et 13 et des espaces g1, g2 et g3 les séparant présentent une précision très élevée.
De façon davantage spécifique, la précision dimensionnelle peut être établie à 1 um ou moins. Par conséquent, la précision de la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande 10 est augmentée, ce qui rend plus étroite la déviation de la fréquence d'oscillation de l'oscillateur 1.
Puisque les caractéristiques de matériau telles que la constante diélectrique et le taux de dilatation thermique du substrat diélectrique 2 sont spécifiées de telle sorte que la dérive en température de la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande 10 soit à l'intérieur de 0,1 % de la fréquence de résonance pour une plage de températures de 0 C à 70 C, la dérive en température du résonateur à ligne microbande 10 est rendue très faible de telle sorte que la dérive en température de l'oscillateur 1 est également faible, d'où ainsi l'obtention d'une stabilité en température élevée.
Du fait de la synergie d'une déviation rendue étroite et d'une dérive en température réduite, la fréquence d'oscillation de l'oscillateur 1 présente une déviation étroite sur la totalité de la plage de températures de fonctionnement.
La figure 3 est une vue en perspective d'un oscillateur conformément à un autre mode de réalisation de la présente invention.
Sur la figure 3, les mêmes index de référence ou symboles de référence sont assignés aux mêmes parties ou à des parties similaires à celles représentées sur la figure 1 et leurs descriptions sont omises.
Sur la figure 3, l'oscillateur 8 est structuré de telle sorte que l'oscillateur 1 qui est représenté sur la figure 1 soit muni d'un capuchon métallique 9. Moyennant cette structure, le substrat diélectrique 2 et le
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transistor 3 sont scellés au moyen du substrat de module 5 et du capuchon 9. Le matériau du capuchon 9 n'est pas limité à un métal. Un capuchon réalisé à partir d'une résine sur laquelle un film électriquement conducteur est formé peut être utilisé par exemple.
Puisque l'oscillateur 8 est structuré comme il a été décrit ci-avant, le claquage des électrodes du résonateur à ligne microbande 10 et d'autres électrodes qui sont formées sur le substrat diélectrique 2, le claquage des fils qui réalisent une connexion entre le substrat diélectrique 2 et le substrat de module 5 et le claquage du transistor 3 sont empêchés. En outre, puisque le capuchon 9 joue également le rôle de blindage électromagnétique, la fréquence de l'oscillateur 8 est stabilisée à l'encontre d'une interférence électromagnétique externe.
La figure 4 est une vue en perspective d'un oscillateur selon encore un autre mode de réalisation de la présente invention.
L'oscillateur 20 qui est représenté sur la figure 4 est structuré de telle sorte qu'un substrat diélectrique 21 soit placé dans une cavité qui est formée au niveau d'une surface principale du substrat de module 22.
Le substrat de module 22 est formé en alumine. Le substrat diélectrique 21 est adapté et en outre, des zones de connexion 23 pour réaliser une connexion entre le substrat diélectrique 21 et le substrat de module 22 sont formées dans une cavité qui est formée avec une seule surface principale. Sur une face d'extrémité du substrat de module 22, des bornes de connexion 24 sont formées. Les bornes de connexion 24
Figure img00100001

sont connectées à une électrode de mise à la masse, à des zones pour le montage de composants, à des fils et à des zones de connexion, tous ces éléments étant formés sur, au travers ou à l'intérieur du substrat de module 22.
Le substrat diélectrique 21 est un substrat diélectrique à constante diélectrique importante qui présente une permittivité relative relativement élevée d'environ 30. Une ligne microbande est formée sur
Figure img00100002

l'une de ses surfaces principales et une électrode de mise à la masse est formée sur pratiquement la totalité de l'aire de l'autre surface principale.
La figure 5 est une vue en plan du substrat diélectrique 21. Sur la figure 5, les mêmes index de référence ou symboles de référence sont
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assignés aux mêmes parties ou à des parties similaires à celles représentées sur la figure 2 et leurs descriptions sont omises.
Sur le substrat diélectrique 21 qui est représenté sur la figure 5, en plus des électrodes qui sont formées sur le substrat diélectrique 2 comme représenté sur la figure 2, des zones 31,33 et 35 et une ligne de polarisation 34 sont formées. La ligne de couplage 13 est connectée à la zone 35 par l'intermédiaire de la ligne de polarisation 34. Un transistor en puce nue 30 et une diode varactor en puce nue 32 sont montés sur le substrat diélectrique 21 au moyen d'une connexion de puce, au moyen d'un métal susceptible de fondre tel qu'une soudure ou au moyen d'un adhésif électriquement conducteur ou isolant par exemple. Les lignes de couplage 11 et 12 sont connectées au transistor 30 au moyen d'une liaison par fil et le transistor 30 est connecté à la zone 31 également au moyen d'une liaison par fil. La zone 31 est mise à la masse. La ligne de
Figure img00110001

couplage 13 est connectée à la diode varactor 32 au moyen d'une liaison par fil et la diode varactor 32 est connectée à la zone 33 au moyen d'une liaison par fil.
Figure img00110002
De la même façon que dans le cas du substrat diélectrique 2 qui est représenté sur la figure 2, des motifs sont formés au moyen d'une technologie de photolithographie sur les électrodes en film mince qui sont formées sur une première surface principale du substrat diélectrique 21 en même temps au moyen d'équipements de formation d'électrode identiques afin de constituer toutes les lignes de transmission et toutes les électrodes autres que la résistance 14. Par conséquent, une bonne précision de fabrication est obtenue et la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande 10 présente une déviation étroite.
La constante diélectrique et le taux de dilatation thermique du matériau du substrat diélectrique 21 sont spécifiés de telle sorte que la dérive en température de la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande 10 qui est formé sur la première surface principale soit à l'intérieur de 0,1 % de la fréquence de résonance pour une plage de
Figure img00110003

températures de 0 C à 70 C, de la même façon que pour le matériau du substrat diélectrique 2 qui est représenté sur la figure 2. Par conséquent, également dans ce cas, puisque la fréquence de résonance
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du résonateur à ligne microbande 10 est d'environ 10 GHz, sa dérive en température est à l'intérieur d'environ 10 MHz.
Par report à nouveau à la figure 4, le substrat diélectrique 21 est monté dans la cavité du substrat de module 22 au moyen d'une connexion de puce. En tant que matériau pour la connexion de puce, un métal susceptible de fondre tel qu'une soudure ou un adhésif électriquement conducteur est utilisé par exemple. Les zones 15 et 35 et les lignes de polarisation 16 et 17 qui sont formées sur le substrat diélectrique 21 sont connectées au moyen d'une liaison par fil aux zones de connexion 23 qui sont formées sur le substrat de module 22.
Par ailleurs, dans l'oscillateur 20 qui est configuré de cette façon, un circuit oscillant est formé par le résonateur à ligne microbande 10 et par le transistor 30 et il oscille à environ 10 GHz de la même façon que dans le cas de l'oscillateur 1 qui est représenté sur la figure 1. Puisque le résonateur à ligne microbande 10 est connecté à la diode varactor 32 par l'intermédiaire de la ligne de couplage 13, une tension de polarisation qui est appliquée sur la diode varactor 32 peut être modifiée afin de faire varier la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande 10, ce qui modifie la fréquence d'oscillation de l'oscillateur 20. En d'autres termes, l'oscillateur 20 peut jouer le rôle d'oscillateur commandé en tension.
L'oscillateur 20 qui est configuré comme il a été décrit ci-avant présente les mêmes avantages que ceux de l'oscillateur 1 tels que la compacité, un profil de faible hauteur, l'empêchement de la détérioration des caractéristiques haute fréquence, un coût faible, une amélioration de la fiabilité, une déviation étroite et l'amélioration de la stabilité en température.
En outre, puisque l'oscillateur 20 utilise un transistor en puce nue et une diode varactor en puce nue, il peut être davantage compact que l'oscillateur 1.
La figure 6 est une vue en perspective d'un oscillateur 25 conformément à encore un autre mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 6, les mêmes index de référence ou symboles de référence sont assignés aux mêmes parties ou à des parties similaires à
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Figure img00130001

celles représentées sur la figure 4 et leurs descriptions sont omises.
Sur la figure 6, l'oscillateur 20 qui est représenté sur la figure 4 est muni d'un capuchon métallique plan 26 de manière à recouvrir la cavité du substrat de module 22. Par conséquent, le substrat diélectrique 21, le transistor 30 et la diode varactor 32 montés dessus sont scellés au moyen du substrat de module 22 et du capuchon 26. Le capuchon 26 n'est pas limité au fait d'être un capuchon métallique. Il peut s'agir d'un capuchon réalisé à partir d'une résine sur laquelle un film électriquement conducteur est formé.
Puisque l'oscillateur 25 est structuré comme il a été décrit ciavant, la rupture ou le claquage du transistor en puce nue 30 et de la diode varactor en puce nue 32 ainsi que des électrodes du résonateur à ligne microbande 10 ainsi que d'autres électrodes et la rupture ou le claquage des fils qui réalisent une connexion entre le substrat diélectrique 21 et le substrat de module 22 sont empêchés. En outre, puisque le capuchon 26 joue également le rôle de blindage électromagnétique, la fréquence de l'oscillateur 25 est stabilisée à l'encontre d'une interférence électromagnétique externe.
Une diode varactor est prévue dans l'oscillateur de chacun des modes de réalisation mentionnés ci-avant en tant que dispositif variable en fréquence. Un dispositif variable en fréquence n'est pas nécessairement requis. La présente invention peut également être appliquée à un oscillateur ne présentant pas de fonction variable en fréquence.
Dans chacun des modes de réalisation qui ont été présentés ciavant, les moyens de formation d'électrode en film mince forment des électrodes sur un substrat diélectrique. Des moyens de formation d'électrode en film épais tels qu'une impression par écran ou sérigraphie peuvent être utilisés pour former les électrodes en même temps. Dans ce cas, toutes les électrodes et les autres motifs peuvent être formés en même temps.
Il peut être possible que toutes les électrodes ne soient pas formées en même temps indépendamment de si des moyens de formation d'électrode en film mince ou des moyens de formation
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d'électrode en film épais sont utilisés, et de si deux moyens de formation d'électrode différents ou plus sont utilisés.
Dans chacun des modes de réalisation qui ont été décrits ciavant, un substrat diélectrique est monté sur un substrat de module au moyen d'une connexion de puce. Le substrat diélectrique peut être monté selon un montage de puce à bossements sur le substrat de module.
Dans chacun des modes de réalisation qui ont été décrits ciavant, la permittivité relative d'un substrat diélectrique est établie à 30. La permittivité relative du substrat diélectrique doit être de 20 ou plus, ce qui est suffisamment supérieur à par exemple la permittivité relative 10 d'un substrat en alumine. Plus la permittivité relative est élevée, plus le résonateur à ligne microbande formé à ce niveau peut être rendu compact.
Dans chacun des modes de réalisation qui ont été décrits ciavant, un substrat en alumine est utilisé en tant que substrat de module.
Un substrat en résine peut être utilisé.
La figure 7 est une vue en perspective d'un appareil électronique conformément à un mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 7, un téléphone portable 30 qui est un type d'appareil électronique est muni d'un boîtier 31, d'une carte de circuit imprimé 32 disposée dans le boîtier 31 et d'un oscillateur 33 conformément à la présente invention qui est monté sur la carte de circuit imprimé 32.
Puisque l'oscillateur 33 conformément à la présente invention est utilisé, le coût du téléphone portable 30 qui est structuré comme il a été décrit ci-avant est réduit et sa performance est améliorée.
Sur la figure 7, le téléphone portable est représenté en tant qu'appareil électronique de la présente invention. L'appareil n'est pas limité au téléphone portable. La présente invention peut être appliquée à n'importe quel appareil électronique qui utilise un oscillateur conformément à la présente invention tel qu'un ordinateur personnel qui dispose d'une fonction de communication et tel qu'un terminal d'information portable.
Bien que la présente invention ait été décrite en relation avec ses modes de réalisation particuliers, de nombreuses autres variantes et
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modifications ainsi que d'autres utilisations apparaîtront à l'homme de l'art. Il est par conséquent préférable que la présente invention ne soit pas limitée par la description spécifique présentée ici mais qu'elle le soit seulement par les revendications annexées.

Claims (18)

  1. REVENDICATIONS 1. Oscillateur caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat diélectrique (2 ; 21) qui comporte un résonateur à ligne microbande (10) et une ligne de couplage (13) qui est couplée au résonateur à ligne microbande (10) formés dessus ; un dispositif actif (3 ; 30) qui est connecté à la ligne de couplage (13) et qui constitue un circuit d'oscillation en association avec le résonateur à ligne microbande (10) ; et un substrat de module (5 ; 22) sur lequel le substrat diélectrique (2 ; 21) est monté et qui présente une constante diélectrique inférieure à celle du substrat diélectrique, dans lequel ledit dispositif actif (3 ; 30) est monté sur le substrat de module (5 ; 22).
  2. 2. Oscillateur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un dispositif variable en fréquence (4 ; 32) qui est monté sur le substrat de module (5 ; 22) et qui est connecté audit circuit d'oscillation (3 ; 30).
  3. 3. Oscillateur caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat diélectrique (2 ; 21) qui comporte un résonateur à ligne microbande (10) et une ligne de couplage (13) qui est couplée au résonateur à ligne microbande (10) formés dessus ; un dispositif actif (3 ; 30) qui est connecté à la ligne de couplage (13) et qui constitue un circuit d'oscillation en association avec le
    Figure img00160001
    résonateur à ligne microbande (10) ; et un substrat de module (5 ; 22) sur lequel le substrat diélectrique (2 ; 21) est monté et qui présente une constante diélectrique inférieure à celle du substrat diélectrique, dans lequel ledit dispositif actif (3 ; 30) est monté sur le substrat diélectrique (2 ; 21).
  4. 4. Oscillateur selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un dispositif variable en fréquence (4 ; 32) qui est monté sur le substrat diélectrique (2 ; 21) et qui est connecté audit circuit
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    d'oscillation (3 ; 30).
  5. 5. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une ligne de polarisation (16, 17 ; 34) et une résistance de polarisation (14) pour appliquer une tension de polarisation sur le dispositif actif (3 ; 30), lesquelles sont formées sur le substrat diélectrique (2 ; 21).
  6. 6. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le résonateur à ligne microbande (10) et la ligne de couplage (13) sont formés en même temps à l'aide de moyens de formation d'électrode identiques.
  7. 7. Oscillateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que les moyens de formation d'électrode sont des moyens de formation d'électrode en film mince.
  8. 8. Oscillateur selon la revendication 7, caractérisé en ce que le résonateur à ligne microbande (10) et la ligne de couplage (13) sont formés par photolithographie.
  9. 9. Oscillateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que les moyens de formation d'électrode sont des moyens de formation d'électrode en film épais.
  10. 10. Oscillateur selon la revendication 1 ou 3, caractérisé en ce que le substrat diélectrique (2 ; 21) est monté sur le substrat de module (5 ; 22) au moyen d'une connexion de puce.
  11. 11. Oscillateur selon la revendication 10, caractérisé en ce que le substrat diélectrique (2 ; 21) et le substrat de module (5 ; 22) sont connectés électriquement au moyen d'une liaison par fil.
  12. 12. Oscillateur selon la revendication 1 ou 3, caractérisé en ce que le substrat diélectrique (2 ; 21) est monté sur le substrat de module (5 ; 22) au moyen d'un montage par puce à bossements.
  13. 13. Oscillateur selon la revendication 1 ou 3, caractérisé en ce que le substrat diélectrique (2 ; 21) présente une permittivité relative de 20 ou plus.
  14. 14. Oscillateur selon l'une quelconque des revendications 1,3 et 13, caractérisé en ce que la caractéristique de température du substrat diélectrique (2 ; 21) est spécifiée de telle sorte que la dérive en
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    température de la fréquence de résonance du résonateur à ligne microbande (10) soit à l'intérieur de 0, 1 % de la fréquence de résonance dans une plage de températures de 0 C à 70 C.
  15. 15. Oscillateur selon la revendication 14, caractérisé en ce que le substrat de module (5 ; 22) est un substrat en alumine.
  16. 16. Oscillateur selon la revendication 14, caractérisé en ce que le substrat de module (5 ; 22) est un substrat en résine.
  17. 17. Oscillateur selon la revendication 1 ou 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un capuchon électriquement conducteur (9 ; 26) pour sceller le substrat diélectrique (2 ; 21) qui est monté sur le substrat de module (5 ; 22), et le dispositif actif (3 ; 30).
  18. 18. Appareil électronique caractérisé en ce qu'il comprend un circuit de communication incluant au moins un circuit pris parmi un circuit d'émission et un circuit de réception, ledit circuit de communication incluant un oscillateur selon la revendication 1 ou 3.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1376740A1 (fr) * 2002-06-27 2004-01-02 Harris Corporation Circuit à trois portes de rendement élevé

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7301408B2 (en) * 2002-10-15 2007-11-27 Marvell World Trade Ltd. Integrated circuit with low dielectric loss packaging material
JPWO2005004322A1 (ja) * 2003-07-02 2007-09-20 株式会社村田製作所 発振器装置および送受信装置
US9230890B2 (en) * 2012-04-27 2016-01-05 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device
JP6083214B2 (ja) * 2012-11-30 2017-02-22 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器、及び移動体
JP6171516B2 (ja) * 2013-04-12 2017-08-02 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体
US12092711B2 (en) * 2022-08-19 2024-09-17 Quantum Valley Investment Fund LP Changing samples in a magnetic resonance system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758922A (en) * 1986-11-14 1988-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency circuit having a microstrip resonance element
EP0510708A1 (fr) * 1991-04-26 1992-10-28 Sumitomo Electric Industries, Limited Appareil oscillateur
EP0742639A2 (fr) * 1995-05-09 1996-11-13 IMEC vzw Oscillateur à micro-ondes, antenne associée et procédés de fabrication

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639203A (ja) 1986-06-30 1988-01-14 Toshiba Corp マイクロ波発振器
JPH0354903A (ja) * 1989-03-31 1991-03-08 Kyocera Corp 発振回路
JPH05206730A (ja) * 1992-01-27 1993-08-13 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器およびその発振周波数の調整方法
US5357218A (en) * 1993-05-03 1994-10-18 Motorola, Inc. Self-shielding microstrip assembly
JPH08330816A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Alps Electric Co Ltd 誘電体共振器及びこれを用いた電圧制御発振器
JPH10173439A (ja) 1996-12-05 1998-06-26 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器
EP0893878B1 (fr) * 1997-07-25 2006-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit oscillateur haute fréquence
JP2001230606A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロストリップ線路と、これを用いたマイクロ波装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758922A (en) * 1986-11-14 1988-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency circuit having a microstrip resonance element
EP0510708A1 (fr) * 1991-04-26 1992-10-28 Sumitomo Electric Industries, Limited Appareil oscillateur
EP0742639A2 (fr) * 1995-05-09 1996-11-13 IMEC vzw Oscillateur à micro-ondes, antenne associée et procédés de fabrication

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SIMONS R N ET AL: "Planar dielectric resonator stabilized HEMT oscillator integrated with CPW/aperture coupled patch antenna", MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST, 1992., IEEE MTT-S INTERNATIONAL ALBUQUERQUE, NM, USA 1-5 JUNE 1992, NEW YORK, NY, USA,IEEE, US, 1 June 1992 (1992-06-01), pages 433 - 436, XP010062815, ISBN: 0-7803-0611-2 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1376740A1 (fr) * 2002-06-27 2004-01-02 Harris Corporation Circuit à trois portes de rendement élevé
US6753744B2 (en) 2002-06-27 2004-06-22 Harris Corporation High efficiency three port circuit

Also Published As

Publication number Publication date
US6727766B2 (en) 2004-04-27
US20030107444A1 (en) 2003-06-12
GB2370703B (en) 2003-02-19
GB0122953D0 (en) 2001-11-14
JP2002124829A (ja) 2002-04-26
CA2357628C (fr) 2005-06-07
FR2815487B1 (fr) 2003-03-28
CA2357628A1 (fr) 2002-04-12
GB2370703A (en) 2002-07-03

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