FR2813709A1 - Capteur de detection optique de type tft utilisant un circuit integre de commande de faible dimension - Google Patents
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Abstract
Un capteur de détection optique à transistors à couche mince comprend un substrat réseau pourvu de plusieurs zones, chaque zone comportant plusieurs transistors à couche mince capteur produisant chacun un courant optique en réponse à la lumière réfléchie par un objet pour détection, plusieurs condensateurs de mémorisation chacun étant relié à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince capteur pour mémoriser la charge représentative du courant optique, plusieurs transistors à couche mince commutateur chacun étant relié à un condensateur correspondant des divers condensateurs de mémorisation pour sortir sélectivement la charge mémorisée, et plusieurs lignes de sortie chacune étant reliée à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince commutateur, un ensemble de projecteur de fond disposé sous le substrat réseau pour fournir la lumière aux diverses zones et un CI (circuit intégré) de commande comportant plusieurs sous-circuits, caractérisé en ce que un nème sous-circuit est relié à une nème ligne de sortie de chaque zone du substrat réseau.
Description
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CAPTEUR DE DETECTION OPTIQUE DE TYPE TFT UTILISANT UN CIRCUIT INTEGRE DE COMMANDE DE FAIBLE DIMENSION [0001] Cette demande revendique le bénéfice de la demande de brevet coréen N 2000-51747, déposée le 1 e, septembre 2000 en Corée.
CAPTEUR DE DETECTION OPTIQUE DE TYPE TFT UTILISANT UN CIRCUIT INTEGRE DE COMMANDE DE FAIBLE DIMENSION [0001] Cette demande revendique le bénéfice de la demande de brevet coréen N 2000-51747, déposée le 1 e, septembre 2000 en Corée.
ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION Domaine de l'invention [0002] La présente invention concerne un capteur de détection optique, et plus particulièrement un capteur de détection optique de type transistor à couche mince (TFT) utilisant un circuit intégré de commande de petite dimension (CI). Discussion de l'Etat de la Technique correspondant.
D'une façon générale, les capteurs de détection optique sont utilisés sur les télécopieurs et copieurs numériques, et dans les systèmes de reconnaissance d'empreintes comme lecteur d'images. Le capteur de détection optique mémorise la charge électrique selon une intensité de lumière qui est réfléchie à partir d'un objet détecteur, et ensuite fournit la charge électrique par un circuit de commande. Ces dernières années, un capteur de détection optique du type TFT a été suggéré où le TFT modifie ses caractéristiques électriques en réponse à la lumière incidente.
Le capteur optique de type TFT comporte une source de lumière qui produit la lumière, une fenêtre qui laisse passer la lumière vers un objet pour détection, un TFT capteur, un condensateur de mémorisation, et un TFT commutateur. Le TFT capteur produit un courant optique selon l'intensité de la lumière réfléchie par l'objet, et le condensateur de mémorisation reçoit le courant optique et mémorise une charge électrique indicative du courant optique. Cette charge électrique représente les données d'intensité de lumière réfléchie. Ensuite, le TFT commutateur transfère .les données de lumière d'intensité ainsi réfléchie du
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condensateur de mémorisation à un système principal conformément à un signal de commande reçu d'un circuit extérieur.
La FIG. 1 représente un capteur optique de type TFT traditionnel comportant un substrat réseau 1, et un ensemble de projecteur de fond 2 disposé sous le substrat réseau 1. Le substrat réseau 1 détecte la présence d'un objet, mémorise les données liées à l'objet, et transmet les données à un système principal (non représenté), comme le système de reconnaissance d'empreinte digitale, par exemple. L'ensemble de projecteur de fond 2 fournit la lumière au substrat réseau 1. Ainsi, le substrat réseau 1 comporte plusieurs pixels unités "F' (à la FIG. 2) chacun ayant un TFT capteur "'T1" (à la FIG. 2), un condensateur de mémorisation "C" (à la FIG. 3) et un TFT commutateur "T2" (à la FIG. 2).
Les FIG. 2 et 3 montrent le pixel unité "F' du substrat réseau 1 (à la FIG. 1) du capteur optique de type TFT traditionnel. Suivant illustration, une ligne de grille capteur 21, une ligne de données capteur 61, une ligne de grille commutateur 25, et une ligne de données commutateur 65 aident à définir le pixel unité "F'. La ligne de grille capteur 21 et la ligne de données capteur 61 sont formées orthogonalement l'une par rapport à l'autre de façon à se croiser, et la ligne de grille commutateur 25 et la ligne de données commutateur 65 sont écartées de la ligne de grille capteur 21 et de la ligne de données capteur 61, respectivement.
Le pixel unité " P" est divisé en une zone de lecture photoélectrique "A", une zone de mémorisation "B" et une zone de commutation "C", le tout étant formé sur un substrat transparent 10. Une électrode de grille capteur 22, une première électrode de mémorisation 24, et une électrode de grille commutateur 26 sont disposées dans la zone de lecture photoélectrique "A", la zone de mémorisation "B" et la zone de commutation "C" respectivement. L'électrode de grille capteur 22 et l'électrode de grille commutateur 26 dépassent intégralement de la ligne de grille capteur 21 et de la ligne de grille commutateur 25, respectivement. En.variante, des parties de la ligne de grille capteur 21 et de la
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ligne de grille commutateur 25 peuvent ne pas dépasser, mais être utilisées comme électrode de grille capteur 22 et électrode de grille commutateur 26, respectivement. La première électrode de mémorisation 24 dépasse intégralement de la ligne de grille capteur 21.
A la FIG. 3, une première couche isolante 30 recouvre l'électrode capteur 22, la première électrode de mémorisation 24, et l'électrode de grille commutateur 26. Sur la première couche isolante 30, une couche de silicium capteur 41 et une couche de silicium commutateur 42 sont formées dans la zone de détection "A" et la zone de commutation "B" respectivement. Une couche de contact ohmique capteur 52 et une couche de contact ohmique commutateur 54 sont formées sur des parties de la couche de silicium capteur 41 et la couche de silicium commutateur 42 respectivement. Une électrode source capteur 62 et une électrode drain capteur 63 sont formées sur la couche de silicium capteur 41, et une électrode source commutateur 66 et une électrode de drain commutateur 67 sont formées sur la couche de silicium commutateur 42. Une première électrode de mémorisation 24 dépasse intégralement de la ligne de grille capteur 21 vers la zone pixel unité "P". L'électrode source capteur 62 est reliée à la ligne de données capteur 61, et l'électrode de drain capteur 63 est écartée de l'électrode source capteur 62, l'électrode de grille capteur 22 étant centrée entre elles. L'électrode source commutateur 66 est reliée à la ligne de données commutateur 65, et l'électrode de drain commutateur 67 est écartée de l'électrode source commutateur 65, l'électrode de grille commutateur 26 étant centrée entre elles. Une seconde électrode de mémorisation 64 est formée reliant l'électrode de drain commutateur 67 et l'électrode de drain capteur 63, et la seconde électrode de mémorisation 64 recouvre la première électrode de mémorisation 24.
Une seconde couche isolante 70 recouvre l'électrode source capteur 62, l'électrode de drain capteur 63, la seconde électrode de mémorisation 64, l'électrode source commutateur 66 et l'électrode de drain commutateur 67. Un
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système de blindage 80 qui peut être fait d'une matière opaque est formé sur la seconde couche isolante 70 sur la couche de silicium commutateur 42.
Comme le montre la FIG. 4, le substrat réseau 1, ayant les pixels unités "P" suivant illustration à la FIG. 2, est relié à une pluralité de lignes de sortie 92 qui sont reliées électriquement à un circuit intégré de commande (CI) 93. Spécifiquement, chaque ligne de données commutateur 65 de la FIG. 2 sur le substrat réseau 1 est reliée électriquement à une ligne de sortie correspondante 92. Par conséquent, lorsque le TFT commutateur "T2" (à la FIG. 2) commute des données, les données sont transférées au CI de commande 93 par la ligne de sortie 92, de telle sorte que le système principal (non représenté) peut lire les données du CI de commande 93.
[0011 ] Lorsque l'unité de projecteur de fond 2 de la FIG. 1 est mise en route pour produire de la lumière, le TFT capteur "T1" de la FIG. 2 produit des données représentatives de la lumière réfléchie, et le condensateur de mémorisation "C" de la FIG. 3 mémorise les données. Ensuite, le TFT commutateur "T2" de la FIG. 2 commute les données selon un signal de commande reçu d'un circuit extérieur (non représenté). Les données commutées sont ultérieurement transférées au CI de commande 93 par la ligne de données commutateur 65 de la FIG. 2 et la ligne de sortie 92.
[00l2] Comme indiqué précédemment, chacune des diverses lignes de données 65 de la FIG. 2 est reliée de façon correspondante au même nombre de lignes de sortie 92. De plus, le CI de commande 93 peut avoir plusieurs sous-circuits (non représentés) chacun reliant à une ligne de sortie correspondante 92. En d'autres termes, le CI de commande 93 du capteur de détection optique du type TFT traditionnel a le même nombre de sous-circuits que la pluralité de lignes de sortie 92. Par conséquent, le CI de commande 93 peut être de dimension très importante et très complexe à fabriquer, ce qui crée un coût matières élevé et un faible rendement de fabrication.
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RÉSUME DE L'INVENTION [0013] Par conséquent, la présente invention est orientée vers un capteur de détection optique du type TFT qui évite sensiblement un ou plusieurs des problèmes dus aux limitations et inconvénients de la technique correspondante. [0014] Un objet de la présente invention est de fournir un capteur optique de type TFT amélioré utilisant un CI de commande de faible dimension.
[00l5] Des caractéristiques et avantages complémentaires de l'invention seront précisés dans la description qui suit et découleront en partie de la description, ou peuvent être appris par la pratique de l'invention. Les objectifs et autres avantages de l'invention seront atteints et réalisés par la structure particulièrement indiquée dans la description écrite et les revendications ainsi que les plans en annexe.
Pour réaliser ces avantages ainsi que d'autres et conformément à l'objet de la présente invention, telle qu'il est incorporé et largement décrit, un capteur de détection optique du type transistor à couche mince (TFT) comporte un substrat réseau pourvu de plusieurs zones, chaque zone comportant plusieurs transistors à couche mince capteur produisant chacun un courant optique en réponse à la lumière réfléchie par un objet pour détection, plusieurs condensateurs de mémorisation chacun étant relié à une zone correspondante des divers transistors à couche mince capteur pour mémoriser la charge représentative du courant optique, plusieurs transistors à couche mince commutateur chacun étant relié à un condensateur correspondant des divers condensateurs de mémorisation pour sortir sélectivement la charge mémorisée, et plusieurs lignes de sortie chacune étant reliée à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince commutateur, une unité de projecteur de fond disposée sous le substrat réseau pour fournir la lumière aux diverses zones, et un CI de commande comportant plusieurs sous-circuits, où un nème sous-circuit est relié à une nème ligne de sortie de chaque zone du substrat réseau.
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] Selon un autre aspect, un capteur de détection optique du type à transistor à couche mince comporte un substrat réseau pourvu de plusieurs zones, chaque zone comportant plusieurs transistors à couche mince capteur produisant chacun un courant optique en réponse à la lumière réfléchie par un objet pour détection, plusieurs condensateurs de mémorisation chacun étant relié à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince capteur pour mémoriser la charge représentative du courant optique, plusieurs transistors à couche mince commutateur chacun étant relié à un condensateur correspondant des divers condensateurs de mémorisation pour sortir sélectivement la charge mémorisée, et plusieurs lignes de sortie chacune étant reliée à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince commutateur.
Selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un capteur de détection optique à transistors à couche mince comporte les étapes de prévision d'un substrat réseau avec plusieurs zones, chaque zone comportant plusieurs transistors à couche mince capteur produisant chacun un courant optique en réponse à la lumière réfléchie par un objet pour détection, plusieurs condensateurs de mémorisation chacun étant relié à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince capteur pour mémoriser la charge représentative du courant optique, plusieurs transistors à couche mince commutateur chacun étant relié à un condensateur correspondant des divers condensateurs de mémorisation pour sortir sélectivement la charge mémorisée, et plusieurs lignes de sortie chacune étant reliée à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince commutateur, la prévision d'une unité de projecteur de fond entre le substrat réseau pour fournir la lumière pour les diverses zones, et la prévision d'un CI de commande comprenant plusieurs sous-circuits, où un néme sous-circuit est relié à une né" ligne de sortie de chaque zone du substrat réseau.
Selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un substrat réseau comporte les étapes de prévision du substrat réseau avec plusieurs zones, l'équipement de chacune des diverses zones avec plusieurs transistors à couche
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mince capteur produisant chacun un courant optique en réponse à la lumière réfléchie par un objet pour détection, l'équipement de chacune des diverses zones avec plusieurs condensateurs de mémorisation chacun étant relié à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince capteur pour mémoriser la charge représentative du courant optique, l'équipement de chacune des diverses zones avec plusieurs transistors à couche mince commutateur chacun étant relié à un condensateur correspondant des divers condensateurs de mémorisation pour sortir sélectivement la charge mémorisée, et l'équipement de chacune des diverses zones avec plusieurs lignes de sortie chacune étant reliée à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince commutateur.
On doit bien comprendre que la description générale précédente ainsi que la description détaillée suivante sont exemplaires et explicatives et sont destinées à fournir de plus amples explications sur l'invention telle qu'elle est revendiquée.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS [002l] Les dessins d'accompagnement, qui sont inclus pour assurer une meilleure compréhension de l'invention et sont incorporés dans et font partie de cette spécification, illustrent les modes de réalisation de l'invention et avec la description servent à expliquer les principes de l'invention. Sur les dessins [0022] La FIG. 1 est une vue en perspective représentant un capteur optique de type TFT traditionnel ; [0023] La FIG. 2 est une vue en plan représentant un pixel unité du capteur optique de type TFT traditionnel [0024] La FIG. 3 est une vue en section transversale prise suivant une ligne "III- III" de la FIG. 2 ;
] La FIG. 4 est une vue en plan représentant une interconnexion d'un CI de commande et d'un substrat réseau du capteur optique type TFT traditionnel
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] La FIG. 5 est une vue en plan représentant une intersection d'un CI de commande et d'un substrat réseau de capteur optique de type TFT selon la présente invention ; et [0027] La FIG. 6 est une vue en section transversale du capteur optique de type TFT de la FIG. 5 DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES [0028] Il va maintenant être fait référence en détail au mode de réalisation préféré de la présente invention, qui est illustré sur les dessins d'accompagnement.
A la FIG. 5, un substrat réseau 110 d'un capteur de détection optique TFT 100 selon l'invention comporte une première zone 111, une seconde zone 112, et une troisième zone 113, avec un ensemble de projecteur de fond 170 qui est illustré à la FIG. 6, disposé sous le substrat réseau 110.
Suivant illustration à la FIG. 6, l'ensemble de projecteur de fond 170 comporte un premier projecteur de fond indépendant 170a, un second projecteur de fond indépendant 170b, et un troisième projecteur de fond indépendant 170c, qui correspondent aux première 111, seconde 112 et troisième 113 zones du substrat réseau 110 respectivement. Les premier à troisième projecteurs de fond indépendants 170a à 170c fournissent la lumière pour le substrat réseau 110 et fonctionnent indépendamment les uns des autres. Par conséquent, les première à troisième zones 111 à 113 du substrat réseau 110 reçoivent indépendamment la lumière de l'ensemble du projecteur de fond 170. Bien que le substrat réseau 110 soit divisé en trois zones, le nombre de zones peut varier. De plus, le nombre de projecteurs de fond indépendants de l'ensemble de projecteur de fond 170 peut varier en fonction du nombre de zones du substrat réseau 110.
[0031 ] En revenant à la FIG. 5, le capteur de détection optique TFT 100 comporte de plus un CI de commande 1.50 relié électriquement au substrat réseau 110 par plusieurs lignes de sortie qui peuvent en inclure une première 121, une seconde
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122, une ne` 123, une (n+l)è` l31, une (n+2)è` 132, une 2nè` 133, une (2n+l)è` 141, une (2n+2)è` 142, et une dernière 143. La première à né" lignes de sortie 121 à 123 peuvent être reliées électriquement à la première zone 111, et la (n+l)ème à 2nème lignes de sortie 131 à 133 peuvent être reliées électriquement à la seconde zone 112. Les (2n+l)ème à la dernière lignes de sortie 141 à 143 peuvent être reliées électriquement à la troisième zone 113. A ce stade, la (n+ 1)è` ligne de sortie 131 et la (2n+l)è` ligne de sortie 141 peuvent servir de premières lignes de sortie de la seconde zone 112 et de la troisième zone 113 respectivement. La 2nè` ligne de sortie 133 et la dernière ligne de sortie 143 peuvent servir de dernières lignes de sortie de la seconde zone 112 et de la troisième zone 113 respectivement. C'est-à-dire que chaque zone peut être reliée à n lignes de sortie. Spécifiquement, plusieurs lignes de données commutateur (non représentées) peuvent être formées sûr le substrat réseau 110, et chaque ligne de sortie peut relier électriquement une ligne de données commutateur correspondante au CI de commande 150.
Le CI de commande 150 peut comporter un premier à nème sous-circuits 151 à 153. Le premier sous-circuit 151 peut relier électriquement à la première ligne de sortie de chaque zone, et le second sous-circuit 152 peut relier électriquement à la seconde ligne de sortie de chaque zone. En d'autres termes, le premier sous-circuit 151 peut être électriquement relié à la première ligne de sortie 121, la (n+l)ëme ligne de sortie l31, et la (2n+ 1)è` ligne de sortie 14l, et le second sous-circuit 152 peut être relié électriquement à la seconde ligne de sortie 122, la (n+2)è` ligne de sortie 132 et la (2n+2)è` ligne de sortie 142. Comme le premier et second sous-circuits 151 et 152, chaque sous-circuit peut être électriquement relié aux lignes de sortie correspondantes ayant les mêmes ordres relatifs par rapport à chaque zone.
Par conséquent, puisque le substrat réseau 110 est divisé en "m" nombre de zones, et que chaque zone est reliée à "n" nombre de lignes de sortie, il y a "m" par "n" nombre de lignes de sortie reliées au substrat réseau 110. Le nombre "m"
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par "n" de lignes de sortie relie les diverses lignes de données commutateur (non représentées) du substrat réseau 110 au CI de commande 150. Ainsi, bien qu'il y ait un nombre "m" par "n" de lignes de sortie reliées au substrat réseau 110, juste le nombre "n" de sous-circuits est inclus dans le CI de commande 150, ce qui permet de réduire la dimension du CI de commande 150.
En revenant maintenant à la FIG. 6, une opération du capteur de détection optique TFT est expliquée. Après avoir mis en route le premier projecteur de fond 170a pour fournir la lumière, la première zone 111 produit un premier jeu de données. Le premier jeu de données est transmis aux premier à nème sous-circuits 151 à 153 du CI de commande 150 par les première à n me lignes 121 à 123, et ensuite est sorti vers un système principal (non représenté) à partir du CI de commande 150. Après avoir arrêté le premier projecteur de fond 170a pour cesser la production de lumière, le second projecteur de fond 170b est mis en route pour produire la lumière, de telle sorte que la seconde zone 112 produise un second jeu de données. Le second jeu de données est transmis aux premier à néme sous- circuits 151 à 153 du CI de commande 150 par les (n+l)éme à 2néme lignes de sortie 131 à 133, et ensuite est sorti vers un système principal (non représenté) à partir du CI de commande IC 150. Par la suite, le second projecteur de fond 170b est arrêté pour cesser la production de lumière, et le troisième projecteur de fond 170c est mis en route pour produire la lumière, de telle sorte que la troisième zone 113 produise un troisième jeu de données. Le troisième jeu de données est transmis aux premier à n' sous-circuits 151 à 153 du CI de commande 150 par les (2n+1)éme à dernière lignes de sortie 141 à 143, et ensuite est sorti vers un système principal (non représenté) à partir du CI de commande 150.
Lorsque le premier projecteur de fond 170a est mis en route, il fournit de la lumière uniquement pour la première zone 111, et ainsi, les TFTs du capteur (non représentés) formés dans la première zone 111 produisent le premier jeu de données. Ainsi, puisque les second et troisième projecteurs de fond 170b et 170c sont tous les deux à l'état "arrêté", les TFTs des capteurs (non représentés) des
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seconde et troisième zones 112 et 113 ne peuvent pas produire de données. Bien que la première ligne de sortie 121, la (n+l)ème ligne de sortie 131, la (2n+l)éme ligne de sortie 141 soient reliées au premier sous-circuit 151 du CI de commande 150, elles sont indépendantes électriquement en raison de la commutation indépendante des premier à troisième projecteurs de fond 170a à 170c.
Chacune des autres lignes de sortie reliées à la première zone 111 a également l'indépendance électrique ci-dessus par rapport aux lignes de sortie positionnées de façon correspondante reliées aux seconde ou troisième zones 112 à 113. Ainsi, pendant l'état "de marche" du premier projecteur de fond 170a, seul le premier jeu de données est produit par la première zone 111 et transmis aux premier à néme sous-circuits 151 à 153 du CI de commande 150 par les première à néme lignes de sortie 121 à 123, quelles que soient les autres lignes de sortie reliées aux mêmes sous-circuits.
Le nombre total de lignes de sortie peut être constant. Alors, si le nombre de zones augmente, le nombre de sous-circuits inclus dans le CI de commande augmente. C'est-à-dire que lorsque le nombre des zones est "m" et le nombre de lignes de sortie reliées à chaque zone est "n", le nombre total de lignes de sortie est "m" fois "n" et le nombre de sous-circuits est "n". Ainsi, puisque le nombre total "m" par "n" des lignes de sortie peut être constant, le nombre "n" de sous- circuits peut être réduit en augmentant le nombre "m" des zones. Par exemple, si le nombre total des lignes de sortie est douze et le nombre des zones est trois, il ne faut que quatre sous-circuits pour le CI de commande selon la présente invention. De plus, des sous-circuits redondants peuvent être encore inclus dans le CI de commande 150 de telle sorte que lorsque certains sous-circuits fonctionnent mal, les sous-circuits redondants puissent les remplacer. C'est-à-dire que le nombre des sous-circuits est de préférence "m+a" où "a" est un nombre entier égal à ou supérieur à 1.
En se reportant encore à la FIG. 6, un filtre de lumière 160 peut être déposé entre le substrat réseau 110 et l'ensemble de projecteur de fond 170. Si la
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lumière est incidente perpendiculairement à une surface du filtre de lumière 160, la lumière peut traverser le filtre de lumière 160. Cependant, si la lumière est incidente avec un angle par rapport à la surface du filtre de lumière 160, la lumière sera bloquée par le filtre de lumière 160 et ne passera pas. Par conséquent, lorsqu'un des projecteurs de fond 170a à 170e est mis en route, la lumière du projecteur de fond mis en route est fournie uniquement à la zone correspondante du substrat réseau 110 disposée directement au-dessus du projecteur de fond mis en route. C'est-à-dire que seule la lumière produite à partir du projecteur mis en route disposé directement sous la zone correspondante du substrat réseau 110 traverse le filtre coloré, alors que la lumière ne traverse pas le filtre coloré dans toutes les autres zones du substrat réseau 110. Par conséquent, chacune des première à troisième zones 111 à 113 du substrat réseau 110 peut fonctionner indépendamment, et ainsi seule une zone souhaitée produit des données.
Comme expliqué ci-dessus, selon la présente invention, le substrat réseau du capteur de détection optique du type TFT est divisé en plusieurs zones pour réduire le nombre de sous-circuits du CI de commande. Spécifiquement, si le substrat réseau est divisé en "m" zones, le nombre de sous-circuits est réduit à 1/m par rapport à celui d'un capteur de détection optique de type TFT traditionnel. De plus, le nombre de plots de connexion utilisés pour relier les lignes de sortie au substrat réseau est également réduit, ce qui permet d'obtenir des coûts de fabrication réduits; des coûts matières réduits et des rendements de fabrication plus élevés.
Il apparaîtra aux hommes de métier que diverses modifications et variations peuvent être apportées au procédé de fabrication d'un transistor à couche mince de la présente invention sans s'écarter de l'esprit ou du domaine de l'invention. Ainsi, il est entendu que la présente invention couvre les modifications et variations de cette invention à condition qu'elles rentrent dans le cadre des revendications annexées et de leurs équivalences.
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Claims (22)
- REVENDICATIONS 1. Capteur de détection optique du type à transistor à couche mince, comprenant un substrat réseau pourvu de plusieurs zones, chaque zone comportant plusieurs transistors à couche mince capteur produisant chacun un courant optique en réponse à la lumière réfléchie par un objet pour détection, plusieurs condensateurs de mémorisation chacun étant relié à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince capteur pour mémoriser une charge représentative du courant optique, plusieurs transistors à couche mince commutateur chacun étant relié à un condensateur correspondant des divers condensateurs de mémorisation pour sortir sélectivement la charge mémorisée, et plusieurs lignes de sortie chacune étant reliée à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince commutateur ; un ensemble de projecteur de fond disposé sous le substrat réseau pour fournir la lumière aux diverses zones ; et un CI de commande comprenant plusieurs sous-circuits, caractérisé en ce qu'un néme sous-circuit est relié à une né" ligne de sortie de chaque zone du substrat réseau.
- 2. Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le nombre de sous- circuits est au moins le même que le nombre de lignes de sortie de chaque zone.
- 3. Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'ensemble de projecteur de fond comporte plusieurs projecteurs de fond chacun fournissant la lumière pour une des zones correspondante du substrat réseau.<Desc/Clms Page number 14>
- 4. Capteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le nombre de projecteurs de fond est le même que le nombre de zones du substrat réseau.
- 5. Capteur selon la revendication 1, comprenant de plus un filtre de lumière disposé entre le substrat réseau et l'ensemble de projecteur de fond, caractérisé en ce que seule la lumière perpendiculaire à une surface du filtre de lumière passe par le filtre de lumière.
- 6. Substrat réseau pourvu de plusieurs zones, chaque zone comprenant plusieurs transistors à couche mince capteur produisant chacun un courant optique en réponse à la lumière réfléchie par un objet pour détection ; plusieurs condensateurs de mémorisation chacun étant relié à un transistor correspondant des divers transistors 'à couche mince capteur pour mémoriser la charge représentative du courant optique ; plusieurs transistors à couche mince commutateur chacun étant relié à un condensateur correspondant des divers condensateurs de mémorisation pour sortir sélectivement la charge mémorisée ; et plusieurs lignes de sortie chacune étant reliée à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince.
- 7. Substrat réseau selon la revendication 6, comprenant de plus un ensemble de projecteur de fond disposé sous le substrat réseau pour fournir la lumière indépendamment aux diverses zones; et un CI de commande ayant plusieurs sous-circuits, caractérisé en ce que un nème nombre de sous-circuits est relié à un né" nombre de lignes de sortie de chaque zone.
- 8. Substrat réseau selon la revendication 6, caractérisé en ce que le nombre de sous-circuits est au moins le même que le nombre de lignes de sortie de chaque zone.<Desc/Clms Page number 15>
- 9. Substrat réseau selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'ensemble de projecteur de fond comprend plusieurs projecteurs de fond fournissant chacun de la lumière pour l'une des zones correspondantes du substrat réseau.
- 10. Substrat réseau selon la revendication 9, caractérisé en ce que le nombre de projecteurs de fond est le même que le nombre de zones du substrat réseau.
- 11. Substrat réseau selon la revendication 6, comprenant de plus un filtre de lumière disposé entre le substrat réseau et l'ensemble de projecteur de fond, caractérisé en ce que seule la lumière perpendiculaire à une surface du filtre de lumière traverse le filtre de lumière.
- 12. Procédé de fabrication d'un capteur de détection optique à transistor à couche mince comprenant les étapes de équipement d'un substrat réseau de plusieurs zones, chaque zone comportant plusieurs transistors à couche mince capteur produisant chacun un courant optique en réponse à la lumière réfléchie par un objet pour détection, plusieurs condensateurs de mémorisation chacun étant relié à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince capteur pour mémoriser la charge représentative du courant optique, plusieurs transistors à couche mince commutateur chacun étant relié à un condensateur correspondant des divers condensateurs de mémorisation pour sortir sélectivement la charge mémorisée, et plusieurs lignes de sortie chacune étant reliée à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince commutateur; prévision d'un ensemble de projecteur de fond sous le substrat réseau pour fournir la lumière pour plusieurs zones ; et prévision d'un CI de commande comportant plusieurs sous-circuits, caractérisé en ce qu'un néme sous-circuit est relié à une né" ligne de sortie de chaque zone du substrat réseau.<Desc/Clms Page number 16>
- 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le nombre de sous-circuits est au moins le même que le nombre de lignes de sortie de chaque zone.
- 14. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'ensemble de projecteur de fond comporte plusieurs projecteurs de fond fournissant chacun la lumière pour l'une des zones correspondante du substrat réseau.
- 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le nombre de projecteurs de fond est le même que le nombre des zones du substrat réseau.
- 16. Procédé selon la revendication 12, comprenant de plus l'étape de disposition d'un filtre de lumière entre le substrat réseau et l'ensemble de projecteur de fond, caractérisé en ce que seule la lumière perpendiculaire à une surface du filtre de lumière traverse le filtre de lumière.
- 17. Procédé de fabrication d'un substrat réseau, comprenant les étapes de équipement du substrat réseau de plusieurs zones ; équipement de chacune des diverses zones de plusieurs transistors à couche mince capteur produisant chacun un courant optique en réponse à la lumière réfléchie par un objet pour détection; équipement de chacune des diverses zones de plusieurs condensateurs de mémorisation chacun étant relié à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince capteur pour mémoriser une charge représentative du courant optique ; équipement de chacune des diverses zones de plusieurs transistors à couche mince commutateur chacun étant relié à un condensateur correspondant des divers condensateurs de mémorisation pour sortir sélectivement la charge mémorisée ; et<Desc/Clms Page number 17>équipement de chacune des diverses zones de plusieurs lignes de sortie chacune étant reliée à un transistor correspondant des divers transistors à couche mince commutateur.
- 18. Procédé selon la revendication 17, comprenant de plus les étapes de prévision d'un ensemble de projecteur de fond sous le substrat réseau pour fournir la lumière indépendamment pour les diverses zones; et prévision d'un CI de commande ayant plusieurs sous-circuits, caractérisé en ce qu'un néme nombre de sous-circuits est relié à un né" nombre de lignes de sortie de chaque zone.
- 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que le nombre de sous-circuits est au moins le même que le' nombre de lignes de sortie de chaque zone.
- 20. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que l'ensemble de projecteur de fond comporte plusieurs projecteurs de fond fournissant chacun la lumière pour l'une des zones correspondante du substrat réseau.
- 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que le nombre de projecteurs de fond est le même que le nombre des zones du substrat réseau.
- 22. Procédé selon la revendication 18, comprenant de plus l'étape de prévision d'un filtre de lumière entre le substrat réseau et l'ensemble de projecteur de fond, caractérisé en ce que seule la lumière perpendiculaire à une surface du filtre de lumière traverse le filtre de lumière.
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