FR2572610A1 - Reseau de detecteurs infrarouges pbs-pbse et procede de fabrication - Google Patents
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE LA FABRICATION DES DETECTEURS INFRAROUGES. L'INVENTION PROCURE UNE TRANCHE DE SILICIUM 1 QUI N'UTILISE PAS DE CONDUCTEURS NECESSITANT DES CONNEXIONS INDIVIDUELLES ENTRE LES ELEMENTS SENSIBLES ET LES ETAGES D'ENTREE DE MULTIPLEXEURS 6, 11. DEUX ENSEMBLES D'ELECTRODES EN FORME DE DENTS 5, 5 S'ETENDENT A PARTIR D'UN CONDUCTEUR COMMUN 2 A LA SURFACE DE LA TRANCHE. DES ENSEMBLES D'ELECTRODES MINCES ET ALLONGEES 4, 7 S'ETENDENT ENTRE LES DENTS DES PREMIER ET SECOND ENSEMBLES D'ELECTRODES ET SONT CONNECTES A DES MULTIPLEXEURS RESPECTIFS 6, 11, EN ETANT PRATIQUEMENT ENTOURES PAR LA MATIERE PHOTODETECTRICE. APPLICATION A L'IMAGERIE INFRAROUGE.
Description
La présente invention concerne le domaine de la
conversion d'images optiques en trains d'impulsions élec-
triques. On estime souhaitable de fabriquer des réseaux linéaires très longs et à densité élevée en matière photo- conductrice sensible à l'infrarouge consistant en PbS et PbSe pour analyser des images optiques et les convertir en signaux électriques représentatifs des images. Il est suggéré dans l'art antérieur d'utiliser des réseaux de PbS et des réseaux de PbSe pour détecter un rayonnement
infrarouge (voir SPIE, Volume 197, pages 9-18 (1979)).
Le brevet des E.U.A. n 3 808 435 propose d'uti-
liser des réseaux de matière photosensible détectant un
rayonnement infrarouge, mais cette matière est en coupla-
électrique avec une puce semiconductrice consistant en un dispositif à couplage de charge, par l'intermédiaire d'un grand nombre de conducteurs électriques séparés
(voir la figure 3 et la colonne 2, lignes 1 à 10). On uti-
lise les dispositifs à couplage de charge pour générer en
série des signaux électriques proportionnels à l'intensi-
té du rayonnement infrarouge projeté sur les éléments sen-
sibles à la lumière qui sont connectés en parallèle aux -étages des dispositifs à couplage de charge. L'image à convertir en trains d'impulsions électriques est analysée par projection séquentielle sur le réseau de détecteurs de
façon que des détecteurs successifs situés dans des colon-
nes respectives du réseau détectent progressivement des parties de l'image. Le résultat consiste dans le décalage, sur la longueur du dispositif à couplage de charge, de
charges injectées en synchronisme avec l'analyse de l'image.
Dans le brevet des E.U.A. n 3 883 437, chaque détecteur infrarouge est connecté à un étage particulier de
dispositif à couplage de charge par l'intermédiaire de con-
ducteurs électriques qui traversent un ensemble d'ouvertures dans la couche isolante d'oxyde (voir le bas de la colonne 2
2 5 726 10
et la colonne 5, lignes 53 à 55). Dans le brevet des E.U.A.
n 4 064 533, des éléments en PbS sont connectés électri-
quement à un dispositif à couplage de charge en silicium par des conducteurs 24 représentés sur la figure 1 (voir le haut de la colonne 6).
Il est ainsi proposé dans l'art antérieur d'uti-
liser des éléments discrets de matière sensible à l'infra-
rouge, connectés électriquement par des conducteurs ou
d'autres électrodes métalliques à un circuit de multiple-
xage réalisé dans une tranche de silicium, tel qu'un dis-
positif à couplage de charge. La nécessité d'établir un
conducteur ou un contact séparé partant de chaque détec-
teur, qui s'étend depuis le plan focal dans lequel se trouvent les détecteurs infrarouges, jusqu'à un étage associé d'un dispositif de multiplexage, pour convertir les signaux parallèles en un train d'impulsions en série, fait qu'il est impossible en pratique de fabriquer des réseaux ayant plus de 50 à 100 éléments de longueur, à cause de la connexion d'un grand nombre de conducteurs
entre les photocapteurs et les dispositifs de multiplexage.
Un but important de l'invention est donc de pro-
curer un procédé de fabrication d'une tranche de silicium
contenant un circuit de multiplexage, sur laquelle se trou-
vent de très grands nombres d'éléments sensibles à l'in-
frarouge, sans qu'il soit nécessaire de connecter indivi-
duellement ces éléments à des étages associés des multiple-
xeurs. Un autre but de l'invention est de procurer un
procédé pour revêtir directement des surfaces d'une tran-
che de silicium avec une matière détectrice pour l'infra-
rouge consistant à la fois en sulfure de plomb et en sélé-
niure de plomb, pour former un élément composite de plan focal de détecteur infrarouge, ayant une gamme de réponse
spectrale étendue.
Un but supplémentaire de l'invention est d'éliminer
2 5 7 26 10
des connexions électriques, par dépôt chimique direct de
sulfure de plomb et/ou de séléniure de plomb sur la sur-
face de tranches de silicium pré-métallisées,contenant de
préférence des dispositifs multiplexeurs.
Un autre but encore de l'invention est de procu-
rer un détecteur de lumière ayant une structure d'électro-
des qui augmente le gradient de potentiel du champ électri-
que dans une quantité donnée de matière photosensible, par rapport à la disposition classique des électrodes, afin
d'augmenter le gain et la sensibilité des éléments photo-
sensibles. L'invention a également pour but de procurer un
procédé de fabrication d'un réseau gui élimine les opéra-
tions de l'art antérieur consistant dans l'enlèvement de matière photosensible par attaque, pour produire un grand nombre "d'îlots" d'éléments détecteurs, cette opération
étant susceptible d'entraîner un fonctionnement défec-
tueux du réseau si l'attaque n'est pas effectuée de façon
extrêmement précise.
Un mode de réalisation préféré de l'invention procure une tranche de silicium sur laquelle se trouvent un premier groupe d'électrodes connectées à un dispositif
de multiplexage situé à l'intérieur de la tranche, défi-
nissant une première zone de réseau de détecteurs infra-
rouges, et un second groupe d'électrodes, définissant une
seconde zone de réseau de détecteurs infrarouges. On immer-
ge la tranche dans un bain ayant un rapport ionique de :1 entre le plomb et le sélénium. On effectue le dépôt de PbSe pendant 60 minutes avec une température du bain qui augmente continuellement de 25 C à 50 C, et on ajoute ensuite un second revêtement de PbSe, de la même manière, en utilisant le même bain, mais en ajoutant cependant une solution d'iode, pour obtenir un rapport ionique de 100:1
entre le plomb et l'iodure. On sensibilise ensuite la cou-
che de PbSe résultante, en chauffant la tranche dans l'air
à une température de 375 C pendant une durée de 90 minutes.
On enlève ensuite par attaque le PbSe déposé, pour laisser
une bande unitaire restante de PbSe (au lieu d'îlots), re-
couvrant la première zone de réseau. On immerge ensuite la tranche dans un bain ayant un rapport ionique Pb ++:S--:OH égal à 1:4:10, avec une durée de dépôt de minutes, et en augmentant la température entre 12 C et 75 C pendant le processus d'immersion. Ceci produit une première couche de sulfure de plomb qu'on sèche. On
peut de façon générale ajouter des couches supplémentai-
res pour adapter à une application donnée les caractéris-
tiques des détecteurs telles que la résistivité, le bruit,
la sensibilité, la constante de temps et la réponse spec-
trale. On enlève ensuite par attaque la couche de PbS résultante, pour laisser une seconde bande unitaire de
PbS (au lieu d'îlots), recouvrant la seconde zone de ré-
seau. La configuration des électrodes en forme d'indenta-
tions produit une augmentation du gradient de champ élec-
- trique entre les éléments sensibles à l'infrarouge, par
rapport à la disposition classique des électrodes.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de
la description qui va suivre de modes de réalisation, et
en se référant au dessin annexé. sur lequel: la figure 1 représente la tranche de silicium
portant les réseaux linéaires précités de détecteurs infra-
rouges; et
la figure 2 illustre un point concernant les avan-
tages des électrodes présentant des indentations.
En considérant maintenant la figure 1, on voit une
configuration préférée de l'invention qui comprend une tran-
che de silicium 1 sur laquelle est placée une électrode cen-
trale pré-métallisée 2. Une première zone de réseau de dé-
tecteurs linéaire 3 comprend un premier ensemble de saillies rectangulaires 5, en forme de dents, de l'électrode centrale 2, et des électrodes allongées minces et pré-métallisées4, les électrodes 4 étant connectées à des étages associés d'un
multiplexeur de PbSe, 6, qui est formé de préférence à l'in-
térieur de la tranche de silicium 1. Dans le produit final,
le PbSe sera present entre les électrodes minces et allon-
gées 4 et les saillies en forme de dents, 5, de l'électro-
de 2, pour former une première zone de réseau linéaire.
D'une manière similaire, une seconde zone de réseau de
détecteurs linéaire 10 comprend un second ensemble de sail-
lies rectangulaires en forme de dents, 5', de l'électrode centrale 2, associées à des électrodes minces et allongées 7, comme il est représenté. Le PbS sera placé entre les électrodes minces et allongées 7 et les saillies en forme de dents 5', d'o il résulte que deux réseaux linéaires seront placés à proximité l'un de l'autre pour former un dispositif détecteur sensible à l'infrarouge fonctionnant
dans une gamme de longueur d'onde plus étendue. Plus pré-
cisément, une bande de PbSe ayant une largeur "A" sera
formée (zone 3) en association avec une bande de PbS (zo-
ne 10) ayant une largeur "B". De ce fait, les éléments
détecteurs seront carrés.
Le multiplexeur 6, qu'il s'agisse d'un'disposi-
tif à couplage de charge ou d'un autre dispositif, conver-
tit les signaux produits par la matière PbSe en un train d'impulsions qui apparaissent en série sur le conducteur
de sortie 8 du multiplexeur 6 relatif au PbSe. D'une maniè-
re similaire, le multiplexeur 11 relatif au PbS, dont les étages sont connectés à des conducteurs allongés 7, produit un train d'impulsions série sur la sortie correspondant au
conducteur 9.
On accomplit le dépôt de PbSe dans la première
zone de réseau de détecteurs en mélangeant de la sélénio-
urée (dans une proportion molaire de 0,2), avec des l'acé-
tate de plomb (II) (dans une proportion molaire de 1,1), dans des quantités appropriées pour produire un premier bain ayant un rapport ionique de 5:1 entre le plomb et le sélénium. On immerge la tranche de silicium dans le premier
bain résultant pendant une durée de 60 minutes, en fai-
sant croître constamment la température du bain depuis la valeur initiale de 25 C au moment de l'immersion, jusqu'à 50 C à la fin de la durée de 60 minutes; on pour- rait employer dans ce but un élément chauffant de bain de type classique. On fait de préférence tourner la tranche
dans la solution à la vitesse de 2 tours par minute.
On forme un second bain, semblable au premier bain, mais en ajoutant au premier bain une solution d'iode
pour obtenir un rapport ionique préféré Pb:I de 100:1.
Après l'introduction de la tranche dans le second bain, on augmente la température pendant la durée d'immersion
de 60 minutes, de la manière spécifiée ci-dessus. On con-
sidère qu'on peut également obtenir des résultats satis-
faisants si le rapport ionique entre le plomb et le sélé-
nium est compris dans la plage de 4:1 à 7:1; si on fait varier la durée d'immersion entre 40 et 90 minutes; si la température initiale du bain dans lequel on plonge la
tranche est comprise entre 20 C et 30 C; et si la tempéra-
ture finale du bain est comprise entre 45 C et 55 C. Le rapport ionique Pb:I pourrait être compris entre 80:1 et :1. On peut utiliser d'autres ions d'halogènes, comme
par exemple I3 ou Br.
On sensibilise ensuite la couche résultante de PbSe formée sur la tranche de silicium, par chauffage de la tranche dans l'air à une température de 375 C pendant
une durée de 90 minutes. On considère qu'on pourrait obte-
nir des résultats satisfaisants en employant une plage de température de 360 C à 395 C, pendant des durées comprises
entre 80 minutes et 120 minutes.
L'opération suivante consiste à enlever le PbSe des zones de surface de la tranche de silicium 1, sauf
dans la première zone de réseau de détecteurs, 3. Ce pro-
cessus d'enlèvement classique comporte l'application d'une matière de réserve photographique positive, telle que la
matière AZ1450J; un étuvage de la matière de réserve pho-
tographique à température modérée; l'alignement du masque
de réseau approprié sur la tranche de silicium; l'exposi-
tion, en utilisant un dispositif d'alignement de masque, avec une source appropriée de lumière ultraviolette; le développement du motif de la matière de réserve sur la première zone de réseau de détecteurs 3, pour éviter son enlèvement au cours de l'attaque; et l'enlèvement par
attaque chimique du PbSe non désiré, dans les zones si-
tuées à l'extérieur de la première zone de réseau de dé-
tecteurs 3. On réalise ensuite une protection temporaire ou permanente de la bande de PbSe ainsi délimitée, qui
occupe la première zone de réseau de détecteurs 3, en em-
ployant une matière de réserve photographique négative et
en utilisant un processus similaire à-celui des opéra-
tions précédentes.
On effectue ensuite un dépôt chimique de PbS sur
la totalité de la partie de surface de la tranche de sili-
cium 1, en formant un troisième bain ayant un rapport io-
nique plomb: sulfure: hydroxyde de 1:4:10. On peut obtenir ce rapport en mélangeant de la thio-urée (O,02M), de l'acétate de plomb (II) (0,08 M) et de l'hydroxyde de sodium ,2 M), pour former ainsi le troisième bain. On immerge ensuite la tranche de silicium 1 dans le bain pendant une durée de 75 minutes avec une température initiale de 12 C au moment de l'immersion et une température finale de 75 C au moment de l'enlèvement. Comme dans le cas des premier et second bains, la vitesse de variation de la température du troisième bain diminue au cours du temps, du fait que les bains de dépôt sont contenus dans une enceinte qui est elle-même placée dans un bain chauffé qui est maintenu à
la température finale des bains de dépôt pendant la-tota-
lité des durées. On pourrait obtenir des résultats satis-
faisants en faisant varier la durée de 75 minutes dans une plage comprise entre 60 minutes et 90 minutes. La plage de température initiale du troisième bain pourrait être comprise entre 100C et 140C, et la température finale du bain pourrait être comprise entre 70 C et 80 C. On sèche ensuite la couche de PbS déposée, et on peut, si on le désire, ajouter des couches ultérieures, comme mentionné précédemment.
On enlève ensuite le PbS non désiré qui est dé-
posé sur la tranche 1, dans des zones autres que la secon-
de zone de réseau de détecteurs 10, par la mise en oeuvre des opérations classiques expliquées ci-dessus en relation
avec l'enlèvement du PbSe dans les zones situées à l'exté-
rieur de la première zone de détecteurs 3. La protection à long terme du PbSe et du PbS fait intervenir le dépôt de
ZnSe sur ces matières par pulvérisation cathodique ou éva-
poration thermique, conformément à des techniques de l'art antérieur. La tranche de détecteurs infrarouges résultante, à deux réseaux et à réponse spectrale étentue, comprend un premier ensemble d'électrodes rectangulaires alignées 5, en forme de dents, qui sont placées le long de la partie gauche du conducteur commun 2, et un second ensemble d'électrodes alignées en forme de dents, en couplage avec
la partie droite du conducteur central 2, qui sont déca-
lées comme représenté par rapport aux électrodes du pre-
mier ensemble. Les électrodes du troisième ensemble d'élec-
trodes minces et allongées 4, sont connectées en parallè-
le au multiplexeur 6 pour le PbSe, tandis que les électro-
des minces et allongées 7 sont connectées en parallèle à
des étages individuels du multiplexeur 11 pour le PbS.
Bien que l'invention n'exige pas cette configura-
tion d'électrodes, la configuration représentée est préfé-
rable du fait que le positionnement des électrodes allongées entre les électrodes communes en forme de dents, comme il est représenté, produit une augmentation du gradient de champ électrique dans la matière photosensible située entre les
électrodes, par rapport au gradient qui résulte de la dis-
position face à face des électrodes, indiquée sur la figu-
re 2. Ceci vient du fait que la disposition entrelacée des électrodes de la figure 1 réduit la séparation entre les électrodes allongées et les électrodes en forme de dents
communes au conducteur 2. La figure 2 représente la dis-
position classique des électrodes, dans laquelle une plus grande séparation entre les électrodes 21 et 22, placées de part et d'autre d'un élément photodétecteur 23, est
nécessaire pour une aire équivalente de matière de dé-
tecteur. Cette plus grande séparation réduit le gra-
dient de champ électrique par rapport au gradient accru que l'invention permet d'obtenir,parle fait que la matière
photodétectrice entoure pratiquement les électrodes min-
ces et allongées 4 et 7. Ceci ressort de façon évidente de la comparaison entre la dimension c de la figure 2 et
la distance entre les électrodes de la figure 1.
La configuration d'électrodes et le procédé
associé qui sont décrits ici éliminent également l'enlè-
vement par attaque de nombreuses parties d'une matière
photodétectrice déposée, pour produire des éléments indi-
viduels ou des lots de matière, du fait que les motifs dessinés dans la matière correspondent à des bandes ou des blocs unitaires. Au contraire, la réalisation d'un grand
nombre d'îlots pourrait conduire à des défauts de fonc-
tionnement, si le processus d'attaque formant les îlots présentait un défaut d'uniformité. La formation de bandes unitaires de matière sensible à l'infrarouge atténue ce
problème potentiel.
Pour minimiser le bruit, les électrodes pré-
métallisées sont de préférence en or, et on les fait adhé-
rer à la surface de la tranche de silicium au moyen d'une
couche intermédiaire de chrome, de palladium ou de titane-
tungstène.
57 26 10
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. A titre d'exemple, on pourrait déposer le PbSe conformément
à l'invention, sans ajouter une couche de PbS. On pour-
rait employer la nouvelle configuration d'électrodes en
association avec d'autres matières photosensibles.
ll 272610
Claims (42)
1. Procédé de fabrication d'un réseau de détec-
teurs de lumière à base de PbSe, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: (a) on établit une tranche de silicium (1) à laquelle est associée une structure d'électrodes définissant une zone de réseau de détecteurs (3); (b) on effectue un dépôt chimique de
PbSe sur cette tranche de silicium (1) par les opéra-
tions suivantes: (b.1) on prépare un premier bain ayant un rapport ionique plomb: sélénium compris entre 4:1 et 7:1; (b.2) on immerge la tranche de silicium (1) dans ce premier bain pendant une durée comprise entre 40 et minutes, la température initiale du bain au moment de
l'immersion étant comprise entre 20 C et 300C, et la tem-
pérature finale à la fin de cette durée étant comprise
entre 45 C et 55 C; {b.3) on établit un second bain ayant-
le même rapport ionique plomb:sélénium que le premier bain et comprenant en outre un ion d'halogène, avec un rapport ionique plomb:halogène compris entre 50:1 et 250:1, et
on répète l'opération b.2 pour déposer une couche supplé-
mentaire de PbSe sur la tranche de silicium (1); et (c) on sensibilise la couche de PbSe déposée sur la tranche de silicium (1) en chauffant cette tranche dans l'air à une température comprise entre 360 C et 395 C, pendant une
durée comprise entre 80 minutes et 120 minutes.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le rapport ionique plomb:sélénium du premier bain
est d'environ 5:1.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la durée de l'opération b.2 est d'environ
minutes.
4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé
en ce que la durée de l'opération b.2 est d'environ 60 minu-
tes.
5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé
25726 10
en ce que la température initiale dans l'opération b.2 est d'environ 25 C et la température finale dans l'opération
b.2 est d'environ 50 C.
6. Procédé selon la revendication 2, caracté-
risé en ce que la température initiale dans l'opération b.2
est d'environ 25 C et la température finale dans l'opéra-
tion b.2 est d'environ 50WC.
7. Procédé selon la revendication 3, caracté-
risé en ce que la température initiale dans l'opération b.2
est d'environ 25 C et la température finale dans l'opéra-
tion b.2 est d'environ 50 C.
8. Procédé selon la revendication 4, caracté-
risé en ce que la température initiale dans l'opération b.2 est d'environ 25 C et la température finale dans
l'opération b.2 est d'environ 50 C.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 à 8, caractérisé en ce que le rapport ionique
Pb:halogène est d'environ 100:1.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 à 8, caractérisé en ce que la température dans
l'opération c est d'environ 375 C.
11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la température dans l'opération c est d'environ 375 C
12. Procédé selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 à 8, caractérisé en ce que la durée de l'opération
c est d'environ 90 minutes.
13. Procédé selon la revendication 9, caractérisé
en ce que la durée de l'opération c est d'environ 90 minu-
tes.
14. Procédé selon la revendication 10, caractérisé
en ce que la durée de l'opération c est d'environ 90 minutes.
15. Procédé selon la revendication 11, caractérisé
en ce que la durée de l'opération c est d'environ 90 minutes.
16. Procédé selon l'une quelconque des revendications
610
1 à 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les opé-
rations ultérieures suivantes: (d) on enlève le PbSe dé-
posé dans la majeure partie de la tranche (1), sauf dans la zone de réseau de détecteurs (3); (e) on effectue un dépôt chimique d'au moins une couche de PbS sur la tranche de silicium (1) en établissant un troisième bain contenant des ions plomb, sulfure et hydroxyde, le rapport ionique plomb: sulfure étant compris entre 1:1,25 et 1:6, et le rapport ionique plomb:hydroxyde étant compris entre 1:7 et 1:12; (f) on introduit la tranche de silicium (1) dans
le troisième bain pendant une durée comprise entre 60 mi-
nutes et 90 minutes, tout en élevant la température de ce bain depuis une température initiale comprise entre C et 14 C au moment de l'immersion de la tranche dans le bain, jusqu'à une température finale comprise entre C et 80 C au moment de l'extraction de la tranche; et (g) on enlève la couche de PbS résultante dans la majeure partie de la tranche de silicium, sauf dans une seconde
zone supplémentaire de réseau de détecteurs (10).
17. Procédé selon la revendication 16, caractéri-
sé en ce que le rapport ionique Pb:S:hydroxyde du troisième
bain est d'environ 1:4:10.
18. Procédé selon l'une quelconque des revendica-
tions 1 à 8, caractérisé en ce que l'halogène est un iodure.
19. Procédé de fabrication d'un réseau de détec-
teurs infrarouges de type PbS-PbSe, caractérisé en ce qu'il
comprend les opérations suivantes: (a) on établit une tran-
che de silicium (1) sur laquelle se trouvent un premier groupe d'électrodes définissant une première zone de réseau
de détecteurs infrarouges (3) et un second groupe d'élec-
trodes définissant une seconde zone de réseau de détecteurs infrarouges (10); (b) on effectue un dépôt chimique d'une couche de PbSe sur les première et seconde zones de réseau (3, 10), par les opérations suivantes: (b.1) on prépare un
premier bain ayant un rapport ionique plomb:sélénium d'en-
viron 5:1; (b.2) on immerge la tranche de silicium dans le premier bain pendant une durée d'environ 60 minutes, la température initiale de ce bain au moment de l'immersion étant d'environ 25 C, et la température finale à la fin de la durée étant d'environ 50 C; (b.3) on établit un second bain ayant le même rapport ionique plomb:sélénium que le premier bain et contenant en outre un ion iodure, avec un rapport ionique plomb:iodure d'environ 100:1, et on
répète l'opération b.2 pour déposer une couche supplémen-
taire de PbSe sur la tranche de silicium (1); (c) on sen-
sibilise la couche de PbSe déposée sur la tranche de si-
licium (1) en chauffant cette tranche dans l'air à une température d'environ 375 C pendant une durée d'environ minutes; (d) on enlève le PbSe déposé dans la majeure partie de la tranche, sauf dans la première zone de réseau
de détecteurs (3); (e) on effectue ensuite un dépôt chi-
mique d'au moins une-couche de PbS sur la tranche de si-
licium (1), en établissant un troisième bain qui contient des ions plomb, sulfure et hydroxyde, le rapport ionique plomb: sulfure étant compris entre 1:1,25 et 1:6, et le rapport ionique plomb:hydroxyde étant compris entre 1:7 et 1:12; (f) on introduit la tranche de silicium (1) dans
le troisième bain pendant une durée comprise entre 60 minu-
tes et 90 minutes, tout en élevant la température de ce bain depuis une température initiale comprise entre 10 C et 14 C au moment de l'immersion de la tranche dans le bain, jusqu'à une température finale comprise entre 70 C et 80 C au moment de l'extraction de la tranche (1); et (g) on enlève la couche de PbS résultante dans la majeure partie de la tranche de silicium (1), sauf dans la seconde
zone de réseau de détecteurs (10).
20. Procédé selon la revendication 19, caracté-
risé en ce que le rapport plomb:sulfure:hydroxyde est d'en-
viron 1:4:10.
21. Procédé de fabrication d'un réseau de détec-
572610
teurs infrarouges de type PbS-PbSe, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: (a) on établit une tranche de silicium (1) sur laquelle se trouvent un premier groupe d'électrodes définissant une première zone de réseau de détecteurs infrarouges (3), et un second
groupe d'électrodes définissant une seconde zone de ré-
seau de détecteurs infrarouges (10); (b) on effectue un dépôt chimique d'une couche de PbSe sur les première et
seconde zones de réseau (3, 10), par les opérations sui-
vantes: (b.1) on prépare un premier bain ayant un rapport ionique plomb:sélénium d'environ 5:1; (b.2) on immerge la tranche de silicium (1) dans le premier bain pendant une durée d'environ 60 minutes, la température initiale du bain au moment de l'immersion étant d'environ 25 C,
et la température finale à la fin de la durée étant d'en-
viron 50 C; (b.3) on établit un second bain ayant le même rapport ionique plomb:sélénium que le premier bain, et
comprenant en outre un ion iodure, avec un rapport ioni-
que plomb: iodure d'environ 100:1, et on répète l'opéra-
tion bo2 pour déposer une couche supplémentaire de PbSe
sur la tranche de silicium (1); (c) on sensibilise la cou-
che de PbSe déposée sur la tranche de silicium (1), en
chauffant cette tranche dans l'air à une température d'en-
viron 375 C pendant une durée d'environ 90 minutes; (d)
on enlève le PbSe déposé sur la majeure partie de la tran-
che (1), sauf dans la première zone de réseau de détecteurs
(3); (e), on effectue ensuite un dépôt chimique d'une cou-
che de PbS sur la tranche de silicium, en établissant un
troisième bain contenant des ions plomb, sulfure et hydro-
xyde, le rapport plomb: sulfure:hydroxyde étant d'environ 1:4:10; (f) on introduit la tranche de silicium (1) dans le troisième bain pendant une durée d'environ 75 minutes,
tout en élevant la température de ce bain depuis une tempé-
rature initiale d'environ 12 C au moment de l'immersion de
la tranche dans le bain, jusqu'à une température finale d'en-
2 572610
viron 75 C au moment de l'enlèvement de la tranche (1);
et (g) on enlève la couche résultante de PbS dans la ma-
jeure partie de la tranche de silicium (1), sauf dans la
seconde zone de réseau de détecteurs (10).
22. Réseau de détecteurs de lumière formé sur un substrat (1), caractérisé en ce qu'il comprend: (a) un ensemble d'électrodes en forme de dents (5) placées
sur ce substrat (1); (b) un ensemble d'électrodes allon-
gées (4), placées sur le substrat (1), chaque électrode allongée étant placée entre une paire d'électrodes en
forme de dents (5); et- (c) une couche de matière détec-
trice photosensible placée sur le substrat (1) entre les
électrodes en forme de dents (5) et les électrodes allon-
gées (4).
23. Réseau de détecteurs de lumière selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'il comprend en
outre un multiplexeur (6) convertissant des signaux pa-
rallèles en un train d'impulsions série, qui est associé
- au substrat (1), et des moyens pour connecter en parallè-
le les électrodes allongées (4) au multiplexeur (6).
24. Réseau de détecteurs de lumière selon l'une
quelconque des revendications 22 et 23, caractérisé en ce
que l'ensemble d'électrodes en forme de dents (5) est cons-
titué par des électrodes rectangulaires, et les électrodes allongées (4) ont une largeur notablement inférieure aux
largeurs des électrodes en forme de dents (5).
25. Substrat de réseau de détecteurs de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend: (a) un premier ensemble d'électrodes alignées en forme de dents (5) placées sur le substrat (l),et un second ensemble d'électrodes alignées * en forme de dents (5') placées sur le substrat (1); (b) un troisième ensemble d'électrodes allongées (4), placées sur le substrat (1) , chaque électrode allongée (4) du troisième ensemble étant placée entre une paire d'électrodes (5) du
premier ensemble d'électrodes en forme de dents, et un qua-
2 5f 7261u trième ensemble d'électrodes allongées (7) placées sur le
substrat, chaque électrode allongée (7) du quatrième en-
semble étant placée entre une paire d'électrodes (5') du second ensemble d'électrodes en forme de dents; (c) une première couche de matière détectrice photosensible pla-
cée sur le substrat (1) entre le premier ensemble d'élec-
trodes en forme de dents (5) et le troisième ensemble d'électrodes allongées (4); et (d) une seconde couche de matière détectrice photosensible placée sur le substrat (1) entre le second ensemble d'électrodes en forme de
dents (5') et le quatrième ensemble d'électrodes allon-
gées (7).
26. Substrat de réseau de détecteurs de lumière
selon la revendication 25, caractérisé en ce que les pre-
mière et seconde couches de matière détectrice photosen-
sible ont des réponses spectrales différentes.
27. Substrat de réseau de détecteurs de lumière
selon la revendication 26, caractérisé en ce que la pre-
mière couche de matière détectrice photosensible consiste
en PbSe, et la seconde couche de matière détectrice photo-
sensible consiste en PbS.
28. Substrat de réseau de détecteurs de lumière
selon la revendication 25, caractérisé en ce que les pre-
mier et second ensembles d'électrodes alignées en forme de dents (5, 5') sont formés par des électrodes rectangulaires,
et les électrodes allongées (4, 7) ont une largeur notable-
ment inférieure aux largeurs des électrodes en forme de
dents (5, 5').
29. Substrat de réseau de détecteurs de lumière
selon la revendication 26, caractérisé en ce que les pre-
mier et second ensembles d'électrodes alignées en forme de
dents (5, 5') s'étendent à partir du même conducteur com-
mun (2) formé sur le substrat (1).
30.Substrat de réseau de détecteurs de lumière
selon la revendication 27, caractérisé en ce que les pre-
mier et second ensembles d'électrodes ali9néP;n forme de
dents (5, 5') s'étendent à partir du même conducteur com-
mun (2) formé sur le substrat (1).
31. Substrat de réseau de détecteurs de lumière
selon l'une quelconque des revendications 25 à 30, carac-
térisé en ce qu'il comprend en outre des premier et second multiplexeurs (6, 11) convertissant des signaux parallèles en un train d'impulsions en série, qui sont associés au substrat (1), des moyens destinés à connecter
le troisième ensemble d'électrodes allongées (4) au pre-
mier multiplexeur (6), et des moyens destinés à connecter le quatrième ensemble d'électrodes allongées (7) au second
multiplexeur (11).
32. Tranche de silicium pour un réseau de détec-
teurs de lumière, caractérisée en ce qu'elle comprend: (a) un premier ensemble d'électrodes alignées en forme de
dents (5) placées sur la tranche (1), et un second ensem-
ble d'électrodes alignées en forme de dents (5') placées sur la tranche (1); (b) un troisième ensemble d'électrodes
allongées (4), placées sur la tranche (1), chaque électro-
de allongée (4) du troisième ensemble étant placée entre
une paire d'électrodes (5) du premier. ensemble d'électro-
des en forme de dents, et un quatrième ensemble d'électro-
des allongées (7) placées sur la tranche (1), chaque élec-
trode allongée (7) du quatrième ensemble étant placée
entre une paire d'électrodes (5') du second ensemble d'élec-
trodes en forme de dents; (c) une première couche de matière détectrice photosensible placée sur la tranche (I) entre le premier ensemble d'électrodes en forme de dents (5) et le troisième ensemble d'électrodes allongées (4), et entourant pratiquement ces électrodes allongées; et (d) une seconde couche de matière détectrice photosensible placée sur la tranche (1) entre le second ensemble d'électrodes en forme
de dents (5') et le quatrième ensemble d'électrodes allon-
gées (7), et entourant pratiquement ces électrodes allongées.
2 5 726 10
33. Tranche de silicium selon la revendication
32, caractérisée en ce que les première et seconde cou-
ches de matière détectrice photosensible ont des réponses
spectrales différentes.
34. Tranche de silicium selon la revendication 33, caractérisée en ce que la première couche de matière détectrice photosensible consiste en PbSe, et la seconde couche de matière détectrice photosensible consiste en PbS.
35. Tranche de silicium selon la revendication 34, caractérisée en ce que les premier et second ensembles
d'électrodes alignées en forme de dents (5, 5') sont cons-
titués par des électrodes rectangulaires, et les électro-
des allongées (4, 7) ont une largeur notablement inférieu-
re aux largeurs des électrodes en forme de dents (5, 5').
36. Tranche de silicium selon la revendication , caractérisée en ce que les premier et second ensembles d'électrodes alignées en forme de dents (5, 5') s'étendent à partir du même conducteur commun (2) formé sur la tranche
(1).
37. Tranche de silicium selon la revendication 36, caractérisée en ce que les électrodes en forme de dents (5, 5') des premier et second ensembles sont mutuellement décalées.
38. Tranche de silicium selon l'une quelconque des
revendications 32 à 37, caractérisée en ce que toutes les
électrodes sont en or.
39. Tranche de silicium selon la revendication 38, caractérisée en ce qu'on fait adhérer l'or à la surface
de la tranche de silicium (1) au moyen d'une couche inter-
médiaire choisie dans le groupe comprenant le chrome, le
palladium et le titane-tungstène.
40. Tranche de silicium selon l'une quelconque des
revendications 32 à 37, caractérisée en ce qu'elle comprend
en outre des premier et second multiplexeurs (6, 11), formés
2 5 7 26 10
à l'intérieur de la tranche (1) et convertissant des si-
gnaux parallèles en un train d'impulsions série, des mo-
yens destinés à connecter le troisième ensemble d'élec-
trodes allongées (4) au premier multiplexeur (6), et des moyens destinés à connecter le quatrième ensemble d'élec-
trodes allongées (7) au second multiplexeur (11).
41. Tranche de silicium pour un réseau de détecteurs de lumière, caractérisée en ce qu'elle comprend:
(a) un premier ensemble d'électrodes rectangulaires ali-
gnées en or, en forme de dents ( 5) s'étendant à par-
tir d'un conducteur commun (2) placé sur la tranche (1),
et un second ensemble d'électrodes rectangulaires ali-
gnées en or, en forme de dents (5') s'étendant à partir du conducteur commun (2) et placé sur la tranche (1);
(b) un troisième ensemble d'électrodes minces et allon-
gées en or (4), placé sur la tranche, chaque électrode allongée (4) du troisième ensemble étant connectée à un premier multiplexeur (6) et placée entre les côtés d'une paire d'électrodes (5) du premier ensemble d'électrodes en forme de dents, et un quatrième ensemble d'électrodes
minces et allongées en or (7) connectées à un second mul-
tiplexeur (11) et placées sur la tranche, chaque électrode allongée (7) du quatrième ensemble étant placée entre les côtés d'une paire d'électrodes (51) du second ensemble d'électrodes en forme de dents; (c) une première couche de matière détectrice photosensible consistant en PbSe, placée sur la tranche (1) entre le premier ensemble d'électrodes en forme de dents (5) et le troisième ensemble d'électrodes allongées (4), et entourant pratiquement ces
électrodes allongées; et (d) une seconde couche de matiè-
re détectrice photosensible consistant en PbS, placée sur la tranche (1) entre le second ensemble d'électrodes en forme de dents (5') et le quatrième ensemble d'électrodes allongées (7), et entourant pratiquement ces électrodes
allongées.
42. Tranche de silicium selon la revendication
41, caractérisée en ce qu'on fait adhérer l'or à la surfa-
ce de la tranche de silicium (1) au moyen d'une couche intermédiaire choisie dans le groupe comprenant le chrome, le palladium et le titanetungstène.
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| US4682032A (en) * | 1986-01-17 | 1987-07-21 | Itek Corporation | Joule-Thomson cryostat having a chemically-deposited infrared detector and method of manufacture |
| GB2219132A (en) * | 1988-05-27 | 1989-11-29 | Philips Electronic Associated | Manufacture of electronic devices comprising cadmium mercury telluride |
| JPH02221823A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-04 | Hitachi Ltd | 光度計 |
| CN1329728C (zh) * | 2001-05-21 | 2007-08-01 | 派拉斯科技术公司 | 一种用于在自动化过程控制工件检查应用中提供热红外成像快照动作的装置及方法 |
| US20040021214A1 (en) * | 2002-04-16 | 2004-02-05 | Avner Badehi | Electro-optic integrated circuits with connectors and methods for the production thereof |
| AU2003226601A1 (en) * | 2002-04-16 | 2003-10-27 | Xloom Photonics Ltd. | Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof |
| EP1676160A4 (fr) * | 2003-10-15 | 2008-04-09 | Xloom Photonics Ltd | Circuiterie electro-optique presentant un connecteur integre et ses methodes de production |
| US7611920B1 (en) * | 2005-11-17 | 2009-11-03 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Photonic coupling scheme for photodetectors |
| US20090093137A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Xloom Communications, (Israel) Ltd. | Optical communications module |
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| CN112920386A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-08 | 临朐齐力催化剂有限公司 | 一种可降解制品用pbs的生产制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2527597A1 (de) * | 1975-06-20 | 1976-12-23 | Siemens Ag | Eindimensionaler optoelektronischer sensor |
| US4101452A (en) * | 1952-09-27 | 1978-07-18 | Electronics Corporation Of America | Lead sulfide activation process |
| US4137625A (en) * | 1977-09-01 | 1979-02-06 | Honeywell Inc. | Thin film interconnect for multicolor IR/CCD |
| FR2506077A1 (fr) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Rockwell International Corp | Detecteur photosensible notamment pour image infrarouge |
| US4442446A (en) * | 1982-03-17 | 1984-04-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Sensitized epitaxial infrared detector |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB337691A (en) * | 1929-02-13 | 1930-11-06 | Telefunken Gmbh | Improvements in or relating to graphite electrodes suitable for use in selenium cells |
| GB823539A (en) * | 1955-01-20 | 1959-11-11 | Stig Ake Thulin | Improvements in or relating to a photo-electric device for measuring and regulating purposes |
| NL89173C (fr) * | 1955-05-03 | |||
| NL106419C (fr) * | 1956-09-29 | |||
| US2997408A (en) * | 1958-05-21 | 1961-08-22 | Itt | Process for producing photoconductive cadmium sulfide |
| US3178312A (en) * | 1959-01-02 | 1965-04-13 | Santa Barbara Res Ct | Solutions and methods for depositing lead selenide |
| GB1115319A (en) * | 1966-04-04 | 1968-05-29 | Baldwin Co D H | Photocell array structure |
| BE759559A (fr) * | 1969-12-03 | 1971-04-30 | Cerberus Ag | Dispositif pour detecter un incendie ou des flammes |
| US3832298A (en) * | 1972-06-05 | 1974-08-27 | Eastman Kodak Co | Method for producing a photoconductive element |
| US3963925A (en) * | 1975-02-26 | 1976-06-15 | Texas Instruments Incorporated | Photoconductive detector and method of fabrication |
| US3994012A (en) * | 1975-05-07 | 1976-11-23 | The Regents Of The University Of Minnesota | Photovoltaic semi-conductor devices |
| GB2002511B (en) * | 1977-08-05 | 1982-02-10 | Emi Ltd | Detectors of penetrating radiation |
| GB2027985B (en) * | 1978-07-31 | 1983-01-19 | Philips Electronic Associated | Infra-red detectors |
| DE3276287D1 (en) * | 1981-04-20 | 1987-06-11 | Hughes Aircraft Co | High speed photoconductive detector |
| FR2568060B1 (fr) * | 1984-07-19 | 1989-01-13 | Canon Kk | Element detecteur d'image de grande dimension, photodetecteurs utilises dans cet element detecteur et procede de fabrication des photodetecteurs |
-
1984
- 1984-10-26 US US06/665,271 patent/US4602158A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
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-
1988
- 1988-05-16 GB GB8811572A patent/GB2204447B/en not_active Expired
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4101452A (en) * | 1952-09-27 | 1978-07-18 | Electronics Corporation Of America | Lead sulfide activation process |
| DE2527597A1 (de) * | 1975-06-20 | 1976-12-23 | Siemens Ag | Eindimensionaler optoelektronischer sensor |
| US4137625A (en) * | 1977-09-01 | 1979-02-06 | Honeywell Inc. | Thin film interconnect for multicolor IR/CCD |
| FR2506077A1 (fr) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Rockwell International Corp | Detecteur photosensible notamment pour image infrarouge |
| US4442446A (en) * | 1982-03-17 | 1984-04-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Sensitized epitaxial infrared detector |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES * |
| INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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