FR2543977A1 - Procede de separation selective et de concentration du gallium ou de l'indium ou des deux, de solutions en contenant a de faibles taux mais contenant des taux eleves d'ions d'autres metaux - Google Patents
Procede de separation selective et de concentration du gallium ou de l'indium ou des deux, de solutions en contenant a de faibles taux mais contenant des taux eleves d'ions d'autres metaux Download PDFInfo
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE SEPARATION SELECTIVE ET DE CONCENTRATION DE GALLIUM ETOU D'INDIUM D'UNE SOLUTION LES CONTENANT A DE FAIBLES CONCENTRATIONS MAIS CONTENANT DES IONS D'AUTRES METAUX A DE RELATIVEMENT FORTES CONCENTRATIONS. SELON L'INVENTION, ON FAIT PASSER LA SOLUTION A TRAVERS UN LIT DE RESINE ECHANGEUSE D'IONS COMPLEXANTE AYANT UN GROUPE ACIDE AMINO CARBOXYLIQUE, ON DESORBE LES IONS DE METAL DE LA RESINE PAR ELUTION AVEC UN ACIDE MINERAL, ON AJUSTE LE PH DE L'ELUAT ENTRE 1,0 ET 4,0, ON FAIT PASSER L'ELUAT AJUSTE A TRAVERS UN LIT D'UNE RESINE ECHANGEUSE D'IONS COMPLEXANTE AYANT UN GROUPE AMINO CARBOXYLIQUE, ET ON ELUE LES MATERIAUX SUR LA RESINE AVEC UN ACIDE MINERAL POUR AINSI RECUPERER LE GALLIUM ETOU L'INDIUM; LE DESSIN JOINT MONTRE LA CONCENTRATION DE GALLIUM OU D'INDIUM AINSI QUE LA CONCENTRATION DE ZN, FE OU AL EN FONCTION DU VOLUME DE LA SOLUTION D'ALIMENTATION. L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A LA RECUPERATION D'INDIUM ET DE GALLIUM DANS DES LIMONS, BOUES OU LIQUEURS RESULTANT DE DIVERS PROCEDES DE FUSIONS DES METAUX.
Description
La présente invention se rapporte a un procédé
efficace pour la séparation sélective et la concentra-
tion du gallium et/ou de l'indium d'une solution qui contient de faibles taux de gallium et/ou d'indium et qui contient également des taux élevés de sels
d'autres métaux.
Le gallium ou l'indium est contenu à de faibles taux dans les limons, les boues ou les liqueurs résultant de divers procédés de la fusion êie métaux et
autres procédés de traitement chimique Industrielle-
ment, de tels limons, boues ou liqueurs sont des sources importantes de gallium ou d'indium Cependant, is contiennent usuellement de très faibles taux de gallium ou d'indium tandis que les taux d'autres métaux comme Fe, Al, Zn, As et Na sont relativement élevés. Habituellement, on récupère le gallium ou l'indium de tels limons ou boues, par extraction au solvant appliquée à une liqueur contenant de faibles taux de gallium et/ou d'indium que l'on prépare en
dissolvant les limons ou les boues au moyen d'un acide.
Des méthodes ont été proposéoe pour obtenir un concentré de gallium et/ou d'indium par extraction liquide-liquide avec des solvants organiques comme de l'isopropyl éther, du tributyl phosphate, de la méthyle isobutyl cétone et des acides gras saturés tertiaires L'utilisation de l'isopropyl éther, du tributyl phosphate ou de la méthyl isobutyl cétone est une méthode efficace pour l'extraction sélective du gallium et/ou de l'indium Cependant, afin d'obtenir la phase aqueuse pour l'extraction, il faut une forte concentration de H Cl et les solvants utilisés, en particulier l'isopropyl éther et la méthyl isobutyl cétone, n'ont qu'une courte durée de vie carils se dissolvent dans la phase aqueuse en grandesquantités L'autre méthode utilisant une acide gras saturé tertiaire est moins couteuse (le solvant est moins cher)et peut être utilisêeavec une relativement large gamme de types d'acides et sur une relativement large gamme de taux de gallium ou d'indium Cependant, le pourcentage d'extraction que l'on peut obtenir par cette méthode est très faible si les conditions du procédé concernant le type et la concentration des sels métalliques présents dans la phase aqueuse en
plus du gallium ou de l'indium ne sont pas favorables.
Par ailleurs, toutes les méthodes d'extraction au solvant posent un problème commun, provenant du fait que le solvant est absorbé ou est dissous dans la liqueur résiduelle sous la forme de gouttelettes liquides. La présente invention a pour objet principal le développement d'une méthode industriellement
efficace pour la séparation sélective et la concen-
tration du gallium et/ou de l'indium sans extraction au solvant d'une solution qui contient de très faibles taux de gallium et/ou d'indium et qui contient également des taux relativement élevés de sels et d'autres métaux Par suite de diverses études effectués pour atteindre cet objectif, les présents inventeurs ont accompli avec succès une méthode industriellement avantageuse pour la récupération sélective du gallium et/ou de l'indium, d'une liqueur contenant non seulement du gallium:ou de l'indium mais également divers autres métaux La méthode consiste à faire passer une solution contenant du gallium et/ou de l'indium à travers un lit d'une résine échangeuse d'ions complexante ayant un groupe
acide aminocarboxylique soit immédiatement ou après-
ajustement à un p H compris entre 1,0 et 4,0, ladite solution contenant également des ions métalliques autres que le gallium et l'indium à des concentrations égales à au moins dix fois celle du gallium et/ou de l'indium; à désorber les ions métalliques de la résine en éluant avec un acide minéral; à ajuster le p H de l'éluat à une valeur comprise entre 1, 0 et 4,0; à faire passer l'éluat ajusté à travers un lit d'une résine échangeuse d'ions complexante ayant un groupe acide aminocarboxylique; et à éluer les matériaux sur la résine avec un acide minéral, pour ainsi récupérer le gallium et/ou l'indium présents
sous une forme concentrée dans l'éluat résultant.
Selon la présente invention, le gallium et/ou 1 lindium présentsen quantité faibles ou minuscules dans une solution qui contient également des taux relativement élevés de sels d'autres métaux peuvent être séparés sous une forme concentrée en utilisant une résine échangeuse d'ions L'invention propose l'utilisation d'une résine échangeuse d'<ions pour la récupération sélective de quantités faibles ou minuscules de gallium et/ou d'indium dans des limons,
des boues ou des liqueurs résultant de grandes quanti-
tésde divers procédés de fusion des métaux ou d'autres procédés de traitement chimique En l'absence d'une méthode efficace couramment disponible pour la récupération sélective du gallium et/ou de l'indium des boues de fonderie ou des liqueurs effluentes au moyen d'une résine échangeuse d'ions, la méthode selon l'invention introduira une nouvelle technique, dans l'industrie, pour la récupération sélective du
gallium et/ou de l'indium.
La présente invention est basée sur la décou-
verte qu'une résine chélatée préparée par réticulation en une structure réticulée d'un composé phénolique de formule: OH
(MOOCH 2 C)2 NH 2 C CH 2 N(CH 2 C M)2
R 1 R 2
(Dans laquelle M est un métal alcalin ou de l'hydrogène chacun de R 1 et R 2 est de l'hydrogène ou un groupe alcoyle ayant de 1 à-3 atomes de carbone), un phénol et un aldéhyde a la capacité d'adsorber préférentiellement le gallium et/ou l'indium présentsen quantité faibles ou minuscules dans une solution contenant des taux assez élevés d'ions d'autres métaux La résine chélatée elle-même est déjà connue et indiquée dans la publication du brevet japonais No 121 241/79 en tant que résine échangeuse d'ions capable de
réduire la concentration en ions Fe dans un bain d'élec-
troplacage de zinc acide On dispose d'un produit commercialisé par UNITIKA, LTD, sous
la désignation commerciale "UNICELLEX UR-50 R".
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de
la description explicative qui va suivre faite en
référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention, et dans lesquels la figure 1 est un graphique montrant le point d'augmentation brusque en fonction de l'alimentation à travers une résine chélatée d'une solution au p H ajusté et réductrice contenant de forts taux de Zn, Fe et Al mais de faibles taux de Ga et In; la figure 2 est un graphique montrant le
point d'augmentation brusque en fonction de l'alimen-
tation à travers une résine chélatée d'un éluat au p H ajusté et réductrice; et la figure 3 est un graphique montrant les taux de Ga et In dans un éluat obtenu par traitement avec H Cl à 2 N. Dans la mise en pratique du procédé selon l'invention, les cycles d'adsorption et d'élution sont de préférence répétés en utilisant au moins deux colonnes garnies de la résine échangeuse d'ions complexante ci-dessus spécifiée La solution à traiter par le procédé selon l'invention est une solution recueillie industriellement contenant de faibles taux de gallium et/ou d'indium et contenant
également des ions d'autres métaux dont la concentra-
tion est égale à au moins dix fois celle du gallium et/ou de l'indium Des exemples d'une telle solution comprennent des solutions de lessivage produites dans les procédés de fusion du zinc, et des solutions acides préparées en dissolvant des limons ou boues d'aluminium Plus particulièrement, le procédé de l'invention est destiné au traitement d'une solution industriellement recueillie qui contient 0,001 à 1,0 (g/1 000 ml) de gallium et/ou d'indium et 2 à 70 (g/1 000 ml) ou plus de Fe, Al, Zn, As, Na et ions d'autres métaux soit indépendamment ou en combinaison Plus particulièrement, la solution à traiter par le procédé selon l'invention contient 0,01 à 1 (g/1000 mi) de gallium et/ou d'indium en présence d'environ 5 à 50 (g/1 000 ml) de zinc, à 30 (g/1000 ml) de fer et 5 à 40 (g/1 000 ml) d'aluminium De préférence, le p H de cette solution est d'abord ajusté entre 1,0 et 4,0, de préférence entre 2,0 et 3,0 Si la solution contient des ions ferriques, ils sont réduits en ions ferreux par traitement avec un agent réducteur comme du bioxyde de soufre gazeux ou du bisulfite de sodium On fait alors passer la solution ainsi traitée à travers une colonne garnie de la résine échangeuse d'ions complexante du type décrit ci-dessus à une vitesse spatiale (S V) ne dépassant pas 5,0, de préférence comprise entre 0,5 et 1,5 Par ce premier passage à travers la colonne échangeuse d'ions, seul le gallium et/ou l'indium sont préférentiellement
adsorbés sur la résine échangeuse d'ions complexante.
La solution est mise en contact avec la résine échangeuse d'ions typiquement à une température comprise entre 10 et 50 C et de préférence entre et 450 C. Une solution d'acide sulfurique contenant une quantité faible ou minuscule de gallium et/ou d'indium et 10 à 20 (g/1 000 ml) de zinc, de fer et d' aluminium a été ajustée à un p H de 2,8, et après son traitement pour maintenir la nature réductrice de la solution par addition d'hydrogénosulfite de podium, on a fait passer la solution à travers une résine échangeuse d'ions complexante ayant un groupe acide amino-carboxylique à une vitesse spatiale de 1,0 Le profil résultant de l'alimentation liquide en fonction de l'augmentation brusque est montré sur la figure 1, ou l'on peut voir que le gallium et/ou l'indium présents à de faibles taux dans une solution avec des taux élevés d'autres métaux peuvent être sélectivement adsorbés sur la
résine échangeuse d'ions dans les conditions spécifiées.
Le: gallium et/ou l'indium peuvent facilement être désorbés de la résine par élution avec un acide minéral tel que de l'acide sulfurique ou de l'acide chlorhydrique La concentration de l'acide sulfurique utilisé comme éluant est généralement comprise entre
1 N et 6 N, de préférence entre 3 N et 4 N La concentra-
tion de l'acide chlorhydrique est généralement comprise entre 1 N et 6 N, de préférence entre 2 N et 3 N Par cette étape d'élution, on peut obtenir, comme éluat, une solution contenant 0,01 à 10 (g/1 000 ml) de gallium et/ou d'indium tout ayant
de faibles taux d'ions d'autre métaux.
Comme à la première étape d'adsorption, le p H de cette éluat est ajusté entre 1,0 et 4,0, de
préférence entre 2,0 et 3,0 et on le traite éven-
tuellement avec un agent réducteur pour obtenir
la conversion des ions ferriques en ions ferreux.
On fait passer l'éluat ainsi traité à travers un lit (comme une colonne garnie du lit) de la résine échangeuse d'ions complexante ayant un groupe acide aminocarboxylique qui est du même type que
celle utilisée à la première étape d'adsorption.
L'allure de passage ne dépasse pas une vitesse spatiale de 5,0, de préférence comprise entre 1,0 et 3,0 A cette seconde étape d'adsorption, le gallium et/ou l'indium peut être sélectivement adsorbé sur la résine L'éluat est amené en contact avec la résine échangeuse d'ions typiquement
entre 10 et 50 C, de préférence entre 20 et 30 C.
L'éluat obtenu par l'expérience montrée sur la figure 1 a été ajusté à un p H de 2,8 et on l'a fait passer à travers un lit d'une résine échangeuse d'ions complexante ayant un groupe acide
aminocarboxylique à une vitesse spatiale de 2,0.
Le profil résultant de l'alimentation de l'éluat en fonction du point d'augmentation brusque est montré sur la figure 2, o l'on peut voir que le gallium et/ou l'indium peuvent être sélectivement adsorbés
sur la résine échangeuse d'ions aux conditions spécifiées.
Comme dans l'étape d'élution suivant le premier stade d'adsorption, on peut facilement désorber le gallium et/ou l'indium de la résine par élution avec un acide minéral tel que de l'acide sulfurique ou de l'acide chlorhydrique Si l'on utilise de l'acide sulfurique, sa concentration est généralement comprise entre 1 N et 6 N, de préférence entre 3 N et 4 N Si l'on utilise de l'acide chlorhydrique, sa concentration est généralement comprise entre 1 N et 6 N, de préférence entre 2 N et 3 N Par suite, on peut obtenir un éluat ayant une très forte concentration ( 0,1 à 50 g/1 000 ml) de gallium et/ou d'indium L éluat ne contient que des quantités faibles ou minuscules d'ions d'autres métaux et donne un concentré de gallium et/ou d'indium La figure 3 est une courbe d'élution obtenue lorsque le gallium et/ou l'indium est désorbé de la résine échangeuse d'ions par élution avec HCI à 2 N. Les avantages du procédé de la présente invention deviendront mieux apparent à la lecture
des exemples non limitatifs qui suivent.
EXEMPLE 1.
Dans cet exemple, le gallium et l'indium ont été sélectivement récupérés d'une solution de lessivage (une solution d'acide sulfurique) dérivée de la fusion du zinc, et ayant la composition montrée
au tableau 1.
TABLEAU 1: Composition de la solution de lessivage(g/1 000 ml) Ga In Zn Al Fe Contenu absolu0,11 0,13 22,6 10,9 12,7 ontenu relatif environ environ enviro
1 1,18 200 100 100
concentration d'une espèce particulière d'ion dans la solution de lessivage Contenu relatif = Concentration de Ga dans la solution de lessivage Le p H de six litres de la solution de lessivage a été ajusté à 2,8 au moyen d'un agent alcalin Après additiond'hydrogénosulfite de sodium pour maintenir la nature réductrice, on a fait passer la solution de lessivage à travers une colonne garnie de 1,2 litre d'UNICELLEX UR-50 ( marque déposée), résine échangeuse d'ions complexante fabriquée par UNITIKA, LTD Le taux d'alimentation correspondait à une vitesse spatiale de 1,0 On a obtenu 6 litres d'un effluent, qui avait la composition indiquée
au tableau 2.
TABLEAU 2 Composition de l'effluent (g/1 000 ml) Ga In Zn Al Fe __ 'y___ __ i __ l __, _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ I tr 0,001 22,4 i 9,9 12,6 Le tableau 2 montre qu'au premier passage à travers une colonne de résine échangeuse d'ions, presque tout le gallium et l'indium présents dans la solution de lessivage ont pu être adsorbés sur la résine mais que la plus grande partie de Zn, Al et Fe contenus a été entraînée dans l'effluent sans
être adsorbée sur la résine.
La résine a alors été éluée avec de l'acide
sulfurique à 3 N et on a obtenu 4,8 litres d'un éluat.
La composition de 1 ' éluat est indiquée au tableau 3.
TABLEAU 3: Composition de l'éluat (g/1 000 ml) 1 1 On a ajusté le p H de l'éluat à 2,8 avec un agent alcalin Afin de maintenir la nature réductrice de l'éluat, on a ajouté de l'hydrogénosulfite de sodium pour produire la composition indiquée au tableau 4 On a fait passer l'éluat ainsi traité à travers une colonne garnie de 6 Oml d'UNICELLEX UR-50 (marque déposée; résine échangeuse d'ions complexante fabriquée par UNITIKA, LTD Le taux d'alimentation correspondait à une vitesse
spatiale de 1,0 L'effluent résultant avait la composi-
tion indiquée au tableau 5.
Tableau 4: Composition de l'éluat neutralisé (g/1 000 ml) Ga In Zn Al Fe
0,14 0,15 0,25 0,90 0,11
Tableau 5: Composition de l'effluent (g/1 000 ml) Ga In Zn Al Fe tr 0,001 0,24 0,84 0,10 l _- Le tableau 5 montre qu'au second passage à travers une résine échangeuse d'ions, presque tout le gallium et l'indium présents dans l'éluat à la sortie de la première colonne ont pu être a sorbés sur la résine, mais que la plus grande partie de Zn, Al et Fe contenus ont été entrainés dans l'effluent sans être adsorbés sur la résine. Le lit de résine a été élu avec de l'acide chlorhydrique à 2 N, et on a obtenu 120 ml d'un éluat (concentré de Ga
et In) La composition de l'éluat est donn au tableau 6.
Tableau 6: Composition du concentré Ga/In (q/I 000 ml) Ga In Zn Ai Fe Contenu Absolu 5,6 6,0 0,05 0,80 0,03 Contenu relatif 1 1,07 0,01 0,14 0, 01 Rapport de * Concentration 40 40 0,2 0,89 0,27 i *Rapport de Concentration d'une espèce particulière d'ion dans le concentré Concentration d'une espèce particulière d'ion' dans l'éluat neutralisé Comme cela est apparent par les données qui précèdent, le procédé de la présente invention permet de récupérer un concentré de Ga et In à un fort rendement, dans une
solution de lessivage de la fusion du zinc, et les rende-
ments de récupération était de 100 % pour le gallium et
de 92 % pour l'indium.
Exemple 2
On a répété le processus de l'exemple 1 à l'exception que l'on a fait passer un éluat de la première colonne de résine, ayant la composition indiquée au tableau 3, à travers la seconde colonne de résine, que l'on a éluée avec de l'acide sulfurique à 3 N, plutôt que de l'acide chlorhydrique à 2 N On a obtenu un concentré de Ga/In en tant qu'éluat ( 120 ml), dont la composition est
indiquée au tableau 7.
Tableau 7: Composition du concentré de Ga/In (g/1 000 ml) On a de nouveau obtenu, dans le rendements élevés de récupération de
respectivement de 95 % et 82 %.
Exemple 3
concentré Ga et In, final, des qui étaient Dans cet exemple, on a sélectivement récupéré du gallium d'un limon riche en aluminium contenant une faible quantité de gallium. Le limon riche en aluminium contenant du gallium a été dissou avec de l'acide sulfurique, son p H a été ajusté, et on l'a mélangé à un agent réducteur pour donner une solution ayant la composition indiquéeau tableau 8 Tableau 8: Composition de la solution d'alimentation (g/1000 ml) Ga Al Na As Fe Contenu absolu 0,008 36,2 14,5 1,43 0,44 -. _-_evio evo evoenvironevron -r eio Contenu relatif 1 4500 2000 200 50 Contenu relatif = concentration d'une espère particulière d'ion en solution concentration de Ga dans la solution Ga In Zn A 1 Fe Contenu Absolu 5,2 5,3 0,05 0,80 0,03 Contenu relatif 1 1,02 0,01 0,15 0, 01 Rapport de Concentration 37 35 0,20 0,89 0,27 On a fait passer la solution indiquée au tableau 8 à travers une colonne garnie de UNICELLEX UR-50 (marque déposée), résine échangeuse d'ions complexante fabriquée par UNITIKA, LTD Le taux d'alimentation correspondait à une vitesse spatiale de 1,0 L'effluent résultant
avait la composition indiquée au tableau 9.
Tableau 9: Composition de l'effluent (g/1 000 ml) Comme le montre le tableau 9, l'effluent était sensiblement exempt de gallium tandis que presque tout le Al, Na, As et le Fe contenus ont été entraînés dans
l'effluent sans être adsorbés sur la résine.
Les ions Ga ont alors été désorbés de larésine par élution avec l'acide sulfurique L'éluat résultant
avait la composition indiquée au tableau 10.
Tableau 10: Composition de l'éluat (g/1 000 ml) Le p H de l'éluat a été ajusté avec un agent alcalin, et après avoir maintenu sa natureréductrice par addition d'un agent réducteur, on a fait passer l'éluat à travers une colonne garnie d'UNICELLEX UR-50 (marque déposée),
résine échangeuse d'ions complexante de UNITIKA, LTD.
Le taux d'alimentation correspondait à une vitesse spatialede 1 O,0 La composition de l'effluent de la colonne est indiquée au
tableau 11.
Ga Al Na As Fe
0,001 35,9 14,3 1,42 0,43
Ga Al Na As Fe Contenu Absolu 0,04 2,78 0,87 0,005 0,05 environ e nvir Contenu relatif 1 70 0,13 1,25 Tableau 11: Composition de l'effluent (g/1 000 ml) Les ions Ga ont alors été désorbés de la résine par élution avec de 1 'acide chlorhydrique L'éluat résultant (corc entré de Gi
au tableau 12.
Tableau 12: Composition *Rapport de a) avait la composition indiquée du concentré de Ga (g/1 000 ml) Concentration d'une espèce particulière d'ion dans le concentré de Ga concentration Concentration d'une espèce particulière d'ion dans l'éluat (Tableau 10) Comme le montre le tableau 12, le procédé de la présente invention a permis une récupération complète et sélective du gallium du limon riche en aluminium
dissous par H 25 04.
Exemple 4
Dans cet exemple, on a sélectivement récupéré de l'indium d' une solution produite dans une fonderie d'un métal non ferreux, ayant la composition indiquée au
tableau 13.
Ga Al Na As Fe Contenu absolu 16,0 3,28 0,40 $ 0,001 0,80 Contenu relatif 1 0,21 0,03 0,05 Rapport de * Concentration 400 1,18 0,46 16 Tableau 13: Composition de la solution contenant Zn, Cd et Ni (g/ 1 000 -ml) *Contenu relatif = concentration d'une espèce particulière d'ion dans la solution concentration de In dans la solution La solution indiquée au tableau 13 a reçue le même traitement qu'à l'exemple 3 pour ainsi produire un éluat de la composition indiquée au tableau 14 et un concentré de In ayant la composition indiquée au tableau 15 Tableau 14: Composition de l'éluat (g/1 000 ml) In Zn Cd Ni ,,, _ Contenu absolu 0,30 0,25 0,03 0,19 Contenu relatif 1 0,83 0,10 0,63 tableau 15: Composition du concentré de In (g/1 000 ml) In Zn Cd Ni Contenu absolu 11,6 0,04 0,01 0,62 Contenu absolu 1 0, 05 Rapport de concen environ tration * 40 0,16 3,26 l _ Cd In Contenu absolu 0,24 28,5 14,6 1,80 Contenu relatif * 1 envlr O envin envlro
_ _ 1 -
Zn Ni *Rapport de concentration = Concentration d'une espèce particulière d'ion dans le concentré de In Concentration d'une espèce
particulière d'ion dans l'éluat.
Le tableau 15 montre que le procédé de la présente invention permet d'obtenir une récupération de l'indium atteignant 95 % dans une solution contenant
de forts taux de Zn, Cd et Ni.
Claims (9)
1 Procédé de séparation élective et de concentration du gallium et/ou de l'indium d'une solution les contenant à de faibles concentrations mais contenant des ionq d'autres métaux à de relativenent fortes concentrations, caractérisé en ce qu'il consiste à faire passer une solution contenant du gallium et/ou de l'indium à travers un lit d'une résine
échangeuse d'ions complexante ayant un groupe acide amino-
carboxylique soit immédiatement ou après ajustement à un p H compris entre 1,0 et 4,0, ladite solution contenant également des ions de métaux autre que le gallium et l'indium à des concentrations égales au moins à dix fois celle du gallium et/ou de l'indium;à désorber les ions métalliques de la résine par élution avec un acide minérale; à ajuster le p H de l'éluat à une valeur comprise entre 1,0 et 4,0; à faire passer l'éluat à travers un lit d'une résine
échangeuse d'ions complexante ayant un groupe acide amino-
carboxylique et à éluer les matériaux sur la résine avec un acide minéral, pour ainsi récupérer le gallium et/ou l'indium présentssous une forme concentrée dans l'éluat
résultant.
2 Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la résine échangeuse d'ions complexante ayant un groupe acide amino-carboxylique est une résine chélatée préparée par réticulation en une structureréticulée d'un composé phénolique, d'un phénol et d'un aldéhyde, ledit composé phénolique ayant pour formule: H
(MOOCH 2 C)2 NH 2 C CH 2 N(CH 2 COOM)2
R R 2
(dans laquelle M est un métal alcalin ou de l'hydrogène chacun de R 1 et R 2 est de l'hydrogène ou un groupe alcoyle ayant de
1 à 3 atomes de carbone).
* 19
3 Procédé selon l'une quelconque des revendications
1 ou 2 caractérisé en ce que la solution contenant du gallium et/ou de l'indium qui contient également des ions
de métaux autresque le gallium et l'indium à des concen-
trations égales au moins à dix fois celle du gallium et/ou de l'indium, contient 0,001 à 1,0 (g/1 000 ml) de gallium et/ou d'indium et 2 à 70 (g/1 000 ml) de Fe, Al, Zn, As, Na et ions d'autres métaux pris soit indépendamment ou
en combinaison.
4 Procédé selon l'une quelconque des revendications
1 ou 2 caractérisé en ce que la solution contenant du gallium ét/ou de l'indium qui contient également des ions
de métaux autresque la gallium et l'indium à des concen-
trations égales au moins à dix fois celle du gallium et/ou de l'indium passe à travers le lit d'une résine échangeuse d'ions compléxante ayant un groupe acide amino-carboxylique à une vitesse spatiale ne dépassant pas ,0.
Procédé selon l'une quelconque des revendications
1 ou 2 caractérisé en ce que l'on utilise au moins deux colonnes garnies de la résine échangeuse d'ions complexante avec un acide aminocarboxylique, pour accomplir le stade du passage à travers un lit de ladite résine, de la solution contenant du gallium et/ou de l'indium qui contient également des ions de métaux autr, que le gallium et l'indium à des concentrations égales au moins à dix fois celle du gallium et/ou de l'indium, et le stade du passage de l'éluat résultant à travers un lit
de la même résine.
6 Gallium et/ou indium caractérisés en ce qu'ils sont séparés d'une solution les contenant et concentrés par
le procédé selon l'une quelconque des revendications
précédentes.
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