FR2496704A1 - Procede de formation d'une couche mince de phosphore sur les substrats de silicium, par depot de vapeur de h3po4 - Google Patents
Procede de formation d'une couche mince de phosphore sur les substrats de silicium, par depot de vapeur de h3po4 Download PDFInfo
- Publication number
- FR2496704A1 FR2496704A1 FR8123673A FR8123673A FR2496704A1 FR 2496704 A1 FR2496704 A1 FR 2496704A1 FR 8123673 A FR8123673 A FR 8123673A FR 8123673 A FR8123673 A FR 8123673A FR 2496704 A1 FR2496704 A1 FR 2496704A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- phosphoric acid
- silicon
- forming
- inert gas
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 title 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 7
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- -1 phospho- Chemical class 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/02—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the solid state
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
PROCEDE POUR FORMER UNE COUCHE D'OXYDE DE PHOSPHORESILICATEVERRE SUR LA SURFACE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM, POUR Y FORMER ENSUITE UNE JONCTION ELECTRIQUE P-N. IL CONSISTE A: A.VAPORISER DE L'ACIDE PHOSPHORIQUE; B.CONDENSER LA VAPEUR FORMEE SUR LA SURFACE DUDIT SUBSTRAT DE SILICIUM POUR FORMER UN FILM SENSIBLEMENT CONTINU; ET C.CHAUFFER LEDIT SILICIUM DE FACON A FORMER LADITE COUCHE D'OXYDE DE PHOSPHORESILICATEVERRE POSSEDANT UNE EPAISSEUR COMPRISE ENTRE ENVIRON 90A ET ENVIRON 200A SUR LEDIT SILICIUM.
Description
-1- La présente invention concerne un procédé pour déposer sur une
plaquette de silicium, un film sensiblement continu d'acide phosphorique qui, par traitement ultérieur, forme une jonction
électrique p-n.
Des dispositifs microélectroniques, tels que des cellules solaires, peuvent être produits à partir de plaquettes de silicium cristallin dopées à l'aide d'une impureté d'un type de conductivité,
amenant la plaquette de silicium à prendre une polarité spécifique.
Pour obtenir une polarité du type N un dopant tel qu'un dérivé de phosphore est fréquemment utilisé. Le bore est un agent dopant communément utilisé pour réaliser une polarité de type P.
Pour une jonction entre les types opposés, l'une des deux configu-
rations est habituellement une couche de type N sur un substrat de type P. Pour former une telle couche, une source de phosphore est déposée sur le substrat, et la matière à déposer est ensuite, ou
simultanément avec le dépôt, traitée thermiquement.
L'introduction d'une source de phosphore a été réalisée, dans l'art antérieur, par plusieurs moyens différents, notamment le dépôt par pulvérisation, immersion et centrifugation d'un dérivé de phosphore, ou l'utilisation d'une forme gazeuse de phosphore telle que du phosphure d'hydrogène ou de l'oxychlorure de phosphore dans un gaz inerte. Le substrat, avec sa couche de phosphore, est ensuite chauffé pour transformer le phosphore en son oxyde et/ou diffuser la
matière dans le substrat.
Les procédés de l'art antérieur ont des inconvénients qui sont évités par le procédé de la présente invention. Le principal inconvénient est l'épaisseur relativement grande de la couche d'oxyd
résultante. Dans de nombreux cas, la couche épaisse d'oxyde phospho-
rique/silicate qui est formée, interfère avec le dépôt ou l'accouple ment optique d'un revêtement antiréfléchissant, et une partie
de la couche de dérivé de phosphore doit être enlevée avant l'appli-
cation d'un revêtement.
Dans le procédé de la présente invention, l'acide phospho-
rique est vaporisé et les vapeurs condensées sur une plaquette de silicium ou un substrat de silicium de type P, maintenus à une température inférieure au point d'ébullition de la source d'acide phosphorique, et de préférence à ou au voisinage de la température ambiante. Le substrat de silicium est alors chauffé entre environ 8000C et environ 9QQ0C pour transformer l'acide phosphorique en son -2- oxyde, simultanément avec le dioxyde de silicium, et ainsi on réalise une couche solide depuis laquelle le phosphore diffuse dans le
substrat de silicium.
L'acide phosphorique peut être vaporisé par simple chauffa-
ge de la source d'acide phosphorique à son point d'ébullition.
L'acide phosphorique du commerce (à 85%) présente un point d'ébul-
lition d'environ 1580C et l'acide phosphorique à 100% bout à environ
2610C. En vue d'assurer une vaporisation complète de l'acide phospho-
rique, il est préférable d'utiliser des températures supérieures à la température d'ébullition. Un procédé avantageux pour assurer une vaporisation complète de l'acide phosphorique consiste à pulvériser l'acide phosphorique avec ou sans gaz porteur inerte, à travers une zone chauffée maintenue entre environ 4000C et environ 800'C dans laquelle l'acide phosphorique pulvérisé se vaporise rapidement. En vue de favoriser une vaporisation rapide, il est préférable que
l'acide phosphorique pulvérisé soit constitué de minuscules gouttelet-
tes. Des appareils de pulvérisation du commerce, tels que des
atomiseurs, existent dans ce but.
De façon avantageuse, et pour obtenir un faible coût de l'acide phosphorique, on utilise de l'acide phosphorique commercial à 85%. L'eau, présente dans l'acide, n'interfère pas avec le procédé du fait que, en théorie dans le traitement thermique du substrat de silicium avec son film d'acide phosphorique, l'acide se déshydrate
donnant de l'eau comme sous-produit.
Si l'on utilise un gaz inerte, celui-ci est de préférence choisi dans le groupe constitué par l'azote, l'argon, l'hélium ou le
néon, l'argon et l'hélium étant préférés.
Dans un exemple particulier de mise en oeuvre de l'invention, on pulvérise de l'acide phosphorique commercial, à l'aide d'un (pistolet) atomiseur, avec un gaz inerte comme propulseur qui passe à travers un tube en acier inoxydable chauffé entre environ 600'C et environ 8000C, vaporisant l'acide. La vapeur d'acide phosphorique chauffé passe ensuite sur une plaquette de silicium circulaire, d'environ 7,5 cm de diamètre, maintenue approximativement à la température ambiante, pendant environ 1 à 2 minutes, temps pendant
lequel l'acide phosphorique se condense sur la plaquette de sili-
cium. La plaquette de silicium est ensuite chauffée à une tempéra-
ture comprise entre environ 8000C et environ 9000C pendant environ
à 14 minutes, formant ainsi une couche d'oxyde de phosphore-
silicate-verre. A la suite de ce traitement, la couche de dérivé résultante a une épaisseur comprise entre environ 9 nanomètres et environ 15 nanomètres. L'épaisseur est inférieure d'environ un ordre de grandeur à celle des couches obtenues par les procédés de l'art antérieur et n'interfère pas avec les revêtements ultérieurs tels que les revêtements antiréfléchissants. L'acide phosphorique condensé sur le substrat de silicitu est obtenu sous la forme d'un film sensiblement continu. Ce procédé
peut également être utilisé pour former une couche d'oxyde résul-
tante couvrant sensiblement toute la surface de la plaquette de silicium sur une épaisseur d'environ 9 nanomètres à 20 nanomètres lorsque la vapeur condensée forme un film faiblement discontinu, ur
film semi-continu ou de préférence un film sensiblement continu.
Le procédé peut également être mis en oeuvre sans utilise de gaz inerte, en pulvérisant l'acide phosphorique directement dans le tube chauffé. Les vapeurs formées dans ce tube sont propulsées
hors du tube vers l'avant sur la plaquette de silicium.
Bien que dans l'exemple spécifique on ait utilisé une pla quette de silicium circulaire d'un diamètre de 7,5 cm, d'autres con figurations et dimensions peuvent être utilisées. La succession des étapes de condensation et de conversion/diffusion doit être modifié pour obtenir une couche de dérivé de phosphore à l'épaisseur voulue c'est-à-dire dans la plage comprise entre environ 9 nanomètres et
environ 20 nanomètres qui n'interfère avec aucun revêtement anti-
réfléchissant, tel que Ta205, qui peut ultérieurement être déposé
sur la cellule.
Un temps de condensation, c'est-à-dire le temps pendant lequel la plaquette de silicium est soumise à l'acide phosphorique vaporisé, d'environ 45 secondes à environ 2 minutes est suffisant pour obtenir la couverture de film désirée. Des temps plus longs peuvent donner une couche plus épaisse de dérivé de phosphore lors
du traitement thermique.
Le processus de condensation, avec ou sans le gaz porteur
inerte, est de préférence effectué à environ la pression atmosphé-
rique. Aucun avantage n'est obtenu en utilisant des pressions plus
élevées qui justifierait leur utilisation.
Le chauffage de la plaquette de silicium doit être effec-
tué en maintenant celle-ci à des températures élevées pendant une période d'environ 5 minutes à environ 20 minutes pour convertir l'acide phosphorique en son oxyde/silicate, obtenir la diffusion et
développer une couche de verre.
Ce procédé peut être utilisé en tant que procédé discontin c'est-à-dire sous forme d'étapes individuelles utilisant des chambres différentes ou la même chambre, une étape étant interrompue avant le début de l'autre étape, ou en tant que procédé continu au cours duquel le substrat de silicium passe automatiquement de l'étape de condensation à l'étape de chauffage sans interruption de l'étape de condensation pour les plaquettes de silicium suivantes. Au cours du procédé continu la vitesse de déplacement à travers une chambre,
maintenue dans la plage de températures requise, peut être en corréla-
tion avec le temps nécessaire pour chaque étape.
Bien que la présente invention ait été décrite en liaison avec un de ses modes préférés, il est clair que de nombreuses variantes et modifications peuvent y être apportées sans sortir ni de son
cadre ni de son esprit.
-5- 2496704
Claims (6)
1. Procédé pour former une couche d'oxyde de phosphore/sil cate/verre sur la surface d'un substrat de silicium, pour y former ensuite une jonction électrique p-n, caractérisé par le fait qu'il consiste à: a/ vaporiser de l'acide phosphorique, b/ condenser la vapeur formée sur la surface dudit substra de silicium pour former un film sensiblement continu et, c/ chauffer ledit silicium de façon à former ladite couche d'oxyde de phosphore/silicate/verre possédant une épaisseur comprise
entre environ 9 nanomètres et environ 20 nanomètres sur ledit sili-
cium. fait que que dans 400*C et fait que fait que l'azote, fait que maintenu
sation.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le ladite vapeur est formée en pulvérisant de l'acide phosphor un tube chauffé à une température comprise entre environ
environ 8000C.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le
ledit acide phosphorique est porté par un gaz inerte.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le ledit gaz inerte est choisi dans le groupe comprenant
l'argon, l'hélium et le néon.
5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le le mélange de vapeur d'acide phosphorique-gaz inerte est
à une pression environ atmosphérique pendant ladite conden-
6. Procédé selon fait que ledit substrat de phorique est chauffé à une
et environ 9000C.
la revendication 2, caractérisé par le
silicium muni dudit film d'acide phos-
température comprise entre environ 800'C
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/217,742 US4360393A (en) | 1980-12-18 | 1980-12-18 | Vapor deposition of H3 PO4 and formation of thin phosphorus layer on silicon substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2496704A1 true FR2496704A1 (fr) | 1982-06-25 |
| FR2496704B1 FR2496704B1 (fr) | 1984-11-30 |
Family
ID=22812324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8123673A Granted FR2496704A1 (fr) | 1980-12-18 | 1981-12-18 | Procede de formation d'une couche mince de phosphore sur les substrats de silicium, par depot de vapeur de h3po4 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4360393A (fr) |
| BE (1) | BE891509A (fr) |
| ES (1) | ES8303819A1 (fr) |
| FR (1) | FR2496704A1 (fr) |
| GB (1) | GB2091709B (fr) |
| IT (1) | IT1142150B (fr) |
| NL (1) | NL8105737A (fr) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153119A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 不純物拡散方法 |
| JP3021650B2 (ja) * | 1990-10-14 | 2000-03-15 | エイエスイー・アメリカス・インコーポレーテッド | 太陽電池基材の拡散接合部を形成するための方法及び装置 |
| US5270248A (en) * | 1992-08-07 | 1993-12-14 | Mobil Solar Energy Corporation | Method for forming diffusion junctions in solar cell substrates |
| JPH08153784A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6143633A (en) * | 1995-10-05 | 2000-11-07 | Ebara Solar, Inc. | In-situ diffusion of dopant impurities during dendritic web growth of crystal ribbon |
| US7790574B2 (en) | 2004-12-20 | 2010-09-07 | Georgia Tech Research Corporation | Boron diffusion in silicon devices |
| US8659668B2 (en) | 2005-10-07 | 2014-02-25 | Rearden, Llc | Apparatus and method for performing motion capture using a random pattern on capture surfaces |
| US20080057686A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Melgaard Hans L | Continuous dopant addition |
| US10699944B2 (en) | 2018-09-28 | 2020-06-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Surface modification layer for conductive feature formation |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1037284A (en) * | 1963-11-27 | 1966-07-27 | Associated Semiconductor Mft | Improvements in and relating to methods of heat treating semiconductor crystal bodies |
| DE1257989B (de) * | 1964-07-09 | 1968-01-04 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Halbleiterkoerpers fuer eine Sonnenzelle |
| US3486951A (en) * | 1967-06-16 | 1969-12-30 | Corning Glass Works | Method of manufacturing semiconductor devices |
| US4206026A (en) * | 1977-12-09 | 1980-06-03 | International Business Machines Corporation | Phosphorus diffusion process for semiconductors |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3173802A (en) * | 1961-12-14 | 1965-03-16 | Bell Telephone Labor Inc | Process for controlling gas phase composition |
-
1980
- 1980-12-18 US US06/217,742 patent/US4360393A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-12-16 GB GB8137929A patent/GB2091709B/en not_active Expired
- 1981-12-17 BE BE0/206857A patent/BE891509A/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-12-17 ES ES508088A patent/ES8303819A1/es not_active Expired
- 1981-12-18 IT IT25705/81A patent/IT1142150B/it active
- 1981-12-18 FR FR8123673A patent/FR2496704A1/fr active Granted
- 1981-12-18 NL NL8105737A patent/NL8105737A/nl not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1037284A (en) * | 1963-11-27 | 1966-07-27 | Associated Semiconductor Mft | Improvements in and relating to methods of heat treating semiconductor crystal bodies |
| DE1257989B (de) * | 1964-07-09 | 1968-01-04 | Telefunken Patent | Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Halbleiterkoerpers fuer eine Sonnenzelle |
| US3486951A (en) * | 1967-06-16 | 1969-12-30 | Corning Glass Works | Method of manufacturing semiconductor devices |
| US4206026A (en) * | 1977-12-09 | 1980-06-03 | International Business Machines Corporation | Phosphorus diffusion process for semiconductors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE891509A (fr) | 1982-06-17 |
| IT8125705A0 (it) | 1981-12-18 |
| IT1142150B (it) | 1986-10-08 |
| GB2091709B (en) | 1984-12-05 |
| NL8105737A (nl) | 1982-07-16 |
| US4360393A (en) | 1982-11-23 |
| GB2091709A (en) | 1982-08-04 |
| ES508088A0 (es) | 1983-02-01 |
| FR2496704B1 (fr) | 1984-11-30 |
| ES8303819A1 (es) | 1983-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kaplan et al. | Hydrogenation of evaporated amorphous silicon films by plasma treatment | |
| FR2496704A1 (fr) | Procede de formation d'une couche mince de phosphore sur les substrats de silicium, par depot de vapeur de h3po4 | |
| FR2543737A1 (fr) | Procede de fabrication d'une pellicule fine multicomposant | |
| EP0780889B1 (fr) | Procédé de depôt sélectif d'un siliciure de métal réfractaire sur du silicium | |
| FR2514201A1 (fr) | Pile solaire a semi-conducteur amorphe | |
| KR880011898A (ko) | 박막형성 방법과 그 장치 | |
| CH648714A5 (fr) | Procede pour former une couche solide d'oxyde et/ou de nitrure sur la surface d'un article. | |
| US5980637A (en) | System for depositing a material on a substrate using light energy | |
| FR2515691A1 (fr) | Nacelle chauffee par resistance pour vaporisation de metal | |
| FR2492847A1 (fr) | Procede de depot chimique en phase vapeur | |
| EP1421630B1 (fr) | Procede de depot d'une couche d'oxyde sur un substrat et cellule photovoltaique utilisant ce substrat | |
| US4629859A (en) | Enhanced evaporation from a laser-heated target | |
| EP0266268A1 (fr) | Procédé de dépot en phase vapeur à flash thermique d'une couche isolante sur un substrat en matériau III-V, application à la fabrication d'une structure MIS | |
| FR2604298A1 (fr) | Procede de realisation d'une prise de contact electrique sur un substrat en hgcdte de conductivite p et application a la fabrication d'une diode n/p | |
| EP0214024B1 (fr) | Couche d'oxyde d'étain, procédé de dépôt et substrat ainsi revêtu | |
| FR2780054A1 (fr) | Procede de depot d'une couche a base d'oxyde metallique sur un substrat verrier, substrat verrier ainsi revetu | |
| US4005240A (en) | Germanium device passivation | |
| FR2785721A1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice | |
| FR2469467A1 (fr) | Procede de metallisation de dispositifs a semi-conducteurs | |
| JPH01301515A (ja) | 透明な導電性酸化亜鉛層及びその形成方法 | |
| JPS60138909A (ja) | 気相反応被膜作製装置および作製方法 | |
| JPH03263316A (ja) | 硫化亜鉛層をデポジットする方法と装置 | |
| JPS60197730A (ja) | ポリイミド膜の形成方法 | |
| FR2511047A1 (fr) | Procede pour appliquer un revetement antireflechissant et/ou dielectrique pour des cellules solaires | |
| FR2688344A1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, d'un compose ii-vi comprenant du mercure. |