FR2543737A1 - Procede de fabrication d'une pellicule fine multicomposant - Google Patents

Procede de fabrication d'une pellicule fine multicomposant Download PDF

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Abstract

UNE PELLICULE EN SILICIUM AMORPHE MULTICOMPOSANT POUVANT ETRE UTILISEE POUR UNE CELLULE SOLAIRE EST FABRIQUEE AVEC UN TAUX DE DEPOT ELEVE DANS UN PROCEDE NOUVEAU COMPRENANT L'UTILISATION CONJOINTE D'UN PROCEDE DE PULVERISATION ET D'UN PROCEDE DE DEPOT PAR VAPEUR CHIMIQUE AVEC PLASMA, A L'INTERIEUR D'UNE GAMME DE PRESSIONS QUI N'EST PAS INFERIEURE A UNE PRESSION A LAQUELLE LE TAUX MAXIMUM DE FORMATION DE PELLICULE EST OBTENU DANS LE PROCEDE PAR PULVERISATION.

Description

lo La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une
pellicule fine et, plus particulièrement, un procédé nouveau de fabrication d'une pellicule fine en
silicium amorphe multicomposant.
Pour la fabrication d'une pellicule fine, on a proposé jusqu'ici des procédés de dépôt par vapeur physique
tels que le procédé de dépôt par vapeur sous vide, le pro-
cédé de revêtement par ion et le procédé de pulvérisation,
les procédés de dépôt par vapeur chimique tels que le pro-
o 10 cédé de dépôt par vapeur chimique sous pression ordinaire,
le procédé de dépôt par vapeur chimique sous pression rédui-
te, le procédé de dépôt par vapeur chimique sous plasma et
le procédé de pulvérisation, et des procédés de revêtement.
Par dessus tout, le procédé de pulvérisation et le procédé de dépôt par vapeur chimique avec plasma ont été récemment
très utilisés dans le domaine de la fabrication des pellicu-
les fines, car ils permettent d'obtenir des pellicules fi-
nes dont la production était antérieurement impossible, et la fabrication de pellicules fines basse température en
utilisant l'énergie d'un plasma à décharge luminescente.
2. Les propriétés requises pour les pellicules fines sont fonction de la qualité et de leur utilisation, et les procédés en permettant la fabrication sont par conséquent
limités Les problèmes soulevés par les procédés de fabri-
cation seront discutés en liaison avec du silicium amor- phe que l'on considère comme matériau semi-conducteur
pour pellicule fine de faible coût pour cellule solaire ca-
pable d'utiliser une énergie propre et inépuisable Le pro-
cédé de dépôt par vapeur chimique avec plasma, le procédé
1 o par pulvérisation,le procédé de revêtement par ion, le pro-
cédé de pulvérisation par faisceaux d'ions et le procédé de dépôt par vapeur chimique ont fait l'objet d'études comme procédés permettant de réaliser une pellicule en
silicium amorphe, et actuellement on considère que le pro-
cédé de dépôt par vapeur chimique avec plasma est le meil-
leur au plan de la qualité de la pellicule, c'est-à-dire des propriétés du dispositif, par exemple d'une cellule solaire.
Mais,lorsqu'on produit une pellicule en sili-
cium amorphe en faisant appel au procédé de dépôt par va-
peur chimique avec plasma, le taux de croissance de la
pellicule est très faible, c'est-à-dire d'au plus d'envi-
ron 0,1 nm/sec et par conséquent les cotts de production
ne sont pas tellement abaissés En outre, des cellules so-
laires en silicium amorphe ont un rendement de conversion plus faible que les cellules en d'autres semi-conducteurs cristallins tels que Si et Ga As Par conséquent, on n'a pas encore utilisé le silicium amorphe comme source d'alimentation.
De façon à augmenter l'efficacité de la conver-
sion photovoltaïque, il faut faire un usage effectif de l'énergie solaire sur une vaste gamme de longueur d'onde, et,à cette fin,on a étudié l'adjonction d'autres éléments (modificateurs) au silicium amorphe de manière à faire varier l'intervalle de bande optique Cependant, ce t 5, 437 37 3. procédé a l'inconvénient que, dans le cas de l'addition d'un modificateur à du silicium amorphe, ce modificateur doit être utilisé I l'état gazeux selon le procédé de
dépôt par vapeur chimique avec plasma, de sorte que l'em-
ploi d'une matière première gazeuse est limité. En outre, on a proposé d'utiliser une pellicule
en silicium amorphe fabriquée suivant un procédé de dé-
charge luminescente dans le silane, sous forme de corps de dispositifs semi-conducteurs (brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 064 521) Le silicium amorphe résultant
présente une durée de vie des électrons supérieure à cel-
le du silicium amorphe obtenu par les procédés de pulvé-
risation ou d'évaporation, mais ce procédé ne permet pas
l'incorporation de modificateurs dans le silicium amorphe.
Un objet de la présente invention est un proce-
dé de fabrication d'une pellicule fine.
Un autre objet de la présente invention est
un procédé de fabrication de silicium amorphe multicompo-
sant ayant un taux-de dépôt plus élevé.
Un autre objet de la présente invention est un procédé grace auquel un modificateur capable de modifier la qualité de la pellicule peut être facilement ajouté au
silicium amorphe.
Ces objets peuvent être obtenus dans un procédé pour la fabrication d'une pellicule fine-multicomposant, caractérise par l'utilisation d'un procédé de pulvérisation et un procédé de dépôt par vapeur chimique sous plasma dans une gamme de pression qui n'est pas inférieure à une valeur de pression capable de donner le taux maximum de formation de pellicule lorsqu'on applique le procedé de pulvérisation. La présente invention sera hien comprise lors
de la description suivante faîte en liaison avec les des-
sins suivants dans lesquels La figure 1 est une courbe de la relation entre
254373 ?
4.
le taux et la pression de dépôt dans le système à réac-
tion selon la présente invention; La figure 2 est une vue en coupe d'un exemple
d'appareil utilisé pour la pratique de la présente inven-
tion; La figure 3 est une vue en coupe d'un autre
exemple d'appareil utilisé dans la pratique de la présen-
te invention; La figure 4 est une vue schématique représentant un état de plasma produit dans une chambre de réaction
lorsqu'il y a exécution du procédé de la présente inven-
tion.
La présente invention prévoit un procédé de fa-
brication d'une pellicule fine, caractérisé par la super-
position d'un procédé de pulvérisation et d'un procédé de
dépôt par vapeur chimique sous plasma et, plus particuliè-
rement, un procédé de fabrication d'une pellicule fine multicomposant caractérisé par l'utilisation simultanée d'un procédé de pulvérisation et d'un procédé de dépôt par vapeur chimique sous plasma dans une gamme de pression qui n'est pas inférieure à une valeur de pression capable de donner le taux maximum de formation de pellicule lorsqu'on
utilise le procédé de pulvérisation.
Lorsqu'on utilise du monosilane (Si H 4) comme ma-
tière première gazeuse et de l'argon (Ar) comme gaz rare dans le procédé de dépôt par vapeur chimique sous plasma et la pulvérisation en employant du silicium cristallin comme cible dans le procédé décrit cl dessus, par exemple
le taux de croissance de la pellicule peut être remarqua-
blement accru, et lorsqu'on utilise du silicium dopé avec des impuretés telles que le bore et le phosphore comme cible, on peut obtenir du silicium amorphe du type p ou
du type n La pulvérisation peut être exécutée en utili-
sant un élément comme-dopant ou un modificateur comme ci-
ble. 5.
Dans le procédé décrit ci-dessus, la pulvérisa-
tion n'est pas en conformité avec le dépôt de vapeur chi-
mique avec plasma s'agissant de la relation entre la pres-
sion et le taux de dépôt dans le système réactionnel, et donc, on ne peut obtenir des résultats souhaitables par
simple superposition des deux procédés La figure 1 repré-
sente cette relation, oxu la courbe A, concerne le procédé de dépôt parvapeur chimique avec plasma et la courbe B le procédé de pulvérisation Cette relation montre que le procédé de pulvérisation et le procédé de dép 8 t par
vapeur chimique sous plasma doivent être exécutés simulta-
nément dans une gamme de pression qui n'est pas inférieu-
re à une valeur de pression à laquelle le taux de forma-
tion de pellicule (taux de dépôt) du procédé de pulvérisa-
tion devient maximum.
La présente invention sera maintenant illustrée
en détail en ce qui concerne un mode de réalisation.
La figure 2 est une vue an coupe d'un appareil de
fabrication d'une pellicule fine, utilisé pour la prati-
que de la présente invention, comprenant une chambre de
réaction sous vide 1, une cathode 2 connectée électrique-
ment à une source d'alimentation (HF) (non représentée),
une anode 3 servant aussi de support de substrat, un subs-
trat 4 chauffe par un élément chauffant 5, une conduite d'alimentation en gaz 6, une conduite d'échappement sous vide 7 reliée à une pompe A vide (non représentée), et une
cible 8 sur la cathode 2 devant être soumise à une opéra-
tion de pulvérisation.
Le dispositif de fabrication d'une pellicule fine
représenté en figure 2 fonctionne de la manière suivante-
On procède au vide de la chambre de réaction 1 par la conduite d'échappement 7 au moyen d'une pompe à
vide En m 8 me temps, il est préférable de maintenir un vi-
de de 0,13 Pa ou plus, de préférence atteignant
o, 13-10 4 Pa de manière à réduire l'effet des gaz résiduels.
6. tels quel'oxygène,l'eau, les hydrocarbures, l'azote etc.
Alors, le substrat 4 sur son support 3 est porté à la tem-
pérature désirée (ambiante 400 C) par l'élément chauf-
fant 5 Un gaz rare tel que l'argon et une matière première gazeuse pour dépôt par attaque chimique avec plasma sont introduits dans la chambre de réaction 1 à partir de la conduite d'alimentation en gaz 6, et la chambre 1 est maintenue à la pression désirée en contrôlant la quantité de gaz évacuée par la canalisation 7 La pression de la chambre 1 est de préférence comprise entre 0,65 Pa et Pa, car si la pression est supérieure à 130 Pa, il est difficile d'obtenir la pulvérisation, alors que si la
pression est inférieure à 0,65 Pa, la formation de la pel-
licule par dépôt par vapeur chimique avec plasma diminue.
Alors une tension HF est appliquée à la cathode 2 de maniè-
re à provoquer une décharge luminescente dans la chambre 1,
au cours de laquelle une matière première gazeuse prove-
nant de la conduite 6 est soumise à une décomposition par
décharge luminescente et précipitée sous forme de pelli-
cule sur le substrat 4, et en même temps, la cible 8 est l'objet d'une pulvérisation par des ions de gaz rare, tels que des ions argon, et le matériau de la cible se
précipite également sur le substrat 4 On peut former di-
verses pellicules en choisissant des combinaisons entre
matières rares gazeuses et matériaux de la cible.
Le mode de réalisation décrit ci-dessus est basé sur une combinaison habile de la conversion d'une matière première solide en pellicule fine qui est caractéristique
de la pulvérisation, et de la conversion d'une matière pre-
mière gazeuse en pellicule fine qui est caractéristique
du dépôt par vapeur chimnique avec plasma Lorsque la pulvé-
risation et le dépôt par vapeur chimique avec plasma ve-
nant d'être décrits sont superposés dans un appareil ordi-
naire de pulvérisation du type plan, le taux de dépôt en matière de pellicule globale est bas à cause du faible taux
254 W 737
7. de dépôt de la pulvérisation, et il est nécessaire de maintenir la pression des gaz à une faible valeur De plus, lorsqu'une alimentation HF est portée à un niveau
plus élevé de manière à augmenter le taux de pulvérisa-
tion,le plasma proche de la plaque de base est également
renforcé et détériore la pellicule Comme un plasma uti-
lisé pour le dépôt par vapeur chimique et un plasma uti-
lisé pour la pulvérisation ont une même force, une matiè-
re première gazeuse forme une pellicule sur la surface de la cible pour éviter que le matériau de la cible ne
soit pulvérisé, et un modificateur est difficilement in-
troduit dans le silicium amorphe.
Un autre mode de réalisation de la, présente in-
vention est développé pour éviter ces inconvénients et consiste à utiliser une pulvérisation par magnétron dans un procédé de fabrication d'une pellicule fine o un procédé de dépôt par vapeur chimique avec plasma et un procédé de pulvérisation sont superposés C'est-à-dire
que dans la fabrication d'une pellicule fine multicompo-
sant o il y a superposition du procédé de pulvérisation et du procédé de dépôt par vapeur chimique avec plasma, la pulvérisation est exécutée par pulvérisation avec
magnétron, et la superposition est effectuée dans une gam-
me de pression qui n'est pas inférieure à une pression à
laquelle le taux de formation d'une pellicule par pulvé-
risation est maximum.
La figure 3 est une vue en coupe d'un appareil de fabrication de pellicule fine, utilisé pour la
pratique de la présente invention, comprenant une cham-
bre de réaction sous vide 1, une cathode 2 connectée électriquement à une source d'aixnentation haute fréquence 12, un substrat 4 monté sur un support 3 et chauffé par un élément chauffant 5, une tension de polarisation ( 0-1000 V) étant appliquée au support 3 par une source de
courant continu 9, un orifice d'entrée 6 de matière pre-
8. mière gazeuse, une condui Ite-d'échappement sous vide 7 reliée à une pompe à vide (non représentée), une valve
de commande de vide 10 pour le contrôle du degré de vi-
de, une cible 8 montée sur la cathode 2 et un élément il pour la pulvérisation par magnétron qui forme un champ
magnétique sur la cible 8 montée sur la cathode 2.
Le fonctionnement de l'appareil de fabrication
d'une pellicule fine, représenté en figure 3, est le sui-
vant: La chambre de réaction sous vide 1 est évacuée par la conduite 7 au moyen de la pompe à vide En même temps, il est préférable de maintenir un degré de vide
de 0,13-10-4 Pa, ou un degré supérieur, de manière à ré-
duire l'effet des gaz résiduels, en particulier, de l'oxy-
gène, de l'eau,des hydrocarbures, de l'azote, etc Alors,
le substrat 4 placé sur son support 3 est chauffé à la tem-
pérature désirée par l'élément chauffant 5 Un gaz de
pulvérisation tel que l'argon et une matière première ga-
zeuse pour dépôt par vapeur chimique avec plasma sont in-
troduits dans la chambre 1 par la conduite 6, et la chambre
1 est maintenue à la pression désirée en contrôlant la ca-
pacité de refoulement de la pompe à vide par l'intermé-
diaire de la valve 10 pour contrôler la quantité de gaz
qui est évacuée par la conduite 7 Lorsque la matière pre-
mière gazeuse pour dépôt par vapeur chimique avec plasma peut être également utilisée comme gaz de pulvérisation, il
est possible de ne procéder à l'introduction que d'un gaz.
La pression de la chambre de réaction l est de préférence comprise entre 0,65 Pa et 130 Pa car, si la pression est
supérieure à 130 Pa, la pulvérisation est difficile à obte-
nir, alors que s I elle est inférieure à 0,65 Pa, la forma-
tion des pellicules par dépôt par vapeur chimique avec plasma est réduite Alors, une tension HF est appliquée & la cathode 2 pour provoquer une décharge luminescente dans la chambre de réaction 1, au cours de laquelle la C. matière première gazeuse introduite par la conduite
d'alimentation est soumise à une décomposition par dé-
charge luminescente et déposée sous forme de pellicule
sur le substrat 4 et, en même temps, la cible 8 est pul-
vérisée par des ions de produit de pulvérisation tels que des ions d'argon et le matériau de la cible se dépose
également sur le substrat 4 On peut former diverses pel-
licules en choisissant la combinaison entre diverses matiè-
res premières gazeuses et divers matériaux constituant la cible Dans ce cas, la pulvérisation par magnétron est utilisée de manière à appliquer un champ magnétique à la cible 8 Dans le cas de cette pulvérisation par magnétron, le plasma sur la cible 8 est davantage renforcé de manière
à augmenter le taux de dépôt par rapport à une pulvérisa-
tion ordinaire du type plan C'est-à-dire qu'un plasma fort nécessaire à la pulvérisation est présent sur la surface de la cible et qu'un plasma faible convenant à un dépôt par vapeur chimique avec plasma est présent près de la plaque de base Cet état est représenté en figure 4 o A est le
plasma faible et B le plasma renforcé par le champ magné-
tique Dans le but d'obtenir cette distribution de plasma,
une densité de flux magnétique d'au moins 50 gauss est né-
cessaire sur la surface d'une cible.
Dans le système de pulvérisation de l'art anté-
rieur, on ne peut obtenir une pellicule de bonne qualité car il y a aussi un plasma fort à proximité d'un substrat semblable à celui présent sur une cible Dans ce mode de réalisation, au contrairef une cihle est en contact avec
un plasma fort convenant à une pulvérisation et un subs-
trat est en contact avec un plasma faible convenant à un dépôt par vapeur chimique avec plasm A, d'ot il résulte
qu'on peut obtenir une pellicule de bonne q 4 alité Le plas-
ma proche de la cible est si fort que le taux de pulvérisa-
tion sur la surface de la cible est suffisamment supérieur au taux de dépôt par le procédé de dépôt par vapeur 10. chimique avec plasma et le matériau de la cible est toujours exposé au plasma Le second mode de réalisation de la présente invention peut éviter les inconvénients du
premier mode o la pellicule de silicium amorphe résul-
tante recouvre la cible, de sorte que l'addition de modi-
ficateurs par pulvérisation est impossible.
Une autre caractéristique du second mode de réalisation de l'invention est que le taux de dépôt de pellicule et la composition en coupe de la couche déposée peuvent être grandement contrôlés en changeant la force
du champ magnétique C'est-à-dire que la force d'un plas-
ma sur la surface d'une cible peut être contrôlée par la
force d'un champ magnétique et ainsi la quantité de modi-
ficateur dans la section en coupe d'une pellicule peut être contrôlée Dans un système électromagnétique, la
force d'un champ magnétique peut être modifiée en contrô-
lant le courant électrique, alors que dans le cas de l'emploi d'un aimant permanent, elle peut l'être par la distance. Une autre caractéristique du second mode de
réalisation de la présente invention est qu'on peut pro-
duire une pellicule fine avec un taux de dépôt élevé tout en maintenant à une valeur élevée l'efficacité de la conversion En général, si l'on augmente la force d'un plasma, le taux de dépôt de pellicule croit, mais
l'efficacité de la conversion de la pellicule décroît.
Selon ce présent mode de réalisation, au contraire, on augmente localement la force d'un plasma par la force d'un champ magnétique afin de maintenir le taux de dépôt de pellicule, et la surface elle-même de la pellicule est
empêchée de se détériorer grâce à l'effet du plasma.
Selon le procédé de la présente invention, un intervalle de bande optique de silicium amorphe peut être
modifié par adjonction de modificateurs Comme modifica-
teur, on utilise de préférence les éléments du groupe IV 11. capables d'une liaison tétraédrique, par exemple le carbone, le germanium, l'étain et le plomb Lorsqu'on utilise du carbone comme modificateur, l'intervalle de
bande optique est agrandi, et lorsqu'on emploie du germa-
nium, de l'étain ou du plomb comme modificateur, il est réduit. De plus, la présente invention s'applique à l'addition de dopants Lorsqu'on utilise du bore (B), de l'aluminium (Al), du phosphore (P) et de l'arsenic (As) comme matériau pour constituer la cible et qu'on dope ces
dopants, par exemple, on peut soumettre du silicium amor-
phe à un contrôle d'électrons de valence du type p ou du
type n.
Comme illustré en détail ci-dessus, on peut facilement fabriquer une pellicule fine ayant diverses caractéristiques avec un taux de croissance de pellicule
notablement plus grand selon la présente invention.
L'illustration précédente est limitée au cas de l'utilisation de monosilane (Si H 4) comme matière première gazeuse pour le dépôt par vapeur chimique avec plasma de silicium amorphe et l'argon comme gaz de pulvérisation, mais, naturellement, on peut employer d'autres composés gazeux du silicium tels que le tétrafluorure de silicium
(Si F 4) comme matière première gazeuse et d'autres gaz ra-
res tels que l'hélium, le néon, le krypton et le xénon
comme gaz de pulvérisation, les effets étant similaires.
En outre, dans le cas de la formation d'un maté-
riau amorphe contenant de l'hydrogène, on ajoute en outre de l'hydrogène a un gaz de pulvérisation, ou l'hydrogène même sert de gaz de pulvérisation Cependant, dans le cas de l'emploi de monosilane C Si 4), naturellement, on peut former du silicium amorphe hydrogéné sans autre addition d'hydrogène. Les exemples suivants sont donnés de manière à illustrer la présente invention avec davantage de détails 12.
sans que cela en limite le domaine.
EXEMPLE 1
En utilisant du monosilane (Si H 4)comme matière première,de l'argon (Ar) comme gaz rare et du silicium cristallin comme cible, les conditions de préparation, les propriétés de la pellicule (conductibilité obscure c O; photoconductibilité aph; intervalle de bande optique
Eio) et le taux de croissance de pellicule sont représen-
tés dans le tableau 1 A titre de comparaison, les condi-
tions de préparation, les propriétés de pellicule et le taux de croissance de pellicule dans le procédé de dépôt par vapeur chimique avec plasma de l'art antérieur (ne comportant pas de cible 8 en figure 2) sont également
indiqués dans le tableau 2.
Les conditions de préparation sont représentées
par les conditions optimum capables de donner les meil-
leures propriétés de pellicule (apk élevé et rapport
aph/a Oo faible) dans ces procédés.
bit Taux de gazeux Pression Tempéra Puissan ci O aph M E >issanq SIH Ar de rêac ture du ce HF, W cn-cm)-l -1 io crc M 3 4 3 tion Pa substrat, cn- cm) e-V c /iàn cm /mn QC ce de pellicule nm/sec Exemple 1 10 90 6,5 250 300 5 x 10-9 2 x 10-4 1,8 0,5 90 6,5 250 300 5 x 10-9 2 x lo-4 1,8 0,55 90 6,5 25,0 200 5 x 1 È-9 2 x 10-4 1,8 0,45
Art an-
têrieur 1 10 90 39 250 100 5 x 10-9 1 X 10-4 1,8 0,15
TABLEAU 1
F- w
x Photoconductibilîté avec éclairage AM 1 0.
M ta 4- Ud i -%j,
M 1
I*j 14.
Comme le montre le tableau 1, le taux de crois-
* sance de la pellicule peut être augmenté sans détériorer
les propriétés de la pellicule selon la présente inven-
tion En même temps,on peut obtenir du silicium amorphe de type p ou de type N en utilisant du silicium dopé avec
une impureté telle que le bore ou le phosphore comme ma-
tériau constituant la cible.
EXEMPLE 2
Lorsqu'on utilise du Si I 4 comme matière pre-
mière gazeuse, de l'Ar comme gaz rare et de l'étain (Sn) comme cible, les conditions de préparation de silicium amorphe dopé avec Sn,les propriétés de la pellicule et le taux de croissance de la pellicule sont indiqués dans le tableau 2 Dans le cas de l'utilisati on d'une pellicule en silicium amorphe comme matériau de cellule solaire,
il est important de réduire l'intervalle de bande opti-
que de façon à améliorer la sensibilité à la lumière de grande longueur d'onde Par comparaison, les conditions de préparation, les propriétés de la pellicule et le taux de croissance de la pellicule dans le procédé de dépôt par
vapeur chimique avec plasma de l'art antérieur sont égale-
ment représentés dans le tableau 2 Dans le procédé de l'art antérieur, du chlorure stannique (Sn C 14) et du tétraméthylétain (Sn(CH 3)4) sont utilisés comme matière première pour Sn, c'est-à-dire que Sn Cl 4 et Sn(CH 3)4 ont été introduits par barbotage d'argon D'autres composés d'étain tels que le dichlorodiméthylétain ne donnent pas
de bonnes propriétés de la pellicule.
Dans ces procédés,les conditions de préparation
sont indiquées comme étant les conditions optimum permet-
tant de donner les meilleures propriétés de la pellicule
(Cph est élevé et Eio est inférieur à 1,5 e V).
r__; M-4 r i
1 1 1 1
-1 t 1
Exemple,
Art anté-
rieur 2
Art anté.
rieur 3 J 1 1 1 e e ___ ___
TABLEAU 2
croi -
sance l de pel ' liculei nm 1 Z de 7 l
4 1 -0
ce HF'w ?I-cm) -1 L -io e V ).- Lct f_ L%:I l =
premiè-
re Sn
L t 4 Lterj c&-
ture du substrat, oc vph (s 2-cm) -1 de ré 1 action l Pa Déblt Si H 4 cm 3/mn gazeux Ar cm 3 /mn U'z 0,25 0,25 3 x 10 9 3 x 10 _ 9 3 x 10-4 2 x 10 8 x 10-9 _ 4 x 1074 x iô-4 Cible Sn Cible Sn Cible Sn Sn Cl 4 Sn (CH 3) 4 1, 45 1, 60 1, 60 1,43 1,75 1 x 1,5 1,5 6,5 6, 5 6, 5
X 10-7
x 10-6 0,18 0,21 FI ui ru Ln
P -
M 1
j
LY 1
j 16. Le tableau 2 montre que, dans l'exemple 2, l'intervalle de bande optique Eio a été réduit de 1,8 e V dans le cas o il n'y a pas addition de Sn à 1,45 e V, la
photoconductibilité est grande et la conductibilité obscu-
re petite Dans l'art antérieur 2, au contraire, E io a 1 o diminué, mais les propriétés de la pellicule ne sont pas bonnes Cela est éventuellement d Q à ce que du chlore entre dans la pellicule Dans l'art antérieur 3, Eio est
rarement modifié et les propriétés de la pellicule ne -
sont pas aussi bonnes Cela est éventuellement dû au fait que Sn, ayant un certain effet sur la diminution de E. 1 o
et C sur l'augmentation de Eio, entre dans la pellicule.
Les taux de croissance de la pellicule sont sensiblement
semblables dans la présente invention et dans l'art anté-
rieur.
EXEMPLE 3
Avec utilisation de Si H 4 comme matière première gazeuse, Ar comme gaz de pulvérisation et Sn comme cible, les conditions de préparation de silicium amorphe dopé avec Sn,les propriétés de la pellicule et le taux de
croissance de la pellicule sont représentés dans le ta-
bleau 3 Dans le cas de l'utilisation d'une pellicule en silicium amorphe comme matériau de cellule solaire, il est important de réduire l'intervalle de bande optique de
manière à améliorer la sensibilité à une lumière de gran-
de longueur d'onde Dans le tableau 3, on a également re-
présenté les résultats dans le cas o il n'y a pas utili-
sation d'aimant Les conditions de préparation indiquées
sont les conditions optimum capables de donner les meil-
leures propriétés de la pellicule ('ph est élevé et Eio
inférieur à 1,5 e V) dans chaque cas.
TABLEAU 3
Débit gazeuxressionTempéraAlimentaci ' Tade
Si H 4Ar de réacture dettion HF, U 2 cuC-m decoi-
3 i 4 A tion, PasubstratW C 2 c)e ri-
cm 3/mncm 3/mn O Csance de la
pelli-
cule, _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ n m
Exemple 3
utilisant 9-
un aimant 10 90 10,5 250 50 3 x 109l x 101 1,45 0,5 90 10,5 250 50 3 x 1091, 5 x 10711,6 0,6
90 10,5 250 40 3 X 1091, 5 X 1071,6 0,6
Aucun -9
aimant 10 90 1,3 250 300 x 10 1 X 10 1,45 0,1 H-
M -.4 LN 18.
Selon cet exemple o il y a utilisation d'un ai- mant, on a obtenu une pellicule de bonne qualité avec un intervalle de
bande optique passant de 1,8 e V dans le cas
o il n'y a pas addition de Sn à 1,45 e V, une photoconduc-
tibilité élevée et une faible conductibilité obscure D'au- tre part, dans le cas o il n'y a pas utilisation d'aimant, Eio est rêduit,mais les propriétés de la pellicule ne sont
pas si bonnes Cela est éventuellement dû à ce que l'ali-
mentation haute fréquence est portée à 300 W de manière à pulvériser Sn et la pression gazeuse est abaissée à 1,3 Pa
de manière à permettre aux atomes de Sn pulvérisé d'attein-
dre effectivement un substrat, ce qui se traduit par le renforcement du plasma à proximité de la plaque de base et la formation d'un certain nombre de défauts ou ruptures dans la pellicule L'utilisation d'un aimant se traduit par la
formation d'une pellicule de bonne qualité et l'augmenta-
tion du taux de croissance de la pellicule.
La présente invention n'est pas limitée aux exem-
ples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est
au contraire susceptible de modifications et de varian-
tes qui apparaîtront à l'homme de l'art.
19.

Claims (12)

REVENDICATIONS
1 Procédé de fabrication d'une pellicule fine multicomposant, caractérisé en ce qu'il y a utilisation simultanée d'un procédé de pulvérisation et d'un procédé de dépôt par vapeur chimique avec-plasma à une pression qui n'est pas inférieure à une valeur de pression capable de donner le taux maximum de formation de pellicule dans
le procédé de pulvérisation.
2 Procédé selon la revendication 1, ou un pro-
cédé de pulvérisation par magnétron est utilisé comme pro-
cédé de pulvérisation.
3 Procédé selon la revendication 1 ou la re-
vendication 2, o la fine pellicule est constituée d'un
matériau amorphe contenant au moins du silicium.
4 Procédé selon la revendication 3, caractéri-
sé en ce que la pellicule fine constituée du matériau amor-
phe contenant du silicium est formée par utilisation d'un
gaz composé contenant du silicium et d'un gaz rare.
Procédé selon la revendication 3, caractéri- sé en ce que la pellicule fine constituée du matériau amor 7 phe contenant du silicium est formée par pulvérisation de silicium.
6 Procédé selon la revendication 5, caractéri-
sé en ce que le silicium est dopé.
7 Procédé selon la revendication 3, caractéri-
sé en ce que la pellicule fine constituée du matériau amor-
phe contenant du silicium est formée par pulvérisation
d'au moins un dopant ou un modificateur.
8 Procédé selon la revendication 7, caractéri-
sé en ce que le modificateur est choaiasi dans le groupe constitué du carbone, du germanium, de l'étain et du plomb.
9 Procédé selon la revendication 2, caractéri-
sé en ce que le procédé de pulvérisation parmagnétron est exécuté avec une densité de flux magnétique d'au moins 20.
gauss sur la surface d'une cible ( 8).
Procédé selon la revendication 1 ou la re-
vendication 2, caractérisé en ce qu'une matière première
gazeuse contenant au moins du monosilane ou du tétrafluo-
rure de silicium, diluée avec au moins de l'hydrogène ou
de l'hélium ou de l'argon est utilisée.
11 Procédé selon la revendication 1 ou la re-
vendication 2, caractérisé en ce qu'au moins un élément choisi dans le groupe constitué du carbone, du silicium,
du germanium, de l'étain et du plomb est utilisé comme ma-
tériau constituant la cible ( 8).
12 Procédé selon la revendication 1 ou la re-
vendication 2, caractérisé en ce que la pression est com-
prise entre 0,65 Pa et 130 Pa.
13 Procédé selon la revendication 2, caracté-
risé en ce que le procédé de pulvérisation avec magnétron
est exécuté en utilisant un électro-aimant.
14 Procédé selon la revendication 2, caracté-
risé en ce que le procédé de pulvérisation avec magnétron
est exécuté en utilisant un-aimant permanent ( 11).
Procédé selon la revendication 7, caracté-
risé en ce que le dopant est choisi dans le groupe consti-
tué du bore, de l'aluminium, du phosphore et de l'arsenic.
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GB (1) GB2138450B (fr)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0394661A1 (fr) * 1989-04-26 1990-10-31 Balzers Aktiengesellschaft Procédé pour revêtir au moins partiellement des outils au moyen d'une méthode de déposition chimique en phase vapeur associée à une pulvérisation
US5865699A (en) * 1996-10-03 1999-02-02 Sandvik Ab Coated chain saw nose sprocket

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681653A (en) * 1984-06-01 1987-07-21 Texas Instruments Incorporated Planarized dielectric deposited using plasma enhanced chemical vapor deposition
JPS6174293A (ja) * 1984-09-17 1986-04-16 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子の製造方法
US4551352A (en) * 1985-01-17 1985-11-05 Rca Corporation Method of making P-type hydrogenated amorphous silicon
DE3608887A1 (de) * 1985-03-22 1986-10-02 Canon K.K., Tokio/Tokyo Waermeerzeugungs-widerstandselement und waermeerzeugungs-widerstandsvorrichtung unter verwendung des waermeerzeugungs-widerstandselements
DE3609503A1 (de) * 1985-03-22 1986-10-02 Canon K.K., Tokio/Tokyo Heizwiderstandselement und heizwiderstand unter verwendung desselben
GB2174877B (en) * 1985-03-23 1989-03-15 Canon Kk Thermal recording head
DE3609456A1 (de) * 1985-03-23 1986-10-02 Canon K.K., Tokio/Tokyo Waermeerzeugender widerstand und waermeerzeugendes widerstandselement unter benutzung desselben
US4845513A (en) * 1985-03-23 1989-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Thermal recording head
GB2175252B (en) * 1985-03-25 1990-09-19 Canon Kk Thermal recording head
GB2176443B (en) * 1985-06-10 1990-11-14 Canon Kk Liquid jet recording head and recording system incorporating the same
US4681818A (en) * 1986-03-18 1987-07-21 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Oxygen diffusion barrier coating
JPH0750631B2 (ja) * 1986-06-23 1995-05-31 沖電気工業株式会社 Ｅｌパネルの形成方法
JPS63277755A (ja) * 1987-05-07 1988-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜の製造方法
DE3810667A1 (de) * 1988-03-29 1989-10-19 Siemens Ag Elektrisches widerstandsmaterial fuer elektrothermische wandler in duennschichttechnik
DE3935863C2 (de) * 1989-10-27 1993-10-21 Philips Patentverwaltung CVD (Chemical Vapour Deposition)-Vorrichtung
JPH0816266B2 (ja) * 1990-10-31 1996-02-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 高アスペクト比の穴に材料を付着させる装置
US5158933A (en) * 1990-11-15 1992-10-27 Holtz Ronald L Phase separated composite materials
JPH0653137A (ja) * 1992-07-31 1994-02-25 Canon Inc 水素化アモルファスシリコン膜の形成方法
JP3351843B2 (ja) * 1993-02-24 2002-12-03 忠弘 大見 成膜方法
US5425860A (en) * 1993-04-07 1995-06-20 The Regents Of The University Of California Pulsed energy synthesis and doping of silicon carbide
US20010028922A1 (en) * 1995-06-07 2001-10-11 Sandhu Gurtej S. High throughput ILD fill process for high aspect ratio gap fill
US5993598A (en) * 1996-07-30 1999-11-30 The Dow Chemical Company Magnetron
US5900284A (en) * 1996-07-30 1999-05-04 The Dow Chemical Company Plasma generating device and method
US6055929A (en) * 1997-09-24 2000-05-02 The Dow Chemical Company Magnetron
DE19919742A1 (de) * 1999-04-30 2000-11-02 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Beschichten von Substraten aus dotiertem Silizium mit einer Antireflexschicht für Solarzellen mittels einer in einer Vakuumkammer betriebenen Zerstäubungskathode mit einem Magnetsystem
US6596133B1 (en) * 2001-06-14 2003-07-22 Cvc Products, Inc. Method and system for physically-assisted chemical-vapor deposition
US20040129223A1 (en) * 2002-12-24 2004-07-08 Park Jong Hyurk Apparatus and method for manufacturing silicon nanodot film for light emission
KR100814454B1 (ko) 2004-03-26 2008-03-17 닛신덴키 가부시키 가이샤 실리콘 도트 형성방법 및 실리콘 도트 형성장치
US8030187B2 (en) * 2007-12-28 2011-10-04 Panasonic Corporation Method for manufacturing semiconductor device
US10738375B2 (en) 2016-11-15 2020-08-11 HPVico AB Hard thin films
CN109964153A (zh) * 2016-11-15 2019-07-02 赫普维科有限公司 硬薄膜

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2191401A1 (fr) * 1972-07-03 1974-02-01 Western Electric Co
FR2239016A1 (fr) * 1973-07-23 1975-02-21 Westinghouse Electric Corp
US4225409A (en) * 1977-03-14 1980-09-30 Shigeru Minomura Metallic modified material of intermetallic compound and a process for the production of the same
FR2487535A1 (fr) * 1977-12-22 1982-01-29 Canon Kk

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1104935A (en) * 1964-05-08 1968-03-06 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to a method of forming a layer of an inorganic compound
US3991229A (en) * 1974-09-16 1976-11-09 Fengler Werner H High-wear-resistant composite seal and method of making the same
US4058638A (en) * 1974-12-19 1977-11-15 Texas Instruments Incorporated Method of optical thin film coating
US4056642A (en) * 1976-05-14 1977-11-01 Data General Corporation Method of fabricating metal-semiconductor interfaces
US4218291A (en) * 1978-02-28 1980-08-19 Vlsi Technology Research Association Process for forming metal and metal silicide films
DD141932B1 (de) * 1978-12-18 1982-06-30 Guenter Reisse Verfahren und vorrichtung zur teilchenstromionisierung und hochratebeschichtung
US4234622A (en) * 1979-04-11 1980-11-18 The United States Of American As Represented By The Secretary Of The Army Vacuum deposition method
JPS574172A (en) * 1980-06-09 1982-01-09 Canon Inc Light conductive member
JPS57186321A (en) * 1981-05-12 1982-11-16 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Producing method for amorphous silicon film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2191401A1 (fr) * 1972-07-03 1974-02-01 Western Electric Co
FR2239016A1 (fr) * 1973-07-23 1975-02-21 Westinghouse Electric Corp
US4225409A (en) * 1977-03-14 1980-09-30 Shigeru Minomura Metallic modified material of intermetallic compound and a process for the production of the same
FR2487535A1 (fr) * 1977-12-22 1982-01-29 Canon Kk

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 24, no. 6, novembre 1981, pages 2962-2963, New York, US; P.H. SMITH: "Method of varying composition of multi-component sputtered films" *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0394661A1 (fr) * 1989-04-26 1990-10-31 Balzers Aktiengesellschaft Procédé pour revêtir au moins partiellement des outils au moyen d'une méthode de déposition chimique en phase vapeur associée à une pulvérisation
US5865699A (en) * 1996-10-03 1999-02-02 Sandvik Ab Coated chain saw nose sprocket

Also Published As

Publication number Publication date
GB8408203D0 (en) 1984-05-10
DE3411702C2 (fr) 1991-08-29
JPS59179152A (ja) 1984-10-11
US4496450A (en) 1985-01-29
GB2138450A (en) 1984-10-24
DE3411702A1 (de) 1984-10-04
GB2138450B (en) 1986-06-18
FR2543737B1 (fr) 1987-05-29
JPS6349751B2 (fr) 1988-10-05

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