FR2484701A1 - Procede pour former des regions d'impuretes par irradiation ionique a haute energie dans des corps semiconducteurs, et dispositifs a semiconducteurs fabriques par ce procede - Google Patents

Procede pour former des regions d'impuretes par irradiation ionique a haute energie dans des corps semiconducteurs, et dispositifs a semiconducteurs fabriques par ce procede Download PDF

Info

Publication number
FR2484701A1
FR2484701A1 FR8111869A FR8111869A FR2484701A1 FR 2484701 A1 FR2484701 A1 FR 2484701A1 FR 8111869 A FR8111869 A FR 8111869A FR 8111869 A FR8111869 A FR 8111869A FR 2484701 A1 FR2484701 A1 FR 2484701A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
impurity
semiconductor
modifier
region
ion beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
FR8111869A
Other languages
English (en)
Inventor
John Bartko
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CBS Corp
Original Assignee
Westinghouse Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Electric Corp filed Critical Westinghouse Electric Corp
Publication of FR2484701A1 publication Critical patent/FR2484701A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/2658—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation of a molecular ion, e.g. decaborane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/047—Changing particle velocity
    • H01J2237/0475—Changing particle velocity decelerating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
    • H01J2237/057—Energy or mass filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30455—Correction during exposure
    • H01J2237/30461—Correction during exposure pre-calculated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31701—Ion implantation
    • H01J2237/31706—Ion implantation characterised by the area treated
    • H01J2237/3171—Ion implantation characterised by the area treated patterned
    • H01J2237/31711—Ion implantation characterised by the area treated patterned using mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PROCEDE POUR FORMER DES REGIONS D'IMPURETES PAR IRRADIATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DANS DES CORPS SEMICONDUCTEURS, ET DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS FABRIQUES PAR CE PROCEDE. UN FAISCEAU IONIQUE 20 A HAUTE ENERGIE, CONTENANT DES IONS D'UNE IMPURETE DONNEE POUR FORMER UNE REGION ENSEVELIE 19 D'IMPURETE, EST ENVOYE A TRAVERS UN MODIFICATEUR 21 DE FAISCEAU DANS UN CORPS SEMICONDUCTEUR 10. CE DERNIER EST POSITIONNE DE MANIERE A ETRE IRRADIE JUSQU'A CE QUE LA REGION ENSEVELIE D'IMPURETE SOIT FORMEE. LE MATERIAU CONSTITUTIF ET LA FORME DU MODIFICATEUR 21 SONT CHOISIS POUR MODIFIER L'ENERGIE DES IONS ET DONNER AINSI A LA REGION D'IMPURETE L'EPAISSEUR ET LE GRADIENT DE CONCENTRATION VOULUS. LE MODIFICATEUR PEUT EFFECTUER UN MOUVEMENT OSCILLANT PAR RAPPORT AU CORPS CONDUCTEUR PENDANT L'IRRADIATION AFIN DE MODULER LE FAISCEAU IONIQUE. APPLICATION: NOTAMMENT A LA FABRICATION DE REGIONS D'IMPURETE DANS LES TRANSISTORS.

Description

8484?Ot Procédé pour former des régions d'impuretés par irradiation
ionique à haute énergie dans des corps semiconducteurs, et
dispositifs à semiconducteurs fabriqués par ce procédé.
La présente invention se rapporte aux dispositifs à' semiconducteurs, et elle concerne plus particulièrement des
dispositifs à semiconducteurs qui comportent des régions en-
sevelies d'impuretés.
Des régions d'impuretés sont généralement nécessai-
res dans les dispositifs à semiconducteurs pour doter ces der-
niers de caractéristiques électriques. Ces régions d'impuretés sont formées de manière caractéristique par diffusion d'une
impureté sélectionnée dans le corps semiconducteur ou par l'in-
clsion de l'impureté dans le corps semiconducteur pendant sa formation, par exemple par croissance épitaxiale. Les impuretés
généralement utilisées à cet effet sont le phosphore, l'anti-
moine, l'arsenic, le bore, le gallium, l'aluminium et l'or.
La formation des régions d'impuretés par diffusion
dans les dispositifs à semiconducteurs, a ses limites propres.
La concentration de l'impureté à là surface du corps semicon-
ducteur dans lequel elle est diffusée, est normalement fixée par la concentration en solution saturée de l'impureté dans
le matériau semiconducteur. Ceci a pour résultat une concen-
tration élevée de l'impureté à la surface du corps semicon-
ducteur, ce qui altère à la fois chimiquement et électrique-
ment les parties superficielles du corps semiconducteur. En
outre, l'épaisseur de la région d'impureté dans le corps semi-
conducteur et le gradient de concentration sont fixés par la concentration superficielle, la vitesse, la température et le temps de diffusion. La région d'impureté a donc une épaisseur et un gradient de profil réduits et il faut souvent un temps considérable pour la constituer. En outre, l'épaisseur des régions d'impuretés est souvent difficile à contrôler avec précision et elle peut nécessiter la diffusion simultanée ou successive de plus d'une impureté, par exemple le bore et
l'aluminium, pour former une région d'impureté de caractéris-
tiques électriques souhaitées.
La formation des régions d'impuretés par croissance
épitaxiale a de même ses limites propres. La croissance épi-
taxiale exige une préparation soigneuse du substrat, qu'il soit semiconducteur ou isolant, et un contrôle attentif du
système de dépôt au cours de la croissance. Même avec un con-
trôle attentif, les corps semiconducteurs épitaxiaux présen- tent, de manière caractéristique, des propriétés électriques
limitées par la présente d'impuretés fugitives à faibles con-
centrations qui s'introduisent d'une manière ou d'une autre dans le système. De même, la croissance épitaxiale se limite
généralement à des épaisseurs assez faibles, ce qui rend inu-
tilisable l'application de cette technique dans la fabrication
de certains dispositifs à semiconducteurs, tels que les dispo-
sitifs de grande puissance.
Une autre technique utilisée pour former des régions
superficielles d'impuretés à haute concentration, au voisina-
ge de la surface de corps semiconducteurs, est la technique
d'implantation ionique. On se reportera par exemple aux pu-
blications "Ion Beams" (Faisceaux ioniques) de Wilson et Rever (1973), et "Ion Implantation in Semiconductors" (Implantation ionique dans les semiconducteurs) de Mayer, Eriksson et Davies (1970). Dans cette technique, un faisceau ionique à faible énergie d'environ 200 à 400 keV généralement, est formé d'ions
de l'impureté désirée pour la région d'impureté, et une sur-
face importante du corps semiconducteur est bombardée par le faisceau ionique. Une région d'impureté de quelques microns d'épaisseur, avec un gradient élevé et fixe de concentration,
est ainsi formée au voisinage de la surface du corps semicon-
ducteur. L'implantation ionique n'est pas considérée comme étant une technique utilisable pour la formation de régions d1'impuretés pénétrant au-delà de quelques microns dans le
corps semiconducteur, ou de régions d'impuretés avec un gra-
dient contrôlable de concentration. La limite critique réside
dans le fait que les générateurs de faisceaux ioniques, dis-
ponibles sur le marché, produisent des faisceaux ioniques mo-
noénergétiques qui forment des régions d'impuretés très minces
à la surface du corps semiconducteur. On a augmenté l'épais-
seur de la région d'impureté dans le corps semiconducteur en faisant pivoter ce dernier pendant l'implantation ionique mais,
même avec cette technique, l'épaisseur de la région d'impure-
té était, de manière caractéristique, inférieure à 5 microns
et avec un gradient non contrôlé de concentration en impureté.
Il est bien connu de l'homme de l'art que l'on peut interposer une feuille métallique diffusante, par exemple en aluminium, d'environ 0,0127 mm d'épaisseur entre la source du faisceau ionique et le corps semiconducteur. Mais ces feuilles
ont nécessairement une épaisseur uniforme pour fournir la dif-
fusion désirée du faisceau ionique afin d'assurer une dose
sensiblement uniforme sur une. grande surface du corps semicon-
ducteur. On n'a pas imaginé de façonnér un matériau à faibles propriétés de diffusion pour modifier et moduler l'énergie du
faisceau afin de former une région d'impureté de grande épais-
seur et avec un gradient de concentration variable.
Les difficultés sont plus complexes lorsqu'on désire former une région ensevelie d'impureté à l'intérieur d'un corps semiconducteur. Une région d'impureté ensevelie est une région qui se trouve à l'intérieur du corps et dont la concentration
en impureté est élevée par rapport à la ou aux régions conti-
gës d'impuretés situées entre elle et la surface de fonction-
nement du dispositif à semiconducteur. D'une manière générale, ces régions ensevelies d'impuretés sont formées par une série
de croissances épitaxiales ou par une combinaison des techni-
ques de diffusion et de croissance épitaxiale. On se reportera, par exemple, au brevet américain no 3 237 042. Ces techniques sont difficiles et elles demandent beaucoup de temps pour leur mise en oeuvre et, même alors, les rendements des dispositifs sont relativement bas. La formation de ces régions ensevelies
d'impuretés est également rendue plus complexe par la diffi-
culté de contrôler l'autodopage des régions d'impuretés de
plus faible concentration situées au-dessus des régions ense-
velies d'impuretés, et par la difficulté de contrôler l'épais-
seur et le gradient de concentration aussi bien de la région
ensevelie d'impureté que de la région d'impureté qui lui est-
contiguë. La présente invention élimine toutes ces difficultés
et ces inconvénients. Elle fournit un moyen pour former rapi-
dement, avec un degré élevé de précision, des régions d'impu-
retés en général et des régions ensevelies d'impuretés en par-
ticulier dans un corps semiconducteur. Les rendements de fa-
brication peuvent être fortement augmentés, en même temps les coûts de production sont sensiblement diminués. En outre, elle permet de fabriquer des dispositifs à semiconducteurs qu'il n'était pas possible de réaliser jusqu'à présent, à cause des restrictions imposées au gradient de concentration par les
limites propres aux techniques de formation. La présente in-
vention assure une souplesse de formation des gradients de concentration des régions d'impuretés et un positionnement de ces régions d'impureté dans le corps semiconducteur, que l'on
ne pouvait atteindre dans l'art antérieur.
L'objet de la présente invention est de fournir un
procédé pour former une région d'impureté dans un semiconduc-
teur.
La présente invention concerne,-d'une manière géné-
rale, un procédé pour fabriquer un semiconducteur par bombar-
dement par faisceau ionique, ce procédé se caractérisant par les stades de: formation d'un modificateur de faisceau pour
modifier un faisceau ionique de manière à former dans le se-
miconducteur une région d'impureté ayant une épaisseur et un
gradient de concentration désirés; interposition de ce modi-
ficateur de faisceau dans un faisceau ionique.; et irradiation
du semiconducteur par le faisceau ionique modifié.
La présente invention concerne un procédé pour for-
mer une ou des régions d'impureté dans un corps semiconducteur
par irradiation au moyen d'un faisceau ionique à haute énergie.
Le faisceau ionique créé contient des ions d'une impureté dé-
sirée pour former une ou des régions d'impuretés dans un corps semiconducteur sélectionné. Le faisceau ionique a une énergie telle qu'il peut pénétrer dans le corps semiconducteur sur une surface sélectionnée et à une profondeur supérieure à la
profondeur maximale, depuis la surface sélectionnée d'une ré-
gion d'impureté désirée.
Un modificateur de faisceau, constitué d'un matériau donné et de conformation non uniforme, est prévu pour modifier l'énergie du faisceau de rayonnement lorsque ce dernier est
248 4 701
transmis à travers le modificateur, afin de constituer un faisceau transmis d'énergie capable de former dans le corps
semiconducteur une région d'impureté d'épaisseur et de gra-
dient d'impureté donnés, à une distance donnée d'une surface sélectionnée à travers laquelle est irradié le corps semicon- ducteur. Il est préférable que le modificateur de faisceau soit constitué d'un matériau tel que l'aluminium, le béryllium ou un silicone ou une matière époxyde protégeant contre les rayonnements afin de réduire la diffusion du faisceau ionique
transmis et fournir une bonne résolution pour ce dernier.
La région d'impureté est formée par le positionnement de la surface sélectionnée du corps semiconducteur exposée au faisceau ionique à travers le modificateur de faisceau. Le
faisceau transmis à travers le modificateur de&faisceau pénè-
tre donc dans le corps semiconducteur par la surface sélection-
née et forme à l'intérieur de ce corps la région d'impureté désirée. L'épaisseur de la région d'impureté (c'est-à-dire sa
dimension dans la direction de transmission du faisceau ioni-
que) et son éloignement de la surface sélectionnée sont con-
trôlés avec précision au moyen de l'énergie du faisceau ioni-
que et de l'épaisseur du modificateur de faisceau. Le profil de concentration de l'impureté dans la région d'impureté est contrôlé avec précision au moyen du profil du modificateur de
faisceau et du déplacement relatif prédéterminé entre le modi-
ficateur de faisceau et le corps semiconducteur au cours du dopage. La présente invention est particulièrement utile à la préparation des dispositifs à semiconducteurs dans lesquels sont désirées des régions ensevelies et des régions à gradients
de concentration de dopage précédemment inhabituels. Dans cer-
tains exemples de réalisation, il peut être préférable de re-
cuire le corps semiconducteur après l'opération de dopage afin de réduire les dommages causés au réseau cristallin du corps semiconducteur.
La présente invention sera bien comprise à la lectu-
re de la description suivante faite en relation avec les des-
sins ci-joints, dans lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe d'un transistor
248 4?O1
dont la région de collecteur ensevelie est formée suivant la présente invention; - la figure 2 est une vue en coupe d'un deuxième transistor dont la région de collecteur ensevelie est formée suivant la présente invention;
- la figure 3 est une vue en coupe d'un circuit in-
tégré fabriqué suivant la présente invention;
- la figure 4 est une vue en coupe d'un corps semi-
conducteur dans lequel une région d'impureté est formée suivant la présente invention; - la figure 5 est une vue en coupe d'un deuxième corps semiconducteur dans lequel une région d'impureté est formée suivant la présente invention; et - la figure 6-est une vue en coupe d'un troisième
corps semiconducteur formé suivant la présente invention.
On se reportera maintenant à la figure 1. Un tran-
sistor, comprenant une région de collecteur ensevelie formée
suivant la présente invention, est formé dans le corps semi-
conducteur 10. Ce dernier qui comporte deux faces principales opposées 11 et 12, a été rattaché par sa face principale 12
au substrat 13 par une technique d'alliage, une technique é-
lectrostatique, une croissance épitaxiale ou un autre moyen.
Le corps semiconducteur est dopé pendant la réalisation de la
concentration d'impuretéssouhaitée pour la région de collec-
teur, par exemple de 1.1013 à 1.1014 par cm3. Le substrat 13
est, de préférenceun matériau isolant approprié à l'applica-
tion particulière.
La région 15 de base et la région 14 de l'émetteur sont formées par des diffusions successives d'impuretés de types de conductivité en opposition, par exemplele gallium et
le phosphore, à travers la face principale il à l'aide de tech-
niques ordinaires de masquage par oxyde et de photo-incision.
L'impureté utilisée pour former la région 14 de base est éga-
lement de type de conductivité en opposition à celui des impu-
-35 retés formées dans le corps semiconducteur pendant sa fabrica-
tion. Des jonctions p-n 17 et 18 sont ainsi formées dans le corps semiconducteur entre les régions 14 d'émetteur et 15 de base, et entre les régions 15 de base et 16 de collecteur. La
248470?
concentration d'impuretés dans la région 15 de base est com-
prise de manière caractéristique entre 1.1015 et 1.1017 par cm3, tandis que la concentration d'impuretés dans la région d'émietteur varie de manière caractéristique entre 1.1017 et 1.10 9 par cm3. Dans la régions 12 de collecteur, la concen- tration d'impuretés est celle de la partie restante du corps
semiconducteur 10 obtenue par la technique d'irradiation dé-
crite ci-après.
La région 19 de collecteur ensevelie est formée en-
suite dans le corps semiconducteur à une profondeur telle qu'elle permet d'obtenir la largeur souhaitée de la région 16 de collecteur. La région de collecteur ensevelie constitue un conducteur reliant électriquement le transistor à un autre
composant électrique de préférence dans le même corps semicon-
ducteur.
Pour former la région 19 de collecteur, on a prévu une source d'ions qui peut émettre des particules d'un poids moléculaire au moins égal a "un" afin de former un faisceau ionique 20. Ce dernier a une énergie telle qu'il peut pénétrer
dans le corps semiconducteur 10, à travers la surface sélec-
tionnée 11, jusqu'à une profondeur supérieure à la profondeur
désirée de la région 19 de collecteur ensevelie dans le corps.
La source d'ions peut être n'importe quelle source
pratiquement disponible qui émet des ions d'une impureté dési-
rée pour former la région de collecteur ensevelie, avec une énergie suffisante pour pénétrer dans le corps 10 au moins
jusqu'à la profondeur désirée de la région de collecteur en-
sevelie. Il est préférable que la source d'ions soit un accé-
lérateur Van de Graaff émettant des ions de bore car l'accé-
lération de ces particules jusqu'à ce qu'elles aient une éner-
gie suffisante pour pénétrer dans le corps semiconducteur, jus-
qu'à la profondeur désirée, est relativement peu chère. On peut utiliser d'autres ions appropriés, tels que le phosphore ou l'aluminium, pour former des impuretés dans les matériaux semiconducteurs; cependant, les ions d'un poids moléculaire
supérieur à "16" sont actuellement impraticables car les sour-
ces d'ions disponibles, par exemple les accélérateurs Van de Graaff, ne produisent pas une énergie suffisamment élevée pour
provoquer la pénétration de ces particules d'un poids molécu-
laire élevé, dans le matériau, jusqu'à une profondeur signifi-
cative. En tout cas, les ions choisis doivent être du même ty-
pe de conductivité que ceux qui sont utilisés pour la région 16 de collecteur afin de donner à la région 19 de collecteur
ensevelie les caractéristiques électriques souhaitées.
Il est préférable également que la source d'ions soit une source monoénergétique telle que la constituent de
manière classique les accélérations Van de Graaff afin de per-
mettre un contrôle plus précis de l'épaisseur, de la largeur
et du gradient de dosage de la région de collecteur ensevelie.
Pour cette raison, des particules d'un poids moléculaire plus
élevé, telles que les ions de phosphore ou d'aluminium, peu-
vent être plus utiles dans certaines applications o on désire une résolution plus élevée pour la région d'impuretés car ces ions ont une demi-largeur plus étroite pour la répartition des
défauts créés dans les matériaux semiconducteurs. Plus la de-
mi-largeur est étroite, plus le positionnement de la région 19 de collecteur ensevelie pourra être précis dans le corps semiconducteur 10 et plus le contrôle de la concentration et
du gradient de concentration pourront être précis.
En outre, on doit bien remarquer qu'il peut être ap-
proprié, dans certaines applications, d'utiliser une source de rayonnement non monoénergétique ou de modifier une source
monoénergétique pour la rendre non monoénergétique. Par exem-
ple, il peut être souhaitable d'avoir une répartition plus u-
niforme des particules sur la surface du corps semiconducteur , en sacrifiant la résolution de la profondeur de la région d'impureté. Ceci peut être réalisé au moyen d'une feuille de diffusion (non représentée) placée sur le trajet du faisceau ionique 20 entre la source d'ions et le corps semiconducteur
10. Généralement, on préfère cependant une source de rayonne-
ment monoénergétique qui fournit la demi-largeur la plus étroi-
te pour la répartition des défauts créés par le faisceau dans le matériau et, en conséquence, la résolution la plus élevée
possible pour la région d'impureté formée dans le corps semi-
conducteur. Le modificateur 21 de faisceau est placé entre le
faisceau ionique 20 et le corps semiconducteur 10. Le modifi-
cateur 21 de faisceau est constitué d'un matériau choisi pour permettre la transmission du faisceau ionique 20 à travers lui normalement sans diffusion sensible du faisceau. Bien qu'il puisse être approprié, dans certaines circonstances, d'incor- porer une feuille diffusante au modificateur 21 de faisceau, il est souhaitable de manière caractéristique que le faisceau ionique transmis 22 ne soit pas diffusé du fait de variations de l'épaisseur du modificateur 21. Ceci améliore la précision
du positionnement et de la résolution de la région d'impureté.
Le modificateur 21 de faisceau est constitué d'un matériau qui modifie l'énergie du faisceau ionique transmis, mais il est choisi de préférence parmi les matériaux qui ne modifient
pas considérablement l'énergie du faisceau par épaisseur uni-
taire. Ceci permet de contrôler avec plus de précision l'épais-
seur et le gradient de dosage de la région dtimpureté sans
contrôle critique des tolérances dimensionnelles du modifica-
teur 21 de faisceau. Des exemples de ces matériaux sont les matériaux constitués d'éléments a faible nombre atomique tels
que l'aluminium ou le béryllium. Si le faisceau ionique uti-
lisé ne pénètre pas trop profondément dans le corps semicon-
ducteur, on peut utiliser un silicone ou une matière époxyde protégeant contre les rayonnements. De même, il est préférable que le modificateurde faisceau soit constitué d'un matériau auquel on peut facilement donner la forme désirée comme on le
décrira plus loin.
Il est préférable que le corps semiconducteur 10 et le modificateur 21 de faisceau se déplacent l'un par rapport à l'autre d'une distance prédéterminée, pendant le dopage. Ce déplacement relatif peut être réalisé par n'importe quel moyen
approprié. Le modificateur 21 de faisceau oscille de préféren-
ce perpendiculairement au trajet du faisceau ionique 20, paral-
lèlement à la surface principale il du corps semiconducteur
, comme l'i.Jndique la figure 1. En variante, on pourrait fai-
re tourner le modificateur 21 de faisceau ou le déplacer autre-
ment par rapport au corps semiconducteur 10, ou bien le corps
semiconducteur 10 pourrait être déplacé par rapport au modifi-
cateur 21 de faisceau suivant un trajet prédéterminé.
Etant données la source d'ions et la composition du modificateur 21 de faisceau, l'épaisseur et le gradient de concentration des impuretés de la région d'impureté à former
dans le corps semiconducteur 10 deviennent fonction de la for-
me du modificateur 21 de faisceau et du déplacement relatif du corps semiconducteur et du modificateur de faisceau. De
manière caractéristique, le déplacement relatif entre le modi-
ficateur de faisceau et le corps semiconducteur est fixé de telle manière que l'épaisseur et le gradient de concentration
d'impuretés de la région d'impureté deviennent fonction uni-
quement de la forme du modificateur de faisceau.
On peut donc donner au modificateur de faisceau une forme qui correspond à une largeur et à un gradient désirés
quelconques de concentration d'impuretés de la région d'impu-
reté, et à une distance-désirée quelconque entre la surface
principale il et la région 19 d'impureté du corps semiconduc-
teur. Pour comprendre cette relation, considérons que le spec-
tre énergétique du faisceau ionique 22, après son passage dans le modificateur 21 de faisceau correspondant au positionnement,
à la largeur et au gradient de concentration d'impuretés dési-
rés pour la région ensevelie 19 d'impureté du collecteur, est
représenté par la fonction mathématique dn(Et)/dEt = h(Et).
En outre, considérons que la forme du modificateur de faisceau correspondant à ce spectre. énergétique, est représentée par la fonction mathématique F(L) = X, dans laquelle X représente
l'épaisseur du modificateur et "t" la distance le long du mo-
dificateur à partir d'une coordonnée. Considérons également
que "t&" est une fonction mathématique de X, F(X).
Considérons maintenant l'énergie du faisceau ionique
transmis 22 en un point de la surface principale 11. Le fais-
ceau ionique dirigé en ce point doit traverser une épaisseur X du modificateur 21 de faisceau qui réduira l'énergie du faisceau de Ep à Et. La densité de flux en ce point de la
surfacelprincipale il est de f ions par seconde, ce qui s'ex-
prime mathématiquement par f = dn/dt. Puisque le modificateur 21 de faisceau se déplace horizontalement, comme le représente
la figure 1, à la vitesse V = dt/dt, le nombre d'ions qui frap-
pent le point choisi de la surface principale il pendant un
*248470 '
temps dt est défini par la relation dn = df. Puisque t = f
(x) et que dé = df(x) dx, on a dn = g df(x)Vdx.
La variage x est l'épaisseXr dXmodificateur 21 de faisceau que traverse le faisceau ionique dirigé sur le point choisi de la surface principale 11 à n'importe quel moment, et elle est fonctionnellement en relation avec l'énergie des ions
du faisceau ionique 22 à la sortie du modificateur de faisceau.
Supposons que R (le parcours des ions) et E (l'énergie des ions) soient liés par la fonction mathématique R = g(E). Le
parcours des ions du faisceau 20 qui entre dans le modifica-
teur de faisceau est Rp-g(Ep), et le parcours des ions du faisceau 22 sortant du modificateur 21 de faisceau peut être exprimé comme suit par une fonction mathématique de l'énergie
du faisceau ionique: x = Rp - R = g(Ep) - g(E).
En substituant cette valeur de x dans l'équation précédente, on peut exprimer la nombre d'ions atteignant le point choisi de la face principale 11 par l'équation dn = d df (g(Ep) - g(E)J dg(E) dE v =_dg(E) dE L'épaisseur du modificateur 21 de faisceau peut donc
s'exprimer mathématiquement en fonction du spectre énergéti-
que du faisceau ionique transmis: n = nombre d'ions frappant l'échantillon E = énergie du faisceau sortant du modificateur Ep = énergie du faisceau initial entrant dans le
modificateur de faisceau.
df Cg(Ep) - g(E)) = V dn dg(E) dg(E) ç dE dE Pour les spectres énergétiques complexes, dn/dE, la
forme du modificateur 21 peut être calculée par ordinateur.
Pour des spectres plus simples, on peut déterminer la forme
du modificateur par un simple calcul à la main.
Considérons par exemple le cas o la région 1'9 de collecteur ensevelie doit être rectangulaire avec un gradient constant de concentration d'impuretés sur toute son épaisseur x et sa surface. dn/dE = K (constante) et R = g(E) = E/m,
c'est-à-dire que le parcours dépend de l'énergie ionique li-
néairement avec la masse. La fonction mathématique donnée ci-
dessus se réduit à: df Ep _ E) df \m m d(E) En substituant duit ensuite la fonction df (x) dx V K dE XmI
la valeur de x = Ep/m - E/m, on ré-
à: VK La solution générale de cette équation est: V étant la vitesse du modificateur, f(x) = mx + b = 1 En exprimant d'une autre manière x = F( ) : x -d + VK-m VKm valeur de faible du On peut obtenir la constante "b" en donnant à x la l'épaisseur X (pour t. = o) pour l'énergie la plus spectre: b=X VKIiLI La longueur L du modificateur de faisceau dépend de X2 qui est l'épaisseur pour E2. Le modificateur de faisceau peut donc être conformé comme le représente la figure 1, avec des faces en dents de scie dont la pente est O/VKm et o X1 est la plus grande épaisseur et X2 la plus petite épaisseur
correspondant à la largeur désirée de la région 19 de collec-
teur ensevelie. La période d'oscillation du modificateur de
faisceau représente, de préférence, un grand nombre de pério-
des du spectre énergétique du faisceau ionique transmis 22, de manière à éliminer les distorsions spectrales créées par de légères variations, en fonction du temps, de l'énergie et de la densité du faisceau ionique 20 lorsqu'il est émis par
une source caractéristique d'ions.
Après que le modificateur 21 de faisceau a été for-
mé de manière appropriée et qu'il a été positionné comme on l'a décrit, le transistor formé de la région 14 d'émetteur et
de la région 15 de base est mis en place, sa surface principa-
le 11, qui a été choisie pour la distance de référence, étant
exposée au faisceau ionique transmis 22. Le corps semiconduc-
teur 10 est irradié ensuite par le faisceau ionique 20, à tra-
vers le modificateur oscillant 21 de faisceau, afin de former
la région 19 de collecteur ensevelie dont le gradient de con- centration d'impuretés est constant. Le dosage d'ions est
choisi pour correspondre à la. concentration désirée d'impure-
tés. dans la région de collecteur ensevelie.
Les électrodes 24 d'émetteur et l'électrode 25 de grille sont formées ensuite sur la surface principale il au
moyen de techniques classiques de métallisation et de photo-
incision. Pour un dispositif de puissance, les bords latéraux
26 peuvent être taillés en biseau et passivés par des techni-
ques classiques et une électrode ou d'autres composants élec-
triques, auxquels est connectée la région 19 de collecteur
ensevelie, peuvent être prévus.
On se reportera maintenant à la figure 2. Un tran-
sistor analogue à celui qui est représenté et décrit en liai-
son avec la figure 1, est fabriqué suivant la présente inven-
tion afin que la région de collecteur ensevelie et la région
d'émetteur soient formées toutes deux simultanément. Les mê-
mes éléments ont été indiqués par des références correspondan-
tes mais précédées du chiffre 1. Le transistor représenté à
la figure 2 est à grille latérale au lieu d'être à grille cen-
trale comme à la figure 1, afin de permettre la formation si-
multanée de la région d'émetteur et de la région de collecteur ensevelie.
On forme simultanément les deux régions d'impureté-
en donnant au modificateur 121 de faisceau la forme d'une fonc-
tion échelon. La forme des faces 123 permet de régler la pro-
fondeur, l'épaisseur et le gradient de concentration d'impure-
tés de la région 119 de collecteur ensevelie, tandis que la
forme des faces 123' permet de régler l'épaisseur et le gra-
dient de concentration d'impuretés de la région 114 d'émetteur.
Comme on l'a représenté, on suppose qu'un gradient constant de concentration d'impuretés est désiré dans les deux régions d'impureté. Une barrière ionique 127 est prévue pour masquer
des surfaces du transistor et pour limiter la région d'émet-
teur et la région de collecteur ensevelie à certaines parties
du corps semiconducteur 10. Ceci a pour but de permettre en-
suite à l'électrode 125 de grille d'être formée sur la surfa-
ce principale il et de former un contact ohmique avec la ré-
gion 115 de base. Le dosage du faisceau ionique est de nouveau réglé pour fournir la concentration désirée d'impuretés dans
les régions d'impureté.
La figure 3 représente un transistor MOS à effet de champ formé dans un circuit intégré dans lequel la présente invention est utilisée pour former les régions d'impureté d'isolement entre les composants électriques. Le transistor MOS à effet de champ est formé dans un corps semiconducteur
210 constitué sur le substrat 211, par exemple, par des tech-
niques électrostatiques ou de croissance épitaxiale. Les ré-
gions d'impureté de la source 212 et du drain 213 sont formées de préférence simultanément dans le corps semiconducteur par des techniques classiques de photo-incision et de diffusion, et ces régions sont écartées l'une de l'autre afin de former entre elles une région 214 de canal de l'impureté formée dans
le corps semiconducteur pendant sa fabrication.
Le corps semiconducteur est ensuite positionné pour que sa surface principale 215 soit irradiée par le faisceau
ionique 216 à travers le modificateur 217 de faisceau qui os-
cille pendant l'irradiation comme on l'a indiqué. Le faisceau ionique 216 a une énergie suffisante pour pénétrer dans le corps semiconducteur 210 et le modificateur 217 de faisceau présente des faces 218 en dents de scie afin de former des régions 219 d'impureté qui se prolongent entièrement dans le
corps semiconducteur avec un gradient constant de concentra-
tion d'impuretés. La surface et la longueur des faces 218 en
dents de scie sont choisies à cet effet, étant donnés le ni-
veau énergétique du faisceau ionique 216, le matériau consti-
tuant le modificateur 217 de faisceau et la largeur du corps
semiconducteur 210.
Le type de conductivité des ions du faisceau ioni-
que 216 est choisi également en opposition à celui des impu-
retés formées dans le corps semiconducteur 210, afin de for-
mer dans le corps semiconducteur des jonctions p-n 220 isolant le transistor du reste des composants électriques du circuit intégré dans le corps. Une barrière ionique 221 est disposée également dans le trajet du faisceau ionique transmis 222, afin de masquer la surface du corps semiconducteur contenant
le transistor et empêcher le faisceau ionique de l'atteindre.
Comme le représente la figure, les régions 219 d'im-
pureté isolantes peuvent être formées ensuite dans le corps semiconducteur 210 par irradiation de ce dernier à travers sa
surface principale 215 par le faisceau ionique transmis 222.
Cette technique permet d'isoler électriquementrapidement et avec une grande précision, divers composants électriques dans le corps semiconducteur 10. En effet, du fait de la résolution élevée et du positionnement précis des régions 219 d'impureté isolantes, un plus grand nombre de composants électriques peuvent être formés pour une superficie donnée de la surface
principale 215 du corps semiconducteur 210, ce qui permet d'aug-
menter la qualité et les performances des circuits intégrés.
La couche d'oxyde 223 -et la couche de passivation 224, l'électrode 225 de la source, l'électrode 226 du drain
et l'électrode 227 de grille sont formées ensuite successive-
ment sur la surface principale 215 du corps semiconducteur 210 par des techniques classiques de croissance d'oxyde, de
photo-incision et de métallisation afin de compléter le tran-
sistor et le circuit intégré.
Dans le corps semiconducteur 310 représenté à la
figure 4, une région d'impureté à gradient variable de concen-
tration est formée suivant la présente invention. La région
d'impureté représentée est ensevelie dans le corps semiconduc-
teur 310 ou au voisinage des surfaces principales 211 ou 213 si on le désire. La région d'impureté peut ainsi être utilisée
dans diverses applications.
La figure 4 représente la relation entre la forme du modificateur 313 de faisceau et la région 314 d'impureté formée dans le corps semiconducteur 310. Les faces 315, 316
248470 1
et 317 ont des formes et des longueurs qui correspondent res-
pectivement aux épaisseurs et aux gradients de concentration d'impuretés des parties 318e 319 et 320. L'épaisseur maximale du modificateur 313 correspond à la distance qui sépare la région 314 d'impureté de la surface principale> 311, étant don- nés le matériau qui constitue le modificateur 313 et l'énergie
du faisceau ionique 320 dirigé vers le modificateur de fais-
ceau. Le faisceau ionique transmis 321 correspond donc au po-
sitionnement souhaité d'ensemble et au profil de concentra-
tion de l'impureté 314 à former dans le corps semiconducteur 310. La région d'impureté 314 est ainsi formée par le
positionnement du corps semiconducteur 310 en vue de son ir-
radiation à travers la surface principale 311, choisie comme référence, par le faisceau ionique 320 transmis à travers le
modificateur 313 de faisceau, et par l'irradiation de la sur-
face principale 311 du corps semiconducteur 310 par le fais-
ceau ionique modifié 321 pendant que le modificateur 313 os-
cille comme l'indique la figure 4. La forme relative du gra-
dient de dosage de la région 314 d'impureté est représentée
par le petit graphique à droite de la figure 4.
La figure 5 représente un deuxième corps semicon-
ducteur 1310 dans lequel est formée une région d'impureté avec un gradient de concentration d'impuretés suivant la présente invention. Les éléments et leurs relations sont les mêmes que ceux qui ont été décrits en rapport avec la figure 4 et ils sont identifiés par le préfixe "1". Les différences résident dans le positionnement de la région 1314 d'impureté avoisinant la surface principale 1311 choisie comme référence, le gradient de concentration des impuretés de la région 1314 d'impureté
et la forme correspondante du modificateur 1313 de faisceau.
Les faces formées 1315 sont paraboliques et elles fournissent
à la région 1314 d'impureté un profil parabolique de concen-
tration des impuretés, comme le montre le mieux le petit gra-
phique à gauche de la figure 5.
La figure 6 représente un troisième corps semiconduc-
teur 2310 dans lequel sont formées simultanément deux régions d'impureté avec des gradients différents de concentration Q 'impuretés suivant la présente invention. Les éléments et leurs relations sont les mêmes que ceux qui ont été décrits
en rapport avec la figure 4 et ils sont identifiés par le pré-
fixe "2". Les différences résident dans le positionnement et les gradients de concentration des régions d'impureté et dans la forme correspondante du modificateur 2313 de faisceau. Les
faces 2315 et 2316 sont en forme de fonction échelon, les fa-
ces 2315 correspondant à un profil de concentration de dis-
tribution gaussienne pour la région ensevelie 2318 d'impureté tandis que les faces 2316 correspondent à un profil inverse de concentration de distribution gaussienne pour la région ensevelie 2319 d'impureté. Les gradients de concentration des
régions 2318 et 2319 d'impureté et leurs relations dans l'es-
pace l'un par rapport à l'autre sont le mieux représentés par
le petit graphique à gauche de la figure 6.
Comme le représentent les figures 4, 5 et 6, la pré-
sente invention fournit une souplesse de positionnement des régions d'impureté et elle donne à ces régions d'impureté des profils de concentration inconnus jusqu'à présent. En outre, la présente invention fournit une vitesse et une précision de
formation d'impuretés, inconnues jusqu'à présent.
La présente invention n'est pas limitée aux exemples
de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au con-
traire susceptible de variantes et de modifications qui appa-
raitront à l'homme de l'art.

Claims (5)

REVENDICATIONS
1. Procédé pour fabriquer un semiconducteur pai-
bombardement à l'aide d'un faisceau ionique, caractéris enll ce qu'il comprend les stades de formation d'un modificateur de faisceau afin de modifier un faisceau ionique de manière
à former dans le semiconducteur une région d'impureté d'épais-
seur et de gradient de concentration désirés; d'interposition de ce modificateur de faisceau dans le faisceau ionique; et
d'irradiation du semiconducteur par le faisceau ionique modi-
fié.
2. Procéaé suivant la revendication 1, caractérisé
en ce qu'il comprend en outre le recuit du semiconducteur.
3. Procédé suivant l'une des revendications 1 ou 2,
caractérisé en ce que le modificateur de faisceau est formé
en se référant au déplacement du modificateur pendant l'irra-
diation; et en ce que le modificateur de faisceau se déplace
par rapport au semiconducteur pendant l'irradiation.
4. Procédé suivant l'une des revendications 1, 2 ou
3, caractérisé en ce que le faisceau ionique est sensiblement
monoénergétique.
5. Procédé suivant l'une quelconque des revendica-
tions précédentes, caractérisé en ce que au moins deux ré-
gions d'impuret6 non contagieusessont formées simultanément
dans le semiconducteur.
FR8111869A 1980-06-17 1981-06-16 Procede pour former des regions d'impuretes par irradiation ionique a haute energie dans des corps semiconducteurs, et dispositifs a semiconducteurs fabriques par ce procede Withdrawn FR2484701A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16024480A 1980-06-17 1980-06-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR2484701A1 true FR2484701A1 (fr) 1981-12-18

Family

ID=22576117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8111869A Withdrawn FR2484701A1 (fr) 1980-06-17 1981-06-16 Procede pour former des regions d'impuretes par irradiation ionique a haute energie dans des corps semiconducteurs, et dispositifs a semiconducteurs fabriques par ce procede

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS586301B2 (fr)
BE (1) BE889247A (fr)
BR (1) BR8103773A (fr)
CA (1) CA1162326A (fr)
DE (1) DE3123949A1 (fr)
FR (1) FR2484701A1 (fr)
GB (1) GB2078441A (fr)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6039686U (ja) * 1983-08-24 1985-03-19 株式会社　大喜 盆灯篭
DE3402653A1 (de) * 1984-01-26 1985-08-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung speziell dotierter bereiche in halbleitermaterial
GB2156383A (en) * 1984-02-06 1985-10-09 Plessey Co Plc Infra-red material structures
DE3404834A1 (de) * 1984-02-08 1985-08-08 Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung Berlin GmbH, 1000 Berlin Halbleiter-leistungsbauelement, insbesondere thyristor und gridistor, sowie verfahren zu dessen herstellung
JPS623776A (ja) * 1985-06-29 1987-01-09 Zojirushi Vacuum Bottle Co 冷凍食品の解凍方法及びその制御装置
JPH0334488Y2 (fr) * 1985-09-19 1991-07-22
SE454309B (sv) * 1986-08-29 1988-04-18 Stiftelsen Inst Mikrovags Forfarande att framstella tunna ledande eller halvledande skikt inbeddade i kisel medelst implantering av metallatomer
US4816421A (en) * 1986-11-24 1989-03-28 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method of making a heteroepitaxial structure by mesotaxy induced by buried implantation
JPH05198666A (ja) * 1991-11-20 1993-08-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
EP0584436A1 (fr) * 1992-08-26 1994-03-02 Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Procédé pour la fabrication de régions profondes ayant des concentrations de dopage différentes dans les dispositifs à semiconducteurs monolithiques
US5317787B1 (en) * 1992-10-01 1995-11-28 Thomas & Betts Corp Cable tie having improved tail gripping and holding feature
US5364800A (en) * 1993-06-24 1994-11-15 Texas Instruments Incorporated Varying the thickness of the surface silicon layer in a silicon-on-insulator substrate
DE10006523A1 (de) * 2000-02-15 2001-08-23 Infineon Technologies Ag Implantationsmaske für Hochenergieionenimplantation
JP2007287973A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Toyota Motor Corp ステンシルマスクとその利用方法とそれを利用する荷電粒子注入装置
DE102015202121B4 (de) * 2015-02-06 2017-09-14 Infineon Technologies Ag SiC-basierte Supersperrschicht-Halbleitervorrichtungen und Verfahren zur Herstellung dieser
DE102015114429B4 (de) 2015-08-28 2017-05-11 Infineon Technologies Ag Partikelbestrahlungsgerät, Strahlmodifikatorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer Junctionabschlussextensionszone
DE102016110429A1 (de) * 2016-06-06 2017-12-07 Infineon Technologies Ag Energiefilter zum Verarbeiten einer Leistungshalbleitervorrichtung
CN111599504B (zh) * 2020-05-29 2022-05-17 中国科学院近代物理研究所 一种重离子辐照系统及辐照方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4035226A (en) * 1975-04-14 1977-07-12 Rca Corporation Method of preparing portions of a semiconductor wafer surface for further processing
GB2030361A (en) * 1978-08-30 1980-04-02 Philips Nv Method of manufactureing semiconductor devices

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4968660A (fr) * 1972-11-04 1974-07-03

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4035226A (en) * 1975-04-14 1977-07-12 Rca Corporation Method of preparing portions of a semiconductor wafer surface for further processing
GB2030361A (en) * 1978-08-30 1980-04-02 Philips Nv Method of manufactureing semiconductor devices

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
EXBK/76 *

Also Published As

Publication number Publication date
BR8103773A (pt) 1982-03-09
BE889247A (fr) 1981-12-16
CA1162326A (fr) 1984-02-14
JPS5727027A (en) 1982-02-13
JPS586301B2 (ja) 1983-02-03
GB2078441A (en) 1982-01-06
DE3123949A1 (de) 1982-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2484701A1 (fr) Procede pour former des regions d'impuretes par irradiation ionique a haute energie dans des corps semiconducteurs, et dispositifs a semiconducteurs fabriques par ce procede
Sullivan Diffusion and solubility of Cu in CdS single crystals
US3622382A (en) Semiconductor isolation structure and method of producing
FR2530867A1 (fr) Dispositifs mos a barriere de schottky et leur procede de fabrication
FR2498812A1 (fr) Structure de transistors dans un circuit integre et son procede de fabrication
US5227315A (en) Process of introduction and diffusion of platinum ions in a slice of silicon
FR2481518A1 (fr) Procede de realisation d'un dispositif semiconducteur comportant des transistors a effet de champ complementaires
JP2018182211A (ja) エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
FR2575601A1 (fr) Procede et dispositif de determination de parametres electriques d'une couche semi-conductrice en fonction de la profondeur
EP0075368B1 (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur en GaAs par implantations ioniques, ainsi que substrat et dispositif ainsi obtenus
EP0750339A1 (fr) Procédé de fabrication de transistors
US4138280A (en) Method of manufacture of zener diodes
Suh et al. Modeling of boron and phosphorus implantation into (100) germanium
FR2536212A1 (fr) Diode zener ou a avalanche enterree a faible tension et procede de fabrication
EP0002421B1 (fr) Procédé de neutralisation des charges positives contenues dans l'isolant de porte d'au moins un transistor à effet de champ à porte isolée
FR2517120A1 (fr) Procede de fabrication d'un composant semiconducteur par diffusion avec implantation ionique prealable et composant obtenu
FR2941816A1 (fr) Methode de caracterisation d'un procede d'implantation ionique.
EP0322303B1 (fr) Dispositif de transfert de charges à abaissement de potentiel de transfert en sortie, et procédé de fabrication de ce dispositif
FR2508703A1 (fr) Diode zener compensee en temperature et stable sous irradiation et procede de fabrication d'une telle diode
FR2514559A1 (fr) Dispositif a semi-conducteurs, notamment transistor planar comportant une isolation dielectrique formee par un polyimide et procede de fabrication d'un tel dispositif
EP2731141A1 (fr) Procédé de réalisation d'un transistor à effet de champ à canal SiGe par implantation ionique
US3666567A (en) Method of forming an ohmic contact region in a thin semiconductor layer
FR2529715A1 (fr) Procede d'optimisation du dopage dans un transistor mos
FR2533367A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif possedant un circuit a transistors a effet de champs a grille isolee complementaire et un circuit logique integre a injection sur le meme substrat semiconducteur
FR2670950A1 (fr) Procede et appareil pour le traitement de recuit des dispositifs a semiconducteur.

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse