FR2461282A1 - Procede ameliore de photogravure au moyen de caches de transfert, sur pastilles monocristallines - Google Patents
Procede ameliore de photogravure au moyen de caches de transfert, sur pastilles monocristallines Download PDFInfo
- Publication number
- FR2461282A1 FR2461282A1 FR8014710A FR8014710A FR2461282A1 FR 2461282 A1 FR2461282 A1 FR 2461282A1 FR 8014710 A FR8014710 A FR 8014710A FR 8014710 A FR8014710 A FR 8014710A FR 2461282 A1 FR2461282 A1 FR 2461282A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- covers
- cover
- photograving
- improved
- electronic devices
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000008188 pellet Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007937 lozenge Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
L'INVENTION EST RELATIVE A UN PROCEDE AMELIORE DE PHOTOGRAVURE DE PASTILLES MONOCRISTALLINES POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES A L'AIDE DE CACHES, CARACTERISE EN CE QUE LE CACHE A TRAVERS LEQUEL LE PATRON DONT IL EST POURVU EST TRANSFERE SUR LA PASTILLE AU MOYEN DE LUMIERE ULTRAVIOLETTE, REVET UNE FORME ESSENTIELLEMENT CIRCULAIRE.
Description
1 2461282
La présente invention est relative à un procédé amélioré de photogravure, et plus particulièrement à un procédé amélioré de photogravure pour la fabrication de divers types de dispositifs électroniques tels que circuits intégrés, mémoires magnétiques à bulles et similaires. Il est bien connu que les procédés de fabrication de divers types de dispositifs électroniques tels que circuits intégrés et mémoires à bulles magnétiques nécessitent au moins un stade de photogravure afin d'obtenir la fine structure recherchée sur la
surface du support selon les besoins de chaque type de disposi-
tif. est le suivant Le procédé type de photogravure /en prenant comme exemple
la gravure d'une surface revêtue de SiO2 d'une pastille micro-
cristalline d'un semiconducteur à silicium de haute pureté.
La surface de la pastille recouverte de SiO2 est d'abord munie
d'une couche mince d'une photorésine, qui peut être du type né-
gatif ou positif, puis soumise à une irradiation selon un réseau avec de la lumière ultraviolette ou lointaioe ultraviolette à travers un cache, afin de provoquer le photodurcissement de la
matière du photorésist dans les zones exposées à la lumière.
La pastille, munie de la couche de photorésist durcie selon un réseau est d'abord traitée avec une solution de développement afin d'éliminer par dissolution la matière du photorésist qui n'a pas durci tandis que les zones durcies ne sont pas attaquées
et sont traitées ensuite avec une solution d'acide HF pour dis-
soudre la couche de SiO2 aux endroits non protégés par la couche de photorésist durcie, de manière à mettre à nu le silicium du support.
Le cache ci-dessus mentionné est transparent à effet néga-
tif ou positif et composé d'un patron sur une plaquette trans-
parente. La matière utilisée le plus souvent dans l'art anté-
rieur pour confectionner cette plaquette de support est le verre.
Il est étonnant de constater que ces caches utilisés dans la fa-
brication des dispositifs électroniques ont toujours eu une forme carrée ou rectangulaire, malgré le fait que la pastille ou les
autres supports sur lesquels le patron du cache doit être trans-
féré sont dans la plupart des cas de forme circulaire.
En outre, les caches doivent être fréquemment lavés et nettoyés car leurs surfaces sont sujettes aux dépôt de poussières
2 2461282
ou de saletés pendant l'utilisation. Ce lavage est fréquemment effectué en mettant le cache sur un support spécial. En dehors des périodes d'utilisation, les caches sont conservés dans une boîte spéciale. En raison de la forme rectangulaire les caches conventionnels doivent être manipulés de façon différente des pastilles qui sont dans la plupart des cas circulaires et des
supports et des bottes conçus spécialement pour les caches rec-
tangulaires sont nécessaires, mais leur emploi est mal commode
pour un contrôle adéquat du procédé de photogravure.
La présente invention a pour conséquent pour objet un pro-
cédé amélioré de photogravure pour la fabrication de disposi-
tifs électroniques ne présentant pas les inconvénients des tech-
niques connues ci-dessus indiqués, permettant non seulement
d'améliorer l'efficacité de la photogravure mais aussi l'entre-
tien des masques, c'est-à-dire le lavage et le stockage, peut
être grandement simplifié.
Ainsi l'amélioration du stade de photogravure dans un pro-
cédé de fabrication de dispositifs électroniques par l'emploi d'un cache, qui fait l'objet de la présente invention, consiste
à pourvoir une pastille microcristalline d'une structure de sur-
face selon un patron par exposition à la lumière à travers un cache de forme circulaire muni du patron en questions L'objet de l'invention est. représenté schématiquement dans les dessins annexés dans lesquels - la figure 1 montre la forme extérieure d'un modèle typique des caches selon l'invention, - la figure 2 montre un cache selon l'invention muni d'une base plate d'orientation; - la figure 3 montre un cache selon l'invention muni d'une
encoche.
On a découvert que la forme des caches constitue la clef
pour une amélioration du procédé de photogravure pour la fabri-
cation de dispositifs électroniques, et des caches de formes
très variées ont été mis à l'essai dans les procédés de photo-
gravure conventionnels et on-a constaté que les caches ronds
donnent les meilleurs résultats sans aucun inconvénient.
En outre, les caches circulaires peuvent être manipulés de façon similaire aux pastilles et on n'a pas besoin de supports et de boîtes spéciaux pour le lavage ou le stockage car on peut
------ -
utiliser les mêmes qui servent pour les pastilles.
On obtient encore un autre avantage appréciable selon l'in-
vention, comme il sera décrit ci-dessous. Depuis quelques années le transfert du patron sur la pastille requiert de plus en plus de finesse et de précision en raison de la progression continue de l'ultraminiaturisation des dispositifs électroniques. Un tel transfert très fidèle des éléments puis du patron est seulement possible pour l'emploi de lumière ultraviolette de très courtes longueurs d'onde pour le photodurcissement à travers un cache, et de ce fait la matière de support du cache doit concurremment être hautement transparente à la lumière ultra-violette de ces courtes longueurs d'onde. Etant donné que le verre ne donne pas satisfaction à cet égard, on remplace les supports habituels en verre par diverses matières hautement transparentes à la lumière ultraviolette telles que le quartz, le saphir et similaires,
malgré leurs prix élevés.
Compte tenu du fait que le quartz et le saphir sont habi-
tuellement obtenus par croissance sous la forme d'une tige de section presque circulaire, il n'est jamais avantageux au point de vue économique de préparer des caches rectangulaires à partir
d'un tel matériel, en raison des pertes importantes que repré-
sentent les retailles. Au contraire, il est bien plus écono-
mique de fabriquer à partir de cette matière brute des caches circulaires ayant pour conséquence une réduction des frais de
fabrication des caches.
L'invention sera décrite plus en détail ci-après avec réfé-
rence aidessin annexé.
Les figures 1 à 3 représentent chacune schématiquement un cache selon la présente invention. La figure 1 montre le contour
circulaire du modèle de base des caches améliorés selon l'inven-
tion. La figure 2 représente un cache circulaire 1 pourvu d'une
base plate 2 d'orientation obtenue par enlèvement d'un segment.
La figure 3 représente un cache circulaire 1 pourvu d'une encoche sur sa périphérie. La base d'orientation et l'encoche sont utiles pour faciliter un montage précis du cache dans un appareil de
transfert de patron.
La dimension ou le diamètre du cache 1 n'est pas soumis à des limites bien précises et doit être fixé, bien entendu, en fonction du diamètre de la pastille ou de l'étendue du patron
4 2461282
à transférer. D'une façon très approximative on peut dire que le diamètre est avantageusement compris entre 0,5 et 2,0
fois le diamètre de la pastille.
Ainsi qu'il apparaît de la description détaillée ci-dessus,
l'amélioration objet de la présente invention consiste à employer un cache approximativement circulaire à travers lequel le patron dont il est pourvu est transféré sur la surface d'une pastille
monocristalline dans un procédé de photogravure dans la fabrica-
tion de dispositifs électroniques. Cette amélioration est avan-
tageuse en ce qu'elle permet une manipulation très simplifiée des aaches au cours du lavage, du transport et du stockage qui peuvent être effectués par les mêmes moyens utilisés pour les pastilles, ainsi qu'en une réduction considérable des frais de
fabrication des caches eux-mêmes.
Claims (3)
1.- Procédé amélioré de photogravure de pastilles monocris-
tallines pour la fabrication de dispositifs électroniques à l'aide de caches, caractérisé en ce que le cache à travers lequel le patron dont il est pourvu est transféré sur la pastille au moyen de lumière ultraviolette, revêt une forme essentiellement circulaire.
2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le cache essentiellement circulaire est pourvu d'une base plate
d'orientation.
3.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le cache essentiellement circulaire est pourvu d'au moins une
encoche à sa périphérie.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8606479A JPS5610928A (en) | 1979-07-07 | 1979-07-07 | Preparation of electronic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2461282A1 true FR2461282A1 (fr) | 1981-01-30 |
Family
ID=13876262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8014710A Withdrawn FR2461282A1 (fr) | 1979-07-07 | 1980-07-02 | Procede ameliore de photogravure au moyen de caches de transfert, sur pastilles monocristallines |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5610928A (fr) |
| DE (1) | DE3025488A1 (fr) |
| FR (1) | FR2461282A1 (fr) |
| GB (1) | GB2054903A (fr) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5946026A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Toshiba Corp | 試料位置測定方法 |
| JPH01278019A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Canon Inc | リソグラフィ用マスクの構造体 |
| DE19815295C2 (de) | 1998-04-06 | 2003-05-15 | Rheinmetall W & M Gmbh | Aus einem Waffenrohr verschießbares drallstabilisiertes Artilleriegeschoß |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3892973A (en) * | 1974-02-15 | 1975-07-01 | Bell Telephone Labor Inc | Mask structure for X-ray lithography |
| JPS5229063U (fr) * | 1975-08-20 | 1977-03-01 | ||
| DE2658133A1 (de) * | 1975-12-29 | 1977-07-07 | Ibm | Selbsttragende bestrahlungsmaske mit durchgehenden oeffnungen und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4037111A (en) * | 1976-06-08 | 1977-07-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for X-ray lithography |
| JPS53135278A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Photomask for photomechanics |
| WO1980000634A1 (fr) * | 1978-09-13 | 1980-04-03 | Western Electric Co | Structure de masquage pour les radiations |
| WO1980002605A1 (fr) * | 1979-05-23 | 1980-11-27 | Western Electric Co | Structure de masque pour lithographie a rayons x |
-
1979
- 1979-07-07 JP JP8606479A patent/JPS5610928A/ja active Pending
-
1980
- 1980-07-02 FR FR8014710A patent/FR2461282A1/fr not_active Withdrawn
- 1980-07-04 DE DE19803025488 patent/DE3025488A1/de not_active Withdrawn
- 1980-07-04 GB GB8022078A patent/GB2054903A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3892973A (en) * | 1974-02-15 | 1975-07-01 | Bell Telephone Labor Inc | Mask structure for X-ray lithography |
| FR2261622A1 (fr) * | 1974-02-15 | 1975-09-12 | Western Electric Co | |
| JPS5229063U (fr) * | 1975-08-20 | 1977-03-01 | ||
| DE2658133A1 (de) * | 1975-12-29 | 1977-07-07 | Ibm | Selbsttragende bestrahlungsmaske mit durchgehenden oeffnungen und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4037111A (en) * | 1976-06-08 | 1977-07-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for X-ray lithography |
| FR2354582A2 (fr) * | 1976-06-08 | 1978-01-06 | Western Electric Co | Caches opaques aux rayons x et procede de realisation de dispositifs electroniques a l'aide de tels caches |
| JPS53135278A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Photomask for photomechanics |
| WO1980000634A1 (fr) * | 1978-09-13 | 1980-04-03 | Western Electric Co | Structure de masquage pour les radiations |
| WO1980002605A1 (fr) * | 1979-05-23 | 1980-11-27 | Western Electric Co | Structure de masque pour lithographie a rayons x |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ABJP/79 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2054903A (en) | 1981-02-18 |
| DE3025488A1 (de) | 1981-02-26 |
| JPS5610928A (en) | 1981-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7432212B2 (en) | Methods of processing a semiconductor substrate | |
| FR2877264A1 (fr) | Plaque d'impression et procede pour fabriquer celle-ci. | |
| US6209553B1 (en) | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask | |
| JP2007208233A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
| CN112034540B (zh) | 微凸透镜阵列结构的加工方法 | |
| FR2497403A1 (fr) | Procede de formation de reseaux extremement fins en particulier pour la fabrication de transistors | |
| FR2461282A1 (fr) | Procede ameliore de photogravure au moyen de caches de transfert, sur pastilles monocristallines | |
| EP0441450A1 (fr) | Procédé de réalisation par autoalignement, d'un dispositif semiconducteur intégré, comprenant au moins la formation d'un premier contact d'électrode encapsulé et muni d'espaceurs et d'un second contact d'électrode autoaligné sur celui-ci | |
| CN102096316A (zh) | 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法 | |
| EP3789825B1 (fr) | Procédé pour fabriquer une pluralité de micropièces | |
| US8470515B2 (en) | Method of forming an etch mask | |
| CN109557774A (zh) | 光刻胶去除方法及铝制程工艺方法 | |
| TW420850B (en) | Process for production of semiconductor device and cleaning device used therein | |
| EP3913433B1 (fr) | Procédé de fabrication de moules pour lithographie par nano-impression et procédé de fabrication d'un calculateur à réseaux de neurones récurrents | |
| JP2006119292A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| US20180182721A1 (en) | Wafer structure and spray apparatus | |
| JPH07283194A (ja) | 洗浄・乾燥方法と洗浄装置 | |
| EP2077467B1 (fr) | Procédé de fabrication de photomasques et dispositif pour sa mise en oeuvre | |
| TW201417163A (zh) | 晶圓邊緣修整方法 | |
| JP4296779B2 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| Noach et al. | Microlens arrays based on chalcogenide glass resists using the proximity microlithography method | |
| JP2000223457A (ja) | 半導体装置の洗浄方法及び洗浄装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20000006852A (ko) | 쉐도우 마스크를 이용한 웨이퍼상에 금속 패턴을 형성하는방법 | |
| US20050260503A1 (en) | Reticle film stabilizing method | |
| US10488749B2 (en) | Photomask and method of forming the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |