FR1341482A - Procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur de grande pureté, en particulier de silicium - Google Patents

Procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur de grande pureté, en particulier de silicium

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0090321A2 (fr) * 1982-03-29 1983-10-05 Hüls Aktiengesellschaft Réacteur et procédé pour la fabrication de silicium semi-conducteur

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0090321A2 (fr) * 1982-03-29 1983-10-05 Hüls Aktiengesellschaft Réacteur et procédé pour la fabrication de silicium semi-conducteur
EP0090321A3 (fr) * 1982-03-29 1986-05-14 Hüls Aktiengesellschaft Réacteur et procédé pour la fabrication de silicium semi-conducteur

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