FI87660B - Foerfarande och anordning foer dragning av monokristaller - Google Patents
Foerfarande och anordning foer dragning av monokristaller Download PDFInfo
- Publication number
- FI87660B FI87660B FI885595A FI885595A FI87660B FI 87660 B FI87660 B FI 87660B FI 885595 A FI885595 A FI 885595A FI 885595 A FI885595 A FI 885595A FI 87660 B FI87660 B FI 87660B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- crucible
- melt
- post
- loading
- electrical
- Prior art date
Links
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 4
- 239000012526 feed medium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001137251 Corvidae Species 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 235000015108 pies Nutrition 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000008207 working material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D9/00—Level control, e.g. controlling quantity of material stored in vessel
- G05D9/12—Level control, e.g. controlling quantity of material stored in vessel characterised by the use of electric means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Claims (6)
1. Förfarande för dragning av monokristaller (61) ur en i en degel (14,28) befintlig smälta under vakuum 5 eller i en skyddsgasatmosfär under nedsatt tryck, medelst en anordning innefattande en degel (14,28), som är anord-nad 1 en vakuumkammare (52) pä en stödbult (26) för degeln och uppvärmbar genom värmesträlning frän ett uppvärmnings-element (10,59) och i samband med vilken är anordnat ett 10 dragelement (49) ovanför smältan, medelst vilket element monokristallen är utdragbar frän smältans yta (55) uppät och ± samband med vilken är utformat ett matningsrör (23), vars päfyllningstratt (24) slutar ovanom degeln (14, 28) och över vilken ett beskickningsmaterial frän en efter-15 beskickningsanordning (72) är efterät päfyllbart i degeln (14,28) under dragningsoperationen, känneteck-n a t därav, att degelns (14,28) efterbesckickning sker, beroende av i vart och ett fall av mängden av smälta i degeln (14,28) efter en nedsänkning av smältans yta (55) 20 under en given nivä, tili en Övre päfyllningsnivä ovanom den givan nivän sä att smältans yta (55) under kristallens dragningsoperation regelbundet stiger och sjunker i för-hällande tili den givna nivän under pendling upp och ner.
2. Anordning för genomförande av förfarandet enligt 25 patentkravet 1, kännetecknad avi en ovandel (4’) av en panna (4) anordnade stutsar (63, 66) för fäs-• tande av en anordning (65 - 68) för undersökning av av- ständet av smältans yta (55) i förhällande tili degelns kant (73), varvid en vid en nedre behällare (76) anordnad 30 transportör för partiklar vid en efterbeskickningsanord-ning (72) fungerar i beroende av impulser eller signaler alstrade av undersökningsanordningen (65 - 68).
3. Anordning enligt patentkravet 2, kännetecknad därav, att signalerna utgäende frän anord- ; 35 ningarna (65 - 68) för kontroll av smältans yta bearbetas i4 87660 genom en elektrisk kopplingskrets (74) innefattande ett kopplingsprogram till elektriska impulser och ledes för till- och fränkoppling eller kontroll av en skakningsan-ordning vid efterbeskickningsanordningen (72).
4. Anordning enligt patentkravet 2 eller 3, k ä n- netecknad därav, att anordningen (63 - 68) för undrsökning av avständet av smältans yta (55) i förhällan-de tili degelns kant (73) utgöres av en signalavsändare (65), exempelvis en laserljuskälla, och av en signalmotta-10 gare (68), exempelvis en laserijusmottagare, varvid värden alstrade av dessa bäda anordningar ledes genom elektriska signalledningar (77, 78) för vidare bearbetning tili en elektrisk kopplingskrets eller en programregleringsanord-ning (74), som i sin tur via en elektrisk signalledning 15 (79) är förbunden med transportören eller skakningsanord- ningen vid efterbeskickningsanordningen (72).
5. Anordning enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknad därav, att mätningsvärdet frän anordningen (63 - 68, 74, 77, 78) för regiering av nivän 20 hos smältans yta är anordnat att utnyttjas vid det att behällaren för smältan, särskilt degeln (14,28), föres under regleringen uppät och nedät sä att smältans yta ä ena sidan fäs tili inställningsvärdet eller närä inställ-ningsvärdet och ä andra sidan sä att man undviker det att 25 smältans yta alltid skulle vara pä samina avständ frän degelns kant.
6. Anordning enligt nägot av föregäende patentkrav, kännetecknad därav, att degelns axel (25) är anordnad vid en undre del (3, 80) hos anordningen för- 30 skjutbar i längsriktning och den är medelst en elektrome-kaniskt eller elektrohydrauliskt fungerande lyftanordning (81 - 84) i beroende av signalerna frän anordningen (63 - 68, 74, 77, 78) för kontroll av smältans yta (55), tillsammans med degelns stödbult (26), en stöddegel (14) - 35 och en degelinsats (28) förskjutbar uppät och/eller nedät
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3806917 | 1988-03-03 | ||
| DE3806917 | 1988-03-03 |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI885595A0 FI885595A0 (fi) | 1988-12-01 |
| FI885595A FI885595A (fi) | 1989-09-04 |
| FI87660B true FI87660B (fi) | 1992-10-30 |
| FI87660C FI87660C (sv) | 1993-02-10 |
Family
ID=6348748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI885595A FI87660C (sv) | 1988-03-03 | 1988-12-01 | Förfarande och anordning för dragning av monokristaller |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2740239B2 (sv) |
| DE (1) | DE3904858C2 (sv) |
| FI (1) | FI87660C (sv) |
| IT (2) | IT8823017A0 (sv) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2662803B1 (fr) * | 1990-05-31 | 1992-09-04 | Aerospatiale | Dispositif et installation de cristallogenese pourvus de moyens d'observation. |
| DE69132009T2 (de) * | 1991-04-26 | 2000-08-03 | Mitsubishi Materials Corp., Tokio/Tokyo | Verfahren zum ziehen von einkristallen |
| DE4123336A1 (de) * | 1991-07-15 | 1993-01-21 | Leybold Ag | Kristallziehverfahren und vorrichtung zu seiner durchfuehrung |
| DE4301072B4 (de) * | 1993-01-16 | 2006-08-24 | Crystal Growing Systems Gmbh | Verfahren zum Ziehen von Einkristallen aus einer Schmelze |
| DE10120730B4 (de) | 2001-04-27 | 2006-08-24 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Phasengrenze |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3740563A (en) * | 1971-06-25 | 1973-06-19 | Monsanto Co | Electroptical system and method for sensing and controlling the diameter and melt level of pulled crystals |
| DE2149093C3 (de) * | 1971-10-01 | 1975-07-24 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Vorrichtung zur Züchtung von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze |
| JPS5130528Y2 (sv) * | 1972-03-21 | 1976-07-31 | ||
| JPS5013862U (sv) * | 1973-06-04 | 1975-02-13 | ||
| DE2337169C2 (de) * | 1973-07-21 | 1975-06-26 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Ziehen von Einkristallstäben |
| BE872578A (fr) * | 1978-12-06 | 1979-03-30 | Centre Rech Metallurgique | Dispositif pour controler la surface de la charge d'un four a cuve |
| DE2903061A1 (de) * | 1979-01-26 | 1980-08-07 | Heliotronic Gmbh | Verfahren zur herstellung grosskristalliner vorzugsorientierter siliciumfolien |
| US4282184A (en) * | 1979-10-09 | 1981-08-04 | Siltec Corporation | Continuous replenishment of molten semiconductor in a Czochralski-process, single-crystal-growing furnace |
| US4410494A (en) * | 1981-04-13 | 1983-10-18 | Siltec Corporation | Apparatus for controlling flow of molten material between crystal growth furnaces and a replenishment crucible |
| US4454096A (en) * | 1981-06-15 | 1984-06-12 | Siltec Corporation | Crystal growth furnace recharge |
| US4508970A (en) * | 1982-07-15 | 1985-04-02 | Motorola, Inc. | Melt level sensing system and method |
| DE3407456A1 (de) * | 1984-02-29 | 1985-09-05 | Werner & Mertz Gmbh, 6500 Mainz | Kombiniertes reinigungs-/bleich-mittel fuer die behandlung des spuelwassers von toilettenautomaten und dessen anwendung |
| CA1261715A (en) * | 1984-07-06 | 1989-09-26 | General Signal Corporation | Apparatus and process for growing monocrystals of semiconductor materials from shallow crucibles by czochralski technique |
| JPS6153190A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-17 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 結晶ブ−ル成長方法 |
| JPS6186493A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体結晶引上機 |
| DD253437A1 (de) * | 1986-10-22 | 1988-01-20 | Freiberg Spurenmetalle Veb | Verfahren und anordnung zur ueberwachung und regelung von kristallzuechtungsprozessen |
-
1988
- 1988-12-01 FI FI885595A patent/FI87660C/sv not_active IP Right Cessation
- 1988-12-20 IT IT8823017A patent/IT8823017A0/it unknown
-
1989
- 1989-02-17 DE DE3904858A patent/DE3904858C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-02 JP JP1048665A patent/JP2740239B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-03 IT IT8919640A patent/IT1229561B/it active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT8823017A0 (it) | 1988-12-20 |
| JP2740239B2 (ja) | 1998-04-15 |
| IT8919640A0 (it) | 1989-03-03 |
| JPH01317187A (ja) | 1989-12-21 |
| FI87660C (sv) | 1993-02-10 |
| FI885595A (fi) | 1989-09-04 |
| DE3904858A1 (de) | 1989-09-14 |
| DE3904858C2 (de) | 2001-06-07 |
| FI885595A0 (fi) | 1988-12-01 |
| IT1229561B (it) | 1991-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7279128B2 (en) | Molten metal pressure pour furnace and metering valve | |
| KR101216256B1 (ko) | 단결정 실리콘 연속성장 시스템 및 방법 | |
| EP0537988B1 (en) | An apparatus for supplying granular raw material for a semiconductor single crystal pulling apparatus | |
| US20120266808A1 (en) | Side feed system for czochralski growth of silicon ingots | |
| JPS6337313B2 (sv) | ||
| JP2008531444A5 (sv) | ||
| FI87660B (fi) | Foerfarande och anordning foer dragning av monokristaller | |
| AU632886B2 (en) | Melt replenishment system for dendritic web growth | |
| US5902395A (en) | Method for feeding granular silicon material, feed pipe used in the method, and method of manufacturing a silicon monocrystal | |
| EP0196809B1 (en) | Apparatus for melting waste | |
| EP0366310B1 (en) | Dispensing apparatus for molten metal and method thereto | |
| US3960503A (en) | Particulate material feeder for high temperature vacuum system | |
| KR101267453B1 (ko) | 원료 투입기 | |
| CN112805121B (zh) | 气动凿锤 | |
| US5180562A (en) | Apparatus for pulling monocrystals | |
| JPH0711396B2 (ja) | 溶融金属撹拌装置 | |
| JPH0523580Y2 (sv) | ||
| US20130098290A1 (en) | Side feed system for czochralski growth of silicon ingots | |
| WO2022144387A1 (en) | Use of buffer members during growth of single crystal silicon ingots | |
| US3632099A (en) | Molten metal supplying apparatus | |
| JPH03290392A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| KR20120133017A (ko) | 피드유닛 및 이를 구비하는 잉곳 성장장치 | |
| US4934664A (en) | Melting trough for melting metal with sensor | |
| JPH11255576A (ja) | シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 | |
| JP3719329B2 (ja) | シリコン単結晶用引上げ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TC | Name/ company changed in patent |
Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING |
|
| MM | Patent lapsed | ||
| MM | Patent lapsed |
Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG |