FI84960B - Lysaemnesskikt foer elektroluminescensdisplay. - Google Patents

Lysaemnesskikt foer elektroluminescensdisplay. Download PDF

Info

Publication number
FI84960B
FI84960B FI903633A FI903633A FI84960B FI 84960 B FI84960 B FI 84960B FI 903633 A FI903633 A FI 903633A FI 903633 A FI903633 A FI 903633A FI 84960 B FI84960 B FI 84960B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
layer
activator
layers
doping
doped
Prior art date
Application number
FI903633A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI903633A0 (fi
FI903633A (fi
FI84960C (sv
Inventor
Gitte Haerkoenen
Kari Haerkoenen
Runar Toernqvist
Original Assignee
Planar Int Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Planar Int Oy filed Critical Planar Int Oy
Priority to FI903633A priority Critical patent/FI84960C/sv
Publication of FI903633A0 publication Critical patent/FI903633A0/fi
Priority to US07/727,662 priority patent/US5314759A/en
Priority to DE4123230A priority patent/DE4123230B4/de
Priority to JP3176531A priority patent/JP2812585B2/ja
Publication of FI903633A publication Critical patent/FI903633A/fi
Publication of FI84960B publication Critical patent/FI84960B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI84960C publication Critical patent/FI84960C/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/18—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/261—In terms of molecular thickness or light wave length
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Claims (17)

1. Lysämnesskikt (4) för elektroluminescensbildskärm, bestäende av ovanpä varandra belägna matrlsämnessklkt (7) och växelvis mellan dessa anordnade aktivatordopingsskikt (8), varvid lysämnesskiktet uppvisar ätminstone tvä matris-ämnesskikt (7) och ätminstone ett aktivatordopingsskikt (8), kännetecknat av att aktivatordopingsskiktens tjocklek uppgär tili högst 10 nm, varvid de är sä tunna, att de väsentligen inte avbryter kristalltillväxten mellan mat-risskikten (7).
2. Lysämneskikt (4) enligt patentkrav 1, kännetecknat av att aktivatordopingsskiktet (8) bestär av aktivatorskikt (10), varvid dopingskiktet uppvisar ät-minstone ett aktivatorskikt (10).
3. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav l, kännetecknat av att aktivatordopingsskiktet bestär av ovanpä varandra belägna adapterskikt (9) resp. aktivatorskikt (10), varvid dopingskiktet uppvisar ätminstone ett adapterskikt (9) och ätminstone ett aktivatorskikt (10).
4. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav 2 eller 3, kännetecknat av att aktivatorskiktets (10) tjocklek uppgär tili högst 5 nm, företrädesvis till 1 nm.
5. Lysämneskikt (4) enligt patentkrav 3, kännetecknat av att adapterskiktets (10) tjocklek uppgär tili högst 5 nm, företrädesvis tili 0,5 - 1 nm.
6. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav l, kännetecknat av att det innehäller ätminstone tvä olika aktivatorer.
7. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav l, kännetecknat av att det omfattar ätminstone tvä aktivatordopingsskikt (8), vilka innehäller olika aktivatorer.
8. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav 1, k ä n n e -tecknatav att matrisämnesskiktet (7) bestär av en II i9 8 4 960 - IV förening, företrädesvis zinksulfid (ZnS), eller tili exempel zinkselenid (ZnSe), kadmiumsulfid (CdS), eller en kalkogenid av en alkalisk jordartsmetall, tili exempel kalciumsulfid (CaS), strontiumsulfid (SrS) eller en förening därav, säsom ZnSi_xSex eller Cai_xSrxS.
9. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav 1, k ä n n e - tecknat av att matrisämneskiktet (7) utgörs av strontiumsulfid som är dopad med cerium (SrS:Ce), zinksulfid som är dopad med mangan (ZnS:Mn) eller calsiumsulfid som är dopad med europium (CaS:Eu).
10. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav l, kä n n e -tecknat av att aktivatordopingsskiktet (8) innehäller säsom aktivatorämne mangan (Mn) eller en sällsynt jordme-tall, som cerium (Ce), samarium (Sm), europium (Eu), praseo-dym (Pr), terbium (Tb) eller tulim (Tm).
11. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav 10, k ä n n e - tecknat av att aktivatorskiktet (10) bestär av en II - IV förening, tili exempel ZnS, ZnSe eller CdS, som är dopad med aktivatorämnet, eller en kalkogenid av en alkalisk jordartsmetall, tili exempel MgS, CaO, CaS, SrS, eller BaS, som är dopad med aktivatorämnet.
12. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav 10, k ä n n e -tecknat av att aktivatorskiktet (10) bestär huvud- sakligen av en oxid av en sällsynt jordmetall Ln203, väri Ln är tili exempel Sc, Y, eller Gd, en sulfid av en sällsynt jordmetall Ln2S3, väri Ln är tili exempel Y eller L, eller en oxisulfid av en sällsynt jordmetall Ln2C>2S, väri Ln är tili exempel Y, La, Gd, varvid sagda förening är dopad med aktivatorämnet.
13. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav 10, k ä n n e -tecknat av att aktivatorskiktet bestär huvudsakligen av ett med aktivatorämnet dopat aluminat (M, Ln)AlOx eller gallat (M, Ln)GaOx. 20 8 4 960
14. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav 11, kanne-tecknat av att aktivatorskiktet bestär huvudsakligen av en med aktivatorämnet dopad halid MX2 eller EJ1X3, eller en oxihalld LnOX, väri M är tili exempel Ca, Sr eller Ba, Ln ar Y, LA, Gd eller Ce och X Mr F, Cl, eller Br.
15. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav 3, k ä n n e -tecknat av att adapterskiktet (9) innehäller en metallsulfid, tili exempel aluminiumsulfid (AI2S3), kalciumsulfid (CaS) eller zinkaluminiumspinell (ZnAl2S4).
16. Lysämnesskikt (4) enligt patentkrav 3, k ä n n e -tecknat av att adapterskiktet bestär ä ena sidan av matrisämnet och & andra sidan av en substituent, som substituerar en del av matrisämnets molekyler, tili exempel zinksulfid och kalcium (Zni_xCaxS), zinksulfid och kadmium (Zni_xCdxS) eller zinksulfid oxh selen (Zni_xSexS).
17. Lysämnesskikt (4) enligt nägon av de föregäende patentkraven, kännetecknat av att lysämnes-skiktena (7, 8, 9, 10) bestär av skikt som är framställda atomskikt för atomskikt medelst t.ex. förfarandet Atomic Layer Epitaxy eller förfarandet Molecular Beam Epitaxy. If
FI903633A 1990-07-18 1990-07-18 Lysämnesskikt för elektroluminescensdisplay FI84960C (sv)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI903633A FI84960C (sv) 1990-07-18 1990-07-18 Lysämnesskikt för elektroluminescensdisplay
US07/727,662 US5314759A (en) 1990-07-18 1991-07-09 Phosphor layer of an electroluminescent component
DE4123230A DE4123230B4 (de) 1990-07-18 1991-07-13 Phosphorschicht einer elektrolumineszierenden Komponente
JP3176531A JP2812585B2 (ja) 1990-07-18 1991-07-17 エレクトロルミネセントディスプレイコンポーネントのけい光体層

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI903633 1990-07-18
FI903633A FI84960C (sv) 1990-07-18 1990-07-18 Lysämnesskikt för elektroluminescensdisplay

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI903633A0 FI903633A0 (fi) 1990-07-18
FI903633A FI903633A (fi) 1991-10-31
FI84960B true FI84960B (fi) 1991-10-31
FI84960C FI84960C (sv) 1992-02-10

Family

ID=8530819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI903633A FI84960C (sv) 1990-07-18 1990-07-18 Lysämnesskikt för elektroluminescensdisplay

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5314759A (sv)
JP (1) JP2812585B2 (sv)
DE (1) DE4123230B4 (sv)
FI (1) FI84960C (sv)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4318994C2 (de) * 1993-05-26 1995-04-20 Siemens Ag Gasgefüllter Überspannungsableiter
GB9317408D0 (en) * 1993-08-20 1993-10-06 Ultra Silicon Techn Uk Ltd Ac thin film electroluminescent device
JPH07335382A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Sharp Corp 薄膜ｅｌ素子
DE4435016A1 (de) * 1994-09-23 1996-03-28 Hertz Inst Heinrich Elektrolumineszenzdisplay mit einem Blau/Grün-Strahler, Verfahren zu dessen Herstellung und Vorrichtungen zur Verfahrensdurchführung
US5796120A (en) * 1995-12-28 1998-08-18 Georgia Tech Research Corporation Tunnel thin film electroluminescent device
KR100265859B1 (ko) * 1996-12-21 2000-09-15 정선종 전계방출 디스플레이용 발광입자
US6642650B1 (en) 1998-11-10 2003-11-04 Agfa-Gevaert Refusable personal monitoring device
EP1001277B1 (en) * 1998-11-10 2005-12-07 Agfa-Gevaert Reusable personal radiation monitoring device and method for determining radiation quantity monitored with the device
WO2000057446A1 (en) * 1999-03-19 2000-09-28 Fed Corporation High efficiency electrodes for organic light emitting diode devices
US6771019B1 (en) * 1999-05-14 2004-08-03 Ifire Technology, Inc. Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties
US6322712B1 (en) * 1999-09-01 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Buffer layer in flat panel display
US6570322B1 (en) * 1999-11-09 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Anode screen for a phosphor display with a plurality of pixel regions defining phosphor layer holes
FI117979B (sv) * 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Förfarande för framställning av oxidtunnfilmer
JP3472236B2 (ja) * 2000-04-17 2003-12-02 Ｔｄｋ株式会社 蛍光体薄膜とその製造方法およびｅｌパネル
KR100393046B1 (ko) * 2000-12-29 2003-07-31 삼성에스디아이 주식회사 형광체
FR2820600B1 (fr) * 2001-02-05 2003-05-02 Amouyal Andre Procede pour la fabrication d'un film electroluminescent et application d'un tel film
US6821647B2 (en) * 2001-04-19 2004-11-23 Tdk Corporation Phosphor thin film preparation method, and EL panel
JP2003055651A (ja) * 2001-08-10 2003-02-26 Tdk Corp 蛍光体薄膜およびｅｌパネル
JP2003238953A (ja) * 2002-02-13 2003-08-27 Tdk Corp 蛍光体およびｅｌパネル
US6876146B2 (en) * 2002-03-26 2005-04-05 Tdk Corporation Electroluminescence phosphor multilayer thin film and electroluminescence element
JPWO2005055864A1 (ja) * 2003-12-15 2007-07-05 昭和薬品化工株式会社 口腔用光照射装置
US8049408B2 (en) * 2004-08-10 2011-11-01 Cambridge Display Technology Limited Light emissive device having electrode comprising a metal and a material which is codepositable with the metal
FI117728B (sv) * 2004-12-21 2007-01-31 Planar Systems Oy Flerskiktsstruktur och förfarande för dess framställning
WO2007099883A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and manufacturing method of light-emitting material
CN101395245A (zh) * 2006-03-03 2009-03-25 株式会社半导体能源研究所 发光材料、发光元件、发光器件和电子器件
KR20080110747A (ko) 2006-03-21 2008-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 표시장치 및 전자기기
US20070278948A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of light-emitting material, light-emitting element, and light-emitting device and electronic device
WO2008108254A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light-emitting device
US20090035946A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Asm International N.V. In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors
US8383525B2 (en) * 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
WO2014009601A1 (en) * 2012-06-21 2014-01-16 Beneq Oy Transparent inorganic thin-film electroluminescent display element and method for manufacturing it

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1571620A (en) * 1976-10-29 1980-07-16 Secr Defence Electroluminescent phosphor panels
JPS63158792A (ja) * 1986-12-22 1988-07-01 日本電気株式会社 電界発光素子
JPH0224995A (ja) * 1988-07-14 1990-01-26 Hitachi Maxell Ltd エレクトロルミネセンス素子
JPH0451495A (ja) * 1990-06-18 1992-02-19 Komatsu Ltd 薄膜ｅｌ素子

Also Published As

Publication number Publication date
DE4123230B4 (de) 2005-05-25
FI903633A0 (fi) 1990-07-18
FI903633A (fi) 1991-10-31
JPH04229989A (ja) 1992-08-19
US5314759A (en) 1994-05-24
FI84960C (sv) 1992-02-10
DE4123230A1 (de) 1992-01-23
JP2812585B2 (ja) 1998-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI84960B (fi) Lysaemnesskikt foer elektroluminescensdisplay.
Smets et al. 2SrO· 3Al2 O 3: Eu2+ and 1.29 (Ba, Ca) O, 6Al2 O 3: Eu2+: Two New Blue‐Emitting Phosphors
KR100951065B1 (ko) 알루미네이트계 블루 형광체
EP0740490B1 (en) Thin-film electroluminescent element
KR100417885B1 (ko) 알루미네이트형광체,그것의제조방법및진공자외선-여기발광소자
Sun et al. Electroluminescence and photoluminescence of cerium‐activated alkaline earth thiogallate thin films and devices
KR20080053311A (ko) 형광체
US5939825A (en) Alternating current thin film electroluminescent device having blue light emitting alkaline earth phosphor
US4249108A (en) LaMg Aluminate phosphors activated by europium and lamps incorporating same
US6072198A (en) Electroluminescent alkaline-earth sulfide phosphor thin films with multiple coactivator dopants
CA2352499C (en) Phosphor multilayer and el panel
US5612591A (en) Electroluminescent device
GB2039517A (en) Luminescent materials
JP3268761B2 (ja) 耐熱・耐候性に優れた高輝度・長残光性アルミン酸塩蓄光体
KR100405185B1 (ko) 형광체박막, 그 제조방법 및 전계발광패널
CN101978023A (zh) 荧光体及其制造方法
RU2217467C2 (ru) Стабильный фотолюминофор с длительным послесвечением
KR20040038742A (ko) 진공 자외선 여기 발광 소자용 형광체
JP2863160B1 (ja) 蓄光性蛍光体
US6707249B2 (en) Electroluminescent device and oxide phosphor for use therein
KR100534017B1 (ko) 신규한 지르콘산염계 형광체 조성물
JP3095220B2 (ja) 新規な緑色の発光蛍光体
KR20030068861A (ko) 백색 형광체
JP4249572B2 (ja) 蛍光発光装置とその製造方法
EP0249942A2 (en) Thin film electroluminescent layer material

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Owner name: PLANAR INTERNATIONAL OY