FI117728B - Flerskiktsstruktur och förfarande för dess framställning - Google Patents

Flerskiktsstruktur och förfarande för dess framställning Download PDF

Info

Publication number
FI117728B
FI117728B FI20045495A FI20045495A FI117728B FI 117728 B FI117728 B FI 117728B FI 20045495 A FI20045495 A FI 20045495A FI 20045495 A FI20045495 A FI 20045495A FI 117728 B FI117728 B FI 117728B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
layer
precursor
thickness
oxide
refractive index
Prior art date
Application number
FI20045495A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20045495A0 (sv
FI20045495A (sv
Inventor
Kari Haerkoenen
Jarmo Maula
Anguel Nikolov
Original Assignee
Planar Systems Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Planar Systems Oy filed Critical Planar Systems Oy
Priority to FI20045495A priority Critical patent/FI117728B/sv
Publication of FI20045495A0 publication Critical patent/FI20045495A0/sv
Priority to EP05397024.0A priority patent/EP1674890B1/en
Priority to US11/305,024 priority patent/US7901736B2/en
Priority to CNB2005101361262A priority patent/CN100526915C/zh
Publication of FI20045495A publication Critical patent/FI20045495A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI117728B publication Critical patent/FI117728B/sv

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3694—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one layer having a composition gradient through its thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45529—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making a layer stack of alternating different compositions or gradient compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45555—Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/3141—Deposition using atomic layer deposition techniques [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/90—Other aspects of coatings
    • C03C2217/91—Coatings containing at least one layer having a composition gradient through its thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]

Claims (53)

1. Ett ALD-deponcrat material omfattande minst ell lager av ett första material (A) och minst ett lager av ett andra material (B) varvid material A och B har minst en gemensam gränsyta, 5 kiinnetecknat därav att det deponeras vid en temperatur under 450 °C, tjockleken hos varje lager av material A är inom omradet ca 2 nm till ca 100 nm, tjockleken hos varje lager av material B är mindre än hos intilliggande A-lager och det totala effektiva brytningsindexet hos materialet A + B är större än 2,20 vid väglängden 600 nm.
2. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att det totala effektiva brytningsindexet hos materialet A + B är större än 2,30 vid väglängden 600 nm.
3. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material A ärvalt som minst ett ur gruppen bestäende av titanoxid, tantaloxid, nioboxid, hafniumoxid, zirkoniumoxid, zinksulfid 15 och kombinationer av dessa.
4. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material A är titanoxid.
5. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material B är valt som minst ett ur j. 20 gruppen bestäende av aluminiumoxid, kiseloxid, lantanidoxider, tantaloxid, hafniumoxid, * · · *·· · zirkoniumoxid, nioboxid och kombinationer av dessa. * · · * · • · · * • · ·
6. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material B är aluminiumoxid. * 1 · .Λ * 1 · : Ϊ • 1 t · * 1 1
7. Materia! enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material B är kiseloxid. • · • 1 * · a t S'
8. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material B är en kombination av • · 1 ··' kiseloxid och aluminiumoxid. • 1 1 * 1 1 . 30
9. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material B är tantaloxid. ί * · · · 1 * 1 ··«*· • * · · • · • · • · 1 27 ; 1 1 7728
10. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att ett B-lager innehäller material som fbrekommer som A-lagermaterial.
11. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material B omfattar samma kemiska 5 enhet som material A men är framställt med användning av en prekursor som är olik den som använts för att deponera A.
12. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att det ytterligare omfattar ett material C vars brytningsindex är lägre än brytningsindex hos A+B. 10
13. Material enligt patentkrav 12, kännetecknat därav att brytningsindex hos C är lägre än !,8·
14. Material enligt patentkrav 12, kännetecknat därav att material C är aluminiumoxid, 15 kiseloxid eller en kombination av dessa.
15. Material enligt patentkrav 12, kännetecknat därav att material C är aluminiumoxid.
16. Material enligt patentkrav 12, kännetecknat därav att material C är kiseloxid. f . . 20 • · ♦ • · ♦
17. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att tjockleken hos varje lager A är i omrädet 2 tili 20 nm. • · « • · · · • · • · · • · · • · · ·
18. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att tjockleken hos varje lager A är i .··*. 25 omrädet 3 tili 8 nm.
·. . 19. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att tjockleken hos varje lager B är i • · · ·£ .·*·. omrädet 0,1 tili 1,5 nm. J • * 9 y ·#· • · tiii. 30
20. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att tjockleken hos varje lager B är i ; • omrädet 0,3 tili 1,0 nm. ! ··· 75 • · A ♦ · t • · * ··»*· • · 28 ' 117728
21. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material A bildar en film med dragspänningscgenskapcr.
22. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material B bildar en film med 5 tryckspänningsegenskaper.
23. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att material A+B uppvisar minimerad drag- eller tryckspänning.
24. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att det omfattar A+B väri A har _ utvecklat tryckspänning och B har utvecklat dragspänning under ALD-deponering.
25. Material enligt patentkrav 1, kännetecknat därav att det produceras i en satsvis process. 15
26. Förfarande för framställning av ett material vilket omfattar minst ett lager av ett första material (A) och minst ett lager av ett andra material (B) varvid materialen A och B har minst en gemensam gränsyta, kännetecknat därav att följande steg utförs vid en depositionstemperatur under 450 °C: | a) ett lager material A deponeras tili en tjocklek om ca 2 tili 100 nm, . 20 b) ett lager material B deponeras tili en tjocklek mindre än lagret A, * · J "j/ e) om sä önskas upprepas steg a) och steg b) tills ett material av önskad tjocklek erhälles, « I t varvid ett material uppkommer vars totala ellektiva brytningsindex är större än 2,20 vid * ' iir : ", väglängden 600 nm. • · * * « * · .y * i : f t · · t * · · * .···, 25
27. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att material A är valt som minst ett • · *·· ur gruppen bestäende av titanoxid, tantaloxid, nioboxid, halhiumoxid, zirkoniumoxid, . zinksulfid och kombinationer av dessa. • · · • « · « · » • * • · • · ·
28. Förfarande enligt patentkrav 27, kännetecknat därav att material A är titanoxid. • · 30 • ·
29. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att titanklorid används som • · *·*. prekursor. I ·«··· ♦ * 29 11 7728
30. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att titanetoxid ensam eller i kombination med titanklorid används som prekursor. 5
31. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att material B väljs som minst ett ur gruppen bestäende av aluminiumoxid, kiseloxid, lantanidoxider, tantaloxid, hafniumoxid, zirkoniumoxid, nioboxid och kombinationer av dessa.
32. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att material B är aluminiumoxid. 10
33. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att material B är kiseloxid.
34. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att material B är tantaloxid. 15
35. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att aluminiumklorid används som prekursor.
36. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att trimetylaluminium används som prekursor. . . 20 • · i • · t
37. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att tris(tert-butoxi)silanol används * · a som prekursor. aa#» * · • a * • ♦ · aa· ·
38. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att tantalklorid används som • a·· .♦··. 25 prekursor. • a •ϊ' • •a .
39. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att tantaletoxid används som • · 0 ·***. prekursor. • a a ♦ . a * a a a * • · - 'λ 30
40. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att material A deponeras inom ett • · lager av material B. * a * · a · a a • · · * a ,<[, * a 30 1 1 7728
41. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att samma kemiska enhet deponeras som material A och material B med användning av olika prekursorer.
42. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat av att ytterligare omfatta deposition av ett '{ 5 eller Here lager av ett material C, vars brytningsindex är lägre än det hos A+B.
43. Förfarande enligt patentkrav 42, kännetecknat därav att material C är kiseloxid, aluminiumoxid, blandningar eller kombinationer av dessa. 10
44. Förfarande enligt patentkrav 43, kännetecknat därav att aluminiumklorid används som prekursor.
45. Förfarande enligt patentkrav 43, kännetecknat därav att trimetylaluminium används som prekursor. 15
46. Förfarande enligt patentkrav 43, kännetecknat därav att tris(tert-butoxi)silanol används som prekursor.
47. Förfarande enligt patentkrav 43, kännetecknat därav att tetrabutoxisilan används som prekursor. . . 20 • · · • · · y.·'
48. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att ätminstone den inledande • · · ,·, depositionscykeln/de inledande depositionseyklcrna för ett B-lager utförs med • « · 1 ; aluminiumklorid som prekursor. * · · • · · · • 1 · • · · · 25
49. Förfarande enligt patentkrav 48, kännetecknat därav att efterföljande deponcringscykler • 1 t för aluminiumoxid utförs med trimetylaluminium som prekursor. • · · • · » M»
50. Förfarande enligt patentkrav 26, kännetecknat därav att det är en satsvis ALD-process. ·»· »·«·« * » 30
51. Förfarande enligt patentkrav 50, kännetecknat därav att satsen placeras med ett inbördes • « substratavständ som inte är större än ca 8 mm, och substraten ytbcläggs pä minst tvä sidor. • · • ♦ ··· • Φ · · « 3i 1 1 7728 f
52. Förfarande enligt patentkrav 50, kännetecknat därav att satsen placeras med ett inbördes substratavstand som inte är större än ca 8 mm, och substraten placeras baksida mot baksida.
53. Förfarande enligt patentkrav 50, kännetecknat därav att satsen placeras pä hyllor 5 försedda mcd öppningar vilka är mindre än substraten. « ' ' , 1 · • · · * I I ··· · ··· • · ♦ • · · ·*« « v ··** • · ' · · Γ4 • * · • ♦ ♦ ·♦♦ 9 9 • · · ···· • · · • · • · · ···-• · · « • · ·«««« * · *·♦·· · • ♦ ♦ * · · · « • * t i
FI20045495A 2004-12-21 2004-12-21 Flerskiktsstruktur och förfarande för dess framställning FI117728B (sv)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20045495A FI117728B (sv) 2004-12-21 2004-12-21 Flerskiktsstruktur och förfarande för dess framställning
EP05397024.0A EP1674890B1 (en) 2004-12-21 2005-12-16 Multilayer material and method of preparing the same
US11/305,024 US7901736B2 (en) 2004-12-21 2005-12-19 Multilayer material and method of preparing same
CNB2005101361262A CN100526915C (zh) 2004-12-21 2005-12-21 多层材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20045495A FI117728B (sv) 2004-12-21 2004-12-21 Flerskiktsstruktur och förfarande för dess framställning
FI20045495 2004-12-21

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20045495A0 FI20045495A0 (sv) 2004-12-21
FI20045495A FI20045495A (sv) 2006-06-22
FI117728B true FI117728B (sv) 2007-01-31

Family

ID=33548091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20045495A FI117728B (sv) 2004-12-21 2004-12-21 Flerskiktsstruktur och förfarande för dess framställning

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7901736B2 (sv)
EP (1) EP1674890B1 (sv)
CN (1) CN100526915C (sv)
FI (1) FI117728B (sv)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100867520B1 (ko) * 2007-04-23 2008-11-07 삼성전기주식회사 결상 렌즈 및 그 제조 방법
US20090081360A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Oled display encapsulation with the optical property
GB0718841D0 (en) * 2007-09-26 2007-11-07 Eastman Kodak Co Method of making a colour filter array
FI120832B (sv) * 2007-12-03 2010-03-31 Beneq Oy Förfarande för att förbättra hållfastheten hos en tunn glas
US9279120B2 (en) * 2008-05-14 2016-03-08 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Implantable devices having ceramic coating applied via an atomic layer deposition method
WO2010044922A1 (en) 2008-06-12 2010-04-22 Anguel Nikolov Thin film and optical interference filter incorporating high-index titanium dioxide and method for making them
US7888195B2 (en) * 2008-08-26 2011-02-15 United Microelectronics Corp. Metal gate transistor and method for fabricating the same
KR20120064081A (ko) * 2009-08-24 2012-06-18 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 박막 광전지용 장벽 막
FI20095947A0 (sv) * 2009-09-14 2009-09-14 Beneq Oy Flerskiktsbeläggning, förfarande för tillverkning av en flerskiktsbeläggning, och användningar för densamma
DE102010010937A1 (de) 2009-10-26 2011-04-28 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Fresnel-Zonenplatte
FI20096153A0 (sv) * 2009-11-06 2009-11-06 Beneq Oy Förfarande för bildning av en dekorativ beläggning, dekorativ beläggning och användningar därav
FI20096154A0 (sv) * 2009-11-06 2009-11-06 Beneq Oy Förfarande för bildning av en film, film och användningar därav
FI20096262A0 (sv) * 2009-11-30 2009-11-30 Beneq Oy Förfarande för bildning av en dekorativ beläggning på en ädelsten, dekorativ beläggning på en ädelsten, och användningar av densamma
FI20105498A0 (sv) * 2010-05-10 2010-05-10 Beneq Oy Förfarande för framställning av ett lager och lager på ytan av ett silikonsubstrat
US8564095B2 (en) 2011-02-07 2013-10-22 Micron Technology, Inc. Capacitors including a rutile titanium dioxide material and semiconductor devices incorporating same
US8609553B2 (en) 2011-02-07 2013-12-17 Micron Technology, Inc. Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures
EP2823489A2 (en) * 2012-03-08 2015-01-14 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften Method of producing a fresnel zone plate for applications in high energy radiation
CN102703880B (zh) * 2012-06-12 2014-01-15 浙江大学 利用原子层沉积制备高精度光学宽带抗反射多层膜的方法
CN103804963B (zh) * 2012-11-14 2015-09-09 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 一种具备较高饱和度的光学干涉变色颜料的制备方法
TW201615882A (zh) * 2014-10-23 2016-05-01 國立臺灣大學 氧化鈦薄膜以及包含其之複合薄膜之製備方法
JP5906507B1 (ja) * 2015-02-27 2016-04-20 株式会社昭和真空 多層膜被覆樹脂基板およびその製造方法
JP6536105B2 (ja) * 2015-03-17 2019-07-03 凸版印刷株式会社 積層体及びその製造方法、並びにガスバリアフィルム及びその製造方法
MX2017016241A (es) * 2015-07-30 2018-04-20 Halliburton Energy Services Inc Elementos informaticos integrados que incorporan una capa de liberacion de tension.
US20170178899A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Lam Research Corporation Directional deposition on patterned structures
US11320568B2 (en) 2018-05-11 2022-05-03 Corning Incorporated Curved surface films and methods of manufacturing the same
CN110767668B (zh) 2019-12-30 2020-03-27 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 含纳米级表面的clcc封装体盖板、封装体和摄像模组
US11542597B2 (en) 2020-04-08 2023-01-03 Applied Materials, Inc. Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition
CN112526663A (zh) * 2020-11-04 2021-03-19 浙江大学 一种基于原子层沉积的吸收膜及其制作方法
FI130280B (sv) * 2021-03-19 2023-05-31 Beneq Oy Förfarande och användning som avser en film samt film
CN115086845B (zh) * 2022-08-19 2022-12-20 江苏光微半导体有限公司 一种高灵敏度的mems光纤麦克风传感器

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3432225A (en) 1964-05-04 1969-03-11 Optical Coating Laboratory Inc Antireflection coating and assembly having synthesized layer of index of refraction
US3675619A (en) * 1969-02-25 1972-07-11 Monsanto Co Apparatus for production of epitaxial films
US4010710A (en) * 1974-09-20 1977-03-08 Rockwell International Corporation Apparatus for coating substrates
US4235650A (en) * 1978-09-05 1980-11-25 General Electric Company Open tube aluminum diffusion
FI64878C (fi) * 1982-05-10 1984-01-10 Lohja Ab Oy Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer
FI84960C (sv) 1990-07-18 1992-02-10 Planar Int Oy Lysämnesskikt för elektroluminescensdisplay
FR2670199B1 (fr) * 1990-12-06 1993-01-29 Saint Gobain Vitrage Int Procede de formation d'une couche a base d'oxyde d'aluminium sur du verre, produit obtenu et son utilisation dans des vitrages a couche conductrice.
US5508091A (en) 1992-12-04 1996-04-16 Photran Corporation Transparent electrodes for liquid cells and liquid crystal displays
DE4407909C3 (de) * 1994-03-09 2003-05-15 Unaxis Deutschland Holding Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen oder quasi-kontinuierlichen Beschichten von Brillengläsern
WO1995034916A1 (fr) * 1994-06-15 1995-12-21 Seiko Epson Corporation Fabrication d'un equipement a semi-conducteurs a couches minces, equipement a semi-conducteurs a couches minces, afficheur a cristaux liquides et equipement electronique
EP0852266B1 (en) * 1995-08-23 2004-10-13 Asahi Glass Ceramics Co., Ltd. Target, process for production thereof, and method of forming highly refractive film
US5719891A (en) * 1995-12-18 1998-02-17 Picolight Incorporated Conductive element with lateral oxidation barrier
JP4076028B2 (ja) * 1997-02-18 2008-04-16 大日本印刷株式会社 偏光分離フィルム、バックライト及び液晶表示装置
US6266193B1 (en) 1997-07-24 2001-07-24 Cpfilms Inc. Anti-reflective composite
DE19809409A1 (de) 1998-03-05 1999-09-09 Leybold Systems Gmbh Messingfarbige Beschichtung mit einer farbgebenden nitridischen Schicht
JP3735461B2 (ja) * 1998-03-27 2006-01-18 株式会社シンクロン 複合金属の化合物薄膜形成方法及びその薄膜形成装置
FI108355B (sv) 1998-07-28 2002-01-15 Planar Systems Oy Isoleringsfilm f÷r tunnfilmsstrukturer i bildskõrmar samt tunnfilmselektroluminescens-display
US6165598A (en) 1998-08-14 2000-12-26 Libbey-Owens-Ford Co. Color suppressed anti-reflective glass
JP2000171607A (ja) 1998-12-02 2000-06-23 Canon Inc 高緻密な多層薄膜およびその成膜方法
US6576053B1 (en) * 1999-10-06 2003-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming thin film using atomic layer deposition method
KR100363084B1 (ko) * 1999-10-19 2002-11-30 삼성전자 주식회사 박막 구조를 위한 다중막을 포함하는 커패시터 및 그 제조 방법
US6780704B1 (en) * 1999-12-03 2004-08-24 Asm International Nv Conformal thin films over textured capacitor electrodes
FI118474B (sv) * 1999-12-28 2007-11-30 Asm Int Anordning för framställning av tunnfilmer
AU756842B2 (en) 2000-08-29 2003-01-23 Hoya Corporation Optical element having antireflection film
FR2814094B1 (fr) 2000-09-20 2003-08-15 Saint Gobain Substrat a revetement photocatalytique et son procede de fabrication
US6660660B2 (en) * 2000-10-10 2003-12-09 Asm International, Nv. Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit
EP1229356A3 (en) 2001-01-31 2004-01-21 Planar Systems, Inc. Methods and apparatus for the production of optical filters
JP4427254B2 (ja) * 2001-03-20 2010-03-03 マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド 誘電体皮膜を堆積するための方法
US20020160194A1 (en) * 2001-04-27 2002-10-31 Flex Products, Inc. Multi-layered magnetic pigments and foils
DE10316671A1 (de) * 2002-07-12 2004-01-22 Röhm GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung transparenter Kunststoffe für optische Materialien
AU2003270193A1 (en) * 2002-09-14 2004-04-08 Schott Ag Layer system comprising a titanium-aluminium-oxide layer
JP2004176081A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Matsushita Electric Works Ltd 原子層堆積法による光学多層膜の製造方法
US6890656B2 (en) * 2002-12-20 2005-05-10 General Electric Company High rate deposition of titanium dioxide
US7294360B2 (en) * 2003-03-31 2007-11-13 Planar Systems, Inc. Conformal coatings for micro-optical elements, and method for making the same
US7142375B2 (en) * 2004-02-12 2006-11-28 Nanoopto Corporation Films for optical use and methods of making such films

Also Published As

Publication number Publication date
CN1794014A (zh) 2006-06-28
FI20045495A0 (sv) 2004-12-21
EP1674890A3 (en) 2010-06-09
US7901736B2 (en) 2011-03-08
FI20045495A (sv) 2006-06-22
CN100526915C (zh) 2009-08-12
EP1674890A2 (en) 2006-06-28
EP1674890B1 (en) 2018-05-30
US20060134433A1 (en) 2006-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI117728B (sv) Flerskiktsstruktur och förfarande för dess framställning
Aarik et al. Influence of substrate temperature on atomic layer growth and properties of HfO2 thin films
JP4057184B2 (ja) 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
US11914328B2 (en) Process for treating a surface of a timepiece component, and timepiece component obtained from such a process
Matero et al. Effect of water dose on the atomic layer deposition rate of oxide thin films
EP1838893B1 (en) Thin films prepared with gas phase deposition technique
US20190279870A1 (en) Methods to deposit and etch controlled thin layers of transition metal dichalcogenides
Zaitsu et al. Optical thin films consisting of nanoscale laminated layers
US20100143710A1 (en) High rate deposition of thin films with improved barrier layer properties
EP2732071B1 (en) Mixed metal oxide barrier films and atomic layer deposition method for making mixed metal oxide barrier films
Kukli et al. Niobium oxide thin films grown by atomic layer epitaxy
Niinistö Atomic layer epitaxy
Musschoot et al. Comparison of thermal and plasma-enhanced ALD/CVD of vanadium pentoxide
CN107313027A (zh) 用于半导体工艺腔室部件的保护涂层的原子层沉积
US20050277223A1 (en) Method of forming metal oxide using an atomic layer deposition process
US9909211B2 (en) Vapor deposition of LiF thin films
US11447862B2 (en) Methods to deposit controlled thin layers of transition metal dichalcogenides
WO2010044922A1 (en) Thin film and optical interference filter incorporating high-index titanium dioxide and method for making them
Dagur et al. Thin films of VO2 on glass by atomic layer deposition: microstructure and electrical properties
Tarre et al. New routes to SnO2 heteroepitaxy
KR20020037293A (ko) Ｔａ2Ｏ5 및 높은-ｋ 유전체 원자층 증착법
Hämäläinen et al. Atomic Layer Deposition and Characterization of Aluminum Silicate Thin Films for Optical Applications
US20180037017A1 (en) Laminate and method for fabricating the same
Kalam et al. Electric and magnetic properties of atomic layer deposited ZrO2-HfO2 thin films
KR101003700B1 (ko) 원자층 증착을 이용한 금속 산화막 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 117728

Country of ref document: FI

PC Transfer of assignment of patent

Owner name: BENEQ OY