FI68389C - Saett att framstaella kisel ur pulverformigt kiseldioxidhaltigt material. - Google Patents
Saett att framstaella kisel ur pulverformigt kiseldioxidhaltigt material. Download PDFInfo
- Publication number
- FI68389C FI68389C FI822417A FI822417A FI68389C FI 68389 C FI68389 C FI 68389C FI 822417 A FI822417 A FI 822417A FI 822417 A FI822417 A FI 822417A FI 68389 C FI68389 C FI 68389C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- reducing agent
- gas
- plasma
- containing material
- silica
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 9
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 4
- 239000000571 coke Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000004484 Briquette Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 241000233866 Fungi Species 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010022000 influenza Diseases 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002006 petroleum coke Substances 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- -1 coal-35 black Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011034 rock crystal Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
- C01B33/025—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Medicinal Preparation (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
68389
Menetelmä piin valmistamiseksi jauhemaisesta piidioksidi-pitoisesta aineksesta Käsiteltävänä oleva keksintö koskee menetelmää 5 piin valmistamiseksi jauhemaisesta piidioksidipitoisesta aineksesta.
Käsiteltävänä olevan patenttihakemuksen aikoihin piin vuotuinen maailmantuotanto on suuruusluokkaa 2 miljoonaa tonnia, josta n. 5% kuluu puhtaan piin valmistuk-10 seen ja loput käytetään rauta- ja alumiiniteollisuudessa. Puolijohdeteollisuudessa käytetään puhtaasta piistä 10%, so. noin 10 000 tonnia.
Piin kulutuksen uskotaan lähivuosikummeninä kasvavan erittäin voimakkaasti lähinnä siksi, että kiinnostus 15 sähköenergian kehittämiseen auringon energiasta on hyvin suuri. Aurinkokennoissa käytetään pääasiassa puhdasta piitä, jonka laatumerkintä on "solar grade" ja puhtaus vähintään 99,99 %. Epäpuhtauksien tyypilläkin on kuitenkin suuri merkitys, joten raaka-aineet on valittava kriittises- 20 ti.
Suurin osa puhtaasta piistä valmistetaan pelkistämällä suoraan valokaariuuneissa ja saadaan laatu, josta käytetään merkintää "metallurgical grade". Tämän puhtaus on n. 98 %. Jotta sitä voitaisiin käyttää aurinkokennoissa 25 se on puhdistettava poistamalla epäpuhtaudet liuottamalla ja seegraamalla. Tämä tekee erittäin puhtaan piiaineksen niin kalliiksi, että sähköenergian tuottaminen tästä piistä valmistetuilla aurinkokennoilla tulee kannattamattomaksi.
Käynnissä on intensiivinen tutkimustyö menetelmien 30 kehittämiseksi, jotka mahdollistavat erittäin puhtaan piin valmistamisen halvemmalla. Eräänä mahdollisuutena on käyttää puhtaampia raaka-aineita. Mutta pelkästään tämä ei riitä parantamaan prosessien kannattavuutta, koska valokaariuuneissa on pakko käyttää kappalemuotoista lähtöaineesta, mikä 35 rajoittaa raaka-ainevalikoimaa ja vaikeuttaa erittäin puh- 68389 taiden raaka-aineiden käyttömahdollisuuksina. Jotta piidioksidihiukkasia voitaisiin käyttää ne on lisäksi agglomeroitava jonkinmuotoisen sideaineen avulla ja tämäkin lisää prosessikustannuksia.
5 Lisäksi valokaaritekniikka on herkkä raaka- aineiden sähköisille ominaisuuksille, mikä vaikeuttaa pelkistimien käyttöä, jotka sisältävät vähän epäpuhtauksia, Koska lähtöraaka-aineiden on oltava kappale-muodossa, saattaa piidioksidin ja pelkistimen välinen 10 kosketus paikallisesti olla huono ja tämä aiheuttaa S iO:n hukkaa. Lisäksi tässä prosessissa paikallisesti esiintyvät korkeat lämpötilat lisäävät tätä hukkaa.
Edelleen on hankalaa ylläpitää valokaariuunin kaasu-tilassa ehdottoman pelkistäviä olosuhteita, joten muo-15 dostunut SiO saattaa hapettua takaisin SiC^ksi.
Yllä kuvatut olosuhteet ovat suurin syy tässä menetelmässä tapahtuviin häviöihin, mikä tässä tunnetussa menetelmässä on todettavissa mitautusta sähkökulutuk-sestakin, joka on 25-45 MWh/tn lasketun teoreettisen 20 sähkönkulutuksen ollessa 9 MWh/tn. Todettakoon lopuksi, että SiO:n hukka ja yllä mainittu SiO:n uudelleenha-pettuminen Sieniksi aiheuttavat vaikeita toimintahäiriöitä kaasukanavien tukkeutumisen vuoksi.
Käsiteltävänä olevan keksinnön tarkoituksena on 25 poistaa yllä mainitut haitat sekä tarjota menetelmä, joka mahdollistaa erittäin puhtaan piin valmistuksen yhdessä ainoassa vaiheessa ja mahdollistaa jauhemaisten raaka-aineiden käytön.
Tämä tehtävä on ratkaistavissa alussa kuvatulla 30 tavalla keksinnönmukaisen ehdotuksen avulla, jolloin oleellisesti uutta on, että jauhemainen piidioksidipitoinen aines ja valinnaisesti pelkistin ruiskutetaan kantokaasun avulla plasmageneraattorin synnyttämään kaasuplasmaan, jonka jälkeen näin kuumennettu piidioksidi, valinnainen 35 pelkistin ja energiarikas plasmakaasu syötetään reaktioti-laan, joka on lähes täysin kiinteän, kappalemuotoisen pel-
II
3 68389 kistimen ympäröimä.
Prosessin tällainen toteuttamismuoto mahdollistaa koko reaktiotapahtuman konsentroimisen hyvin rajoitettuun reaktiovyöhykkeeseen hormin välittömässä läheisyydessä, 5 jolloin korkealämpätilatilavuus saadaan prosessissa hyvin pieneksi. Tämä on suuri etu tähän saakka tunnettuihin prosesseihin verrattuna, joissa pelkistysreaktiot tapahtuvat peräkkäin jakaantuneina suureen uunitilavuuteen.
Koska prosessi on muotoiltu siten, että kaikki reak-10 tiot tapahtuvat reaktiovyöhykkeessä koksipylväässä välit tömästi ennen plasmageneraattoria, voidaan reaktiovyöhyk-keen lämpötila pitää hyvin korkealla ja kontrolloitavalla tasolla, jolloin edistetään reaktioita
15 Si02 + 2 C -} Si + 2 CO
Koska reaktantit (Si02, SiO, SiC, Si, C, CO) ovat samanaikaisesti reaktiovyöhykkeessä ja tästä syystä vähäisemmässä määrin muodostuvat tuotteet SiO ja SiC reagoi-2Q vat välittömästi seuraavalla tavalla
SiO + C -> Si + CO
SiO + SiC-> 2 Si + CO
2 SiC + Si02 ->3 Si + 2 CO
25
Siten reaktiovyöhykkeestä poistuvat kaikissa tapauksissa lopputuotteina nestemäinen Si ja kaasumainen CO.
Jauhemaisten raaka-aineiden keksinnönukaisesti ehdotetulla käytöllä erittäin puhtaiden piidioksidiraa-ka-aineiden valinta helpottuu ja halpenee. Lisäksi keksin-30 nönmukaisesti ehdotettu menetelmä ei ole herkkä raaka- aineksen sähköisille ominaisuuksille, mikä helpottaa pel-kistimien valintaa.
Ruiskutettavana pelkistimenä voi olla esim. hiilivedyt kuten maakaasu, kivihiilijauhe, puuhiilijauhe, hiili-35 musta, kiviöljykoksi, mahdollisesti puhdistettuna, ja 4 68389 koksirouhe.
prosessiin syötetyn sähköenergian määrällä plasmakaasuyksikköä kohti on helppo säätää prosessin vaatimaa lämpötilaa ja siten voidaan ylläpitää optimiolosuh-5 teet SiO:n hukan minimoimiseksi.
Koska kappalemuotoinen pelkistin lähes täysin ympäröi reaktiotilaa, myös SiO:n uudelleenhapettuminen Sieniksi estyy tehokkaasti.
Keksinnön eräässä sopivassa toteuttamismuodossa 10 kiinteätä kappalemuotoista pelkistintä lisätään jatkuvasti pelkistysvyöhykkeeseen sen kulumista vastaavassa tahdissa.
Kiinteänä kappalemuotoisena pelkistimenä käytetään sopivasti koksia, puuhiiltä, kiviöljykoksia ja/tai hiilimustaa ja plasmakaasuna voidaan prosessissa sopivas-15 ti käyttää reaktiovyöhykkeestä kierrätettyä prosessikaasua.
Kiinteänä kappalemuotoisena pelkistimenä voi olla jauhe, joka on saatettu kappalemuotoon hiilestä ja vedystä ja mahdollisesti hapesta muodostuvan sideaineen, esim. sakkaroosin avulla.
20 Keksinnön lisätoteuttamismuotona oleva plasmapol- tin on ns. induktioplasmapoltin, jonka ansiosta mahdolliset elektrodeista tulevat epäpuhtaudet vähenevät absoluuttiseen minimiin.
Keksinnönmukaisesti ehdotettua menetelmää voi-25 daan edullisesti käyttää erittäin puhtaan piin valmistamiseksi, joka on tarkoitettu aurinkokennojen ja/tai puolijohteiden raaka-aineeksi ja valmistuksessa voidaan raaka-aineina käyttää erittäin puhdasta piidi-oksidia ja hyvin vähän epäpuhtauksia sisältäviä pelkistimiä.
30 Keksinnön lisätunnusmerkit ilmenevät oheisista patenttivaatimuksista.
Seuraavassa keksintöä kuvataan tarkemmin muutaman toteuttamisesimerkin avulla. Reaktiot suoritetaan mieluiten kuilu-uunityyppisessä reaktorissa, jonka yläpäästä syöte-35 tään jatkuvasti kiinteätä pelkistintä esim. panostusaukon
II
5 68389 kautta, joka on tasaisesti varustettu suljetuilla syöt-tökouruilla tai kuilun kehällä olevalla rengasmaisella syöttöraolla.
Mahdollisesti esipelkistetty piipitoinen, jauhemai-5 nen aines puhalletaan alhaalta reaktoriin hormien kautta inertin tai pelkistävän kaasun avulla. Samanaikaisesti sisään voidaan puhaltaa hiilivetyjä ja mahdollisesti hap-pikaasua, mieluiten samojen hormien kautta.
Kappelemuotoisella pelkistimellä täytetyn kuilun 10 alaosassa on reaktiotila, jota mainittu kappalemuotoinen pelkistin ympäröi joka puolelta. Tässä pelkistysvyöhykkees-sä piidioksidin pelkistys ja sulatus tapahtuvat momentaa-nisti.
Poistuva reaktorikaasu, joka muodostuu seoksesta, 15 jossa on runsaasti hiilioksidia ja vetyä, voidaan kierrättää ja käyttää plasmakaasun kantokaasuna.
Alla kuvataan kahta suoritettua koetta, jotka valaisevat lisää keksintöä.
20 Esimerkki 1
Suoritettiin koe puolisuuressa mittakaavassa. Pii-raaka-aineena käytettiin vuorikidetyyppistä kvartsimursket-ta, jonka epäpuhtauksien määrä oli alle 100 ppm ja hiukkas-koko n. 0,1 mm. "Reaktiotila " muodostui briketoidusta hiili-25 massasta. Pelkistimenä käytettiin propaania (gasolia) ja kantokaasuna ja plasmakaasuna CO: s ta ja Joista muodostuvaa pestyä pelkistyskaasua.
Prosessiin syötettiin tehoa 1000 kWh, raaka-aine-syöttö oli 2,5 kg Si02/min ja pelkistimenä syötettiin 1,5 3q kg propaania/min.
Kokeen kokonaistuotto oli n. 300 kg erittäin puhdasta piitä. Keskimääräinen sähkönkulutus oli n. 15 kWh/kg tuotettua piitä.
Kokeen mittakaava oli pieni, joten lämpöhukka kasvoi 25 suureksi. Ottamalla kaasut talteen voidaan sähkönkulutusta entisestäänkin vähentää ja käytettäessä suurempaa laitosta 6 68389 lämpöhukkakin vähenee huomattavasti.
Esimerkki 2
Toimimalla muuten samoissa olosuhteissa kuin esimerkissä 1 valmistettiin erittäin puhdasta piitä 5 pelkistimenä toimivan jauhemaisen hiilimustan avulla. Lisättiin 1,2 kg hiilimustaa/min.
Tässä kokeessa valmistettiin 20Q kg erittäin puhdasta piitä. Keskimääräinen sähkönkulutus oli n. 13,5 kWh/kg tuotettua piitä.
li
Claims (9)
1. Menetelmä piin valmistamiseksi jauhemaisesta piidioksidipitoisesta aineksesta, tunnettu siitä, 5 että jauhemainen piidioksidipitoinen aines ja valinnaisesti pelkistin ruiskutetaan kantokaasun avulla kaasuplasmaan, jonka jälkeen näin kuumennettu pelkistin ja energiarikas plasmakaasu syötetään reaktiotilaan, joka on kiinteän, kappalemuotoisen pelkistimen ympäröimä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että kaasuplasma synnytetään syöttämällä plasmakaasu sähkövalokaaren läpi ns. plasmageneraattorissa.
3. Patenttivaatimusten 1 ja 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että plasmageneraattorin valokaari 15 synnytetään induktiivisesti.
4. Patenttivaatimusten 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kiinteätä, kappalemuotoista pelkistintä syötetään reaktiovyöhykkeeseen jatkuvasti.
5. Patenttivaatimusten 1-4 mukainen menetelmä, 20 tunnettu siitä, että kiinteänä, kappalemuotoisena pelkistimenä on puuhiili tai koksi.
6. Patenttivaatimusten 1-5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että plasmakaasuna on reaktiovyöhyk-keestä kierrätetty prosessikaasu.
7. Patenttivaatimusten 1-4 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että erittäin puhtaan, aurinkokennojen ja/tai puolijohteiden raaka-aineeksi tarkoitetun piin valmistamiseksi valitaan piidioksidipitoiseksi ainekseksi aines, jossa epäpuhtauksien määrä on alle 0,1 paino-%.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että kiinteä, kappalemuotoinen pelkistin valitaan ryhmästä, jonka muodostavat briketoitu hiilimusta, briketoitu kiviöljykoksi, briketoitu puuhiilijauhe ja kappalemuotoinen puuhiili.
9. Patenttivaatimusten 7 ja 8 mukainen menetelmä, 68389 tunnettu siitä, että ruiskutettava pelkistin valitaan ryhmästä, jonka muodostavat jauhemainen hiili-musta, puuhiilijauhe, kiviöljykoksi, hiilivedyt kaasuja nestemuodossa, esim. maakaasu, propaani ja kevytben-siini. 68389
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE8106179 | 1981-10-20 | ||
| SE8106179A SE435370B (sv) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | Sett att framstella kisel |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI822417A0 FI822417A0 (fi) | 1982-07-07 |
| FI822417L FI822417L (fi) | 1983-04-21 |
| FI68389B FI68389B (fi) | 1985-05-31 |
| FI68389C true FI68389C (fi) | 1987-01-20 |
Family
ID=20344826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI822417A FI68389C (fi) | 1981-10-20 | 1982-07-07 | Saett att framstaella kisel ur pulverformigt kiseldioxidhaltigt material. |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4439410A (fi) |
| JP (1) | JPS5869713A (fi) |
| AU (1) | AU546050B2 (fi) |
| BR (1) | BR8204263A (fi) |
| CA (1) | CA1193071A (fi) |
| DE (1) | DE3236705C2 (fi) |
| ES (1) | ES513983A0 (fi) |
| FI (1) | FI68389C (fi) |
| FR (1) | FR2514744A1 (fi) |
| GB (1) | GB2108096B (fi) |
| NO (1) | NO155802B (fi) |
| NZ (1) | NZ201450A (fi) |
| OA (1) | OA07235A (fi) |
| PH (1) | PH17730A (fi) |
| SE (1) | SE435370B (fi) |
| ZA (1) | ZA825405B (fi) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE432584B (sv) * | 1982-09-07 | 1984-04-09 | Skf Steel Eng Ab | Sett for framstellning av kalciumkarbid sett for framstellning av kalciumkarbid |
| US4680096A (en) * | 1985-12-26 | 1987-07-14 | Dow Corning Corporation | Plasma smelting process for silicon |
| US4981668A (en) * | 1986-04-29 | 1991-01-01 | Dow Corning Corporation | Silicon carbide as a raw material for silicon production |
| US4798659A (en) * | 1986-12-22 | 1989-01-17 | Dow Corning Corporation | Addition of calcium compounds to the carbothermic reduction of silica |
| SE461037B (sv) * | 1987-10-09 | 1989-12-18 | Skf Plasma Tech | Saett att av kol och kiseldioxid kontinuerligt framstaella flytande kisel i en reaktor |
| US5986206A (en) * | 1997-12-10 | 1999-11-16 | Nanogram Corporation | Solar cell |
| NO20061105L (no) * | 2006-03-07 | 2007-09-10 | Kopperaa Miljoinvest As | Fremstilling av rent silisium metall og amorf silika ved reduksjon av kvarts (Sio2) |
| US20080314446A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Processes for the preparation of solar-grade silicon and photovoltaic cells |
| US20080314445A1 (en) * | 2007-06-25 | 2008-12-25 | General Electric Company | Method for the preparation of high purity silicon |
| US7572425B2 (en) * | 2007-09-14 | 2009-08-11 | General Electric Company | System and method for producing solar grade silicon |
| DE102008010744B4 (de) * | 2008-02-20 | 2010-09-30 | CBD Labs Pty Ltd., Double Bay | Reduktion von Siliziumdioxid |
| RU2367600C1 (ru) * | 2008-04-16 | 2009-09-20 | Борис Георгиевич Грибов | Способ получения кремния высокой чистоты |
| RU2385291C1 (ru) * | 2008-06-24 | 2010-03-27 | Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской Академии Сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ) | Способ получения кристаллического кремния высокой чистоты (варианты) |
| DE102008041334A1 (de) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von Silizium durch Umsetzung von Siliziumoxid und Siliziumcarbid gegebenenfalls in Gegenwart einer zweiten Kohlenstoffquelle |
| WO2011099883A1 (ru) * | 2010-02-10 | 2011-08-18 | Shishov Sergey Vladimirovich | Способ получения кремния |
| US10987735B2 (en) | 2015-12-16 | 2021-04-27 | 6K Inc. | Spheroidal titanium metallic powders with custom microstructures |
| CN108883407A (zh) | 2015-12-16 | 2018-11-23 | 阿马斯坦技术有限责任公司 | 球状脱氢金属和金属合金颗粒 |
| CN110547051B (zh) | 2017-04-04 | 2021-08-06 | 株式会社V技术 | 高压放电灯及其控制方法 |
| WO2019246257A1 (en) | 2018-06-19 | 2019-12-26 | Amastan Technologies Inc. | Process for producing spheroidized powder from feedstock materials |
| KR102644961B1 (ko) | 2019-04-30 | 2024-03-11 | 6케이 인크. | 리튬 란타넘 지르코늄 산화물(llzo) 분말 |
| KR20220002998A (ko) | 2019-04-30 | 2022-01-07 | 6케이 인크. | 기계적으로 합금된 분말 공급원료 |
| EP4414470A3 (en) | 2019-11-18 | 2024-10-23 | 6K Inc. | Unique feedstocks for spherical powders and methods of manufacturing |
| US11590568B2 (en) | 2019-12-19 | 2023-02-28 | 6K Inc. | Process for producing spheroidized powder from feedstock materials |
| KR20230029836A (ko) | 2020-06-25 | 2023-03-03 | 6케이 인크. | 마이크로복합 합금 구조 |
| US20220041457A1 (en) * | 2020-08-07 | 2022-02-10 | 6K Inc. | Synthesis of silicon products |
| US11963287B2 (en) | 2020-09-24 | 2024-04-16 | 6K Inc. | Systems, devices, and methods for starting plasma |
| US11919071B2 (en) | 2020-10-30 | 2024-03-05 | 6K Inc. | Systems and methods for synthesis of spheroidized metal powders |
| CA3197544A1 (en) | 2021-01-11 | 2022-07-14 | 6K Inc. | Methods and systems for reclamation of li-ion cathode materials using microwave plasma processing |
| KR20230164699A (ko) | 2021-03-31 | 2023-12-04 | 6케이 인크. | 질화금속 세라믹의 적층 제조를 위한 시스템 및 방법 |
| US12261023B2 (en) | 2022-05-23 | 2025-03-25 | 6K Inc. | Microwave plasma apparatus and methods for processing materials using an interior liner |
| US12040162B2 (en) | 2022-06-09 | 2024-07-16 | 6K Inc. | Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing an upstream swirl module and composite gas flows |
| US12094688B2 (en) | 2022-08-25 | 2024-09-17 | 6K Inc. | Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing a powder ingress preventor (PIP) |
| US12195338B2 (en) | 2022-12-15 | 2025-01-14 | 6K Inc. | Systems, methods, and device for pyrolysis of methane in a microwave plasma for hydrogen and structured carbon powder production |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2555507A (en) * | 1949-12-02 | 1951-06-05 | Pratt Emil Bruce | Method of reducing metallic oxide ores |
| FR1328326A (fr) * | 1961-12-01 | 1963-05-31 | Dispositif pour la fusion des produits réfractaires pulvérulents au chalumeau à plasma | |
| DE2924584A1 (de) * | 1979-06-19 | 1981-01-15 | Straemke Siegfried | Verfahren zur herstellung von silicium fuer solarzellen |
| DE3000802A1 (de) * | 1980-01-11 | 1981-07-30 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung vn silizium |
-
1981
- 1981-10-20 SE SE8106179A patent/SE435370B/sv unknown
-
1982
- 1982-06-21 NO NO822065A patent/NO155802B/no unknown
- 1982-07-07 FI FI822417A patent/FI68389C/fi not_active IP Right Cessation
- 1982-07-09 GB GB08219954A patent/GB2108096B/en not_active Expired
- 1982-07-15 ES ES513983A patent/ES513983A0/es active Granted
- 1982-07-22 BR BR8204263A patent/BR8204263A/pt not_active IP Right Cessation
- 1982-07-28 ZA ZA825405A patent/ZA825405B/xx unknown
- 1982-07-29 CA CA000408385A patent/CA1193071A/en not_active Expired
- 1982-07-30 AU AU86635/82A patent/AU546050B2/en not_active Ceased
- 1982-08-02 NZ NZ201450A patent/NZ201450A/en unknown
- 1982-08-02 US US06/404,403 patent/US4439410A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-08-02 FR FR8213478A patent/FR2514744A1/fr active Granted
- 1982-08-04 JP JP57135278A patent/JPS5869713A/ja active Pending
- 1982-08-13 PH PH27726A patent/PH17730A/en unknown
- 1982-10-04 DE DE3236705A patent/DE3236705C2/de not_active Expired
- 1982-10-20 OA OA57827A patent/OA07235A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO822065L (no) | 1983-04-21 |
| CA1193071A (en) | 1985-09-10 |
| NZ201450A (en) | 1984-09-28 |
| BR8204263A (pt) | 1983-07-19 |
| PH17730A (en) | 1984-11-21 |
| ES8304886A1 (es) | 1983-04-16 |
| SE8106179L (sv) | 1983-04-21 |
| SE435370B (sv) | 1984-09-24 |
| FI822417L (fi) | 1983-04-21 |
| GB2108096A (en) | 1983-05-11 |
| JPS5869713A (ja) | 1983-04-26 |
| FR2514744B1 (fi) | 1984-01-06 |
| AU546050B2 (en) | 1985-08-15 |
| ZA825405B (en) | 1983-06-29 |
| GB2108096B (en) | 1985-07-03 |
| ES513983A0 (es) | 1983-04-16 |
| AU8663582A (en) | 1983-04-28 |
| DE3236705A1 (de) | 1983-04-28 |
| FR2514744A1 (fr) | 1983-04-22 |
| FI68389B (fi) | 1985-05-31 |
| DE3236705C2 (de) | 1984-11-29 |
| OA07235A (fr) | 1984-04-30 |
| FI822417A0 (fi) | 1982-07-07 |
| NO155802B (no) | 1987-02-23 |
| US4439410A (en) | 1984-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI68389C (fi) | Saett att framstaella kisel ur pulverformigt kiseldioxidhaltigt material. | |
| US3215522A (en) | Silicon metal production | |
| NO335985B1 (no) | Fremgangsmåte for fremstilling av middels rent silisium | |
| CA1150518A (en) | Recovering non-volatile metals from dust containing metal oxides | |
| US20010047614A1 (en) | Treatment of solid carbonaceous material | |
| JPS6356171B2 (fi) | ||
| US4526612A (en) | Method of manufacturing ferrosilicon | |
| EP4279453A2 (en) | Process for the production of commercial grade silicon | |
| US4594236A (en) | Method of manufacturing calcium carbide from powdered lime and/or limestone | |
| WO2016120529A1 (en) | Method for producing titanium oxide-containing slag and pig iron from ilmenite and a plant | |
| FI70253B (fi) | Framstaellning av aluminium-kisellegeringar | |
| KR930005316B1 (ko) | 고순도금속 규소의 제조방법 및 장치 | |
| KR890003344B1 (ko) | 페로보론(ferroboron)의 제조공정 | |
| ZA200506454B (en) | An improved smelting process for the production ofiron | |
| KR101219759B1 (ko) | 슬래그를 이용한 ＭＧ-Ｓｉ중 Ｐ의 환원정련 방법 | |
| SU1333229A3 (ru) | Способ получени кремни | |
| US9352970B2 (en) | Method for producing silicon for solar cells by metallurgical refining process | |
| KR100308689B1 (ko) | 동전로슬래그로부터동의회수방법 | |
| JPS616114A (ja) | 金属珪素の製造方法ならびにその装置 | |
| KR101372524B1 (ko) | 일체식 아크 환원 및 슬래그 정련 장치 | |
| NZ203468A (en) | Manufacture of ferrosilicon | |
| RU2173738C1 (ru) | Способ получения мульти- и монокристаллического кремния | |
| DD207534A5 (de) | Verfahren zur herstellung von silizium aus pulverfoermigem siliziumdioxydhaltigem material | |
| JPH022938B2 (fi) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |
Owner name: SKF STEEL ENGINEERING AB |