FI129826B - Hybridisubstraattirakenteelle tarkoitetun korkearesistiivisen piikiekon valmistusmenetelmä - Google Patents
Hybridisubstraattirakenteelle tarkoitetun korkearesistiivisen piikiekon valmistusmenetelmä Download PDFInfo
- Publication number
- FI129826B FI129826B FI20205989A FI20205989A FI129826B FI 129826 B FI129826 B FI 129826B FI 20205989 A FI20205989 A FI 20205989A FI 20205989 A FI20205989 A FI 20205989A FI 129826 B FI129826 B FI 129826B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- thickness
- grinding
- front surface
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 18
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 101
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 101100084503 Caenorhabditis elegans pas-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 210000001217 buttock Anatomy 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229940000425 combination drug Drugs 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000010397 one-hybrid screening Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Hakemus kohdistuu hybridisubstraattirakennetta (336) varten tarkoitetun korkearesistiivisen alustapiikiekon (230) valmistusmenetelmään (100). Menetelmä käsittää vaiheen, jossa tuotetaan (108, 112, 114) kideorientaation tunnuksen (210) ja tietyn paksuuden (h1) omaava kiekko (212). Menetelmä käsittää lisäksi vaiheen, jossa ohennetaan (116, 122) tuotettu kiekko tietystä paksuudesta haluttuun kiekonpaksuuteen (h5) ohennetun kiekon (222) hankkimista varten. Menetelmä käsittää lisäksi vaiheen, jossa järjestetään (128) tietyn kerrospaksuuden (h6) omaava pintapassivointikerros (229) ohennetun kiekon etupinnalle (221). Menetelmä käsittää lisäksi vaiheen, jossa kiillotetaan (130) passivointikerros tietystä kerrospaksuudesta haluttuun lopulliseen passivointikerroksen kerrospaksuuteen (h9) siten, että kiekon (230) kiillotettu etupinta (232) mahdollistaa aktiivisen kerroksen liittämisen hybridisubstraattikerroksen muodostamista varten. Ohennusvaihe käsittää tuotetun, kideorientaation tunnisteen käsittävän kiekon (218) ohjatun, yhdeltä puolelta kiinteällä hiontamateriaalilla suoritetun hionnan (116, 118, 120) kiinnitysjärjestelmällä, joka eliminoi ainakin osittain tunnisteen aiheuttaman ympyrästä poikkeavan epäsymmetrian vaikutuksen, halutulla submikronin kokonaispaksuusvaihtelulla varustetun kiekon (218, 222) valmistamiseksi hybridisubstraattikerroksen muodostamista varten.
Claims (17)
1. Korkearesistiivisen alustapiikiekon (230) valmistusmenetelmä (100) hybri- disubstraattirakenteen (336) muodostamisen mahdollistamista varten, joka käsittä vaiheet, joissa tuotetaan (108, 112, 114) kideorientaation tunnus (210) ja tietyn paksuuden (h1) omaava kiekko (212), ohennetaan (116, 122) tuotettu kiekko tietystä paksuudesta haluttuun kiekon- paksuuteen (h5) ohennetun kiekon (222) hankkimista varten, järjestetään (128) tietyn kerrospaksuuden (h6) omaava pintapassivointikerros (229) ohennetun kiekon etupinnalle (221) ja kiillotetaan (130) passivointikerros tietystä kerrospaksuudesta haluttuun lopul- liseen passivointikerroksen kerrospaksuuteen (h9) siten, että kiekon (230) kiillotettu etupinta (232) mahdollistaa aktiivisen kerroksen liittämisen hybridisubs-traattiker- roksen muodostamista varten, tunnettu siitä, että ohennusvaihe käsittää tuotetun, kideorientaation tunnuk- sen käsittävän kiekon (218) ohjatun, yhdeltä puolelta kiinteällä hiontamateriaalilla suoritetun hionnan (116, 118, 120) kiinnitysjärjestelmällä, joka eliminoi merkittävästi tunnuksen aiheuttaman ympyrästä poikkeavan epäsymmetrian vaikutuksen, halu- tulla submikronin kokonaispaksuusvaihtelulla varustetun kiekon valmistamiseksi — hybridisubstraattirakenteen muodostamisen mahdollistamista varten.
2. Edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, jossa ohjattu hiontavaihe käsittää ainakin yhden hiontaparametrin jatkuvan ohjauksen (118) ohjatun hionnan aikana (116) ja, kun tarpeellista, ainakin yhden hiontaparametrin säätämisen (120) halutun kokonaispaksuusvaihten saavuttamista varten. N 25
3 Patenttivaatimuksen 2 mukainen menetelmä, jossa ainakin yhden hiontapara- N metrin jatkuva ohjausvaihe käsittää ainakin yhden seuraavista kiinnitysjärjestelmän S jäähdytysveden lämpötilasta, kiinnitysjärjestelmän hiontaistukan kallistuksesta ja hi- IN ontakiekon hiontasyöttönopeudesta säätämisen (118). E:
4. Patenttivaatimuksen 2 tai 3 mukainen menetelmä, jossa ainakin yhden hionta- 3 30 parametrin jatkuva ohjausvaihe käsittää ohjatun hionnan jatkuvan valvonnan (118) 3 optisella mittauksella ja/tai varauksenkuljettajasäädetyllä kapasitiivisella mittauk- O sella.
5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, jossa ohennus- vaihe käsittää lisäksi yhdeltä puolelta kiinteällä hiontamateriaalilla hiotun kiekon
(218) ohjatun kiillotuksen (122, 124, 126) sen hiotulta etupinnalta (217) kiekon etu- pinnan kunnon ohjaamista varten.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, jossa ohjattu kiillotusvaihe käsit- tää yhdeltä puolelta kiinteällä hiontamateriaalilla hiotun alustakiekon kiillotuksen (122,124 126).
7. Patenttivaatimuksen 5 tai 6 mukainen menetelmä, jossa ohjattu kiillotusvaihe käsittää ainakin yhden kiillotusparametrin jatkuvan ohjauksen (124) ohjatun kiillo- tuksen (122) aikana ja, kun tarpeellista, ainakin yhden kiillotusparametrin säätämi- sen (126) kiekon halutun paksuuden saavuttamista varten.
8 Jonkin patenttivaatimuksista 5-7 mukainen menetelmä, jossa ainakin yhden kiillotusparametrin jatkuva ohjausvaihe käsittää ainakin yhden kiekon (222) ja kiillo- tustyynyn kiillotuspaineesta, kiekon (222) ja kiillotustyynyn pyörimisnopeudesta sekä kiekon sijainnista suhteessa kiillotustyynyyn ohjauksen (124).
9. — Jonkin patenttivaatimuksista 5-8 mukainen menetelmä, jossa ainakin yhden — kiillotusparametrin jatkuva ohjausvaihe käsittää ohjatun kiillotuksen valvonnan (124) Makyoh-peilillä, optisella mittauslaitteistolla tai geometriavalvontaan tarkoitetulla kuljettajasäädetyllä kapasitiivisella mittauslaitteistolla sekä pintaskannauslaitteis- tolla.
10. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, jossa kiekon hal- — kaisija (d) on 150-200 mm, alustakiekon pintaorientaatio on {111} ja valmiin kiekon haluttu kokonaispaksuusvaihtelu on vähemmän kuin 600 nm.
11. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, jossa pintapassi- N vointikerroksen järjestysvaihe käsittää ainakin yhden polypiikerroksen (229), jolla on N tietty kerrospaksuus (h6) ohennetun kiekon (222) etupinnan (221) pinnoittamisen S 25 (128) kemiallisella kaasufaasipinnoitusprosessilla.
O -
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmä, jossa pintapassivointikerrok- = sen kiillotusvaihe käsittää ainakin yhden pinnoitetun polypiikerroksen ohjatun kiillo- 3 tuksen (130) ainakin yhden pinnoitetun polypiikerroksen tietystä kerrospaksuudesta 3 ainakin yhden valmistetun kiekon (222) päälä olevan pinnoitetun polypiikerroksen S 30 — haluttuun lopulliseen kerrospaksuuteen (h9) kemiallis-mekaanisella kiillotusproses-
N silla kiekon (230) kemiallis-mekaanisesti kiillotetun etupinnan (232) muodostamista varten.
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, jossa ohjattu kemiallis-mekaa- ninen kiillotusvaihe käsittää ainakin yhden kemiallis-mekaanisen kiillotusparametrin jatkuvan ohjauksen (132) ohjatun kemiallis-mekaanisen kiillotuksen (130) aikana ja, kun tarpeellista, ainakin yhden kemiallis-mekaanisen kiillotusparametrin säätämisen (134) halutun lopullisen kerrospaksuuden saavuttamista varten.
14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, jossa ainakin yhden kemiallis- mekaanisen kiillotusparametrin jatkuva ohjausvaihe käsittää kiekon etupinnan (223, 232) poistomäärän ja kiekon etupinnan kiillotusajan ohjauksen (132).
15. Patenttivaatimuksen 13 tai 14 mukainen menetelmä, jossa ainakin yhden ke- — miallis-mekaanisen kiillotusparametrin jatkuva ohjausvaihe käsittää ohjatun kemial- lis-mekaanisen kiillotuksen valvonnan (134) optista aallonpituusaluetta näkyvästä lähi-infrapuna-alueeseen (VIS-NIR) käyttävällä optisella aallonpituusmittauslaitteis- tolla.
16. Korkearesistiivinen alustapiikiekko (230) hybridisubstraattirakenteen (336) — muodostamisen mahdollistamista varten, joka valmistetaan jonkin edellisen patent- tivaatimuksen mukaisen menetelmän (100) vaiheilla ja käsittää kideorientaation tunnuksen (210), halutun paksuuden (h10) ja kiillotetun pintapassivointikerroksen (229), jolla on haluttu lopullinen kerros- — paksuus (h9) kiekon (230) etupinnalla (221), jossa kiekon kiillotettu etupinta (232) on konfiguroitu mahdollistamaan aktiivi- sen kerroksen liittämisen hybridisubstraattirakenteen muodostamista varten, tunnettu siitä, että kiekko käsittää yhdeltä puolelta kiinteällä hiontamateriaa- lila hiotun kiekon (218, 222) halutulla submikronin kokonaispaksuusvaihtelulla, N 25 — josta kiekosta on merkittävästi eliminoitu tunnuksen aiheuttama ympyrästä poikkea- N van epäsymmetrian vaikutus.
O =
17. Hybridisubstraattirakenne (336), joka käsittää patenttivaatimuksen 16 mukai- - sen korkearesistiivisen alustapiikiekon (230). a a >
D
S
N
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20205989A FI129826B (fi) | 2020-10-08 | 2020-10-08 | Hybridisubstraattirakenteelle tarkoitetun korkearesistiivisen piikiekon valmistusmenetelmä |
| JP2023520210A JP2023549029A (ja) | 2020-10-08 | 2021-10-08 | ハイブリッド基板構造の形成を可能にするための高抵抗シリコンハンドルウェハの製造方法 |
| EP21877067.5A EP4226411A1 (en) | 2020-10-08 | 2021-10-08 | Manufacture method of a high-resistivity silicon handle wafer for enabling a formation of a hybrid substrate structure |
| CN202180069096.5A CN116325084A (zh) | 2020-10-08 | 2021-10-08 | 制造能够形成混合衬底结构的高电阻率硅处置晶片的方法 |
| KR1020237012366A KR20230080428A (ko) | 2020-10-08 | 2021-10-08 | 하이브리드 기판 구조체의 형성을 가능하게 하기 위한 고저항 실리콘 핸들 웨이퍼의 제조 방법 |
| PCT/FI2021/050664 WO2022074297A1 (en) | 2020-10-08 | 2021-10-08 | Manufacture method of a high-resistivity silicon handle wafer for enabling a formation of a hybrid substrate structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20205989A FI129826B (fi) | 2020-10-08 | 2020-10-08 | Hybridisubstraattirakenteelle tarkoitetun korkearesistiivisen piikiekon valmistusmenetelmä |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20205989A1 FI20205989A1 (fi) | 2022-04-09 |
| FI129826B true FI129826B (fi) | 2022-09-15 |
Family
ID=81125454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20205989A FI129826B (fi) | 2020-10-08 | 2020-10-08 | Hybridisubstraattirakenteelle tarkoitetun korkearesistiivisen piikiekon valmistusmenetelmä |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP4226411A1 (fi) |
| JP (1) | JP2023549029A (fi) |
| KR (1) | KR20230080428A (fi) |
| CN (1) | CN116325084A (fi) |
| FI (1) | FI129826B (fi) |
| WO (1) | WO2022074297A1 (fi) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69127582T2 (de) * | 1990-05-18 | 1998-03-26 | Fujitsu Ltd | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung unter Verwendung dieses Substrates |
| JP2000114216A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
| FI130149B (fi) * | 2013-11-26 | 2023-03-15 | Okmetic Oyj | Vähennetyllä radiotaajuushäviöllä varustettu korkearesistiivinen piisubstraatti radiotaajuiselle integroidulle passiivilaitteelle |
-
2020
- 2020-10-08 FI FI20205989A patent/FI129826B/fi active IP Right Grant
-
2021
- 2021-10-08 KR KR1020237012366A patent/KR20230080428A/ko unknown
- 2021-10-08 WO PCT/FI2021/050664 patent/WO2022074297A1/en unknown
- 2021-10-08 JP JP2023520210A patent/JP2023549029A/ja active Pending
- 2021-10-08 EP EP21877067.5A patent/EP4226411A1/en active Pending
- 2021-10-08 CN CN202180069096.5A patent/CN116325084A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116325084A (zh) | 2023-06-23 |
| WO2022074297A1 (en) | 2022-04-14 |
| EP4226411A1 (en) | 2023-08-16 |
| FI20205989A1 (fi) | 2022-04-09 |
| KR20230080428A (ko) | 2023-06-07 |
| JP2023549029A (ja) | 2023-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3400765B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法および該製造方法の使用 | |
| US7393759B2 (en) | Semiconductor substrate, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor device | |
| JP4732423B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP2006222453A (ja) | シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ並びにｓｏｉウエーハ | |
| WO2006031641A2 (en) | Method of manufacturing carrier wafer and resulting carrier wafer structures | |
| KR20070094904A (ko) | 에피텍셜 웨이퍼의 제조방법 및 에피텍셜 웨이퍼 | |
| US5643405A (en) | Method for polishing a semiconductor substrate | |
| JP2001196334A (ja) | 多数の半導体ウェーハの製造法 | |
| US20220115226A1 (en) | Manufacture method of a high-resistivity silicon handle wafer for a hybrid substrate structure | |
| EP0808231B1 (en) | Chemical-mechanical polishing using curved carriers | |
| KR101752986B1 (ko) | SiC 기판의 제조 방법 | |
| FI129826B (fi) | Hybridisubstraattirakenteelle tarkoitetun korkearesistiivisen piikiekon valmistusmenetelmä | |
| CN108885981A (zh) | 晶圆的制造方法及晶圆 | |
| JP4953154B2 (ja) | ダイヤモンド基板およびその製造方法 | |
| JP4789009B2 (ja) | ダイヤモンド基板およびその製造方法 | |
| CN110034018B (zh) | 半导体晶片的制造方法 | |
| EP0798771A2 (en) | Silicon wafer comprising an amorphous silicon layer and method of manufacturing the same by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) | |
| CN113957532A (zh) | 具有用于减少裂缝的最佳晶面取向的碳化硅晶体衬底及其生产方法 | |
| CN114667594A (zh) | 晶片的研磨方法及硅晶片 | |
| JP2010040549A (ja) | 半導体ウェーハ及びその製造方法 | |
| US20230253459A1 (en) | SiC EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | |
| JPH09246130A (ja) | 半導体ウエハおよびその製造方法並びにそれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| EP4170700A1 (en) | Indium phosphide substrate | |
| KR20010106530A (ko) | 웨이퍼 외주부의 가공능력 평가용 웨이퍼 및 웨이퍼외주부의 가공능력 평가방법 | |
| US20030224604A1 (en) | Sacrificial polishing substrate for improved film thickness uniformity and planarity |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 129826 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |