FI125341B - Laitteisto ja menetelmä substraatin käsittelemiseksi - Google Patents

Laitteisto ja menetelmä substraatin käsittelemiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI125341B
FI125341B FI20125786A FI20125786A FI125341B FI 125341 B FI125341 B FI 125341B FI 20125786 A FI20125786 A FI 20125786A FI 20125786 A FI20125786 A FI 20125786A FI 125341 B FI125341 B FI 125341B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
nozzle head
substrate
extremity
towards
oscillating
Prior art date
Application number
FI20125786A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20125786A (fi
Inventor
Mika Jauhiainen
Pekka Soininen
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20125786A priority Critical patent/FI125341B/fi
Priority to PCT/FI2013/050739 priority patent/WO2014009606A1/en
Priority to DE201311003446 priority patent/DE112013003446T5/de
Priority to US14/405,958 priority patent/US10023957B2/en
Priority to CN201380036581.8A priority patent/CN104428445B/zh
Publication of FI20125786A publication Critical patent/FI20125786A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI125341B publication Critical patent/FI125341B/fi
Priority to US15/968,783 priority patent/US20180251896A1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Claims (20)

1. Laitteisto substraatin (20, 30) pinnan (32) prosessoimiseksi altistamalla substraatin (20, 30) pinta (32) ainakin ensimmäisen lähtöaineen ja toisen lähtöaineen peräkkäisille pintareaktioille, joka laitteisto käsittää: - ainakin yhden suutinpään (6, 7), jossa on kaksi tai useampia läh-töainesuuttimia substraatin (20, 30) pinnan (32) altistamiseksi ainakin ensimmäiselle ja toiselle lähtöaineelle; ja - liikutusmekanismin (8, 10) suutinpään (6, 7) liikuttamiseksi epälineaarisella oskilloivalla liikkeellä ensimmäisen ääriaseman (B) ja toisen ää-riaseman (C) välillä keskiaseman (A) kautta, tunnettu siitä, että liikutusmekanismi (8, 10) käsittää ensimmäiset käyttövälineet (21, 22) ja toiset käyttövälineet, jotka on kytketty suutinpäähän (6, 7) oskilloivan liikkeen ohjaamiseksi yhteistyössä ensimmäisen ja toisen ääriaseman (B, C) välillä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että liikutusmekanismi (8, 10) on järjestetty liikuttamaan suutinpäätä (6) oskilloivalla ympyrä- tai pyörimisliikkeellä oskillaatioakselin (10) ympäri ensimmäisen ääriaseman (B) ja toisen ääriaseman (C) välillä.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että ensimmäiset käyttövälineet (21, 22) on järjestetty kiihdyttämään suutinpäätä (6, 7) kohti ensimmäistä ääriasemaa (B) ja hidastamaan suutinpäätä (6, 7) kohti toista ääriasemaan (C), ja että toiset käyttövälineet (23, 24) on järjestetty kiihdyttämään suutinpäätä (6, 7) kohti toista ääriasemaa (C) ja hidastamaan suutinpäätä (6, 7) kohti ensimmäistä ääriasemaa (B).
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että ensimmäiset käyttövälineet (21, 22) on järjestetty kiihdyttämään suutinpäätä (6, 7) toisen ääriaseman (C) ja keskiaseman (A) välillä ja hidastamaan suutinpäätä (6, 7) keskiaseman (A) ja toisen ääriaseman (C) välillä, ja että toiset käyttö-välineet (23, 24) on järjestetty kiihdyttämän suutinpäätä (6, 7) ensimmäisen ääriaseman (B) ja keskiaseman (A) välillä ja hidastamaan suutinpäätä (6, 7) keskiaseman (A) ja ensimmäisen ääriaseman (B) välillä.
5. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 1 - 4 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että ensimmäiset käyttövälineet (21,22) käsittävät ainakin yhden ensimmäisen tehonsyöttöyksikön (21), joka aikaansaa kiihdytys-ja hidastuste-hon suutinpäähän (6, 7) suutinpään (6, 7) epälineaarisen oskilloivan liikkeen ylläpitämiseksi, ja että toiset käyttövälineet (23, 24) käsittävät ainakin yhden toisen tehonsyöttöyksikön (23), joka aikaansaa kiihdytys-ja hidastustehon suu-tinpäähän (6, 7) suutinpään (6, 7) epälineaarisen oskilloivan liikkeen ylläpitämiseksi.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen tehonsyöttöyksikkö (21,23) käsittää sähkömoottorin, servomoottorin (21), jousikäytön, pneumaattisen käytön, magneettikenttäkäytön tai kahden tai useamman niiden yhdistelmän oskillointitehon aikaansaamiseksi suutinpäähän (6, 7).
7. Patenttivaatimuksen 5 tai 6 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen tehonsyöttöyksikkö (21, 23) on mekaanisesti tai toiminnallisesti kytketty suutinpäähän (6, 7) välitysvälineillä (26).
8. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 5-7 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että välitysvälineet käsittävät yhden tai useamman hihnan (26), vipusovitelman, ketjun tai hammaspyörän.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että välitysvälineet (26) on toiminnallisesti kytketty ensimmäisen ja toisen tehonsyöttöyksikön (21,23) välille ensimmäisellä ja toisella käyttöpyörä11ä (22, 24).
10. Patenttivaatimuksen 8 tai 9 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että välitysvälineet käsittävät metallihihnan (26), joka on järjestetty ensimmäisten ja toisten käyttövälineiden (21, 22, 23, 24) välille ja kytketty suutinpäähän (6, 7).
11. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 1-10 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että suutinpää (6) on kytketty oskillaatioakseliin (10) heilurivarrel-la (8) heilurin aikaansaamiseksi, jossa suutinpää (6) on aikaansaatu heilurin painona suutinpään liikuttamiseksi oskilloivalla heiluriliikkeellä.
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että oskillaatioakseli (10) on järjestetty olennaisesti vaakasuorasi! suutinpään (6) liikuttamiseksi heiluriliikkeellä painovoimaa vastaan, tai oskillaatioakseli (10) on järjestetty olennaisesti pystysuorasti kiertoheilurin aikaansaamiseksi suutinpään (6) liikuttamiseksi.
13. Patenttivaatimuksen 11 tai 12 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että laitteisto käsittää kuljetussylinterin (2), jolla on ulkopinta (4), jota pitkin taipuisaa pitkänomaista substraattia (20) kuljetetaan, ja että suutinpää (6) on järjestetty liikkumaan oskiloivalla heiluriliikkeellä olennaisesti vakioetäisyydellä kuljetussylinterin (2) ulkopinnasta (4) ensimmäisen ja toisen ääriaseman (B, C) välillä.
14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että suutinpää (6) n kääntyvästi tuettu heilurivarrella (8) kuljetussylinterin (2) kes-kiakseliin siten, että kuljetussylinterin (2) keskiakseli muodostaa oskillaatioak-selin (10).
15. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 1-10 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että liikutusmekanismi on järjestetty pyörittämään suutinpäätä (7) pyörimisakselin ympäri oskilloivalla pyörimisliikkeellä ensimmäisen ja toisen ääriaseman (B, C) välillä.
16. Patenttivaatimuksen 15 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että suutinpää (7) on muodostettu sylinterimäisenä suutinpäänä, jolla on keskiakseli ja olennaisesti ympyränmuotoinen kehä vakioetäisyydellä keskiakselista, ja että liikutusmekanismi on järjestetty pyörittämään suutinpäätä (7) suutinpään (7) keskiakselin ympäri oskilloivalla pyörimisliikkeellä ensimmäisen ja toisen ääriaseman (B, C) välillä.
17. Menetelmä substraatin (20, 30) pinnan prosessoimiseksi altistamalla substraatin (20, 30) pinta (32) ainakin ensimmäisen ja toisen lähtöaineen peräkkäisille pintareaktioille, joka menetelmä käsittää: - altistetaan substraatin (20) pinta ainakin ensimmäiselle ja toiselle lähtöaineelle suutinpäällä (6, 7), joka on järjestetty substraatin (20) pinnan päälle ja varustettu ainakin yhdellä ensimmäisellä lähtöainesuuttimella ensimmäisen lähtöaineen syöttämiseksi ja ainakin yhdellä toisella lähtöainesuuttimella toisen lähtöaineen syöttämiseksi; ja - liikutetaan suutinpäätä (6, 7) substraatin pinnan päällä epälineaarisella oskillaatiolla ensimmäisen ääriaseman (B) ja toisen ääriaseman (C) välillä, tunnettu siitä, että menetelmä käsittää lisäksi epälineaarisen oskil-loivan liikkeen ohjaamisen ensimmäisen ja toisen ääriaseman välillä yhteistyössä ensimmäisillä käyttövälineillä (21, 22) ja toisilla käyttövälineillä (23, 24).
18. Patenttivaatimuksen 17 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että menetelmä käsittää suutinpään (6, 7) kiihdyttämisen kohti ensimmäistä ää-riasemaa (B) ja hidastamisen kohti toista ääriasemaa (C) käyttäen ensimmäisiä käyttövälineitä (21, 22), ja suutinpään (6, 7) kiihdyttämisen kohti toista ääriasemaa (C) ja hidastamisen kohti ensimmäistä ääriasemaa (B) käyttäen toisia käyttövälineitä (23, 24).
19. Patenttivaatimuksen 18 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että menetelmä käsittää suutinpään (6, 7) kiihdyttämisen toisen ääriaseman (C) ja keskiaseman (A) välillä kohti ensimmäistä ääriasemaa (B) ja suutinpään (6, 7) hidastamisen keskiaseman (A) ja toisen ääriaseman (C) välillä kohti toista ääriasemaa (C) käyttäen ensimmäisiä käyttövälineitä (21, 22), ja suutinpään (6, 7) kiihdyttämisen ensimmäisen ääriaseman (B) ja keskiaseman (A) välillä kohti toista ääriasemaa (C) ja suutinpään hidastamisen keskiaseman (A) ja ensimmäisen ääriaseman (B) välillä kohti ensimmäistä ääriasemaa (B) käyttäen toisia käyttövälineitä (23, 24).
20. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 18 tai 19 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että menetelmä käsittää suutinpään (6) liikuttamisen oskil-loivalla heiluriliikkeellä ensimmäisen ja toisen ääriaseman (B, C) välillä, tai että menetelmä käsittää suutinpään (7) liikuttamisen oskilloivalla ympyrä- tai pyörimisliikkeellä ensimmäisen ja toisen ääriaseman (B, C) välillä.
FI20125786A 2012-07-09 2012-07-09 Laitteisto ja menetelmä substraatin käsittelemiseksi FI125341B (fi)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20125786A FI125341B (fi) 2012-07-09 2012-07-09 Laitteisto ja menetelmä substraatin käsittelemiseksi
PCT/FI2013/050739 WO2014009606A1 (en) 2012-07-09 2013-07-08 Apparatus and method for processing substrate
DE201311003446 DE112013003446T5 (de) 2012-07-09 2013-07-08 Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats
US14/405,958 US10023957B2 (en) 2012-07-09 2013-07-08 Apparatus and method for processing substrate
CN201380036581.8A CN104428445B (zh) 2012-07-09 2013-07-08 用于处理基底的设备和方法
US15/968,783 US20180251896A1 (en) 2012-07-09 2018-05-02 Apparatus for processing substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20125786A FI125341B (fi) 2012-07-09 2012-07-09 Laitteisto ja menetelmä substraatin käsittelemiseksi
FI20125786 2012-07-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI20125786A FI20125786A (fi) 2014-01-10
FI125341B true FI125341B (fi) 2015-08-31

Family

ID=49915460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20125786A FI125341B (fi) 2012-07-09 2012-07-09 Laitteisto ja menetelmä substraatin käsittelemiseksi

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10023957B2 (fi)
CN (1) CN104428445B (fi)
DE (1) DE112013003446T5 (fi)
FI (1) FI125341B (fi)
WO (1) WO2014009606A1 (fi)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI124298B (fi) * 2012-06-25 2014-06-13 Beneq Oy Laite substraatin pinnan käsittelemiseksi ja suutinpää
FI125341B (fi) * 2012-07-09 2015-08-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin käsittelemiseksi
FI127675B (fi) * 2015-02-06 2018-11-30 Upm Kymmene Corp Menetelmä ja laitteisto liukoista hiilihydraattia sisältävän fraktion konsentraation lisäämiseksi, liukoista hiilihydraattia sisältävä fraktio, kiintoainefraktio ja niiden käyttö
FI127502B (fi) * 2016-06-30 2018-07-31 Beneq Oy Menetelmä ja laitteisto substraatin pinnoittamiseksi
WO2021108656A1 (en) * 2019-11-26 2021-06-03 Carpe Diem Technologies, Inc. Atomic layer deposition system

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55120142A (en) 1979-03-10 1980-09-16 Pioneer Electronic Corp Cvd device
US4354455A (en) * 1981-02-17 1982-10-19 Rca Corporation Apparatus for oscillating a gas manifold in a rotary disc reactor
US4501310A (en) * 1982-09-29 1985-02-26 Valdes Guillermo A Oscillating cutting apparatus
US4928625A (en) * 1989-09-25 1990-05-29 Spirotron Corporation Pendulum mounted airbrush
US5072534A (en) * 1990-03-26 1991-12-17 John Kodet Display sign having coacting display rollers and drive belt attachment
JPH04171944A (ja) 1990-11-06 1992-06-19 Fujitsu Ltd 気相エピタキシャル成長装置
JPH1094745A (ja) * 1996-09-25 1998-04-14 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 塗装工具
US6722872B1 (en) * 1999-06-23 2004-04-20 Stratasys, Inc. High temperature modeling apparatus
TW475805U (en) * 2000-07-07 2002-02-01 Umax Data Systems Inc Transmission mechanism of optical scanner
US6675548B2 (en) * 2000-08-31 2004-01-13 Dyk Incorporated Method and apparatus for texturizing tank walls
DE10162256B4 (de) * 2001-12-18 2004-09-09 Siemens Ag Strahlenblende für ein Röntgengerät
EP1485697A2 (en) * 2002-03-19 2004-12-15 Breakaway Imaging, Llc Computer tomograph with a detector following the movement of a pivotable x-ray source
WO2005068019A1 (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Right Mfg, Co., Ltd. 放射線照射野限定装置
US7699932B2 (en) * 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
CN101229061B (zh) * 2004-11-02 2012-11-21 株式会社东芝 磁共振成像装置和磁共振成像方法
US8064107B2 (en) * 2005-09-14 2011-11-22 Honeywell International Inc. Tensioned scanner rails
US20070281106A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-06 Applied Materials, Inc. Process chamber for dielectric gapfill
ITMI20061353A1 (it) * 2006-07-12 2008-01-13 Savio Macchine Tessili Spa Dispositivo per la guida del filo per la produzione di rocche con modulazione della zettatura
CA2649198A1 (en) * 2006-07-19 2008-01-24 Paul Duclos Pendulum mechanism and power generation system using same
US7755057B2 (en) * 2007-03-07 2010-07-13 General Electric Company CT gantry mounted radioactive source loader for PET calibration
US7572686B2 (en) * 2007-09-26 2009-08-11 Eastman Kodak Company System for thin film deposition utilizing compensating forces
US20100209614A1 (en) * 2007-11-01 2010-08-19 Kazuhiko Sakata Coating method, and coating apparatus
US7942987B2 (en) * 2008-06-24 2011-05-17 Stratasys, Inc. System and method for building three-dimensional objects with metal-based alloys
JP2010066298A (ja) 2008-09-08 2010-03-25 Bridgestone Corp 情報表示用パネルの製造装置および製造方法
US20110097493A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including non-parallel non-perpendicular slots
US20110097492A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold operating state management system
EP2360293A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-24 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
CA2803928C (en) * 2010-06-22 2018-05-01 Line Travel Automated Coating Inc. Plural component coating application system with a compressed gas flushing system and spray tip flip mechanism
FI20105902A0 (fi) * 2010-08-30 2010-08-30 Beneq Oy Laite
FI20105905A0 (fi) * 2010-08-30 2010-08-30 Beneq Oy Suutinpää ja laite
FI20105906A0 (fi) * 2010-08-30 2010-08-30 Beneq Oy Laite
FI20105903A0 (fi) * 2010-08-30 2010-08-30 Beneq Oy Laite
US9108360B2 (en) * 2011-09-23 2015-08-18 Stratasys, Inc. Gantry assembly for use in additive manufacturing system
US8664618B2 (en) * 2012-03-31 2014-03-04 Linatech Llc Spherical rotational radiation therapy apparatus
KR20130142869A (ko) * 2012-06-20 2013-12-30 주식회사 엠티에스나노테크 원자층 증착 장치 및 방법
WO2013191471A1 (ko) * 2012-06-20 2013-12-27 주식회사 엠티에스나노테크 원자층 증착 장치 및 방법
WO2013191469A1 (ko) * 2012-06-20 2013-12-27 주식회사 엠티에스나노테크 원자층 증착 장치
KR101435100B1 (ko) * 2012-06-20 2014-08-29 주식회사 엠티에스나노테크 원자층 증착 장치
FI124298B (fi) * 2012-06-25 2014-06-13 Beneq Oy Laite substraatin pinnan käsittelemiseksi ja suutinpää
FI125341B (fi) * 2012-07-09 2015-08-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin käsittelemiseksi
US8453593B1 (en) * 2012-08-22 2013-06-04 Kent Weisenberg Emission attenuated lining apparatus and methods for structures
FI126043B (fi) * 2013-06-27 2016-06-15 Beneq Oy Menetelmä ja laitteisto substraatin pinnan pinnoittamiseksi
WO2017037338A1 (en) * 2015-09-02 2017-03-09 Beneq Oy Apparatus and method for providing a coating to a surface of a substrate
CN107949655B (zh) * 2015-09-02 2020-12-29 Beneq有限公司 用于处理基材表面的设备和操作该设备的方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014009606A1 (en) 2014-01-16
CN104428445B (zh) 2016-04-13
CN104428445A (zh) 2015-03-18
FI20125786A (fi) 2014-01-10
US20150167164A1 (en) 2015-06-18
US10023957B2 (en) 2018-07-17
DE112013003446T5 (de) 2015-04-16
US20180251896A1 (en) 2018-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180251896A1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101799609B1 (ko) 기판 상에 원자 층을 증착시키는 장치 및 방법
JP6255341B2 (ja) 基板上に原子層を堆積させる方法および装置
KR102267234B1 (ko) 기판 상에 원자 층을 증착시키는 장치 및 방법
US9683291B2 (en) Apparatus for processing surface of substrate and nozzle head
JP2014525881A (ja) 回転可能な移送区分を有するコンベヤ装置
CN103108985B (zh) 用于处理柔性基底的表面的装置
JPS6322306A (ja) パック−乃至アンパック機械
US9909212B2 (en) Apparatus for processing substrate surface
JP2004161494A (ja) 小包体搬送組体
CN112585081B (zh) 用于处理容器的设备和方法
JP6732091B1 (ja) 小袋供給装置
WO2009130751A1 (ja) 容器搬送装置
CN106480421B (zh) 竖立基材的连续式薄膜处理设备
US20240011149A1 (en) Transport device and method
FI81546B (fi) Anordning foer transport av loesgods i lodraett riktning.
JP2000109021A (ja) 製品の供給装置
US11795003B2 (en) Circulation conveyor transport wheel, substrate carrier and method
WO2012028777A1 (en) Apparatus
CN112996949B (zh) 用于将第一层和第二层沉积在基板上的系统和方法
WO2012028781A1 (en) Apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 125341

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B