FI124989B - Järjestelmä ja menelmät kaskoditehovahvistimia varten - Google Patents
Järjestelmä ja menelmät kaskoditehovahvistimia varten Download PDFInfo
- Publication number
- FI124989B FI124989B FI20095001A FI20095001A FI124989B FI 124989 B FI124989 B FI 124989B FI 20095001 A FI20095001 A FI 20095001A FI 20095001 A FI20095001 A FI 20095001A FI 124989 B FI124989 B FI 124989B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- emitter
- control device
- capacitance
- common control
- common
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010754 BS 2869 Class F Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 1
- 101150088150 VTH2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
- H03F3/2176—Class E amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/108—A coil being added in the drain circuit of a FET amplifier stage, e.g. for noise reducing purposes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Järjestelmä ja menetelmät kaskoditehovahvistimia varten
Keksinnön ala [0001] Keksinnön suoritusmuodot koskevat yleisesti kaskoditehovahvistimia .
Keksinnön taustaa [0002] Tehovahvistimia (PA) voidaan käyttää radiolaitteen edustassa ja muissa langattomissa laitteissa/sovelluksissa. Koska tehovahvistimet kuluttavat suuren tehomäärän, on edullista käyttää tehovahvistinta suurella hyötysuhteella. Teho-vahvistinten, kuten CMOS-tehovahvistimien (CMOS, Complementary Metal Oxide Semiconductor) suunnitteleminen sellaisiksi, että niillä on hyvä hyötysuhde ja suuri lähtöteho, on vaativa tehtävä. Siksi on tarve suuren tehon ja hyvän hyötysuhteen omaavista tehovahvistimista.
Julkaisusta WO 2005076465 AI tunnetaan ennalta perinteinen ja paranneltu kaskodirakenne tehovahvistimelle. Parannuksessa transistorin lähde ja runko on kytketty samaan potentiaaliin ja näin osa saavutettu parempi suorituskyky.
Julkaisuista US 2006033562 AI tunnetaan ennalta tehovahvistimia sekä ilmi transistorin kynnysjännitteen madaltumisesta kytkettäessä transistorin lähde ja runko samaan potentiaaliin.
Julkaisusta US 2006006950 AI tunnetaan ennalta tehovahvistimia ja ratkaisu, jossa transistorin rungon ja lähteen väliin on kytketty induktiivinen komponentti, joka vastaa tasavir-ralla oikosulkua.
Julkaisusta US 2006044071 tunnetaan ennalta PMOS-transistoreilla toteutettu vahvistinrakenne.
Keksinnön lyhyt yhteenveto [0003] Esimerkinomaisilla suoritusmuodoilla pyritään saamaan hyvän hyötysuhteen omaava tehovahvistin, kuten hyvän hyötysuhteen omaava, CMOS-tekniikkaan perustuva kytkentätyypin kaskoditehovahvistin. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukainen hyvän hyötysuhteen omaava vahvistin voi sisältää CMOS-kaskodilaitteita ja kuormaverkkoja. Esimerkinomaisen CMOS-kaskodirakenteen mukaisesti yhteishilalait-teen runko voidaan sitoa yhteishilalaitteen lähteeseen (BS-kaskodi). OFF-tilassa vuotovirran määrä, joka kulkee yhteishilalaitteen läpi, on suhteellisen pieni. Siksi BS-kaskodirakenne pystyy minimoimaan tehohäviön, joka johtuu vuotovirrasta kynnyksen alapuolisessa (subthreshold)/ heikossa inversiovyöhykkeessä CMOS-kaskodilaitteessa. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti BS-kaskodi voi olla sisällytetty erityyppisiin kytkentätehovahvistimiin.
[0004] Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti on olemassa järjestelmä tehovahvistinta varten. Järjestelmä voi sisältää ensimmäisen yhteislähdelaitteen, jossa on ensimmäinen lähde, ensimmäinen hila, ensimmäinen nielu ja ensimmäinen runko, jolloin ensimmäinen lähde on kytketty ensimmäiseen runkoon ja jolloin ensimmäinen hila on kytketty tuloporttiin, sekä toinen yhteishilalaite, jossa on toinen lähde, toinen hila, toinen nielu ja toinen runko, jolloin toinen lähde on kytketty ensimmäiseen nieluun ja lisäksi tämä toinen lähde on kytketty toiseen runkoon ja toinen nielu on kytketty lähtöporttiin.
[0005] Keksinnön toisen suoritusmuodon mukaisesti on olemassa menetelmä tehovahvistinta varten. Menetelmä voi sisältää sen, että järjestetään ensimmäinen yhteislähdelaite, jossa on ensimmäinen lähde, ensimmäinen hila, ensimmäinen nielu ja ensimmäinen runko, jolloin ensimmäistä hilaa voidaan käyttää tuloporttina, ja järjestetään toinen yhteishilalaite, jossa on toinen lähde, toinen hila, toinen nielu ja toinen runko, jolloin toista nielua voidaan käyttää lähtöporttina. Menetelmä voi sisältää edelleen sen, että kytketään ensimmäinen lähde ensimmäiseen runkoon, kytketään toinen lähde toiseen runkoon ja pinotaan ensimmäinen yhteislähdelaite ja toinen yhteislähdelaite kytkemällä ensimmäinen nielu toiseen lähteeseen .
Kuvien lyhyt selostus [0006] ] Edellä on selostettu keksintöä yleisesti, ja seu-raavassa viitataan oheisina oleviin kuviin, joita ei välttämättä ole piirretty oikeassa mittakaavassa ja joista: [0007] Kuvio 1 on lohkokaavio teholähetinjärjestelmästä, joka sisältää kytkentätehovahvistimen, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0008] Kuvio 2 on piirikaavio kytkentätyypin BS-CMOS-kaskoditehovahvistinjärjestelmästä, jossa on impedanssin- muuntoverkko, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti .
[0009] Kuvio 3 on piirikaavio esimerkinomaisesta luokan E CMOS-BS-kaskoditehovahvistimesta, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0010] Kuvio 4 on ekvivalenttipiirimalli esimerkinomaiselle luokan E CMOS-BS-kaskoditehovahvistimelle, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0011] Kuvio 5 on piirikaavio esimerkinomaisesta luokan E CMOS-BG-kaskoditehovahvistimesta, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0012] Kuvio 6 on ekvivalenttipiirimalli esimerkinomaiselle luokan E CMOS-BG-vahvistinjärjestelmälle, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0013] Kuvio 7 esittää jänniteaaltomuodot yhteishilalaitteen nielulla ja lähteessä sekä yhteishilalaitteen hila-lähdejännitteen VGs aaltomuodon, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0014] Kuvio 8 on käyräkuva esimerkinomaisista BS-kaskoditehovahvistinrakenteen mittauksista, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
Keksinnön yksityiskohtainen selostus [0015] Seuraavaksi selostetaan keksinnön suoritusmuotoja tarkemmin viitaten oheisina oleviin kuviin, joissa on esitetty keksinnön joitakin, mutta ei kaikkia suoritusmuotoja. Keksintöä voidaankin ilmentää monessa eri muodossa eikä sitä saa tulkita rajoitetuksi tässä kuvatuilla suoritusmuodoilla; nämä suoritusmuodot on annettu pikemminkin siksi, että tämä esitys täyttäisi sovellettavat oikeudelliset vaatimukset. Samat viitenumerot viittaavat samoihin elementteihin kauttaaltaan .
[0016] Kuvio 1 esittää kytkentätehovahvistinjärjestelmän (PA-järjestelmän) 100, joka voi sisältää tuloportin 101, valinnaisen ohjainasteen 102, yhden tai useamman kytkentäteho-vahvistimen 103 ja valinnaisesti impedanssinmuuntoverkon 104, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti ohjain-vahvistinaste 102 voi ottaa vastaan tulon, kuten kantataa-juussignaalin tai RF-signaalin tuloportista 101 ja muodostaa lähdön kytkentätehovahvistimen 103 ohjaamista varten. Kuten voidaan nähdä kuviosta 1, kytkentätehovahvistin 103 voi saada syöttötehonsa syöttöjänniteportin 106 (Vdd) kautta. Kytkentätehovahvistin 103 voi antaa sitten vahvistetun läh-tösignaalin impedanssinmuuntoverkkoon 104, joka sovittaa te-hovahvistimen 103 lähtöimpedanssin lähtöportissa 105 vaikuttavaan kuormaimpedanssiin. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti kuorma voi olla kytkin, multiplekseri, suodatin, antenni tai jonkin muun tyyppinen kuorma. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti kuormaimpe-danssi voi olla 50 ohmia. Silloin kun kuormaimpedanssi on 50 ohmia, impedanssinmuuntoverkko 104 voi muuntaa kytkentäteho- vahvistimen 103 lähtöimpedanssin 50 ohmiksi, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0017] Kuvio 2 esittää piirikaavion kytkentätyypin CMOS-kaskoditehovahvistimesta, jossa hyödynnetään BS- (body-source, runko-lähde) kaskodikonfiguraatiota, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Kuten voidaan nähdä kuviosta 2, tehovahvistinjärjestelmä 200 voi sisältää kytkentätyypin BS-kaskodivahvistimen 220, joka on yhteydessä valinnaisen impedanssinmuuntoverkon 216 kanssa. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti impedanssinmuun-toverkko 216 voi olla 1:n-muuntaja, jota voidaan käyttää sovittamaan kytkentätehovahvistin 220 lähtökuorman 217 (Pout) kuormaimpedanssiin (esim. 50 ohm).
[0018] Viitataan edelleen kuvioon 2; kytkentätyypin BS- kaskodivahvistin 220 voi olla kytkentätyypin CMOS-BS-kaskodivahvistin, joka sisältää ensimmäisen yhteislähdelait-teen eli -transistorin 202 (Mi), jossa on ensimmäinen lähde 205, ensimmäinen hila 204, ensimmäinen nielu 203 ja ensimmäinen runko 206, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Samalla lailla kytkentätyypin CMOS-BS-kakskadivahvistin 220 voi sisältää myös toisen yhteishila-transistorin eli -laitteen 208 (M2), jossa on toinen lähde 211, toinen hila 210, toinen nielu 209 ja toinen runko 212, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti [0019] Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti ensimmäinen yhteislähdelaite 202 (Mi) voi olla kytketty sarjaan toisen yhteishilalaitteen 208 (M2) kanssa pienentämään jänniterasitusta tai -taakkaa, jonka yksi laite muutoin jou- tuisi kantamaan. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti laitteet 202 (Mi) , 208 (M2) voi olla kytketty sarjaan kytkemällä ensimmäisen yhteislähdelaitteen (Mi) ensimmäinen nielu 203 toisen yhteishilalaitteen 208 (M2) toi seen lähteeseen 211. Lisäksi voidaan käyttää myös runko-lähde- vahvistinkonfiguraatiota kaskodikytkentävahvistimeen 220 vuotovirran pienentämisen tai minimoinnin tarkoituksessa, jotta saataisiin parannetuksi vahvistimen 220 hyötysuhdetta. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisen runko-lähde-vahvistinkonfiguraation kanssa ensimmäinen lähde 205 voi olla kytketty ensimmäisen yhteislähdelaitteen 202 (Mi) ensimmäiseen runkoon 206, ja toinen lähde 211 voi olla kytketty toisen yhteishilalaitteen 208 (M2) toiseen runkoon 212. Ensimmäisen yhteislähdelaitteen 202 (Mi) ensimmäinen lähde 205 voi olla kytketty edelleen maahan (GND), kun taas toisen yhteishilalaitteen 208 (M2) toinen hila 207 voi olla kytketty hilan esiohjausporttiin 207 (Vg). Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti tuloportti 201 (Pin) voi olla järjestetty ensimmäisen yhteislähdelaitteen 202 (Mi) ensimmäiselle hilalle 201 .
[0020] Viitataan edelleen kuvioon 2; RF-kuristin 213 voi olla järjestetty tehonsyötön 214 (Vdd) ja toisen yhteishilalaitteen 208 (M2) toisen nielun 209 väliin. RF-kuristinta 213 voidaan käyttää syöttämään DC-tehoa nielulle 209. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti RF-kuristin 213 voi olla valittu niin suureksi, että toisen nielun 209 läpi kulkeva virta voi olla jotakuinkin vakio. Lisäksi kaskodikytkentävahvistimen 220 lähtöportti voi olla toisen yhteishilalaitteen 208 (M2) kyseisellä toisella nie lulla 209 ja kytketty kuormaverkkoon 215. Keksinnön esimer- kinomaisen suoritusmuodon mukaisesti kuormaverkkoa 215 voidaan käyttää suorittamaan kytkentätoiminta lähtöportin ja impedanssinmuuntoverkon 216 välillä. Kuormaverkon 215 rakenne voi riippua kytkentätehovahvistimen 220 (esim. luokan D, E tai F jne.) ominaisarvoista. Esimerkiksi luokan D, E ja F kytkentämuodon tehovahvistimet (PA) voivat edellyttää, että kuormaverkot suorittavat omat kytkentätoimintansa. Tässä tapauksessa luokan D tehovahvistimet voivat tarvita LCR-resonaattoreita toimintaansa varten. Vastaavasti luokan E tehovahvistimet voivat tarvita yhtä tai useampaa LCR-haaraa, luokan F tehovahvistimet voivat tarvita useita erillisele-menttejä harmonisten sammuttamisen suorittamiseksi. Kytken-tätoiminnassa yhtä tai useampaa laitetta yliohjataan voimakkaasti, ja kytkentäverkkoina toimivat kuormaverkot voivat muuntaa DC-energiaa RF-energiaksi, esimerkiksi 100 prosentin hyötysuhteella, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0021] On korostettava, että transistorit 202 (Mi), 208 (M2) voivat olla metallioksidipuolijohdekenttävaikutustransisto-reita (MOSFET), keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. On kuitenkin korostettava, että käyttää voidaan yhtä hyvin myös muita kenttävaikutustransistoreita (FET) poikkeamatta keksinnön esimerkinomaisista suoritusmuodoista.
[0022] Kuvio 3 esittää piirikaavion luokan E CMOS BS-kaskoditehovahvistimesta 300, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Kuten on esitetty kuviossa 3, BS-kaskodivahvistinkonfiguraatio voidaan toteuttaa käyttäen ensimmäistä yhteislähdetransistoria eli yhteislähdelaitetta 302 (Mi) ja toista yhteishilatransistoria eli yhteislähde- laitetta 308 (M2) , keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Ensimmäinen laite 302 (Mi) voi sisältää ensimmäisen lähteen 305, ensimmäisen hilan 304, ensimmäisen nielun 303 ja ensimmäisen rungon 306, ja toisessa laitteessa 308 (M2) voi olla toinen lähde 3112, toinen hila 310, toinen nielu 309 ja toinen runko 312. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti ensimmäinen laite 302 (Mi) voi olla kytketty sarjaan toisen laitteen 308 (M2) kanssa niin, että on kytketty ensimmäinen nielu 303 toiseen lähteeseen 311. Lisäksi BS-kaskodivahvistinkonfiguraatio voi olla toteutettu kytkemällä ensimmäinen lähde 305 ensimmäiseen runkoon 306 sekä toinen lähde 311 toiseen runkoon 312.
[0023] Kuviossa 3 yhteislähdelaitteen 302 (Mi) lähde 305 voi olla kytketty maahan, kun taas yhteishilalaitteen 308 (M2) hila 310 voi olla kytketty hilan esiohjausporttiin 307. Lisäksi, kuten on esitetty kuviossa 3, toisen laitteen 308 (M2) toisella nielulla oleva lähtöportti voi olla kytketty kuormaverkkoon 315. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti kuormaverkko 315 voi olla L-C-R-verkko, jota voidaan käyttää luokan E kytkentäoloissa. Luokan E kuorma-verkko 315 voi käsittää esimerkiksi kapasitiivisen komponentin 315, induktiivisen komponentin 316 ja resistiivisen komponentin 317 sarjamuotoisen yhdistelmän. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti komponentit 315, 316 ja 317 voi olla toteutettu erilliskomponentein.
[0024] Kuvio 4 esittää kuvion 3 BS-kaskoditehovahvistimen ekvivalenttipiirimallin, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Kuten voidaan nähdä kuviosta 4, yh-teislähdelaite 302 (Mi) voidaan esittää kytkimenä 401, jolla on OFF-tila ja ON-tila, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Vastaavasti yhteishilalaite 308 (M2) voidaan esittää kytkimenä 404, jolla on OFF-tila ja ON-tila, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteisläh-delaitteen 302 (Mi) ON-tilan vastus (roni) voi olla kytketty sarjaan yhteishilalaitteen 308 (M2) ON-tilan vastuksen 405 (ron2) kanssa. Viitataan edelleen kuvioon 4; yhteislähdelait-teen 302 (Mi) lähtökapasitanssi 403 voi olla laitteen 302 (Mi) nielu-runko-kapasitanssin Cdbi ja laitteen 308 (M2) hi- la-lähde-kapasitanssin CgS2 summa. Lähtökapasitanssi 403 voi olla kytketty sarjaan laitteen 308 (M2) lähtökapasitanssin 406 kanssa, joka voi olla laitteen 308 (M2) nielu-runko- kapasitanssi 406 (Cdb2) · [0025] On korostettava, että joissakin suoritusmuodoissa voi olla edullista pienentää vuotovirtaa tai eliminoida se kokonaan yhteishilalaitteessa 308 (M2) silloin, kun BS- kaskodivahvistin on OFF-tilassa, jotta saataisiin parannetuksi BS-kaskodivahvistimen hyötysuhdetta. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteishilalaitteen 308 (M2) vuotovirtaa voidaan pienentää tai eliminoida se käyttämällä, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti, BS-kaskodivahvistinkonfiguraatiota, jossa laitetaan yhteishilalaitteen 308 (M2) lähde suurempaan jännitteeseen kuin yhteishilalaitteen 308 (M2) hilajännite (VG) miinus kynnys- j ännite (VTH2) · [0026] Tarkemmin lausuttuna tämän BS- kaskodivahvistinkonf iguraation kanssa laitteen 302 (Mi) läh-de-substraattikapasitanssi CSbi saadaan eliminoiduksi, koska laitteen 302 (Mi) lähde voi olla kytketty laitteen 302 (Mi) runkoon. Näin ollen lähtökapasitanssia 403 yhteislähdelait-teen 302 (Mi) osalta voidaan pienentää eliminoimalla lähde-substraatti-kapasitanssi CSbi· Tällä tavoin kuviossa 4 esitetyn BS-kaskodivahvistimen OFF-tilan aikana virta kulkee kapasitanssien 403, 406 määrittelemän virtapolun läpi ja asettaa yhteishilalaitteen 308 (M2) lähdejännitteen Vs potentiaaliin, joka on suurempi kuin yhteishilalaitteen 308 (M2) hilajännite miinus kynnys j ännite VTh2 (esim. VG - Vth2) · OFF-tilassa vuotovirta saadaan siten eliminoiduksi tai pienennetyksi yhteishilalaitteessa 308 (M2) . Keksinnön esimer kinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteishilalaitteen 308 (M2) vuotovirran eliminointia tai pienentämistä voidaan käyttää parantamaan BS-kaskodivahvistimen hyötysuhdetta.
[0027] Kuvio 5 esittää piirikaavion esimerkinomaiselle luokan E CMOS runko-maa (BG) kaskoditehovahvistimelle, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Kuvion 5 piirikaavio esittää erityisesti BG- kaskodivahvistinkonfiguraation, joka sisältää ensimmäisen yhteislähdelaitteen 502, jossa on ensimmäinen lähde 505, ensimmäinen hila 504, ensimmäinen nielu 503 ja ensimmäinen runko 506, sekä toisen yhteishilalaitteen 508, jossa on toinen lähde 511, toinen hila 510, toinen nielu 509 ja toinen runko 512. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteislähdelaite 502 voi olla kytketty sarjaan yhteishilalaitteen 508 kanssa kytkemällä ensimmäinen nielu 503 toiseen lähteeseen 511. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteislähdelaitteen 502 ja yhteishilalaitteen 508 sarjaan kytkeminen voi pienentää jänniterasitusta, joka muuten jäisi yhden ainoan laitteen kannettavaksi.
[0028] Kuviossa 5 BG-kaskodivahvistinkonfiguraatio voi sisältää sen, että kytketään sekä ensimmäisen yhteislähdelait-teen 502 ensimmäinen runko 506 että yhteishilalaitteen 508 toinen runko 512 maahan. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteislähdelaitteen 502 hila 504 voi olla kytketty hilan esiohjausporttiin 507 (Vg). Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti BG-kaskodivahvistimen lähtöportti voi olla toisen yhteishilalaitteen 508 toisella nielulla 509 ja kytketty kuormaverk-koon. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti kuormaverkko voi käsittää L-C-R-komponentteja, mukaan lukien kapasitiivisen komponentin 515 (Cs) , induktiivisen komponentin 516 (Ls) ja resistiivisen komponentin (Rl), joita voidaan käyttää luokan E kytkentäolojen yhteydessä.
[0029] Kuvio 6 esittää ekvivalenttipiirimallin luokan E BG-kaskoditehovahvistimelle, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Kuten voidaan nähdä kuviosta 6, yh-teislähdelaite 502 voidaan esittää kytkimenä 601, jolla on OFF-tila ja ON-tila, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Vastaavasti yhteishilalaite 508 voidaan esittää kytkimenä 604, jolla on OFF-tila ja ON-tila, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteislähdelaitteen 502 ON-tilan vastus 602 (roni) voi olla kytketty sarjaan yhteishilalaitteen 508 ON-tilan vastuksen 605 (ron2) kanssa.
[0030] Viitataan edelleen kuvioon 6; yhteislähdelaitteen 502 lähtökapasitanssi voi olla laitteen 502 nielu-runko-kapasitanssin Cdbi laitteen 508 hila-lähdekapasitanssin CgS2 ja laitteen 508 lähde-runko-kapasitanssin CSb2 summa. Lähtö-kapasitanssi 603 voidaan erottaa yhteishilalaitteen 508 läh-tökapasitanssista, joka voi käsittää laitteen 508 nielu-runko-kapasitanssin (Cdb2) , keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0031] Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteishilalaitteen 508 lähdejännite voi nousta jännitteeseen Vg-Vth2 asti OFF-tilassa. Koska laitteessa 508 on suuri jännite-ero nielun ja lähteen välillä, laite 508 voi olla kynnysarvon alittavalla (subthreshold) / heikon inversion alueella ja vuotovirtaa voi kulkea, mistä seuraa tehohäviötä. Näin ollen, tämän vuotovirran pienentämiseksi laitteen 508 lähteeseen voidaan kytkeä virityskela lisäämään laitteen 508 lähdejännitettä ja minimoimaan vuotovirta. BG-kaskodivahvistimen toteutusmalli voi vaatia kuitenkin lisää tilaa, jotta virityskela saataisiin mahtumaan mukaan.
Simulointi ja koetulokset [0032] Kuvio 7 esittää simuloidut jänniteaaltomuodot yhteishilalaitteen nielussa ja lähteessä sekä yhteishilalaitteen hila-lähde.jännitteen VGs sekä BG-kaskodivahvistimen että BS-kaskodivahvistimen osalta, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Kummassakin kaskodirakenteessa on pi-nokonfiguraatio, jossa on 0,18 pm yhteislähde ja 0,35 pm yh-teishila, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Yhteislähdelaitteen OFF-tilassa yhteishilalaitteen lähdejännite BS-kakskadivahvistimessa voi olla suurempi kuin se on BG-kaskodivahvistimessa. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteishilalaitteen lähdejännite BG-kaskodivahvistimessa voi suurentua yhteishilalaitteen varautuvan lähtökapasitanssin johdosta siihen asti, kunnes yh-teishilalaite menee kynnyksen alapuoliselle (subthreshold) alueelle. Lähdejännite voi nousta jännitteeseen VG-VTH2, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. 0,35 pm:n laitteen kynnysjännite, VTh, voi olla noin 1 V, kun runko on maadoitettu ja lähde on noin 2,5 V:ssa, kuten on esitetty kuviossa 7. Keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti yhteishilalaitteen hila-lähdejännite VGs BG-kaskodissa voi olla VTh2 yhteislähdelaitteen OFF-tilan aikana, koska yhteishilalaitteen lähteen jännitevaihtelu johtuu vuotovirras-ta, joka kulkee yhteislähdelaitteen suureen lähtökondensaat-toriin ja melkein sama. Vaikka vuotovirta on pieni, häviöte-ho voi olla suuri, koska on suuri jännite-ero yhteishilalaitteen lähteen ja nielun välillä. Toisaalta yhteishilalaitteen lähdejännite BS-kaskodissa voi suurentua yhteislähdelaitteen OFF-tilassa, koska AC-virtaa kulkee edelleen sar-j akapasitanssiyhteyden Cdb2 ja CgS2 + Cdbi kautta. OFF-tilassa, virran kulusta johtuen, yhteishilalaitteen M2 lähdejännite voi nousta yli jännitteen VG-VTH, kuten on esitetty kuviossa 7. Yhteislähdelaitteen Mi OFF-tilassa yhteishilalaitteen M2 hila-lähde-jännite VGS BS-kaskodissa voi olla pienempi kuin BG-kaskodivahvistimessa, joten BS-kaskodin kynnysarvon alapuolisen (subthreshold) alueen virta voi vastaavasti olla pienempi kuin BG-kaskodivahvistimessa. Lisäksi BS-kaskodivahvistimen tehohäviö saadaan minimoiduksi ilman, että lisättäisiin ylimääräinen kela, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0033] Luokan E BS-kaskodin toisena puolena voi olla lois-lähtökapasitanssin pieni kooste. Yhteislähdelaitteen Mi läh- tökapasitanssi BS-kaskodissa voi olla pienempi kuin BG-kaskodissa, kuten on esitetty kuviossa 4 ja kuviossa 6. Pieni lähtökapasitanssi voi pienentää tehohäviötä OFF-tilassa, kuten tässä on selostettu. Yhteislähdelaitteen Mi pieni läh-tökondensaattori voi myös pienentää yhteishilalaitteen M2 siirtymäaikaa ON-tilasta OFF-tilaa ja päinvastoin. Yleisesti voidaan sanoa, että ON-tilan resistanssista ron johtuvan tehohäviön pienentämiseksi laitekokoa on ehkä tarve suurentaa siihen asti, kunnes yhteishilalaitteen M2 nielulta nähty loiskapasitanssi voidaan sisällyttää piiriin, jossa on tarvittava rinnakkaiskapasitanssi luokan E kytkentäoloja varten. Koska tehollinen kapasitanssi yhteishilalaitteen M2 nielulta on kapasitanssien Cdb2 ja Cgs2+Cdbi sar j akytkentä, ko-konaiskapasitanssi BS-kaskodissa voi olla pienempi kuin se on BG-kaskodissa. Siksi voidaan käyttää suurempaa laitetta ilman että loiskapasitanssi suurenisi, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti.
[0034] Kuvio 8 esittää esimerkinomaiset mittaustulokset esimerkinomaisen BS-kaskoditehovahvistimen toiminnalle, keksinnön esimerkinomaisen suoritusmuodon mukaisesti. Nämä mittaustulokset esittävät tällaisen esimerkinomaisen tehovahvis-timen lähtötehon ja tehonlisäyshyötysuhteen. Kuten voidaan nähdä kuviosta 8, mitatut tulokset täyttävät tehovahvisti-melle asetettavan suorituskykyvaatimuksen taajuusalueella 1700 - 1950 MHz. Lähtöteho 30,5 dBm taajuudella 1,75 GHz ja vastaava tehonlisäyshyötysuhde 45 % saatiin 3,3 V:n syöttö- j ännitteellä.
[0035] Edellä olevan selostuksen ja oheisina olevien kuvien opetuksen perusteella alaan perehtyneet oivaltavat tässä ku- vatulle keksinnölle monia muunnelmia ja muita suoritusmuotoja, joita keksinnöt koskevat. Siksi on ymmärrettävä, että keksintöjä ei saa rajoittaa esitettyihin erityisiin suoritusmuotoihin, ja myös muut suoritusmuodot on tarkoitettu oheisina olevien patenttivaatimusten piiriin kuuluviksi. Vaikka tässä on käytetty monia erityistermejä, niitä käytetään kuitenkin vain yleisessä ja kuvaavassa mielessä ilman rajoittamisen tarkoitusta.
Claims (14)
1. Järjestelmä tehonvahvistinta varten, käsittäen: ensimmäisen yhteislähdelaitteen (202; 302; 401; 502; 601), jossa on ensimmäinen lähde (205; 305; 505), ensimmäinen hila (204; 304; 504), ensimmäinen nielu (203; 303; 503) ja ensimmäinen runko (206; 306; 506), jossa ensimmäinen lähde on kytketty ensimmäiseen runkoon ja ensimmäinen hila on kytketty tuloporttiin (201); toisen yhteishilalaitteen (208; 308; 404; 604), jossa on toinen lähde (211; 311), toinen hila (210; 310; 510), toinen nielu (209; 309; 509) ja toinen runko (212; 312; 512), jossa toinen lähde on kytketty ensimmäiseen nieluun, jossa toinen lähde on kytketty edelleen toiseen runkoon ja jossa toinen nielu on kytketty lähtöporttiin (105); ja kuormaverkon (315) kytkettynä lähtöporttiin (105); tunnettu siitä, että mainittu ensimmäinen yhteislähdelaite antaa ensimmäisen lähtökapasitanssin (403) ja sen määrittelee toisen yhteishilalaitteen hila-lähde-kapasitanssi ja ensimmäisen yhteislähdelaitteen nielu-runko-kapasitanssi, ja jossa toinen yhteis-hilalaite antaa toisen lähtökapasitanssin (406) ja sen määrittelee toisen yhteishilalaitteen nielu-runko-kapasitanssi; ja siitä, että mainittu kuormaverkko sisältää induktiivisen komponentin (316; 516), kapasitiivisen komponentin (315; 515) ja resis-tiivisen komponentin (317) sarjakytkennän, missä toisen yhteishilalaitteen koko on sellainen, että ensimmäisen lähtökapasitanssin ja toisen lähtökapasitanssin suhteelliset arvot tuottavat nielulta nähdyn loiskapasitans-sin toiselle yhteishilalaitteelle tehovahvistimen piiriin sisällytetyllä tavalla, ja näin mahdollistaa tehovahvistimen toimimisen kuormaverkon kanssa luokan E kytkentäolojen antamiseksi, ja missä ensimmäinen lähde on lisäksi kytketty maahan.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen järjestelmä, joka käsittää edelleen impedanssinmuuntoverkon, jolloin kuormaverkkoa voidaan käyttää antamaan kytkentätoiminto lähtöportin (105) ja impedanssinmuuntoverkon välillä.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen järjestelmä, jossa impe-danssinmuuntoverkko on kytketty kuormaverkon ja lähtökuorman väliin.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen järjestelmä, jossa lähtö-kuorma sisältää kytkimen, multiplekserin, suodattimen tai antennin.
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen järjestelmä, jossa tulo-porttia voidaan käyttää kantataajuussignaalin tai radiotaa-juussignaalin (RF-signaalin) kanssa.
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen järjestelmä, jossa teho-vahvistimen OFF-tilan aikana kulkee AC-virtaa ensimmäisen lähtökapasitanssin (403) ja toisen lähtökapasitanssin (406) kautta, mikä siten suurentaa toisen yhteishilalaitteen toisessa lähteessä vaikuttavaa jännitettä.
7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen järjestelmä, jossa toinen yhteishilalaite sisältää edelleen hilajännitteen ja kynnys-jännitteen, jolloin lähdejännite on suurempi kuin toisen yhteishilalaitteen hilajännitteen ja kynnysjännitteen erotus, mikä siten minimoi vuotovirran tehovahvistimessa.
8. Menetelmä tehovahvistinta varten, joka käsittää seuraa-van: järjestetään ensimmäinen yhteislähdelaite, jossa on ensimmäinen lähde, ensimmäinen hila, ensimmäinen nielu ja ensimmäinen runko, jolloin ensimmäistä hilaa voidaan käyttää tuloporttina; ja järjestetään toinen yhteishilalaite, jossa on toinen lähde, toinen hila, toinen nielu ja toinen runko, jolloin toista nielua voidaan käyttää lähtöporttina (105); kytketään ensimmäinen lähde ensimmäiseen runkoon ja maahan; kytketään toinen lähde toiseen runkoon; pinotaan ensimmäinen yhteislähdelaite ja toinen yhteis-hilalaite kytkemällä ensimmäinen nielu toiseen lähteeseen; ja kytketään kuormaverkko lähtöporttiin (105); tunnettu siitä, että mainittu ensimmäinen yhteislähdelaite antaa ensimmäisen lähtökapasitanssin (403) ja sen määrittelee toisen yhteishilalaitteen hila-lähde-kapasitanssi ja ensimmäisen yhteislähdelaitteen nielu-runko-kapasitanssi, ja jossa toinen yhteishilalaite antaa toisen lähtökapasitanssin (406) ja sen määrittelee toisen yhteishilalaitteen nielu-runkokapasitanssi; ja siitä, että kuormaverkko sisältää induktiivisen komponentin, kapasitiivisen komponentin ja resistiivisen komponentin sar-j akytkennän, missä toisen yhteishilalaitteen koko on sellainen että ensimmäisen lähtökapasitanssin ja toisen lähtökapasitanssin suhteelliset arvot tuottavat nielulta nähdyn loiskapasitans-sin toiselle yhteishilalaittelle tehovahvistimen piiriin sisällytetyllä tavalla, ja näin mahdollistaa tehovahvistimen toimimisen kuormaverkon kanssa luokan E kytkentäolojen antamiseksi.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, jossa kuorma-verkkoa voidaan käyttää antamaan kytkentätoiminto lähtöpor-tin (105) ja impedanssinmuuntoverkon välillä.
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen menetelmä, joka käsittää edelleen sen, että kytketään impedanssinmuuntoverkko kuorma-verkon ja lähtökuorman väliin.
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, jossa lähtö-kuorma sisältää kytkimen, multiplekserin, suodattimen tai antennin.
12. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, jossa tulo-porttia voidaan käyttää kantataajuussignaalin tai radiotaa-juussignaalin (RF-signaalin) kanssa.
13. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, jossa tehovah-vistimen OFF-tilan aikana kulkee AC-virtaa ensimmäisen läh-tökapasitanssin (403) ja toisen lähtökapasitanssin (406) kautta, mikä siten suurentaa toisen yhteishilalaitteen toisessa lähteessä vaikuttavaa jännitettä.
14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen menetelmä, jossa toinen yhteishilalaite sisältää edelleen toisella hilalla vaikuttavan hilajännitteen ja kynnysjännitteen toiselle yhteishila-laitteelle, jolloin lähdejännite on suurempi kuin kyseisten hilajännitteen ja kynnysjännitteen erotus, mikä siten minimoi vuotovirran tehovahvistimessa.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US96885208 | 2008-01-03 | ||
| US11/968,852 US7560994B1 (en) | 2008-01-03 | 2008-01-03 | Systems and methods for cascode switching power amplifiers |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20095001A0 FI20095001A0 (fi) | 2009-01-02 |
| FI20095001A FI20095001A (fi) | 2009-07-04 |
| FI124989B true FI124989B (fi) | 2015-04-15 |
Family
ID=40834379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20095001A FI124989B (fi) | 2008-01-03 | 2009-01-02 | Järjestelmä ja menelmät kaskoditehovahvistimia varten |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7560994B1 (fi) |
| KR (1) | KR101079515B1 (fi) |
| CN (1) | CN101478294B (fi) |
| DE (1) | DE102009003892B4 (fi) |
| FI (1) | FI124989B (fi) |
| FR (1) | FR2926416A1 (fi) |
| GB (1) | GB2456066B (fi) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI418140B (zh) * | 2008-01-21 | 2013-12-01 | Univ Nat Taiwan | 負回授式超寬頻信號放大器電路 |
| KR101016227B1 (ko) | 2008-06-03 | 2011-02-25 | 경희대학교 산학협력단 | 폴라송신기에 사용되는 스위치모드 전력증폭기 |
| KR101091706B1 (ko) | 2010-08-25 | 2011-12-08 | 한국과학기술원 | 다중대역 클래스-이 전력증폭기 |
| WO2012138795A1 (en) | 2011-04-04 | 2012-10-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Circuits for providing class-e power amplifiers |
| US9008333B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-04-14 | Quilter Labs, LLC | Guitar amplifier |
| EP2618481A1 (en) | 2012-01-19 | 2013-07-24 | Nxp B.V. | Power amplifier circuit and control method |
| CN102684616B (zh) * | 2012-05-09 | 2015-08-26 | 惠州市正源微电子有限公司 | 采用cmos工艺实现的射频功率放大器 |
| CN103178793A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-06-26 | 苏州朗宽电子技术有限公司 | 一种高效率可变增益e类射频功率放大器 |
| CN103746665B (zh) * | 2013-10-17 | 2017-01-25 | 天津大学 | 一种0.1～3GHz CMOS增益可调驱动功率放大器 |
| US10063197B2 (en) | 2014-03-05 | 2018-08-28 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Circuits for power-combined power amplifier arrays |
| WO2015196160A1 (en) * | 2014-06-19 | 2015-12-23 | Project Ft, Inc. | Memoryless active device which traps even harmonic signals |
| US9614541B2 (en) | 2014-10-01 | 2017-04-04 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Wireless-transmitter circuits including power digital-to-amplitude converters |
| KR101632279B1 (ko) * | 2014-10-16 | 2016-06-21 | 전북대학교산학협력단 | Btts 트랜지스터를 활용한 적층-트랜지스터 전력증폭기 |
| US9843289B2 (en) | 2015-01-06 | 2017-12-12 | Ethertronics, Inc. | Memoryless common-mode insensitive and low pulling VCO |
| CN107769736B (zh) * | 2017-10-13 | 2021-06-25 | 西安电子科技大学 | 自偏置宽带低噪声放大器 |
| CN108768323B (zh) * | 2018-08-14 | 2023-09-01 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种高功率高效率高增益逆f类堆叠功率放大器 |
| CN109104161A (zh) * | 2018-08-20 | 2018-12-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 类e类射频功率放大器 |
| KR102463983B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2022-11-07 | 삼성전자 주식회사 | 누설 전류를 차단하기 위한 증폭기 및 상기 증폭기를 포함하는 전자 장치 |
| US10862429B2 (en) | 2019-01-09 | 2020-12-08 | Silanna Asia Pte Ltd | Apparatus for optimized turn-off of a cascode amplifier |
| US11158624B1 (en) * | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Globalfoundries U.S. Inc. | Cascode cell |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1290011A (fi) * | 1969-02-11 | 1972-09-20 | ||
| US6342816B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-01-29 | Cadence Design Systems, Inc. | Voltage limiting bias circuit for reduction of hot electron degradation effects in MOS cascode circuits |
| JP5255744B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2013-08-07 | カリフォルニア・インスティテュート・オブ・テクノロジー | Ｅ／ｆ級スイッチング電力増幅器 |
| US7053718B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-05-30 | Silicon Laboratories Inc. | Stacked RF power amplifier |
| SE528052C2 (sv) | 2004-02-05 | 2006-08-22 | Infineon Technologies Ag | Radiofrekvenseffektförstärkare med kaskadkopplade MOS-transistorer |
| WO2005086690A2 (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-22 | Wionics Research | Mosfet amplifier having feedback controlled transconductance |
| CN100492885C (zh) * | 2004-03-24 | 2009-05-27 | 三星电子株式会社 | 多频带低噪声放大器 |
-
2008
- 2008-01-03 US US11/968,852 patent/US7560994B1/en active Active
- 2008-12-30 CN CN2008101905496A patent/CN101478294B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-30 FR FR0859123A patent/FR2926416A1/fr active Pending
- 2008-12-31 GB GB0823680A patent/GB2456066B/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-02 DE DE102009003892A patent/DE102009003892B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-02 FI FI20095001A patent/FI124989B/fi active IP Right Grant
- 2009-01-05 KR KR1020090000434A patent/KR101079515B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101079515B1 (ko) | 2011-11-03 |
| DE102009003892A1 (de) | 2009-07-23 |
| KR20090075640A (ko) | 2009-07-08 |
| DE102009003892B4 (de) | 2013-11-07 |
| GB0823680D0 (en) | 2009-02-04 |
| FI20095001A0 (fi) | 2009-01-02 |
| GB2456066B (en) | 2011-04-20 |
| CN101478294A (zh) | 2009-07-08 |
| FI20095001A (fi) | 2009-07-04 |
| CN101478294B (zh) | 2011-12-28 |
| GB2456066A (en) | 2009-07-08 |
| US7560994B1 (en) | 2009-07-14 |
| US20090174480A1 (en) | 2009-07-09 |
| FR2926416A1 (fr) | 2009-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI124989B (fi) | Järjestelmä ja menelmät kaskoditehovahvistimia varten | |
| Pornpromlikit et al. | A Q-band amplifier implemented with stacked 45-nm CMOS FETs | |
| CN106571780A (zh) | 一种自适应偏置的射频功率放大器 | |
| CN102045032A (zh) | 功率放大器 | |
| Onizuka et al. | A 1.9 GHz CMOS power amplifier with embedded linearizer to compensate AM-PM distortion | |
| CN107070421A (zh) | 放大器 | |
| CN104242830A (zh) | 基于有源电感的可重配置超宽带低噪声放大器 | |
| CN103346741A (zh) | 一种双路噪声抵消型电流复用低噪声放大器 | |
| Dang et al. | A K-band high gain, low noise figure LNA using 0.13 μm logic CMOS technology | |
| CN111181503B (zh) | 射频信号处理电路 | |
| Harifi-Mood et al. | A new highly power-efficient inverse Class-D PA for NB-IoT applications | |
| KR20090102890A (ko) | 전력효율이 향상된 ｅ급 전력 증폭기 | |
| KR101094359B1 (ko) | 초고주파 증폭기 및 그것을 위한 바이어스 회로 | |
| KR101387975B1 (ko) | 저잡음 증폭기 | |
| Harifi-Mood et al. | Power efficiency enhancement analysis of an inverse class D power amplifier for NB-IoT applications | |
| Karimi et al. | An ultra low voltage amplifier design using forward body bias folded cascode topology for 5GHz application | |
| US11251820B2 (en) | Circuit for processing radio frequency signal | |
| Mercier et al. | 35 μW Linearized LNA for WSN Applications | |
| Khan et al. | Common-drain CMOS power amplifier: An alternative power amplifier | |
| Chang et al. | A novel post-linearization technique for fully integrated 5.5 GHz high-linearity LNA | |
| Solomko et al. | High-Voltage CMOS RF Switch with Active Biasing | |
| Wang et al. | A 0.65 V, 1.9 mW CMOS low-noise amplifier at 5GHz | |
| Im et al. | A 1.9‐GHz silicon‐on‐insulator CMOS stacked‐FET power amplifier with uniformly distributed voltage stresses | |
| Kargaran et al. | Highly linear low voltage low power CMOS LNA | |
| JP5596451B2 (ja) | 利得可変型増幅器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 124989 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |