FI124732B - Lateraalisesti kytketty bulkkiaaltosuodatin, jolla on parannetut päästökaistan ominaisuudet - Google Patents
Lateraalisesti kytketty bulkkiaaltosuodatin, jolla on parannetut päästökaistan ominaisuudet Download PDFInfo
- Publication number
- FI124732B FI124732B FI20116113A FI20116113A FI124732B FI 124732 B FI124732 B FI 124732B FI 20116113 A FI20116113 A FI 20116113A FI 20116113 A FI20116113 A FI 20116113A FI 124732 B FI124732 B FI 124732B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- layer
- impedance
- acoustic
- vibration
- filter
- Prior art date
Links
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000006919 modified lb Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012814 acoustic material Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/0211—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02228—Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Claims (19)
1. Lateraalisesti kytketty akustiseen tilavuusaaltoon perustuva suodatin (70), joka käsittää, - värähtelykerroksen (73) akustisten tilavuusaaltojen kuljettamiseksi, - elektrodivälineet (71, 72, 74), jotka käsittävät ensimmäisen elektrodin (71) 5 kytkettynä värähtelykerrokseen (73) ensimmäisen taajuuskaistan omaavan ainakin yhden pitkittäissuuntaisen aaltomuodon ja toisen taajuuskaistan omaavan yhden poikittaissuuntaisen aaltomuodon synnyttämiseksi värähtelykerrokseen (73), ja toisen elektrodin (72) kytkettynä värähtelykerrokseen suodattimen päästösignaalin tunnistamiseksi, jolloin ensimmäinen ja toinen elektrodi (71, 72) on järjestetty 10 lateraalisesti toisiinsa nähden, - akustisen heijastinrakenteen (75) akustisessa yhteydessä värähtelykerrokseen (73), tunnettu siitä, että - heijastinrakenne (75) on sovitettu eristämään värähtelykerros (73) akustisesti ympäristöstään ensimmäisellä taajuuskaistalla tehokkaammin kuin toisella 15 taajuuskaistalla poikittaisen aaltomuodon vaikutuksen vähentämiseksi suodattimen päästösignaalissa toisella taajuuskaistalla.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen suodatin, tunnettu siitä, että sähköisessä taajuusvasteessa toista taajuuskaistaa on vaimennettu ainakin kuudella desibelillä, erityisesti ainakin 10 desibelillä verrattuna ensimmäiseen taajuuskaistaan ^ 20 väliinkytkentävaimennuksen osalta. δ
^ 3. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin, tunnettu siitä, että co ? heijastinrakenne (75) käsittää epäsymmetrisen monikerrosrakenteen (75a-e), jossa co ° kerrospaksuudet ja akustiset impedanssit on sovitettu toteuttamaan erilaiset akustiset X o- ominaisuudet ensimmäisessä vyöhykkeessä lähellä värähtelykerrosta (73) ja toisessa £2 25 vyöhykkeessä kauempana värähtelykerroksesta. δ
4. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin, tunnettu siitä, että c\j heijastinrakenne (75) käsittää ainakin neljän vuorotellen järjestetyn suuren ja pienen akustisen impedanssin kerrosten (75a-e) pinon, jolloin kunkin pienen akustisen 26 impedanssin kerroksen (75a, 75c, 75e) itseinen akustinen impedanssi ei ole suurempi kuin yhdelläkään suuri-impedanssisella kerroksella (75b, 75d).
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen suodatin tunnettu siitä, että: - värähtelykerrosta (73) lähinnä olevan, pinon ylimmän kerroksen (75a) paksuus on 5 suurempi kuin vastaavan kerroksen laskennallinen kerrospaksuus neljännesaallon pitkittäisheijastinrakenteessa, jonka heijastavuus on suurimmillaan toisella taajuuskaistalla, - pinon kerroksista (75b-e) ainakin yhdellä, edullisesti ainakin puolella ja tyypillisesti kaikilla, paksuus ylimmän kerroksen (75a) alapuolella on pienempi 10 kuin vastaavan kerroksen laskennallinen paksuus neljännesaallon pitkittäisheijastinrakenteessa, jonka heijastavuus on suurimmillaan toisella taajuuskaistalla.
6. Patenttivaatimuksen 4 tai 5 mukainen suodatin tunnettu siitä, että pino käsittää ainakin kaksi suuren akustisen impedanssin kerrosta (75b, 75d), joista yksi (75d), 15 värähtelykerroksesta (73) kauempana oleva, on paksumpi kuin värähtelykerrosta (73) lähempänä oleva (75b).
7. Patenttivaatimuksen 4-6 mukainen suodatin tunnettu siitä, että pino käsittää ainakin kolme pienen akustisen impedanssin kerrosta (75a, 75c, 75e), joista ulommat (75a, 75e) eivät ole paksumpia kuin mikään ulompien välissä oleva pienen akustisen impedanssin 20 kerros (75c).
^ 8. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin tunnettu siitä, että ° ^ värähtelykerros (73) on tehty pietsosähköisestä materiaalista, ja ensimmäinen ja toinen CD S5 elektrodi (71, 72) on järjestetty värähtelykerroksen (73) yhdelle puolelle lateraalisesti co ° toistensa suhteen, ja elektrodivälineet käsittävät edelleen kolmannen planaarisen elektrodin X £ 25 (74), joka on jäij estetty värähtelykerroksen (73) vastakkaiselle puolelle, co
^ 9. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen 1-7 mukainen suodatin tunnettu siitä, että ^ värähtelykerros (73) on tehty pietsosähköisestä materiaalista, ja ensimmäinen ja toinen CVJ elektrodi (71, 72) on järjestetty värähtelykerroksen (73) yhdelle puolelle, ja elektrodivälineet käsittävät kolmannen ja neljännen elektrodin, jotka on jäljestetty 30 värähtelykerroksen vastakkaiselle puolelle lateraalisesti toistensa suhteen. 27
10. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin tunnettu siitä, että elektrodivälineet käsittävät kaksi haarallista elektrodia, jotka on jäljestetty toisiinsa limittyvään konfiguraatioon värähtelykerroksen (73) toiselle tai kummallekin puolelle.
11. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin tunnettu siitä, että 5 pitkittäisaal to muoto on ensimmäisen kertaluvun paksuussuuntainen pitkittäismuoto (TE1) ja poikittainen aaltomuoto on toisen kertaluvun paksuussuuntainen poikittaismuoto (TS2).
12. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin tunnettu siitä, että poikittaisen aaltomuodon taajuus ei poikkea enempää kuin 15 % pitkittäisaal to muodon taajuudesta.
13. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin tunnettu siitä, että se käsittää ylhäältä alas pain lueteltuna, mitään välikerroksia pois jättämättä: - johtavan ensimmäisen elektrodikerroksen, joka on kuvioitu muodostamaan ainakin kaksi elektrodia (71, 72), - pietsoaktiivisen kerroksen (73), 15. johtavan toisen elektrodikerroksen (74), - pieni-impedanssisen ensimmäisen kerroksen (75a), jolla on ensimmäinen paksuus, - suuri-impedanssisen toisen kerroksen (75b), jolla on toinen paksuus, - pieni-impedanssisen kolmannen kerroksen (75c), jolla on kolmas paksuus, ? - suuri-impedanssisen neljännen kerroksen (75d), jolla on neljäs paksuus, CU 20. pieni-impedanssisen viidennen kerroksen (75e), jolla on viides paksuus, co o - substraattikerroksen (76), joka kantaa koko suodattimen, cc CL co ja jolloin kunkin pieni-impedanssisen kerroksen (75a, 75c, 75e) itseinen akustinen S impedanssi ei ole suurempi kuin yhdelläkään suuri-impedanssisella kerroksella (75b, 75d). δ cu 28
14. Patenttivaatimuksen 13 mukainen suodatin, tunnettu siitä, että eri kerrosten suhteelliset paksuudet ovat seuraavilla alueilla, kun pietsoaktiivisen kerroksen suhteellinen paksuus on 1800 yksikköä: - pieni-impedanssisen ensimmäisen kerroksen (75a): 900-1200, erityisesti 950-1050, 5. suuri-impedanssisen toisen kerroksen (75b): 500-700, erityisesti 520-580, - pieni-impedanssisen kolmannen kerroksen (75c): 900-1400, erityisesti 1000-1300, - suuri-impedanssisen neljännen kerroksen (75d): 750-1000, erityisesti 800-900, - pieni-impedanssisen viidennen kerroksen (75e): 850-1100, erityisesti 900-1000.
15. Patenttivaatimuksen 14 mukainen suodatin, tunnettu siitä, että värähtelykerroksen 10 (73) paksuus on 500 - 3000 nm, erityisesti 1500 - 2000 nm.
16. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin, tunnettu siitä, että ensimmäinen taajuuskaista on välillä 0,5 - 5 GHz.
17. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja toinen taajuuskaista menevät osin päällekkäin, ja heijastinrakenne (75) on 15 sovitettu antamaan mainittu poikittaisen aallon vaikutuksen vaimennus olennaisesti vain niiden päällekkäin menemättömällä osalla.
18. Jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen suodatin, tunnettu siitä, että toisen taajuuskaistan kohdalla poikittaiset aallot läpäisevät heijastinrakenteen (75) ja ensimmäisessä taajuuskaistassa sekä poikittais- että pitkittäisaallot heijastuvat o 20 heijastinrakenteesta (75). i CO
? 19. Sähköisen RF-signaalin suodatuksen menetelmä, joka käsittää seuraavan: co o g - tuotetaan jonkin edeltävän patenttivaatimuksen mukainen lateraalinen akustiseen CL tilavuusaaltoon perustuva suodatin (70), ^ - syötetään suodatettava RF-signaali ensimmäiseen elektrodiin (71) akustisten ° 25 aaltojen synnyttämiseksi mainittuun värähtelykerrokseen (73), jolloin akustiset aallot käsittävät ainakin yhden pitkittäisen aaltomuodon, jolla on ensimmäinen taajuuskaista, ja yhden poikittaisen aaltomuodon , jolla on toinen taajuuskaista, 29 - vaimennetaan poikittaista aaltomuotoa toisella taajuuskaistalla antamalla sen läpäistä akustinen heijastinrakenne (75) ainakin osittain, - pidetään pitkittäisaaltomuoto ja poikittainen aaltomuoto ensimmäisellä taajuuskaistalla olennaisesti värähtelykerroksessa (73) heijastamalla se akustisesta 5 heijastinrakenteesta (75), - luetaan suodattimen päästösignaali toista elektrodia (72) apuna käyttäen. 't δ c\j i CO o CO o X cc CL CO δ δ C\l
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20116113A FI124732B (fi) | 2011-11-11 | 2011-11-11 | Lateraalisesti kytketty bulkkiaaltosuodatin, jolla on parannetut päästökaistan ominaisuudet |
| EP12847501.9A EP2777153B1 (en) | 2011-11-11 | 2012-11-09 | Laterally coupled bulk acoustic wave filter with improved passband characteristics |
| KR1020147015834A KR101977334B1 (ko) | 2011-11-11 | 2012-11-09 | 개선된 통과대역 특성을 갖는 측방향으로 커플링된 벌크 음향파 필터 |
| PCT/FI2012/051096 WO2013068652A1 (en) | 2011-11-11 | 2012-11-09 | Laterally coupled bulk acoustic wave filter with improved passband characteristics |
| US14/357,220 US9219466B2 (en) | 2011-11-11 | 2012-11-09 | Laterally coupled bulk acoustic wave filter with improved passband characteristics |
| CN201280066944.8A CN104205632B (zh) | 2011-11-11 | 2012-11-09 | 具有改进的通带特性的横向耦合式体声波滤波器 |
| JP2014540529A JP2015502065A (ja) | 2011-11-11 | 2012-11-09 | 向上した通過帯域特性を有する、横方向に結合されたバルク弾性波フィルタ |
| JP2018052320A JP6564096B2 (ja) | 2011-11-11 | 2018-03-20 | 向上した通過帯域特性を有する、横方向に結合されたバルク弾性波フィルタ |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20116113A FI124732B (fi) | 2011-11-11 | 2011-11-11 | Lateraalisesti kytketty bulkkiaaltosuodatin, jolla on parannetut päästökaistan ominaisuudet |
| FI20116113 | 2011-11-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20116113A FI20116113A (fi) | 2013-05-12 |
| FI124732B true FI124732B (fi) | 2014-12-31 |
Family
ID=48288592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20116113A FI124732B (fi) | 2011-11-11 | 2011-11-11 | Lateraalisesti kytketty bulkkiaaltosuodatin, jolla on parannetut päästökaistan ominaisuudet |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9219466B2 (fi) |
| EP (1) | EP2777153B1 (fi) |
| JP (2) | JP2015502065A (fi) |
| KR (1) | KR101977334B1 (fi) |
| CN (1) | CN104205632B (fi) |
| FI (1) | FI124732B (fi) |
| WO (1) | WO2013068652A1 (fi) |
Families Citing this family (101)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI123640B (fi) * | 2010-04-23 | 2013-08-30 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt | Laajakaistainen akustisesti kytketty ohutkalvo-BAW-suodin |
| JP6603012B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2019-11-06 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
| US20160079958A1 (en) * | 2014-05-30 | 2016-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising vertically extended acoustic cavity |
| KR101625444B1 (ko) * | 2015-03-05 | 2016-06-13 | (주)와이솔 | 필터 모듈 |
| WO2016147688A1 (ja) | 2015-03-16 | 2016-09-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| CN108463720B (zh) * | 2015-10-21 | 2021-03-23 | Qorvo美国公司 | 具有声学振动的剪切模式和纵向模式的增强反射的谐振器结构 |
| CN106385242B (zh) * | 2016-09-12 | 2018-11-09 | 重庆大学 | GHz硅基ScAlN薄膜谐振器及其制作方法 |
| WO2018235731A1 (ja) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置 |
| CN110710106B (zh) * | 2017-07-04 | 2023-10-31 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置、分波器及通信装置 |
| CN107525610B (zh) * | 2017-08-10 | 2020-02-07 | 中北大学 | 基于厚度方向激励剪切波模式的fbar微压力传感器 |
| JP2019047363A (ja) * | 2017-09-04 | 2019-03-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| DE112018005526B4 (de) * | 2017-09-27 | 2023-06-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Schallwellenvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Schallwellenvorrichtung |
| JP2019102883A (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
| US10601392B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-03-24 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US10637438B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-04-28 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications |
| US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
| US11996827B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
| US10911023B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer |
| US20210328574A1 (en) | 2020-04-20 | 2021-10-21 | Resonant Inc. | Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced q-factor |
| US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
| US11509279B2 (en) | 2020-07-18 | 2022-11-22 | Resonant Inc. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
| US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
| US10790802B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-09-29 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate |
| US10756697B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-08-25 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
| US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
| US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
| US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
| US10826462B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
| US11146238B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
| US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
| US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
| US10917072B2 (en) | 2019-06-24 | 2021-02-09 | Resonant Inc. | Split ladder acoustic wave filters |
| US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
| US11171629B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-11-09 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
| US11374549B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-06-28 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers |
| US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
| US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
| US11201601B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-12-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
| US10992284B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers |
| US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
| US11228296B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-01-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter |
| US11349450B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes |
| US10992283B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | High power transversely-excited film bulk acoustic resonators on rotated Z-cut lithium niobate |
| US11996825B2 (en) | 2020-06-17 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11323095B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices |
| US11728785B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
| US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
| US10868513B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-12-15 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
| US11329628B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US10985728B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-20 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer |
| US10998882B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
| US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
| US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US10797675B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-10-06 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate |
| US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
| US10998877B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method with frequency trimming based on electric measurements prior to cavity etch |
| US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US10630256B2 (en) | 2018-09-07 | 2020-04-21 | Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd | Two-stage lateral bulk acoustic wave filter |
| US10790801B2 (en) | 2018-09-07 | 2020-09-29 | Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd | Loaded resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators |
| US10756696B2 (en) | 2018-09-10 | 2020-08-25 | Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd | Lateral bulk acoustic wave filter |
| US11677377B2 (en) | 2018-12-26 | 2023-06-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-layer piezoelectric substrate with grounding structure |
| US11146241B2 (en) | 2019-02-08 | 2021-10-12 | Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd | Low loss acoustic device |
| US11901873B2 (en) * | 2019-03-14 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors |
| WO2020186261A1 (en) | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with half-lambda dielectric layer |
| CN113557663B (zh) | 2019-04-05 | 2024-04-26 | 株式会社村田制作所 | 横向激励薄膜体声波谐振器封装和方法 |
| TWI748497B (zh) * | 2019-06-12 | 2021-12-01 | 美商特拉華公司 | 電極界定未懸掛之聲波共振器 |
| US10911021B2 (en) | 2019-06-27 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with lateral etch stop |
| US11329625B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic sensors using thin LN-LT layer |
| US10862454B1 (en) | 2019-07-18 | 2020-12-08 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonators in thin LN-LT layers |
| JPWO2021025004A1 (fi) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | ||
| US11088670B2 (en) | 2019-09-11 | 2021-08-10 | Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd | Loaded series resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators |
| US11223341B2 (en) | 2019-10-22 | 2022-01-11 | Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd | Suppressing parasitic sidebands in lateral bulk acoustic wave resonators |
| US20210273629A1 (en) | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer |
| JP6947867B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-10-13 | デクセリアルズ株式会社 | バルク波共振子および帯域通過フィルタ |
| US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
| CN111669146A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-09-15 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种背硅刻蚀型剪切波滤波器及其制备方法 |
| US11469733B2 (en) | 2020-05-06 | 2022-10-11 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress |
| US10992282B1 (en) | 2020-06-18 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width |
| US11742828B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-08-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with symmetric diaphragm |
| US11817845B2 (en) | 2020-07-09 | 2023-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for making transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
| US11264969B1 (en) | 2020-08-06 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells |
| US11671070B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes |
| US11271539B1 (en) | 2020-08-19 | 2022-03-08 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm |
| US11848662B2 (en) | 2020-09-11 | 2023-12-19 | Raytheon Company | Tunable monolithic group III-nitride filter banks |
| CN112054781B (zh) * | 2020-09-11 | 2021-10-08 | 广东广纳芯科技有限公司 | 具有双层同向叉指换能器结构的高性能谐振器 |
| US11894835B2 (en) | 2020-09-21 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sandwiched XBAR for third harmonic operation |
| US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
| US11405019B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters |
| US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
| US11929733B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements |
| US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
| US11728784B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters |
| US11463066B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-04 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
| CN112350681A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-02-09 | 武汉大学 | 一种频率可调的薄膜体声波谐振器 |
| US11496113B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
| US11405020B2 (en) | 2020-11-26 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage |
| US11239816B1 (en) | 2021-01-15 | 2022-02-01 | Resonant Inc. | Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| CN113381724B (zh) * | 2021-07-02 | 2024-05-24 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 体声波谐振器及其制备方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6107721A (en) * | 1999-07-27 | 2000-08-22 | Tfr Technologies, Inc. | Piezoelectric resonators on a differentially offset reflector |
| GB0014963D0 (en) * | 2000-06-20 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | A bulk acoustic wave device |
| JP3944372B2 (ja) * | 2001-09-21 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 圧電薄膜振動子及びこれを用いた周波数可変共振器 |
| DE10251876B4 (de) * | 2002-11-07 | 2008-08-21 | Infineon Technologies Ag | BAW-Resonator mit akustischem Reflektor und Filterschaltung |
| KR100745932B1 (ko) * | 2003-02-21 | 2007-08-02 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판처리장치 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| CN100492902C (zh) * | 2003-10-06 | 2009-05-27 | Nxp股份有限公司 | 阶梯形薄膜体声波滤波器 |
| EP1702407A1 (en) * | 2003-10-06 | 2006-09-20 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Resonator structure and method of producing it |
| DE602004013534D1 (de) | 2004-03-09 | 2008-06-19 | Infineon Technologies Ag | Akustischer Volumenwellen - Filter und Verfahren zur Vermeidung unerwünschter Seitendurchgänge |
| JP2005318547A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-11-10 | Sanyo Electric Co Ltd | バルク波デバイス |
| JP2008501248A (ja) * | 2004-03-31 | 2008-01-17 | 松下電器産業株式会社 | 音響ミラー型薄膜弾性波共振器、ならびにそれを備えるフィルタ、共用器、および通信機器 |
| WO2006126168A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Nxp B.V. | Bulk acoustic wave resonator device |
| EP1935093A2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-06-25 | Nxp B.V. | Improvements in or relating to thin-film bulk-acoustic wave (baw) resonators |
| WO2007060557A1 (en) | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Nxp B.V. | Bulk acoustic wave resonator device |
| DE102005061344A1 (de) * | 2005-12-21 | 2007-06-28 | Epcos Ag | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator |
| US7684109B2 (en) * | 2007-02-28 | 2010-03-23 | Maxim Integrated Products, Inc. | Bragg mirror optimized for shear waves |
| US8512800B2 (en) | 2007-12-04 | 2013-08-20 | Triquint Semiconductor, Inc. | Optimal acoustic impedance materials for polished substrate coating to suppress passband ripple in BAW resonators and filters |
| CN101997513B (zh) * | 2009-08-20 | 2014-04-02 | 上海华为技术有限公司 | 多耦合型滤波器 |
| FI123640B (fi) * | 2010-04-23 | 2013-08-30 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt | Laajakaistainen akustisesti kytketty ohutkalvo-BAW-suodin |
| FI20106063A (fi) * | 2010-10-14 | 2012-06-08 | Valtion Teknillinen | Akustisesti kytketty laajakaistainen ohutkalvo-BAW-suodatin |
-
2011
- 2011-11-11 FI FI20116113A patent/FI124732B/fi active IP Right Grant
-
2012
- 2012-11-09 WO PCT/FI2012/051096 patent/WO2013068652A1/en active Application Filing
- 2012-11-09 US US14/357,220 patent/US9219466B2/en active Active
- 2012-11-09 KR KR1020147015834A patent/KR101977334B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-09 EP EP12847501.9A patent/EP2777153B1/en active Active
- 2012-11-09 CN CN201280066944.8A patent/CN104205632B/zh active Active
- 2012-11-09 JP JP2014540529A patent/JP2015502065A/ja active Pending
-
2018
- 2018-03-20 JP JP2018052320A patent/JP6564096B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2777153B1 (en) | 2021-08-18 |
| JP2018129839A (ja) | 2018-08-16 |
| US20140312994A1 (en) | 2014-10-23 |
| KR101977334B1 (ko) | 2019-05-10 |
| EP2777153A4 (en) | 2015-12-23 |
| CN104205632B (zh) | 2017-03-01 |
| JP2015502065A (ja) | 2015-01-19 |
| FI20116113A (fi) | 2013-05-12 |
| WO2013068652A1 (en) | 2013-05-16 |
| US9219466B2 (en) | 2015-12-22 |
| EP2777153A1 (en) | 2014-09-17 |
| CN104205632A (zh) | 2014-12-10 |
| KR20140101773A (ko) | 2014-08-20 |
| JP6564096B2 (ja) | 2019-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI124732B (fi) | Lateraalisesti kytketty bulkkiaaltosuodatin, jolla on parannetut päästökaistan ominaisuudet | |
| US20220407500A1 (en) | Wide-band acoustically coupled thin-film BAW filter | |
| US10320361B2 (en) | Wide-band acoustically coupled thin-film BAW filter | |
| KR100897707B1 (ko) | 음향 공진기 | |
| US20150244343A1 (en) | Laterally-coupled acoustic resonators | |
| JP2021536721A (ja) | 二段横波バルク弾性波フィルタ | |
| CN112673568A (zh) | 用于调整声波谐振器的频率响应的负荷谐振器 | |
| CN112689956B (zh) | 横向体声波滤波器 | |
| JP3587354B2 (ja) | 横結合共振子型表面波フィルタ及び縦結合共振子型表面波フィルタ | |
| JP2022547182A (ja) | 音響波共振器の周波数応答を調整するための負荷をかけられた直列共振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 124732 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |
|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY |