FI100439B - Hakkuriverkko-osa, jossa on suojaus lähtöjännitteen rajoittamiseksi - Google Patents
Hakkuriverkko-osa, jossa on suojaus lähtöjännitteen rajoittamiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI100439B FI100439B FI892950A FI892950A FI100439B FI 100439 B FI100439 B FI 100439B FI 892950 A FI892950 A FI 892950A FI 892950 A FI892950 A FI 892950A FI 100439 B FI100439 B FI 100439B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- voltage
- avalanche
- transistor
- mos transistor
- switched
- Prior art date
Links
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 title claims abstract description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 5
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 3
- 101710088052 Ditrans,polycis-undecaprenyl-diphosphate synthase ((2E,6E)-farnesyl-diphosphate specific) Proteins 0.000 description 2
- 101710130822 Tritrans,polycis-undecaprenyl-diphosphate synthase (geranylgeranyl-diphosphate specific) Proteins 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/33507—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Television Receiver Circuits (AREA)
- Micro-Organisms Or Cultivation Processes Thereof (AREA)
- Breeding Of Plants And Reproduction By Means Of Culturing (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Telephone Function (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Cookers (AREA)
Description
100439
Hakkuriverkko-osa, jossa on suojaus lähtöjännitteen rajoittamiseksi 5 Keksintö kohdistuu hakkuriverkko-osaan, jossa on suojaus lähtöjännitteen rajoittamiseksi ja ohjauslaite kytkintran-sistorin ohjaamiseksi, jonka avulla tasajännite kytketään jaksollisesta muuntajan ensiökäämiin, jolloin muuntajassa on ainakin yksi toisiokäämi, jolta lähtöjännite saadaan 10 tasasuuntauslaitteen kautta.
Tällainen kytkentäjärjestely tunnetaan esim. julkaisusta DE-A1-33 41 074. Siinä on hakkuriverkko-osan toisiopuolen liian suuren jännitteen estävänä suojauksena tyristori, 15 joka ensiöpuolen liian suurella virralla asettaa kytkintran-sistorin jaksollisesti estotilaan.
Lisäksi on tunnettua stabiloida hakkuriverkko-osien lähtö-jännite säätöpiirillä. Säätösuure tai säätöpoikkeama voidaan 20 määrätä hakkuriverkko-osan muuntajassa olevan säätökäämin avulla - vrt. Siemens tuotetiedote "ICs fiir die Unterhal-tungselektronik, SNTs", painos 8.87 - tai optokytkimen ·· : avulla. Kytkintransistoria ohjataan ohjaus- ja valvontalait- ’.· : teen avulla määrätystä säätösuureesta tai säätöpoikkeamas- 25 ta riippuen.
:V: Jos näissä tunnetuissa kytkentäjärjestelyissä säätöpiiri vikaantuu, hakkuriverkko-osan lähtöjännite voi nousta liian suuriin arvoihin. Lähtöjännitteen noustessa 20 - 40 % oh-30 jaus- ja valvontalaitteen signaalinkäsittelyasteet pysyvät ... toimintakykyisinä, koska niiden syöttö jännitteet on tavalli- sesti lisästabiloitu.
* · · * · ·
Erityisen ongelmalliseksi tämä tulee, kun hakkuriverkko-35 osaa käytetään televisiovastaanottimien virransyöttöön.
Kun nimittäin juovapoikkeutuspiirin (vaakapoikkeutuksen) stabiloimaton syöttöjännite nousee tällä prosenttimäärällä, myös televisiovastaanottimen kuvaputken suurjännite nousee 100439 2 samassa suhteessa, esim. arvosta 25 arvoon 35 kV. Televisiokuva näkyy katsojalle hieman suurempana, mutta terävänä, niin että laitetta käytetään tavallisesti edelleen. Röntgensäteilyn raja-arvot ylittyvät tämän seurauksena vaarallises-5 ti. Joidenkin maiden röntgensäteilymääräykset edellyttävät tämän vuoksi luotettavia suojapiirejä, jotka estävät luotettavasti televisiovastaanottimen kuvaputken suurjännitteen nousun. Saksan Liittotasavallassa televisiovastaanottimien sallitun röntgensäteilyn raja-arvo on esim. 30 kV.
10 Pääongelmana on, että nykyisin hakkuriverkko-osissa ja juovapääteasteiden vaakapoikkeutuspiireissä tavallisesti käytettyjen bipolaaritransistorien jännitelujuudella on erittäin suuri varmuusmarginaali. Esim bipolaaritransistoria 15 BU 508 käytetään hakkuriverkko-osassa n. 700 V jännitteellä ja 90° -juovapääteasteessa n. 950 V jännitteellä. Tämän bipolaaritransistorin toiminta-alueen raja on 1500 V ja läpilyöntiraja on 1700 - 1800 V. Tämä merkitsee sitä, että pääteasteet eivät juuri koskaan vikaannu ylijännitteen 20 vuoksi, vaan virheellisillä säätöjännitteillä esiintyy vaarallisen korkeita verkko-osan lähtöjännitteitä ja siten liian suuria suurjännitteitä kuvaputkella ja vaarallisen : voimakasta röntgensäteilyä.
25 Keksintö perustuu tehtävään esittää hakkuriverkko-osaa varten kytkentäjärjestely, jolla lähtöjännitteen liian suuri kasvu voidaan välttää luotettavasti ja yksinkertaisesti.
Tämä tehtävä ratkaistaan siten, että kytkintransistori on 30 vyörynkestävä MOS-transistori, jolloin hakkuriverkko-osa ... on mitoitettu siten, että hakkuriverkko-osan luotettavan * jatkuvan toiminnan ja vyörynkestävän MOS-transistorin vi- ·'·* kaantumisra jän välillä on 5 - 20 % jännitevarmuus.
35 Keksinnön mukaisella hakkuriverkko-osalla hakkuriverkko- osan toimintavarmuus saadaan suuremmaksi tai ainakin yh-täsuureksi kuin bipolaaritransistorilla, jolla on 100 %
II
100439 3 jännitevarmuus, tai MOS-transistorilla, jolla 40 % jännite-varmuus .
Ulkoisten vaikutusten, kuten esim. kuvaputken ylilyöntien, 5 salaman aiheuttamien ylijännitteiden ja hakkuriverkko-osan tahdistushäiriöiden seurauksena hakkuriverkko-osassa voi esiintyä erittäin suuria katkaisujännitehuippuja. Keksinnössä käytetään hyväksi sitä tosiasiaa, että nämä katkaisujän-nitehuiput ovat vaarattomia vyörynkestäville MOS-transisto-10 reille, jotka ovat tunnettuja esim. DE-patenttihakemuksesta P 37 18 912.3, ja nämä transistorit rajoittavat ne luotettavasti samalla tavoin kuin tehozenerdiodi. Tällöin voi esiintyä jopa muutamien ampeerien suuruusluokkaa olevia virta-huippuja. Tärkeää on että rajoitusvaikutuksen aiheuttama 15 häviöteho ei johda vyörynkestävän MOS-transistorin raja-arvon ylittävän lämpötilannousuun.
Kerran esiintyvät jännitehuiput vyörynkestävässä MOS-tran-sistorissa ovat, jopa huipputehon ollessa kVA-alueella, 20 siis keksinnön mukaan sallittuja. Jos sitävastoin vyörynkestävän MOS-transistorin sallittu drain-source-jännite ylite-'··' tään jaksollisesta jokaisella pulssilla, esiintyvä häviöteho ylikuumentaa ja tuhoaa sen erittäin nopeasti. Tällaisilla vyörynkestävillä MOS-transistoreilla, kuten esim. vyörynkes-25 tävillä SIPMOS-transistoreilla vikaantumisraja on "zener- rajan" kohdalla. Siten myös säätöpiirin vikaantuessa hakku- # riverkko-osan lähtö jännitettä estetään tehokkaasti nousemasta suunnittelussa edellytettyä 5 - 20 % enemmän.
30 Tämä muodostaa hakkuriverkko-osalle luotetettavan suojameka-nismin, joka on toteutettavissa ilman minkäänlaisia lisä-* komponenttikustannuksia.
• · I
• · ·
Keksintöä selitetään lähemmin seuraavassa erään suoritus-35 esimerkin avulla neljään kuvioon liittyen. Piirustuksessa esittää: 4 100439
Kuvio 1 jännitteen vaihtelua hakkuriverkko-osan kytkintran-sistorin kuormituspiirissä normaalitoiminnassa jatkuvassa tilassa ja bipolaaritransistorin, MOS-transistorin ja keksinnön mukaisen vyörynkestävän MOS-transistorin sallittua 5 estosuuntaista jännitettä,
Kuvio 2 keksinnön mukaista vyörynkestävän SIPMOS-transisto-rin sisältävän hakkuriverkko-osan kytkentäjärjestelyä, 10 Kuvio 3 hakkuriverkko-osan vyörynkestävän SIPMOS-transisto-rin drain-source-jännitettä jaksollisen rajoituksen tapauksessa ja
Kuvio 4 hakkuriverkko-osan vyörynkestävän SIPMOS-transisto-15 rin drain-source-jännitettä täydellisen rajoituksen tapauksessa .
Kuvio 1 esittää tyypillistä jännitteen vaihtelua hakkuriverkko-osan kytkintransistorin kuormituspiirissä normaali-20 toiminnassa jatkuvassa tilassa. Jos kytkintransistorina käytetään bipolaaritransistoria, viitenumero 4 tarkoittaa tämän bipolaaritransistorin kollektori-emitterijännitettä Uce, tai MOS-transistorin tapauksessa sen drain-source-jännitettä UDS. Kytkintransistorin katkaisun jälkeen esiin-25 tyy kuviossa 1 esitetty ylitysvärähtely. UN tarkoittaa kytkintransistoriin kohdistuvaa katkaisuhuippujännitettä normaalitoiminnassa ja hakkuriverkko-osan ennaltamäärätyllä tulojännitteellä. Kun hakkuriverkko-osan tulossa on 220 V vaihtojännite, UN on esim. 500 V.
30
Jos kytkintransistorina käytetään bipolaaritransistoria, '.· : on käytettävä 50 - 100 % jännitevarmuutta. Tämä merkitsee sitä, että sallittu kollektori-emitteri-jännite Uces on valittava noin 50 - 100 % suuremmaksi kuin bipolaaritransis-35 torissa normaalitoiminnassa vaikuttava jännite. Tämä on tarpeellista sen vuoksi, koska kerran esiintyvä sallitun kollektori-emitterijännitteen Uces ylittävä jännitepiikki tuhoaa bipolaaritransistorin. Myös sallitun drain-source- ti 100439 5 jännitteen UDSs lyhyt kertaylitys tuhoaa heti normaalit MOS-transistorit.
Tämän vuoksi MOS-transistoreilla toteutetun hakkuriverkko-5 osan suunnittelussa on otettava huomioon vastaava korkea jännitevarmuus. Normaalin MOS-transistorin jännitevarmuus on noin 40 %.
Keksinnön mukaan hakkuriverkko-osassa on vyörynkestävä MOS-10 transistori, edullisimmin vyörynkestävä SIPMOS-transistori. Hakkuriverkko-osa, erikoisesti sulkutyyppinen hakkuriverkko-osa, mitoitetaan siten, että jännitevarmuus vyörynkestävän SIPMOS-transistorin vaurioitumisrajaan on vain 5 - 20 %. Vyörynkestävän SIPMOS-transistorin zenerjännite on merkitty 15 kuviossa U z“vyöry*
Kuviossa 2 on esitetty keksinnön mukaisen sulkutyyppisen hakkuriverkko-osan suoritusesimerkki. Tämä hakkuriverkko-osa on jo selitetty Siemensin tuotetiedotteessa "ICs fiir 20 die Unterhaltungselektronik, SNTs, painos 8.87 sivulla 57. Siinä käytetyn normaalin SIPMOS-transistorin BUZ 90 vastakohtana keksinnön mukaan käytetään vyörynkestävää SIPMOS-transistoria. Tällainen vyörynkestävä SIPMOS-transistori tunnetaan esim. merkinnällä BUZ 90*. Tällaisen vyörynkes-25 tävän SIPMOS-transistorin BUZ 90* sallittu drain-source- jännite on 600 V ja zenerjännite Uzvyery n. 630 V, ts. tämän .·.·. 630 V ylittyessä jatkuvasti vyörynkestävä SIPMOS-transistori tuhoutuu. Hakkuriverkkio-osa on tarkoitettu 90 - 250 V tulojännitteille ja siinä on integroitu ohjaus- ja valvonta-30 laite IC, esim. integroitu piiri TDA 4605, vyörynkestävän SIPMOS-transistorin TO ohjaamiseksi.
♦ * · « • ·
Kytkentäjärjestely on lisäksi mitoitettu siten, että saadaan 5 - 20 % jännitevarmuus vyörynkestävän SIPMOS-transistorin 35 TO vaurioitumisrajalle. Tämä tehdään muuntajan (kierrosluvun, kytkentäkertoimen) mitoituksella ja takaisinheilahdus-piirin kytkennän avulla.
100439 6
Vaimennusyhdistelmällä, joka muodostuu diodista D3, vastuksesta R7 ja kondensaattorista C7, voidaan rajoittaa aikaisemmin mainittua hakkuriverkko-osan ylitysvärähtelyä.
5 Seuraavassa on annettu kuviossa 2 esitetyn sulkutyyppisen hakkuriverkko-osan komponenttien parhaana pidetty mitoitus:
Rl 220 Ohm Cl 3,9 nF
R2 8,2 kOhm C2 luF
10 R3 270 kOhm C3 1 nF
R4 740 kOhm C4 47 uF/25 V
R5, Rll 4,7 kOhm C5 220 nF
R6 22 kOhm C6 150 uF/83 V
R7, R9 10 kOhm C7 33 nF
15 R8 100 Kohm C8 270 pF
RIO 100 Ohm C9 2,2 nF
Dl 1N4148 CIO 47 uF/250 V
D2 1N4148 Cll 1000 uF/25 V
D3, D4, BYW 76 C12 470 uF/25 V
20 NTC S231 D5, D6, BYW 72 IC TDA 4605 D7-D10 1N4007 TO BUZ 901 P 2,2 kOhm
Muuntaja TD 3202 Sulake F 0,8 A 25
Hakkuriverkko-osan lähtönavoissa on kondensaattorin CIO ja diodin D4 yhteisessä pisteessä normaalitoiminnassa 124 V
* « « tasasuunnattu jännite, kun taas diodin D5 ja kondensaattorin Cll yhteisessä pisteessä on 16 V ja diodin D6 ja kondensaat-30 torin D12 yhteisessä pisteessä on 9 V.
Kuviossa 3 on esitetty keksinnön mukaisen vyörynkestävän SIPMOS-transistorin drain-source-jännite 5 suurentuneella tulojännitteellä. Viitenumerolla 4 on jälleen esitetty 35 drain-source-jännite normaalitoiminnassa. Esiintyvät korkeat katkaisujännitehuiput rajoittuvat vyörynkestävässä SIPMOS-transistorissa samalla tavalla kuin tehozenerdiodissa. Vyörynkestävässä SIPMOS-transistorissa syntyy suuri häviö- 7 100439 teho. Jos suuret katkaisujännitehuiput esiintyvät vain lyhytaikaisesti (minuuttialueella), vyörynkestävä SIPMOS-transistori ei vauroidu. Uzvyery tarkoittaa, kuten jo kuvion 1 yhteydessä on esitetty, vyörynkestävän SIPMOS-transistorin 5 zener j ännitettä.
Kuviossa 4 on esitetty vyörynkestävän SIPMOS-transistorin drain-source-jännite 6 täydellisen rajoituksen tapauksessa. Vyörynkestävän SIPMOS-transistorin häviöteho on erittäin 10 suuri ja se tuhoutuu nopeasti. Tämän vuoksi ei ole mahdollista, että lähtöjännite ylittyisi myöskään hakkuriverkko-osan säätöpiirin vikaantuessa enemmän kuin hakkuriverkko-osan suunnittelussa edellytetyt 5 - 20 %. Tämän vuoksi on myös mahdotonta, että televisiovastaanottimen röntgensätei-15 lyn raja-arvot ylittyisivät.
Lisäksi on huomattava, että keksinnön mukaisen hakkuriverk-ko-osan käyttö ei rajoitu pelkästään kuvaruutulaitteisiin. Tässä esitettyä kytkentäperiaatetta voidaan yhtä hyvin 20 käyttää kaikkialla niissä hakkuriverkkolaitteissa, joissa lähtöjännitteet eivät saa ylittyä, kuten esim. tietokoneissa jne.
• · · » • · • · · • · · » · .· · · • · · • · · 1 · • · · • · ·
Claims (2)
1. Hakkurivirtalähde, jossa on suojausjärjestelmä lähtöjänne, tteen rajoittamiseksi ja ajurilaite kytkintransistorin 5 (TO) ohjaamiseksi, jolloin kytkintransistori on MOS-transistori jonka kautta tasajännite voidaan jaksollisesta kytkeä muuntajan ensiökäämiin (3), jolloin muuntajalla on ainakin yksi toisiokäämi, jolta lähtöjännite voidaan ottaa tasasuuntaajajärjestelyn kautta, tunnettu siitä, että 10 kytkintransistori (TO) on vyörynkestävä MOS-transistori, ja että hakkurivirtalähde on mitoitettu niin, että hakkurivir-talähteen luotettavan jatkuvan toiminnan ja vyörynkestävän MOS-transistorin vikaantumisrajan välille järjestetty jännitteen varmuuskerroin on 5 - 20 %, jolloin vyörynkestävän 15 MOS-transistorin suurin sallittu jännite (zenerjännite) on 5 - 20 % suurempi kuin MOS-transistorin (TO) nielun ja lähteen välillä hakkurivirtalähteen normaalitoiminnassa esiintyvä jännite.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen hakkurivirtalähde, tun- / ·; nettu siitä, että sitä käytetään näyttöpäätteessä. .·. Patentkrav
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3820558 | 1988-06-16 | ||
| DE3820558 | 1988-06-16 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI892950A0 FI892950A0 (fi) | 1989-06-15 |
| FI892950A FI892950A (fi) | 1989-12-17 |
| FI100439B true FI100439B (fi) | 1997-11-28 |
Family
ID=6356705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI892950A FI100439B (fi) | 1988-06-16 | 1989-06-15 | Hakkuriverkko-osa, jossa on suojaus lähtöjännitteen rajoittamiseksi |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4945463A (fi) |
| EP (1) | EP0346849B2 (fi) |
| JP (1) | JP2797251B2 (fi) |
| KR (1) | KR0132295B1 (fi) |
| CN (1) | CN1021270C (fi) |
| AT (1) | ATE81737T1 (fi) |
| DE (1) | DE58902489D1 (fi) |
| ES (1) | ES2035441T5 (fi) |
| FI (1) | FI100439B (fi) |
| PT (1) | PT90869B (fi) |
| SI (1) | SI8911187B (fi) |
| TR (1) | TR24544A (fi) |
| YU (1) | YU47607B (fi) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0419724B1 (de) * | 1989-09-29 | 1994-02-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung für ein Sperrwandler-Schalnetzteil |
| DE59009728D1 (de) * | 1990-07-03 | 1995-11-02 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung für ein freischwingendes Sperrwandler-Schaltnetzteil. |
| SG86969A1 (en) * | 1992-12-01 | 2002-03-19 | Thomson Consumer Electronics | Overvoltage protection system for televisions |
| EP1195886A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | ABB Schweiz AG | Rückwärtsleitender Gate Commutated Thyristor sowie dessen Anwendung |
| US10742467B1 (en) * | 2019-07-10 | 2020-08-11 | United States Of America As Represented By Secretary Of The Navy | Digital dynamic delay for analog power savings in multicarrier burst waveforms |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU845213A1 (ru) * | 1979-07-25 | 1981-07-07 | Научно-Исследовательский Институтпостоянного Toka | Устройство дл защиты электрическойцЕпи OT пЕРЕгРузКи пО ТОКу иНАпР жЕНию |
| US4335335A (en) * | 1980-02-11 | 1982-06-15 | Rca Corporation | Television receiver high voltage protection circuit |
| US4389702A (en) * | 1980-08-20 | 1983-06-21 | International Rectifier Corporation | Switching power supply circuit having constant output for a wide range of input voltage |
| JPS59181679A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置 |
| DE3341074A1 (de) * | 1983-11-12 | 1985-05-23 | Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover | Schaltnetzteil, insbesondere fuer einen fernsehempfaenger, mit einer schutzschaltung zur begrenzung des primaerstroms |
| US4739462A (en) * | 1984-12-26 | 1988-04-19 | Hughes Aircraft Company | Power supply with noise immune current sensing |
| US4686617A (en) * | 1986-06-06 | 1987-08-11 | Rca Corporation | Current limited constant frequency dc converter |
| US4737853A (en) * | 1987-04-30 | 1988-04-12 | Rca Corporation | Suppression circuit for video |
| EP0293846A1 (de) * | 1987-06-05 | 1988-12-07 | Siemens Aktiengesellschaft | MIS-Leistunsgstransistor |
-
1989
- 1989-06-08 YU YU118789A patent/YU47607B/sh unknown
- 1989-06-08 SI SI8911187A patent/SI8911187B/sl not_active IP Right Cessation
- 1989-06-12 JP JP1149299A patent/JP2797251B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-13 DE DE8989110719T patent/DE58902489D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-13 AT AT89110719T patent/ATE81737T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-06-13 EP EP89110719A patent/EP0346849B2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-13 TR TR89/0497A patent/TR24544A/xx unknown
- 1989-06-13 ES ES89110719T patent/ES2035441T5/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-15 FI FI892950A patent/FI100439B/fi active IP Right Grant
- 1989-06-15 PT PT90869A patent/PT90869B/pt not_active IP Right Cessation
- 1989-06-16 CN CN89104210A patent/CN1021270C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-16 KR KR1019890008323A patent/KR0132295B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-06-16 US US07/367,201 patent/US4945463A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0132295B1 (ko) | 1998-04-20 |
| SI8911187A (sl) | 1998-02-28 |
| TR24544A (tr) | 1991-11-21 |
| EP0346849A3 (en) | 1990-02-14 |
| KR900001079A (ko) | 1990-01-31 |
| CN1021270C (zh) | 1993-06-16 |
| FI892950A0 (fi) | 1989-06-15 |
| PT90869B (pt) | 1997-05-28 |
| SI8911187B (sl) | 1998-12-31 |
| JPH0327770A (ja) | 1991-02-06 |
| ATE81737T1 (de) | 1992-11-15 |
| US4945463A (en) | 1990-07-31 |
| DE58902489D1 (de) | 1992-11-26 |
| EP0346849B2 (de) | 1996-06-12 |
| FI892950A (fi) | 1989-12-17 |
| PT90869A (pt) | 1989-12-29 |
| CN1038726A (zh) | 1990-01-10 |
| YU118789A (sh) | 1992-09-07 |
| YU47607B (sh) | 1995-10-24 |
| EP0346849B1 (de) | 1992-10-21 |
| JP2797251B2 (ja) | 1998-09-17 |
| ES2035441T3 (es) | 1993-04-16 |
| ES2035441T5 (es) | 1996-08-01 |
| EP0346849A2 (de) | 1989-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI100439B (fi) | Hakkuriverkko-osa, jossa on suojaus lähtöjännitteen rajoittamiseksi | |
| US6600668B1 (en) | Crowbar circuit for low output voltage DC/DC converters | |
| US4841406A (en) | X-radiation protection circuit | |
| KR19990034221U (ko) | 과전압 보호회로를 갖는 음극선관 디스플레이장치 | |
| KR0136032B1 (ko) | 과전압시 수평출력트랜지스터 보호장치 | |
| JP2002165445A (ja) | 電源装置 | |
| KR0182921B1 (ko) | 발진 전압 안정화 회로를 구비한 디스플레이 장치 | |
| KR100374583B1 (ko) | 텔레비전의고압상승억제보호장치 | |
| KR0136720Y1 (ko) | 모니터의 고전압 보호 회로 | |
| JPH05198444A (ja) | ラインフィルタトランス並びに電源回路 | |
| JP2901024B2 (ja) | Ｘ線プロテクター回路 | |
| KR910002944Y1 (ko) | 서지 전압 차단 회로 | |
| KR200145476Y1 (ko) | Crt의 x-선 보호 회로 | |
| KR960028233A (ko) | 모니터의 엑스레이 차단회로 | |
| KR910008275Y1 (ko) | 텔레비젼의 x선 방출 방지회로 | |
| KR200145738Y1 (ko) | 모니터의 과도한 고압출력 방지회로 | |
| KR920000098Y1 (ko) | Tv의 x선 방지회로 | |
| KR980011659A (ko) | Crt의 x-선 보호 회로 | |
| KR200247524Y1 (ko) | 과전압 보호회로용 전원공급장치 | |
| KR970023495A (ko) | 플라이백트랜스포머의 세트보호장치 | |
| KR910005871Y1 (ko) | 모니터의 씨알티 2중 보호회로 | |
| KR860003420Y1 (ko) | 마그네트론 전원 보호장치 | |
| DD299410A7 (de) | Schaltnetzteil mit schutz zur begrenzung einer ausgangsspannung | |
| KR900009629Y1 (ko) | 과전류 검출을 이용한 보호회로 | |
| JPS61264868A (ja) | 陰極線管の保護装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Owner name: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |