JP2797251B2 - スイツチングレギユレータ - Google Patents
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- TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethylsilyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS(O)(=O)=O TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
- H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
- H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/33507—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、出力電圧の制限のための保護が行われて
いるスイッチングレギュレータであって、スイッチング
トランジスタを駆動するための駆動装置を有し、スイッ
チングトランジスタを介して直流電圧が周期的に変成器
の一次巻線に与えられ、変成器が少なくとも１つの二次
巻線を有し、この二次巻線から整流装置を介して出力電
圧が取り出され得るスイッチングレギュレータに関する
ものである。
いるスイッチングレギュレータであって、スイッチング
トランジスタを駆動するための駆動装置を有し、スイッ
チングトランジスタを介して直流電圧が周期的に変成器
の一次巻線に与えられ、変成器が少なくとも１つの二次
巻線を有し、この二次巻線から整流装置を介して出力電
圧が取り出され得るスイッチングレギュレータに関する
ものである。
このようなスイッチングレギュレータはたとえばドイ
ツ連邦共和国特許第A1−3341074号明細書から公知であ
る。スイッチングレギュレータの二次側の過大な電圧か
ら保護するため、一次側の過大な電流の際にスイッチン
グトランジスタを周期的に遮断させるサイリスタが設け
られている。
ツ連邦共和国特許第A1−3341074号明細書から公知であ
る。スイッチングレギュレータの二次側の過大な電圧か
ら保護するため、一次側の過大な電流の際にスイッチン
グトランジスタを周期的に遮断させるサイリスタが設け
られている。
さらに、スイッチングレギュレータの出力電圧を調節
回路により安定化することは公知である。制御量または
制御偏差の検出はスイッチングレギュレータの変成器に
おける調節巻線を介して（シーメンス製品情報“娯楽用
電子機器用のIC、SNTs"、1987年８月発行を参照）また
はオプトカップラーを介して行われ得る。制御および監
視装置を介してスイッチングトランジスタが検出された
制御量または制御偏差に関係して駆動される。
回路により安定化することは公知である。制御量または
制御偏差の検出はスイッチングレギュレータの変成器に
おける調節巻線を介して（シーメンス製品情報“娯楽用
電子機器用のIC、SNTs"、1987年８月発行を参照）また
はオプトカップラーを介して行われ得る。制御および監
視装置を介してスイッチングトランジスタが検出された
制御量または制御偏差に関係して駆動される。
しかし、これらの公知の回路装置において調節回路が
故障していると、スイッチングレギュレータの出力電圧
が許容し得ない値に上昇し得る。20ないし40％の出力電
圧の上昇の際には制御および監視装置の信号処理段は機
能可能な状態にとどまる。なぜならば、その供給電圧は
一般に事後安定化されているからである。
故障していると、スイッチングレギュレータの出力電圧
が許容し得ない値に上昇し得る。20ないし40％の出力電
圧の上昇の際には制御および監視装置の信号処理段は機
能可能な状態にとどまる。なぜならば、その供給電圧は
一般に事後安定化されているからである。
このことはテレビジョン装置の電流供給のためにスイ
ッチングレギュレータを使用する際に特に問題となる。
すなわち行偏向回路（Ｈ偏向）の非安定化供給電圧がこ
の百分率だけ上昇すると、テレビジョン装置のブラウン
管における高電圧も同じ比率で、たとえば25kVから35kV
へ上昇する。テレビジョン像は観察者に少し拡大され
て、しかし鋭く、現れるので、装置は引き続き使用され
る。こうしてＸ線限界値を超えて危険な状態となる。従
って個々の国のＸ線条例は、テレビジョン装置のブラウ
ン管における高電圧の上昇を防止する安全な保護回路を
規定している。ドイツ連邦共和国ではテレビジョン装置
の許容Ｘ線放射の限界値はたとえば30kVである。
ッチングレギュレータを使用する際に特に問題となる。
すなわち行偏向回路（Ｈ偏向）の非安定化供給電圧がこ
の百分率だけ上昇すると、テレビジョン装置のブラウン
管における高電圧も同じ比率で、たとえば25kVから35kV
へ上昇する。テレビジョン像は観察者に少し拡大され
て、しかし鋭く、現れるので、装置は引き続き使用され
る。こうしてＸ線限界値を超えて危険な状態となる。従
って個々の国のＸ線条例は、テレビジョン装置のブラウ
ン管における高電圧の上昇を防止する安全な保護回路を
規定している。ドイツ連邦共和国ではテレビジョン装置
の許容Ｘ線放射の限界値はたとえば30kVである。
主な問題は、現在一般にスイッチングレギュレータお
よび行終段のＨ偏向回路がなかに使用されるバイポーラ
トランジスタが耐電圧性に非常に大きい安全マージンを
有することにある。たとえばバイポーラトランジスタBU
508はスイッチングレギュレータのなかでは約700Vで、
また90゜行終段のなかでは約950Vで使用される。このバ
イポーラトランジスタBU508の限界データは1500Vであ
り、また破壊限度は1700ないし1800Vである。このこと
は、終段が過電圧により損傷することはほとんどない
が、故障した調節電圧の際にはスイッチングレギュレー
タの危険な高電圧、従ってまた過大な高電圧がブラウン
管に生ずること、従ってまた危険な高いＸ線放射が生ず
ることを意味する。
よび行終段のＨ偏向回路がなかに使用されるバイポーラ
トランジスタが耐電圧性に非常に大きい安全マージンを
有することにある。たとえばバイポーラトランジスタBU
508はスイッチングレギュレータのなかでは約700Vで、
また90゜行終段のなかでは約950Vで使用される。このバ
イポーラトランジスタBU508の限界データは1500Vであ
り、また破壊限度は1700ないし1800Vである。このこと
は、終段が過電圧により損傷することはほとんどない
が、故障した調節電圧の際にはスイッチングレギュレー
タの危険な高電圧、従ってまた過大な高電圧がブラウン
管に生ずること、従ってまた危険な高いＸ線放射が生ず
ることを意味する。
本発明の課題は、出力電圧の許容し得ない上昇を確実
にかつごくわずかな費用で回避し得るスイッチングレギ
ュレータ用の回路装置を提供することである。
にかつごくわずかな費用で回避し得るスイッチングレギ
ュレータ用の回路装置を提供することである。
この課題は、本発明によれば、出力電圧の制限のため
の保護が行われているスイッチングレギュレータであっ
て、スイッチングトランジスタを駆動するための駆動装
置を有し、スイッチングトランジスタを介して直流電圧
が周期的に変成器の一次巻線に与えられ、変成器が少な
くとも１つの二次巻線を有し、この二次巻線から整流装
置を介して出力電圧が取り出され得るスイッチングレギ
ュレータにおいて、スイッチングトランジスタとしてア
バランシェ降伏耐性を有するMOSトランジスタを使用
し、前記MOSトランジスタの最大許容電圧（ツェナー電
圧）をスイッチングレギュレータの正常作動時に生ずる
前記MOSトランジスタのドレイン−ソース間電圧より５
％〜20％だけ上に位置させることにより、スイッチング
レギュレータが安全に連続作動し得る状態と前記MOSト
ランジスタの破壊限界との間に５％ないし20％の電圧マ
ージンを有するようにスイッチングレギュレータが構成
されることにより解決される。
の保護が行われているスイッチングレギュレータであっ
て、スイッチングトランジスタを駆動するための駆動装
置を有し、スイッチングトランジスタを介して直流電圧
が周期的に変成器の一次巻線に与えられ、変成器が少な
くとも１つの二次巻線を有し、この二次巻線から整流装
置を介して出力電圧が取り出され得るスイッチングレギ
ュレータにおいて、スイッチングトランジスタとしてア
バランシェ降伏耐性を有するMOSトランジスタを使用
し、前記MOSトランジスタの最大許容電圧（ツェナー電
圧）をスイッチングレギュレータの正常作動時に生ずる
前記MOSトランジスタのドレイン−ソース間電圧より５
％〜20％だけ上に位置させることにより、スイッチング
レギュレータが安全に連続作動し得る状態と前記MOSト
ランジスタの破壊限界との間に５％ないし20％の電圧マ
ージンを有するようにスイッチングレギュレータが構成
されることにより解決される。
本発明によるスイッチングレギュレータによれば、ス
イッチングレギュレータの信頼性が100％の電圧マージ
ンを有するバイポーラトランジスタの場合または40％の
電圧マージンを有するMOSトランジスタの場合よりも高
くまたは少なくともそれと等しくなる。
イッチングレギュレータの信頼性が100％の電圧マージ
ンを有するバイポーラトランジスタの場合または40％の
電圧マージンを有するMOSトランジスタの場合よりも高
くまたは少なくともそれと等しくなる。
たとえばブラウン管弧絡、雷に起因する過電圧または
スイッチングレギュレータ内の同期化擾乱のような外部
影響により一回の非常に高い逆電圧ピークがスイッチン
グレギュレータ内に生じ得る。本発明は、この逆電圧ピ
ークがたとえばドイツ連邦共和国特許出願公開第371891
2号明細書から公知のアバランシェ降伏耐性を有するMOS
トランジスタに対して危険でなく、また電力用ツェナー
ダイオードの場合と類似して確実に制限されるという事
実を利用する。その際、あらゆる点で数Ａまでのオーダ
ーの電流ピークが生じてよい。重要なことは、制限効果
により惹起される損失電力がアバランシェ降伏耐性を有
するMOSトランジスタの限界値を越える温度超過に通じ
ないことである。
スイッチングレギュレータ内の同期化擾乱のような外部
影響により一回の非常に高い逆電圧ピークがスイッチン
グレギュレータ内に生じ得る。本発明は、この逆電圧ピ
ークがたとえばドイツ連邦共和国特許出願公開第371891
2号明細書から公知のアバランシェ降伏耐性を有するMOS
トランジスタに対して危険でなく、また電力用ツェナー
ダイオードの場合と類似して確実に制限されるという事
実を利用する。その際、あらゆる点で数Ａまでのオーダ
ーの電流ピークが生じてよい。重要なことは、制限効果
により惹起される損失電力がアバランシェ降伏耐性を有
するMOSトランジスタの限界値を越える温度超過に通じ
ないことである。
すなわちアバランシェ降伏耐性を有するMOSトランジ
スタにおける一回の電圧ピークは、ピーク電力がkVA範
囲内にあるとしても、本発明によれば許容可能である。
それに対してアバランシェ降伏耐性を有するMOSトラン
ジスタの許容可能なドレイン−ソース間電圧が周期的に
各パルスの際に超過されると、アバランシェ降伏耐性を
有するMOSトランジスタは非常に迅速に過熱されかつ破
壊される。このようなアバランシェ降伏耐性を有するMO
Sトランジスタ、たとえばアバランシェ降伏耐性を有す
るSIPMOSトランジスタでは、破壊限界は“ツェナー限
界”に位置している。それによって調節回路の故障の際
にも、スイッチングレギュレータの出力電圧が開発の際
に予め定められた５％ないし20％よりも大きく超過され
ることが有効に防止される。
スタにおける一回の電圧ピークは、ピーク電力がkVA範
囲内にあるとしても、本発明によれば許容可能である。
それに対してアバランシェ降伏耐性を有するMOSトラン
ジスタの許容可能なドレイン−ソース間電圧が周期的に
各パルスの際に超過されると、アバランシェ降伏耐性を
有するMOSトランジスタは非常に迅速に過熱されかつ破
壊される。このようなアバランシェ降伏耐性を有するMO
Sトランジスタ、たとえばアバランシェ降伏耐性を有す
るSIPMOSトランジスタでは、破壊限界は“ツェナー限
界”に位置している。それによって調節回路の故障の際
にも、スイッチングレギュレータの出力電圧が開発の際
に予め定められた５％ないし20％よりも大きく超過され
ることが有効に防止される。
このことはスイッチングレギュレータに対して追加的
な構成要素費用なしに実現し得る確実な保護メカニズム
を呈する。
な構成要素費用なしに実現し得る確実な保護メカニズム
を呈する。
以下、４つの図面を参照して１つの実施例により本発
明を一層詳細に説明する。
明を一層詳細に説明する。
第１図には減衰振動状態での正常作動の際のスイッチ
ングレギュレータ内のスイッチングトランジスタの負荷
回路における典型的な電圧経過が示されている。スイッ
チングトランジスタとしてバイポーラトランジスタが使
用される場合、このバイポーラトランジスタのコレクタ
−エミッタ電圧UCEが、またはMOSトランジスタではその
ドレイン−ソース間電圧UDSが参照符号４を付して示さ
れている。スイッチングトランジスタのスイッチオフの
後に、第１図中に示されている行き過ぎ振動を生ずる。
UNはスイッチングレギュレータの正常作動および特定の
予め定められた入力電圧の際にスイッチングトランジス
タの両端に降下するピーク逆電圧が示されている。スイ
ッチングレギュレータの入力端における220Vの交流電圧
ではUNはたとえば500Vである。
ングレギュレータ内のスイッチングトランジスタの負荷
回路における典型的な電圧経過が示されている。スイッ
チングトランジスタとしてバイポーラトランジスタが使
用される場合、このバイポーラトランジスタのコレクタ
−エミッタ電圧UCEが、またはMOSトランジスタではその
ドレイン−ソース間電圧UDSが参照符号４を付して示さ
れている。スイッチングトランジスタのスイッチオフの
後に、第１図中に示されている行き過ぎ振動を生ずる。
UNはスイッチングレギュレータの正常作動および特定の
予め定められた入力電圧の際にスイッチングトランジス
タの両端に降下するピーク逆電圧が示されている。スイ
ッチングレギュレータの入力端における220Vの交流電圧
ではUNはたとえば500Vである。
スイッチングトランジスタとしてバイポーラトランジ
スタが使用されると、50％ないし100％の電圧マージン
が予め与えられなければならない。すなわち、許容可能
なコレクタ−エミッタ間電圧UCESはバイポーラトランジ
スタに正常作動の際に生ずる電圧よりも約50％ないし10
0％高く選定されなければならない。なぜならば、バイ
ポーラトランジスタが一回の許容可能なコレクタ−エミ
ッタ間電圧UCESを越える電圧ピークにより破壊されるか
らである。通常のMOSトランジスタも許容可能なドレイ
ン−ソース間電圧UDSSの一回の短時間の超過により直ち
に破壊される。
スタが使用されると、50％ないし100％の電圧マージン
が予め与えられなければならない。すなわち、許容可能
なコレクタ−エミッタ間電圧UCESはバイポーラトランジ
スタに正常作動の際に生ずる電圧よりも約50％ないし10
0％高く選定されなければならない。なぜならば、バイ
ポーラトランジスタが一回の許容可能なコレクタ−エミ
ッタ間電圧UCESを越える電圧ピークにより破壊されるか
らである。通常のMOSトランジスタも許容可能なドレイ
ン−ソース間電圧UDSSの一回の短時間の超過により直ち
に破壊される。
従って、類似の高い電圧マージンがMOSトランジスタ
を有するスイッチングレギュレータの開発の際に考慮さ
れなければならない。通常のMOSトランジスタの電圧マ
ージンは約40％である。
を有するスイッチングレギュレータの開発の際に考慮さ
れなければならない。通常のMOSトランジスタの電圧マ
ージンは約40％である。
本発明によれば、スイッチングレギュレータはアバラ
ンシェ降伏耐性を有するMOSトランジスタ、好ましくは
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタを有
する。スイッチングレギュレータ、特にブロッキング発
振式スイッチングレギュレータは、アバランシェ降伏耐
性を有するSIPMOSトランジスタの破壊限界に対する電圧
マージンが５％ないし20％しか設けられていないように
設計される。アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトラ
ンジスタのツェナー電圧は第１図中にUZ avalancheで
示されている。
ンシェ降伏耐性を有するMOSトランジスタ、好ましくは
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタを有
する。スイッチングレギュレータ、特にブロッキング発
振式スイッチングレギュレータは、アバランシェ降伏耐
性を有するSIPMOSトランジスタの破壊限界に対する電圧
マージンが５％ないし20％しか設けられていないように
設計される。アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトラ
ンジスタのツェナー電圧は第１図中にUZ avalancheで
示されている。
第２図には本発明によるブロッキング発振式スイッチ
ングレギュレータの実施例が示されている。このスイッ
チングレギュレータは既にシーメンス製品情報“娯楽用
電子機器用のIC、SNTs"、1987年８月発行の第57頁に説
明されている。そこに使用される通常のSIPMOSトランジ
スタBUZ 90と異なり、本発明によればアバランシェ降
伏耐性を有するSIPMOSトランジスタが使用される。この
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタはた
とえばBUZ 90＊という名称のもとに知られている。こ
のアバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタ、
BUZ 90＊は600Vの許容可能なドレイン−ソース間電圧
および約630Vのツェナー電圧UZ avalancheを有し、こ
の630Vの持続的超過の際にはアバランシェ降伏耐性を有
するSIPMOSトランジスタは破壊される。スイッチングレ
ギュレータは90ないし250Vの入力電圧に対して設計され
ており、またアバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトラ
ンジスタのTO駆動のために集積された制御および監視装
置IC、たとえば集積回路TDA 4605を有する。
ングレギュレータの実施例が示されている。このスイッ
チングレギュレータは既にシーメンス製品情報“娯楽用
電子機器用のIC、SNTs"、1987年８月発行の第57頁に説
明されている。そこに使用される通常のSIPMOSトランジ
スタBUZ 90と異なり、本発明によればアバランシェ降
伏耐性を有するSIPMOSトランジスタが使用される。この
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタはた
とえばBUZ 90＊という名称のもとに知られている。こ
のアバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタ、
BUZ 90＊は600Vの許容可能なドレイン−ソース間電圧
および約630Vのツェナー電圧UZ avalancheを有し、こ
の630Vの持続的超過の際にはアバランシェ降伏耐性を有
するSIPMOSトランジスタは破壊される。スイッチングレ
ギュレータは90ないし250Vの入力電圧に対して設計され
ており、またアバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトラ
ンジスタのTO駆動のために集積された制御および監視装
置IC、たとえば集積回路TDA 4605を有する。
さらに回路装置は、アバランシェ降伏耐性を有するSI
PMOSトランジスタTOの破壊限界に対して５％ないし20％
の電圧マージンが設けられているように設計されてい
る。このことは変圧器（巻数比、結合係数）および帰還
回路の配線の設計により行われる。
PMOSトランジスタTOの破壊限界に対して５％ないし20％
の電圧マージンが設けられているように設計されてい
る。このことは変圧器（巻数比、結合係数）および帰還
回路の配線の設計により行われる。
ダイオードD3、抵抗R7およびコンデンサC7から成るダ
ンピング回路により、スイッチングレギュレータ内の電
圧の前記の行き過ぎ振動が制限され得る。
ンピング回路により、スイッチングレギュレータ内の電
圧の前記の行き過ぎ振動が制限され得る。
以下に、第２図に示されているブロッキング発振式ス
イッチングレギュレータの構成要素の好ましい大きさが
列挙されている。
イッチングレギュレータの構成要素の好ましい大きさが
列挙されている。
R1 220Ω R2 8.2kΩ R3 270kΩ R4 750kΩ R5、R11 4.7kΩ R6 22kΩ R7、R9 10kΩ R8 100kΩ R10 100Ω D1 １ N4148 D2 １ N4148 D3、D4 BYW76 NTC S231 IC TDA 4605 TO BUZ 90＊ Trafo TD 3202 Si Ｆ 0.8A Cl 3.9nF C2 １μＦ C3 1nF C4 47μF/25V C5 220nF C6 150μF/83V C7 33nF C8 270pF C9 2.2nF C10 47μF/250V C11 1000μF/25V C12 470μF/25V D5、D6 BYW 72 D7〜D10 １ N4007 Ｐ 2.2kΩ スイッチングレギュレータの出力端子U1にはコンデン
サC10およびダイオードD4の接続点に正常作動の際に124
Vの整流された電圧が与えられており、他方においてダ
イオードD5およびコンデンサC11の接続点U2には16Vが、
またダイオードD6およびコンデンサC12の接続点U3には9
Vが与えられている。
サC10およびダイオードD4の接続点に正常作動の際に124
Vの整流された電圧が与えられており、他方においてダ
イオードD5およびコンデンサC11の接続点U2には16Vが、
またダイオードD6およびコンデンサC12の接続点U3には9
Vが与えられている。
第３図には、高められた入力電圧の際の本発明による
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタにお
けるドレイン−ソース間電圧５が示されている。参照符
号４を付されているのは再び正常作動の際のドレイン−
ソース間電圧である。生ずる高い逆電圧ピークはアバラ
ンシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタにおいて電
力用ツェナーダイオードの場合と類似して制限される。
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタ内に
は高い損失電力が生ずる。高い逆電圧ピークが短時間
（分の範囲）しか生じないならば、アバランシェ降伏耐
性を有するSIPMOSトランジスタは損傷されない。U
Zavalancheは、既に第１図に関連して説明したように、
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタにお
けるツェナー電圧である。
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタにお
けるドレイン−ソース間電圧５が示されている。参照符
号４を付されているのは再び正常作動の際のドレイン−
ソース間電圧である。生ずる高い逆電圧ピークはアバラ
ンシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタにおいて電
力用ツェナーダイオードの場合と類似して制限される。
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタ内に
は高い損失電力が生ずる。高い逆電圧ピークが短時間
（分の範囲）しか生じないならば、アバランシェ降伏耐
性を有するSIPMOSトランジスタは損傷されない。U
Zavalancheは、既に第１図に関連して説明したように、
アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタにお
けるツェナー電圧である。
第４図には全制限の際のアバランシェ降伏耐性を有す
るSIPMOSトランジスタのドレイン−ソース間電圧６が示
されている。アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトラ
ンジスタは非常に高い損失電力を有し、迅速に破壊され
る。それにより、スイッチングレギュレータの調節回路
の故障の際にも出力電圧がスイッチングレギュレータの
開発の際に予め定められた５％ないし20％よりも大きく
超過されることは可能でない。しかし、それによって、
テレビジョン装置におけるＸ線限界値が超過されること
は不可能である。
るSIPMOSトランジスタのドレイン−ソース間電圧６が示
されている。アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトラ
ンジスタは非常に高い損失電力を有し、迅速に破壊され
る。それにより、スイッチングレギュレータの調節回路
の故障の際にも出力電圧がスイッチングレギュレータの
開発の際に予め定められた５％ないし20％よりも大きく
超過されることは可能でない。しかし、それによって、
テレビジョン装置におけるＸ線限界値が超過されること
は不可能である。
なお言及すべきこととして、本発明によるスイッチン
グレギュレータはもちろん画像表示装置への使用にのみ
制限されていない。それどころか、ここに提案された回
路構成は、たとえば計算機等におけるように出力電圧が
超過されてはならないところにはどこにでも使用され得
る。
グレギュレータはもちろん画像表示装置への使用にのみ
制限されていない。それどころか、ここに提案された回
路構成は、たとえば計算機等におけるように出力電圧が
超過されてはならないところにはどこにでも使用され得
る。
第１図はバイポーラトランジスタ、MOSトランジスタお
よび本発明によるアバランシェ降伏耐性を有するMOSト
ランジスタにおける許容可能な阻止電圧を有する減衰振
動状態での正常作動の際のスイッチングレギュレータ内
のスイッチングトランジスタの負荷回路における典型的
な電圧経過を示す図、第２図はアバランシェ降伏耐性を
有するSIPMOSトランジスタを有するスイッチングレギュ
レータの本発明による回路装置を示す図、第３図は周期
的制限の際のスイッチングレギュレータ内のアバランシ
ェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタにおけるドレイ
ン−ソース間電圧の示す図、第４図は完全な制限の際の
スイッチングレギュレータ内のアバランシェ降伏耐性を
有するSIPMOSトランジスタにおけるドレイン−ソース間
電圧を示す図である。 ４……コレクタ−エミッタ間電圧 ５……ドレイン−ソース間電圧 TO……アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジス
タ
よび本発明によるアバランシェ降伏耐性を有するMOSト
ランジスタにおける許容可能な阻止電圧を有する減衰振
動状態での正常作動の際のスイッチングレギュレータ内
のスイッチングトランジスタの負荷回路における典型的
な電圧経過を示す図、第２図はアバランシェ降伏耐性を
有するSIPMOSトランジスタを有するスイッチングレギュ
レータの本発明による回路装置を示す図、第３図は周期
的制限の際のスイッチングレギュレータ内のアバランシ
ェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジスタにおけるドレイ
ン−ソース間電圧の示す図、第４図は完全な制限の際の
スイッチングレギュレータ内のアバランシェ降伏耐性を
有するSIPMOSトランジスタにおけるドレイン−ソース間
電圧を示す図である。 ４……コレクタ−エミッタ間電圧 ５……ドレイン−ソース間電圧 TO……アバランシェ降伏耐性を有するSIPMOSトランジス
タ
Claims (2)
- 【請求項１】出力電圧の制限のための保護が行われてい
るスイッチングレギュレータであって、スイッチングト
ランジスタを駆動するための駆動装置を有し、スイッチ
ングトランジスタを介して直流電圧が周期的に変成器の
一次巻線に与えられ、変成器が少なくとも１つの二次巻
線を有し、この二次巻線から整流装置を介して出力電圧
が取り出され得るスイッチングレギュレータにおいて、
スイッチングトランジスタとしてアバランシェ降伏耐性
を有するMOSトランジスタを使用し、前記MOSトランジス
タの最大許容電圧（ツェナー電圧）UZavalancheをスイ
ッチングレギュレータの正常作動時に生ずる前記MOSト
ランジスタのドレイン−ソース間電圧より５％〜20％だ
け上に位置させることにより、スイッチングレギュレー
タが安全に連続作動し得る状態と前記MOSトランジスタ
の破壊限界との間に５％ないし20％の電圧マージンを有
するようにスイッチングレギュレータが構成されている
ことを特徴とするスイッチングレギュレータ。 - 【請求項２】ビデオディスプレイ装置に使用されること
を特徴とする請求項１記載のスイッチングレギュレー
タ。
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| DE3820558 | 1988-06-16 | ||
| DE3820558.0 | 1988-06-16 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP2797251B2 (ja) |
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| DE3341074A1 (de) * | 1983-11-12 | 1985-05-23 | Telefunken Fernseh Und Rundfunk Gmbh, 3000 Hannover | Schaltnetzteil, insbesondere fuer einen fernsehempfaenger, mit einer schutzschaltung zur begrenzung des primaerstroms |
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-
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- 1989-06-13 ES ES89110719T patent/ES2035441T5/es not_active Expired - Lifetime
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- 1989-06-16 CN CN89104210A patent/CN1021270C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-16 KR KR1019890008323A patent/KR0132295B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-06-16 US US07/367,201 patent/US4945463A/en not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |