KR910008275Y1 - 텔레비젼의 x선 방출 방지회로 - Google Patents

텔레비젼의 x선 방출 방지회로 Download PDF

Info

Publication number
KR910008275Y1
KR910008275Y1 KR2019850012379U KR850012379U KR910008275Y1 KR 910008275 Y1 KR910008275 Y1 KR 910008275Y1 KR 2019850012379 U KR2019850012379 U KR 2019850012379U KR 850012379 U KR850012379 U KR 850012379U KR 910008275 Y1 KR910008275 Y1 KR 910008275Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
resistors
fbt
flyback transformer
voltage
Prior art date
Application number
KR2019850012379U
Other languages
English (en)
Other versions
KR870005970U (ko
Inventor
정태홍
Original Assignee
삼성전자 주식회사
정재은
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사, 정재은 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR2019850012379U priority Critical patent/KR910008275Y1/ko
Publication of KR870005970U publication Critical patent/KR870005970U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910008275Y1 publication Critical patent/KR910008275Y1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/16—Vessels; Containers
    • H01J37/165—Means associated with the vessel for preventing the generation of or for shielding unwanted radiation, e.g. X-rays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
    • H01F38/42—Flyback transformers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/866—Zener diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/16—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by deflecting electron beam in cathode-ray tube, e.g. scanning corrections
    • H04N3/18—Generation of supply voltages, in combination with electron beam deflecting
    • H04N3/19—Arrangements or assemblies in supply circuits for the purpose of withstanding high voltages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
    • H01J2231/50005—Imaging and conversion tubes characterised by form of illumination
    • H01J2231/5001—Photons
    • H01J2231/50031—High energy photons
    • H01J2231/50036—X-rays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Details Of Television Scanning (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

텔레비젼의 X선 방출 방지회로
본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
R1-R13: 저항 Q1-Q5: 트랜지스터
C1-C4: 콘덴서 D1: 다이오드
ZD : 제너다이오드 Vcc : 전원
FBT : 플라이백 트랜스(FLY BAKE TRANSFORMER)
HDT : 수평드라이브 트랜스(HOROZONTAL DROLVE TRANSFORMER)
본 고안은 TV에 있어서, 이상고압 발생시나 과도한 빔(Beam)전류가 흐를 경우 CRT를 통해 방출되는 X선 방출 방지할 수 있도록 한 텔레비젼의 X선 방출 방지 회로에 관한 것이다.
텔레비젼의 CRT에는 비데오 신호를 출력시키기 위하여 고압이 인가되고 있는데 이때 설정치 이상의 고압이 CRT에 인가되면 CRT에서 X선이 방출되어 인체에 해를 주게 된다.
따라서 종래에는 CRT에서 방출되는 X선을 방지하기 위하여 플라이백 트랜스에 유기되는 2차특 전압을 감지하여 설정치 이상의 전압이 출력시에는 텔레비젼의 CRT에서 방출되는 X선의 방출을 방지하는 회로를 사용하였으나, 이는 빔전류(BEAM CURRENT)의 상승에는 대처하지 못하여 텔레비젼의 CRT로부터 X선이 방출되는 문제점이 있었다.
따라서 본 고안의 목적은 플라이백 트랜스에 유기되는 2차측 전압을 감지하여 X선의 방출을 방지함은 물론이고, 플라이백 트랜스로 피이드백되는 빔전류를 감지하여 과다한 전류가 감지될때에는 수평펄스(HORIZONTAL PULSE)의 공급을 차단하여 X선의 방출을 방지할 수 있도록 하는 회로를 제공함에 있다.
따라서 상기 목적을 수행하기 위한 본 고안은 플라이백 트랜스의 2차측 전압과 빔전류의 흐름을 검출하는 검출수단을 구비하고 상기 검출수단에 의하여 고압이 상승되거나 빔전류가 과다하게 흐름이 검출되면 수평펄스 입력을 차단시키는 스위칭 수단을 구비한 것으로써 이하 본 고안을 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
수평펄스를 트랜지스터(Q1)에 스위칭시켜 수평드라이브 트랜스(HDT)로 인가시키고 상기 수평드라이브 트랜스(HDT)의 출력으로 플라이백 트랜스(FBT)를 드라이브 시키는 텔레비젼 회로에 있어서, 상기 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압을 정류하고 분배하는 다이오드(D1) 및 저항(R2-R3)과, 상기 플라이백 트랜스(FBT)에 궤환되는 빔 전류를 전압으로 검출하는 저항(R11-R13)과, 상기 저항(R2), (R3)에서 분배된 고압과 저항(R11-R13)에 의해 검출된 빔전류의 크기 비교에 의하여 스위칭 되고 베이스에 제너다이오드(ZD)가 연결된 트랜지스터(Q2)와, 상기 트랜지스터(Q2)의 출력에 의하여 스위칭되고 자기 바이어스 되는 트랜지스터(Q3), (Q4)와, 상기 트랜지스터(Q3), (Q4)의 스위칭 출력에 의하여 구동되고 트랜지스터(Q1)에 공급되는 수평펄스 입력을 제어하는 트랜지스터(Q5)로 구성된다.
즉 본 고안은 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압을 다이오드(D1)로 정류한 후 저항(R2), (R3)을 통하여 트랜지스터(Q2)의 에이터에 인가시키고 플라이백 트랜스(FBT)로 궤환되는 빔전류를 저항(R11-R13)으로 검출한 후 제너다이오드(ZD)가 연결된 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가되게 연결한다.
상기 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 출력은 저항(R5), (R6)을 통하여 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되고 상기 트랜지스터(Q3)의 콜렉터측에는 트랜지스터(Q4)의 베이스를 연결함과 동시에 저항(R8)과 콘덴서(C3)를 통하여 전원(Vcc)이 공급되게 연결하며 상기 트랜지스터(Q4)의 콜렉터는 트랜지스터(Q3)의 베이스에 연결하여 트랜지스터(Q3), (Q4)는 자기 바이어스되게 구성한다.
상기 트랜지스터(Q3)의 에미터 출력은 저항(R9), (R10)을 통하여 트랜지스터(Q5)의 베이스에 인가되고 에미터가 접지된 트랜지스터(Q5)의 콜렉터측은 수평펄스가 인가되는 트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결되게 구성한다.
도면증 미설명 부호 C1, C2는 노이즈제거용 콘덴서이다.
이같이 구성된 본 고안에서 수평펄스는 스위칭 트랜지스터(Q1)를 통하여 수평드라이브 트랜스(HDT)에 인가되고 수평드라이브 트랜스(HDT)에서는 플라이백 트랜스(FBT)를 드라이브 시키게 되며 상기 플라이백 트랜스(FBT)에는 CRT에 흐르는 빔전류가 궤환된다.
이는 텔레비젼의 일반적인 회로로써 상기 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압이 상승하거나 빔 전류가 과도하게 흐를 경우 인체에 해로운 X선이 방출되게 되며 본 고안에서는 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압이 상승하거나 빔 전류가 과다하게 흐를 경우 수평펄스 입력을 차단하여 X선 방출을 방지하게 된다. 먼저 빔 전류는 정상적으로 인가되나 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압이 상승할 경우 수평 펄스 입력을 차단시키는 동작에 대하여 살펴본다.
플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압은 다이오드(D1)에서 장류된 후 저항(R2), (R3)으로 분배되어 트랜지스터(Q2)의 에미터에 인가되게 되고 상기 플라이백 트랜스(FBT)에 궤환되는 빔전류는 저항(R11-R13)을 통하여 전압으로 검출된 후 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가된다.
따라서 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압이 상승하면 트랜지스터(Q2)의 에미터 전압이 상승하게 되나 빔 전류가 정상이므로 트랜지스터(Q2)의, 베이스 전압은 일정하게 유지된다.
이때 트랜지스터(Q2)의 에미터 전압이 상승되어(플라이백 트랜스의 2차측 고압이 상승할 경우) 트랜지스터(Q2)의 동작 전압 이상이 되면 트랜지스터(Q2)는 '턴온'되게 된다.
트랜지스터(Q2)가 '턴온'되면 콜렉터측 하이레벨 출력은 저항(R5), (R6)을 통하여 트랜지스터(Q3)의 베이스에 인가되므로써 트랜지스터(Q3)는 '턴온'되게 되며 트랜지스터(Q3)가 '턴온'되면 트랜지스터(Q3)의 콜렉터전압이 로우레벨로 떨어지게 되어 트랜지스터(Q4)을 '턴온'시키게 되고 트랜지스터(Q4)가 '턴온'되면 트랜지스터(Q4)의 콜렉터출력이 하이레벨로 트랜지스터(Q3)에 베이스에 인가되므로 트랜지스터(Q3)는 한 번 '턴온'되면 트랜지스터(Q4)에 의한 자기 바이어스로 '턴온'된 상태를 유지하게 된다.
트랜지스터(Q3)가 '턴온'되면 트랜지스터(Q3)의 에미터 출력은 저항(R9), (R10)을 통하여 트랜지스터(Q5)의 베이스에 인가되므로 트랜지스터(Q5)는 '턴온'되게 된다. 트랜지스터(Q5)가 '턴온'되면 트랜지스터(Q5)의 콜렉터측이 로우레벨이 되어 트랜지스터(Q1)의 베이스로 인가되는 수평펄스 입력을 차단시키게 되며 수평펄스 입력이 없게 되므로 CRT 화면 출력이 없어지고 X선 방출도 사라지게 된다.
그러나 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압은 정상이나 빔 전류가 과다하게 흐를 경우에는 트랜지스터(Q2)의 에미터 전압이 일정한 상태에서 베이스 전압이 상승하여 트랜지스터(Q2)의 동작전압 이상이 되면 트랜지스터(Q2)가 '턴온'되게 된다.
트랜지스터(Q2)가 '턴온'되면 상기에서 살펴본 바와 같이 트랜지스터(Q3), (Q4), (Q5)가 '턴온'되어 수평펄스 입력을 차단시키게 되므로써 CTR 화면 출력이 없어지고 X선 방출도 사라지게 된다.
따라서 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압이 상승하거나 빔 전류가 과다하게 흐를 경우 트랜지스터(Q5)를 '턴온'시켜 수평펄스 입력을 차단시킴으로써 텔레비젼의 동작을 중단시켜 X선 방출을 방지하게 된다.
한편 본 고안에서 트랜지스터(Q3), (Q4)는 자기 바이어스 되게 되므로 한 번 트랜지스터(Q5)가 '턴온'되면 트랜지스터(Q2)의 동작에 관계없이 계속 '턴온'되어 수평펄스 입력을 차단시키게 되며 이같은 상태를 해제시키기 위해서는 전원 스위치를 '오프'시킨후 다시 '온'시켜 주어야 한다.
이상에서와 같이 본 고안은 플라이백 트랜스의 2차측 전압을 감지하여 X선의 방출을 방지함을 물론이고 플라이백 트랜스로 피이드백 되는 빔전류를 감지하여서도 X선의 방출을 방지할 수 있도록 하는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 수평펄스를 트랜지스터(Q1)에서 스위칭시켜 수평드라이브 트랜스(HDT)에 인가시키고 수평 드라이브 트랜스(HDT)에서 플라이백 트랜스(FBT)를 드라이브 시키는 텔레비젼에 있어서, 상기 플라이백 트랜스(FBT)의 2차측 고압을 정류하고 이를 분배 시키는 다이오드(D1) 및 저항(R2), (R3)과, 상기 플라이백 트랜스(FBT)에 궤환되는 빔전류를 전압으로 검출하는 저항(R11-R13)과, 상기 저항(R2), (R3)으로 분배된 고압과 저항(R1-R13)으로 검출된 전압의 크기 차이에 의하여 스위칭 되고 베이스에 제너다이오드(ZD)가 연결된 트랜지스터(Q2)와, 상기 트랜지스터(Q2)의 출력에 의하여 스위칭 되고 자기 바이어스되는 트랜지스터(Q3), (Q4)와, 상기 트랜지스터(Q3), (Q4)의 스위칭 출력으로 구동되고 트랜지스터(Q1)에 공급되는 수평펄스 입력을 제어하는 트랜지스터(Q5)로 구성된 텔레비젼의 X선 방출 방지 회로.
KR2019850012379U 1985-09-25 1985-09-25 텔레비젼의 x선 방출 방지회로 KR910008275Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019850012379U KR910008275Y1 (ko) 1985-09-25 1985-09-25 텔레비젼의 x선 방출 방지회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019850012379U KR910008275Y1 (ko) 1985-09-25 1985-09-25 텔레비젼의 x선 방출 방지회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870005970U KR870005970U (ko) 1987-04-25
KR910008275Y1 true KR910008275Y1 (ko) 1991-10-15

Family

ID=19245488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019850012379U KR910008275Y1 (ko) 1985-09-25 1985-09-25 텔레비젼의 x선 방출 방지회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR910008275Y1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100563132B1 (ko) * 1999-07-24 2006-03-21 현대 이미지퀘스트(주) 모니터의 엑스선 보호 회로 테스트 회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100563132B1 (ko) * 1999-07-24 2006-03-21 현대 이미지퀘스트(주) 모니터의 엑스선 보호 회로 테스트 회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR870005970U (ko) 1987-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4213556B2 (ja) 電子機器の回路が保護可能な電源供給装置
JP3784838B2 (ja) スイッチ電源
KR100521112B1 (ko) 보조 전원 장치의 제어 회로
KR100522017B1 (ko) 스위칭 전원 장치용 오류 제어 회로
GB2274377A (en) CRT protector circuit
KR910008275Y1 (ko) 텔레비젼의 x선 방출 방지회로
KR100311268B1 (ko) 텔레비젼용과전압보호시스템
US4841406A (en) X-radiation protection circuit
US4905116A (en) X-radiation protection circuit
KR0173686B1 (ko) 텔레비젼 수상기용 전원 및 편향 시스템
US4820959A (en) Projection CRT protection circuit
KR100326918B1 (ko) 프로젝션 텔레비젼의 고압 상승 억제 보호회로
KR0142718B1 (ko) 텔레비전의 쇼트 프로텍트 지연회로
KR910000439Y1 (ko) X-레이 차단회로
KR920000099Y1 (ko) 수직 편향 출력의 검출 회로
KR950004167Y1 (ko) 브라운관의 고압변동시 전원 차단회로
KR0128667Y1 (ko) 모니터의 엑스레이 차단회로
KR100374583B1 (ko) 텔레비전의고압상승억제보호장치
KR900010840Y1 (ko) X-레이 보호용 모니터의 고압자동 차단회로
KR100483776B1 (ko) 라인편향회로및디스플레이장치
KR930001702Y1 (ko) 부하단의 과전류 검출 및 보호회로
KR910008277Y1 (ko) 텔레비젼의 x선 방출시 주전원 차단 회로
KR910001017Y1 (ko) 낸드회로를 이용한 고압 안정회로
KR920006876Y1 (ko) X선 차단 제어회로
KR910005871Y1 (ko) 모니터의 씨알티 2중 보호회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19970829

Year of fee payment: 9

EXPY Expiration of term