ES2877771T3 - Sustrato que comprende pilas de interconexiones, interconexión sobre la capa protectora contra soldadura e interconexión sobre la porción lateral del sustrato - Google Patents
Sustrato que comprende pilas de interconexiones, interconexión sobre la capa protectora contra soldadura e interconexión sobre la porción lateral del sustrato Download PDFInfo
- Publication number
- ES2877771T3 ES2877771T3 ES16708549T ES16708549T ES2877771T3 ES 2877771 T3 ES2877771 T3 ES 2877771T3 ES 16708549 T ES16708549 T ES 16708549T ES 16708549 T ES16708549 T ES 16708549T ES 2877771 T3 ES2877771 T3 ES 2877771T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- interconnect
- interconnects
- substrate
- stack
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/63—Vias, e.g. via plugs
- H10W70/635—Through-vias
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/095—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers of vias therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
- H10W70/657—Shapes or dispositions of interconnections on sidewalls or bottom surfaces of the package substrates, interposers or redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/685—Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
- H10W72/07253—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting changes in shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
- H10W72/07254—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/231—Shapes
- H10W72/232—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/231—Shapes
- H10W72/234—Cross-sectional shape, i.e. in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/241—Dispositions, e.g. layouts
- H10W72/242—Dispositions, e.g. layouts relative to the surface, e.g. recessed, protruding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/241—Dispositions, e.g. layouts
- H10W72/244—Dispositions, e.g. layouts relative to underlying supporting features, e.g. bond pads, RDLs or vias
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/241—Dispositions, e.g. layouts
- H10W72/247—Dispositions of multiple bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/251—Materials
- H10W72/252—Materials comprising solid metals or solid metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
- H10W72/29—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/941—Dispositions of bond pads
- H10W72/9415—Dispositions of bond pads relative to the surface, e.g. recessed, protruding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
Un envase que comprende: un molde (304); y un sustrato del envase (302) acoplado al molde, el sustrato del envase que comprende: al menos una capa dieléctrica (320, 322, 324); una primera pila de primeras interconexiones (380) en al menos una capa dieléctrica, la primera pila de primeras interconexiones se configura para proporcionar una primera trayectoria eléctrica para una primera señal de referencia sin conexión a tierra, en la que la primera pila de primeras interconexiones se ubica a lo largo de al menos un lateral del sustrato del envase; una segunda pila de primeras interconexiones (390) en al menos una capa dieléctrica, la segunda pila de primeras interconexiones se configura para proporcionar otra trayectoria eléctrica para una segunda señal de referencia sin conexión a tierra, en la que la segunda pila de primeras interconexiones se ubica a lo largo de al menos un lateral del sustrato del envase; una interconexión lateral (352) que se forma sobre al menos una porción lateral exterior de al menos una capa dieléctrica, en la que la interconexión lateral se configura para proporcionar una segunda trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra, en el que la interconexión lateral se configura para aislar al menos parcialmente la primera señal de referencia sin conexión a tierra que pasa a través de la primera pila de primeras interconexiones, de la segunda señal de referencia sin conexión a tierra que pasa a través de la segunda pila de primeras interconexiones, en el que el sustrato del envase incluye un conjunto de almohadillas (334) sobre un lateral de la placa de circuito impreso (PCB) del sustrato del envase, en el que una mayoría de las almohadillas del conjunto de almohadillas se configuran para proporcionar una pluralidad de trayectorias eléctricas para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra, el conjunto de almohadillas incluye todas las almohadillas que se ubican sobre el lateral de la PCB del sustrato del envase; y/o en el que el sustrato del envase incluye un conjunto de almohadillas (332) sobre un lateral del molde del sustrato del envase, en el que una mayoría de las almohadillas del conjunto de almohadillas se configuran para proporcionar una pluralidad de trayectorias eléctricas para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra, el conjunto de almohadillas incluye todas las almohadillas que se ubican sobre el lateral del molde del sustrato del envase.
Description
DESCRIPCIÓN
Sustrato que comprende pilas de interconexiones, interconexión sobre la capa protectora contra soldadura e interconexión sobre la porción lateral del sustrato
Antecedentes
Campo
Diversas características se refieren a un sustrato que incluye pilas de interconexiones, una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura y una interconexión sobre una porción lateral del sustrato.
Antecedentes
El documento US 2012/326293 divulga un envase semiconductor que tiene un electrodo sobre la superficie lateral. La Figura 1 ilustra un molde 100 que se monta sobre un sustrato 102. El sustrato 102 se monta sobre una placa de circuito impreso (PCB) 106 a través de un conjunto de bolas de soldadura 104. El sustrato 102 puede incluir varias trazas, almohadillas y vías (que no se muestran). Estas trazas, almohadillas y vías se usan para proporcionar trayectorias eléctricas hacia y desde el molde 100. El conjunto de bolas de soldadura 104 se configura para proporcionar trayectorias eléctricas para una señal de referencia de conexión a tierra, señales de potencia y señales de entrada/salida. Sin embargo, los diseños de circuitos integrados actuales del sustrato 102 requieren que el número de bolas de soldadura (del conjunto de bolas de soldadura 260) usadas para una señal de referencia de conexión a tierra sea aproximadamente el mismo que el número de bolas de soldadura (del conjunto de bolas de soldadura 260) usado para señales de potencia y señales de entrada/salida. Típicamente, se requiere que una bola de soldadura de señal que se configura para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de potencia o señal de entrada/salida se ubica junto a una bola de soldadura de tierra que se configura para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra. Por ejemplo, como se muestra en las Figuras 1 y 2, las bolas de soldadura 140 están dispuestas de manera alternativa para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra (G) y una señal de referencia sin conexión a tierra (S). Este requisito resulta en que las bolas de soldadura ocupan mucho espacio en el envase del dispositivo integrado y/o el sustrato 102. Como se muestra en la Figura 2, las bolas de soldadura que se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra (G) constituyen una mayoría de las bolas de soldadura. Las bolas de soldadura usadas para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra (G) es un costo de oportunidad, ya que las bolas de soldadura no pueden usarse para proporcionar una señal de referencia sin conexión a tierra.
Existe una necesidad constante de reducir el tamaño y/o los factores de forma de un envase del dispositivo integrado. A menudo, el tamaño de las bolas de soldadura limita lo pequeño que puede ser un envase del dispositivo integrado, ya que las bolas de soldadura son grandes con relación a otras interconexiones en el sustrato. Esto, a su vez, limita la proximidad y densidad de las interconexiones que pueden formarse en un envase del dispositivo integrado y/o el sustrato del envase.
Por lo tanto, existe la necesidad de mejorar el envase del dispositivo integrado y/o el sustrato del envase. Idealmente, tal envase del dispositivo integrado y/o el sustrato del envase tendrá un mejor diseño de bola de soldadura que permitirá un factor de forma más pequeño para el envase del dispositivo integrado y/o el sustrato del envase, mientras que también tendrá un mejor rendimiento, sin tener que sacrificar la estabilidad estructural del dispositivo.
Sumario
Para lograr estos objetivos, la presente invención proporciona un envase de acuerdo con las reivindicaciones 1 o 9, y un procedimiento de acuerdo con la reivindicación 15. En las reivindicaciones dependientes se especifican aspectos adicionales ventajosos.
Figuras
Diversas características, naturaleza y ventajas pueden hacerse evidentes a partir de la descripción detallada que se establece a continuación cuando se toma junto con las figuras en los que los caracteres de referencia similares se identifican correspondientemente en todo.
La Figura 1 ilustra una vista de perfil de un envase del dispositivo integrado que se monta sobre una placa de circuito impreso (PCB).
La Figura 2 ilustra una vista en planta de una disposición de bolas de soldadura entre un sustrato del envase y una PCB.
La Figura 3 ilustra un envase del dispositivo integrado que comprende un sustrato del envase que incluye pilas de interconexiones, una interconexión en una capa protectora contra soldadura y una interconexión sobre una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 4 ilustra una vista en primer plano de un sustrato del envase que incluye pilas de interconexiones, una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura y una interconexión en una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 5 ilustra una vista en planta de una disposición de almohadillas de bolas de soldadura y/o bolas de soldadura.
La Figura 6 ilustra una vista en planta de otra disposición de almohadillas de bolas de soldadura y/o bolas de soldadura.
La Figura 7 ilustra una vista en planta de un sustrato del envase que incluye pilas de interconexiones y una interconexión sobre una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 8 ilustra una vista de perfil de unas pilas de interconexiones ilustrativas.
La Figura 9 ilustra las propiedades eléctricas de tres interconexiones.
La Figura 10 ilustra una vista en planta de un sustrato del envase que incluye pilas de interconexiones y una interconexión con diseños sobre una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 11 ilustra las propiedades eléctricas de cuatro interconexiones.
La Figura 12 ilustra un envase del dispositivo integrado que comprende un sustrato del envase que incluye pilas de interconexiones, una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura, interconexiones de borde, y una interconexión en una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 13 ilustra una vista en primer plano de un sustrato del envase que incluye pilas de interconexiones, una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura, interconexiones de borde, y una interconexión en una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 14 ilustra una vista en planta de un sustrato del envase que incluye pilas de interconexiones, interconexiones de borde, y una interconexión sobre una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 15 ilustra una vista de perfil de un sustrato del envase que incluye una interconexión con diseños sobre una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 16 ilustra una vista de perfil de un sustrato del envase que incluye otra interconexión con diseños sobre una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 17 ilustra una vista en planta de otro sustrato del envase que incluye una pila de interconexiones acoplada a una interconexión sobre una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 18 ilustra una vista de perfil de un sustrato del envase que incluye una interconexión con diseños sobre una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 19 ilustra una vista de perfil de un sustrato del envase que incluye una pila de interconexiones acoplada a una interconexión sobre una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 20 ilustra una vista en planta de una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura.
La Figura 21 ilustra una vista en planta de una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura, donde las bolas de soldadura se colocan en las cavidades de la interconexión.
La Figura 22 ilustra una vista en planta de una interconexión con diseños sobre una capa protectora contra soldadura.
La Figura 23 ilustra una vista en planta de una interconexión con diseños sobre una capa protectora contra soldadura, donde las bolas de soldadura se colocan en las cavidades de la interconexión.
La Figura 24 ilustra una vista en primer plano de una porción de un sustrato del envase durante una secuencia de un molde que se acopla a un sustrato del envase que incluye una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura.
La Figura 25 ilustra una vista en primer plano de otra porción de un sustrato del envase durante una secuencia de un molde que se acopla a un sustrato del envase que incluye una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura.
La Figura 26 ilustra una vista en primer plano de otra porción de un sustrato del envase durante una secuencia de un molde que se acopla a un sustrato del envase que incluye una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura.
La Figura 27 (que comprende las figuras 27A-27C) ilustra una secuencia ilustrativa para proporcionar/fabricar un envase del dispositivo integrado que incluye un sustrato del envase que tiene pilas de interconexiones, una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura y una interconexión en una porción lateral del sustrato del envase.
La Figura 28 ilustra un diagrama de flujo ilustrativo de un procedimiento para proporcionar/fabricar un envase del dispositivo integrado que incluye un sustrato del envase que tiene pilas de interconexiones, una interconexión sobre una capa protectora contra soldadura y una interconexión en una porción lateral del sustrato del envase. La Figura 29 ilustra un ejemplo de un procedimiento de modelado semiaditivo (SAP).
La Figura 30 ilustra un ejemplo de diagrama de flujo de un procedimiento de modelado semiaditivo (SAP).
La Figura 31 ilustra un ejemplo de un procedimiento damasquinado.
La Figura 32 ilustra un ejemplo de un diagrama de flujo de un procedimiento damasquinado.
La Figura 33 ilustra diversos dispositivos electrónicos que pueden integrar un envase del dispositivo integrado, un sustrato del envase, un dispositivo semiconductor, un molde, un circuito integrado y/o una PCB descritos en la presente memoria.
Descripción detallada
En la siguiente descripción, se dan detalles específicos para proporcionar una comprensión profunda de los diversos aspectos de la divulgación. Sin embargo, un experto en la técnica entenderá que los aspectos pueden practicarse sin estos detalles específicos. Por ejemplo, los circuitos pueden mostrarse en diagramas de bloques con el fin de evitar oscurecer los aspectos con detalles innecesarios. En algunos casos, los circuitos, estructuras y técnicas bien conocidos no se han mostrado en detalle con el fin de no oscurecer los aspectos de la divulgación.
Descripción general
La presente divulgación describe un sustrato del envase que incluye al menos una capa dieléctrica, un conjunto de primeras pilas de interconexiones en la que al menos una capa dieléctrica y una segunda interconexión que se forma sobre al menos una porción lateral de al menos una capa dieléctrica. El conjunto de primeras pilas de interconexiones se configura para proporcionar al menos una primera trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra. El conjunto de primeras pilas de interconexiones se posiciona (por ejemplo, alineado) a lo largo de al menos un lateral del sustrato del envase. La segunda interconexión se configura para proporcionar una segunda trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra.
El envase del dispositivo integrado ilustrativo que comprende el sustrato con pilas de interconexiones, interconexión sobre la capa protectora contra soldadura e interconexión en la porción lateral del sustrato
La Figura 3 ilustra una vista de perfil de un envase del dispositivo integrado 300 (por ejemplo, un dispositivo de circuito integrado) que incluye un sustrato 302 y un molde 304. El molde 304 puede ser un molde desnudo. El molde 304 puede ser un circuito integrado (IC) que incluye varios transistores y/u otros componentes electrónicos. EL molde 304 está acoplado al sustrato 302 a través de un primer conjunto de bolas de soldadura 310. El primer conjunto de bolas de soldadura 310 incluye la bola de soldadura 310a, la bola de soldadura 310b y la bola de soldadura 310c.
El sustrato 302 puede ser un sustrato del envase y/o un intercalador. El sustrato 302 incluye una primera capa dieléctrica 320, una segunda capa dieléctrica 322 y una tercera capa dieléctrica 324. En algunas implementaciones, la primera capa dieléctrica 320 puede ser una capa de núcleo; la segunda capa dieléctrica 322 puede ser una capa prepreg; y la tercera capa dieléctrica 324 puede ser una capa prepreg. En algunas implementaciones, el sustrato 302 puede ser un sustrato sin núcleo. En tales casos, la primera capa dieléctrica 320, la segunda capa dieléctrica 322 y la tercera capa dieléctrica pueden ser capas prepreg.
El sustrato 302 también incluye un primer conjunto de interconexiones 330, un segundo conjunto de interconexiones 332 y un segundo conjunto de interconexiones 334. Un conjunto de interconexiones puede incluir una o más interconexiones. Una interconexión puede incluir una traza, una almohadilla y/o una vía. El primer conjunto de interconexiones 330 puede incluir un conjunto de vías ubicadas en la primera capa dieléctrica 320. El primer conjunto de interconexiones 330 (que puede incluir trazas, almohadillas y/o vías) también puede ubicarse en la segunda capa dieléctrica 322. El primer conjunto de interconexiones 330 también puede ubicarse en la tercera capa dieléctrica 324.
El segundo conjunto de interconexiones 332 se ubica sobre la segunda capa dieléctrica 322. El segundo conjunto de interconexiones 332 puede incluir un conjunto de trazas y/o un conjunto de almohadillas. En algunas implementaciones, el segundo conjunto de interconexiones 332 puede incrustarse en la segunda capa dieléctrica 322. El segundo conjunto de interconexiones 332 incluye la almohadilla 332a, la almohadilla 332b y la almohadilla 332c. El segundo conjunto de interconexiones 332 está acoplado al primer conjunto de interconexiones 330. La almohadilla 332a, la almohadilla 332b y la almohadilla 332c pueden ser almohadillas de bolas de soldadura que se configuran para acoplarse a bolas de soldadura (por ejemplo, bola de soldadura 210a). La almohadilla 332a, la almohadilla 332b y la almohadilla 332c pueden ser almohadillas laterales del molde. El lateral del molde de un sustrato es el lateral del sustrato que mira hacia el molde cuando está acoplado el molde al sustrato.
El tercer conjunto de interconexiones 334 se ubica sobre la tercera capa dieléctrica 324. El tercer conjunto de interconexiones 334a puede incluir un conjunto de trazas y/o un conjunto de almohadillas. En algunas implementaciones, el tercer conjunto de interconexiones 334 puede incrustarse en la tercera capa dieléctrica 324. El tercer conjunto de interconexiones 334 está acoplado al primer conjunto de interconexiones 330. El primer conjunto de bolas de soldadura 360 está acoplado al tercer conjunto de interconexiones 334. Por ejemplo, el primer conjunto de bolas de soldadura 360 está acoplado a almohadillas (por ejemplo, almohadillas de bolas de soldadura) del tercer conjunto de interconexiones 334. Las almohadillas del tercer conjunto de interconexiones pueden ser almohadillas laterales de la placa de circuito impreso (PCB). El lateral de la PCB del sustrato es el lateral del sustrato que mira hacia la PCB cuando el sustrato está acoplado a la PCB. Un sustrato del envase incluye interconexiones que tienen dimensiones más pequeñas (por ejemplo, menor paso, menor espacio) que las interconexiones sobre una PCB. El sustrato 302 también incluye un conjunto de primeras pilas de interconexiones 380 (por ejemplo, primera pila de primeras interconexiones) y un conjunto de segundas pilas de interconexiones 390 (por ejemplo, segunda pila de
segundas interconexiones, tercera pila de terceras interconexiones, cuarta pila de cuartas interconexiones). El conjunto de primeras pilas de interconexiones 380 puede configurarse para proporcionar al menos una primera trayectoria eléctrica para al menos una primera señal de referencia sin conexión a tierra (por ejemplo, primera señal de potencia, primera señal de entrada/salida, segunda señal de entrada/salida). El conjunto de primeras pilas de interconexiones 380 se ubica en el sustrato 302 de manera que el conjunto de primeras pilas de interconexiones 380 está al menos parcialmente dentro de o cerca de la periferia o perímetro del sustrato 302. En algunas implementaciones, la periferia del sustrato 302 incluye un área y/o porción del sustrato 302 que está dentro de aproximadamente 300 micras (|jm) o menos de una porción lateral (por ejemplo, pared lateral, borde lateral) del sustrato 302. El conjunto de primeras pilas de interconexiones 380 puede definirse mediante interconexiones del primer conjunto de interconexiones 330, el segundo conjunto de interconexiones 332 y/o el tercer conjunto de interconexiones 334. El conjunto de segundas pilas de interconexiones 390 puede configurarse para proporcionar al menos una segunda trayectoria eléctrica para al menos una segunda señal de referencia de conexión a tierra. El conjunto de segundas pilas de interconexiones 390 puede definirse mediante interconexiones del primer conjunto de interconexiones 330, el segundo conjunto de interconexiones 332 y/o el tercer conjunto de interconexiones 334. El conjunto de primeras pilas de interconexiones 380 y el conjunto de segundas pilas de interconexiones 390 se describen con más detalle a continuación en las Figuras. 4 y 7-11.
El sustrato 302 también incluye una primera capa protectora contra soldadura 340, una segunda capa protectora contra soldadura 342, una superficie de interconexión 350 y una interconexión lateral 352. La primera capa protectora contra soldadura 340 se ubica sobre la segunda capa dieléctrica 322. La segunda capa protectora contra soldadura 342 se ubica sobre la tercera capa dieléctrica 324.
La superficie de interconexión 350 se ubica sobre la primera capa protectora contra soldadura 340. La superficie de interconexión 350 puede incluir aberturas (por ejemplo, cavidades) en una o más almohadillas. Estas aberturas son porciones de la superficie de interconexión 350 donde se colocan las bolas de soldadura 310 para acoplar el molde 304 al sustrato 302. La superficie de interconexión 350 puede configurarse para proporcionar al menos una segunda trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, al menos una segunda señal). La superficie de interconexión 350 puede configurarse para acoplarse, por medio de un campo eléctrico, a algunas de las interconexiones del segundo conjunto de interconexiones 332. Por ejemplo, la superficie de interconexión 350 puede configurarse para acoplarse, por medio de un campo eléctrico, a interconexiones del segundo conjunto de interconexiones 323 que se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para señales de referencia sin tierra (por ejemplo, señales de potencia, señales de entrada/salida). Los ejemplos de acoplamiento por medio de campo eléctrico se describen con más detalle a continuación en al menos las Figuras 9 y 11.
La superficie de interconexión 350 puede tener diferentes formas y/o configuraciones en diferentes implementaciones. Los ejemplos de diferentes formas y/o configuraciones de una superficie de interconexión 350 sobre un sustrato, se describen en más detalle a continuación en al menos las Figuras 23-26. Como se describirá más adelante en al menos las Figuras 23-26, la superficie de interconexión 350 puede ser una superficie de interconexión con diseños 350.
La Figura 3 ilustra que la superficie de interconexión 350 está acoplada a (por ejemplo, tocando) algunas de las bolas de soldadura del conjunto de bolas de soldadura 310. Por ejemplo, la superficie de interconexión 350 está acoplada a al menos la bola de soldadura 310b y la bola de soldadura 310c. En algunas implementaciones, la bola de soldadura 310b y la bola de soldadura 310c se configuran para proporcionar al menos una segunda trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, una segunda señal). La Figura 3 ilustra además que la superficie de interconexión 350 no está acoplada a (por ejemplo, sin tocar) la bola de soldadura 310a. La bola de soldadura 310a se configura para proporcionar al menos una primera trayectoria eléctrica para al menos una primera señal. La primera señal puede ser una señal de referencia sin conexión a tierra (por ejemplo, una señal de potencia, una señal de entrada/salida (I/O)).
La interconexión lateral 352 se ubica en al menos un lateral (por ejemplo, porción lateral, pared lateral) del sustrato 302. La interconexión lateral 352 puede cubrir algunas porciones o todas las porciones de los laterales del sustrato 302. La interconexión lateral 352 puede configurarse para proporcionar al menos una segunda trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, al menos una segunda señal). La interconexión lateral 352 está acoplada a la superficie de interconexión 350. En algunas implementaciones, la interconexión lateral 352 puede ser la misma capa de metal que la superficie de interconexión 350. La interconexión lateral 352 puede cubrir al menos porciones de la primera capa dieléctrica 320, la segunda capa dieléctrica 322, la tercera capa dieléctrica 324, la primera capa protectora contra soldadura 340 y/o la segunda capa protectora contra soldadura 342. La interconexión lateral 352 puede tener diferentes formas y/o configuraciones en diferentes implementaciones. Los ejemplos de diferentes configuraciones de una interconexión lateral 352 sobre un sustrato, se describen en más detalle a continuación en al menos las Figuras 7, 10, y 13-19. Como se describirá más adelante en al menos las Figuras 10, y 13-19, la interconexión lateral 352 puede ser una interconexión lateral con diseños 352.
Como se mencionó anteriormente, el molde 204 está acoplado al sustrato 302 a través de un primer conjunto de bolas de soldadura 360. El molde 204 incluye un conjunto de capas 370 de metalización bajo protuberancia (UBM). El conjunto de capas 370 de UBM incluye la capa 370a de UBM, la capa 370b de UBM y la capa 370c de UBM.
La Figura 3 ilustra que la capa 370a de UBM está acoplada a la bola de soldadura 310a. La bola de soldadura 310a está acoplada a la almohadilla 332a. Sin embargo, la bola de soldadura 310a no toca la superficie de interconexión 350. En algunas implementaciones, la bola de soldadura 310a y la almohadilla 332a se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una primera señal (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida).
La Figura 3 ilustra que la capa 370b de UBM está acoplada a la bola de soldadura 310b. La bola de soldadura 310b está acoplada a la almohadilla 332b. La bola de soldadura 310b también está acoplada a la superficie de interconexión 350. La superficie de interconexión 350 está acoplada a la almohadilla 332b. La superficie de interconexión 350 cubre al menos una porción lateral de la capa protectora contra soldadura 340. En algunas implementaciones, la bola de soldadura 310b, la almohadilla 332b y la superficie de interconexión 350 se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una segunda señal (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra).
La Figura 3 ilustra además que la capa 370c de UBM está acoplada a la bola de soldadura 310c. La bola de soldadura 310c está acoplada a la almohadilla 332c. La bola de soldadura 310c también está acoplada a la superficie de interconexión 350. La superficie de interconexión 350 no está acoplada directamente a (por ejemplo, sin tocar directamente) la almohadilla 332c. En algunas implementaciones, la bola de soldadura 310c, la almohadilla 332c y la superficie de interconexión 350 se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una segunda señal (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra).
La Figura 4 ilustra una vista de perfil de cerca del sustrato 302. La Figura 4 ilustra que el sustrato 302 también incluye una primera pila de interconexiones 400 (por ejemplo, primera pila de primeras interconexiones) y un conjunto de segunda pila de interconexiones 410 (por ejemplo, segunda pila de segundas interconexiones, tercera pila de terceras interconexiones, cuarta pila de cuartas interconexiones). La primera pila de interconexiones 400 puede ser una pila de interconexiones del conjunto de primeras pilas de interconexiones 380, como se mencionó anteriormente. La segunda pila de interconexiones 410 puede ser una pila de interconexiones del conjunto de segundas pilas de interconexiones 390, como se mencionó anteriormente. En algunas implementaciones, una pila de interconexiones es una disposición y/o configuración de interconexiones dispuestas sustancialmente en una pila (por ejemplo, una pila vertical). Una pila de interconexiones no necesita estar perfectamente alineada en una pila (por ejemplo, no necesita estar perfectamente alineada verticalmente). La pila de interconexiones puede ser una pila de vías.
Como se muestra en la Figura 4, la primera pila de interconexiones 400 incluye la interconexión 402, la vía 403, la interconexión 404, la vía 405, la interconexión 406, la vía 407 y/o la interconexión 408. La interconexión 402 puede ser una almohadilla (por ejemplo, vía almohadilla) acoplada a la vía 403. La interconexión 402 puede ubicarse sobre la segunda capa dieléctrica 322. La vía 403 puede acoplarse a la interconexión 404. La interconexión 404 puede ser una almohadilla (por ejemplo, vía almohadilla). La vía 403 y la interconexión 404 pueden ubicarse en la segunda capa dieléctrica 322. La interconexión 404 puede acoplarse a la vía 405. La vía 405 puede ubicase en la primera capa dieléctrica 320. La vía 405 puede acoplarse a la interconexión 406. La interconexión 406 puede ser una almohadilla. La interconexión 406 puede acoplarse a la vía 407. La interconexión 406 y la vía 407 pueden ubicarse en la tercera capa dieléctrica 324. La vía 407 puede acoplarse a la interconexión 408. La interconexión 408 puede ser una almohadilla (por ejemplo, vía almohadilla). La interconexión 408 puede ubicarse sobre la tercera capa dieléctrica 324. La interconexión 408 puede acoplarse a la bola de soldadura 360a. Se observa que una pila de interconexiones (por ejemplo, la primera pila de interconexiones 400) puede incluir más o menos interconexiones (por ejemplo, más o menos almohadillas y/o vías). Por lo tanto, la primera pila de interconexiones 400 simplemente ilustra un ejemplo de una configuración de una pila de interconexiones.
La primera pila de interconexiones 400 puede configurarse para proporcionar una primera trayectoria eléctrica para una primera señal (por ejemplo, señal de referencia sin conexión a tierra, primera señal de potencia, primera señal de entrada/salida). Pueden configurarse diferentes pilas de interconexiones del conjunto de primeras pilas de interconexiones 380 para proporcionar diferentes trayectorias eléctricas para diferentes primeras señales (por ejemplo, primera señal de potencia, primera señal de entrada/salida, segunda señal de potencia, segunda señal de entrada/salida, etc.) Como se ilustrará y describirá más adelante en al menos las Figuras 7 y 10, el conjunto de primeras pilas de interconexiones 400 puede posicionarse en el sustrato 302 de manera que las primeras pilas de interconexiones 400 se ubican al menos parcialmente dentro de o cerca de la periferia o perímetro del sustrato 302. En algunas implementaciones, la periferia del sustrato 302 incluye un área y/o porción del sustrato 302 que está dentro de aproximadamente 300 micras (pm) o menos de una porción lateral (por ejemplo, pared lateral, borde lateral) del sustrato 302. En algunas implementaciones, el conjunto de primeras pilas de interconexiones 400 son pilas de interconexiones que se ubican más cerca de la interconexión lateral 352.
La segunda pila de interconexiones 410 puede ser una pila de interconexiones del conjunto de segundas pilas de interconexiones 390. La segunda pila de interconexiones 410 puede configurarse para proporcionar una segunda trayectoria eléctrica para una segunda señal (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra).
La segunda pila de interconexiones 410 incluye la interconexión 412, la vía 413, la interconexión 414, la vía 415, la interconexión 416, la vía 417 y/o la interconexión 418. La interconexión 412 puede ser una almohadilla (por ejemplo, vía almohadilla) acoplada a la vía 413. La interconexión 412 puede ubicarse sobre la segunda capa dieléctrica 322. La vía 413 puede acoplarse a la interconexión 414. La interconexión 414 puede ser una almohadilla (por ejemplo, vía almohadilla). La vía 413 y la interconexión 414 pueden ubicarse en la segunda capa dieléctrica 322. La interconexión 414 puede acoplarse a la vía 415. La vía 415 puede ubicase en la primera capa dieléctrica 320. La vía 415 puede acoplarse a la interconexión 416. La interconexión 416 puede ser una almohadilla. La interconexión 416 puede acoplarse a la vía 417. La interconexión 416 y la vía 417 pueden ubicarse en la tercera capa dieléctrica 324. La vía 417 puede acoplarse a la interconexión 418. La interconexión 418 puede ser una almohadilla. La interconexión 418 puede ubicarse sobre la tercera capa dieléctrica 324. La interconexión 418 puede acoplarse a la bola de soldadura 360b. Se observa que una pila de interconexiones (por ejemplo, la segunda pila de interconexiones 410) puede incluir más o menos interconexiones (por ejemplo, más o menos almohadillas y/o vías). Por lo tanto, la segunda pila de interconexiones 410 simplemente ilustra un ejemplo de una configuración de una pila de interconexiones.
Se observa que la interconexión 408 y la interconexión 418 pueden ser almohadillas laterales de la placa de circuito impreso (PCB). El lateral de la PCB del sustrato es el lateral del sustrato que mira hacia la PCB cuando el sustrato está acoplado a la PCB.
La Figura 4 ilustra que la segunda pila de interconexiones 410 está acoplada (por ejemplo, tocándose físicamente) a la superficie de interconexión 350. En algunas implementaciones, la segunda pila de interconexiones 410 puede acoplarse (por ejemplo, eléctricamente acoplada) a la superficie de interconexión 350 a través de una bola de soldadura (por ejemplo, una bola de soldadura 310b).
En algunas implementaciones, el uso de interconexiones apiladas (por ejemplo, la pila de interconexiones 400), la superficie de interconexión 350 y/o la interconexión lateral 352 proporcionan varias ventajas técnicas. En un ejemplo, el uso de una pila de interconexiones, la superficie de interconexión 350 y/o la interconexión lateral 352 permite la reducción del número de bolas de soldadura y/o almohadillas de bolas de soldadura usadas en un sustrato del envase. Específicamente, el número de bolas de soldadura y/o almohadillas de bolas de soldadura configuradas para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra puede reducirse, debido a la presencia de la superficie de interconexión 350 y/o la interconexión lateral 352. Además, las bolas de soldadura y/o almohadillas de bolas de soldadura que de cualquier otra manera se configurarían para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra, ahora pueden usarse para proporcionar al menos una trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida). Por lo tanto, puede usarse un mayor porcentaje de bolas de soldadura y/o almohadillas de bolas de soldadura (por ejemplo, bolas de soldadura acopladas a una placa de circuito impreso) para señales de referencia sin tierra.
En algunas implementaciones, al menos una mayoría de las bolas de soldadura y/o almohadillas de bolas de soldadura (por ejemplo, bolas de soldadura acopladas a una placa de circuito impreso) se configuran para proporcionar al menos una trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra. En algunas implementaciones, una mayoría o un número sustancial (por ejemplo, aproximadamente el 60 por ciento o más, el 70 por ciento o más, el 80 por ciento o más) de la bola de soldadura y/o almohadillas de bola de soldadura (por ejemplo, bolas de soldadura del conjunto de bolas de soldadura 260) se configuran para proporcionar al menos una trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra.
Las Figuras 5-6 ilustran ejemplos de cómo las bolas de soldadura y/o las almohadillas de las bolas de soldadura pueden disponerse en un sustrato cuando hay pilas de interconexiones (por ejemplo, una pila de interconexiones 400), una superficie de interconexión (por ejemplo, una superficie de interconexión 350) y/o una interconexión lateral (por ejemplo, interconexión lateral 352) se implementan en/sobre un sustrato.
La Figura 5 ilustra una vista en planta de una disposición de interconexiones 510 y 520 en un sustrato 500. La interconexión 510 puede representar una bola de soldadura y/o una almohadilla de bola de soldadura que se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia sin conexión a tierra. La interconexión 520 puede representar una bola de soldadura y/o una almohadilla de bola de soldadura que se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra. Como se muestra en la Figura 5, el conjunto de interconexiones 510 se posiciona a lo largo de la periferia o el perímetro del sustrato 500 (por ejemplo, al menos parcialmente dentro de la periferia del sustrato 500). El conjunto de interconexiones 510 se dispone en una fila exterior de interconexiones y/o una columna exterior de interconexiones a lo largo de la periferia, perímetro y/o borde del sustrato. La Figura 5 ilustra que una mayoría, o una mayoría sustancial o porcentaje (por ejemplo, aproximadamente el 60 por ciento o más, el 70 por ciento o más, el 80 por
ciento o más) de las interconexiones (por ejemplo, bolas de soldadura, almohadillas de bolas de soldadura) se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia sin conexión a tierra.
La Figura 6 ilustra una vista en planta de otra disposición de interconexiones 510 y 520 en el sustrato 500. La Figura 6 ilustra algunas interconexiones eliminadas del sustrato 500. Además, la Figura 6 ilustra que algunas interconexiones 520 (por ejemplo, interconexión de señal de referencia de conexión a tierra) pueden ubicarse al menos parcialmente dentro de la periferia, en el perímetro y/o cerca del borde del sustrato 500. Por ejemplo, una interconexión 520 puede ubicarse en una fila exterior de interconexiones y/o una columna exterior de interconexiones del sustrato 500.
Las Figuras 5-6 ilustran una vista en planta del sustrato 500. La vista en planta del sustrato 500 puede ser desde la perspectiva del lateral del molde o desde la perspectiva del lateral de la placa de circuito impreso (PCB). Por lo tanto, las Figuras 5-6 pueden representar interconexiones laterales del molde (por ejemplo, almohadillas laterales del molde, bolas de soldadura laterales del molde) o interconexiones laterales de la PCB (por ejemplo, almohadillas laterales de la PCB, bolas de soldadura laterales de la PCB) de un sustrato (por ejemplo, el sustrato 302). Se observa que, en algunas implementaciones, puede usarse otra forma de interconexión. Por ejemplo, las interconexiones 510 y 520 pueden representar un pilar conductor (por ejemplo, un pilar de cobre). El pilar conductor puede usarse junto con la soldadura.
En algunas implementaciones, una almohadilla lateral del molde y/o una almohadilla de PCB de un sustrato del envase es una almohadilla que se configura para acoplarse a una soldadura (por ejemplo, una bola de soldadura) y/o un poste y/o pilar conductor. El lateral del molde del sustrato del envase es el lateral del sustrato que mira hacia el molde cuando el molde está acoplado al sustrato del envase. El lateral de la PCB del sustrato del envase es el lateral del sustrato que mira hacia la PCB cuando el sustrato del envase está acoplado a la PCB.
Una vez descrito cómo pilas de interconexiones (por ejemplo, la pila de interconexiones 400), una superficie de interconexión (por ejemplo, la superficie de interconexión 350) y/o una interconexión lateral (por ejemplo, la interconexión lateral 352) proporcionan ventajas al sustrato, propiedades eléctricas de un sustrato que incluye pilas de interconexiones, una superficie de interconexión y/o una interconexión lateral.
La Figura 7 ilustra una vista en planta del sustrato 302 que incluye la interconexión lateral 352. El sustrato 302 incluye varias primeras pilas de interconexiones 400 como se describió anteriormente. La Figura 8 ilustra una vista de perfil de una primera pila ilustrativa de interconexiones 400. Diferentes pilas de interconexiones pueden tener diferentes números y configuraciones de interconexiones (por ejemplo, traza, almohadillas, vías). La primera pila de interconexiones 400 puede configurarse para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida). Una primera pila diferente de interconexiones 400 puede proporcionar una trayectoria eléctrica para diferentes señales (por ejemplo, señales de referencia sin tierra).
Como se muestra en la Figura 7, las varias primeras pilas de interconexiones 400 pueden posicionarse en el sustrato 302 de manera que las primeras pilas de interconexiones 400 se ubican al menos parcialmente dentro de o cerca de la periferia o perímetro del sustrato 302. En algunas implementaciones, la periferia del sustrato 302 incluye un área y/o porción del sustrato 302 que está dentro de aproximadamente 300 micras (pm) o menos de una porción lateral (por ejemplo, pared lateral, borde lateral) del sustrato 302. En algunas implementaciones, las primeras pilas de interconexiones son pilas de interconexiones que se ubican más cerca de la interconexión lateral 352. Las primeras pilas de interconexiones 400 pueden disponerse en una fila exterior y/o una columna exterior de pilas de interconexiones. La interconexión lateral 352 se configura para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra. En algunas implementaciones, colocar las primeras pilas de interconexiones 400 cerca y/o adyacentes a la interconexión lateral 352, proporciona varias ventajas técnicas a un envase del dispositivo integrado (por ejemplo, dispositivo de circuito integrado).
La Figura 9 ilustra conceptualmente las propiedades eléctricas de una pila de interconexiones cerca de la capa de metal. Las propiedades eléctricas descritas en la Figura 9 pueden aplicarse a cualquier interconexión (por ejemplo, la pila de interconexiones) que se configura para proporcionar una trayectoria eléctrica para una primera señal (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida) que está cerca de otra interconexión que se configura para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra descrita en la presente divulgación.
La Figura 9 ilustra una primera interconexión 902, una segunda interconexión 904 y una tercera interconexión 910. La primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904 pueden representar cada una, una pila de interconexiones (por ejemplo, la primera pila de interconexiones 400). La primera interconexión 902 y las segundas interconexiones 904 pueden configurarse cada una para proporcionar una trayectoria eléctrica respectiva para una señal de referencia sin conexión a tierra (por ejemplo, primera señal de potencia, primera señal de entrada/salida, segunda señal de entrada/salida). La tercera interconexión 910 puede representar la interconexión lateral 352. La tercera interconexión 910 se configura para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra.
Como se muestra en la Figura 9, la presencia de la tercera interconexión 910 cerca de la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904 ayuda a mejorar el aislamiento y la pérdida de inserción entre la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. Como se muestra, los campos eléctricos y magnéticos entre conductores están estrechamente acoplados y confinados, lo que conduce a mejorar las características de entrega de la señal en la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. Como se muestra en la Figura 9, la señal que atraviesa a través de la primera interconexión 902 no interfiere (o interfiere mínimamente) con la señal (por ejemplo, la primera señal) que atraviesa la segunda interconexión 904. De manera similar, la señal (por ejemplo, la segunda señal) que atraviesa la segunda interconexión 904 no interfiere (o interfiere mínimamente) con la señal que atraviesa la primera interconexión 902. Dado que la primera señal y la segunda señal no interfieren ni se mezclan con otras, se conserva la integridad y calidad de cada señal respectiva (por ejemplo, la primera señal, la segunda señal), lo que resulta en un mejor rendimiento de señal en el envase del dispositivo integrado (por ejemplo, el dispositivo de circuito integrado). Sin la presencia de la tercera interconexión 910, las respectivas señales que atraviesan la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904 interferirían sustancialmente entre sí lo que resulta en señales de baja calidad en la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. Por lo tanto, la tercera interconexión 910 ayuda a aislar (por ejemplo, ayuda a aislar al menos parcialmente) la primera señal que atraviesa la primera interconexión 902 de la segunda señal que atraviesa la segunda interconexión 904, y viceversa.
En algunas implementaciones, con el fin de lograr el aislamiento de señal descrito anteriormente, la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904 tienen que estar lo suficientemente cerca de la tercera interconexión 910. En algunas implementaciones, una primera separación entre la tercera interconexión 910 y la primera interconexión 902 es menor que una segunda separación entre la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. De manera similar, en algunas implementaciones, una tercera separación entre la tercera interconexión 910 y la segunda interconexión 904 es menor que la segunda separación entre la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. Por lo tanto, en algunas implementaciones, la primera interconexión 902 puede tener que estar más cerca de la tercera interconexión 910 que la segunda interconexión 904 con el fin de obtener el aislamiento de señal deseado como se describió anteriormente. De manera similar, la segunda interconexión 904 puede tener que estar más cerca de la tercera interconexión 910 que la primera interconexión 902 con el fin de obtener el aislamiento de señal deseado como se describió anteriormente.
La Figura 9 muestra que, aunque la primera interconexión 902 no está tocando directamente la tercera interconexión 910, hay al menos un acoplamiento eléctrico parcial por campo eléctrico (como lo indican las flechas), entre la primera interconexión 902 y la tercera interconexión 910 cuando una señal (por ejemplo, la primera señal) atraviesa la primera interconexión 902. De manera similar, aunque la segunda interconexión 904 no está tocando directamente la tercera interconexión 910, hay al menos un acoplamiento eléctrico parcial por campo eléctrico (como lo indican las flechas), entre la segunda interconexión 904 y la tercera interconexión 910 cuando una señal (por ejemplo, la segunda señal) atraviesa la segunda interconexión 904. Por lo tanto, en algunas implementaciones, la primera interconexión 902 está acoplada al menos parcialmente a la tercera interconexión 910 (por ejemplo, por un campo eléctrico) cuando una señal (por ejemplo, la primera señal) atraviesa la primera interconexión 902, aunque la primera interconexión 902 está libre de contacto directo con la tercera interconexión 910. De manera similar, en algunas implementaciones, la segunda interconexión 904 está acoplada al menos parcialmente a la tercera interconexión 910 (por ejemplo, por un campo eléctrico) cuando una señal (por ejemplo, la segunda señal) atraviesa la segunda interconexión 904, aunque la segunda interconexión 904 está libre de contacto directo con la tercera interconexión 910.
La Figura 9 ilustra que la tercera interconexión 910 es una sola pieza contigua de interconexión. La tercera interconexión 910 puede acoplarse por un campo eléctrico a dos o más interconexiones (por ejemplo, interconexiones 902, 904). Sin embargo, en algunas implementaciones, la tercera interconexión 910 puede incluir varias piezas de interconexiones. Tal caso se describe a continuación en la Figura 11.
Como se mencionó anteriormente, puede diseñarse una interconexión lateral 352. La Figura 10 ilustra un sustrato 302 que incluye una interconexión lateral 352 con diseños, donde la interconexión lateral 352 con diseños se configura para proporcionar una señal eléctrica de referencia de tierra. Como se muestra en la Figura 10, el sustrato 302 incluye varias primeras pilas de interconexiones 400 que pueden posicionarse en el sustrato 302 de manera que las primeras pilas de interconexiones 400 se ubican al menos parcialmente dentro de o cerca de la periferia o perímetro del sustrato 302. En algunas implementaciones, las primeras pilas de interconexiones son pilas de interconexiones que se ubican más cerca de la interconexión lateral 352. En algunas implementaciones, la periferia del sustrato 302 incluye un área y/o porción del sustrato 302 que está dentro de aproximadamente 300 micras (pm) o menos de una porción lateral (por ejemplo, pared lateral, borde lateral) del sustrato 302. Las primeras pilas de interconexiones 400 pueden disponerse en una fila exterior y/o una columna exterior de pilas de interconexiones. La interconexión lateral 352 está diseñada de tal manera que una porción respectiva de la interconexión lateral 352 está cerca o adyacente a una primera pila respectiva de interconexiones 400. En algunas implementaciones, modelar la interconexión lateral 352 reduce el material y, así, reduce el coste de fabricación del sustrato y/o el envase del dispositivo integrado.
Además, la interconexión lateral 352 puede diseñarse para mejorar el aislamiento de las señales que están cerca. Además, la interconexión lateral 352 puede diseñarse para proporcionar una estructura resonante para mejorar el
rendimiento del dispositivo (por ejemplo, el molde). En algunas implementaciones, la interconexión lateral 352 puede diseñarse para crear un espacio o área vacía en el sustrato del envase para mejorar el rendimiento del dispositivo. En algunas implementaciones, la interconexión lateral 352 puede diseñarse y dividirse para crear interconexiones separadas que se configuran para proporcionar varias trayectorias eléctricas para varias señales de referencia de tierra diferentes. Por ejemplo, la interconexión lateral 352 puede diseñarse y dividirse en (1) una primera interconexión lateral que se configura para proporcionar una primera trayectoria eléctrica para una primera señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra general), (2) una segunda interconexión lateral que se configura para proporcionar una segunda trayectoria eléctrica para una segunda señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra analógica), (3) una tercera interconexión lateral que se configura para proporcionar una tercera trayectoria eléctrica para una tercera señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra digital), y (4) una cuarta interconexión lateral que se configura para proporcionar una cuarta trayectoria eléctrica para una cuarta señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra de radiofrecuencia (RF)). En algunas implementaciones, una o más de las interconexiones laterales anteriores no se tocan físicamente entre sí.
La Figura 11 ilustra conceptualmente las propiedades eléctricas de pilas de interconexiones cerca de las capas de metal. Las propiedades eléctricas descritas en la Figura 11 pueden aplicarse a cualquier interconexión (por ejemplo, la pila de interconexiones) que se configura para proporcionar una trayectoria eléctrica para una primera señal (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida) que está cerca de otra interconexión que se configura para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra descrita en la presente divulgación.
La Figura 11 ilustra la primera interconexión 902, la segunda interconexión 904, una tercera interconexión 1102 y una cuarta interconexión 1104. La primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904 pueden representar cada una, una pila de interconexiones (por ejemplo, la primera pila de interconexiones 400). La primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904 pueden configurarse cada una para proporcionar una trayectoria eléctrica respectiva para una señal de referencia sin conexión a tierra (por ejemplo, primera señal de potencia, primera señal de entrada/salida, segunda señal de entrada/salida). La tercera interconexión 1102 y la cuarta interconexión 1104 pueden representar porciones de la interconexión lateral 352. La tercera interconexión 1102 y la cuarta interconexión 1104 se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra.
Como se muestra en la Figura 11, la presencia de la tercera interconexión 1102 cerca de la primera interconexión 902 y la presencia de la cuarta interconexión 1104 cerca de la segunda interconexión 904 ayudan a mejorar el aislamiento y la pérdida de inserción entre la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. Como se muestra, los campos eléctricos y magnéticos entre conductores están estrechamente acoplados y confinados, lo que conduce a mejorar las características de entrega de la señal en la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. Como se muestra en la Figura 11, la señal que atraviesa a través de la primera interconexión 902 no interfiere (o interfiere mínimamente) con la señal (por ejemplo, la primera señal) que atraviesa la segunda interconexión 904. De manera similar, la señal (por ejemplo, la segunda señal) que atraviesa la segunda interconexión 904 no interfiere (o interfiere mínimamente) con la señal que atraviesa la primera interconexión 902. Dado que la primera señal y la segunda señal no interfieren ni se mezclan con otras, se conserva la integridad y calidad de cada señal respectiva (por ejemplo, la primera señal, la segunda señal), lo que resulta en un mejor rendimiento de señal en el envase del dispositivo integrado (por ejemplo, el dispositivo de circuito integrado). Sin la presencia de la tercera interconexión 1102 y/o la cuarta interconexión 1104, las respectivas señales que atraviesan la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904 interferirían sustancialmente entre sí lo que resulta en señales de baja calidad en la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. Por lo tanto, la tercera interconexión 1102 y la cuarta interconexión 1104 ayudan a aislar (por ejemplo, ayudan a aislar al menos parcialmente) la primera señal que atraviesa la primera interconexión 902 de la segunda señal que atraviesa la segunda interconexión 904, y viceversa.
En algunas implementaciones, con el fin de lograr el aislamiento de señal descrito anteriormente, la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904 tienen que estar lo suficientemente cerca de la respectiva tercera interconexión 1102 y de la respectiva cuarta interconexión 1104. En algunas implementaciones, una primera separación entre la tercera interconexión 1102 y la primera interconexión 902 es menor que una segunda separación entre la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. De manera similar, en algunas implementaciones, una tercera separación entre la cuarta interconexión 1104 y la segunda interconexión 904 es menor que la segunda separación entre la primera interconexión 902 y la segunda interconexión 904. Por lo tanto, en algunas implementaciones, la primera interconexión 902 puede tener que estar más cerca de la tercera interconexión 1102 que la segunda interconexión 904 con el fin de obtener el aislamiento de señal deseado como se describió anteriormente. De manera similar, la segunda interconexión 904 puede tener que estar más cerca de la cuarta interconexión 1104 que la primera interconexión 902 con el fin de obtener el aislamiento de señal deseado como se describió anteriormente.
La Figura 11 muestra que, aunque la primera interconexión 902 no está tocando directamente la tercera interconexión 1102, hay al menos un acoplamiento eléctrico parcial por campo eléctrico (como lo indican las flechas),
entre la primera interconexión 902 y la tercera interconexión 1102 cuando una señal (por ejemplo, la primera señal) atraviesa la primera interconexión 902. De manera similar, aunque la segunda interconexión 904 no está tocando directamente la cuarta interconexión 1104, hay al menos un acoplamiento eléctrico parcial por campo eléctrico (como lo indican las flechas), entre la segunda interconexión 904 y la cuarta interconexión 1104 cuando una señal (por ejemplo, la segunda señal) atraviesa la segunda interconexión 904. Por lo tanto, en algunas implementaciones, la primera interconexión 902 está acoplada al menos parcialmente a la tercera interconexión 1102 (por ejemplo, por un campo eléctrico) cuando una señal (por ejemplo, la primera señal) atraviesa la primera interconexión 902, aunque la primera interconexión 902 está libre de contacto directo con la tercera interconexión 1102. De manera similar, en algunas implementaciones, la segunda interconexión 904 está acoplada al menos parcialmente a la cuarta interconexión 1104 (por ejemplo, por un campo eléctrico) cuando una señal (por ejemplo, la segunda señal) atraviesa la segunda interconexión 904, aunque la segunda interconexión 904 está libre de contacto directo con la cuarta interconexión 1104.
El envase del dispositivo integrado ilustrativo que comprende el sustrato con pilas de interconexiones, interconexión sobre la capa protectora contra soldadura e interconexión en la porción lateral del sustrato
La Figura 12 ilustra una vista de perfil de un envase del dispositivo integrado 1200 (por ejemplo, un dispositivo de circuito integrado) que incluye un sustrato 1202 y un molde 304. El molde 304 puede ser un molde desnudo. El molde 304 está acoplado al sustrato 1202 a través de un primer conjunto de bolas de soldadura 310. El primer conjunto de bolas de soldadura 310 incluye la bola de soldadura 310a, la bola de soldadura 310b y la bola de soldadura 310c.
El sustrato 1202 puede ser un sustrato del envase y/o un intercalador. El sustrato 1202 puede ser similar al sustrato 302 descrito anteriormente en la Figura 3. El molde 304 puede acoplarse al sustrato 1202 de una manera similar a como se acopla el molde 304 al sustrato 302 como se describió anteriormente en la Figura 3.
La Figura 12 ilustra que el sustrato 1202 incluye varias interconexiones de borde 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215 y 1216 que se ubican en el borde lateral del sustrato 1202. La Figura 17 ilustra una vista en primer plano de un borde del sustrato 1202 de la Figura 12. Como se muestra en la Figura 12 y la Figura 13, la interconexión de borde 1210 se ubica sobre la segunda capa dieléctrica 322. La interconexión de borde 1212 se ubica en la segunda capa dieléctrica 322. La interconexión de borde 1214 se ubica en la tercera capa dieléctrica 324. La interconexión de borde 1216 se ubica sobre la tercera capa dieléctrica 324. Una o más de las interconexiones de borde 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215 y/o 1216 pueden ser opcionales. En algunas implementaciones, las interconexiones de borde 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215 y/o 1216 ayudan en la formación de la interconexión lateral 352 durante la fabricación del sustrato 1202. Por ejemplo, una o más de las interconexiones de borde 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215 y/o 1216 ayudan a crear la interconexión lateral 352 (por ejemplo, la interconexión lateral con diseños) durante un procedimiento de recubrimiento del sustrato 1202. Por lo tanto, en algunas implementaciones, formar selectivamente interconexiones de borde a lo largo del borde del sustrato 1202 (por ejemplo, el borde del sustrato antes de formar la interconexión lateral 352) ayuda a definir el patrón de la interconexión lateral 352 que se formará sobre el sustrato 1202.
Las interconexiones de borde (por ejemplo, la interconexión de borde 1211) pueden ser parte de las interconexiones laterales (por ejemplo, la interconexión lateral 352) y viceversa. Las interconexiones de borde pueden acoplarse a la superficie de interconexión 350. En algunas implementaciones, cuando son usadas interconexiones de borde, la interconexión lateral 352 puede ser opcional.
En algunas implementaciones, una o más interconexiones de borde (por ejemplo, la interconexión de borde 1210) pueden acoplarse a una pila de interconexiones que se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra. Dicho ejemplo se ilustra y describe a continuación en al menos las Figuras 17-19.
La Figura 14 ilustra una vista en planta del sustrato 1202 que incluye la interconexión lateral 352 y varias interconexiones de borde (por ejemplo, la interconexión de borde 1210). El sustrato 1202 incluye varias primeras pilas de interconexiones 400 como se describió anteriormente. Diferentes pilas de interconexiones pueden tener diferentes números y configuraciones de interconexiones (por ejemplo, traza, almohadillas, vías). La primera pila de interconexiones 400 puede configurarse para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida). Una primera pila diferente de interconexiones 400 puede proporcionar una trayectoria eléctrica para diferentes señales (por ejemplo, señales de referencia sin tierra). Como se muestra en la Figura 14, el sustrato 1202 incluye varias primeras pilas de interconexiones 400 que pueden posicionarse en el sustrato 1202 de manera que las primeras pilas de interconexiones 400 se ubican al menos parcialmente en o cerca de la periferia o perímetro del sustrato 1202. En algunas implementaciones, la periferia del sustrato 1202 incluye un área y/o porción del sustrato 1202 que está dentro de aproximadamente 300 micras (pm) o menos de una porción lateral (por ejemplo, pared lateral, borde lateral) del sustrato 1202. Las primeras pilas de interconexiones 400 pueden disponerse en una fila exterior y/o una columna exterior de pilas de interconexiones. En algunas implementaciones, las primeras pilas de interconexiones 400 son pilas de interconexiones que se ubican más cerca de las interconexiones de borde y/o la interconexión lateral 352. La interconexión lateral 352 está diseñada de tal
manera que una porción respectiva de la interconexión lateral 352 está cerca o adyacente a una primera pila respectiva de interconexiones 400. En algunas implementaciones, colocar las primeras pilas de interconexiones 400 cerca y/o adyacentes a la interconexión de borde y/o la interconexión lateral 352, proporciona varias ventajas técnicas a un envase del dispositivo integrado (por ejemplo, dispositivo de circuito integrado).
La Figura 15 ilustra una vista de perfil de una porción del sustrato 1202. Como se muestra en la Figura 15, la interconexión lateral 352 se forma con un patrón tal que una primera porción de la interconexión lateral 352 está sustancialmente alineada con una pila de interconexiones 400, y una segunda porción de la interconexión lateral 352 está sustancialmente alineada con otra pila de interconexiones 400.
La Figura 16 ilustra una vista de perfil de otra porción del sustrato 1202. El sustrato 1202 incluye una pila de interconexiones 1600 (por ejemplo, la primera pila de primeras interconexiones) con una configuración y disposición de interconexiones diferentes. La pila de interconexiones 1600 se configura para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia sin conexión a tierra (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida). La Figura 16 ilustra que la interconexión lateral 352 se forma con un patrón tal que una tercera porción de la interconexión lateral 352 está sustancialmente alineada con la pila de interconexiones 1600.
Como se mencionó anteriormente, una pila de interconexiones puede acoplarse (por ejemplo, acoplarse eléctricamente) a una interconexión lateral 352. La Figura 17 ilustra un sustrato 1702 que incluye varias pilas de interconexiones 400 y varias pilas de interconexiones 1710 (por ejemplo, la primera pila de primeras interconexiones, la segunda pila de segundas interconexiones, la tercera pila de terceras interconexiones, la cuarta pila de cuartas interconexiones). Las pilas de interconexiones 1710 están acopladas a (por ejemplo, tocando directamente) la interconexión lateral 352. En algunas implementaciones, las pilas de interconexiones 1710 están acopladas a la interconexión lateral 352 a través de una o más interconexiones de borde (por ejemplo, la interconexión de borde 1210). Como se muestra en la Figura 17, las pilas de interconexiones 400 y las pilas de interconexiones 1710 pueden posicionarse en el sustrato 1702 de manera que las pilas de interconexiones 400 y las pilas de interconexiones 2110 se ubican al menos parcialmente dentro de, en o cerca de la periferia o perímetro del sustrato 1202 (por ejemplo, ubicado en una fila exterior y/o una columna exterior de pilas de interconexiones). En algunas implementaciones, las primeras pilas de interconexiones 400 y 1710 son pilas de interconexiones que se ubican más cerca de la interconexión lateral 352. La interconexión lateral 352 está diseñada de tal manera que una porción respectiva de la interconexión lateral 352 está cerca o adyacente a una primera pila respectiva de interconexiones 400.
En algunas implementaciones, al menos la mayoría de las pilas de interconexiones cerca de la periferia o el perímetro del sustrato 1202 son pilas de interconexiones que se configuran para proporcionar al menos una trayectoria eléctrica para una señal de referencia sin conexión a tierra (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida). Por ejemplo, una mayoría, o un número o porcentaje sustancial de las pilas de interconexiones (por ejemplo, aproximadamente el 60 por ciento o más, el 70 por ciento o más, el 80 por ciento o más) al menos parcialmente dentro de la periferia o perímetro del sustrato 1202 son pilas de interconexiones que se configuran para proporcionar al menos una trayectoria eléctrica para una señal de referencia sin conexión a tierra (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida).
La Figura 18 ilustra una vista de perfil del sustrato 1702 donde una primera porción de la interconexión lateral 352 está acoplada a una segunda porción de la interconexión lateral 352 a través de una interconexión lateral que conecta la primera porción y la segunda porción de la interconexión lateral 352.
Las Figuras 15-18 ilustran ejemplos de una interconexión lateral (por ejemplo, la interconexión lateral 352) que está diseñada para reflejar o imitar al menos sustancialmente la forma de interconexiones cercanas (por ejemplo, las pilas de interconexiones, la disposición de la interconexión). En algunas implementaciones, la interconexión lateral puede reflejar o imitar exactamente la forma de las interconexiones cercanas. Como se muestra en las Figuras 15-18, en algunas implementaciones, la interconexión lateral puede diseñarse para ser similar pero no necesariamente idéntica a las interconexiones cercanas. En algunas implementaciones, puede usarse formas más simples para reflejar o imitar formas o estructuras más complicadas. Por ejemplo, una porción de forma rectangular de la interconexión lateral puede usarse para reflejar o imitar la forma de una pila de interconexiones que comprenden vías y almohadillas.
La Figura 19 ilustra una vista de perfil de la pila de interconexiones 400 y la pila de interconexiones 1710 en el sustrato 1702. La pila de interconexiones 1710 está acoplada a la interconexión lateral 352. Diferentes implementaciones pueden proporcionar una pila de interconexiones 400 y una pila de interconexiones 1710 con diferentes configuraciones y/o disposición de interconexiones. Por ejemplo, la pila de interconexiones 1710 puede acoplarse a la superficie de interconexión 350, o directa o indirectamente (por ejemplo, a través de una bola de soldadura).
Se observa que la interconexión lateral 352 puede acoplarse (por ejemplo, tocando) a la superficie de interconexión 350. En algunas implementaciones, la interconexión lateral 352 no toca o toca directamente la superficie de interconexión 350.
Interconexión ilustrativa sobre la capa protectora contra soldadura de un sustrato
La Figura 20 ilustra una vista en planta de la sección transversal de la superficie de interconexión 350 sobre una capa protectora contra soldadura de un sustrato. La superficie de interconexión 350 puede configurarse para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra. La superficie de interconexión 350 incluye un primer conjunto de aberturas 2002, y un segundo conjunto de aberturas 2004. El primer conjunto de aberturas 2002 puede incluir una o más aberturas (por ejemplo, cavidades). El segundo conjunto de aberturas 2004 puede incluir una o más aberturas. Las aberturas (por ejemplo, las cavidades) en el primer conjunto de aberturas 2002 tienen una primera dimensión (por ejemplo, un primer diámetro, un primer ancho). Las aberturas en el segundo conjunto de aberturas 2004 tienen una segunda dimensión (por ejemplo, un primer diámetro, un primer ancho) que es menor que la primera dimensión.
La Figura 21 ilustra una vista en planta en sección transversal de la superficie de interconexión 350 después de posicionar un conjunto de bolas de soldadura en algunas o todas las aberturas de la superficie de interconexión 350. El conjunto de bolas de soldadura pueden ser bolas de soldadura que se acoplan a un molde (por ejemplo, el molde 304) a un sustrato (por ejemplo, el sustrato 302). La Figura 21 ilustra un primer conjunto de bolas de soldadura 2102 que se posicionan en el primer conjunto de aberturas 2002. Como se muestra en la Figura 21, el primer conjunto de bolas de soldadura 2102 no toca directamente (por ejemplo, no está en contacto con) la superficie de interconexión 350. En algunas implementaciones, el primer conjunto de bolas de soldadura 2102 se configura para proporcionar al menos una primera trayectoria eléctrica para al menos una primera señal (por ejemplo, la primera señal de potencia, la primera señal de entrada/salida, la segunda señal de entrada/salida, etc.).
La Figura 21 también ilustra un segundo conjunto de bolas de soldadura 2104 que se posicionan en el primer conjunto de aberturas 2004. Como se muestra en la Figura 21, el segundo conjunto de bolas de soldadura 2104 está acoplado a (por ejemplo, toca directamente, en contacto con) la superficie de interconexión 350. En algunas implementaciones, el segundo conjunto de bolas de soldadura 2104 se configura para proporcionar al menos una segunda trayectoria eléctrica para al menos una segunda señal (por ejemplo, señal de referencia sin conexión a tierra). Por lo tanto, en algunas implementaciones, algunas o todas las bolas de soldadura del segundo conjunto de bolas de soldadura 2104 pueden configurarse para proporcionar una trayectoria eléctrica para diferentes señales (por ejemplo, señales de referencia sin tierra).
Como se mencionó anteriormente, la superficie de interconexión 350 puede ser una capa de metal con diseños que incluye varias superficies de interconexiones. Las Figuras 22-23 ilustran un ejemplo de una superficie de interconexión 2200 con diseños. La superficie de interconexión con diseños 2200 puede reemplazar la superficie de interconexión 350 descrita en la presente divulgación. La superficie de interconexión con diseños 2200 es simplemente un ejemplo de una superficie de interconexión con diseños. Por lo tanto, diferentes implementaciones pueden utilizar una superficie de interconexión con diseños con un diferente diseño y/o patrón.
La Figura 22 ilustra una vista en planta en sección transversal de la superficie de interconexión con diseños 2200. La superficie de interconexión con diseños 2200 incluye un primer conjunto de aberturas 2002, y un segundo conjunto de aberturas 2004. El primer conjunto de aberturas 2002 puede incluir una o más aberturas (por ejemplo, cavidades). El segundo conjunto de aberturas 2004 puede incluir una o más aberturas. Las aberturas (por ejemplo, las cavidades) en el primer conjunto de aberturas 2002 tienen una primera dimensión (por ejemplo, un primer diámetro, un primer ancho). Las aberturas en el segundo conjunto de aberturas 2004 tienen una segunda dimensión (por ejemplo, un primer diámetro, un primer ancho) que es menor que la primera dimensión.
La Figura 23 ilustra una vista en planta en sección transversal de la superficie de interconexión con diseños 2200 después de posicionar un conjunto de bolas de soldadura en algunas o todas las aberturas de la superficie de interconexión con diseños 2200. El conjunto de bolas de soldadura pueden ser bolas de soldadura que se acoplan a un molde (por ejemplo, el molde 304) a un sustrato (por ejemplo, el sustrato 302). La Figura 23 ilustra un primer conjunto de bolas de soldadura 2102 que se posicionan en el primer conjunto de aberturas 2002. Como se muestra en la Figura 23, el primer conjunto de bolas de soldadura 2102 no toca directamente (por ejemplo, no está en contacto con) la superficie de interconexión con diseños 2200. En algunas implementaciones, el primer conjunto de bolas de soldadura 2102 se configuran para proporcionar al menos una primera trayectoria eléctrica para al menos una primera señal (por ejemplo, primera señal de referencia terrestre).
La Figura 23 también ilustra un segundo conjunto de bolas de soldadura 2104 que se posicionan en el primer conjunto de aberturas 2004. Como se muestra en la Figura 23, el segundo conjunto de bolas de soldadura 2104 está acoplado a (por ejemplo, toca directamente, en contacto con) la superficie de interconexión con diseños 2200. En algunas implementaciones, el segundo conjunto de bolas de soldadura 2104 se configura para proporcionar al menos una segunda trayectoria eléctrica para al menos una segunda señal (por ejemplo, la primera señal de potencia, la primera señal de entrada/salida, la segunda señal de entrada/salida, etc.). Por lo tanto, en algunas implementaciones, algunas o todas las bolas de soldadura del segundo conjunto de bolas de soldadura 2104 pueden configurarse para proporcionar una trayectoria eléctrica para diferentes señales (por ejemplo, señales de referencia sin tierra).
La superficie de interconexión (por ejemplo, la superficie de interconexión con diseños 2200) está diseñada para reflejar o imitar al menos sustancialmente el diseño y/o la forma de las interconexiones cercanas (por ejemplo, interconexiones de nivel superior de un sustrato del envase, interconexiones del molde, diseño de interconexión del sustrato del envase y/o diseño de interconexiones de un molde). En algunas implementaciones, una interconexión de nivel superior de un sustrato del envase es al menos una interconexión en el sustrato del envase que está más cerca de una superficie superior del sustrato del envase. En algunas implementaciones, una interconexión de nivel superior de un sustrato del envase es al menos una capa de metal y/o al menos un conductor eléctrico en el sustrato del envase que está más cerca de una superficie superior del sustrato del envase. En algunas implementaciones, la superficie de interconexión puede reflejar o imitar exactamente el diseño y/o la forma de las interconexiones cercanas. En algunas implementaciones, la superficie de interconexión puede diseñarse para ser similar pero no necesariamente idéntica a las interconexiones cercanas. En algunas implementaciones, pueden usarse patrones y/o formas más simples para reflejar o imitar diseños, formas y/o diseños más complicados.
La superficie de interconexión 2200 puede diseñarse para mejorar el aislamiento de las señales cercanas. Además, la superficie de interconexión 2200 puede diseñarse para proporcionar una estructura resonante para mejorar el rendimiento del dispositivo (por ejemplo, el molde). En algunas implementaciones, la superficie de interconexión 2200 puede diseñarse para crear un espacio o área vacía en el sustrato del envase para mejorar el rendimiento del dispositivo. En algunas implementaciones, la superficie de interconexión 2200 puede diseñarse y dividirse para crear interconexiones separadas que se configuran para proporcionar varias trayectorias eléctricas para varias señales de referencia de tierra diferentes. Por ejemplo, la superficie de interconexión 2200 puede diseñarse y dividirse en (1) una primera superficie de interconexión que se configura para proporcionar una primera trayectoria eléctrica para una primera señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra general), (2) una segunda superficie de interconexión que se configura para proporcionar una segunda trayectoria eléctrica para una segunda señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra analógica), (3) una tercera superficie de interconexión que se configura para proporcionar una tercera trayectoria eléctrica para una tercera señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra digital), y (4) una cuarta superficie de interconexión que se configura para proporcionar una cuarta trayectoria eléctrica para una cuarta señal de referencia de conexión a tierra (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra de radiofrecuencia (RF)). En algunas implementaciones, una o más de las superficies de interconexiones anteriores no se tocan físicamente entre sí.
Acoplamiento ilustrativo del molde al sustrato que comprende la interconexión sobre la capa protectora contra soldadura
La Figura 24 ilustra una vista en primer plano de una secuencia de acoplamiento (por ejemplo, montaje) de un molde a un sustrato. La etapa 1 de la Figura 24 ilustra una vista en primer plano de una porción del sustrato 302 que incluye la segunda capa dieléctrica 322, la almohadilla 332a, la primera capa protectora contra soldadura 340 y la superficie de interconexión 350. La superficie de interconexión 350 no está en contacto directo con la almohadilla 332a. La etapa 2 de la Figura 24 ilustra una vista en primer plano después de que el molde 304 está acoplado al sustrato 302. Como se muestra en la etapa 2, la capa 370a de UBM del molde 304 está acoplada a la bola de soldadura 310a. La bola de soldadura 310a está acoplada a la almohadilla 332a. La bola de soldadura 310a no está en contacto directo con la superficie interconexión 350. En algunas implementaciones, la bola de soldadura 310a y la almohadilla 332a se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una primera señal (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida).
La Figura 25 ilustra una vista en primer plano de una secuencia de acoplamiento (por ejemplo, montaje) de un molde a un sustrato. La etapa 1 de la Figura 25 ilustra una vista en primer plano de otra porción del sustrato 302 que incluye la segunda capa dieléctrica 322, la almohadilla 332b, la primera capa protectora contra soldadura 340, y la superficie de interconexión 350. La superficie de interconexión 350 no está en contacto directo con la almohadilla 332b. La etapa 2 de la Figura 25 ilustra una vista en primer plano después de que el molde 304 está acoplado al sustrato 302. Como se muestra en la etapa 2, la capa 370b de UBM del molde 304 está acoplada a la bola de soldadura 310b. La bola de soldadura 310b está acoplada a la almohadilla 332b. La bola de soldadura 310b está acoplada a (por ejemplo, en contacto directo con) la superficie de interconexión 350. En algunas implementaciones, la bola de soldadura 310b, la almohadilla 332b y la superficie de interconexión 350 se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una segunda señal (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra).
La Figura 26 ilustra una vista en primer plano de una secuencia de acoplamiento (por ejemplo, montaje) de un molde a un sustrato. La etapa 1 de la Figura 26 ilustra una vista en primer plano de otra porción del sustrato 302 que incluye la segunda capa dieléctrica 322, la almohadilla 332c, la primera capa protectora contra soldadura 340, y la superficie de interconexión 350. La superficie de interconexión 350 está acoplada (por ejemplo, en contacto directo) con la almohadilla 332c. La etapa 2 de la Figura 26 ilustra una vista en primer plano después de que el molde 304 está acoplado al sustrato 302. Como se muestra en la etapa 2, la capa 370c de UBM del molde 304 está acoplada a la bola de soldadura 310c. La bola de soldadura 310c está acoplada a la almohadilla 332c. La bola de soldadura 310c está acoplada también a (por ejemplo, en contacto directo con) la superficie de interconexión 350. En algunas implementaciones, la bola de soldadura 310c, la almohadilla 332c y la superficie de interconexión 350 se configuran
para proporcionar una trayectoria eléctrica para una segunda señal (por ejemplo, señal de referencia de conexión a tierra).
Secuencia ilustrativa para proporcionar/fabricar un envase del dispositivo integrado que comprende el sustrato con pilas de interconexiones, la interconexión sobre la capa protectora contra soldadura y la interconexión en la porción lateral del sustrato
En algunas implementaciones, proporcionar/fabricar un sustrato (por ejemplo, el sustrato del envase) con pilas de interconexiones, una superficie de interconexión y una interconexión lateral que incluye varios procedimientos. La Figura 27 (que incluye las figuras 27A-27C) ilustra una secuencia ilustrativa para proporcionar/fabricar un sustrato (por ejemplo, el sustrato del envase) con interconexiones apiladas, una superficie de interconexión y una interconexión lateral. En algunas implementaciones, la secuencia de las Figuras 27A-27C puede usarse para proporcionar/fabricar el sustrato de las Figuras. 2, 16 y/u otros sustratos descritos en la presente divulgación. Sin embargo, con el propósito de simplificación, las Figuras 27A-27C se describirán en el contexto de proporcionar/fabricar el sustrato de la Figura 2.
Se debe señalar que la secuencia de las Figuras 27A-27C puede combinar una o más etapas con el fin de simplificar y/o aclarar la secuencia para proporcionar un sustrato. En algunas implementaciones, el orden de los procedimientos puede cambiarse o modificarse.
La etapa 1 de la Figura 27A, ilustra un estado después de que se proporciona una capa de núcleo 2700. En algunas implementaciones, la capa de núcleo 2700 se proporciona por un proveedor. En algunas implementaciones, la capa de núcleo 2700 se fabrica (por ejemplo, se forma). La capa de núcleo 2700 incluye una primera capa dieléctrica 2702, una primera capa de metal 2704 y una segunda capa de metal 2706. La primera capa de metal 2704 está sobre una primera superficie (por ejemplo, la superficie superior) de la primera capa dieléctrica 2702. La segunda capa de metal 2706 está sobre una segunda superficie (por ejemplo, la superficie inferior) de la primera capa dieléctrica 2702.
La etapa 2 ilustra un estado después de que se forman varias cavidades en la capa de núcleo 2700. Como se muestra en la etapa 2, se forman varias cavidades (por ejemplo, la cavidad 2707) en la primera capa dieléctrica 2702, la primera capa de metal 2704 y la segunda capa de metal 2706. Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para formar las cavidades en la capa de núcleo 2700. En algunas implementaciones, puede usarse un procedimiento láser y/o un procedimiento de fotograbado (por ejemplo, fotolitografía) para formar las cavidades en la capa de núcleo 2700.
La etapa 3 ilustra un estado después de que se forman vías (por ejemplo, la vía 2708) en las cavidades (por ejemplo, la cavidad 2707). Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para formar las vías en las cavidades. En algunas implementaciones, pueden usarse uno o más procedimientos de recubrimiento para formar las vías. En algunas implementaciones, puede usarse una pasta para formar las vías.
La etapa 4 ilustra un estado después de que porciones de la primera capa de metal 2704 y porciones de la segunda capa de metal 2706 se eliminan selectivamente (por ejemplo, el grabado) para definir una o más interconexiones (por ejemplo, trazas, almohadillas, interconexiones de borde).
La etapa 5 ilustra un estado después de que se forma una segunda capa dieléctrica 2710 y una tercera capa dieléctrica 2712 sobre la capa de núcleo 2700. Como se muestra en la etapa 5, la segunda capa dieléctrica 2710 se forma en la primera superficie de la primera capa dieléctrica 2702, y la tercera capa dieléctrica 2712 se forma en la segunda superficie de la primera capa dieléctrica 2702. En algunas implementaciones, la segunda y tercera capas dieléctricas 2710 y 2712 son capas prepreg. También se observa que la primera capa dieléctrica 2702 puede ser una capa prepreg en algunas implementaciones.
La etapa 6, como se muestra en la Figura 27B, ilustra un estado después de que varias cavidades (por ejemplo, la cavidad 2711) se forman (por ejemplo, se crea) en la segunda capa dieléctrica 2710, y se forman varias cavidades (por ejemplo, la cavidad 2713) en la tercera capa dieléctrica 2712. Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para formar las cavidades en la(s) capa(s) dieléctrica(s). En algunas implementaciones, puede usarse un procedimiento láser y/o un procedimiento de fotograbado (por ejemplo, fotolitografía) para formar las cavidades en la(s) capa(s) dieléctrica(s).
La etapa 7 ilustra un estado después de que se forma una capa de metal 2714 en/sobre la segunda capa dieléctrica 2710. La capa de metal 2714 que se forma en la cavidad de la segunda capa dieléctrica 2710 puede definir una vía. La capa de metal 2714 que se forma sobre la segunda capa dieléctrica 2710 puede definir una o más interconexiones (por ejemplo, trazas, almohadillas, interconexiones de borde).
La etapa 7 también ilustra una capa de metal 2716 que se forma en/sobre la tercera capa dieléctrica 2712. La capa de metal 2716 que se forma en la cavidad de la tercera capa dieléctrica 2712 puede definir una vía. La capa de metal 2716 que se forma sobre la tercera capa dieléctrica 2712 puede definir una o más interconexiones (por
ejemplo, trazas, almohadillas, interconexiones de borde). Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para formar las capas de metal. En algunas implementaciones, pueden usarse uno o más procedimientos de recubrimiento para formar las capas de metal. En algunas implementaciones, puede usarse una pasta para formar las capas de metal (por ejemplo, las vías).
La etapa 7 ilustra que algunas de las interconexiones que se forman en la primera capa dieléctrica 2702, la segunda capa dieléctrica 2710 y/o la tercera capa dieléctrica 2712 pueden disponerse en una configuración apilada, para formar de esta manera una pila de interconexiones, como se describió anteriormente en al menos las Figuras 3 y 16. La etapa 8 ilustra un estado después de que se forma una primera capa protectora contra soldadura 2720 sobre la segunda capa dieléctrica 2710 y algo de la capa de metal 2714. La etapa 8 también ilustra un estado después de que se forma una segunda capa protectora contra soldadura 2722 sobre la tercera capa dieléctrica 2712 y algo de la capa de metal 2716.
La etapa 9 ilustra un estado después de que se forma una superficie de interconexión 2730 sobre la primera capa protectora contra soldadura 2720. La superficie de interconexión 2730 puede ser una superficie de interconexión con diseños. En algunas implementaciones, se usa un procedimiento de recubrimiento para formar la superficie de interconexión 2730. La etapa 9 ilustra además una superficie lateral de interconexión 2732 que se forma sobre el lateral del sustrato (por ejemplo, el lateral de las capas dieléctricas, la capa protectora contra soldadura). En algunas implementaciones, la superficie lateral de interconexión 2732 es una superficie lateral de interconexión con diseños. En algunas implementaciones, la superficie lateral de interconexión 2732 puede definirse cerca y/o alrededor de interconexiones de borde que se forman en/sobre las capas dieléctricas. La superficie lateral de interconexión 2732 puede ser la misma capa que la superficie de interconexión 2730. En algunas implementaciones, la etapa 9 ilustra un sustrato 2750 que incluye interconexiones apiladas cerca y/o en la periferia del sustrato, una superficie de interconexión y una interconexión lateral.
La etapa 10 ilustra un estado después de que un conjunto de bolas de soldadura 2760 están acopladas a las almohadillas que se forman a partir de la capa de metal 2716. En algunas implementaciones, al menos la mayoría de las bolas de soldadura del conjunto de bolas de soldadura 2760 se configuran para proporcionar al menos una trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra. En algunas implementaciones, al menos un número sustancial (por ejemplo, el 70 por ciento o más) de las bolas de soldadura del conjunto de bolas de soldadura 2760 se configuran para proporcionar al menos una trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra.
La etapa 11 ilustra un estado después de que un molde 2770 está acoplado al sustrato 2750 a través de un conjunto de bolas de soldadura 2780.
Diagrama de flujo ilustrativo de un procedimiento para proporcionar/fabricar un envase del dispositivo integrado que comprende un sustrato con pilas de interconexiones, interconexión sobre la capa protectora contra soldadura e interconexión sobre la porción lateral del sustrato
En algunas implementaciones, proporcionar/fabricar un sustrato (por ejemplo, el sustrato del envase) con pilas de interconexiones, una superficie de interconexión y una interconexión lateral que incluye varios procedimientos. La Figura 28 ilustra un diagrama de flujo ilustrativo de un procedimiento 2800 para proporcionar/fabricar un sustrato (por ejemplo, el sustrato del envase) con pilas de interconexiones, una superficie de interconexión y una interconexión lateral. En algunas implementaciones, el procedimiento de la Figura 28 para proporcionar/fabricar el sustrato de la Figura 3 y/u otros sustratos en la presente divulgación.
Se debe señalar que el procedimiento de la Figura 28 puede combinar una o más etapas con el fin de simplificar y/o aclarar la secuencia para proporcionar un dispositivo integrado. En algunas implementaciones, el orden de los procedimientos puede cambiarse o modificarse.
El procedimiento proporciona (en 2805) varias capas dieléctricas. En algunas implementaciones, proporcionar varias capas dieléctricas incluye formar una capa de núcleo y varias capas prepreg. En algunas implementaciones, solo se forman capas prepreg.
El procedimiento forma (en 2810) al menos una pila de interconexiones en las capas dieléctricas. La pila de interconexiones puede incluir dos o más interconexiones. Una interconexión puede incluir una traza, una almohadilla y/o una vía. Una pila de interconexiones puede ser varias interconexiones que están dispuestas sustancialmente en una pila (por ejemplo, una pila vertical). Puede formarse una pila de interconexiones en/sobre varias capas dieléctricas. Puede colocarse un conjunto de pilas de interconexiones en las capas dieléctricas de manera que las pilas de interconexiones estén ubicadas al menos parcialmente dentro de, en, cerca o dentro de la periferia o perímetro de un sustrato. Las primeras pilas de interconexiones pueden disponerse en una fila exterior y/o una columna exterior de pilas de interconexiones. La primera pila de interconexiones puede configurarse para proporcionar una trayectoria eléctrica para al menos una primera señal de referencia sin conexión a tierra. Una segunda pila de interconexiones puede configurarse para proporcionar una trayectoria eléctrica para al menos una
señal de referencia de conexión a tierra. Los ejemplos de pilas de interconexiones (por ejemplo, las pilas de interconexiones 400, 410) se describen anteriormente en al menos la Figura 4. Las diferentes implementaciones pueden formar interconexiones y pilas de interconexiones diferentes. En algunas implementaciones, se usa un procedimiento de recubrimiento para formar interconexiones y pilas de interconexiones. Los ejemplos de formación de interconexiones (por ejemplo, las pilas de interconexiones) se describen en detalle en al menos las Figuras 29-32 a continuación.
El procedimiento forma opcionalmente (en 2815) al menos una interconexión de borde. Las interconexiones de borde pueden formarse para acoplarse a una o más pilas de interconexiones. Los ejemplos de interconexiones de borde se describen anteriormente en al menos las Figuras. 12-14. Los ejemplos de formación de interconexiones (por ejemplo, interconexiones de borde) se describen en detalle en al menos las Figuras 29-32 a continuación. El procedimiento forma (en 2820) almohadillas sobre al menos una de las capas dieléctricas. Las almohadillas pueden ser almohadillas laterales del molde (por ejemplo, almohadillas laterales de bola de soldadura del molde) y/o almohadillas laterales de la placa de circuito impreso (PCB) (por ejemplo, almohadillas laterales de bola de soldadura de la PCB) de un sustrato. Una mayoría, o una mayoría sustancial (por ejemplo, el 60 por ciento o más) de las almohadillas se configuran para proporcionar al menos una trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra.
El procedimiento forma (en 2825) al menos una capa protectora contra soldadura sobre una o más capas dieléctricas.
El procedimiento también forma (en 2830) una superficie de interconexión sobre la capa protectora contra soldadura. La superficie de interconexión puede ser una capa de metal con diseños. La superficie de interconexión puede configurarse para proporcionar una señal de referencia de conexión a tierra.
El procedimiento forma (en 2835) una interconexión lateral sobre el lateral del sustrato. La interconexión lateral puede ser una capa de metal con diseños. La interconexión lateral puede configurarse para proporcionar una señal de referencia de conexión a tierra. La interconexión lateral puede acoplarse (por ejemplo, tocando) a la superficie de interconexión. En algunas implementaciones, la interconexión lateral puede acoplarse a una o más pilas de interconexiones (por ejemplo, pilas de interconexiones que se configuran para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra).
El procedimiento proporciona (en 2840) bolas de soldadura a las almohadillas. Algunas de las bolas de soldadura pueden configurarse para proporcionar una trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra. Una mayoría de las bolas de soldadura pueden configurarse para proporcionar al menos una trayectoria eléctrica para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra (por ejemplo, señal de potencia, señal de entrada/salida).
Procedimiento ilustrativo de modelado semiaditivo (SAP)
En la presente divulgación se describen diversas interconexiones (por ejemplo, trazas, vías, almohadillas) y capas de metal, en algunas implementaciones, estas interconexiones pueden incluir una o más capas de metal. Por ejemplo, en algunas implementaciones, estas interconexiones pueden incluir una primera capa de semillas de metal y una segunda capa de metal. Las capas de metal pueden proporcionarse (por ejemplo, formarse) mediante el uso de diferentes procedimientos de recubrimiento. A continuación, se presentan ejemplos detallados de interconexiones (por ejemplo, trazas, vías, almohadillas) con capas de semillas y cómo estas interconexiones pueden formarse mediante el uso de diferentes procedimientos de recubrimiento.
Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para formar y/o fabricar las capas de metal (por ejemplo, interconexiones, superficie de interconexión, interconexión lateral). En algunas implementaciones, estos procedimientos incluyen un procedimiento de modelado semiaditivo (SAP) y un procedimiento damasquinado. Estos diversos procedimientos diferentes se describen en más detalle a continuación.
La Figura 29 ilustra una secuencia para formar una interconexión mediante el uso de un procedimiento de modelado semiaditivo (SAP) para proporcionar y/o formar una interconexión en una o más capa(s) dieléctrica(s). Como se muestra en la Figura 29, la etapa 1 ilustra un estado de un dispositivo integrado (por ejemplo, el sustrato) después de que se proporciona una capa dieléctrica 2902 (por ejemplo, se forma). En algunas implementaciones, la etapa 1 ilustra que la capa dieléctrica 2902 incluye una primera capa de metal 2904. La primera capa de metal 2904 es una capa de semillas en algunas implementaciones. En algunas implementaciones, la primera capa de metal 2904 puede proporcionarse (por ejemplo, formarse) sobre la capa dieléctrica 2902 después de que se proporciona la capa dieléctrica 2902 (por ejemplo, recibida o formada). La etapa 1 ilustra que la primera capa de metal 2904 se proporciona (por ejemplo, se forma) sobre una primera superficie de la capa dieléctrica 2902. En algunas implementaciones, la primera capa de metal 2904 se proporciona mediante el uso de un procedimiento de deposición (por ejemplo, PVD, CVD, procedimiento de recubrimiento).
La etapa 2 ilustra un estado del dispositivo integrado después de que una capa de fotorresistencia 2906 (por ejemplo, la capa de resistencia al revelado fotográfico) se proporciona selectivamente (por ejemplo, se forma) sobre la primera capa de metal 2904. En algunas implementaciones, proporcionar selectivamente la capa de resistencia 2906 incluye proporcionar una primera capa de resistencia 2906 sobre la primera capa de metal 2904 y eliminar selectivamente porciones de la capa de resistencia 2906 por el revelado (por ejemplo, mediante el uso de un procedimiento de revelado). La etapa 2 ilustra que la capa de resistencia 2906 se proporciona de manera que se forma una cavidad 2908.
La etapa 3 ilustra un estado del dispositivo integrado después de que se forma una segunda capa de metal 2910 en la cavidad 2908. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal 2910 se forma sobre una porción expuesta de la primera capa de metal 2904. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal 2910 se proporciona mediante el uso de un procedimiento de deposición (por ejemplo, procedimiento de recubrimiento). La etapa 4 ilustra un estado del dispositivo integrado después de que se elimina la capa de resistencia 2906. Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para eliminar la capa de resistencia 2906. La etapa 5 ilustra un estado del dispositivo integrado después de que se eliminen selectivamente porciones de la primera capa de metal 2904. En algunas implementaciones, se eliminan una o más porciones de la primera capa de metal 2904 que no está recubierta por la segunda capa de metal 2910. Como se muestra en la etapa 5, la primera capa de metal 2904 restante y la segunda capa de metal 2910 pueden formar y/o definir una interconexión 2912 (por ejemplo, traza, vías, almohadillas) en un dispositivo integrado y/o un sustrato. En algunas implementaciones, la primera capa de metal 2904 se elimina de manera que una dimensión (por ejemplo, longitud, ancho) de la primera capa de metal 2904 debajo de la segunda capa de metal 2910 es aproximadamente igual o menor que una dimensión (por ejemplo, longitud, ancho) de la segunda capa de metal 2910, que puede resultar en una socavación, como se muestra en la etapa 5 de la Figura 29. En algunas implementaciones, los procedimientos mencionados anteriormente pueden iterarse varias veces para proporcionar y/o formar varias interconexiones en una o más capas dieléctricas de un dispositivo integrado y/o el sustrato.
La Figura 30 ilustra un diagrama de flujo de un procedimiento para mediante el uso de un procedimiento (SAP) proporcionar y/o formar una interconexión en una o más capa(s) dieléctrica(s). El procedimiento proporciona (en 3005) una capa dieléctrica (por ejemplo, la capa dieléctrica 2902). En algunas implementaciones, proporcionar la capa dieléctrica incluye formar la capa dieléctrica. En algunas implementaciones, proporcionar la capa dieléctrica incluye formar una primera capa de metal (por ejemplo, la primera capa de metal 2904). La primera capa de metal es una capa de semillas en algunas implementaciones. En algunas implementaciones, la primera capa de metal puede proporcionarse (por ejemplo, formarse) sobre la capa dieléctrica después de que se proporciona la capa dieléctrica (por ejemplo, recibida o formada). En algunas implementaciones, la primera capa de metal se proporciona mediante el uso de un procedimiento de deposición (por ejemplo, deposición física de vapor (PVD) o procedimiento de recubrimiento).
El procedimiento proporciona selectivamente (en 3010) una capa de fotorresistencia (por ejemplo, una capa de resistencia al revelado fotográfico 2906) sobre la primera capa de metal. En algunas implementaciones, proporcionar selectivamente la capa de resistencia incluye proporcionar una primera capa de resistencia sobre la primera capa de metal y eliminar selectivamente porciones de la capa de resistencia (que proporciona una o más cavidades).
A continuación, el procedimiento proporciona (en 3015) una segunda capa de metal (por ejemplo, una segunda capa de metal 2910) en la cavidad de la capa de fotorresistencia. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal se forma sobre una porción expuesta de la primera capa de metal. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal se proporciona mediante el uso de un procedimiento de deposición (por ejemplo, procedimiento de recubrimiento).
El procedimiento además elimina (a 3020) la capa de resistencia. Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para eliminar la capa de resistencia. El procedimiento también elimina selectivamente (en 3025) porciones de la primera capa de metal. En algunas implementaciones, se eliminan una o más porciones de la primera capa de metal que no está recubierta por la segunda capa de metal. En algunas implementaciones, cualquier primera capa de metal y segunda capa de metal restantes pueden formar y/o definir una o más interconexiones (por ejemplo, traza, vías, almohadillas) en un dispositivo integrado y/o un sustrato. En algunas implementaciones, los procedimientos mencionados anteriormente pueden iterarse varias veces para proporcionar y/o formar varias interconexiones en una o más capas dieléctricas de un dispositivo integrado y/o sustrato.
Procedimiento damasquinado ilustrativo
La Figura 31 ilustra una secuencia para formar una interconexión mediante el uso de un procedimiento damasquinado para proporcionar y/o formar una interconexión en una capa dieléctrica. Como se muestra en la Figura 31, la etapa 1 ilustra un estado de un dispositivo integrado después de que se proporciona (por ejemplo, se forma) una capa dieléctrica 3102. En algunas implementaciones, la capa dieléctrica 3102 es una capa inorgánica (por ejemplo, una película inorgánica).
La etapa 2 ilustra un estado de un dispositivo integrado después de que se forma una cavidad 3104 en la capa dieléctrica 3102. Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para proporcionar la cavidad 3104 en la capa dieléctrica 3102.
La etapa 3 ilustra un estado de un dispositivo integrado después de que se proporciona una primera capa de metal 3106 sobre la capa dieléctrica 3102. Como se muestra en la etapa 3, la primera capa de metal 3106 se proporciona sobre una primera superficie de la capa dieléctrica 3102. La primera capa de metal 3106 se proporciona sobre la capa dieléctrica 3102 de manera que la primera capa de metal 3106 toma el contorno de la capa dieléctrica 3102 que incluye el contorno de la cavidad 3104. La primera capa de metal 3106 es una capa de semillas en algunas implementaciones. En algunas implementaciones, la primera capa de metal 3106 se proporciona mediante el uso de un procedimiento de deposición (por ejemplo, deposición física de vapor (PVD), deposición química de vapor (CVD) o procedimiento de recubrimiento).
La etapa 4 ilustra un estado del dispositivo integrado después de que se forma una segunda capa de metal 3108 en la cavidad 3104 y una superficie de la capa dieléctrica 3102. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal 3108 se forma sobre una porción expuesta de la primera capa de metal 3106. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal 3108 se proporciona mediante el uso de un procedimiento de deposición (por ejemplo, procedimiento de recubrimiento).
La etapa 5 ilustra un estado del dispositivo integrado después de que se eliminan las porciones de la segunda capa de metal 3108 y las porciones de la primera capa de metal 3106. Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para eliminar la segunda capa de metal 3108 y la primera capa de metal 3106. En algunas implementaciones, se usa un procedimiento de planarización química mecánica (CMP) para eliminar porciones de la segunda capa de metal 3108 y porciones de la primera capa de metal 3106. Como se muestra en la etapa 5, la primera capa de metal 3106 restante y la segunda capa de metal 3108 pueden formar y/o definir una interconexión 3112 (por ejemplo, traza, vías, almohadillas) en un dispositivo integrado y/o un sustrato. Como se muestra en la etapa 5, la interconexión 3112 se forma de tal manera que la primera capa de metal 3106 se forma sobre la porción de base y la(s) porción(es) lateral(es) de la segunda capa de metal 3110. En algunas implementaciones, la cavidad 3104 puede incluir una combinación de zanjas y/o agujeros en dos niveles de dieléctricos para que las vías y las interconexiones (por ejemplo, trazas de metal) puedan formarse en una sola etapa de deposición, En algunas implementaciones, los procedimientos mencionados anteriormente pueden iterarse varias veces para proporcionar y/o formar varias interconexiones en una o más capas dieléctricas de un dispositivo integrado y/o sustrato.
La Figura 32 ilustra un diagrama de flujo de un procedimiento 3200 para formar una interconexión mediante el uso de un procedimiento damasquinado para proporcionar y/o formar una interconexión en una capa dieléctrica. El procedimiento proporciona (en 3205) una capa dieléctrica (por ejemplo, la capa dieléctrica 3102). En algunas implementaciones, proporcionar una capa dieléctrica incluye formar una capa dieléctrica. En algunas implementaciones, proporcionar una capa dieléctrica incluye recibir una capa dieléctrica de un proveedor. En algunas implementaciones, la capa dieléctrica es una capa inorgánica (por ejemplo, una película inorgánica).
El procedimiento forma (en 3210) al menos una cavidad (por ejemplo, la cavidad 3104) en la capa dieléctrica. Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para proporcionar la cavidad en la capa dieléctrica.
El procedimiento proporciona (en 3215) una primera capa de metal (por ejemplo, la primera capa de metal 3106) sobre la capa dieléctrica. En algunas implementaciones, la primera capa de metal se proporciona (por ejemplo, se forma) sobre una primera superficie del dieléctrico posterior. En algunas implementaciones, la primera capa de metal se proporciona sobre la capa dieléctrica de manera que la primera capa de metal toma el contorno de la capa dieléctrica, que incluye el contorno de la cavidad. La primera capa de metal es una capa de semillas en algunas implementaciones. En algunas implementaciones, la primera capa de metal 3106 se proporciona mediante el uso de un procedimiento de deposición (por ejemplo, PVD, CVD, procedimiento de recubrimiento).
El procedimiento proporciona (en 3220) una segunda capa de metal (por ejemplo, una segunda capa de metal 3108) en la cavidad y una superficie de la capa dieléctrica. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal se forma sobre una porción expuesta de la primera capa de metal. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal se proporciona mediante el uso de un procedimiento de deposición (por ejemplo, procedimiento de recubrimiento). En algunas implementaciones, la segunda capa de metal es similar o idéntica a la primera capa de metal. En algunas implementaciones, la segunda capa de metal es diferente a la primera capa de metal.
A continuación, el procedimiento elimina (en 3225) porciones de la segunda capa de metal y porciones de la primera capa de metal. Diferentes implementaciones pueden usar diferentes procedimientos para eliminar la segunda capa de metal y la primera capa de metal. En algunas implementaciones, se usa un procedimiento de planarización química mecánica (CMP) para eliminar porciones de la segunda capa de metal y porciones de la primera capa de metal. En algunas implementaciones, la primera capa de metal restante y la segunda capa de metal pueden formar y/o definir una interconexión (por ejemplo, interconexión 3112). En algunas implementaciones, una interconexión puede incluir una de al menos una traza, una vía y/o una almohadilla) en un dispositivo integrado y/o un sustrato. En
algunas implementaciones, la interconexión se forma de tal manera que la primera capa de metal se forma sobre la porción de base y la(s) porción(es) lateral(es) de la segunda capa de metal. En algunas implementaciones, los procedimientos mencionados anteriormente pueden iterarse varias veces para proporcionar y/o formar varias interconexiones en una o más capas dieléctricas de un dispositivo integrado y/o sustrato.
Dispositivos electrónicos ilustrativos
La Figura 33 ilustra diversos dispositivos electrónicos que pueden integrarse con cualquiera de los dispositivos integrados, dispositivos semiconductores, circuitos integrados, moldes, intercaladores, envase o paquetes sobre paquetes (PoP) mencionados anteriormente. Por ejemplo, un dispositivo 3302 de teléfono móvil, un dispositivo 3304 de ordenador portátil y un dispositivo 3306 de terminal de ubicación fija pueden incluir un dispositivo integrado 3300 como se describió en la presente memoria. El dispositivo integrado 3300 puede ser, por ejemplo, cualquiera de los circuitos integrados, moldes, dispositivos integrados, envases de dispositivos integrados, dispositivos de circuitos integrados, dispositivos de paquete sobre paquete descritos en la presente memoria. Los dispositivos 3302, 3304, 3306 ilustrados en la Figura 33 son simplemente ilustrativos. Otros dispositivos electrónicos también pueden presentar el dispositivo integrado 3300 que incluye, pero no se limita a, un grupo de dispositivos (por ejemplo, dispositivos electrónicos) que incluyen dispositivos móviles, unidades de sistemas de comunicación personal (PCS) de mano, unidades de datos portátiles tales como asistentes digitales personales, dispositivos habilitados para el sistema de posicionamiento global (GPS), dispositivos de navegación, decodificadores, reproductores de música, reproductores de video, unidades de entretenimiento, unidades de datos de ubicación fija tales como equipos de lectura de medidores, dispositivos de comunicación, teléfonos inteligentes, tabletas ordenadores, ordenadores, dispositivos portátiles, servidores, enrutadores, dispositivos electrónicos implementados en vehículos automotores (por ejemplo, vehículos autónomos), o cualquier otro dispositivo que almacene o recupere datos o instrucciones de ordenador, o cualquiera de sus combinaciones.
Uno o más de los componentes, etapas, características y/o funciones ilustrados en las Figuras 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27A- 27C, 28, 29, 30, 31, 32 y/o 33 pueden reorganizarse y/o combinarse en un solo componente, etapa, característica o función o incorporarse en varios componentes, etapas, o funciones. También pueden agregarse elementos, componentes, etapas y/o funciones adicionales sin apartarse de la divulgación. También se debe señalar que las Figuras 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27A- 27C, 28, 29, 30, 31, 32 y/o 33 y su descripción correspondiente en la presente divulgación no se limita a moldes y/o IC. En algunas implementaciones, las Figuras 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27A- 27C, 28, 29, 30, 31, 32 y/o 33 y su descripción correspondiente pueden usarse para fabricar, crear, proporcionar y/o producir dispositivos integrados. En algunas implementaciones, un dispositivo puede incluir un molde, un envase del molde, un circuito integrado (IC), un dispositivo integrado, un envase del dispositivo integrado, una oblea, un dispositivo semiconductor, un paquete sobre paquete, un sustrato del envase y/o un intercalador.
La palabra "ilustrativo" se usa en la presente memoria para significar "que sirve como un ejemplo, caso o ilustración". Cualquier implementación o aspecto descrito en la presente memoria como "ilustrativo" no debe interpretarse necesariamente como preferido o ventajoso sobre otros aspectos de la divulgación. Igualmente, el término "aspectos" no requiere que todos los aspectos de la divulgación incluyan la característica, la ventaja o el modo de operación comentado. El término "acoplado(a)" se usa en la presente memoria para referirse al acoplamiento directo o indirecto entre dos objetos. Por ejemplo, si el objeto A toca físicamente el objeto B, y el objeto B toca el objeto C, entonces los objetos A y C todavía pueden considerarse acoplados entre sí, incluso si no se tocan físicamente de forma directa entre sí.
Un 'conjunto' de objetos puede incluir uno o más objetos. Por ejemplo, un conjunto de interconexiones puede incluir una o más interconexiones. Un conjunto de bolas de soldadura puede incluir una o más bolas de soldadura. Un conjunto de vías puede incluir una o más vías. Un conjunto de almohadillas puede incluir una o más almohadillas. Un conjunto de pilas de interconexiones puede incluir una o más pilas de interconexiones.
También, se debe notar que las realizaciones pueden describirse como un procedimiento que se representa como un flujograma, un diagrama de flujo, un diagrama de estructura, o un diagrama de bloques. Aunque un flujograma puede describir las operaciones como un procedimiento secuencial, muchas de las operaciones pueden realizarse en paralelo o simultáneamente. Además, el orden de las operaciones puede reordenarse. Un procedimiento se termina cuando se completan sus operaciones.
Las diversas características de la divulgación descrita en la presente memoria pueden implementarse en diferentes sistemas sin apartarse de la divulgación. Se debe señalar que los aspectos anteriores de la divulgación son simplemente ejemplos y no deben interpretarse como limitantes de la divulgación. La descripción de los aspectos de la presente divulgación pretende ser ilustrativa, y no limitar el alcance de las reivindicaciones.
Claims (15)
1. Un envase que comprende:
un molde (304); y
un sustrato del envase (302) acoplado al molde, el sustrato del envase que comprende:
al menos una capa dieléctrica (320, 322, 324);
una primera pila de primeras interconexiones (380) en al menos una capa dieléctrica, la primera pila de primeras interconexiones se configura para proporcionar una primera trayectoria eléctrica para una primera señal de referencia sin conexión a tierra, en la que la primera pila de primeras interconexiones se ubica a lo largo de al menos un lateral del sustrato del envase;
una segunda pila de primeras interconexiones (390) en al menos una capa dieléctrica, la segunda pila de primeras interconexiones se configura para proporcionar otra trayectoria eléctrica para una segunda señal de referencia sin conexión a tierra, en la que la segunda pila de primeras interconexiones se ubica a lo largo de al menos un lateral del sustrato del envase;
una interconexión lateral (352) que se forma sobre al menos una porción lateral exterior de al menos una capa dieléctrica, en la que la interconexión lateral se configura para proporcionar una segunda trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra, en el que la interconexión lateral se configura para aislar al menos parcialmente la primera señal de referencia sin conexión a tierra que pasa a través de la primera pila de primeras interconexiones, de la segunda señal de referencia sin conexión a tierra que pasa a través de la segunda pila de primeras interconexiones, en el que el sustrato del envase incluye un conjunto de almohadillas (334) sobre un lateral de la placa de circuito impreso (PCB) del sustrato del envase, en el que una mayoría de las almohadillas del conjunto de almohadillas se configuran para proporcionar una pluralidad de trayectorias eléctricas para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra, el conjunto de almohadillas incluye todas las almohadillas que se ubican sobre el lateral de la PCB del sustrato del envase; y/o
en el que el sustrato del envase incluye un conjunto de almohadillas (332) sobre un lateral del molde del sustrato del envase, en el que una mayoría de las almohadillas del conjunto de almohadillas se configuran para proporcionar una pluralidad de trayectorias eléctricas para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra, el conjunto de almohadillas incluye todas las almohadillas que se ubican sobre el lateral del molde del sustrato del envase.
2. El envase de la reivindicación 1, en el que el sustrato del envase comprende además una pluralidad de primeras pilas de primeras interconexiones que incluye la primera pila de primeras interconexiones, la pluralidad de primeras pilas de primeras interconexiones que se ubican al menos parcialmente dentro de una periferia del sustrato del envase y opcionalmente en una de al menos una fila o una columna a lo largo de un lateral del sustrato del envase.
3. El envase de la reivindicación 1, en el que la primera pila de primeras interconexiones comprende una pila de vías.
4. El envase de la reivindicación 1, en el que el sustrato del envase comprende, además:
una capa protectora contra soldadura sobre al menos una capa dieléctrica; y
una superficie de interconexión sobre la capa protectora contra soldadura, en el que la superficie de interconexión se configura para proporcionar la segunda trayectoria eléctrica para la señal de referencia de conexión a tierra.
5. El envase de la reivindicación 4, en el que el sustrato del envase comprende además una segunda superficie de interconexión sobre la capa protectora contra soldadura, en el que la segunda superficie de interconexión se configura para proporcionar una tercera trayectoria eléctrica para una segunda señal de referencia de conexión a tierra.
6. El envase de la reivindicación 1, en el que la interconexión lateral está acoplada directamente a una interconexión en al menos una capa dieléctrica.
7. El envase de la reivindicación 1, en el que la interconexión lateral se ubica al menos parcialmente en al menos una capa dieléctrica.
8. El envase de la reivindicación 5, en el que el sustrato del envase comprende además al menos una tercera pila de segundas interconexiones que se ubica en al menos una capa dieléctrica, al menos una tercera pila de segundas interconexiones se configura para proporcionar la tercera trayectoria eléctrica para la señal de referencia de conexión a tierra, en el que al menos una tercera pila de segundas interconexiones se ubica al menos parcialmente dentro de una periferia del sustrato del envase, en el que al menos una tercera pila de segundas interconexiones está acoplada a la interconexión lateral.
9. Un envase que comprende:
un molde (304); y
un sustrato del envase (320) acoplado al molde, el sustrato del envase que comprende:
al menos una capa dieléctrica (320, 322, 324);
una capa protectora contra soldadura (340) sobre al menos una capa dieléctrica;
una primera pila de primeras interconexiones (380) en al menos una capa dieléctrica, la primera pila de primeras interconexiones se configura para proporcionar una primera trayectoria eléctrica para una señal de referencia sin conexión a tierra, en el que la primera pila de primeras interconexiones se ubica a lo largo de al menos un lateral del sustrato del envase;
una superficie de interconexión (350) que se forma sobre la capa protectora contra soldadura, en la que la superficie de interconexión se configura para proporcionar una segunda trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra,
en la que el sustrato del envase incluye un conjunto de almohadillas (334) sobre un lateral de la placa de circuito impreso (PCB) del sustrato del envase, en el que una mayoría de las almohadillas del conjunto de almohadillas se configuran para proporcionar una pluralidad de trayectorias eléctricas para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra, el conjunto de almohadillas incluye todas las almohadillas que se ubican sobre el lateral de la PCB del sustrato del envase; y/o
en el que el sustrato del envase incluye un conjunto de almohadillas (332) sobre un lateral del molde del sustrato del envase, en el que una mayoría de las almohadillas del conjunto de almohadillas se configuran para proporcionar una pluralidad de trayectorias eléctricas para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra, el conjunto de almohadillas incluye todas las almohadillas que se ubican sobre el lateral del molde del sustrato del envase.
10. El envase de la reivindicación 19 que comprende además al menos una segunda pila de segundas interconexiones que se ubican en al menos una capa dieléctrica, al menos una segunda pila de segundas interconexiones se configura para proporcionar la segunda trayectoria eléctrica para la señal de referencia de conexión a tierra, en la que la primera pila de primeras interconexiones y al menos una segunda pila de segundas interconexiones se ubican al menos parcialmente dentro de la periferia del sustrato del envase.
11. El envase de cualquiera de las reivindicaciones 4 o 10, en el que la superficie de interconexión es una interconexión con diseños que está diseñada para reflejar al menos parcialmente interconexiones de una de al menos una interconexión de nivel superior del sustrato del envase, al menos una interconexión del molde, un diseño de interconexión del sustrato del envase, y/o un diseño de interconexión del molde.
12. Un envase de cualquiera de las reivindicaciones 1 o 10, en el que el molde está acoplado al sustrato del envase a través de un conjunto de bolas de soldadura.
13. El dispositivo de la reivindicación 14, en el que una mayoría de las bolas de soldadura del conjunto de bolas de soldadura se configuran para proporcionar una pluralidad de trayectorias eléctricas para al menos una señal de referencia sin conexión a tierra, el conjunto de bolas de soldadura incluye todas las bolas de soldadura que acoplan el molde al sustrato del envase.
14. El dispositivo de la reivindicación 13, en el que el dispositivo está incorporado en un dispositivo electrónico seleccionado de un grupo que comprende un reproductor de música, un reproductor de video, una unidad de entretenimiento, un dispositivo de navegación, un dispositivo de comunicaciones, un dispositivo móvil, un teléfono móvil, un teléfono inteligente, un asistente digital personal, un terminal de ubicación fija, una tableta, un ordenador, un dispositivo portátil, un ordenador portátil, un servidor y/o un dispositivo en un vehículo automotor, y que incluye además el dispositivo electrónico.
15. Un procedimiento para fabricar un sustrato del envase, que comprende:
formar al menos una capa dieléctrica (320, 322, 324);
formar una primera trayectoria eléctrica para al menos una primera señal de referencia sin conexión a tierra, en la que formar la primera trayectoria eléctrica comprende formar una primera pila (380) de primeras interconexiones en al menos una capa dieléctrica de manera que la primera pila de primeras interconexiones se ubica a lo largo de al menos un lateral del sustrato del envase; formar otra trayectoria eléctrica para al menos una segunda señal de referencia sin conexión a tierra, en la que formar la segunda trayectoria eléctrica comprende formar una segunda pila (390) de primeras interconexiones en al menos una capa dieléctrica de manera que la segunda pila de primeras interconexiones se ubica a lo largo de al menos un lateral del sustrato del envase;
formar una segunda trayectoria eléctrica para una señal de referencia de conexión a tierra, en la que formar la segunda trayectoria eléctrica comprende formar una interconexión lateral (352) sobre al menos una porción lateral exterior de al menos una capa dieléctrica de manera que la interconexión lateral se configura para aislar al menos parcialmente la primera señal de referencia sin conexión a tierra que pasa
a través de la primera pila de primeras interconexiones, de la segunda señal de referencia sin conexión a tierra que pasa a través de la segunda pila de primeras interconexiones,
en la que formar la primera trayectoria eléctrica comprende además formar un conjunto de almohadillas (334) sobre un lateral de la placa de circuito impreso (PCB) del sustrato del envase de manera que el conjunto de almohadillas sobre el lateral de la PCB del sustrato del envase sea una mayoría de las almohadillas que se ubican en el lateral de la PCB del sustrato del envase; y/o
en la que formar la primera trayectoria eléctrica comprende además formar un conjunto de almohadillas (332) sobre un lateral del molde del sustrato del envase de manera que el conjunto de almohadillas sobre el lateral del molde del sustrato del envase sea una mayoría de las almohadillas que se ubican sobre el lateral del molde del sustrato del envase.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201562117835P | 2015-02-18 | 2015-02-18 | |
| US14/703,290 US9691694B2 (en) | 2015-02-18 | 2015-05-04 | Substrate comprising stacks of interconnects, interconnect on solder resist layer and interconnect on side portion of substrate |
| PCT/US2016/018345 WO2016134070A1 (en) | 2015-02-18 | 2016-02-17 | Substrate comprising stacks of interconnects, interconnect on solder resist layer and interconnect on side portion of substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2877771T3 true ES2877771T3 (es) | 2021-11-17 |
Family
ID=56622471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES16708549T Active ES2877771T3 (es) | 2015-02-18 | 2016-02-17 | Sustrato que comprende pilas de interconexiones, interconexión sobre la capa protectora contra soldadura e interconexión sobre la porción lateral del sustrato |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9691694B2 (es) |
| EP (1) | EP3259777B1 (es) |
| JP (1) | JP6980530B2 (es) |
| KR (1) | KR102428876B1 (es) |
| CN (1) | CN107251218A (es) |
| BR (1) | BR112017017604B1 (es) |
| ES (1) | ES2877771T3 (es) |
| SG (1) | SG11201705460VA (es) |
| WO (1) | WO2016134070A1 (es) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9980378B1 (en) * | 2017-03-10 | 2018-05-22 | Dell Products, Lp | Surface mount connector pad |
| US20180350630A1 (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | Qualcomm Incorporated | Symmetric embedded trace substrate |
| WO2019066943A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Intel Corporation | SEMICONDUCTOR HOUSINGS WITH INTEGRATED INTERCONNECTIONS |
| US10916494B2 (en) | 2019-01-02 | 2021-02-09 | Qualcomm Incorporated | Device comprising first solder interconnects aligned in a first direction and second solder interconnects aligned in a second direction |
| KR102199602B1 (ko) * | 2019-05-29 | 2021-01-07 | 주식회사 테토스 | 기판 회로 패턴 형성용 노광 장치 |
| KR102207602B1 (ko) * | 2019-05-29 | 2021-01-26 | 주식회사 테토스 | 기판 측면부 배선 형성 방법 |
| US11139224B2 (en) | 2019-12-05 | 2021-10-05 | Qualcomm Incorporated | Package comprising a substrate having a via wall configured as a shield |
| US11749611B2 (en) | 2021-02-01 | 2023-09-05 | Qualcomm Incorporated | Package with a substrate comprising periphery interconnects |
| CN113316330B (zh) * | 2021-05-25 | 2022-07-22 | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 | 基于多次层压的内埋合成网络基板叠层及设计方法 |
| US12057379B2 (en) * | 2021-09-03 | 2024-08-06 | Cisco Technology, Inc. | Optimized power delivery for multi-layer substrate |
| US12575448B2 (en) * | 2021-09-23 | 2026-03-10 | Intel Corporation | Integrated circuit packages with on package memory architectures |
| US20230124098A1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-04-20 | Intel Corporation | Semiconductor package with warpage control |
| US20250246531A1 (en) * | 2024-01-29 | 2025-07-31 | Qualcomm Incorporated | Integrated circuit (ic) package with die interconnects terminating at multiple metallization layers in a substrate to reduce spacing requirements between die interconnects |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2679681B2 (ja) | 1995-04-28 | 1997-11-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、半導体装置用パッケージ及びその製造方法 |
| JP2000196240A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Kyocera Corp | 積層回路基板 |
| US6384473B1 (en) | 2000-05-16 | 2002-05-07 | Sandia Corporation | Microelectronic device package with an integral window |
| US6388207B1 (en) | 2000-12-29 | 2002-05-14 | Intel Corporation | Electronic assembly with trench structures and methods of manufacture |
| US20030085055A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-08 | Skinner Harry G | Substrate design and process for reducing electromagnetic emission |
| US6780673B2 (en) | 2002-06-12 | 2004-08-24 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a semiconductor device package using a plate layer surrounding contact pads |
| KR100489820B1 (ko) | 2002-11-19 | 2005-05-16 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 다층기판 및 그 제조방법 |
| JP2004343098A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層プリント配線板、およびそれを用いた集積回路 |
| JP2005056961A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Ngk Spark Plug Co Ltd | インターポーザ |
| JP2005191411A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波集積回路装置 |
| US20050212132A1 (en) | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Min-Chih Hsuan | Chip package and process thereof |
| US7312529B2 (en) * | 2005-07-05 | 2007-12-25 | International Business Machines Corporation | Structure and method for producing multiple size interconnections |
| US7569422B2 (en) * | 2006-08-11 | 2009-08-04 | Megica Corporation | Chip package and method for fabricating the same |
| US7425758B2 (en) | 2006-08-28 | 2008-09-16 | Micron Technology, Inc. | Metal core foldover package structures |
| US7830004B2 (en) * | 2006-10-27 | 2010-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Packaging with base layers comprising alloy 42 |
| JP4734282B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2011-07-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体チップおよび半導体装置 |
| JP2009130085A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Nec Corp | 半導体パッケージ |
| US7838395B2 (en) | 2007-12-06 | 2010-11-23 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor wafer level interconnect package utilizing conductive ring and pad for separate voltage supplies and method of making the same |
| CN102144289B (zh) * | 2008-09-05 | 2015-08-05 | 三菱电机株式会社 | 高频电路封装件及传感器模块 |
| US8901724B2 (en) * | 2009-12-29 | 2014-12-02 | Intel Corporation | Semiconductor package with embedded die and its methods of fabrication |
| JPWO2011111300A1 (ja) | 2010-03-09 | 2013-06-27 | パナソニック株式会社 | 側面に電極を有する半導体パッケージおよび半導体装置 |
| JP5891585B2 (ja) * | 2011-01-24 | 2016-03-23 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置及び配線基板 |
| US8937389B2 (en) * | 2012-08-07 | 2015-01-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices comprising GSG interconnect structures |
-
2015
- 2015-05-04 US US14/703,290 patent/US9691694B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-17 EP EP16708549.7A patent/EP3259777B1/en active Active
- 2016-02-17 BR BR112017017604-1A patent/BR112017017604B1/pt active IP Right Grant
- 2016-02-17 WO PCT/US2016/018345 patent/WO2016134070A1/en not_active Ceased
- 2016-02-17 SG SG11201705460VA patent/SG11201705460VA/en unknown
- 2016-02-17 CN CN201680010609.4A patent/CN107251218A/zh active Pending
- 2016-02-17 KR KR1020177022856A patent/KR102428876B1/ko active Active
- 2016-02-17 ES ES16708549T patent/ES2877771T3/es active Active
- 2016-02-17 JP JP2017542844A patent/JP6980530B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3259777B1 (en) | 2021-04-28 |
| KR102428876B1 (ko) | 2022-08-02 |
| US20160240463A1 (en) | 2016-08-18 |
| BR112017017604A2 (en) | 2018-05-08 |
| SG11201705460VA (en) | 2017-09-28 |
| CN107251218A (zh) | 2017-10-13 |
| US9691694B2 (en) | 2017-06-27 |
| JP6980530B2 (ja) | 2021-12-15 |
| BR112017017604B1 (pt) | 2022-12-06 |
| KR20170118084A (ko) | 2017-10-24 |
| EP3259777A1 (en) | 2017-12-27 |
| WO2016134070A1 (en) | 2016-08-25 |
| JP2018511165A (ja) | 2018-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2877771T3 (es) | Sustrato que comprende pilas de interconexiones, interconexión sobre la capa protectora contra soldadura e interconexión sobre la porción lateral del sustrato | |
| CN107078101B (zh) | 在封装层中包括硅桥接的集成器件封装 | |
| KR102541861B1 (ko) | 리소-에칭가능 층에 브리지를 포함하는 통합 디바이스 패키지 | |
| US9496213B2 (en) | Integrated device package comprising a magnetic core inductor with protective ring embedded in a package substrate | |
| US20160141234A1 (en) | Integrated device package comprising silicon bridge in photo imageable layer | |
| KR101971195B1 (ko) | 패키지 기판 내에 임베딩된 인덕터 | |
| HK1243825A1 (en) | Integrated device package comprising a magnetic core inductor with protective ring embedded in a package substrate | |
| BR112016018580B1 (pt) | Dispositivo integrado compreendendo matrizes empilhadas nas camadas de redistribuição | |
| BR112018001783B1 (pt) | Estrutura de pacote sobre pacote (pop) incluindo várias matrizes | |
| CN107112310B (zh) | 包括高性能封装间连接的层叠封装(pop)器件 | |
| BR112018016132B1 (pt) | Dispositivo integrado e método para fabricação de um dispositivo integrado | |
| HK1242840A1 (en) | Substrate comprising stacks of interconnects, interconnect on solder resist layer and interconnect on side portion of substrate |