ES2660213T3 - Propulsor de plasma de efecto Hall - Google Patents
Propulsor de plasma de efecto Hall Download PDFInfo
- Publication number
- ES2660213T3 ES2660213T3 ES10728782.3T ES10728782T ES2660213T3 ES 2660213 T3 ES2660213 T3 ES 2660213T3 ES 10728782 T ES10728782 T ES 10728782T ES 2660213 T3 ES2660213 T3 ES 2660213T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- conductive
- semiconductor
- plasma
- channel
- rings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F03—MACHINES OR ENGINES FOR LIQUIDS; WIND, SPRING, OR WEIGHT MOTORS; PRODUCING MECHANICAL POWER OR A REACTIVE PROPULSIVE THRUST, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F03H—PRODUCING A REACTIVE PROPULSIVE THRUST, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F03H1/00—Using plasma to produce a reactive propulsive thrust
- F03H1/0037—Electrostatic ion thrusters
- F03H1/0062—Electrostatic ion thrusters grid-less with an applied magnetic field
- F03H1/0075—Electrostatic ion thrusters grid-less with an applied magnetic field with an annular channel; Hall-effect thrusters with closed electron drift
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F03—MACHINES OR ENGINES FOR LIQUIDS; WIND, SPRING, OR WEIGHT MOTORS; PRODUCING MECHANICAL POWER OR A REACTIVE PROPULSIVE THRUST, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F03H—PRODUCING A REACTIVE PROPULSIVE THRUST, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F03H1/00—Using plasma to produce a reactive propulsive thrust
- F03H1/0037—Electrostatic ion thrusters
- F03H1/0062—Electrostatic ion thrusters grid-less with an applied magnetic field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
- H01J27/14—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
- H01J27/143—Hall-effect ion sources with closed electron drift
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/54—Plasma accelerators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Propulsor de plasma de efecto Hall que comprende un canal anular principal de ionización y de aceleración (120) que presenta un extremo aguas abajo abierto (129) y que incluye porciones de paredes anulares interna (127) y externa (128) que, situadas en las proximidades de dicho extremo abierto (129), comprenden sendos ensambles de anillos conductores o semiconductores (150), al menos un cátodo (140), un ánodo anular (125) concéntrico con el canal anular principal (120), una canalización (126) y un distribuidor para alimentar con gas ionizable el canal (120) y un circuito magnético (131 a 136) de creación de un campo magnético dentro de dicho canal anular principal (120), caracterizado por que, dentro del canal anular principal (120), dichas porciones de paredes anulares interna (127) y externa (128) situadas en las proximidades de dicho extremo abierto (129) comprenden sendos ensambles de anillos conductores o semiconductores (150) yuxtapuestos en forma de laminillas separadas por capas finas de aislante (152) cuyo espesor está comprendido entre el 4 y el 12 % del de dichos anillos conductores o semiconductores (150).
Description
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
DESCRIPCION
Propulsor de plasma de efecto Hall Campo de la invención
La presente invención tiene por objeto un propulsor de plasma de efecto Hall que comprende un canal anular principal de ionización y de aceleración que presenta un extremo aguas abajo abierto, al menos un cátodo, un ánodo anular concéntrico con el canal anular principal, una canalización y un distribuidor para alimentar con gas ionizable el canal y un circuito magnético de creación de un campo magnético dentro de dicho canal anular principal.
En particular, la invención se refiere a los propulsores de plasma de efecto Hall puestos en práctica para la propulsión eléctrica de satélites.
Técnica anterior
La vida útil de los propulsores de plasma de efecto Hall viene determinada esencialmente por la erosión del canal aislante de cerámica por efecto del bombardeo de los iones. En efecto, por motivo de la topografía del potencial eléctrico dentro del canal, una parte de los iones creados se ve acelerada radialmente hacia las paredes.
El alargamiento de las misiones de los satélites de comunicaciones y el incremento de las velocidades de eyección de plasma requeridas (en particular, para los propulsores llamados de gran impulso específico) imponen vidas útiles cada más largas que las cerámicas convencionales basadas en nitruro de boro ya no pueden cumplir.
La gran resistencia frente al bombardeo iónico de ciertos materiales eléctricamente conductores o semiconductores tales como el grafito hacen de ellos, teóricamente, candidatos idóneos para el canal de descarga de los propulsores de efecto Hall.
La idea de emplear materiales conductores, y en particular el grafito, fue estudiada en Estados Unidos por Y. Raitses et al. (Universidad de Princeton). Estos estudios han destacado lo ventajoso del grafito en cuanto a vida útil, pero no han tratado de solucionar el problema de bajada de rendimiento ligado a la entrada en cortocircuito del plasma.
Los escasos rendimientos observados con los materiales conductores han impedido hasta la fecha la generalización de su empleo en la construcción de canales de aceleración de propulsores de plasma.
De este modo, actualmente, los canales de descarga de los propulsores de efecto Hall se constituyen a partir de cerámica aislante homogénea, las más de las veces basada en nitruro de boro y en sílice (materiales BN-SIO2). Las cerámicas basadas en nitruro de boro permiten que los propulsores de efecto Hall alcancen elevadas prestaciones en cuanto a rendimiento, pero presentan altos índices de erosión bajo bombardeo iónico que limitan la vida útil de los propulsores a aproximadamente 10 000 horas, así como su funcionamiento a impulsos específicos más altos.
El documento US 2002/008455 A1 describe un ejemplo de propulsor de plasma de efecto Hall.
Definición y objeto de la invención
La presente invención tiene como propósito subsanar los citados inconvenientes y, en particular, incrementar la vida útil de los propulsores de plasma de efecto Hall, al propio tiempo que permite un elevado rendimiento energético.
Estos propósitos se consiguen, de conformidad con la invención, gracias a un propulsor de plasma de efecto Hall que comprende un canal anular principal de ionización y de aceleración que presenta un extremo aguas abajo abierto, al menos un cátodo, un ánodo anular concéntrico con el canal anular principal, una canalización y un distribuidor para alimentar con gas ionizable el canal y un circuito magnético de creación de un campo magnético dentro de dicho canal anular principal, caracterizado por que el canal anular principal comprende porciones de paredes anulares interna y externa situadas en las proximidades de dicho extremo abierto que comprenden sendos ensambles de anillos conductores o semiconductores yuxtapuestos en forma de laminillas separados por capas finas de aislante.
Ventajosamente, cada anillo conductor o semiconductor está dividido en segmentos dispuestos según sectores angulares y aislados entre sí.
Preferentemente, los segmentos de cada anillo conductor o semiconductor están dispuestos al tresbolillo con respecto a los segmentos de los anillos conductores o semiconductores vecinos.
De acuerdo con una característica preferente de la invención, las capas finas de aislante están dispuestas sobre todas las caras de un anillo conductor o semiconductor, a excepción de la cara que define una parte de la pared interna del canal anular principal.
El ensamble de anillos conductores o semiconductores puede abarcar una longitud de las paredes anulares interna y externa inferior a la longitud total del canal anular principal.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
De acuerdo con una forma de realización particular, los anillos conductores o semiconductores son de grafito, mientras que las capas finas de aislante son de material dieléctrico, y en particular de nitruro de boro pirolítico.
El espesor de los anillos conductores o semiconductores es del orden del radio de Larmor electrónico.
Su espesor máximo a se estima mediante la siguiente expresión: a < — r, donde r es el radio de Larmor de los
( Ez ^
electrones, así como una condición que determina el ángulo de corte acimutal: R a < 5abs\ — \.r con:
° Ez, Et: campo eléctrico a lo largo del eje y del acimut,
° R: radio de borde de la porción de anillo en contacto con el plasma,
° a: ángulo de la porción de anillo.
De acuerdo con un ejemplo de realización, los anillos conductores o semiconductores presentan un espesor comprendido entre 0,7 y 0,9 mm, en tanto que las capas finas de aislante presentan un espesor comprendido entre 0,04 y 0,08 mm.
De acuerdo con la invención, un canal de descarga seudoaislante está realizado a partir de un apilamiento de anillos o de porciones de anillos hechos de un material conductor o semiconductor y recubiertos con una capa fina de cerámica aislante.
Esto permite un incremento de la vida útil del propulsor en un factor de 3 a 4 sin pérdida posible de rendimiento, en cuanto la estructura permite beneficiarse de las ventajas de bajo índice de erosión de los materiales conductores sin padecer sus inconvenientes, y el canal puede comportarse como un aislante eléctrico frente al plasma con una limitación al máximo de las corrientes electrónicas creadas dentro del canal de descarga.
Así, la invención optimiza la estructura de los canales de descarga de los propulsores de plasma de efecto Hall poniendo en práctica una partición de paredes conductoras o semiconductoras en segmentos aislados de escasas dimensiones que redunda en una gran disminución de la corriente de cortocircuito, que evita una pérdida sensible de rendimiento.
La propulsión de los satélites de telecomunicaciones lleva aparejadas grandes implicaciones económicas, y las mejoras que pueden ser introducidas en las fuentes de plasma de efecto Hall -actualmente reconocidas como las más eficientes para el mantenimiento en posición- revisten un gran interés. La presente invención atiende directamente a la tendencia al incremento de las duraciones de misiones que se demandan a los satélites geoestacionarios, mejorando la duración útil de los propulsores de plasma de efecto Hall.
Asimismo, la presente invención permite hacer funcionar propulsores con impulsos específicos (Isp) más elevados, al propio tiempo que conserva una vida útil significativa. Por lo tanto, puede proveer de una considerable ventaja competitiva de la propulsión mediante propulsor de plasma de efecto Hall.
Breve descripción de los dibujos
Otras características y ventajas de la invención se desprenderán de la siguiente descripción de formas particulares de realización, dadas a título de ejemplo, con referencia a los dibujos que se acompañan, en los cuales:
la figura 1 es una vista esquemática en perspectiva seccionada de un propulsor de plasma de efecto Hall en el que tiene aplicación la invención,
la figura 2 es una vista en perspectiva de un cuarto de un canal de descarga con estructura laminada según un ejemplo de realización de la invención,
la figura 3 muestra una variante propuesta y es una vista en perspectiva del conjunto de la estructura laminada de un canal de descarga de un propulsor de plasma de efecto Hall según la invención,
la figura 3A muestra una variante propuesta y es un detalle ampliado de un segmento de material conductor o semiconductor recubierto de depósitos aislantes utilizado en la estructura laminada de la figura 3, y
la figura 3B es una sección por la línea INB-INB de la figura 3A.
Descripción detallada de formas preferentes de realización
Se ve en la figura 1 un ejemplo de propulsor de plasma de efecto Hall, también denominado propulsor de plasma estacionario (PPE), en el cual tiene aplicación la invención y que puede ser llevado a la práctica especialmente para
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
la propulsión eléctrica de satélites.
Tal tipo de propulsor de efecto Hall comprende los siguientes elementos principales:
- un canal de descarga o canal anular principal de ionización y de aceleración 120,
- un ánodo anular 125 concéntrico con el canal anular principal 120,
- una canalización 126 y un distribuidor asociado al ánodo 125 y al canal anular principal 120 para alimentar el mismo con un gas ionizable tal como el xenón,
- un cátodo hueco 140,
- un circuito magnético 131 a 136 de creación de un campo magnético dentro del canal anular principal.
El ánodo 125 y el distribuidor de gas ionizable permiten inyectar el combustible (tal como el xenón) en el propulsor y recoger los electrones de la descarga de plasma.
El cátodo hueco 140 tiene como función generar los electrones que permiten la creación de un plasma en el propulsor, así como la neutralización del chorro de iones eyectados por el propulsor.
El circuito magnético comprende un polo interno 134, un polo externo 136, una culata magnética que une los polos interno 134 y externo 136, con un núcleo ferromagnético 133 y varillas ferromagnéticas periféricas 135, una o varias bobinas 131 dispuestas alrededor del núcleo central 133 y bobinas 132 dispuestas alrededor de las varillas periféricas 135.
El circuito magnético permite el confinamiento del plasma y la creación de un fuerte campo magnético E a la salida del propulsor, que permite la aceleración de los iones a velocidades del orden de hasta 20 km/s.
Son posibles diferentes variantes para la realización del circuito magnético, y la presente invención no queda limitada a la forma de realización descrita en la figura 1.
El canal de descarga 120 permite el confinamiento del plasma, y su composición determina las prestaciones del propulsor.
Tradicionalmente, el canal de descarga 120 es de cerámica. El empuje del motor recae en la eyección de un chorro de iones a alta velocidad. Ahora bien, al ser este chorro ligeramente divergente, la colisión de los iones de alta energía con la pared del canal conduce a una erosión de la cerámica a la salida del propulsor.
Por este motivo, de conformidad con la invención, el canal de descarga 120 comprende al menos una porción 127 de la pared anular interna y al menos una porción 128 de la pared anular externa, situadas en las proximidades del extremo abierto 129 del canal, que no están realizadas en cerámica maciza, sino que comprenden sendos ensambles de anillos conductores o semiconductores 150 yuxtapuestos en forma de laminillas separadas por capas finas de aislante 152 (véase la figura 2).
La invención tiene como propósito reducir de manera significativa la erosión del canal de descarga del propulsor. Asimismo, permite reducir las pérdidas energéticas y las inestabilidades de descarga que suelen afectar a los propulsores de efecto Hall que utilizan un canal de descarga de material eléctricamente conductor o semiconductor. Al propio tiempo que utiliza materiales tales como el grafito y los carburos, más resistentes que las cerámicas frente al bombardeo iónico, merced a un ensamble de anillos conductores o semiconductores (por ejemplo, de grafito) separados por capas finas de aislante (por ejemplo, de nitruro de boro), la invención permite a la vez reducir la erosión del canal y disminuir las inestabilidades de descarga.
Así, el canal de descarga 120 de un propulsor de plasma según la invención puede comprender a la vez una parte aguas arriba tradicional de cerámica con una pared de fondo 123 y paredes cilíndricas externa 121 e interna 122 y una parte aguas abajo que, situada entre la parte aguas arriba y la abertura 129, comprende paredes cilíndricas externa 128 e interna 127 con una estructura laminada compuesta a partir de anillos conductores o semiconductores 150 yuxtapuestos, que están aislados por capas finas de aislante 152, pero presentan una cara 151 no recubierta de aislante por el lado interno dirigido hacia el espacio interior 124 del canal anular 120.
Con objeto de eliminar las ocasionales corrientes de cortocircuito acimutales inducidas por variaciones de potencial a lo largo del acimut (defectos de simetría, ondas acimutales, ...), de manera preferente, se procede además a un posicionamiento de los anillos 150 en varias secciones angulares aisladas que se extienden en sendos sectores angulares A9 (figuras 3 y 3A). Así, se puede ver, por ejemplo, entre 10 y 30 segmentos 150a, 150b en cada anillo 150.
Ventajosamente, los segmentos 150a de un anillo conductor o semiconductor 150 están dispuestos al tresbolillo con respecto a los segmentos 150b de los anillos vecinos 150 (fig. 3).
5
10
15
20
25
Tal como puede verse en la figura 3A, las capas finas de aislante 152, 153, 154, 155 están dispuestas sobre todas las caras de un segmento de un anillo conductor o semiconductor 150, a excepción de la cara 151 que define una parte de la pared interna del canal anular principal 120.
A título de ejemplo, el ensamble de anillos conductores 150 abarca una longitud de las paredes anulares interna y externa comprendida entre el 20 y el 50 %, y preferentemente entre el 30 y el 40 % de la longitud total del canal anular principal 120, aunque este margen de valores no es limitativo.
El dimensionamiento de los anillos conductores o semiconductores 150 se puede establecer a partir del cálculo de las corrientes electrónicas recibidas y emitidas por las paredes. En primera aproximación, se puede mostrar que la corriente de cortocircuito que circula por las paredes es proporcional a la corriente iónica recogida que, a temperatura electrónica y densidad de plasma constantes, es aproximadamente proporcional a la superficie conductora en contacto con el plasma.
Por otro lado, para un campo eléctrico axial dado, la diferencia de potencial acusada por un elemento conductor es aproximadamente proporcional a su extensión axial. Como consecuencia de ello, para un canal de tamaño dado, el conjunto de las pérdidas por efecto Joule por cortocircuito del plasma es aproximadamente proporcional al espesor de los anillos. Asimismo, se puede mostrar que la corriente de cortocircuito se hace despreciable ante las corrientes ligadas a la emisión electrónica secundaria (que son las únicas que existen en el caso de un aislante) cuando el espesor de los anillos es del orden del radio de Larmor electrónico. Esto define el espesor crítico de los anillos que permite obtener un canal seudoaislante.
A título de ejemplo, los anillos conductores 150, por ejemplo de grafito con bajo coeficiente de dilatación, pueden presentar un espesor comprendido entre 0,7 y 0,9 mm y típicamente de 0,8 mm.
Las capas finas de aislante 152 a 155, por ejemplo de nitruro de boro pirolítico, pueden presentar un espesor comprendido entre 0,04 y 0,08 mm, típicamente 0,05 mm, y se pueden depositar sobre los segmentos de anillos conductores 150 mediante un procedimiento de deposición química en fase vapor, en orden a recubrir cada segmento de anillo en toda su superficie, exceptuando en el borde 151 en contacto con el plasma.
Claims (11)
- 5101520253035REIVINDICACIONES1. Propulsor de plasma de efecto Hall que comprende un canal anular principal de ionización y de aceleración (120) que presenta un extremo aguas abajo abierto (129) y que incluye porciones de paredes anulares interna (127) y externa (128) que, situadas en las proximidades de dicho extremo abierto (129), comprenden sendos ensambles de anillos conductores o semiconductores (150), al menos un cátodo (140), un ánodo anular (125) concéntrico con el canal anular principal (120), una canalización (126) y un distribuidor para alimentar con gas ionizable el canal (120) y un circuito magnético (131 a 136) de creación de un campo magnético dentro de dicho canal anular principal (120),caracterizado por que, dentro del canal anular principal (120), dichas porciones de paredes anulares interna (127) y externa (128) situadas en las proximidades de dicho extremo abierto (129) comprenden sendos ensambles de anillos conductores o semiconductores (150) yuxtapuestos en forma de laminillas separadas por capas finas de aislante (152) cuyo espesor está comprendido entre el 4 y el 12% del de dichos anillos conductores o semiconductores (150).
- 2. Propulsor de plasma según la reivindicación 1, caracterizado por que cada anillo conductor o semiconductor (150) está dividido en segmentos dispuestos según sectores angulares y aislados entre sí.
- 3. Propulsor de plasma según la reivindicación 2, caracterizado por que los segmentos de cada anillo conductor o semiconductor (150) están dispuestos al tresbolillo con respecto a los segmentos de los anillos conductores o semiconductores (150) vecinos.
- 4. Propulsor de plasma según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado por que las capas finas de aislante están dispuestas sobre todas las caras de un anillo conductor o semiconductor (150), a excepción de la cara (151) que define una parte de la pared interna del canal anular principal (120).
- 5. Propulsor de plasma según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado por que el ensamble de anillos conductores (150) abarca una longitud de las paredes anulares interna (127) y externa (128) comprendida entre el 20 y el 50 % de la longitud total del canal anular principal (120).
- 6. Propulsor de plasma según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5, caracterizado por que los anillos conductores o semiconductores (150) son de grafito.
- 7. Propulsor de plasma según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 6, caracterizado por que las capas finas de aislante (152) son de nitruro de boro pirolítico.
- 8. Propulsor de plasma según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7, caracterizado por que el espesor de los anillos conductores o semiconductores (150) es del orden del radio de Larmor electrónico.
- 9. Propulsor de plasma según la reivindicación 6, caracterizado por que los anillos conductores o semiconductores (150) presentan un espesor comprendido entre 0,7 y 0,9 mm.
- 10. Propulsor de plasma según las reivindicaciones 4 y 7, caracterizado por que las capas finas de aislante (152) presentan un espesor comprendido entre 0,04 y 0,08 mm.
- 11. Propulsor de plasma según las reivindicaciones 4 y 7, caracterizado por que las capas finas de aislante (152) se depositan sobre los segmentos de anillos conductores o semiconductores (150) mediante un procedimiento de deposición química en fase vapor, en orden a recubrir cada segmento de anillo en toda su superficie, exceptuando en la cara (151) en contacto con el plasma que define una parte de la pared interna del canal anular principal (120).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0953370A FR2945842B1 (fr) | 2009-05-20 | 2009-05-20 | Propulseur a plasma a effet hall. |
| FR0953370 | 2009-05-20 | ||
| PCT/FR2010/050963 WO2010133802A1 (fr) | 2009-05-20 | 2010-05-19 | Propulseur a plasma a effet hall |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2660213T3 true ES2660213T3 (es) | 2018-03-21 |
Family
ID=41435261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES10728782.3T Active ES2660213T3 (es) | 2009-05-20 | 2010-05-19 | Propulsor de plasma de efecto Hall |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9127654B2 (es) |
| EP (1) | EP2433002B1 (es) |
| CN (1) | CN102439305A (es) |
| ES (1) | ES2660213T3 (es) |
| FR (1) | FR2945842B1 (es) |
| RU (1) | RU2527267C2 (es) |
| WO (1) | WO2010133802A1 (es) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2950115B1 (fr) * | 2009-09-17 | 2012-11-16 | Snecma | Propulseur plasmique a effet hall |
| US20130026917A1 (en) * | 2011-07-29 | 2013-01-31 | Walker Mitchell L R | Ion focusing in a hall effect thruster |
| US9453502B2 (en) * | 2012-02-15 | 2016-09-27 | California Institute Of Technology | Metallic wall hall thrusters |
| US9038364B2 (en) | 2012-10-18 | 2015-05-26 | The Boeing Company | Thruster grid clear circuits and methods to clear thruster grids |
| US10082133B2 (en) | 2013-02-15 | 2018-09-25 | California Institute Of Technology | Hall thruster with magnetic discharge chamber and conductive coating |
| US9260204B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-02-16 | The Aerospace Corporation | Kinetic energy storage and transfer (KEST) space launch system |
| US10696425B2 (en) | 2013-08-09 | 2020-06-30 | The Aerospace Corporation | System for imparting linear momentum transfer for higher orbital insertion |
| CN103945632B (zh) * | 2014-05-12 | 2016-05-18 | 哈尔滨工业大学 | 角向速度连续可调的等离子体射流源及该射流源的使用方法 |
| FR3038663B1 (fr) * | 2015-07-08 | 2019-09-13 | Safran Aircraft Engines | Propulseur a effet hall exploitable en haute altitude |
| CN105003409A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-10-28 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种霍尔推力器的阴极中心布局 |
| US10428806B2 (en) * | 2016-01-22 | 2019-10-01 | The Boeing Company | Structural Propellant for ion rockets (SPIR) |
| CN105736271B (zh) * | 2016-02-16 | 2018-05-08 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种小口径霍尔推力器 |
| CN105756875B (zh) * | 2016-05-12 | 2018-06-19 | 哈尔滨工业大学 | 电离加速一体化空间碎片等离子体推进器 |
| US10850871B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-12-01 | Northrop Grumman Innovation Systems, Inc. | Electrostatic discharge mitigation for a first spacecraft operating in proximity to a second spacecraft |
| CN109707583A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-05-03 | 李超 | 脉冲式冲量循环发动机 |
| CN111156140B (zh) * | 2018-11-07 | 2021-06-15 | 哈尔滨工业大学 | 可提高推力分辨率和工质利用率的会切场等离子体推力器 |
| CN110594114B (zh) * | 2019-09-04 | 2020-05-29 | 北京航空航天大学 | 双极多模式微阴极弧推力器 |
| CN110594115B (zh) * | 2019-10-17 | 2020-12-11 | 大连理工大学 | 一种无放电阴极的环型离子推力器 |
| CN113357113B (zh) * | 2021-07-02 | 2022-08-26 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种空间电推力器供气绝缘一体化结构 |
| CN114412739A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-04-29 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种大功率霍尔推力器磁路组件 |
| CN115711208B (zh) * | 2022-11-22 | 2023-07-28 | 哈尔滨工业大学 | 一种适合高比冲后加载霍尔推力器的供气结构 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5892329A (en) * | 1997-05-23 | 1999-04-06 | International Space Technology, Inc. | Plasma accelerator with closed electron drift and conductive inserts |
| US6777862B2 (en) * | 2000-04-14 | 2004-08-17 | General Plasma Technologies Llc | Segmented electrode hall thruster with reduced plume |
| DE10130464B4 (de) * | 2001-06-23 | 2010-09-16 | Thales Electron Devices Gmbh | Plasmabeschleuniger-Anordnung |
| FR2842261A1 (fr) * | 2002-07-09 | 2004-01-16 | Centre Nat Etd Spatiales | Propulseur plasmique a effet hall |
-
2009
- 2009-05-20 FR FR0953370A patent/FR2945842B1/fr active Active
-
2010
- 2010-05-19 US US13/321,292 patent/US9127654B2/en active Active
- 2010-05-19 RU RU2011149159/06A patent/RU2527267C2/ru active
- 2010-05-19 CN CN2010800219907A patent/CN102439305A/zh active Pending
- 2010-05-19 ES ES10728782.3T patent/ES2660213T3/es active Active
- 2010-05-19 WO PCT/FR2010/050963 patent/WO2010133802A1/fr active Application Filing
- 2010-05-19 EP EP10728782.3A patent/EP2433002B1/fr active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2945842B1 (fr) | 2011-07-01 |
| EP2433002B1 (fr) | 2018-01-03 |
| WO2010133802A1 (fr) | 2010-11-25 |
| RU2011149159A (ru) | 2013-06-27 |
| RU2527267C2 (ru) | 2014-08-27 |
| FR2945842A1 (fr) | 2010-11-26 |
| US9127654B2 (en) | 2015-09-08 |
| US20120117938A1 (en) | 2012-05-17 |
| EP2433002A1 (fr) | 2012-03-28 |
| CN102439305A (zh) | 2012-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2660213T3 (es) | Propulsor de plasma de efecto Hall | |
| US6777862B2 (en) | Segmented electrode hall thruster with reduced plume | |
| JP2651980B2 (ja) | クローズド電子ドリフトを備えたプラズマ加速器 | |
| CN106246487B (zh) | 一种利用附加电磁场能量转化的磁等离子体推力器 | |
| JP3083561B2 (ja) | 閉鎖電子ドリフトを持つプラズマ加速器 | |
| CN110439770B (zh) | 深度集成空心阴极的阳极层霍尔推力器 | |
| US5838120A (en) | Accelerator with closed electron drift | |
| US7624566B1 (en) | Magnetic circuit for hall effect plasma accelerator | |
| JP6645987B2 (ja) | 宇宙機のためのエンジンと、上記エンジンを備える宇宙機 | |
| JP6935284B2 (ja) | ホールスラスタ | |
| JPH08500699A (ja) | 閉鎖電子ドリフトを持つ長さの短いプラズマ加速器 | |
| UA103233C2 (uk) | Плазмовий пальник з бічним інжектором | |
| RU2509918C2 (ru) | Двигатель с замкнутым дрейфом электронов | |
| EP0541309B1 (en) | Plasma accelerator with closed electron drift | |
| US8944385B2 (en) | Device for reducing the impact on a surface section by positively charged ions, and ion accelelerator arrangement | |
| CN115681052B (zh) | 霍尔推力器、具有其的设备及其使用方法 | |
| US9447779B2 (en) | Low-power hall thruster | |
| CN105179191B (zh) | 一种离子推力器四极环形永磁体环切场磁路结构 | |
| RU2319040C2 (ru) | Плазменный реактивный двигатель с гальваномагнитным эффектом холла | |
| JP2004169606A (ja) | ホローカソード | |
| JP2010539373A (ja) | 高電圧絶縁装置および、当該高電圧絶縁装置を備えたイオン加速装置 | |
| JP2005163785A (ja) | マルチチャンネルホール効果スラスタ | |
| US20240233982A1 (en) | Insulation covered conductive wire | |
| TWI524448B (zh) | 電漿抑制器嵌入件 | |
| US3586890A (en) | Thermoelectric machines |