ES2599370T3 - Método para fabricar una estructura que comprende etapas de recubrimiento y dispositivo correspondiente - Google Patents

Método para fabricar una estructura que comprende etapas de recubrimiento y dispositivo correspondiente Download PDF

Info

Publication number
ES2599370T3
ES2599370T3 ES11749217.3T ES11749217T ES2599370T3 ES 2599370 T3 ES2599370 T3 ES 2599370T3 ES 11749217 T ES11749217 T ES 11749217T ES 2599370 T3 ES2599370 T3 ES 2599370T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
conductive layer
face
substrate
photovoltaic
semiconductor material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES11749217.3T
Other languages
English (en)
Inventor
Alexander John Topping
Peter Drysdale LANE
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BIG SOLAR Ltd
Original Assignee
BIG SOLAR Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BIG SOLAR Ltd filed Critical BIG SOLAR Ltd
Application granted granted Critical
Publication of ES2599370T3 publication Critical patent/ES2599370T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/01—Manufacture or treatment
    • H10D64/012—Manufacture or treatment of electrodes comprising a Schottky barrier to a semiconductor
    • H10D64/0121—Manufacture or treatment of electrodes comprising a Schottky barrier to a semiconductor to Group IV semiconductors
    • H10D64/0122—Manufacture or treatment of electrodes comprising a Schottky barrier to a semiconductor to Group IV semiconductors to diamond, semiconducting diamond-like carbon or graphene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/147—Shapes of bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/78—Shapes other than plane or cylindrical, e.g. helical
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/01—Manufacture or treatment
    • H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H10D64/0111—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors
    • H10D64/0114—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors to diamond, semiconducting diamond-like carbon or graphene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/01—Manufacture or treatment
    • H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H10D64/0111—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors
    • H10D64/0115—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors to silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/01—Manufacture or treatment
    • H10D8/051—Manufacture or treatment of Schottky diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
    • H10F19/904—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells characterised by the shapes of the structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/143—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies comprising quantum structures
    • H10F77/1433—Quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/148—Shapes of potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1694—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including Group I-III-VI materials, e.g. CIS or CIGS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1696—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including Group II-VI materials, e.g. CdTe or CdS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H10F77/488—Reflecting light-concentrating means, e.g. parabolic mirrors or concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/707—Surface textures, e.g. pyramid structures of the substrates or of layers on substrates, e.g. textured ITO layer on a glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/821—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/82—Electrodes
    • H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
    • H10N70/023—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by chemical vapor deposition, e.g. MOCVD, ALD
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
    • H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/722—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between stacked chips
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

Un método para producir una estructura que comprende un sustrato (11) que tiene al menos una primera cara integral con un primer ángulo con respecto a una normal del sustrato (11), al menos una segunda cara integral con un segundo ángulo con respecto a una normal del sustrato (11), y una cavidad en la estructura entre la primera y segunda cara; el método que comprende las etapas de: recubrir la primera cara con una primera capa conductora (15); recubrir la segunda cara con una segunda capa conductora (18); en donde la primera capa conductora y la segunda capa conductora comprenden materiales diferentes; y el método comprende, además, la etapa para depositar en la cavidad un material semiconductor activo fotovoltaico (31) para proporcionar los contactos óhmico y de rectificación respectivamente, para la inserción o extracción de la carga a partir del material semiconductor activo fotovoltaico por medio de la primera y segunda capa conductora (15, 18) en donde el material semiconductor activo fotovoltaico llena el espacio entre la primera y segunda capa conductora.

Description

5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
DESCRIPCION
Metodo para fabricar una estructura que comprende etapas de recubrimiento y dispositivo correspondiente Campo Tecnico
Esta invencion se refiere a un metodo de recubrimiento y a los productos producidos a partir del mismo.
Tecnica anterior
Se conoce que en la fabricacion de dispositivos tales como las celdas solares fotovoltaicas y los dispositivos organicos de emision de luz ('OLED') de una construccion en sandwich plana tfpica que incluye un conductor transparente; un material activo y un conductor trasero, cualquier defecto en la estructura afectara gravemente el rendimiento general de ese dispositivo. Esto conduce a procedimientos de fabricacion que necesitan restringirse a areas limpias y muy limpias y para procesos de recubrimiento que en sf mismos se definen altamente en terminos de uniformidad de recubrimiento y su efecto sobre otras capas en la creciente construccion en sandwich plana tradicional tfpicamente de dispositivos solares de capa fina. Esto reduce los rendimientos y capacidades del proceso ya que los materiales depositados deben ser muy uniformes lo que requiere que el procesamiento sea muy controlado.
Se ha considerado conveniente usar sistemas de rodillo a rodillo para fabricar dispositivos electronicos ya que las velocidades de procesamiento pueden ser altas y por lo tanto los costos pueden minimizarse. Sin embargo, debido a los procesos de deposicion necesariamente de alta velocidad implicados, los dispositivos producidos pueden ser propensos a defectos materiales ocasionales, tales como perforaciones pequenas y salpicaduras de material. Es evidente que si pudiera desarrollarse un sistema que fuera insensible a tales defectos materiales, entonces podnan suministrarse las capacidades de fabricacion previamente inalcanzables y las reducciones de costo.
Tradicionalmente, los dispositivos opticos de capa fina han implicado el uso de conductores electricos transparentes normalmente basados en oxido de zinc u oxido de indio. Generalmente, estos conductores requieren una mayor deposicion de temperatura para alcanzar el rendimiento necesario para los productos comerciales. Este requisito puede elevar un 30 % el costo total de la fabricacion del dispositivo. Esto limita inevitablemente el tipo de sustrato usado a uno que pueda soportar la temperatura requerida para la deposicion del conductor transparente y esto junto con el costo del conductor transparente establece lfmites para el costo de cualquier dispositivo que emplee lo mismo.
El documento EP1427026-A1 describe un metodo en donde un elemento semiconductor esferico que comprende una union pn se proporciona con electrodos de contacto. El elemento esferico se inserta despues en una cavidad en donde las paredes laterales de la cavidad se recubren con un material conductor. Los electrodos de contacto se cubren con una pasta conductora. Una vez insertado en un marco, estos se curan y se realizan las conexiones entre las capas conductoras en la pared lateral de la cavidad y los electrodos de contacto respectivos.
El documento US2009/014056 describe microconcentradores acoplados elasticamente con celdas fotovoltaicas esfericas.
En particular, el documento US 2009/014056describe un dispositivo provisto de un sustrato de aislamiento que comprende una ranura en donde las paredes laterales opuestas de la ranura se recubren con electrodos. Un elemento esferico que comprende una estructura de semiconductor que incluye una union, se proporciona con electrodos de contacto y se inserta en la ranura.
El documento US 2009/014056 describe, ademas, (vease, por ejemplo los parrafos 311 - 312 del mismo) que los contactos electricos (formados en el elemento esferico semiconductor) pueden ser diferentes materiales y/o pueden formar una union termoelectrica.
Descripcion de la invencion
De acuerdo con un primer aspecto de la presente invencion, se proporciona un metodo para producir una estructura que comprende un sustrato de acuerdo con la reivindicacion 1.
De acuerdo con una primera version preferida del primer aspecto de la presente invencion, al menos una de las capas conductoras recubiertas se compone de o incluye uno o mas de los siguientes elementos: aluminio, bismuto, cadmio, cromo, cobre, galio, oro, indio, plomo, magnesio, manganeso, samario, escandio, selenio, plata, estano y zinc.
De acuerdo con una segunda version preferida del primer aspecto de la presente invencion o de la primera version preferida del mismo, el material activo fotovoltaico se selecciona de uno o mas de los siguientes elementos: teluro de cadmio, diseleniuro de cobre indio galio ('CIGS'), oxido de cobre, silicio, silicio amorfo, silicio amorfo hidrogenado o germanio.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
De acuerdo con una tercera version preferida del primer aspecto de la presente invencion o de la primera o segunda version preferida del mismo, el metodo incluye la etapa para proporcionar que los extremos de la, o de cada, primera capa conductora se conecta al final de la, o de cada, segunda capa conductora por separado sin cortocircuitarse entre sf
De acuerdo con una cuarta version preferida del primer aspecto de la presente invencion o de cualquier version preferida anterior del mismo, la etapa para depositar un material fotovoltaico implica el uso de un material fotovoltaico que incluye nanopartfculas para establecer una union y el contacto ohmico para la insercion de carga mediante el uso de las nanopartfculas como el material activo.
De acuerdo con una quinta version preferida del primer aspecto de la presente invencion o de cualquier version preferida anterior del mismo que incluye una etapa adicional del metodo para proporcionar una capa de laca en las caras integrales en cuyas capas se estampan subsecuentemente la primera y segunda capa conductora.
De acuerdo con una sexta version preferida del primer aspecto de la presente invencion o de cualquier version preferida anterior del mismo que incluye una etapa adicional del metodo para proporcionar una capa protectora laminada en la capas conductoras depositadas y el material activo fotovoltaico depositado.
De acuerdo con un segundo aspecto de la presente invencion, se proporciona una celda solar de acuerdo con la reivindicacion 10.
Se ha demostrado que mediante el uso de un sustrato estructurado y un vacfo direccional fuera de eje que recubre los conductores interdigitados sin contacto, pueden fabricarse con geometnas bien definidas a lo largo de las superficies presentadas en las fuentes de recubrimiento.
Estos conductores fabricados pueden usarse entonces para las conexiones de entrada y salida del material activo situado dentro del espacio entre los conductores depositados en el sustrato estructurado. El material activo puede ser un material de recubrimiento de vacfo o uno que puede aplicarse mediante un numero de esquemas de recubrimiento existentes.
Mediante el uso de una superficie de sustrato estructurado y su recubrimiento con un angulo relativo a la superficie, pueden depositarse conductores desde cada lado de la vertical, siempre que la superficie sobre la cual estos se recubren y las posiciones relativas de las fuentes cumplan con determinadas consideraciones geometricas. Esas consideraciones son que el recubrimiento se restringe sustancialmente por el angulo de vision a un solo lado o faceta de la estructura de la superficie. Los lfmites aceptables de estos recubrimientos se definen entonces por el tipo de estructura sobre la cual se deposita el recubrimiento. Dichos recubrimientos pueden ser o continuos o discontinuos sobre la superficie superior de la estructura dependiendo de la estructura fina de la superficie o del tipo de estructura producida sobre dicha superficie.
Entre otras estructuras, la presente invencion proporciona un metodo para producir una superficie estructurada con una tecnologfa de recubrimiento selectivo a fin de producir conductores no conectados alternos de espesor entre 5 y 100 nm, de manera que el espacio entre los conductores puede llenarse con un material activo fotovoltaico. Tfpicamente, los conductores pueden ser de o incluir aluminio, cromo, cobre, galio, oro, indio, plomo, magnesio, escandio, selenio, plata y zinc. El material activo sirve para proporcionar los contactos ohmico y de rectificacion como se requiere para la insercion o extraccion de la carga a partir del material que se recubre en la cavidad entre los conductores opuestos.
Breve descripcion de las figuras
Las Figuras 1 a 3 son vistas esquematicas de un sustrato que tiene una superficie superior sinusoidal integral y una superficie inferior plana durante las etapas de fabricacion en una estructura; y
Las Figuras 4 y 5 son vistas en seccion transversal de una estructura que incorpora el sustrato de las Figuras 1 a 3. Modos para realizar la invencion
Las Figuras 1 a 3 muestran de diversas maneras una parte de un sustrato 11 con una superficie superior sinusoidal 12 y una superficie inferior plana 13. La superficie superior 12 incluye tres salientes integrales y conicos paralelos 12A, 12B y 12C.
Una primera fuente de vapor de vacfo 14 se coloca de manera que solo la porcion 15 del saliente 12B se recubrira con vapor de la fuente 14 para dejar la porcion 15 con un lfmite inferior L claramente definido en este caso a lo largo de la longitud del saliente 12b. En esta operacion, la porcion inferior 16 del saliente 12B no se recubre con el material de la fuente 14. sinusoidal
La Figura 2 muestra el recubrimiento de una segunda fuente de vapor de vacfo 17 de la porcion 18 de la porcion opuesta 15 del saliente 12C. El proceso de recubrimiento es similar al que se utiliza como se describe en relacion con la
3
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
Figura 1. En este caso solo la porcion 18 del saliente 12C se recubrira con vapor de la fuente 17 para dejar la porcion 18 con un lfmite inferior L' claramente definido en este caso a lo largo de la longitud del saliente 12B. En esta operacion, la porcion inferior 20 del saliente 12C no se recubre con el material de la fuente 17.
La Figura 3 es una seccion en el sustrato 11 del saliente 12B la cual muestra una fina muesca 51 que puede proporcionarse para asegurar que no haya contacto entre la porcion del conductor 15, y una porcion del conductor correspondiente F.
La Figura 4 es una elevacion en seccion del sustrato recubierto 11 que muestra las posiciones de las dos porciones del conductor 15, 18 y una capa semiconductora 31 que se inserta como una etapa adicional que sigue a la deposicion de las porciones 15, 18.
La Figura 5 muestra un ejemplo adicional en el que una capa semiconductora 32 es de seccion transversal circular y no alcanza el fondo de la porcion hundida 33 delimitada por las porciones inferiores no recubiertas 16, 20.
Las capas semiconductoras 31, 32 incluyen nanopartfculas que residen dentro de la estructura en contacto con cada conductor depositado 15 y 18.
En un ejemplo alternativo, las porciones del conductor correspondientes a las porciones 15, 18 pueden unirse con el fin de formar una estructura en cascada de dispositivos para permitir tensiones mas altas para producirse o utilizarse en un ejemplo de celda solar del ejemplo de OLED.
Celdas solares
Las estructuras regulares se estampan en/sobre superficies con caractensticas de tamano inferiores a 0,5 micrometros (micras) y con profundidades de hasta 1 micrometro (micra) alcanzados comercialmente. Dichas estructuras tienen tamanos comparables al del espesor del material semiconductor utilizado en la configuracion mas comun de una celda fotovoltaica de capa fina plana. Por tanto, es posible utilizar dos fuentes de material diferentes para recubrir los lados opuestos separadamente con una estructura estampada de manera que los propios materiales no estan en contacto y entonces recubrir toda la estructura estampada con un material fotoactivo adecuado de manera que se crea un dispositivo fotovoltaico. El recubrimiento selectivo adicional, puede aplicarse para unirse a los bordes extremos de los contactos metalicos interdigitados lo que permite que la carga se extraiga de cada sandwich en funcionamiento cuando se ilumina el dispositivo. Alternativamente, los recubrimientos pueden ser discontinuos solamente en la parte inferior de la estructura lo que permite que un numero de dispositivos (creados dentro del espacio entre los dos conductores diferentes) se conecten en serie lo que permite automaticamente desarrollar voltajes mas grandes y reducir la corriente producida por cualquier salida de energfa dada. Esta estructura admite las conexiones de conductancia mas baja para utilizarse tanto durante la deposicion como en la instalacion, lo que reduce los requisitos de material y los costos de fabricacion.
Los materiales podnan ser cualquier material de recubrimiento de vacfo de material sol gel o de nanopartfculas con el tamano de las nanopartfculas que se elige de manera que una sola nanopartfcula puede tocar ambos conductores diferentes y dichos conductores son del material correcto para permitir que esten presentes las propiedades correctas de la interfaz del material para que la estructura funcione como una celda solar.
Dicha estructura tambien elimina problemas con la conexion a circuitos externos ya que los bordes recubiertos cuando se manipulan o conectan, no admiten el cortocircuito del dispositivo mediante el contacto de los electrodos superior e inferior, caractenstico de geometnas de celdas solares de capa fina estandares.
Tambien con la eliminacion de la estructura sandwich tradicional los tipos de recubrimiento que pueden utilizarse para aplicar la capa semiconductora se maximizan lo que admite tecnicas humedas qrnmicas o de vacfo para utilizarse para implementar la capa semiconductora que idealmente debe llenar el espacio entre los conductores metalicos opuestos depositados sobre la superficie de la estructura. Esta capacidad hace posible la produccion de bajo costo y alta velocidad ya que la uniformidad del recubrimiento no es cntica y las perforaciones pequenas de las areas deficientes del recubrimiento no danan significativamente el rendimiento general del dispositivo.
Dispositivo de emision de luz organica
Otra vez la estructura se recubre de forma selectiva y el material activo se recubre nuevamente mediante el uso de cualquier proceso aplicable de manera que el material activo se deposita en el espacio entre los conductores opuestos. La carga puede pasarse entonces entre estos conductores aunque el material activo emita luz.
Batena
Como con la celda solar y el OLED, los conductores se depositan con las capas de almacenamiento apropiadas para recubrirse selectivamente a los lados opuestos de la estructura. El material activo de la batena sena entonces la capa conductora de iones la cual sera mas probablemente, pero no se limita a, una capa organica depositada en un proceso
de aire que permitina que la carga almacenada se extraiga, mediante el completamiento del circuito ionico entre las superficies recubiertas separadas y los circuitos externos acoplados.
Aplicabilidad industrial 5
El metodo de la presente invencion proporciona un medio mejorado para la fabricacion de estructuras y dispositivos donde los lfmites claramente definidos se proporcionan mas facilmente que hasta el momento.
10

Claims (10)

  1. 5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    40
    45
    50
    55
    Reivindicaciones
    1. Un metodo para producir una estructura que comprende un sustrato (11) que tiene al menos una primera cara integral con un primer angulo con respecto a una normal del sustrato (11), al menos una segunda cara integral con un segundo angulo con respecto a una normal del sustrato (11), y una cavidad en la estructura entre la primera y segunda cara; el metodo que comprende las etapas de:
    recubrir la primera cara con una primera capa conductora (15); recubrir la segunda cara con una segunda capa conductora (18);
    en donde la primera capa conductora y la segunda capa conductora comprenden materiales diferentes; y el metodo comprende, ademas, la etapa para depositar en la cavidad un material semiconductor activo fotovoltaico (31) para proporcionar los contactos ohmico y de rectificacion respectivamente, para la insercion o extraccion de la carga a partir del material semiconductor activo fotovoltaico por medio de la primera y segunda capa conductora (15, 18)
    en donde el material semiconductor activo fotovoltaico llena el espacio entre la primera y segunda capa conductora.
  2. 2. Un metodo como se reivindica en la reivindicacion 1, en donde la primera cara se recubre con la primera capa conductora (15) mediante el uso de una primera fuente de vapor de vacfo (14).
  3. 3. Un metodo como se reivindica en cualquier reivindicacion anterior, en donde la segunda cara se recubre con la segunda capa conductora (18) mediante el uso de una segunda fuente de vapor de vacfo (17).
  4. 4. Un metodo como se reivindica en cualquier reivindicacion anterior, en donde el sustrato (11) tiene una superficie superior sinusoidal (12) y una superficie inferior plana (13).
  5. 5. Un metodo como se reivindica en cualquier reivindicacion anterior, en donde al menos una de la primera y segunda capa conductora (15, 18) se compone de o incluye uno o mas de los siguientes elementos: aluminio, bismuto, cadmio, cromo, cobre, galio, oro, indio, plomo, magnesio, manganeso, samario, escandio, selenio, plata, estano y zinc.
  6. 6. Un metodo como se reivindica en cualquier reivindicacion anterior, en donde el material activo fotovoltaico (31) se selecciona de uno o mas de los siguientes elementos: teluro de cadmio, diseleniuro de cobre indio galio ('CIGS'), oxido de cobre, silicio, silicio amorfo, silicio amorfo hidrogenado o germanio.
  7. 7. Un metodo como se reivindica en cualquier reivindicacion anterior, que incluye una etapa adicional del metodo para proporcionar una capa de laca en las caras integrales en las cuales se estampan entonces la primera y segunda capa conductora (15, 18).
  8. 8. Un metodo como se reivindica en cualquier reivindicacion anterior, que incluye una etapa adicional del metodo para proporcionar una capa protectora laminada en la primera y segunda capa conductora (15, 18) y el material activo fotovoltaico (31).
  9. 9. Un metodo como se reivindica en cualquier reivindicacion anterior, en donde los diferentes materiales de la primera capa conductora y la segunda capa conductora comprenden nanopartfculas.
  10. 10. Una celda solar que incorpora una estructura con un sustrato (11) que tiene al menos una primera cara integral con un primer angulo con respecto a una normal del sustrato (11), al menos una segunda cara integral con un segundo angulo con respecto a una normal del sustrato (11), y una cavidad en la estructura entre la primera y segunda cara, la primera cara que se recubre con una primera capa conductora (15), la segunda cara que se recubre con una segunda capa conductora (18), en donde la primera capa conductora y la segunda capa conductora comprenden materiales diferentes, y un material semiconductor activo fotovoltaico (31) depositado en la cavidad para proporcionar los contactos ohmico y rectificador respectivamente, para la insercion o extraccion de la carga a partir del material activo fotovoltaico (31) por medio de la primera y segunda capa conductora (15, 18) en donde el material semiconductor activo fotovoltaico llena el espacio entre la primera y segunda capa conductora.
ES11749217.3T 2011-06-23 2011-06-23 Método para fabricar una estructura que comprende etapas de recubrimiento y dispositivo correspondiente Active ES2599370T3 (es)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/GB2011/051184 WO2012175902A1 (en) 2011-06-23 2011-06-23 Method of making a structure comprising coating steps and corresponding structure and devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2599370T3 true ES2599370T3 (es) 2017-02-01

Family

ID=44514821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES11749217.3T Active ES2599370T3 (es) 2011-06-23 2011-06-23 Método para fabricar una estructura que comprende etapas de recubrimiento y dispositivo correspondiente

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10665737B2 (es)
EP (1) EP2724380B1 (es)
CN (1) CN103843149B (es)
CA (1) CA2840327C (es)
ES (1) ES2599370T3 (es)
PL (1) PL2724380T3 (es)
PT (1) PT2724380T (es)
WO (1) WO2012175902A1 (es)
ZA (1) ZA201400531B (es)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201301683D0 (en) 2013-01-30 2013-03-13 Big Solar Ltd Method of creating non-conductive delineations with a selective coating technology on a structured surface
GB201405663D0 (en) * 2014-03-28 2014-05-14 Big Solar Ltd Apparatus and method
GB2549132A (en) 2016-04-07 2017-10-11 Big Solar Ltd Aperture in a semiconductor
GB2549134B (en) 2016-04-07 2020-02-12 Power Roll Ltd Asymmetric groove
GB2549133B (en) 2016-04-07 2020-02-19 Power Roll Ltd Gap between semiconductors
GB201617276D0 (en) 2016-10-11 2016-11-23 Big Solar Limited Energy storage
GB2565337A (en) * 2017-08-10 2019-02-13 Power Roll Ltd Energy storage
WO2025078782A1 (en) 2023-10-09 2025-04-17 Power Roll Limited Power accumulator device and method of forming a power accumulator device

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3948682A (en) 1974-10-31 1976-04-06 Ninel Mineevna Bordina Semiconductor photoelectric generator
US4110122A (en) 1976-05-26 1978-08-29 Massachusetts Institute Of Technology High-intensity, solid-state-solar cell device
US4283589A (en) 1978-05-01 1981-08-11 Massachusetts Institute Of Technology High-intensity, solid-state solar cell
US4295002A (en) 1980-06-23 1981-10-13 International Business Machines Corporation Heterojunction V-groove multijunction solar cell
US4335503A (en) 1980-12-24 1982-06-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of making a high voltage V-groove solar cell
US4379944A (en) 1981-02-05 1983-04-12 Varian Associates, Inc. Grooved solar cell for deployment at set angle
JPS6135573Y2 (es) 1981-06-16 1986-10-16
JPS6486053A (en) 1987-09-29 1989-03-30 Toshiba Corp Sensitive element
US5067985A (en) 1990-06-08 1991-11-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Back-contact vertical-junction solar cell and method
JP2804839B2 (ja) 1990-10-17 1998-09-30 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5585957A (en) 1993-03-25 1996-12-17 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method for producing various semiconductor optical devices of differing optical characteristics
US6084175A (en) 1993-05-20 2000-07-04 Amoco/Enron Solar Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts
US6090661A (en) 1998-03-19 2000-07-18 Lsi Logic Corporation Formation of novel DRAM cell capacitors by integration of capacitors with isolation trench sidewalls
DE19937724C1 (de) 1999-08-10 2000-12-07 Bosch Gmbh Robert Lichtemittierende Matrixanzeige sowie Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Matrixanzeige
DE19943720A1 (de) 1999-09-02 2000-05-25 Wagemann Hans Guenther Seriell verschaltete Solarzelle
US6762359B2 (en) * 2001-01-15 2004-07-13 Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. Photovoltaic panel and method of producing same
DE10103114A1 (de) 2001-01-24 2002-10-31 Univ Stuttgart Herstellen elektrischer Verbindungen in Substratöffnungen von Schaltungseinheiten mittels gerichteter Abscheidung leitfähiger Schichten
EP1427026A4 (en) * 2001-08-13 2006-12-20 Kyosemi Corp LIGHT EMISSION OR LIGHT RECEPTACLE SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
WO2005013378A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-10 Grenzone Pte Ltd An improved thin-film photovoltaic module
US7902453B2 (en) 2005-07-27 2011-03-08 Rensselaer Polytechnic Institute Edge illumination photovoltaic devices and methods of making same
DE102006019534A1 (de) 2006-04-27 2007-11-08 CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH Mikrosensor
KR20090120474A (ko) * 2007-02-12 2009-11-24 솔라스타, 인코포레이티드 고온 캐리어 냉각이 감소된 광전지 셀
EP2160730B1 (en) 2007-05-31 2013-06-12 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Method of manufacturing addressable and static electronic displays, power generating or other electronic apparatus
US8013238B2 (en) * 2007-07-09 2011-09-06 Energy Related Devices, Inc. Micro concentrators elastically coupled with spherical photovoltaic cells
JP2009088203A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法
WO2009054502A1 (ja) 2007-10-24 2009-04-30 Sekisui Chemical Co., Ltd. 導電性微粒子、異方性導電材料、接続構造体及び導電性微粒子の製造方法
US20100089443A1 (en) * 2008-09-24 2010-04-15 Massachusetts Institute Of Technology Photon processing with nanopatterned materials
JP2012523132A (ja) * 2009-04-06 2012-09-27 エンソル エーエス 光起電力セル
EP2256820A3 (en) 2009-05-25 2011-04-20 Nxp B.V. Photo-electronic device comprising a vertical p-n or p-i-n junction and manufacturing method thereof
JP2010272466A (ja) 2009-05-25 2010-12-02 Fujifilm Corp 透明導電体及びその製造方法
US9581870B2 (en) * 2009-08-13 2017-02-28 3M Innovative Properties Company Conducting film or electrode with improved optical and electrical performance for display and lighting devices and solar cells
TWI539631B (zh) 2009-09-15 2016-06-21 無限科技全球公司 製造發光、光伏或其它電子裝置及系統的方法
NL2004065C2 (en) 2010-01-06 2011-07-07 Stichting Energie Solar panel module and method for manufacturing such a solar panel module.
US8952519B2 (en) 2010-01-13 2015-02-10 Chia-Sheng Lin Chip package and fabrication method thereof
KR101060239B1 (ko) 2010-08-26 2011-08-29 한국과학기술원 집적형 박막 광기전력 소자 및 그의 제조 방법
KR101699310B1 (ko) 2010-12-17 2017-02-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US9876129B2 (en) 2012-05-10 2018-01-23 International Business Machines Corporation Cone-shaped holes for high efficiency thin film solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
CA2840327C (en) 2018-09-25
EP2724380A1 (en) 2014-04-30
CA2840327A1 (en) 2012-12-27
WO2012175902A1 (en) 2012-12-27
CN103843149A (zh) 2014-06-04
US10665737B2 (en) 2020-05-26
ZA201400531B (en) 2015-02-25
PT2724380T (pt) 2016-10-26
CN103843149B (zh) 2017-03-22
US20140230895A1 (en) 2014-08-21
EP2724380B1 (en) 2016-09-28
PL2724380T3 (pl) 2017-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2599370T3 (es) Método para fabricar una estructura que comprende etapas de recubrimiento y dispositivo correspondiente
US9899551B2 (en) Optoelectronic device and method of producing the same
CN104167454A (zh) 太阳能电池及其制造方法
WO2007081825A3 (en) Interconnects for solar cell devices
US10797184B2 (en) Aperture in a semiconductor
JP2009532883A (ja) 自己整合プロセスを用いて薄膜太陽光発電相互接続部を形成する方法
US9647161B2 (en) Method of manufacturing a device comprising an integrated circuit and photovoltaic cells
CN114868256B (zh) 太阳能电池的对准金属化
CN106463549A (zh) 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
CN103681953A (zh) 制造太阳能电池的方法
US10586881B2 (en) Gap between semiconductors
CN102210027A (zh) 单片光伏模块
TWI504007B (zh) 光伏打模組及其製造方法
CN109994554A (zh) 用于太阳能电池的多晶硅特征的导电触点
JP2010272871A (ja) 透光性薄膜太陽電池モジュール
TWI312197B (en) Rod-type semiconductor device
US11049981B2 (en) Photovoltaic device and solar cell string including photovoltaic devices
CN102456769B (zh) 半导体元件以及增加半导体元件有效运作面积的方法
US20200211788A1 (en) Energy storage
EP2479015A1 (en) Method of molding structures in plastic substrate
KR20160049999A (ko) 태양 전지, 태양 전지 패널 및 태양 전지 필름
TWI584479B (zh) 電晶體元件結構
CN104350599B (zh) 用于制造相互连接的光电元件的方法以及相互连接的光电元件
JP2022124833A (ja) 発電素子、発電装置、電子機器、及び発電素子の製造方法
CN103165718B (zh) 太阳能电池组