JP2012523132A - 光起電力セル - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光起電力セルに関し、たとえば、電磁放射を電気エネルギーに変換するための太陽電池として実装される光起電力セルや、自ら発電した電力を蓄電することができる光起電力セルや、受光した電磁放射の大きさおよび/または量子エネルギーを示す信号を生成するように動作可能な非自己出力型の放射検出器に関する。さらにまた、本発明は、これらの光起電力セルを製造する方法に関する。さらに、本発明はこれらの光起電力セルを利用する方法およびこれらの方法を用いるシステムに関する。
シリコンウェーハ技術は、当初、集積回路を製造するために開発された。単結晶または多結晶のシリコンウェーハから現代の光起電力セルを製造する方法は、集積回路を製造するために発展した方法から恩恵を受けている。そのような方法としては、たとえば、シリコンウェーハの研磨面上にヘテロ構造をエピタキシャル成長させる方法がある。シリコンウェーハから製造したシリコン光起電力セルは、全体としての効率が比較的低く、シリコン光起電力セルで受光した入射可視電磁放射のうち、セルから提供される電力に変換されるのは、約17%にすぎない。このように効率が比較的低いのは、
(a)シリコンの光吸収があまり良くないこと(たとえば、光放射はシリコンウェーハの表面に入射して吸収されるまでに数ミクロンもの長い距離を進入する)、および
(b)シリコン材料内での電荷担体トラップの確率が比較的高いこと
に起因する。(a)に対処するために光起電力セルを比較的厚く製造すると、それによってトラップの数が増えてしまい、(b)に伴う問題を悪化させることになる。電荷担体のトラップ数を減らすために、高効率の光起電力セルが単結晶シリコンから製造されている。低効率の光起電力セルは、その製造に比較的安価な多結晶シリコンを用いている。
(i) 現代の光起電力セルの作用効率を向上させること、および
(ii) 製造コストを削減すること
のうちの少なくとも一つが含まれる。最近の光吸収特性の強化によって、光起電力セルは、かさばる半導体材料に依存する初期の従来型光起電力セルにくらべて大幅に薄くすることができるようになっているので、材料費とともに製造時間および製造時に必要とされるエネルギーが削減される。しかし、このような最近の強化によって、2層以上の電極層を比較的広い面積にわたって製造したとき短絡箇所が集中するなど、新しく多くの別の問題が生じてしまっている。
(i) ナノ粒子またはナノ構造は、感光層の主たる光吸収要素であり、
(ii) ナノ粒子またはナノ構造は、金属伝導性を有し、表面プラズモンまたはポーラロンのメカニズムによって近赤外線、可視光および/または紫外線を吸収し、
(iii) ナノ粒子またはナノ構造は、少なくとも一つないしそれらの寸法の大きさが0.1nm〜500nmとなる。電子パラメータの組み合わせを利用することによって、太陽スペクトル内の任意の波長、すなわち約2500nm〜300nmの波長の強い光吸収が得られるので、太陽スペクトルの全体を発電に利用できる。
PCT特許出願WO2007/118815A(CIBA Speciality Chemical Holdings Inc.)に提案されている方法に代替する方法として、ドーピングされた材料を使わない、他の相乗効果をもたらすものが可能である。
前記第1の電極および前記第2の電極を作製するための材料は、少なくとも一方が金属であり、これらの電極間の材料仕事関数の差が前記電界(E)を生成するのに充分な大きさをもつよう選択され、
前記空間領域は、放射を受光する一ないし複数のナノ粒子(260)を含み、当該ナノ粒子(260)は、前記放射が一ないし複数のナノ粒子において表面プラズモンを励起して、前記一ないし複数のナノ粒子および/または当該一ないし複数のナノ粒子に隣接する媒体から放出されて前記空間領域を非従来型電動プロセスにより(たとえば、材料欠陥の間のトンネリングまたはホッピングにより)前記電界(E)に案内される一ないし複数の励起電子を生成し、前記放射の受光に応答して前記セル内を流れる電流を生成することを特徴とする光起電力セルが提供される。
(i) 前記空間領域における電子/正孔トラップおよび/または格子欠陥の間のトンネリング、
(ii) 前記空間領域における電子/正孔トラップおよび/または格子欠陥の間のホッピング、
(iii) 前記一ないし複数のナノ粒子(260)から前記第1の電極および前記第2の電極のうちの一ないし複数へ直接おこなわれるトンネリング、
(iv) 前記一ないし複数のナノ粒子(260)から前記第1の電極および前記第2の電極のうちの一ないし複数へ直接おこなわれるホッピング、
(v) 材料欠陥の間のトンネリングおよび/またはホッピング
のうちのひとつないしそれ以上を含むよう具現化される。
(i) 前記セルが動作時に示す静電容量を増加させるために、該セル内の電極の表面積を拡張する三次元の襞状部(convolution)を含むように、前記セルを作製すること、
(ii) 前記セルの電極上に電荷が蓄積する機会を設けること、および
(iii) 前記セルに蓄電した電荷を受けとるように、外部負荷を前記セルに接続すること
を含む。
2つの電極層の微小構造およびナノ構造を利用することによって、それらの相互の表面積の増加が、結果として前記セルの静電容量を大幅に増加させやすくし、それによって前記セルが太陽光放射の電気エネルギーへの変換手段として、そしてその電気エネルギーの蓄積手段として相乗的に作用することができるようになる。特に、太陽光エネルギーの回収に適合させた光起電力装置の特質として、広い「2D」(平面)の表面積がすでに利用可能であることが注目される。そのような追加の「3D」表面構造を実現可能とすることで、そのセルの体積増加を最小限に抑えながら、その蓄電能力を劇的に向上させることができる。EEstor Inc.社により開発され、付与された米国特許第7595109号(Weir & Nelson)に記載されているスーパーキャパシターとの比較がなされる。
(a)第1の電極層を基板上に付着または形成させること、
(b)前記第1の電極層上に追加のナノ構造を形成するためエッチングをおこなうこと、
(c)前記第1の電極層を選択的に不動態化すること、
(d)前記第1の電極層上に活性層を付着または形成させること、
(e)前記活性層上に第2の電極層を付着または形成させること
を含み、
前記第1の電極層および前記第2の電極層は前記セル内に電界を生成するように作用可能であり、
前記活性層は放射を受光する一ないし複数のナノ粒子を含み、当該ナノ粒子は、前記放射が一ないし複数のナノ粒子において表面プラズモンを励起して、前記一ないし複数のナノ粒子および/または当該一ないし複数のナノ粒子に隣接する媒体から放出されて非従来型伝導プロセスにより前記電界に案内される一ないし複数の励起電子を生成し、前記放射の受光に応答して前記セル内を流れる電流を生成する。
(i) 前記空間領域における電子/正孔トラップおよび/または格子欠陥の間のトンネリング、
(ii) 前記空間領域における電子/正孔トラップおよび/または格子欠陥の間のホッピング、
(iii) 前記一ないし複数のナノ粒子から前記第1の電極および前記第2の電極のうちの一ないし複数へ直接おこなわれるトンネリング、
(iv) 前記一ないし複数のナノ粒子から前記第1の電極および前記第2の電極のうちの一ないし複数へ直接おこなわれるホッピング、
(v) 材料欠陥の間のトンネリングおよび/またはホッピング
のうちのひとつないしそれ以上を含むように光起電力セルを製造するよう具現化される。
(a)前記光起電力セルを、動作中の前記セルに入射する電磁放射を到達可能にするための支持構造体上に装着すること、および
(b)動作時に前記セルが生成する電気信号を受信するために、前記セルに電気的接続部を連結すること
を含む。
本発明の実施形態を、次の図面を参照しながら、以下に、例示としてのみ説明する。
本発明において、発明者は、以下に詳細を説明するように、従来の半導体接合型の光起電力装置とは完全に異なり、はっきり区別される態様で動作する光起電力装置を発明した。
(a)ナノ粒子のカプセル化層内や
(b)ナノ粒子に対し離間した層または隣接した層内
などの隣接する電極層から抽出されるものであってもよい。
(a)表面プラズモンを生成させ、結果として、一ないし複数のエネルギー電子70を活性層40中の所与のナノ粒子50から直接、あるいは、たとえばナノ粒子50の外側表面から10nm未満離間したカプセル化層のような、ナノ粒子50に隣接する物質から、放出させること、または
(b)周囲の物質80中の電子のエネルギーをセル10に移動させること
ができる。
(a)粒子260内において生成され、粒子260の粒径が小さいため、エネルギー電子が粒子260から逃げるもの、
(b)各粒子260に隣接するまたはカプセル化する材料の層の中にあるもの
のうちの少なくとも一方である。逃げたエネルギー電子は、セル150の接触電位により生成した電界Eにより移動する。そして、このエネルギー電子は、前記層180、200のうちの少なくとも一方において捕捉されて外部電流を生成し、この外部電流をセル150から抽出することができる。
(a)ゾル−ゲル合成法、たとえば化学溶解(chemical in-solution)法によるもの
(b)イオン注入
(c)ミリング、たとえば不活性ガスイオンを用いた真空イオンミリングによるもの
(d)誘導イオン移動
(e)自己集合
(f)ナノ粒子ビーム露光による真空蒸着
のうちの少なくともひとつを使用するのがよい。
(a)溶解(in-solution)合成法
(b)化学蒸着法
(c)「Eビーム」、マグネトロン付着法、kセル法、熱およびイオンビーム付着法等の真空内(in-vacuuo)技術
などがある。
(a)建築および家庭内の用途、
(b)光起電力屋根瓦や他の「能動的」建築材料用、
(c)従来の色つきガラスでは通常吸収されてムダになる光エネルギーを相乗効果的かつ能動的に動力化する本発明による光起電力セルを含む色つきガラス用
において開拓できる可能性がある。
(i) 「ソーラーファーム」からの発電、
(ii) 遠隔地における緊急発電用、
(iii) 光起電力セルが車両の車体の部品である場合の車両の再充電用、
(iv) ピクセルグラフィックディスプレイの製造用
などのような様々な用途に用いることができる。発電に使用される場合、本発明による光起電力セルは、複数のセルを含むアレイ状に構成するとよい。これらアレイは、故障許容性を備えるように、すなわちひとつの光起電力セルが故障してもアレイ全体の故障に繋がることのないように設計するのが好ましい。たとえば、図11には、全体を1500で示した光起電力アレイの模式図が示されており、アレイ1500には本発明による光起電力セル1530が複数含まれている。セル1510は、それぞれその発電した電流を、関連する半導体ダイオードl520を介して負荷RLに送出する連続したグループ1510に配置するのがよい。一ないし複数のセル1530がある所与のグループ1510の中で不良になったときには、そのグループ1510の電流における寄与は、そのダイオード1520に逆バイアスがかかるようにすることで減結合させ、それによって、他の機能しているグループ1510が負荷RLに供給される電流に寄与することができるようにする。光起電力セル1530を、図10に図示されているように構成した金属電極の少なくともひとつとともに図9Aに図示されているように作製すると、任意の一ないし複数のセル1520内で起こった短絡は、溶断可能な部分1130がセル1520に蓄積されている電荷によって溶断されることによって、即時に切り離される。そのような自己溶断は、非常に素早く、たとえば作用中に短絡が起きて数マイクロ秒以内に、起こるものとすることができるので、負荷RLへの電流供給は見かけ上中断しないものとなる。
Claims (17)
- 第1の電極および第2の電極を備え、当該第1の電極および当該第2の電極が、その間の空間領域(190,430,530,720,820)に電界(E)を画成するよう作用可能とされた、光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)であって、
前記第1の電極および前記第2の電極を作製するための材料は、少なくとも一方が金属であり、これらの電極間の材料仕事関数の差が前記電界(E)を生成するのに充分な大きさをもつように選択され、
前記空間領域(190,430,530,720,820)は、放射を受光する一ないし複数のナノ粒子(260)を含み、当該ナノ粒子(260)は、前記放射が一ないし複数のナノ粒子(260)において表面プラズモンを励起して、前記一ないし複数のナノ粒子(260)および/または当該一ないし複数のナノ粒子(260)に隣接する媒体から放出されて一ないし複数の非従来型伝導プロセスにより前記電界(E)に案内される一ないし複数の励起電子を生成し、前記放射の受光に応答して前記セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)内を流れる電流を生成する
ことを特徴とする光起電力セル。 - 前記一ないし複数の非従来型伝導プロセスが、
(i) 前記空間領域(190,430,530,720,820)における電子/正孔トラップおよび/または格子欠陥の間のトンネリング、
(ii) 前記空間領域(190,430,530,720,820)における電子/正孔トラップおよび/または格子欠陥の間のホッピング、
(iii) 前記一ないし複数のナノ粒子(260)から前記第1の電極および前記第2の電極のうちの一ないし複数へ直接おこなわれるトンネリング、
(iv) 前記一ないし複数のナノ粒子(260)から前記第1の電極および前記第2の電極のうちの一ないし複数へ直接おこなわれるホッピング、
(v) 材料欠陥の間のトンネリングおよび/またはホッピング
のうちのひとつないしそれ以上を含む、請求項1に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。 - 前記第1の電極および前記第2の電極を作製するための材料は、少なくとも一方が金属であり、これらの電極間の材料仕事関数の差が前記電極の選択的ドーピングを必要とせずに前記電界(E)を生成するのに充分な大きさをもつように選択される、請求項1または2に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 前記一ないし複数のナノ粒子(260)は1nm〜1000nmの範囲の平均粒径を有する、請求項1,2または3に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 前記一ないし複数のナノ粒子(260)は絶縁材料、半導体材料、金属材料のうちの少なくとも一つから作製されている、請求項1,2,3または4に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 前記一ないし複数のナノ粒子(260)は前記セルの前記電極の一方に直接配置されている、先行する請求項のうちのいずれか一項に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 前記一ないし複数のナノ粒子(260)は少なくとも一層のカプセル化層(270)により個別に周囲を囲まれており、当該少なくとも一層のカプセル化層(270)は絶縁体、半導体、金属のうちの少なくとも一つである、先行する請求項のうちのいずれか一項に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 前記セル(150,400)は基板上に形成されるよう構成され、当該基板(160,410)は前記セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)に入射した放射が前記活性領域(190,430,820)を透過するよう作用可能である、先行する請求項のうちのいずれか一項に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 前記セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)は基板上に形成されるよう構成され、当該基板(160,410)は前記セル(150,400)が応答する放射を通さない、先行する請求項のうちのいずれか一項に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 前記セルの一ないし複数の層が、前記セルがその発電エネルギーを蓄電できるようにするための強化された固有容量を前記セルに付与するために、形成されている、先行する請求項のうちのいずれか一項に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 前記ナノ粒子(260)が、それらの光学的特性が動作中印加される電界に応答して変化するように、具現化されている、先行する請求項のうちのいずれか一項に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 電極グリッド配置が、前記2つの電極層の層に関して使用されると、当該2つの電極層の層間の短絡を絶縁させるために一ないし複数の領域において選択的に溶断させることができるように作用可能である、先行する請求項のうちのいずれか一項に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- 前記セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)が、前記ナノ粒子の表面プラズモン共振を誘導する当該ナノ粒子の層に、動作中追加電位を印加することでそれらの光吸収を変化させおよび/または打ち消すことができるようにするための一ないし複数の追加構造を含む、先行する請求項のうちのいずれか一項に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)。
- (a)前記第1の電極層(180,420)を基板(160,420)上に付着または形成させ、
(b)前記第1の電極層(180,420)上に追加のナノ構造を形成するためエッチングをおこない、
(c)前記第1の電極層(180,420)を選択的に不動態化し、
(d)前記第1の電極層(180,420)上に活性層(190,430,820)を付着または形成させ、
(e)前記活性層(190,430)上に第2の電極層(220,440)を付着または形成させる
請求項1に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)を製造する方法であって、
前記第1の電極層および前記第2の電極層は前記セル内に電界(E)を生成するように作用可能であり、
前記活性層(190,430,820)は放射を受光する一ないし複数のナノ粒子(260)を含み、当該ナノ粒子(260)は、前記放射が一ないし複数のナノ粒子において表面プラズモンを励起して、前記一ないし複数のナノ粒子(260)および/または当該一ないし複数のナノ粒子(260)に隣接する媒体から放出されて非従来型伝導プロセスにより前記電界に案内される一ないし複数の励起電子を生成し、前記放射の受光に応答して前記セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)内を流れる電流を生成することを特徴とする方法。 - 前記一ないし複数の非従来型伝導プロセスが、
(i) 前記空間領域(190,430,530,720,820)における電子/正孔トラップおよび/または格子欠陥の間のトンネリング、
(ii) 前記空間領域(190,430,530,720,820)における電子/正孔トラップおよび/または格子欠陥の間のホッピング、
(iii) 前記一ないし複数のナノ粒子(260)から前記第1の電極および前記第2の電極のうちの一ないし複数へ直接おこなわれるトンネリング、
(iv) 前記一ないし複数のナノ粒子(260)から前記第1の電極および前記第2の電極のうちの一ないし複数へ直接おこなわれるホッピング、
(v) 材料欠陥の間のトンネリングおよび/またはホッピング
のうちのひとつないしそれ以上を含む、請求項14に記載の方法。 - 太陽電池および/または放射検出器を作成するために、請求項1〜13のいずれか一項に記載の光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)を利用する方法であって、
(a)前記光起電力セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)を、動作中の前記セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)に入射する電磁放射を到達可能にするための支持構造体上に装着し、
(b)動作時に前記セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)が生成する電気信号を受信するために、前記セル(150,400,500,600,700,800,900,1000)に電気的接続部を連結することを特徴とする方法。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の光起電力セルの電極のための溶断可能な網状組織を作成するための電極幾何グリッド配置であって、該電極グリッド配置は、2つの電極の層に関して使用されると、当該2つの電極の層間の短絡を絶縁させるために一ないし複数の領域において選択的に溶断させることができるように作用可能である電極幾何グリッド配置。
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