CN103165718B - 太阳能电池组 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种太阳能电池组，其包括至少两个电池单元，该每个电池单元包括：并排且接触设置的一第一电极层、一P型硅层、一N型硅层及一第二电极层，该P型硅层与该N型硅层接触并形成一P‑N结区，所述第一电极层和第二电极层分开设置于所述P‑N结区外侧，其中，所述至少两个电池单元的上述各层沿一直线连续设置成一排构成一整体结构，设定所述直线的延伸方向为第一方向，垂直于所述第一方向为第二方向，每个电池单元具有一受光端面且每个电池单元的受光端面均平行于所述第一方向，所述至少两个电池单元的相邻两个电池单元的相同的电极层在所述第一方向上并排接触设置。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池组。
背景技术
太阳能电池是利用半导体材料的光生伏特原理制成的。根据半导体光电转换材料种类不同，太阳能电池可以分为硅基太阳能电池(请参见太阳能电池及多晶硅的生产，材料与冶金学报，张明杰等，vol6，p33-38 (2007))、砷化镓太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等。
目前，太阳能电池以硅基太阳能电池为主。现有技术中的硅基太阳能电池包括：一背电极、一P型硅层、一N型硅层和一上电极。所述P型硅层采用多晶硅或单晶硅制成。所述背电极设置于所述P型硅层的一表面。所述N型硅层形成于所述P型硅层的另一表面。所述上电极设置于所述N型硅层的表面。所述太阳能电池中P型硅层和N型硅层形成P-N结区。当该太阳能电池在工作时，光从上电极一侧直接入射至所述上电极，并经过所述上电极和所述N型硅层到达所述P-N结区，所述P-N结区在光子激发下产生多个电子-空穴对(载流子)，所述电子-空穴对在静电势能作用下分离并分别向所述背电极和上电极移动。在所述太阳能电池的背电极与上电极两端接上外电路中的负载。
然而，上述结构中所述光子需要通过所述上电极和所述N型硅层之后才到达所述P-N结区，使得一部分入射光线被所述上电极和N型硅层吸收，使所述P-N结区对光的吸收率较低，进而减少了P-N结区激发出的载流子的量，降低了太阳能电池的光电转换效率。
发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种具有较高光电转换效率的太阳能电池组。
一种太阳能电池组，包括至少两个电池单元，该每个电池单元包括：并排且接触设置的一第一电极层、一P型半导体层、一N型半导体层及一第二电极层，该P型半导体层与该N型半导体层接触并形成一P-N结区，所述第一电极层和第二电极层分开设置于所述P-N结区外侧，其中，所述至少两个电池单元的上述各层沿一直线连续堆叠设置成一排，设定所述直线的延伸方向为第一方向，垂直于所述第一方向为第二方向，所述太阳能电池组中每个电池单元具有一受光端面，且每个电池单元的受光端面均平行于所述第一方向，任意两个相邻的电池单元中相对设置的半导体层的类型相同。
一种太阳能电池组，包括至少两个电池单元，该每个电池单元包括：并排且接触设置的一第一半导体层及一第二半导体层，该第一半导体层与该第二半导体层接触并形成一P-N结区，其中，所述至少两个电池单元沿一直线连续堆叠设置成一排，任意两个相邻的电池单元中相对设置的半导体层的类型相同，相邻的电池单元之间均设置有一电极层。
一种太阳能电池组，包括多个电池单元，每个电池单元包括：并排且接触设置的一P型导体层及一N型半导体层，该P型半导体层与该第二半导体层接触并形成一P-N结区，其中，所述多个电池单元沿一直线连续堆叠设置成一排，所述多个P-N结区并联连接，相邻的电池单元之间均设置有一电极层。
相较于现有技术，所述太阳能电池组工作时，外界光可直接入射至所述受光端面，由于该受光端面没有被电极覆盖，使得光子不必先经过电极、N型硅层后才到达P-N结区，从而减少了电极和N型硅层对光的吸收，提高了P-N结区的光吸收率，相应地，使得P-N结区可激发出更多的电子-空穴对，提高了整个太阳能电池的光电转换效率。此外，所述太阳能电池组中多个电池单元相互并联设置，由于总内阻变小，即向外界能提供的电流变大，从而进一步提高整个太阳能电池组的光电转换效率。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的太阳能电池组的俯视图。
图2为图1所示太阳能电池组的沿II-II的剖视图。
图3为本发明第二实施例提供的太阳能电池组的俯视图。
图4为图3所示太阳能电池组的沿IV-IV的剖视图。
图5为本发明第三实施例提供的太阳能电池组的俯视图。
主要元件符号说明
| 太阳能电池组 | 20，30，40 |
| 电池单元 | 200，300，400 |
| 第一电极层 | 22，32 |
| P型硅层 | 24，34 |
| 第一侧面 | 242，342 |
| 第二侧面 | 244，344 |
| N型硅层 | 26，36 |
| 第三侧面 | 262，362 |
| 第四侧面 | 264，364 |
| 第一表面 | 243，343 |
| 第二表面 | 263，363 |
| 受光端面 | 27，37 |
| 第二电极层 | 28，38 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合附图及具体实施例对本发明的太阳能电池组作进一步的详细说明。
请参阅图1及图2，本发明第一实施例提供一种太阳能电池组20，包括并联且相邻接触设置的两个电池单元200，每个电池单元200包括一第一电极层22、一P型硅层24、一N型硅层26以及一第二电极层28。所述太阳能电池组20的一个电池单元200的所述第一电极层22、所述P型硅层24、所述N型硅层26、所述一第二电极层28以及与其相邻的另一个电池单元200的所述一第二电极层28、所述N型硅层26、所述P型硅层24、所述第一电极层22依次并排且层叠设置，且上述各层沿一直线连续设置成一排构成一整体结构。所述整体结构是指在所述太阳能电池组20中，上述各层沿X方向连续接触设置从而成为一个整体。所述太阳能电池组20中，两个电池单元200通过所述两个电池单元200的两个第二电极层28相接触。
所述“并联”是指在所述太阳能电池组20的两个电池单元200中，通过外接导线将两个第一电极层22相互电连接，从而将所述两个P型硅层24连接至外接工作电路作为正极；通过外接导线将相接触的两个第二电极层28电连接，从而将所述两个N型硅层26至外接工作电路作为负极。并且，每一个电池单元200通过所述外接导线形成一个独立的工作回路，并且每个电池单元200中的第一电极层22均通过外接导线电连接，所述第二电极层28均通过外接导线电连接。当在所述正极与负极之间附加一工作元件时，则在所述工作元件中形成一工作电流，并且该工作电流约等于每个电池单元200的工作回路中产生的电流之和。
在此，定义所述两个电池单元200的上述各层连续设置的直线方向为第一方向即X轴方向，垂直于所述X轴方向为第二方向即Y方向，而同时垂直于所述第一方向及第二方向为第三方向即Z轴方向。则所述“并排”是指所述两个电池单元200的上述各层在X方向上依次层叠设置，即所述N型硅层26与P型硅层28按照—P—N—N—P—的方式依次设置。所述每个电池单元200均具有一受光端面27直接接受外界光线，且每个电池单元200的受光端面27均平行于所述X轴及Y轴所在的平面。
所述两个电池单元200在X方向上并排接触设置，且在Y方向上相互错开设置。所述两个电池单元200的相互接触的所述两个第二电极层28的接触面积不限，优选的，所述接触面积接近于所述第二电极层28的面积，只要保证第二电极层28有一部分是裸露的，以便于外接导线。将所述两个电池单元200中的第一电极层22电连接后作为正极，所述两个电池单元200中的第二电极层28电连接后作为负极，则得到的太阳能电池组20中，所述两个电池单元200为并联关系。可以理解，所述两个电池单元200也可在Z方向上相互错开，从而使部分第二电极层28裸露出来。
可以理解，每个电池单元200的P型硅层24与N型硅层26可以互换，相应的，第二电极层28和第一电极层22也可互换。即，所述太阳能电池组20中两个电池单元200的所述各层的排列次序也可为：第二电极层28、N型硅层26、P型硅层24、第一电极层22、与其相邻的另一个电池单元200的所述第一电极层22、P型硅层24、N型硅层26、一第二电极层28，所述各层依次并排且层叠设置。也就是说，所述两个电池单元200中，所述相邻的半导体层的类型相同，即同属于P型半导体层或同属于N型半导体层。
所述P型硅层24为一层状结构，所述P型硅层24具有相对的一第一侧面242和一第二侧面244。所述N型硅层26形成于所述P型硅层24的第二侧面244。该N型硅层26为一层状结构，该N型硅层26具有相对的一第三侧面262和一第四侧面264。该第一电极层22设置于该P型硅层14的第一侧面242，并与该P型硅层24电接触，该第二电极层28设置于该N型硅层26的第四侧面264，并与该N型硅层26电接触。该P型硅层24的第二侧面244与该N型硅层26的第三侧面262接触并形成一P-N结区。所述第一电极层22和第二电极层28分开设置于所述P-N结区外侧。
所述P型硅层24具有一与该第一侧面242及第二侧面244相连的第一表面243，所述N型硅层26具有一与该第三侧面262及第四侧面264相连的第二表面263，所述第一表面243和第二表面263共同构成所述受光端面27。所述太阳能电池组20的所述受光端面27平行于所述第一方向，具体的，所述受光端面27平行于所述X轴与所述Y轴所定义的平面。由于所述P-N结区形成于所述P型硅层24和N型硅层26的接触面附近，因此，所述P-N结区通过所述受光端面27同时暴露出P型硅层24和N型硅层26。
可以理解，所述太阳能电池组20的受光端面27也可以平行于所述X轴与Z轴定义的平面，且所述受光端面27为一高低不平的表面。所述太阳能电池组20的受光端面27高低不平，是因所述两个电池单元200在Y方向上相互错开设置而形成的。
本实施例中，所述太阳能电池组20的所述受光端面27平行于所述X轴与所述Y轴所定义的平面。所述电池单元200的厚度为从所述受光端面27到与该受光端面27相对的另一端面之间的距离。所述电池单元200的厚度为所述受光端面27与该受光端面27相对的另一端面之间的距离。所述电池单元200具有较小的厚度，从而使整个电池单元200可看作一面状结构，所述电池单元200的受光端面27与所述电池单元200的厚度方向相垂直。
所述P型硅层24的材料可以是单晶硅、多晶硅或其他的P型半导体材料。所述P型硅层24沿第一侧面242到第二侧面244方向的厚度为200微米~300微米。所述第一表面243与第一侧面242及第二侧面244之间的夹角可大于0度且小于180度，优选为，该夹角为90度。本实施例中，所述第一表面243与第一侧面242及第二侧面244垂直，所述P型硅层24为一厚度为200微米的P型单晶硅片。
所述N型硅层26可以通过向一硅片注入过量的如磷或者砷等N型掺杂材料制备而成。所述N型硅层26沿第三侧面262到第四侧面264方向上的厚度为10纳米~1微米。所述第二表面263与第三侧面262及第四侧面264之间的夹角可大于0度且小于180度，优选为，该夹角为90度。本实施例中，所述第二表面263与第三侧面262和第四侧面264垂直，所述N型硅层26的厚度为50纳米。
所述P-N结区中，N型硅层26中的多余电子趋向P型硅层24，并形成一个由N型硅层26指向P型硅层24的内电场。当所述P-N结区在光的激发下产生多个电子-空穴对时，所述多个电子-空穴对在内电场作用下分离，N型硅层26中的电子向所述第二电极层28移动，P型硅层中的空穴向所述第一电极层22移动，然后分别被所述第一电极层22和第二电极层28收集，形成电流，从而实现所述太阳能电池组20中光能到电能的转换。
所述第一电极层22与所述P型硅层24电连接，由于所述太阳能电池组20工作时，外界光无需穿过所述第一电极层22即可到达P-N结区，因此所述第一电极层22可以为一连续的面状结构覆盖所述P型硅层24的第一侧面242的整个表面。当然，第一电极层22也可为一网格状或栅格状结构覆盖所述第一侧面242的部分表面。所述第一电极层22的材料为具有导电性的材料，该材料具体可为金属、导电聚合物、铟锡氧化物及碳纳米管结构。优选为该第一电极层22由一连续的具有面状结构的金属材料层构成，该金属材料层覆盖整个所述第一侧面242。该金属材料可为铝、铜、或银等。该第一电极层22的厚度不限，优选为50纳米~300纳米。本实施例中，所述第一电极层22为一厚度约为200纳米的铝箔。
同理，由于外界光不需要穿过所述第二电极层28到达P-N结区，所述第二电极层28可以为一连续的面状结构覆盖所述N型硅层26的第四侧面264的整个表面，也可为一网格状或栅格状结构覆盖所述第四侧面264的部分表面。该第二电极层28的材料为具有导电性的材料，该材料具体可选自金属、合金、碳纳米管、导电聚合物、石墨或氧化铟锡等。优选地，该第二电极层28由一连续的具有面状结构的金属材料层构成，该金属材料层覆盖整个所述第四侧面264。所述金属材料可为铝、铜、或银等。该第二电极层28的厚度不限，优选为50纳米~300纳米。本实施例中，所述第二电极层28为一厚度约为200纳米的铝箔。
所述第一电极层22及第二电极层28可均不透光，从而可以避免光线穿过第一电极层22及第二电极层28，造成光电转换效率降低。
此外，所述受光端面27与所述第四侧面264之间的夹角可大于0度且小于180度，优选为该夹角为90度。
进一步地，为减少光的反射，使更多的光能被所述P-N结区吸收，在所述受光端面27可进一步设置一减反射层，该减反射层可使光线入射并减少光的反射，且对光的吸收较少，该减反射层的材料为氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)等。该减反射层的厚度可小于150纳米，本实施例中，该减反射层为900埃(Å)的氮化硅层。
另外，当该受光端面27平行于所述X轴及Z轴所在的平面时，所述电池单元200的厚度不限，可根据从所述受光端面27入射的光在所述P型硅层24及N型硅层26中的透过率而设定。优选地，该厚度为使光透过率为零时的厚度，从而可使所述电池单元200有效利用所吸收的光。本实施例中，所述电池单元200的厚度为50微米~300微米。
当该太阳能电池组20工作时，不同于传统的使光照射所述覆盖有网状金属电极或透明电极的第四侧面264，而是将第一表面243和第二表面263作为受光端面27，接受外界光的入射。由于该受光端面27没有被第二电极层28覆盖，即P-N结区直接暴露出P型硅层24和N型硅层26，使得光子可以直接被所述P-N结区吸收，而不必先经过第二电极层28、N型硅层26后才到达P-N结区，从而减少了第二电极层28和N型硅层26对光的吸收，提高了P-N结区对光的吸收率。相应地，使得P-N结区可激发出更多的电子-空穴对。并且，由于所述第二电极层28没有设置于所述受光端面27上，因此无需考虑第二电极层28阻挡光的影响因素，使得该第二电极层28可设置成任何形状，甚至可为一面状结构覆盖至所述N型硅层26的整个第四侧面，从而增大了整个第二电极层28的面积，并减小了P-N结区产生的载流子扩散至所述第二电极层28的距离，减少了载流子的内部损耗，从而提高了整个太阳能电池组20的光电转换效率。此外，所述两个电池单元200的所述第一电极层22电连接作为正极，所述两个电池单元200的所述第二电极层28电连接作为负极，使得两个电池单元200相互并联设置。所述太阳能电池组20在工作时，由于所述太阳能电池组20的总内阻变小，即向外界能提供的电流变大，可进一步提高整个太阳能电池组20的光电转换效率。
此外，由于无需考虑第一电极层22和第二电极层28对光线的阻挡因素，因此，对该第一电极层22和第二电极层28的形状、结构要求降低，从而使得制备方法简单。
请参阅图3及图4，本发明第二实施例提供一种太阳能电池组30，包括并联且接触设置的多个电池单元300，每个电池单元300包括一第一电极层32、一P型硅层34、一N型硅层36以及一第二电极层38。所述太阳能电池组30的第n个电池单元300的所述第二电极层38、N型硅层36、P型硅层34、第一电极层32以及与其相邻的第n+1个电池单元300的所述第一电极层32、P型硅层34、N型硅层36、第二电极层38依次并排且层叠设置，所述太阳能电池组30的第n-1个电池单元300的所述第一电极层32、P型硅层34、N型硅层36、第二电极层38以及与其相邻的第n个电池单元300的所述第二电极层38、N型硅层36、P型硅层34、第一电极层32依次并排且层叠设置，且上述各层沿一直线连续设置成一排构成一整体结构。所述n为大于1的自然数。
本实施例所述太阳能电池组30的结构与第一实施例所述太阳能电池组20的结构相同，不同之处在于，所述太阳能电池组30中包括的电池单元300的数目为多个，并且所述太阳能电池组30中多个电池单元300为相互并联关系。并且，任意两个相邻的电池单元300中相对设置的所述半导体层的类型相同。所述“相对设置”是指所述相邻电池单元300中，所述第n个太阳能电池单元300所述P型硅层34与第n+1个电池单元300中的P型硅层34相邻；所述第n个电池单元300的N型硅层36与第n-1个电池单元300中的N型硅层36相邻。也就是说，所述相邻的半导体层的类型相同，或同属于N型半导体层，或同属于P型半导体层。具体地，所述太阳能电池组30中第n个电池单元300与其相邻的第n-1个电池单元300通过所述两个电池单元300的两个第二电极层38相接触，所述太阳能电池组30中第n个电池单元300与其相邻的第n+1个电池单元300通过所述两个电池单元300的两个第一电极层32相接触。即，所述太阳能电池组30中第n-1个电池单元300所述第一电极层32、所述P型硅层34、所述N型硅层36、所述第二电极层38依次沿X方向并排且接触设置，所述太阳能电池组30的第n个电池单元300的所述第二电极层38、所述N型硅层36、所述P型硅层34、所述第一电极层32依次沿X方向并排且接触设置，所述太阳能电池组30中第n+1个电池单元300所述第一电极层32、所述P型硅层34、所述N型硅层36、所述第二电极层38依次沿X方向并排且层叠设置。所述太阳能电池组30中多个电池单元300以此顺序沿X方向重复排列。所述n为大于1的自然数。
所述“并联”是指所述太阳能电池组30中，所述P型硅层34、所述N型硅层36按照“—P—N—N—P—P—N—N—P—”依次电连接。通过外接导线将两个第一电极层32相互电连接，从而将所述两个P型硅层34连接至外接工作电路作为正极；通过外接导线将相接触的两个第二电极层38电连接，从而将所述两个N型硅层36至外接工作电路作为负极。并且，每一个电池单元300通过所述外接导线形成一个独立的工作回路。当在所述正极与负极之间附加一工作元件时，则在所述工作元件中形成一工作电流，并且该工作电流约等于每个电池单元300的工作回路中产生的电流之和。
进一步地，所述太阳能电池组30中相邻两个电池单元300在Y方向上相互错开设置。即，所述太阳能电池组30中第n-1个电池单元300与第n电池单元300在Y方向上相互错开设置，所述太阳能电池组30中第n个电池单元300与第n+1电池单元300在Y方向上相互错开设置。可以理解，所述多个电池单元300可在Y方向上延伸。所述多个电池单元300可成阶梯状设置，也可成其他形状。优选地，所述多个电池单元中第偶数个电池单元以第一直线为对称轴，所述第奇数个电池单元以第二直线为对称轴，所述第一直线与第二直线均平行于所述X方向且相互间隔。将多个电池单元300的所述第一电极层32电连接后作为正极，多个电池单元300的所述第二电极层38电连接后作为负极，则得到的太阳能电池组30中的多个电池单元300为并联关系。
所述每个电池单元300的结构与上述第一实施例的电池单元200的结构相同，在此不再详细赘述。所述相邻的两个电池单元300的电极层可通过导电粘结剂粘结或相互键合，且二者的材料可以相同或不同。所述太阳能电池组30所包括的电池单元300的数量不限，可根据实际需要的输出电流而设定，本实施例中，所述太阳能电池组30包括100个电池单元300。所述太阳能电池组30的工作电流为一个电池单元300的工作电流的整数倍。
如图5所示，本发明第三实施例提供一种太阳能电池组40，包括并联且接触设置的多个电池单元400，每个电池单元400包括一第一电极层32、一P型硅层34、一N型硅层36以及一第二电极层38。所述太阳能电池组40的第n个电池单元400的所述P型硅层34与相邻的第n+1个电池单元400的所述P型硅层34通过同一层第一电极层32电连接，所述太阳能电池组30的第n-1个电池单元400的所述N型硅层36与相邻的第n个电池单元400的所述N型硅层36通过同一层第二电极层38电连接，且上述各层沿一直线连续设置成一排构成一整体结构。所述n为大于1的自然数。
本实施例所述太阳能电池组40的结构与第一实施例所述太阳能电池组30的结构基本相同，不同之处在于，所述太阳能电池组40中，相邻两N型硅层36之间通过同一层第二电极层38电连接，所述相邻两P型硅层34之间通过同一层第一电极层32电连接。所述P型硅层34与所述N型硅层36接触并形成一P-N结区，并且所述多个电池单元400沿一直线连续堆叠设置成一排，从而形成依次设置的多个P-N结区，并且所述多个P-N结区为并联连接。所述多个P-N结区并联是指，通过外接导线将所述相邻P型硅层34之间的第一电极层32电连接，从而将所述P型硅层34电连接至外接电路作为正极；通过外接导线将所述N型硅层36之间的第二电极层38电连接，从而将所述多个N型硅层36电连接至外接电路作为负极。也就是说，通过外接导线的电连接，所述每一P-N结区通过所述第一电极层32及第二电极层38外接至外接电路形成一独立的工作回路。当在所述正极与负极之间附加一工作元件时，所述工作元件中形成的电流等于每个独立的工作回路中的电流之和。
另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其他变化，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。
Claims (15)
1.一种太阳能电池组，包括至少两个电池单元，该每个电池单元包括：并排且接触设置的一第一电极层、一P型半导体层、一N型半导体层及一第二电极层，该P型半导体层与该N型半导体层接触并形成一P-N结区，所述第一电极层和第二电极层分开设置于所述P-N结区外侧，其特征在于，所述至少两个电池单元的上述各层沿一直线连续堆叠设置成一排，设定所述直线的延伸方向为第一方向，垂直于所述第一方向为第二方向，所述太阳能电池组中每个电池单元具有一受光端面，且每个电池单元的受光端面均平行于所述第一方向，任意两个相邻的电池单元中相对设置的半导体层的类型相同，所述至少两个电池单元中的P型半导体层均相互电连接至外接电路作为正极，所述至少两个电池单元中的N型半导体层均相互电连接至外接电路作为负极，所述至少两个电池单元中第偶数个电池单元以第一直线为对称轴对称，第奇数个电池单元以第二直线为对称轴对称，所述第一直线与第二直线均平行于所述第一方向且相互间隔；所述P型半导体层具有相对的一第一侧面和一第二侧面，所述N型半导体层具有相对的一第三侧面和一第四侧面，所述P型半导体层的第二侧面与所述N型半导体层的第三侧面接触设置，该P型半导体层进一步具有一与所述第一侧面和第二侧面相连的第一表面，该N型半导体层进一步具有一与所述第三侧面和第四侧面相连的第二表面，所述第一表面及第二表面共同构成所述受光端面，所述第一直线及第二直线垂直于所述第一侧面及第四侧面。
2.如权利要求1所述的太阳能电池组，其特征在于，所述至少两个电池单元的相邻两个电池单元之间并联连接。
3.如权利要求1所述的太阳能电池组，其特征在于，所述第二方向垂直于光的入射方向，所述至少两个电池单元在所述第二方向上相互错开设置。
4.如权利要求1所述的太阳能电池组，其特征在于，所述第二方向平行于光的入射方向，所述至少两个电池单元在所述第二方向上相互错开设置。
5.如权利要求1所述的太阳能电池组，其特征在于，该第一电极层设置在该P型半导体层的第一侧面，并与该P型半导体层电接触，该第二电极层设置在该N型半导体层的第四侧面，并与该N型半导体层电接触。
6.如权利要求5所述的太阳能电池组，其特征在于，该第一电极层或第二电极层的材料为金属、合金、碳纳米管、导电聚合物、石墨或氧化铟锡。
7.如权利要求1所述的太阳能电池组，其特征在于，所述受光端面进一步覆盖有一厚度小于150纳米的减反射层，所述减反射层的材料为氮化硅或二氧化硅。
8.如权利要求1所述的太阳能电池组，其特征在于，所述P-N结区通过所述受光端面暴露出所述P型半导体层和所述N型半导体层。
9.如权利要求1所述的太阳能电池组，其特征在于，所述每个电池单元从受光端面到与该受光端面相对的另一端面之间的距离为50微米～300微米。
10.如权利要求1所述的太阳能电池组，其特征在于，所述太阳能电池组包括多个电池单元连续设置。
11.如权利要求1所述的太阳能电池组，其特征在于，所述至少两个电池单元的第n个电池单元的第二电极层与相邻的第n-1电池单元的第二电极层相互接触，且在所述第二方向上所述第n个电池单元与所述第n-1电池单元相互错开设置，该第n个电池单元的第一电极层与相邻的第n+1电池单元的第一电极层相互接触且在所述第二方向上所述第n个电池单元与所述第n+1电池单元相互错开设置，所述n为大于1的自然数。
12.一种太阳能电池组，包括至少两个电池单元，该每个电池单元包括：并排且接触设置的一第一半导体层及一第二半导体层，该第一半导体层与该第二半导体层接触并形成一P-N结区，其特征在于，所述至少两个电池单元沿一直线连续堆叠设置成一排，任意两个相邻的电池单元中相对设置的半导体层的类型相同，相邻的电池单元之间均设置有一电极层，所述至少两个电池单元中的所有第一半导体层相互电连接至外接电路，所述至少两个电池单元中的所有第二半导体层相互电连接至外接电路，所述至少两个电池单元的第n个电池单元的电极层与相邻的第n-1电池单元的电极层相互接触，且在沿所述直线方向上所述第n个电池单元与所述第n-1电池单元相互错开设置，所述n为大于1的自然数，所述至少两个电池单元中第偶数个电池单元以第一直线为对称轴对称，第奇数个电池单元以第二直线为对称轴对称，所述第一直线与第二直线相互平行；所述第一半导体层具有相对的一第一侧面和一第二侧面，所述第二半导体层具有相对的一第三侧面和一第四侧面，所述第一半导体层的第二侧面与所述第二半导体层的第三侧面接触设置，该第一半导体层进一步具有一与所述第一侧面和第二侧面相连的第一表面，该第二半导体层进一步具有一与所述第三侧面和第四侧面相连的第二表面，所述第一表面及第二表面共同构成太阳能电池组的受光端面，所述第一直线及第二直线垂直于所述第一侧面及第四侧面。
13.如权利要求12所述的太阳能电池组，其特征在于，所述相邻的电池单元在垂直于所述直线的方向上交错设置。
14.如权利要求12所述的太阳能电池组，其特征在于，所述太阳能电池组中相同类型的半导体层通过外接导体实现电连接。
15.一种太阳能电池组，包括多个电池单元，每个电池单元包括：并排且层叠设置的一P型导体层及一N型半导体层，该P型半导体层与N型半导体层接触并形成一P-N结区，其特征在于，所述多个电池单元沿一直线连续堆叠设置成一排，所述多个P-N结区并联连接，相邻的电池单元之间均设置有一电极层，所述多个电池单元中的所有P型半导体层相互电连接至外接电路作为正极，所述多个电池单元中的所有N型半导体层相互电连接至外接电路作为负极，所述多个电池单元中第偶数个电池单元以第一直线为对称轴对称，第奇数个电池单元以第二直线为对称轴对称，所述第一直线与第二直线相互平行；所述P型半导体层具有相对的一第一侧面和一第二侧面，所述N型半导体层具有相对的一第三侧面和一第四侧面，所述P型半导体层的第二侧面与所述N型半导体层的第三侧面接触设置，该P型半导体层进一步具有一与所述第一侧面和第二侧面相连的第一表面，该N型半导体层进一步具有一与所述第三侧面和第四侧面相连的第二表面，所述第一表面及第二表面共同构成太阳能电池组的受光端面，所述第一直线及第二直线垂直于所述第一侧面及第四侧面。
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