ES2576278T3

ES2576278T3 - Procedimiento de revestimiento de una superficie de un substrato de material no metálico mediante una capa metálica

Info

Publication number: ES2576278T3
Application number: ES11723649.7T
Authority: ES
Inventors: Sébastien ROUSSEL; Frida Gilbert
Original assignee: PEGASTECH
Current assignee: PEGASTECH
Priority date: 2010-04-19
Filing date: 2011-04-19
Publication date: 2016-07-06
Anticipated expiration: 2031-04-19
Also published as: US20110256413A1; EP2561117B1; CN102933745A; FR2958944A1; EP2561117A1; JP2013525606A; PL2561117T3; US20150111050A1; US9249512B2; WO2011132144A1; KR101812641B1; US8962086B2; KR20130101978A; PT2561117E; JP5947284B2; FR2958944B1; CN102933745B

Abstract

Procedimiento de revestimiento de una superficie de un substrato de material no metálico mediante una capa metálica caracterizado por que comprende las siguientes etapas: a) se dispone de un substrato de material no metálico, b) se somete al menos una parte de al menos una superficie de dicho substrato a un tratamiento físico o químico de aumento de la superficie específica, c) se somete la superficie de dicho substrato tratada en la etapa b) a un tratamiento oxidante, d) se pone en contacto la superficie de dicho substrato tratada en la etapa c), con una disolución que contiene al menos un ión de al menos un metal y su contraión, eligiéndose dicho metal entre el grupo formado por los metales de los grupos IB y VIII de la clasificación periódica de los elementos, e) se obtiene un substrato de los iones de al menos un metal fijados químicamente al material no metálico que forma el substrato sobre al menos una parte de al menos una de sus superficies, f) se someten dichos iones de al menos un metal fijados químicamente al material no metálico que forma el substrato sobre una superficie de dicho substrato a un tratamiento reductor y se obtiene un substrato que comprende átomos de al menos un metal fijados químicamente al material no metálico que forma el substrato sobre al menos una parte de al menos una de sus superficies, g) se pone en contacto la superficie que comprende partículas de al menos un metal obtenida en la etapa f) con una disolución que contiene iones de al menos un metal, h) se obtiene sobre la superficie tratada de dicho substrato un revestimiento por una capa de al menos un metal, estando dichas etapas seguidas o precedidas eventualmente por una o varias etapas de lavado.

Description

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DESCRIPCION

Procedimiento de revestimiento de una superficie de un substrato de material no metalico mediante una capa metalica

La presente invencion se refiere a un procedimiento de revestimiento de una superficie de un substrato de material no metalico mediante una capa metalica para hacerlo apto para ser tratado, gracias a la fuerte adhesion del revestimiento, por procedimientos clasicos de metalizacion tales como la galvanoplastia.

Los procedimientos de metalizacion de materiales consisten en depositar una fina capa de metal sobre la superficie de un substrato. El interes de estos procedimientos es multiple: funciones visuales, decorativa, conductora, de refuerzo... Se utiliza generalmente para las piezas utilizadas en la industria aeronautica, automoviftstica, cosmetica, de electrodomesticos, sanitaria, de conectividad, microelectronica...

Se han descrito numerosos procedimientos de metalizacion de substratos no metalicos en la literatura y en las patentes.

La mayona de estos procedimientos de metalizacion utilizan las propiedades electroconductoras o de potencial electroqmmico de las partfculas metalicas que se han depositado en los substratos no metalicos durante una etapa conocida como de activacion. Esta etapa de activacion generalmente esta precedida por una etapa de aumento de la superficie espedfica para que el substrato sea suficientemente "rugoso" para permitir un buen agarre de las partfculas metalicas.

El mayor inconveniente de estos procedimientos es principalmente la utilizacion de cromo hexavalente durante la etapa de decapado o modificacion de la rugosidad de superficie del substrato, un potente oxidante que permite obtener una rugosidad grande necesaria para el agarre de las partfculas metalicas pero que es conocido por su gran toxicidad.

La etapa de activacion de la superficie consiste en depositar y en mantener sobre la superficie del material no metalico partfculas metalicas o cationes metalicos que posteriormente seran reducidos para formar partfculas metalicas. Esta etapa necesita la utilizacion de partfculas coloidales de paladio/estano que no reaccionan mas que sobre un cierto numero de poftmeros y que requiere la utilizacion de cantidades grandes de paladio.

El artfculo de Nagao T. et al. (Galvanotechnik, 2006, 97, 7 2124-2130) hace por ejemplo una smtesis de las tecnicas utilizadas para la metalizacion de substratos en ABS que comprenden ademas de las etapas de limpieza y de acondicionamiento de las superficies, una etapa de decapado con disoluciones de cromo hexavalente, una etapa de deposito de coloide de Sn-Pd y luego una etapa de deposito autocatalftico de metal y mas particularmente de cobre. Este artfculo tambien examina una tecnica conocida como "Direct Acid Copper Plating' CRP que no comprende la etapa de deposito autocatalftico de metal, pero que requiere la adicion de paladio en el bano de decapado y/o de grandes cantidades de coloide de Pd/Sn en el bano de catalisis.

Para limitar el uso de las disoluciones de decapado a base de cromo hexavalente, en la solicitud de patente US 3598630 la etapa de decapado de paneles de ABS se efectua mediante una disolucion de permanganato de potasio y de acido fosforico y la etapa de formacion del coloide de Sn/Pd se realiza por aplicaciones sucesivas de una disolucion de cloruro de estano y luego de una disolucion de cloruro de paladio. En el procedimiento descrito, la etapa de deposito autocatalftico de metal es una etapa clasica de deposito de cobre.

Para limitar el uso del paladio, se han propuesto soluciones alternativas, por ejemplo en la solicitud de patente WO 02/36853, el procedimiento clasico de metalizacion de un substrato de ABS se modifica reemplazando el coloide de Sn/Pd por un coloide de Ag/Sn y luego despues de la eliminacion total de los iones de Sn la etapa de deposito autocatalftico de metal es una etapa de deposito de mquel. Despues de la etapa de decapado mediante disoluciones cromicas clasicas y lavado se puede efectuar un tratamiento de la superficie decapada mediante una disolucion de productos susceptibles de mejorar la adsorcion como poliectrolitos en forma de poftmeros cationicos.

Ademas de la utilizacion importante de paladio cuyo coste y escasez son un problema cuando este no se sustituye por plata, en todos los procedimientos anteriormente descritos la etapa de activacion es una etapa de adsorcion en la que se utiliza una preparacion coloidal o se forma por adicion de iones de estano, que a continuacion deben ser completamente eliminados para permitir el desarrollo armonioso y regular la capa metalica durante la etapa de deposito autocatalftico de metal.

Se han propuesto procedimientos alternativos que no emplean, durante la etapa de activacion disoluciones coloidales, y reemplazan la adsorcion por un enlace qrnmico de los iones metalicos en forma de complejos o quelatos.

Por ejemplo, las patentes US 4.981.715 y US 4.701.351 describen un procedimiento de revestimiento de un substrato mediante una fina capa de un poftmero, por ejemplo el acido poliacnlico, apto para complejar un compuesto de metal noble, que comprende una etapa de recubrimiento del substrato mediante un poftmero apto para quelatar iones metalicos, seguida de una etapa de contacto del poftmero con partfculas metalicas. El substrato

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se somete a continuacion a la etapa de deposito autocatalttico de metal. En los ejemplos de realizacion los cationes metalicos utilizados son cationes de paladio, pero el principal inconveniente de este procedimiento es que conlleva la necesidad de controlar la calidad de una interfaz suplementaria, es decir la que se ha creado entre el substrato y la capa de polfmero apta para quelatar un ion metalico. Se proponen soluciones por ejemplo para el tratamiento por irradiacion que permite tambien la fijacion regioselectiva de esta capa de polfmero apta para quelatar y asf la posibilidad de metalizar el substrato de forma selectiva.

Esta solucion si permite eximir de la utilizacion de coloides conlleva la formacion de una capa suplementaria, cuya adhesion al substrato o solidez de la fijacion sobre el substrato se tendra que controlar a nivel industrial, asf como una etapa suplementaria en el procedimiento de fabricacion. Ademas, pueden producirse igualmente problemas de compatibilidad entre el material que constituye el substrato y el polfmero apto para quelatar.

La presente invencion permite simplificar las diferentes etapas de este procedimiento de revestimiento de materiales no metalicos y hacerlo mas respetuoso con el medio ambiente y menos costoso por la puesta a punto de un procedimiento de revestimiento mas simple que no utiliza reactivos toxicos y contaminantes, sin anadir, no obstante, una etapa y una capa suplementaria.

La presente invencion se refiere por lo tanto a un procedimiento de revestimiento de una superficie de un substrato de material no metalico mediante una capa metalica, que consiste en las siguientes etapas:

a) se dispone de un substrato de material no metalico,

b) se somete al menos una parte de al menos una superficie de dicho substrato a un tratamiento ffsico o qmmico de aumento de la superficie espedfica,

c) se somete la superficie de dicho substrato tratada en la etapa b), a un tratamiento oxidante,

d) se pone en contacto la superficie de dicho substrato tratada en la etapa c), con una disolucion que contiene al menos un ion de al menos un metal y su contraion, siendo elegido dicho metal entre el grupo formado por los metales de los grupos IB y VIII de la tabla de clasificacion periodica de los elementos,

e) se obtiene un substrato que comprende los iones de al menos un metal fijados qmmicamente al material no metalico que forma el substrato sobre al menos una parte de al menos una de sus superficies,

f) se someten dichos iones de al menos un metal fijados al material no metalico que forma el substrato sobre una superficie de dicho substrato, a un tratamiento reductor y se obtiene un substrato que comprende atomos de al menos un metal fijados al material no metalico que forma el substrato sobre al menos una parte de al menos una de sus superficies,

g) se pone en contacto la superficie que comprende partfculas de al menos un metal obtenida en la etapa f) con una disolucion que contiene iones de al menos un metal,

h) se obtiene sobre la superficie tratada de dicho substrato un revestimiento mediante una capa de al menos un metal,

estando dichas etapas eventualmente seguidas o precedidas por una o varias etapas de lavado.

La etapa g) es una etapa de deposito autocatalftico tambien denominado no electrolttico (electroless).

Se entiende por iones y/o atomos unidos qmmicamente los atomos o iones unidos por quelacion y/o complejacion mediante funciones o grupos por ejemplo carboxflico (-COOH), hidroxilo (-OH), alcoxilo (-OR), carbonilo (-C=O), percarbonico (-CO-O-OH), nitro (N=O), y amida (-CONH) en la superficie de dicho material.

En la etapa f) los atomos de al menos un metal fijados al material no metalico que forma el substrato se fijan mediante interacciones ligando-metal.

En un modo de realizacion, la etapa d) de activacion se efectua por contacto con una disolucion que contiene un ion de un unico metal y su contraion.

En un modo de realizacion, las etapas b) y c) se efectuan en una sola etapa b') y el tratamiento es un tratamiento oxidante.

En un modo de realizacion, el metal de la etapa f) y el metal de los iones de la etapa g) son identicos.

En un modo de realizacion, las etapas f) y g) se efectuan en una sola etapa f').

Durante el procedimiento de revestimiento, la superficie de dicho substrato de material no metalico debe ser preparada, en primer lugar, para obtener una buena adherencia de la capa metalica sobre la superficie. La superficie del substrato se limpia de todos sus contaminantes creando simultaneamente un relieve de agarre para la adherencia del futuro revestimiento durante la etapa b) del procedimiento.

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La superficie del substrato se puede tratar en la totalidad o en parte utilizando tecnicas de enmascarado bien conocidas por el experto en la tecnica, tales como la utilizacion de barnices protectores resistentes en las etapas de oxidacion.

En un modo de realizacion, la etapa b) se realiza por tratamiento ffsico.

Por tratamiento ffsico se entiende un tratamiento que permite suprimir las capas de baja adhesion y aumentar la rugosidad de superficie.

En un modo de realizacion, el tratamiento ffsico se elige entre el grupo de los tratamientos por impactos.

En un modo de realizacion, las etapas b) o b') o c) se realizan mediante tratamiento oxidante.

Por tratamiento oxidante, se entiende cualquier tratamiento que permita preparar la superficie aumentando la rugosidad y por lo tanto la superficie espedfica de la superficie para la etapa b) y creando funciones susceptibles de quelatar y/o complejar cationes metalicos para la etapa c).

En un modo de realizacion, el tratamiento oxidante se elige entre el grupo de los tratamientos oxidantes qmmicos.

En un modo de realizacion, el tratamiento oxidante se elige entre el grupo de los tratamientos oxidantes electroqmmicos.

En un modo de realizacion, el tratamiento oxidante de la etapa c) se elige entre el grupo de los tratamientos oxidantes ffsicos.

Segun la presente invencion, el substrato puede ser una nanoparffcula, una microparffcula, un tapon de productos cosmeticos, un elemento electronico, una empunadura de una puerta, un aparato electrodomestico, gafas, un objeto de decoracion, un elemento de carrocena, un elemento de cabina, de ala de avion, un conductor flexible o un conector.

Se entiende por materiales no metalicos, cualquier material que pertenece a la familia de los materiales organicos, a la familia de los materiales minerales y a la familia de los materiales compuestos. Se puede citar a modo de ejemplos no limitativos la madera, el papel, el carton, las ceramicas, los materiales plasticos, las siliconas, el textil y el vidrio.

En un modo de realizacion el material organico se elige entre los materiales plasticos.

Por capa metalica se entiende una capa delgada, de algunos nanometros a varios cientos de micrometros, de un metal y/o de un oxido metalico depositado en la superficie de un substrato.

En un modo de realizacion, el material no metalico es un poffmero elegido entre el grupo que comprende los poffmeros natural, artificial, sintetico, termoplastico, termoendurecible, termoestable, elastomero, monodimensional y tridimensional.

En un modo de realizacion, el material no metalico puede comprender ademas un elemento elegido entre el grupo que comprende las cargas, los plastificantes y los aditivos.

En un modo de realizacion, las cargas son cargas minerales elegidas entre el grupo que comprende la sffice, el talco, las fibras o bolas de vidrio.

En un modo de realizacion, las cargas son cargas organicas elegidas entre el grupo que comprende la harina de cereales y la pasta de celulosa.

Los aditivos se utilizan para mejorar una propiedad espedfica del material no metalico tal como su color, su reticulacion, su deslizamiento, su resistencia a la degradacion, al fuego y/o a los ataques bacterianos y/o fungicos.

En un modo de realizacion, el poffmero es un (co)poffmero termoplastico elegido entre el grupo que comprende una poliolefina, un poliester, un polieter, un poffmero vinffico, un poffmero de vinilideno, un poffmero de estireno, un poffmero (met)acrffico, una poliamida, un poffmero fluorado, un poffmero celulosico, una poli(arilensulfona), un polisulfuro, una pol(arileter)cetona, una poliamida-imida, una poli(eter)imida, un polibencimidazol, una poli(indeno/cumarona), un poli(paraxileno), solos, o en mezcla, en copoffmeros o en combinacion.

Las poliolefinas se pueden elegir entre el grupo que comprende un polietileno, un polipropileno, un copoffmero de etileno/propileno, un polibutileno, un polimetilpenteno, un copoffmero de etileno/acetato vinffico, un copoffmero de etileno/alcohol vinffico, un copoffmero de etileno/acrilato de metilo, solos, en mezcla, en copoffmeros o en combinacion.

Los poliesteres se pueden elegir entre el grupo que comprende un tereftalato de polietileno, modificado o no modificado por un glicol, un tereftalato de polibutileno, una poliactida, un policarbonato, solos, en mezcla, en copoffmeros o en combinacion.

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Los polieteres se pueden elegir entre el grupo que comprende un poli(oximetileno), un poli(oxietileno), un poli(oxipropileno), un poli(eter de fenileno), solos, en mezcla, en copoKmeros o en combinacion.

Los polfmeros vimlicos se pueden elegir entre el grupo que comprende un poli(cloruro de vinilo) eventualmente clorado, un poli(alcohol vimlico), un poli(acetato de vinilo), un poli(acetal de vinilo), un poli(formal de vinilo), un poli(fluoruro de vinilo), un poli(cloruro de vinilo/acetato de vinilo), solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

Los polfmeros de vinilideno se pueden elegir entre el grupo que comprende un poli(cloruro de vinilideno), un poli(fluoruro de vinilideno), solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

Los polfmeros estirenicos se pueden elegir entre el grupo que comprende un poliestireno, un

poli(estireno/butadieno), un poli(acrilonitrilo/butadieno/estireno), un poli(acrilonitrilo/estireno), un poli(acrilonitrilo/etileno/propileno/estireno), un poli(acrilonitrilo/estireno/acrilato), solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

Los polfmeros (met)acnlicos se pueden elegir entre el grupo que comprende un poliacrilonitrilo, un poli(acrilato de metilo), un poli(metacrilato de metilo), solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

Las poliamidas se pueden elegir entre el grupo que comprende una poli(caprolactama), una poli(hexametileno adipamida), una poli(lauroamida), un polieter en bloques amida, una poli(metaxilileno adipamida), una poli(metafenileno isoftalamida), solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

Los polfmeros fluorados se pueden elegir entre el grupo que comprende un politetrafluoroetileno, un policlorotrilfluoroetileno, un poli(etileno/propileno) perfluorado, un poli(fluoruro de vinilideno), solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

Los polfmeros celulosicos se pueden elegir entre el grupo que comprende un acetato de celulosa, un nitrato de celulosa, una metilcelulosa, una carboximetilcelulosa, una etilmetilcelulosa, solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

Las poli(arilenosulfona) se pueden elegir entre el grupo que comprende una polisulfona, una polietersulfona, una poliarilsulfona, solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

Los polisulfuros pueden ser poli(sulfuro de fenileno).

Las poli(arileter cetonas) se pueden elegir entre el grupo que comprende una poli(eter cetona), una poli(eter eter cetona), una poli(eter cetona cetona), solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

En un modo de realizacion, el polfmero es un (co)polfmero termoendurecible elegido entre el grupo que comprende un aminoplasto tal como urea-formol, melanina-formol, melanina-formol/poliesteres, solos, en mezcla o en combinacion, un poliuretano, un poliester insaturado, un polisiloxano, una resina formofenolica, eposida, alflica o vinilester, un alcido, una poliurea, un poliisocianurato, una poli(bismaleimida), un polibencimidazol, un polidiciclopentadieno, solos, en mezcla, en copolfmeros o en combinacion.

En un modo de realizacion, el (co)polfmero se elige entre el grupo que comprende el acrilonitrilo butadieno estireno (ABS), el acrilonitrilo butadieno estireno/policarbonato (ABS/PC), el metacrilato de metilo acrilonitrilo butadieno estireno (MABS), una poliamida (PA) como el nylon, una poliamina, un poli(acido acnlico), una polianilina y tereftalato de polietileno (PET).

En un modo de realizacion el metal del ion metalico utilizado en la etapa d) se elige entre los iones de cobre, plata, mquel, platino, paladio o cobalto.

En un modo de realizacion el metal del ion metalico utilizado en la etapa d) se elige entre el grupo formado por el cobre y el mquel.

En un modo de realizacion el metal del ion metalico utilizado en la etapa d) es el cobre.

En un modo de realizacion, el metal de los iones metalicos utilizados en la etapa g) o f') se elige entre los elementos

de los grupos IB y VIII de la clasificacion periodica.

En un modo de realizacion el metal del ion metalico utilizado en la etapa g) o f') se elige entre los iones de cobre, plata, oro, mquel, platino, paladio, hierro o cobalto.

En un modo de realizacion el metal del ion metalico utilizado en la etapa g) o f') se elige entre el grupo formado por el cobre y el mquel.

En un modo de realizacion el metal del ion metalico utilizado en la etapa g) o f') es el cobre.

En un modo de realizacion el metal del ion metalico utilizado en la etapa g) o f') es el mquel.

Segun la invencion, el grupo de los tratamientos por impactos comprende el arenado, el granallado, el tratamiento con microesferas y el lijado con telas abrasivas.

Se entiende por tratamiento oxidante qmmico un tratamiento que permite oxidar la superficie del substrato fijando en el y/o introduciendo en el grupos ricos en oxfgeno tales como grupos carboxflico (-COOH), hidroxilo (-OH), alcoxilo (5 OR), carbonilo (-C=O), percarbonico (-CO-O-OH), nitro (N=O) y amida (-CONH) susceptibles de unir qmmicamente los cationes metalicos y luego los metales reducidos por quelacion y/o complejacion.

Segun la invencion, el tratamiento oxidante qmmico se elige entre el grupo que comprende el reactivo de Fenton, la potasa alcoholica, un acido fuerte, la sosa, un oxidante fuerte, el ozono, solos o en combinaciones.

En un modo de realizacion, el acido fuerte se elige entre el grupo que comprende el acido clorhudrico, el acido 10 sulfurico, el acido mtrico, el acido perclorico, el acido acetico, el acido oxalico, el acido fosforoso, el acido fosforico y el acido hipofosforoso, solos o en mezcla.

En un modo de realizacion, el oxidante se elige entre el grupo que comprende KMnO4 y KCO3, solos o en mezcla.

En un modo de realizacion, el oxidante fuerte es KMnO4.

Los tratamientos oxidantes se eligen en funcion de la naturaleza de los materiales constitutivos de los substratos, en 15 la tabla 1 siguiente se ilustran a modo de ejemplos, diferentes tratamientos oxidantes qmmicos aplicables cuando el substrato es de ABS o de ABS/PC.

Tabla 1

Oxidante: Acido solo o en combinacion

KMnO4: H3PO4

H3PO2

H3PO3

H2SO4

C2H2O4

H3PO4 + C2H2O4

H3PO2 + C2H2O4

H3PO4 + H2SO4

H3PO2 + H2SO4

HNO3 + HCl: HNO3

HCl

CH3COOH
CH3COOH

En la tabla 2 siguiente se ilustran diferentes tratamientos oxidantes en funcion de la naturaleza del substrato. 20 Tabla 2

Tipos de substratos: Naturaleza de los tratamientos oxidantes

PP: KMnO4 + H3PO4

ABS: KMnO4 + H3PO4

ABS PC: KMnO4 + H3PO4

PA: HCl + Isopropanol

PPS: HNO3 + NaOH

MABS: KMnO4+ H3PO4 +H2SO4

CH3COOH

PC: H2SO4 + HNO3

H2SO4

KOH

En un modo de realizacion, las relaciones masicas de acido fuerte estan comprendidas entre 5 y 100%. En un modo de realizacion, estan comprendidas entre 50 y 95%.

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En un modo de realizacion, estan comprendidas entre 70 y 90%.

En un modo de realizacion, la duracion del tratamiento con acido fuerte esta comprendida entre 20 segundos y 5 horas.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 30 segundos y 3 horas.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 30 segundos y 20 minutos.

En un modo de realizacion, la duracion del tratamiento por reaccion qmmica de Fenton esta comprendida entre 5 minutos y 5 horas.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 10 minutos y 3 horas.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 15 minutos y 2 horas.

En un modo de realizacion, es del orden de 25 minutos.

En un modo de realizacion, para el tratamiento con potasa alcoholica, el hidroxido de potasio se diluye en una disolucion que contiene como disolvente un alcohol elegido entre el grupo que comprende el metanol, el etanol y el propanol.

En un modo de realizacion, dicho hidroxido de potasio esta diluido en una disolucion que contiene como disolvente el etanol.

En un modo de realizacion, la concentracion en hidroxido de potasio en la disolucion alcoholica esta comprendida entre 0,1 My 10 M.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 0,5 M y 5 M.

En un modo de realizacion, es del orden de 3,5 M.

En un modo de realizacion, la duracion del tratamiento con potasa alcoholica esta comprendida entre 5 minutos y 5 horas.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 1 minuto y 3 horas.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 5 minutos y 1 hora.

En un modo de realizacion, para el tratamiento con sosa, las relaciones masicas de sosa estan comprendidas entre 10 y 100%.

En un modo de realizacion, estan comprendidas entre 15 y 70%.

En un modo de realizacion, estan comprendidas entre 20 y 50%.

En un modo de realizacion, para el tratamiento mediante un oxidante fuerte, la disolucion de oxidante fuerte es neutra, acida o basica.

En un modo de realizacion, la disolucion de oxidante fuerte es acida.

En un modo de realizacion, el oxidante fuerte se elige entre el grupo que comprende KMnO4 y KCO3, solo o en mezcla, en acido clortndrico, en acido sulfurico, en acido mtrico, en acido oxalico, en acido fosforico, en acido hidrofosforoso o en acido fosforoso.

En un modo de realizacion, la concentracion de KMnO4 o KCO3 esta comprendida entre 10 mM y 1 M.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 0,1 M y 0,5 M.

En un modo de realizacion, es del orden de 0,2 M.

En un modo de realizacion, la concentracion de acido esta comprendida entre 0,1 My 10 M.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 0,5 M y 5 M.

En un modo de realizacion, es del orden de 3,5 M.

En un modo de realizacion, la duracion del tratamiento con un oxidante fuerte esta comprendida entre 1 minuto y 3 horas.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 5 minutos y 1 hora.

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En un modo de realizacion, esta comprendida entre 6 minutos y 30 minutes.

En un modo de realizacion, es del orden de 15 minutos.

En un modo de realizacion, el tratamiento oxidante qmmico es un tratamiento electroqmmico.

Segun la invencion, el contraion de al menos un metal de la etapa d) se elige entre el grupo que comprende los iones tetrafluoroborato, sulfato, bromuro, fluoruro, yoduro, nitrato, fosfato y cloruro.

En un modo de realizacion, la disolucion de la etapa d) que contiene al menos un ion de al menos un metal y su contraion es una disolucion basica.

En un modo de realizacion, la disolucion basica tiene un pH superior a 7.

En un modo de realizacion, tiene un pH entre 9 y 11.

En un modo de realizacion, tiene un pH del orden de 10.

En un modo de realizacion, la duracion del tratamiento de la etapa d) esta comprendida entre 30 segundos y 2 horas.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 1 minuto y 1 hora.

En un modo de realizacion, es del orden de 15 minutos.

Segun la invencion, la disolucion reductora del tratamiento reductor en la etapa f) es basica.

En un modo de realizacion, la disolucion reductora comprende un agente reductor elegido entre el grupo que comprende las disoluciones de borohidruro de sodio, de dimetilaminoborano o de hidrazina.

En un modo de realizacion, el agente reductor es una disolucion de borohidruro de sodio.

En un modo de realizacion, la disolucion de borohidruro de sodio tiene un pH neutro o basico.

En un modo de realizacion, la disolucion de dimetilaminoborano tiene un pH basico.

En un modo de realizacion, el pH es basico, el hidroxido de sodio en disolucion se utiliza como disolvente.

En un modo de realizacion, la concentracion en hidroxido de sodio esta comprendida entre 10-4 M y 5 M.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 0,05 My 1 M.

En un modo de realizacion, es del orden de 0,1 M.

En un modo de realizacion, la concentracion de agente reductor en la disolucion reductora de la etapa f) esta comprendida entre 10-4 M y 5 M.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 0,01 My 1 M.

En un modo de realizacion, es del orden de 0,3 M.

En un modo de realizacion, la etapa de reduccion se realiza a una temperatura comprendida entre 10°C y 90°C.

En un modo de realizacion, se realiza a una temperatura comprendida entre 30°C y 70°C.

En un modo de realizacion, se realiza a una temperatura del orden de 50°C.

En un modo de realizacion, la duracion de la etapa de reduccion esta comprendida entre 30 segundos y 1 hora.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 1 minuto y 30 minutos.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 2 minutos y 20 minutos.

En un modo de realizacion, la disolucion de la etapa f') comprende iones del metal, un agente complejante de los iones del metal, un agente reductor y un regulador de pH.

En un modo de realizacion, dicha disolucion de la etapa f') es una disolucion acuosa.

En un modo de realizacion, la disolucion de la etapa f') es una disolucion de bano no electrolftico que contiene un cation metalico elegido entre: Ag+, Ag2+, Ag3+, Au+, Au3+, Co2+, Cu+, Cu2+, Fe2+, Ni2+, Pd+ y Pt+.

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En un modo de realizacion, la disolucion de la etapa f') es una disolucion de bano no electrolftico que contiene un

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cation metalico elegido entre: Co2 , Cu , Cu2 , Ni2 y Pt .

En un modo de realizacion, la disolucion de la etapa g) que contiene iones de al menos un metal es una disolucion acuosa.

En un modo de realizacion, dicha disolucion de la etapa g) es una disolucion de bano no electrolftico que contiene un cation metalico elegido entre: Ag+, Ag2+, Ag3+, Au+, Au3+, Co2+, Cu+, Cu2+, Fe2+, Ni2+, Pd+ y Pt+.

En un modo de realizacion, la disolucion de la etapa g) es una disolucion de bano no electrolftico que contiene un

0+ + 0+ 0+ 1 1 cation metalico elegido entre: Co2 , Cu , Cu2 , Ni2 y Pt .

En un modo de realizacion, la disolucion de la etapa g) es una disolucion de bano no electrolftico que contiene un cation metalico elegido entre: Cu2+y Ni2+.

En un modo de realizacion, la duracion de la etapa g) esta comprendida entre 1 minuto y 1 hora.

Segun la invencion, previamente y entre cada etapa del procedimiento la superficie del substrato y/o el substrato es/son sometido/s a uno o varios lavados con al menos una disolucion de lavado.

En un modo de realizacion, las disoluciones de lavado son identicas o diferentes.

En un modo de realizacion, la disolucion de lavado se elige entre el grupo que comprende agua, agua destilada, agua desionizada o una disolucion acuosa que contiene un detergente.

En un modo de realizacion, el detergente contenido en una disolucion acuosa se elige entre el grupo que comprende el TDF4 y la sosa.

En un modo de realizacion, la concentracion de sosa esta comprendida entre 0,0 1 M y 1 M.

En un modo de realizacion, la disolucion de lavado se agita durante la puesta en contacto con la superficie del substrato y/o el substrato.

En un modo de realizacion, la agitacion se realiza mediante un agitador, una bomba de recirculacion, un burbujeo de aire o de un gas, un bano de ultrasonidos o un homogeneizador.

En un modo de realizacion, la duracion de cada etapa de lavado esta comprendida entre 1 segundo y 30 minutos.

En un modo de realizacion, esta comprendida entre 5 segundos y 20 minutos.

La puesta en contacto de la superficie del substrato y/o el substrato con las disoluciones de las diferentes etapas se puede hacer por inmersion en un bano o por pulverizacion y/o ducha.

Cuando esta puesta en contacto se hace por inmersion en un bano, la homogeneizacion de dicho bano se realiza mediante un agitador, una bomba de recirculacion, un burbujeo de aire o de un gas, un bano de ultrasonidos o un homogeneizador.

La invencion se refiere igualmente al substrato obtenido segun el procedimiento de la invencion para el que la superficie de dicho substrato de material no metalico se reviste con una capa metalica.

La invencion se refiere a un substrato de material no metalico en el que al menos una superficie esta revestida por una capa metalica de activacion formada por atomos de un metal unidos por interaccion metal-ligando directamente al material constitutivo del substrato por grupos carboxflico (-COOH), hidroxilo (-OH), alcoxilo (-OR), carbonilo (- C=O), percarbonico (-CO-O-OH), nitro (N=O), o amida (-CONH), estando recubierta dicha capa de activacion con una capa de un metal identico o diferente depositado por deposito autocatalftico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato constituido por ABS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al ABS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalftico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por ABS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al ABS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalftico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por ABS/PC, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al ABS/PC que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalftico.

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En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por ABS/PC, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al ABS/PC que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PA, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PA que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PA, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PA que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PC, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PC que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PC, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PC que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por MABS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al MABS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por MABS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al MABS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PP, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PP que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PP, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PP que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PPS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PPS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PPS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PPS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de cobre depositada por deposito autocatalftico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por ABS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al ABS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalftico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por ABS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al ABS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalftico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por ABS/PC, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al ABS/PC

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que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por ABS/PC, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al ABS/PC que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PA, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PA que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PA, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PA que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PC, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PC que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PC, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PC que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por MABS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al MABS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por MABS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al MABS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PP, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PP que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalttico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PP, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PP que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalftico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PPS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por cobre cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PPS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalftico.

En un modo de realizacion la invencion se refiere a un substrato formado por PPS, cuya superficie esta revestida por una capa de activacion formada por mquel cuyos atomos estan unidos por interaccion metal-ligando al PPS que constituye el substrato, estando dicha capa de activacion recubierta por una capa de mquel depositada por deposito autocatalftico.

La invencion se refiere igualmente a un procedimiento segun la invencion que comprende ademas una etapa de metalizacion.

En un modo de realizacion, el tratamiento de metalizacion es un tratamiento por galvanoplastia.

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Ejemplo 1

I. Revestimiento mediante una capa de cobre de placas de acrilonitrilo butadieno estireno (ABS) y de acrilonitrilo butadieno estireno/policarbonato (ABS/PC).

Este procedimiento de revestimiento mediante una capa de cobre de un substrato de material no metalico se efectua en 4 etapas (tratamiento oxidante qrnmico con acido nftrico/quelacion y/o complejacion/reduccion/bano no electrolftico).

1.1. Tratamiento oxidante qrnmico con acido nftrico

Se lleva acido nftrico puro a 50°C. En esta disolucion, se sumergen durante 8 minutos placas de acrilonitrilo butadieno estireno (ABS) y de acrilonitrilo butadieno estireno/policarbonato (ABS/PC). Las placas se lavan a continuacion dos veces en un bano de agua (1 litro).

1.2. Quelacion y/o complejacion de los iones de cobre

Se solubiliza sulfato de cobre (23,7 g) en una disolucion de agua (1000 ml) y amoniaco (30 ml). En este bano se sumergen las piezas que han sido sometidas al tratamiento oxidante qrnmico de la etapa I.1 durante 15 minutos. Las piezas de ABS se lavan a continuacion en una disolucion de sosa 0,2 M.

1.3. Tratamiento reductor de los iones de cobre

Se disuelve borohidruro de sodio NaBH4 (0,316 g, 0,8 x 10-2 mol) en 25 ml de una disolucion de sosa (NaOH) 0,1 M. Esta disolucion se calienta a 80°C mediante un bano mana y las muestras se sumergen en ella. Despues de 12 minutos, las muestras se han lavado con agua MllliQ antes de secarlas.

1.4. Bano no electrolftico de cobre (Bano Mac-Dermid M Copper®)

Se prepara una disolucion que contiene 100 ml de la disolucion M Copper® 85 B. A continuacion, se anaden 40 ml de la disolucion M Copper® 85 A, luego 30 ml de la disolucion M Copper ® 85 D, luego 2 ml de la disolucion M Copper® 85 G y finalmente 5 ml de formaldehndo al 37%. El nivel de la disolucion se completa para alcanzar 1 litro de disolucion. El bano se lleva a 60°C con agitacion mecanica. Se introducen entonces las placas de ABS.

Las piezas se recubriran con la peftcula metalica de cobre qrnmico despues de 3 minutos de inmersion.

La capa de cobre es visible a simple vista.

1.5. Bano no electrolftico de cobre

En un modo de realizacion alternativo, el bano no electrolftico es una disolucion preparada que contiene: 40 ml de la disolucion PegCopeer 100, 100 ml de la disolucion PegCopper 200, 30 ml de PegCopper 400 y 2 ml de PegCopper 500 (productos comercializados por la sociedad PEGASTECH). A continuacion se anaden 3,5 ml de PegCopper 600. El nivel se completa para alcanzar 1 litro con agua y la mezcla se lleva a 50°C con burbujeo. A continuacion, se introducen las piezas que se van a tratar.

Las piezas se recubren con la peftcula metalica de cobre qrnmico despues de 3 minutos de inmersion.

La capa de cobre es visible a simple vista.

Ejemplo 2

II. Revestimiento para una capa de cobre de un substrato de poliamida.

El procedimiento de revestimiento se desarrolla con un substrato formado por poliamida Minlon®.

11.1. Tratamiento oxidante qrnmico con acido clorhdrico e isopropanol

En una disolucion acuosa que contiene agua 130 ml, acido clorhftdrico (37 M), 28 ml e isopropanol 55 ml, se sumerge el substrato de poliamida a 28°C durante 17 minutos. El substrato se lava a continuacion con agua.

11.2. Quelacion y/o complejacion de los iones de cobre

Segun un procedimiento similar al descrito en el ejemplo 1, etapa I.2 se quelatan los iones de cobre en la superficie del substrato.

II.3 Tratamiento reductor de los iones de cobre

Segun el modo operatorio descrito en I.3 los iones de cobre quelatados se reducen en la superficie del substrato.

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II. 4. Bano no electrolitico de cobre

Segun un procedimiento similar al descrito en el ejemplo 1, etapa I.4 o I.5., el substrato de poliamida se recubre con una pelfcula metalica de cobre qmmico.

La capa de cobre es visible a simple vista.

Ejemplo 3

III. Revestimiento con una capa de cobre de un substrato de policarbonato

El procedimiento de revestimiento se realiza con un substrato de policarbonato Lexan®.

111.1. Tratamiento oxidante qmmico con acidos fuertes

El substrato de policarbonato se sumerge en una disolucion que contiene una mezcla de acidos fuertes (acido nftrico al 34% y sulfurico al 66%) a 25°C durante 5 minutos, y luego en un bano de acido sulfurico concentrado a 25°C durante 3 minutos. El conjunto se neutraliza en una disolucion de potasa 5N a 65°C durante 5 minutos. El substrato de policarbonato se lava a continuacion con agua.

111.2. Quelacion y/o complejacion de los iones de cobre

Segun un procedimiento similar al descrito en el ejemplo 1, la etapa I.2 se quelatan los iones de cobre en la superficie del substrato.

111.3. Tratamiento reductor de los iones de cobre

Segun el modo operatorio descrito en I.3 se quelatan los iones reducidos en la superficie del substrato.

111.4. Bano no electrolitico de cobre

Segun un procedimiento similar al descrito en el ejemplo 1, etapa I.4 o I.5., el substrato de policarbonato se recubre con una pelfcula metalica de cobre qmmico.

La capa de cobre es visible a simple vista.

Ejemplo 4

Se han realizado ensayos de adherencia segun la norma NF ISO 2409/ NF T30-038 y ensayos de corrosion segun la norma DIN ISO 9227 sobre los substratos obtenidos en los ejemplos 1 a 3, y las prestaciones son conformes con las exigencias de estos ensayos y comparables a las prestaciones obtenidas con substratos obtenidos segun los procedimientos de la tecnica anterior.

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REIVINDICACIONES

1. Procedimiento de revestimiento de una superficie de un substrato de material no metalico mediante una capa metalica caracterizado por que comprende las siguientes etapas:

a) se dispone de un substrato de material no metalico,

b) se somete al menos una parte de al menos una superficie de dicho substrato a un tratamiento ffsico o qmmico de aumento de la superficie espedfica,

c) se somete la superficie de dicho substrato tratada en la etapa b) a un tratamiento oxidante,

d) se pone en contacto la superficie de dicho substrato tratada en la etapa c), con una disolucion que contiene al menos un ion de al menos un metal y su contraion, eligiendose dicho metal entre el grupo formado por los metales de los grupos IB y VIII de la clasificacion periodica de los elementos,

e) se obtiene un substrato de los iones de al menos un metal fijados qmmicamente al material no metalico que forma el substrato sobre al menos una parte de al menos una de sus superficies,

f) se someten dichos iones de al menos un metal fijados qmmicamente al material no metalico que forma el substrato sobre una superficie de dicho substrato a un tratamiento reductor y se obtiene un substrato que comprende atomos de al menos un metal fijados qmmicamente al material no metalico que forma el substrato sobre al menos una parte de al menos una de sus superficies,

g) se pone en contacto la superficie que comprende parffculas de al menos un metal obtenida en la etapa f) con una disolucion que contiene iones de al menos un metal,

h) se obtiene sobre la superficie tratada de dicho substrato un revestimiento por una capa de al menos un metal, estando dichas etapas seguidas o precedidas eventualmente por una o varias etapas de lavado.
2. Procedimiento segun la reivindicacion 1, caracterizado por que las etapas b) y c) se efectuan en una sola etapa b') y el tratamiento es un tratamiento oxidante.
3. Procedimiento segun la reivindicacion 1, caracterizado por que el metal de la etapa f) y el metal de los iones de la etapa g) son identicos.
4. Procedimiento segun una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado por que las etapas f) y g) se efectuan en una sola etapa f').
5. Procedimiento segun una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado por que la etapa b) se realiza mediante tratamiento ffsico, preferentemente elegido entre el grupo de los tratamientos por impactos.
6. Procedimiento segun una de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado por que las etapas b) o b') o c) se realizan mediante tratamiento oxidante.
7. Procedimiento segun una de las reivindicaciones 1 a 6, caracterizado por que el tratamiento oxidante se elige entre el grupo de los tratamientos oxidantes qmmicos, preferentemente el tratamiento oxidante qmmico es un tratamiento electroqmmico.
8. Procedimiento segun una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el metal del ion metalico utilizado en la etapa d) se elige entre los iones de cobre, plata, mquel, platino, paladio o cobalto, preferentemente entre los iones de cobre y de mquel.
9. Procedimiento segun una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el tratamiento oxidante qmmico se elige entre el grupo formado por el reactivo de Fenton, la potasa alcoholica, un acido fuerte, elegido preferentemente entre el grupo formado por acido clorhffdrico, acido sulfurico, acido mtrico, acido perclorico, acido fosforoso, acido fosforico, acido hipofosforoso, acido oxalico, acido acetico, solos o en mezcla, la sosa, un oxidante fuerte, elegido preferentemente entre el grupo formado por KMnO4 y KCO3, solos o en mezcla, el ozono, solos o en combinaciones.
10. Procedimiento segun la reivindicacion 1, caracterizado por que la disolucion reductora comprende un agente reductor elegido entre el grupo formado por las disoluciones de borohidruro de sodio, de dimetilaminoborano o de hidrazina.
11. Procedimiento segun la reivindicacion 1, caracterizado por que la disolucion de la etapa f') comprende iones del metal, un agente que acompleja los iones del metal, un agente reductor y un regulador de pH.
12. Procedimiento segun la reivindicacion 1, caracterizado por que previamente y entre cada etapa del procedimiento la superficie del substrato y/o el substrato se somete a uno o varios lavados con al menos una disolucion de lavado, estando preferentemente la disolucion de lavado agitada durante la puesta en contacto con la superficie del substrato y/o el substrato.

5 13. Procedimiento segun una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 12, caracterizado por que comprende ademas

una etapa de metalizacion, siendo preferentemente la etapa de metalizacion una etapa de tratamiento por galvanoplastia.