ES2394732T3 - Organofuncionalización asistida por plasma de tetrahalogenuros de silicio o de organohalosilanos - Google Patents
Organofuncionalización asistida por plasma de tetrahalogenuros de silicio o de organohalosilanos Download PDFInfo
- Publication number
- ES2394732T3 ES2394732T3 ES08734908T ES08734908T ES2394732T3 ES 2394732 T3 ES2394732 T3 ES 2394732T3 ES 08734908 T ES08734908 T ES 08734908T ES 08734908 T ES08734908 T ES 08734908T ES 2394732 T3 ES2394732 T3 ES 2394732T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- plasma
- organohalosilanes
- assisted synthesis
- methane
- silyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 19
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 206010061218 Inflammation Diseases 0.000 claims abstract description 3
- 230000004054 inflammatory process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 claims abstract description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 16
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N silylmethylsilane Chemical compound [SiH3]C[SiH3] HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N Acetylene Chemical compound C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 6
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 5
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims description 4
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910003828 SiH3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 3
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 claims description 3
- 229910003676 SiBr4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N silicon tetrabromide Chemical compound Br[Si](Br)(Br)Br AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004721 HSiCl3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004012 SiCx Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 3
- -1 relatively expensive Chemical compound 0.000 description 3
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020308 Cl3SiH Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- PQLAYKMGZDUDLQ-UHFFFAOYSA-K aluminium bromide Chemical compound Br[Al](Br)Br PQLAYKMGZDUDLQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000000711 cancerogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 231100000315 carcinogenic Toxicity 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical class C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N dibromomethane Chemical compound BrCBr FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000006713 insertion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000011987 methylation Effects 0.000 description 1
- 238000007069 methylation reaction Methods 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N silyl Chemical compound [SiH3] OLRJXMHANKMLTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/122—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0896—Compounds with a Si-H linkage
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
Abstract
Procedimiento para la síntesis de organohalosilanos, caracterizado porque mediante inflamación de un plasma en una mezcla constituida por uno o varios compuestos orgánicos volátiles a partir del grupo de alcanos, alquenos, alquinos y compuestos aromáticos con SiX4 y/o organohalosilanos RnSiX4-n (X >= F, Cl, Br o I; n >= 1-4; R >= alquilo, alquenilo, alquinilo, arilo), se forman organohalosilanos de la fórmula aditiva general R1mR2oSiX4-p (X >= F, Cl, Br o I; p >= 1-4, p >= m+o; m >= 1-4; o >= 0-3, R1, R2 >= alquilo, alquenilo, alquinilo, arilo) y/o carbosilanos de la fórmula aditiva general R3qSiX3-qCH2SiR4rX3-r (X >= F, Cl, Br o I; q >= 0-3; r >= 0-3; R3, R4 >= alquilo, alquenilo, alquinilo, arilo) .
Description
Organofuncionalización asistida por plasma de tetrahalogenuros de silicio o de organohalosilanos
La presente invención se refiere a un procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos.
El estado de la técnica está caracterizado porque se obtiene dimetildiclorosilano según el denominado proceso de Müller-Rochow a partir de silicio y cloruro de metilo (gas) a 270-350ºC. A tal efecto se requiere silicio metalúrgico de alto valor cualitativo, que se debe mezclar aún con catalizadores (Cu) y cantidades exactas de promotores (diversos metales en cantidades reducidas). Es desfavorable que se debe trabajar con silicio metalúrgico, relativamente costoso, y cloruro de metilo, caro y tóxico (cancerígeno). Además del Me2SiCl2 deseado se producen aún otros silanos, como MeSiCl3, Me3SiCl, Me4Si y SiCl4, en cantidades variables, así como oligosilanos de punto de ebullición más elevado.
Células solares constituidas por silicio monocristalino disponen de un grado de acción elevado, pero son caras en su obtención. Ciertamente son más económicas capas constituidas por silicio amorfo (a-Si), pero para su empleo es ventajoso incorporar carbono (a-SiCx:H) en una capa de silicio amorfa hidrogenada (a-Si:H), ya que de este modo se amplía considerablemente el intervalo de longitudes de onda eficaz.
a-SiCx:H se obtiene en general mediante precipitación química a partir de la fase gaseosa (por ejemplo plasma-CVD) de mezclas gaseosas de silano, hidrocarburos e hidrógeno. No obstante, los elementos Si, C y H no se precipitan de un modo controlable con suficiente exactitud, de modo que se pueden formar enlaces químicos indeseables, que reducen el grado de acción. Para evitar este efecto, en lugar de mezclas de gases se emplean alquilsilanos para la obtención de capas de a-SiCx:H. Ya que metilsilano conduce a capas con un contenido en Si relativamente reducido, o bien un contenido en C elevado, y con ello a una resistencia eléctrica elevada, en la precipitación térmica, así como también en la precipitación asistida por plasma, según el estado de la técnica se emplean compuestos más ricos en sililo, por ejemplo
bis(silil)metano, H3SiCH2SiH3 (véase la US-PS 4690830, la EP-A-0233613). La obtención de este compuesto se efectúa según el estado de la técnica mediante reacción de cloroformo con triclorosilano (HSiCl3) en presencia de una amina para dar H2C (SiCl3)2, que se reduce con hidruro de litio y aluminio (LiAlH4) para dar bis(silil)metano. Otra vía de obtención parte de una reacción de dibromometano con KSiH3 [véase Z Naturforsch. 41b, páginas 1527-1534 (1986)]. En la DE 3941997 Cl se informa sobre una síntesis de tres etapas.
CH2X2 + 2 PhSiH2X + 2 Mg - CH2(SiH2Ph)2 + 2 MgX2
CH2(SiH2Ph)2 + 2 HBr - CH2(SiH2Br)2 + 2 PhH
2CH2(SiH2Br)2 + LiAlH4 - 2CH2(SiH3)2 + AlBr3 + LiBr
La WO 2004/010454 A2 se ocupa de la puesta en práctica de reacciones gaseosas en un reactor de plasma circulado por gas, cuyos elementos que forman la circulación están dispuestos de modo que en el reactor de plasma se configura al menos una zona de reposo de circulación en la corriente gaseosa. Como gases de reacción se emplean los gases difícilmente activables, y con ello menos reactivos, dióxido de carbono, agua, nitrógeno, metano y gas natural. A modo de ejemplo, con un rendimiento de P = 4500 W se puede obtener gas de síntesis a partir de CO2 y CH4.
Compuestos de partida apropiados para la síntesis de disililmetano son además bis(silil)metanos perhalogenados de tipo (X3Si)2CH2, siendo X cloro en el caso más conveniente. No obstante, hasta la fecha no se conoce ninguna síntesis para obtener (Cl3Si)2CH2 a partir de los componentes tetracloruro de carbono y metano, fácilmente accesibles, y por consiguiente los más económicos.
La invención toma como base la tarea de poner a disposición un procedimiento especialmente sencillo y económico para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos.
Según la invención, este problema se soluciona mediante un procedimiento que está caracterizado porque mediante inflamación de un plasma en una mezcla constituida por uno o varios compuestos orgánicos volátiles a partir del grupo de alcanos, alquenos, alquinos y compuestos aromáticos con SiX4 y/o organohalosilanos RnSiX4-n (X = F, Cl, Br o I; n = 1-4; R = alquilo, alquenilo, alquinilo, arilo), se forman organohalosilanos de la fórmula aditiva general R1mR2oSiX4-p (X = F, Cl, Br o I; p = 1-4, p = m+o; m = 1-4; o = 0-3, R1, R2 = alquilo, alquenilo, alquinilo, arilo) y/o carbosilanos de la fórmula aditiva general R3qSiX3-qCH2SiR4rX3-r (X = F, Cl, Br o I; q = 0-3; r = 0-3; R3, R4 = alquilo, alquenilo, alquinilo, arilo).
En las sub-reivindicaciones se describen perfeccionamientos del procedimiento según la invención. De este modo, un perfeccionamiento se distingue por que la mezcla de reactivos se hace reaccionar mediante aplicación de un plasma no isotérmico. Además, la mezcla de reactivos se hace reaccionar preferentemente bajo presión reducida.
La mezcla de reactivos se conduce convenientemente a través de al menos una zona de reacción de plasma. Además, ésta se conduce preferentemente a través de varias zonas de reacción y reposo, que son sucesivas de manera alternante.
La mezcla de reacción se hace reaccionar preferentemente en un reactor de plasma a una presión de 0,1 a 100 hPa, preferentemente de 1,0 a 10,0 hPa. Convenientemente se hace reaccionar a temperaturas de reacción de -80ºC a +400ºC, preferentemente de 0ºC a 250ºC.
Para la puesta en práctica de reacciones de plasma se acoplan especialmente campos alternos electromagnéticos, preferentemente en el intervalo de 1,0 MHz a 2,45 GHz.
En el perfeccionamiento, los productos de reacción se obtienen en un depósito colector tras el reactor de plasma mediante condensación por congelación a aproximadamente -80ºC. Los organohalosilanos se obtienen preferentemente a partir de un recipiente de destilación en una columna de destilación, mediante destilación, y se recogen en un depósito colector. Reactor y depósito colector se pueden lavar con SiX4.
Preferentemente se emplea metano por separado, o adicionalmente a metano se emplean otros compuestos volátiles del grupo de compuestos alifáticos y/o aromáticos. En este caso se hace reaccionar especialmente de modo adicional para dar metano, etano, eteno y/o etino.
En lugar de o adicionalmente a los silanos halogenados alquilados, se pueden obtener silanos halogenados arilados, empleándose compuestos aromáticos en lugar de o adicionalmente a alcanos. En lugar de o adicionalmente a silanos halogenados alquilados se pueden obtener silanos halogenados alquenilados, empleándose alquenos en lugar de o adicionalmente a alcanos. En lugar de o adicionalmente a silanos halogenados alquilados se pueden obtener silanos halogenados alquinilados, empleándose alquinos en lugar de o adicionalmente a alcanos.
Preferentemente se obtienen organohalosilanos con diferentes substituyentes organilo.
Preferentemente se emplean uno o varios compuestos volátiles del grupo de silanos halogenados, en especial SiF4, SiCl4 y/o SiBr4. También se pueden hacer reaccionar uno o varios compuestos volátiles del grupo de organohalosilanos, en especial metiltriclorosilano. Los compuestos volátiles, preferentemente de la fórmula MeSiX3, se pueden obtener mediante una destilación de organohalosilanos recogidos en el depósito colector.
En otra forma de ejecución se hace reaccionar adicionalmente hidrógeno.
En una forma de ejecución se obtiene metano doblemente sililado (carbosilano), en especial un bis(silil)metano X3SiCH2-SiX3.
En otra forma de ejecución se puede obtener adicionalmente bis(silil)metano H3Si-CH2-SiH3 y/o un derivado sililorganilado y/o sililhalogenado de bis(silil)metano.
Además, en la mezcla de partida pueden estar contenidos adicionalmente uno o varios organohalosilanos, en especial RnSiX4-n, siendo R seleccionado en especial a partir del grupo vinilo y etinilo, como educto.
En otra forma de ejecución se pueden obtener adicionalmente uno o varios bis(silil)metanos organosubstituidos, en especial RX2Si-CH2-SiX3 y/o (RX2Si)2CH2, seleccionándose R en especial a partir del grupo que comprende vinilo y etinilo.
El procedimiento según la invención evita los problemas citados inicialmente partiéndose del económico SiX4 o correspondientes organohalosilanos y metano (inofensivo), u otros compuestos volátiles del grupo de alcanos, alquenos, alquinos y compuestos aromáticos. Estas substancias se excitan a través de un plasma y se hacen reaccionar, produciéndose, entre otros, los silanos deseados Me2SiX2, MeSiX3 y (X3Si)2CH2. Otra ventaja consiste en que, mediante substitución de metano por otros hidrocarburos volátiles, se pueden acoplar también otros grupos al silicio.
Esto se consigue también, por ejemplo, haciéndose reaccionar eteno o etino con el tetrahalosilano en el reactor asistido por plasma, pudiéndose obtener vinil-o etinilhalosilanos y los bis(silil)alcanos (X3Si)2CH2, RX2SiCH2SiX3 y (RSiX)2CH2 (R = vinilo, etinilo).
Si en el reactor de plasma se hacen reaccionar, en lugar de tetrahalosilano, silanos halogenados organosubstituidos RnSiX4-n (n = 1-3) con hidrocarburos, se consigue sintetizar productos con organosubstitución superior en el átomo de silicio, o bien aumentar sus fracciones en la mezcla de reacción, partiendo de tetrahalogenuro de silicio.
El procedimiento para la organofuncionalización asistida por plasma de SiX4 u organohalosilanos recorre varios pasos de procedimiento, y se describe como sigue en el ejemplo de SiCl4 por medio del dibujo.
- 1.
- A través de la entrada de gas (1) se introducen CH4 y SiCl4 en el reactor (5), y
- 2.
- se inflama un plasma bajo presión reducida (0,1-100 hPa) mediante aplicación de campos alternos electromagnéticos,
- 3.
- en este caso, el reactor puede contener varias zonas de plasma (2) y reposo (3), así como áreas refrigeradas. Los gases de reacción atraviesan el reactor (5) hacia la bomba de vacío,
- 4.
- reteniéndose los componentes fácilmente volátiles (SiCl4, MeSiCl3, Me2SiCl2, etc.) mediante congelación
(16) (por ejemplo a -80ºC con crióstato),
- 5.
- concluyéndose la reacción tras un tiempo determinado, y dejándose la mezcla de silanos recogida en un recipiente de destilación (10), donde
- 6.
- la misma se puede separar en los componentes aislados mediante destilación fraccionada. En este caso se obtienen SiCl4 (educto), MeSiCl3 y Me2SiCl2 como líquidos incoloros,
- 7.
- obteniéndose además en la zona del reactor depósitos amarillo a parduzcos de oligo- y polisilanos metilados,
- 8.
- que se trasladan al depósito colector para polisilanos (13) mediante disolución con SiCl4.
1. Modo de proceder general
Se pulveriza SiCl4 con el gas reactivo (aproximadamente 10-15 l/min) en el reactor (5) y se inflama el plasma. En este caso se puede variar a voluntad la proporción volumétrica SiCl4/gas reactivo, son posibles otras adiciones de gas inerte o hidrógeno. Como gases reactivos se emplean también mezclas de gases (por ejemplo metano/etileno o metano/hidrógeno) en diferentes proporciones de mezcla. El SiCl4/mezcla de productos se recoge a la salida del reactor y se elabora por destilación. En este caso, los productos se aíslan según sus puntos de ebullición y se identifican mediante espectroscopía. En los ejemplos de ejecución aquí descritos, los productos se liberan sensiblemente de SiCl4, situándose la formación de producto, según condiciones, entre un 25 y un 60 %. La mezcla de productos se analiza mediante cromatografía de gases, la identidad de compuestos aislados se asegura mediante una comparación de modelos de fragmentación y tiempos de retención con tales muestras auténticas.
La formación de productos, bajo las condiciones de plasma predeterminadas, se puede entender formalmente a partir de una combinación de reacciones radicales (por ejemplo SiCl4 - Cb . + Cl3Si . ; CH4 -. CH3+ H . ; Cl3Si . + H.
- -
- Cb3SiH; Cl3Si . + . Me - Cb3SiMe) y reacciones de inserción de carbeno en enlaces Si-C y Si-Si (por ejemplo CH4
- -
- CH2+ H2 ; R3SiCH3 + | CH2 - R3SiCH2CH3; 2 Cl3Si . - Cb3Si-SiCl3
| CH2 - Cb3Si-CH2-SiCl3, entre otros.
Explicaciones/def.:
> Me = metilo = -CH3
> Vi = vinilo = -CH=CH2
> Et = etilo = -CH2CH3
1. SiCl4 en presencia de metano, CH4:
Me(H)SiCl2 (3 %), MeSiCl3 (8 %), Me2SiCl2 (5 %). Mediante adición de hidrógeno (H2) se aumenta especialmente la fracción de Me(H)SiCH2:
Me(H)SiCl2 (18 %), MeSiCl3 (17 %), Me2SiCl2 (12 %)
Si la fracción de metano se reduce claramente se forma Cl3SiCH2SiCl3 en una fracción de más del 40 %, las fracciones de Me(H)SiCl2 >> MeSiCl3 > Me2SiCl2 son ahora claramente más reducidas.
Si en lugar de metano se emplea etano, C2H6, la fracción relativa de radicales metilo y carbenos (CH3, o
5 bien : | CH2) aumenta en la mezcla de reacción, mediante lo cual se incrementa la fracción de productos metilados y carbosilanos: Cl3SiCH2CH3 (2,8 %), ViSiCl3 (25,49 %), MeViSiCl2 (1,6 %), Cl3SiCH2SiCl3 (53 %), ViCl2SiCH2SiCl2Me (17,6 %), además se producen cantidades reducidas de Cl3SiH, Me(H)SiCl2, Cl6Si2.
2. SiCl4 en presencia de eteno, C2H4
HSiCl3 (3 %), ViSiCl3 (29 %), Cl3Si-C=CH (10,6 %), Vi2SiCl2 (2,4 %), ViEtSiCl2 (12,7 %), Cl3SiCH2CH2CH3 10 (4,7 %), Cl3SiCH2SiCl3 (38 %),
Cl3SiCH2SiCl2Vi (2,6 %). Si se alimenta apenas una pequeña cantidad de eteno, se producen principalmente hidrocarburos clorados, benceno, y en silanos prácticamente de manera exclusiva Cl3SiCH2SiCH3, además de una cantidad reducida de ViSiCl3. Si al eteno se añade metano adicional, CH4, se forman los siguientes productos:
15 HSiCl3 (2 %), MeSiCl3 (1 %), Me2SiCl2 (< 1 %), Cl3Si-C=CH (3,4 %), Cl3SiCH2CH3 (5,2 %), Cl3SiCH=CH2 (26 %), MeViSiCl2 (0,6 %), EtSiCl3 en trazas, Cl3SiCH2CH=CH2 (26 %), Cl3SiCH2CH2CH3 (1,5 %), Cl2ViSi(C=CH=CH2) (18 %), Cl3SiCH2SiCl3 (18 %).
3. Mediante empleo de metiltriclorosilano, MeSiCl3, en lugar de SiCl4, en presencia de metano se aumenta
claramente la fracción de Me2SiCl2. Si se emplea la combinación MeSiCl3/eteno, se aíslan los siguientes 20 productos:
SiCl4 (6,9 %), Me2ViSiH (1,2 %), ViSiCl3 (32,2 %), EtSiCl3 (6,4 %), MeViSiCl2 (31 %), Cl3SiCH2SiCl3 (17,2 %), MeCl2SiCH2SiCl3 (5,1 %). La combinación MeSiCl3/CH=CH (4-5 l/min) proporciona como productos SiCl4 (43,4 %), ViSiCl3 (3,6 %), MeViSiCl2 (6,8 %), Cl3SiCH2SiCl3 (46,4 %).
4. Modo de proceder alternativo con flujos de gas reducidos (en cada caso 0,21/min): se conduce al
25 recipiente de reacción de plasma 5 una mezcla de CH4 y SiCl4 (1 : 1) a través de la tobera 1 a una presión de 1 - 2 hPa, y se genera un plasma en la zona de los electrodos de plasma (4). A continuación precipitan cloropolisilanos metilados en el recipiente de reacción de plasma 5 y en el depósito colector 13. Los cloro- y metilclorosilanos más volátiles se condensan en el depósito 7 y se recogen en el depósito 10, mientras que los productos de reacción gaseosos se extraen a través de la tobera 6. En el transcurso de 2,5 h se
30 recogen en el depósito 10 181 g de mezcla de productos, que se separa en los productos aislados a través de la columna de destilación 9. En este caso, a partir de la mezcla de productos se obtienen 21,6 g de MeSiCl3 y 1,8 g de Me2SiCl2 como líquidos incoloros. Los cloropolisilanos metilados se trasladan al depósito colector 13 desde el depósito de reacción de plasma 5 mediante disolución en SiCl4, y se extraen a través de la tobera de salida de fondo (11).
35 El procedimiento para el metilado de tetraclorosilano se representa en el dibujo con los siguientes signos de referencia:
- 1.
- tobera de alimentación de tetracloruro de silicio y metano
- 2.
- zona de reacción de plasma
- 3.
- zona de reposo de plasma
40 4. electrodos de plasma
- 5.
- depósito de reacción de plasma
- 6.
- tobera para la bomba de vacío
- 7.
- recipiente colector de congelación
- 8.
- refrigerante
- 9.
- columna de destilación
- 10.
- depósito de reacción
- 11.
- tobera de salida de fondo
- 12.
- válvula de salida
- 13.
- depósito colector 1
- 14.
- válvula de servicio para alimentación de gas protector o vacío
- 15.
- depósito colector 2
- 16.
- dispositivo de congelación
Claims (15)
- REIVINDICACIONES1.-Procedimiento para la síntesis de organohalosilanos, caracterizado porque mediante inflamación de un plasma en una mezcla constituida por uno o varios compuestos orgánicos volátiles a partir del grupo de alcanos, alquenos, alquinos y compuestos aromáticos con SiX4 y/o organohalosilanos RnSiX4-n (X = F, Cl, Br o I; n = 1-4; R = alquilo, alquenilo, alquinilo, arilo), se forman organohalosilanos de la fórmula aditiva general R1mR2oSiX4-p (X = F, Cl, Br o I; p = 1-4, p = m+o; m = 1-4; o = 0-3, R1, R2 = alquilo, alquenilo, alquinilo, arilo) y/o carbosilanos de la fórmula aditiva general R3qSiX3-qCH2SiR4rX3-r (X = F, Cl, Br o I; q = 0-3; r = 0-3; R3, R4 = alquilo, alquenilo, alquinilo, arilo).
- 2.-Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según la reivindicación 1, caracterizado porque la mezcla de reactivos se hace reaccionar mediante aplicación de un plasma no isotérmico.
- 3.-Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según la reivindicación 1 o 2, caracterizado porque la mezcla de reactivos se hace reaccionar bajo presión reducida, en especial a una presión de 0,01-100 hPa, preferentemente de 1,0-10,0 hPa.
- 4.-Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque la mezcla de reactivos se conduce a través de al menos una zona de reacción de plasma, en especial a través de varias zonas de reacción y reposo, que son sucesivas alternantemente.
- 5.-Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque la mezcla de reactivos se hace reaccionar en un reactor de plasma a temperaturas de reacción de -80ºC a +400ºC, preferentemente de 0ºC a 250ºC.
- 6.-Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 5, caracterizado porque los productos de reacción se obtienen en un depósito colector (7) tras el reactor de plasma mediante condensadores de congelación a aproximadamente -80ºC.
- 7.-Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 6, caracterizado porque los organohalosilanos de un depósito de destilación (10) se obtienen en una columna de destilación (9) mediante destilación, y se recogen en un depósito colector (15).
- 8.-Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 7, caracterizado porque se emplea metano por separado, o adicionalmente a metano, se emplean otros compuestos volátiles del grupo de compuestos alifáticos y/o aromáticos, en especial etano, eteno y/o etino.
- 9.-Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 8, caracterizado porque en lugar de o adicionalmente a silanos halogenados alquilados se obtienen silanos halogenados arilados, empleándose compuestos aromáticos en lugar de o adicionalmente a alcanos, se obtienen silanos halogenados alquilados, empleándose alquenos en lugar de o adicionalmente a alcanos, o se obtienen silanos halogenados alquinilados, empleándose alquinos en lugar de o adicionalmente a alcanos.
- 10.- Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 9, caracterizado porque se obtienen organohalosilanos con diferentes substituyentes organilo.
- 11.- Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 10, caracterizado porque se hacen reaccionar uno o varios compuestos volátiles del grupo de silanos halogenados u organohalosilanos, en especial SiF4, SiCl4 y/o SiBr4 y/o metiltriclorosilano.
- 12.- Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 11, caracterizado porque los compuestos volátiles, preferentemente de la fórmula MeSiX3, se pueden obtener mediante una destilación de organohalosilanos recogidos en el depósito colector (15).
- 13.- Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 12, caracterizado porque se hace reaccionar adicionalmente hidrógeno.
- 14.- Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 13, caracterizado porque se obtiene metano doblemente sililado (carbosilano), en especial un bis(silil)metano X3SiCH2-SiX3, un bis(silil)metano H3Si-CH2-SiH3 y/o un derivado sililorganilado y/o sililhalogenado de bis(silil)metano, o uno o varios bis(silil)metanos organosubstituidos, en especial RX2Si-CH2-SiX3 y/o (RX2Si)2CH2, seleccionándose R en especial a partir del grupo vinilo y etinilo.
- 15.- Procedimiento para la síntesis asistida por plasma de organohalosilanos según una de las reivindicaciones 1 a 14, caracterizado porque en la mezcla de reacción están contenidos adicionalmente uno o varios organohalosilanos, en especial RnSiX4-n, siendo R seleccionado en especial a partir del grupo vinilo y etinilo, como educto.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007015749 | 2007-03-30 | ||
| DE102007015749 | 2007-03-30 | ||
| PCT/EP2008/002551 WO2008119540A1 (de) | 2007-03-30 | 2008-03-31 | Plasmaunterstützte organofunktionalisierung von siliciumtetrahalogeniden oder von organohalogensilanen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2394732T3 true ES2394732T3 (es) | 2013-02-05 |
Family
ID=39575600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES08734908T Active ES2394732T3 (es) | 2007-03-30 | 2008-03-31 | Organofuncionalización asistida por plasma de tetrahalogenuros de silicio o de organohalosilanos |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10005798B2 (es) |
| EP (1) | EP2142557B1 (es) |
| KR (1) | KR20100025507A (es) |
| CN (2) | CN103275113B (es) |
| DE (1) | DE102008016696A1 (es) |
| ES (1) | ES2394732T3 (es) |
| WO (1) | WO2008119540A1 (es) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009047234A1 (de) | 2009-11-27 | 2010-08-19 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid mit Gemischen aus Methan und Wasserstoff |
| CN102949972B (zh) * | 2011-08-26 | 2014-05-28 | 北京低碳清洁能源研究所 | 多段等离子体裂解碳质材料反应器及用其生产乙炔的方法 |
| US8865850B2 (en) | 2012-06-14 | 2014-10-21 | Dow Corning Corporation | Method of selectively forming a reaction product in the presence of a metal silicide |
| US9908903B2 (en) | 2015-02-06 | 2018-03-06 | Dow Corning Corporation | Method of producing organohalosilanes |
| WO2016126804A1 (en) * | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Dow Corning Corporation | Method of producing organohalosilanes |
| CN111484618A (zh) * | 2019-01-28 | 2020-08-04 | 海加控股有限公司 | 低温等离子电场辅助合成有机硅化合物的方法和装置 |
| CN112300205B (zh) * | 2019-08-01 | 2023-07-04 | 新特能源股份有限公司 | 一种制备甲基氯硅烷方法及装置 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2899371A (en) * | 1959-08-11 | Method of preparing organo-silicon compounds | ||
| US2405019A (en) * | 1943-10-05 | 1946-07-30 | Plax Corp | Process of making organo-silicon compounds containing a c-si bond |
| BE473151A (es) * | 1945-03-15 | |||
| GB741067A (en) * | 1952-09-16 | 1955-11-23 | Metallgesellschaft Ag | Process for the production of organic silicon compounds |
| US2796397A (en) * | 1952-09-16 | 1957-06-18 | Metallgesellschaft Ag | Process for the production of organic silicon compounds |
| GB915771A (en) * | 1959-01-12 | 1963-01-16 | Ici Ltd | Method of conducting gaseous chemical reactions |
| US3444061A (en) * | 1966-08-22 | 1969-05-13 | Hooker Chemical Corp | Method of conducting chemical reactions in a glow discharge |
| US3450617A (en) * | 1966-08-22 | 1969-06-17 | Hooker Chemical Corp | Method of conducting chemical reactions in a glow discharge |
| US3642596A (en) * | 1968-09-06 | 1972-02-15 | Shinetsu Chemical Co | Process for preparing organochlorosilanes |
| US3853726A (en) * | 1970-07-04 | 1974-12-10 | B Vainshiein | Method of producing organochlorosilanes |
| US3875068A (en) * | 1973-02-20 | 1975-04-01 | Tegal Corp | Gaseous plasma reaction apparatus |
| DD230790A1 (de) * | 1983-09-12 | 1985-12-11 | Univ Schiller Jena | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung ungesaettigter halogenkohlenstoffe |
| NL8303906A (nl) * | 1983-11-15 | 1985-06-03 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een tralie en toepassing van het vervaardigde tralie. |
| US4690830A (en) | 1986-02-18 | 1987-09-01 | Solarex Corporation | Activation by dehydrogenation or dehalogenation of deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices |
| EG18056A (en) | 1986-02-18 | 1991-11-30 | Solarex Corp | Dispositif feedstock materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photo-voltaic devices and other semiconductor devices |
| US5087434A (en) * | 1989-04-21 | 1992-02-11 | The Pennsylvania Research Corporation | Synthesis of diamond powders in the gas phase |
| DE3941997C1 (en) * | 1989-12-20 | 1991-01-24 | Phototronics Solartechnik Gmbh, 8011 Putzbrunn, De | Prepn. of di-, tri- or tetra-silyl-methane - by reacting aryl-halo-silane with di-, tri- or tetra -halo-methane in presence of reducing metal, and reacting prod. with hydrogen halide |
| FR2702467B1 (fr) * | 1993-03-11 | 1995-04-28 | Air Liquide | Procédé de préparation du disilane à partir du monosilane par décharge électrique et piégeage cryogénique et nouveau réacteur pour sa mise en Óoeuvre. |
| JP3134974B2 (ja) * | 1993-03-15 | 2001-02-13 | キヤノン株式会社 | 電子写真用光受容部材 |
| US5560890A (en) * | 1993-07-28 | 1996-10-01 | Gas Research Institute | Apparatus for gas glow discharge |
| HUP9702299A3 (en) * | 1995-02-24 | 1999-03-01 | Rhone Poulenc Chimie | Reagent,and method for perfluoroalkylation,of nucleophile materials |
| US5750823A (en) * | 1995-07-10 | 1998-05-12 | R.F. Environmental Systems, Inc. | Process and device for destruction of halohydrocarbons |
| CA2269912A1 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Makoto Kitabatake | Silicon carbide substrate, process for producing the same, and semiconductor element containing silicon carbide substrate |
| JP2001048649A (ja) | 1999-07-30 | 2001-02-20 | Asahi Glass Co Ltd | 炭化ケイ素およびその製造方法 |
| GB9928781D0 (en) * | 1999-12-02 | 2000-02-02 | Dow Corning | Surface treatment |
| EP1123991A3 (en) * | 2000-02-08 | 2002-11-13 | Asm Japan K.K. | Low dielectric constant materials and processes |
| US6936144B2 (en) * | 2000-02-24 | 2005-08-30 | Ccr Gmbh Beschichtungstechnologie | High frequency plasma source |
| DE10219723B4 (de) * | 2002-05-02 | 2005-06-09 | Uhde Gmbh | Verfahren zur Herstellung ungesättigter halogenhaltiger Kohlenwasserstoffe sowie dafür geeignete Vorrichung |
| DE50303853D1 (de) | 2002-07-23 | 2006-07-27 | Iplas Gmbh | Plasmareaktor zur durchführung von gasreaktionen und verfahren zur plasmagestützten umsetzung von gasen |
| CN100491246C (zh) * | 2005-10-26 | 2009-05-27 | 杭州师范学院 | 特种有机氯硅烷的制备方法 |
| DE102007007874A1 (de) * | 2007-02-14 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Silane |
-
2008
- 2008-03-31 CN CN201310202437.9A patent/CN103275113B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-31 KR KR1020097022878A patent/KR20100025507A/ko not_active Ceased
- 2008-03-31 WO PCT/EP2008/002551 patent/WO2008119540A1/de not_active Ceased
- 2008-03-31 CN CN2008800182197A patent/CN101687892B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-31 EP EP08734908A patent/EP2142557B1/de not_active Not-in-force
- 2008-03-31 DE DE102008016696A patent/DE102008016696A1/de not_active Withdrawn
- 2008-03-31 ES ES08734908T patent/ES2394732T3/es active Active
- 2008-03-31 US US12/681,697 patent/US10005798B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102008016696A9 (de) | 2010-06-24 |
| DE102008016696A1 (de) | 2008-12-11 |
| EP2142557A1 (de) | 2010-01-13 |
| US20110132744A1 (en) | 2011-06-09 |
| CN103275113A (zh) | 2013-09-04 |
| KR20100025507A (ko) | 2010-03-09 |
| US10005798B2 (en) | 2018-06-26 |
| CN101687892A (zh) | 2010-03-31 |
| CN101687892B (zh) | 2013-06-05 |
| CN103275113B (zh) | 2016-12-28 |
| WO2008119540A1 (de) | 2008-10-09 |
| EP2142557B1 (de) | 2012-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2394732T3 (es) | Organofuncionalización asistida por plasma de tetrahalogenuros de silicio o de organohalosilanos | |
| JP5562040B2 (ja) | 高次シランの製造法 | |
| Fritz et al. | Carbosilanes: syntheses and reactions | |
| Herzog et al. | Preparation and NMR spectroscopical investigations of (diethylamino)(methoxy)-methylchlorodi–and–trisilanes | |
| JPH054995A (ja) | 有機けい素化合物およびその製造方法 | |
| US11352377B2 (en) | Process for the production of organohydridochlorosilanes | |
| JPH0559072A (ja) | オレフイン系及びアセチレン系アザシラシクロペンタン並びにその調製方法 | |
| US5210255A (en) | Process for the preparation of methylchlorosilanes | |
| EP0378430B1 (en) | Novel organosilicon compound and process for producing organosilicon compound | |
| Mechtler et al. | Polysilyldianions—Synthesis and reactivity | |
| Buerger et al. | Novel (fluoromethyl) silicon derivatives from (fluorodibromomethyl) silane precursors | |
| JPH11209384A (ja) | 特定のγ−アミノプロピルシリル基を有する有機ケイ素化合物の製造方法 | |
| KR20200015644A (ko) | 폴리실릴알칸의 제조방법 | |
| WO2021243137A1 (en) | Process for the stepwise synthesis of silahydrocarbons | |
| US3454616A (en) | Method for preparing monomethyldichlorosilane | |
| Davidson et al. | Photochemistry of permethyloligosilanes | |
| JP2881083B2 (ja) | モノクロロシランの製造方法 | |
| JPH10120689A (ja) | ケイ素系化合物およびケイ素系ポリマーの製造方法 | |
| KR100923775B1 (ko) | 폴리염화카보실란의 제조방법 | |
| US3808247A (en) | Method of producing fluorocyclopropyl derivatives of silanes and novel fluorocyclopropyl derivatives of silanes | |
| RU2103273C1 (ru) | Способ получения алкилхлормоносиланов | |
| KR20150101288A (ko) | 폴리실릴알칸의 제조방법 | |
| KR20160036020A (ko) | 폴리실릴알칸의 제조방법 | |
| Chernyavskii et al. | Synthesis of cyclolinear permethylpolycarbosilanes with oligosilane fragments in the backbone and study of their properties | |
| CN1637003A (zh) | 制备有机硅烷的方法 |