KR20100025507A

KR20100025507A - 실리콘 테트라할라이드 또는 유기할로실란의 플라즈마를 이용한 유기작용화

Info

Publication number: KR20100025507A
Application number: KR1020097022878A
Authority: KR
Inventors: 노베르트 아우너; 크리스티안 바우흐; 루멘 델트슈; 게르트 리폴트
Original assignee: 레브 리뉴어블 에너지 벤쳐스 인코포레이티드
Priority date: 2007-03-30
Filing date: 2008-03-31
Publication date: 2010-03-09
Also published as: EP2142557B1; CN103275113A; EP2142557A1; US10005798B2; CN101687892B; DE102008016696A9; CN103275113B; ES2394732T3; CN101687892A; US20110132744A1; DE102008016696A1; WO2008119540A1

Abstract

본 발명은 일반식 R¹ _mR² _oSiX₄ _-p(X=F, Cl, Br 또는 I; p = 1-4; p = m+o; m = 1-4; o = 0-3; R¹, R² = 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴)의 유기할로실란, 또는 일반식 R³ _qSiX_3-qCH₂SiR⁴ _rX_3-r(X=F, Cl, Br 또는 I; q = 0-3; r = 0-3; R³, R⁴ = 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴)의 카보실란을, 알칸, 알켄, 알킨 및 방향족(aromate)으로 이루어진 군 중 하나 이상의 휘발성 유기 화합물과 SiX₄ 및/또는 유기할로실란 R_nSiX₄ _-n(X = F, Cl, Br 또는 I; n = 1-4; R = 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴)의 혼합물을 플라즈마 활성화시켜 제조하는, 플라즈마를 이용한 유기할로실란의 합성 방법에 관한 것이다.

Description

실리콘 테트라할라이드 또는 유기할로실란의 플라즈마를 이용한 유기작용화{PLASMA-ASSISTED ORGANOFUNCTIONALIZATION OF SILICON TETRAHALIDES OR ORGANOHALOSILANES}

본 발명은 유기할로겐실란의 플라즈마 합성 방법에 관한 것이다.

종래, 디메틸디클로로실란은 실리콘과 메틸클로라이드(가스)의 270-350 ℃에서 이른바 뮐러-라카우 방법에 의해 제조한다. 이를 위해서는, 고품질의 금속 실리콘이 필요한데, 이는 여전히 촉매(Cu)와 정량의 촉진제(promoter)(소량의 여러가지 금속)가 혼합되어야 한다. 비교적 비싼 금속급 실리콘과 비싸고 유독한(발암성) 메틸 클로라이드가 사용된다는 점에서 좋지 않다. 바람직한 Me₂SiCl₂ 외에도, MeSiCl₃, Me₃SiCl, Me₄Si 및 SiCl₄ 뿐만 아니라 고비등성 올리고실란과 같은 다른 실란 화합물들도 다양한 비율로 여전히 생성되고 있다.

단일 결정 실리콘 태양 전지는 효능이 우수하지만 제조 단가가 높다. 비정질 실리콘(a-Si) 층은 저렴하지만, 태양의 유효 파장을 크게 확장시키기 때문에 수소첨가된 비정질 실리콘(a-Si: H) 병합 카본(a-SiC_x: H) 층에 이를 사용하는 것이 유익하다.

a-SiCx: H는 일반적으로 실란, 탄화수소 및 수소의 가스 혼합물의 가스상(예, 플라즈마-CVD)으로부터 화학적 증착에 의해 제조한다. 그러나, 이러한 공정 후, 요소 Si, C 및 H는 정확하게 조절되는 방식으로는 충분히 제거되지 않아, 효율을 감소시키는 원하지 않는 화학적 결합이 형성될 수 있다. 이러한 현상을 방지하기 위해, 가수 혼합물 대신 알킬실란을 사용하여 a-SIC_x:H-층을 제조한다. Si 함량이 낮고 및/또는 C-함량이 높은 코팅의 열적 및 플라즈마 증착에서의 메틸실란은 그로 인해 높은 전기 저항성을 유도하기 때문에, 비스(실릴)메탄, H₃SiCH₂SiH₃(US-PS 4690830, EP-A-0233613 참조)와 같이 실릴이 다량 포함된 화합물이 사용된다. 이러한 화합물은 아민의 존재 하에 트리클로로실란(HSiCl₃)을 이용하여 클로로포름을 H₂C(SiCl₃)₂로 변환시킴으로써 제조하고, 이는 리튬 알루미늄 하이드라이드(LiAlH₄)를 이용하여 비스(실릴)메탄으로 환원시켜 제조된다. 다른 제조 방법은, 디브롬메탄의 [Z. nature-vigorously. 41b, P. 1527-1534 (1986)]의 KSiH₃를 이용한 방법을 기초로 한다. DE 3941997 Cl은 3단계의 합성 공정을 개시하고 있다.

CH₂X₂ + 2 PhSiH₂X + 2 Mg -> CH₂(SiH₂Ph)₂ + 2 MgX₂

CH₂(SiH₂Ph)₂ + 2 HBr -> CH₂(SiH₂Br)₂ + 2 PhH

2CH₂(SiH₂Br)₂ + LiAlH₄ -> 2 CH₂(SiH₃)₂ + AlBr₃ + LiBr

디실릴메탄의 제조에 적합한 출발 화합물은, X가 가장 바람직한 경우에는 Cl 인, 타입 (X₃Si)₂CH₂의 퍼할로겐화된 비스(실릴)메탄이다. 그러나, 지금까지 간단하게 수행할 수 있어 경제적으로 유효한 성분인 실리콘 테트라클로라이드 및 메탄을 이용하여 (Cl₃Si)₂CH₂를 합성하는 방법은 잘 알려져 있지 않다.

본 발명은 간단하고 저렴한 유기할로겐실란의 플라즈마 합성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

이러한 목적은, 알칸, 알켄, 알킨 및 방향족으로 이루어진 군 중 하나 이상의 휘발성 유기 화합물과 SiX₄ 및/또는 유기할로겐실란 R_nSiX₄ _-n(X = F, Cl, Br 또는 I; n = 1-4; R = 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴)의 혼합물을 플라즈마로 활성화시켜, 일반식 R¹ _mR² _oSiX_4-p(X=F, Cl, Br 또는 I; p = 1-4; p = m+o; m = 1-4; o = 0-3; R¹, R² = 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴)의 유기할로겐실란, 및/또는 일반식 R³ _qSiX₃ _-qCH₂SiR⁴ _rX_3-r(X=F, Cl, Br 또는 I; q = 0-3; r = 0-3; R³, R⁴ = 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴)의 카보실란을 제조하는 방법에 의해 달성된다.

본 발명에 따른 방법에 대한 내용은 청구항에 기술되어 있다. 따라서, 반응(reaktandgemisch)은 플라즈마를 비등온(not isotherm)으로 적용하여 수행하는 것을 특징으로 한다. 또한, 반응은 바람직하기로는 감압하에 이루어진다.

반응은 하나 이상의 플라즈마 반응 존에서 적절하게 관리된다. 또한, 반응은 여러 번의 반응과 정지 존(Ruhezonen)을 교대로 거치면서 수행된다.

바람직하기로는, 반응은 0.1 내지 100 hPa, 바람직하기로는 1.0 내지 10.0 hPa의 압력 하에서 플라즈마 반응조에서 수행된다. 반응은 반응 온도 -80 내지 400 ℃, 바람직하게는 0 내지 250 ℃ 하에서 적절하게 이루어진다.

플라즈마 반응은 바람직하기로는 전자기 교류장, 바람직하기로는 1.0 MHz 내지 2.45 GHz에서 이루어진다.

또한, 반응 산물은 플라즈마 반응조에서 -80 ℃의 저온(Tiefkuhlkon) 축합되고, 수집기(collecting vessel)에 수집된다. 바람직하기로는, 유기할로겐실란은 증류 바셀(10)에서 증류 컬럼으로 증류되고, 수집기에 수집된다. 반응조와 수집기는 SiX₄로 헹군다.

바람직하기로는, 메탄은 단독 사용하거나, 또는 메탄 이외에도 지방족 및 방향족으로 이루어진 군으로부터 선택되는 다른 휘발성 화합물을 사용한다. 이는 메탄 이외에, 에탄, 에텐 및/또는 에틴이다.

알킬화된 할로겐실란 대신, 또는 부가적으로, 아릴화된 할로실란으로 대체할 수 있으며, 또는 알칸, 방향족과 함께 사용할 수 있다. 알킬화된 할로겐실란 대신, 또는 부가적으로, 알케닐화된 할로겐실란으로 대체할 수 있으며, 또는 알칸, 알켄과 함께 사용할 수 있다. 알킬화된 할로겐실란 대신, 또는 부가적으로, 알키닐화된 할로겐실란으로 대체하거나, 또는 알칸, 알킨과 함께 사용될 수 있다.

유기할로겐실란은 여러가지 유기치환 화합물(Organylsubstituenten)과 생성될 것이다.

플라즈마 반응조에 SiX₄ 대신 Si₂X₆가 공급될 수 있다.

바람직하기로는, 할로겐실란 그룹들 중 하나 이상의 휘발성 화합물로는 특히 SiF₄, SiCl₄ 및/또는 SiBr₄가 사용된다. 또한, 유기할로겐실란 그룹 중 하나 이상의 휘발성 화합물로는 특히 메틸트리클로로실란을 사용할 수 있다. 휘발성 화합물, 바람직하기로는 MeSiX₃는, 유기할로겐실란을 증류시켜 수집기(15)에서 수득할 수 있다.

다른 예로, 수소가 치환된다(Bei einer weiteren Ausfuhrungsform wird zusatzlich Wasserstoff umgesetzt).

다른 예로, 2중 실릴화된 메탄(카보실란), 특히 비스(실릴)메탄 X₃Si-CH₂-SiX₃이 생성된다.

다른 예로, 메탄, 비스(실릴)메탄 H₃Si-CH₂-SiH₃ 및/또는 실릴유기화된 및/또는 실릴할로겐화된 유도체 비스(실릴)메탄이 부가적으로 생성될 수 있다.

부가적으로 출발 혼합물에, 또는 하나 이상의 유기할로겐실란, 특히 R이 비닐 및 에티닐 기로부터 선택되는 R_nSiX₄ _-n이 반응제로서 포함될 수 있다.

또다른 예로, 부가적으로 또는 여러가지 유기할로겐실란화물 비스(실릴)메탄, 특히 R이 비닐 및 에티닐 기 중에서 선택되는, RX₂Si-CH₂-SiX₃ 및/또는 (RX₂Si)₂CH₂이 생성될 수 있다.

본 발명에 따른 방법은, 저렴한 SiX₄ 또는 적절한 유기할로겐 실란 및 메탄(무해) 또는 알칸, 알켄, 알킨 및 방향족으로 이루어진 군으로부터 선택되는 기타 휘발성 화합물을 이용하여 실시함으로써, 전술한 문제를 방지한다. 이러한 물질들은 플라즈마 활성화됨으로써, 특히 바람직한 Me₂SiX₂, MeSiX₃ 및 (X₃Si)₂CH₂이 합성된다. 다른 이점은, 메탄을 다른 휘발성 탄화수소 및 기타 그룹들로 치환시켜 실리콘 상에 증착시킬 수 있다는 것이다(Ein weiterer Vorteil ist, dass durch Ersatz von Methan durch andere fluchtige Kohlenwasserstoffe auch andere Gruppen an das Silizium gehangt werden konnen.).

예컨대, 에텐 또는 에틴을 테트라할로겐실란과 함께 플라즈마로 반응조에서 반응시켜, 비닐- 또는 에틸할로겐실란 및 비스(실릴)알칸 (X₃Si)₂CH₂, RX₂SiCH₂SiX₃ 및 (RSiX₂)₂CH₂(R = 비닐, 에티닐)을 제조할 수 있다.

플라즈마 반응조에서, 테트라할로겐실란 대신, 유기치환된 할로겐-실란 R_nSiX_4-n(n = l-3)을 탄화수소와 반응시켜, 실리콘 원자에 유기치환이 더 많이 된 산물을 합성시킬 수 있으며, 또는 실리콘테트라할라이드로부터 출발한 최종 반응 혼합물내에 유기 치환의 비율을 증가시킬 수 있다(Werden im Plasmareaktor anstelle des Tetrahalogensilans organosubstituierte Halogen- silane R_nSiX₄-_R (n=l-3) mit Kohlenwasserstoffen zur Reaktion gebracht, gelingt es, Produkte mit hoherer Organosubstitution am Siliciumatom zu synthetisieren, bzw. deren Anteile am Reaktionsgemisch, ausgehend von Siliciumtetrahalogenid, zu erhohen).

SiX₄ 또는 유기할로겐실란을 플라즈마 처리하여 유기작용화하는 공정은 몇 단계의 공정을 거치며, 하기 도면을 참조하여, 예컨대 SiCl₄는 하기와 같이 설명된다:

1. 가스 유입구(1)를 통해, CH₄ 및 SiCl₄를 반응조(5)에 넣는다.

2. 감압하(001 - 10OhPa)에, 전자기 교류장을 인가하여, 플라즈마를 발생시킨다.

3. 반응조에는, 수개의 플라즈마(2), 휴지조(3) 및 냉각조가 포함될 수 있다. 반응 가스는 진공 펌프에 의해 반응조(5)에 유입된다.

4. 휘발 성분(SiCl₄, MeSiCl₃, Me₂SiCl₂ 등)은 수집기에서 냉동(16)(예, 냉동기에서 -80 ℃에서 유지시킴)된다.

5. 소정의 시간 후, 반응은 완료되고, 수집된 실란 혼합물은 증류 바셀(10)로 이동한다.

6. 분별 증류(frational distillation)로 개별 성분은 분리될 수 있다. SiCl₄(출발 물질), MeSiCl₃ 및 Me₂SiCl₂가 무색 액체로 수득된다.

7. 또한, 반응조에서 메틸화된 올리고- 및 폴리실란의 표면은 노란색에서 연갈색이 된다.

8. 폴리실란(13)은 SiCl₄ 중에 용해되고 수집기로 이송된다.

테트라클로로실란의 메틸화 공정은 하기 번호들을 참조 인용한 도면에 나타나 있다:

1. Zufuhrstutzen 실리콘 테트라클로라이드 및 메탄

2. 플라즈마 존(zone)

3. 플라즈마 휴지 존(rest zone)

4. 플라즈마 전극

5. 플라즈마 반응 챔버(chamber)

6. 진공 펌프에 연결된 노즐(nozzle)

7. 냉동조

8. 냉각기 9번 분별 증류 컬럼

9. 증류 컬럼

10. 증류 플라스크

11. 바닥 배출구 노즐

12. 배출 밸브

13. 반응조 1

14. Schutzgasbeaufschlagung 또는 진공용 공급 밸브

15. 딥(deep) 구조

도 1은 유기할로겐실란을 플라즈마 처리하여 유기작용화하는 공정을 나타낸 것이다.

1. 일반적 공정

SiCl₄는 반응기 (5) 내의 반응 기체이며(약 10-15 l/min)로서 플라즈마를 점화시킨다. SiCl₄/ 반응 기체의 부피 비를 달리할 수 있으며, 기타 불활성 기체 또는 Wasserstoffzumischungen를 사용할 수 있다. 또한, 반응 기체 혼합물(예: 메틸렌/에틸렌 또는 메탄/수소)을 다양한 비율로 사용할 수 있다. 반응기의 배출구로부터 SiCl₄ /산물을 수집하여, 증류 반응시켰다. 끓는점을 이용하여 산물을 분리하고, 분광법을 이용하여 산물을 동정하였다. 본 실시예에 있어서, 조건에 따른 산물의 수득률이 25% 및 60% 인 경우, 산물의 대부분은 SiCl₄로부터 분리된다. 생성 혼합물을 기체 크로마토그래피로 분석하고, 샘플 각각에 대한 단편(fragment) 패턴 및 체류 시간(retention time)을 비교하여 각각의 화합물의 동정을 확인하였다.

산물은 하기 라디칼 반응:

(예: SiC1₄ → Cl·+ Cl₃Si·; CH₄ → ·CH₃ + H·; Cl₃Si· + H· → Cl₃SiH, Cl₃Si· + ·Me -> Cl₃SiMe)와

Si-C 및 Si-Si 결합 내 Carbeneinschubreaktionen(예: CH₄ → CH₂ + H₂;

R₃ SiCH ₃+ |CH₂→ R₃SiCH₂CH₃, 2Cl₃Si·→ Cl₃Si-SiCl₃

|CH₂ → Cl₃Si-CH₂-SiCl₃)이 혼합된 반응식으로 특정된 플라즈마 조건에서 생성될 수 있다.

용어 정의:

Me = 메틸 = CH₃

Vi = 비닐 = -CH = CH₂

Et = 에틸 = -CH₂-CH₃

(1) 메탄(CH₄)의 존재 하에서 SiCl₄:

Me(H)SiCl₂(3%), MeSiCl₃ (8%), Me₂SiCl₂ (5%)

수소가 첨가됨으로써 Me(H)SiCl₂는 증가된다.

Me(H)SiCl₂(18%), MeSiCl₃ (17%), Me₂SiCl₂ (12%).

메탄 비율을 크게 감소하고, Cl₃SiCH₂SiCl의 함량은 40%를 초과하고, Me(H)SiCl₂ ≫ MeSiCl₃> Me₂SiCl₂ 의 비율은 크게 감소된다.

메탄 대신 에탄(C₂H₆)을 사용하는 경우, 메틸 라디칼 및 카벤(·CH₃ 또는 :CH₂)의 상대적인 함량비가 증가되고, 메틸화된 산물 및 카보실란의 함량비가 증가 된다:

Cl₃SiCH₂CH₃ (2.8%), ViSiCl₃ (25.49%), MeViSiCl₂ (1.6% 형성), Cl₃SiCH₂ SiCl₃ (53%), ViCl₂SiCH₂SiCl₂Me (17.6%), 추가적으로 소량의 Cl₃SiH, Me(H)SiCl₂, Cl ₆Si₂ _.

(2) 에텐 (C₂H₄) 존재 하의 SiCl₄:

HSiCl₃ (3 %), ViSiCl₃ (29 %), Cl₃ Si-C≡ CH (10.6 %), Vi₂ SiCl₂ (2.4 %), ViEtSiCl₂(12.7 %), Cl₃SiCH₂CH₂CH ₃ (4.7 %), Cl₃SiCH₂ SiCl₃ (38 %), Cl₃SiCH₂SiCl₂ Vi (2.6 %).

에텐의 함량이 적으면, 염화화된 수소카본, 벤젠이 주로 발생하고, 대부분 실란 Cl₃SiCH₂SiCl₃와 ViSiCl₃은 거의 발생하지 않는다.

추가적으로 에텐(C₂H₄)을 첨가하면, 하기의 생성물이 형성된다:

HSiCl₃ (2%), MeSiCl₃ (1%), Me₂SiCl₂ (<1%), Cl₃SiC=CH (3.4%), Cl₃SiCH₂CH₃ (5.2%), Cl₃SiCH = CH₂ (26%), MeViSiCl₂(0.6%), 소량의 EtSiCl₃, Cl₃SiCH₂CH = CH₂ (26%), Cl₃SiCH₂CH₂CH₃(1.5%), Cl₂ViSi (C≡ C-CH = CH ₂) (18 %), Cl₃SiCH₂SiCl₃ (18 %). 18%), Cl 3 SiCH 2 SiCl 3 (18%).

(3) 메탄 존재 하에서, SiCl₄ 대신 메틸트리클로로실란(MeSiCl 3)을 사용함으로써 Me₂ SiCl₂의 비율이 상당히 증가하였다. MeSiCl₃/에텐의 혼합물을 사용하여, 하기 산물로부터 분리하였다:

SiCl₄(6.9%), Me₂ViSiH(1.2%), ViSiCl₃(32.2%), EtSiCl₃(6.4%), MeViSiCl₂ (31%), Cl₃SiCH₂SiCl₃(17.2%), MeCl₂SiCH₂SiCl₃(5.1%). MeSiCl₃/CH≡CH(4-5 l/min)의 혼합물은 SiCl₄(43.4%), ViSiCl₃(3.6%), MeViSiCl₂ (6.8%), Cl₃SiCH₂SiCl ₃(46.4%)의 혼합물로 회수되었다.

(4) 감소된 유속에 의한 다른 접근:

1 내지 2 hPa의 압력 하의 플라즈마 반응 챔버 내에서, CH₄ 및 SiCl₄ (1: 1)의 혼합물을 1 번 파이프에 통과시키고, 자기장 내의 플라즈마에 플라즈마 전극 (4)를 발생시켰다. 클로로- 및 메틸클로로실란이 플라즈마 반응 챔버(5)로부터 반응조(13)로 이동되었다.기체 반응 산물은 6 번 파이프를 통하여 제거되고, 클로로- 및 메틸클로로실란은 바셀 (7)에서 축합된 후, 바셀 (10)에서 수집된다. 2.5 시간 동안, 181을 바셀 (10)에서 수집하고, 분별 증류 9 컬럼에서 단일 산물로 분별하였다. 이들은 21.6 g의 MeSiCl 3 및 1.8 g의 Me₂SiCl₂의 혼합 산물로부터 무색 액체로서 수득되었다. 메틸화된 클로로폴리실란을 SiCl₄에 용해시켜 플라즈마 반응 챔버 (5)에서 반응조 (13)으로 이동되고, 바닥 배출구 노즐(11)을 통하여 제거된다.

Claims

알칸, 알켄, 알킨 및 방향족으로 이루어진 군 중 하나 이상의 휘발성 유기 화합물과 SiX₄ 및/또는 유기할로실란 R_nSiX₄ _-n(X = F, Cl, Br 또는 I; n = 1-4; R = 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴)의 혼합물을 플라즈마로 활성화시켜, 일반식 R¹ _mR² _oSiX₄ _-p(X=F, Cl, Br 또는 I; p = 1-4; p = m+o; m = 1-4; o = 0-3; R¹, R² = 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴)의 유기할로겐실란, 및/또는 일반식 R³ _qSiX₃ _- _qCH₂SiR⁴ _rX₃ _-r(X=F, Cl, Br 또는 I; q = 0-3; r = 0-3; R³, R⁴ = 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴)의 카보실란을 제조하는 단계를 포함하는, 플라즈마를 이용한 유기할로겐실란의 합성 방법.
제 1항에 있어서, 반응(reaktandgemisch)은 플라즈마의 비등온(not isothermal) 적용에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 반응(reaktandgemisch)은 감압하 반응으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한항에 있어서, 반응(reaktandgemisch)은 하나 이 상의 플라즈마 반응 존을 통과시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한항에 있어서, 반응은 여러 번의 반응과 휴지존(rest zone)을 교대로 거쳐 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한항에 있어서, 반응은 0.1 내지 100 hPa, 바람직하기로는 1.0 내지 10.0 hPa의 압력으로 플라즈마 반응조에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한항에 있어서, 반응 혼합물은 -80 내지 400 ℃, 바람직하게는 0 내지 250 ℃의 반응 온도로 플라즈마 반응조에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서, 플라즈마 반응은 바람직하기로는 1.0 MHz 내지 2.45 GHz의 전자기장 교류장에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한항에 있어서, 반응 산물은 플라즈마 반응조에서 -80 ℃의 저온(Tiefkhlkon) 축합된 후 수집기(collecting vessel)(7)에서 수득되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제9항 중 어느 한항에 있어서, 유기할로겐실란은 증류 컬럼(9)에서 증류 바셀(10)로부터 증류되고 수집기(15)에서 수집되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제10항 중 어느 한항에 있어서, 반응조와 수집기는 SiX₄로 헹구는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제11항 중 어느 한항에 있어서, 메탄이 단독으로 사용되거나, 또는 메탄 이외에도 지방족 및 방향족으로 이루어진 군으로부터 선택되는 다른 휘발성 화합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
제12항에 있어서, 메탄이 에탄, 에텐 및/또는 에틴으로 부가적으로 치환되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제13항 중 어느 한항에 있어서, 알킬화된 할로겔실란 대신, 또는 부가적으로, 아릴화된 할로실란으로 대체되거나 또는 알칸, 방향족과 더불어 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제13항 중 어느 한항에 있어서, 알킬화된 할로겐실란 대신, 또는 부가적으로, 알케닐화된 할로겐 실란으로 대체되거나 또는 알칸, 알켄과 더불어 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제13항 중 어느 한항에 있어서, 알킬화된 할로겐실란 대신, 또는 부가적으로, 알키닐화된 할로겐 실란으로 대체되거나 또는 알칸, 알킨과 더불어 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제16항 중 어느 한항에 있어서, 유기할로겐실란이 여러가지 유기치환 화합물(Organylsubstituenten)과 함께 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제17항 중 어느 한항에 있어서, 플라즈마 반응조에 SiX₄ 대신 Si₂X₆가 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제18항 중 어느 한항에 있어서, 할로겐실란 그룹들 중 하나 이상의 휘발성 화합물은 SiF₄, SiCl₄ 및/또는 SiBr₄인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제18항 중 어느 한항에 있어서, 유기할로겐실란 그룹 중 하나 이상의 휘발성 화합물은 메틸트리클로로실란인 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제20항 중 어느 한항에 있어서, 휘발성 화합물 MeSiX₃는 바람직하기로는 유기할로겐실란의 증류에 의해 수집기(15)에서 수득되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제21항 중 어느 한항에 있어서, 부가적으로 하나의 수소가 치환되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제22항 중 어느 한항에 있어서, 이중으로 실릴화된 메탄(카보실란), 특히 비스(실릴)메탄 X₃Si-CH₂-SiX₃이 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제23항 중 어느 한항에 있어서, 비스(실릴)메탄 H₃Si-CH₂-SiH₃ 및/또는 실릴유기화된 및/또는 실릴할로겐화된 유도체 비스(실릴)메탄이 추가로 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제24항 중 어느 한항에 있어서, 부가적으로 출발 혼합물에, 또는 여러가지 유기할로겐실란, 특히 R이 비닐 및 에티닐 기로부터 선택되는 R_nSiX₄ _-n이 반응제로서 포함되는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항 내지 제25항 중 어느 한항에 있어서, 부가적으로 또는 여러가지 유기 할로겐실란화물 비스(실릴)메탄, 특히 R이 비닐 및 에티닐 기 중에서 선택되는, RX₂Si-CH₂-SiX₃ 및/또는 (RX₂Si)₂CH₂이 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.