ES2320494T3 - Aparato refrigerado para el deposito por plasma de una capa de barrera en un recipiente. - Google Patents

Aparato refrigerado para el deposito por plasma de una capa de barrera en un recipiente. Download PDF

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Abstract

Aparato (1) para el depósito por plasma de una capa delgada de un material de efecto barrera sobre una pared interna de un recipiente (2), comprendiendo este aparato (1): - un generador (3) de ondas electromagnéticas, - una cavidad (5) conectada al generador (3) y fabricada de un material conductor, y - un recinto (6) dispuesto en la cavidad (5) y fabricado de un material transparente a las ondas electromagnéticas procedentes del generador (3); estando caracterizado este aparato (1) porque comprende medios (14, 15; 16) de refrigeración del recinto (6).

Description

Aparato refrigerado para el depósito por plasma de una capa de barrera en un recipiente.
Sector de la técnica
La invención se refiere a la fabricación de recipientes, durante la cual se reviste su pared interna con una capa que comprende un material de efecto barrera.
Estado de la técnica
Es conocido el depósito de material de efecto barrera por plasma. Esta tecnología se explicita claramente en la patente europea n.º EP 1 068 032 en nombre del solicitante, o también en la patente estadounidense n.º US 5 522 351.
Un aparato empleado para un depósito de este tipo se describe igualmente en el documento anteriormente mencionado EP 1 068 032. Este aparato comprende un generador de ondas electromagnéticas, una cavidad conectada al generador y fabricada de un material conductor (generalmente metálico), así como un recinto dispuesto en la cavidad y fabricado de un material (generalmente de cuarzo) transparente a las ondas electromagnéticas procedentes del generador.
Tras la introducción del recipiente en el recinto, se realiza un vacío medio (del orden de 30 mbar a 100 mbar) en el recinto, mientras que en el recipiente se realiza un alto vacío (de varios \mubares). Se introduce un gas precursor (tal como el acetileno) en el recipiente, activándose este precursor mediante bombardeo electromagnético (se trata por lo general de microondas UHF a 2,45 GHz, de poca potencia) para hacerlo pasar al estado de plasma frío y generar así especies entre las que se encuentran las de carbono hidrogenado (que comprende CH, CH_{2}, CH_{3}) que se depositan como una capa delgada (de aproximadamente 60 nm a 200 nm) sobre la pared interna del recipiente.
El recipiente que va a tratarse se fabrica por lo general de un material de polímero termoplástico tal como PET (poli(tereftalato de etileno)), el cual es, a 20ºC, transparente a las microondas electromagnéticas. Lo mismo sucede con el cuarzo, cuyas propiedades dieléctricas, favorables (a una temperatura del orden de 20ºC) a la transmisión de las microondas, hacen que sea particularmente de interés para la realización del recinto que rodea el recipiente.
En condiciones de laboratorio, el tratamiento de un recipiente, que incluye la colocación del material y después su acondicionamiento (concretamente de temperatura y presión), puede llevar varios minutos, incluso varias horas.
Para una producción industrial, una serie de aparatos del tipo anteriormente mencionado (por ejemplo una veintena) se montan sobre un transportador de cadena y funcionan de manera continua para el tratamiento programado de varios miles de recipientes. El tiempo de ciclo unitario (es decir por aparato) es de varios segundos.
A este ritmo, surgen problemas a los que por lo general no se enfrenta el personal de laboratorio. Por tanto los inventores han constatado, durante el proceso industrial, la aparición de irregularidades en el espesor de la capa de barrera y de deformaciones en los recipientes de PET.
Objeto de la invención
La invención pretende concretamente remediar este problema proponiendo una solución que permite garantizar una mejor distribución de la capa de barrera y una reducción de las deformaciones del recipiente durante un tratamiento de plasma.
Para ello, la invención propone un aparato para el depósito por plasma de una capa delgada de un material de efecto barrera sobre una pared interna de un recipiente, comprendiendo este aparato:
-
un generador de ondas electromagnéticas,
-
una cavidad conectada al generador y fabricada de un material conductor,
-
un recinto dispuesto en la cavidad y fabricado de un material transparente a las ondas electromagnéticas procedentes del generador, y
-
medios de refrigeración del recinto.
\vskip1.000000\baselineskip
Tras estudios en profundidad, los inventores han formulado la hipótesis de que las irregularidades en la capa de barrera podrían deberse a dos fenómenos, ambos consecuencia de una misma causa.
El primer fenómeno es un calentamiento intempestivo de los recipientes durante el proceso. La transmisión de las microondas por el PET es en efecto una función decreciente respecto a la temperatura del material. Si a 20ºC se puede considerar que el PET es totalmente transparente a las microondas, aproximadamente a 50ºC esta transparencia no será suficiente, lo que se traduce en una cierta falta de homogeneidad del plasma. El recalentamiento del recipiente puede tener otra consecuencia en el caso de los recipientes de pared denominada delgada (inferior o igual a 200 \mum aproximadamente), que tienden a multiplicarse actualmente con el aumento del precio de la materia prima (PET), que procede de la industria química petrolera: el estirado por soplado de recipientes de pared delgada genera en efecto en el recipiente formado tensiones residuales. En ausencia de tratamiento posterior, estas tensiones no son problemáticas. Por el contrario, si durante el tratamiento por plasma el recipiente se recalienta, las tensiones residuales liberadas por este recalentamiento provocan deformaciones locales del recipiente (tanto más importantes cuanto más se acerquen a la temperatura de transición vítrea). Es necesario por tanto eliminar el recipiente.
Los inventores han supuesto que este calentamiento podía en realidad provenir de un calentamiento del recinto de cuarzo, efectuándose la transferencia de calor del recinto al recipiente por convección térmica. Esta suposición es arriesgada, ya que la presión que impera entre las paredes del recinto y el recipiente es muy baja (del orden de 30 a 100 mbar, como se ha visto) en comparación con la presión atmosférica.
El segundo fenómeno es una disminución de la transparencia del recinto a las microondas electromagnéticas, que se traduce en un bombardeo no homogéneo del precursor. Los inventores han supuesto que la relativa opacidad del recinto se debía al aumento de su temperatura, la presencia de impurezas en el material elegido (en este caso el cuarzo) suficientes para provocar un recalentamiento del recinto por la acción de las microondas electromagnéticas. Esta suposición parece igualmente arriesgada, ya que según los inventores un pequeño aumento de la temperatura de un material que se supone perfectamente transparente a las microondas (en este caso, la temperatura del recinto se ha medido a 60ºC en situación de producción industrial, mientras que esta temperatura es de 20ºC en condiciones de laboratorio) nunca se había considerado anteriormente como un problema.
La relevancia de las hipótesis formuladas por los inventores se ha demostrado por la puesta en práctica de la solución propuesta: refrigerando el recinto (para mantenerlo a una temperatura inferior a 30ºC aproximadamente), se obtiene efectivamente una distribución más homogénea de la capa de barrera, así como la supresión de las deformaciones de la botella.
Según un modo de realización, los medios de refrigeración comprenden una multitud de orificios practicados en la cavidad, preferentemente orientados de manera paralela entre sí, por ejemplo según una dirección que forma un ángulo con una trayectoria del aparato. Estos orificios permiten, durante el desplazamiento del aparato, el establecimiento de una corriente de aire que refrigera el recinto.
El ángulo formado por el eje de los orificios con la trayectoria del aparato está por ejemplo comprendido entre 5º y 45º. Un ventilador puede además disponerse aguas arriba de la cavidad, en frente de ésta, para favorecer la circulación del aire en la cavidad alrededor del recinto.
Los orificios preferentemente se distribuyen sensiblemente sobre toda la circunferencia y/o sensiblemente sobre toda la altura de la cavidad. Por otro lado, la densidad de los orificios sobre la cavidad está por ejemplo comprendida entre 1/cm^{2} y 10/cm^{2}.
Los medios de refrigeración pueden comprender, además de los orificios o de manera alternativa, un dispositivo adecuado para generar una circulación de aire en el recinto. Este dispositivo comprende por ejemplo un ventilador dispuesto debajo o encima del recinto, o incluso una canalización de llegada de aire así como una bomba de vacío ambas acopladas al recinto.
Descripción de las figuras
Otros objetos y ventajas de la invención serán más evidentes a partir de la descripción realizada a continuación con referencia a los dibujos adjuntos en los que:
- la figura 1 es una vista en alzado y en sección que muestra un aparato para el depósito por plasma de una capa de barrera sobre la pared interna de un recipiente;
- la figura 2 es una vista esquemática que muestra dos aparatos adyacentes montados sobre un mismo transportador de cadena;
- la figura 3 es una vista similar a la figura 2, según una variante de realización;
- la figura 4 es una vista en sección transversal parcial que muestra un aparato atravesado por un flujo de aire;
- la figura 5 es una vista en alzado en sección parcial que muestra un. aparato según una variante de realización; y
- las figuras 6 y 7 son vistas en detalle que muestran la distribución de los orificios en la cavidad, según dos configuraciones consideradas.
Descripción detallada de la invención
En la figura 1 se representa un aparato (1) para el depósito por plasma de una capa de barrera sobre la pared interna de un recipiente (2) previamente conformado por soplado o estirado por soplado a partir de una preforma de material termoplástico tal como PET.
Este aparato (1), en adelante denominado reactor para respetar la terminología industrial en vigor, comprende un generador (3) de microondas electromagnéticas de poca potencia a una frecuencia de 2,45 GHz, conectado por una guía (4) de ondas a una cavidad (5) fabricada de un material conductor, por ejemplo de acero o (preferentemente) de aluminio o de una aleación de aluminio. En la cavidad (5) está dispuesto un recinto (6) fabricado de un material adecuado para transmitir las microondas electromagnéticas, tal como cuarzo. Debe observarse que el espesor de la pared de la cavidad (5) es del orden de 5 mm, mientras que el de la pared del recinto (6) está comprendido entre
2 y 3 mm.
El reactor (1) está montado, con una serie de elementos similares, sobre un transportador (7) de cadena puesto en rotación, para el tratamiento simultáneo, entre uno o varios puestos de carga y uno o varios puestos de descarga, de varios recipientes (2). Este transportador (7) de cadena se materializa en las figuras 2 y 3 por su trayectoria, circular, que pasa por los ejes (X) de las cavidades (5).
La cavidad (5) y el recinto (6) están rematados de manera conjunta con una cubierta (8) amovible que permite la colocación hermética del recipiente (2) en el recinto (6). La cubierta (8) es atravesada por un inyector (9) para la introducción en el recipiente (2) de un gas precursor, tal como el acetileno. Sobre la cubierta (8) está montado un soporte (10) en el que está sujeto el recipiente (2). Este soporte (10) tiene perforada una abertura (11) que desemboca en una cámara (12) de descarga posterior por la que transitan las especies residuales al final de la reacción. La cámara (12) de descarga posterior se comunica con un circuito (13) de evacuación de las especies residuales, conectado a una bomba (no representada) que sirve a la vez para establecer un alto vacío (de varios, u bares) en el recipiente (2) antes de la introducción del gas precursor, y para bombear las especies residuales al final de la reacción.
El recinto (6) está igualmente conectado al circuito (13) por medio de una válvula que permite aislar el recinto (6) del interior del recipiente (2), tras la introducción de éste, realizándose un vacío medio (comprendido entre 30 y 100 mbares) en el recinto (6). La presión en el recinto (6) depende del espesor del recipiente (2): un vacío de 100 mbares aproximadamente, conveniente para los recipientes de espesor normal (aproximadamente de 0,35 mm), no se adapta a los recipientes de poco espesor (aproximadamente de 0,2 mm), pudiendo bastar el diferencial de presión entre el interior y el exterior para provocar su deformación. Para estos recipientes de poco espesor, se establece por tanto el vacío, en el recinto, aproximadamente de 30 mbar.
Para evitar el recalentamiento del recinto (6) y todos los inconvenientes, mencionados en la introducción, que se derivan de ello, cada reactor (1) está equipado de medios de refrigeración de su recinto (6).
Estos medios de refrigeración pueden adquirir diversas formas.
Según un primer modo de realización, el recinto (6) se refrigera por el exterior, estando la cavidad (5) perforada con una multitud de orificios (14), distribuidos preferentemente sobre toda la circunferencia de la cavidad (5) (o solamente sobre una parte de ésta), y sobre toda su altura (o solamente sobre una parte de ésta). La rotación del transportador (7) de cadena provoca, tal como se ilustra en la figura 4, la aparición en la cavidad (5) de una corriente de aire (materializada en la figura 4 por líneas de campo (L)) que, atravesándola de parte a parte, refrigera el recinto (6) manteniéndolo a una temperatura suficientemente baja (inferior o igual a 30ºC) para que la transmisión de las microondas no se vea afectada y la transferencia de calor entre el recinto (6) y el recipiente (2) sea suficientemente baja como para no conllevar un recalentamiento sustancial de éste.
Los orificios (14) pueden ser de sección circular o rectangular. Su diámetro (o su lado) está preferentemente comprendido entre 1 mm y 10 mm, mientras que su densidad puede estar comprendida entre 1/cm^{2} y 10/cm^{2}, según la velocidad de rotación del transportador (7) de cadena y el efecto de refrigeración que se desee obtener.
En las figuras 6 y 7 se dan dos ejemplos de patrones de distribución de los orificios (14).
Según un primer ejemplo (figura 6), los orificios 14, de un diámetro de 3 mm, se disponen quincuncialmente en filas superpuestas, siendo la separación (E) entre dos orificios (14) de una misma fila de 5 mm aproximadamente y la distancia (H) que separa dos filas adyacentes de 4,3 mm aproximadamente(en otras palabras, el ángulo entre la 0 recta que une los centros de los orificios (14) de una misma fila y la recta que une los centros de dos orificios vecinos de dos filas adyacentes es de 60º aproximadamente).
Según un segundo ejemplo (figura 7), los orificios (14), de un diámetro de 4 mm aproximadamente, se disponen en damero, siendo la separación (E') entre dos orificios (14) vecinos de una misma fila de 9 mm aproximadamente, mientras que la distancia (H') que separa dos filas adyacentes es de 8 mm aproximadamente.
La orientación de los orificios (14) puede ser radial; sin embargo, para optimizar el flujo de aire es preferible orientarlos de manera paralela entre sí. De este modo, pueden estar orientados de manera paralela a la tangente (T) local a la trayectoria del transportador (7) de cadena (tal como se representa en la figura 2 en la que se han trazado líneas de puntos que materializan los ejes de los orificios (14)), donde formar con éste un ángulo estando girados hacia el exterior del transportador (7) de cadena teniendo en cuenta el sentido de rotación (tal como se representa en la
figura 3), con objeto de aspirar esencialmente el aire fresco en la cavidad (5) evitando aspirar el aire caliente procedente de la cavidad (5') adyacente.
En ausencia de circulación forzada de aire, el ángulo de inclinación de los ejes de los orificios (14) está preferentemente comprendido entre 5º y 45º
Sin embargo, es posible equipar cada reactor (1) con un ventilador (15), dispuesto en el eje de los orificios (14) en frente de la cavidad (5), delante de ésta (es decir aguas arriba de ésta, teniendo en cuenta el sentido de rotación del transportador (7) de cadena). En este caso, el ángulo de inclinación de los ejes de los orificios (14) tiene una importancia menor (por ejemplo es posible orientar los ejes de los orificios (14) perpendicularmente a la tangente (T) local a la trayectoria), aunque sin embargo sea preferible que este ángulo sea superior a 5º para evitar la aspiración del flujo de aire caliente procedente de la cavidad (5) anterior.
Como variante, un flujo de aire se genera en el propio recinto (6). Este flujo puede generarse (teniendo presente que la presión en el recinto está comprendida entre 30 mbares y 100 mbares) mediante un ventilador (16) dispuesto bajo el recinto (6) y separado de éste por una rejilla (17) (por ejemplo metálica) de aislamiento que lo protege de los efectos de las ondas electromagnéticas. Tal como se ilustra en la figura 5, el ventilador (16) está preferentemente desplazado hacia la periferia del recinto (6), de manera que se crea una circulación de aire en bucle alrededor del recipiente (2). En otro modo de realización, no representado en las figuras, el ventilador (16) puede colocarse sobre la parte superior del recinto (6). Incluso a las presiones anteriormente mencionadas, una circulación de aire de este tipo parece suficiente para limitar la convección térmica entre el recinto (6) y el recipiente (2) y mantener ambos a una temperatura a la que se garantiza una buena transmisión de las microondas, y a la que no se liberan las eventuales tensiones residuales en el recipiente (2).
Como variante, es posible generar en el recinto (6) una circulación forzada por inyección de aire (o de cualquier otro gas neutro) frío por un extremo, y simultáneamente por bombeo del aire en otro extremo, con objeto de garantizar la refrigeración manteniendo estable el vacío medio que impera en el recinto (6). En la práctica, es factible por ejemplo acoplar el recinto (6) por una parte (por ejemplo por su fondo) con una canalización de llegada de aire, y por otra parte (por ejemplo por su parte superior) con una bomba de vacío, controlándose la regulación de los caudales de alimentación y de bombeo por ejemplo por realimentación en función de la presión en el recinto (6), que puede medirse mediante un sensor de presión.
Las diversas disposiciones que acaban de describirse pueden combinarse: se puede así refrigerar el recinto (6) a la vez por el exterior por medio de los orificios en la cavidad (5), acoplados o no a un ventilador, y por el interior por medio de una circulación de aire o bien generada por un ventilador, o bien por un dispositivo de inyección y de bombeo conjuntos.
Sea cual sea la disposición adoptada, se ha constatado que la refrigeración del recinto (6), por el exterior y/o por el interior, permite superar los problemas anteriormente mencionados de mala distribución de la capa de barrera sobre la pared interna del recipiente (2). Al menos esta distribución es más homogénea que la anterior, y se constata un mejor comportamiento mecánico de los recipientes de poco peso.
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Referencias citadas en la memoria
Esta lista de referencias citadas por el solicitante se dirige únicamente a ayudar al lector y no forma parte del documento de patente europea. Incluso si se ha procurado el mayor cuidado en su concepción, no se pueden excluir errores u omisiones y el OEB declina toda responsabilidad a este respecto.
Documentos de patente mencionados en la memoria
\bullet EP 1068032 A (0002) (0003)
\bullet US 5522351 A (0002)

Claims (12)

1. Aparato (1) para el depósito por plasma de una capa delgada de un material de efecto barrera sobre una pared interna de un recipiente (2), comprendiendo este aparato (1):
-
un generador (3) de ondas electromagnéticas,
-
una cavidad (5) conectada al generador (3) y fabricada de un material conductor, y
-
un recinto (6) dispuesto en la cavidad (5) y fabricado de un material transparente a las ondas electromagnéticas procedentes del generador (3);
estando caracterizado este aparato (1) porque comprende medios (14, 15; 16) de refrigeración del recinto (6).
2. Aparato (1) según la reivindicación 1, caracterizado porque los medios de refrigeración comprenden una multitud de orificios (14) practicados en la cavidad (5).
3. Aparato (1) según la reivindicación 2, caracterizado porque los orificios (14) están orientados de manera paralela.
4. Aparato (1) según la reivindicación 3, caracterizado porque los orificios (14) están orientados según una dirección que forma un ángulo con una trayectoria del aparato (1).
5. Aparato (1) según la reivindicación 4, caracterizado porque dicho ángulo está comprendido entre 5º y 45º.
6. Aparato (1) según una de las reivindicaciones 2 a 5, caracterizado porque comprende un ventilador (15) dispuesto aguas arriba de la cavidad (5), en frente de ésta.
7. Aparato (1) según una de las reivindicaciones 2 a 6, caracterizado porque los orificios (14) están distribuidos sensiblemente sobre toda la circunferencia de la cavidad (5).
8. Aparato (1) según una de las reivindicaciones 2 a 7, caracterizado porque los orificios (14) están distribuidos sensiblemente sobre toda la altura de la cavidad (5).
9. Aparato (1) según una de las reivindicaciones 2 a 8, caracterizado porque la densidad de orificios (14) sobre la cavidad (5) está comprendida entre 1/cm^{2} y 10/cm^{2}.
10. Aparato (1) según una de las reivindicaciones 1 a 9, caracterizado porque los medios de refrigeración comprenden un dispositivo adecuado para generar una circulación de aire en el recinto (6).
11. Aparato (1) según la reivindicación 10, caracterizado porque dicho dispositivo comprende un ventilador (16) dispuesto debajo del recinto (6).
12. Aparato (1) según la reivindicación 10, caracterizado porque dicho dispositivo comprende una canalización de llegada de aire y una bomba de vacío acopladas al recinto (6).
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US (1) US8020513B2 (es)
EP (1) EP1941074B1 (es)
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AT (1) ATE420222T1 (es)
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DE (1) DE602006004770D1 (es)
ES (1) ES2320494T3 (es)
FR (1) FR2892425B1 (es)
PT (1) PT1941074E (es)
WO (1) WO2007048912A1 (es)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012122559A2 (en) 2011-03-10 2012-09-13 KaiaTech, Inc. Method and apparatus for treating containers
JP6517656B2 (ja) * 2015-10-09 2019-05-22 キリン株式会社 成膜装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55131175A (en) * 1979-03-30 1980-10-11 Toshiba Corp Surface treatment apparatus with microwave plasma
US4866346A (en) * 1987-06-22 1989-09-12 Applied Science & Technology, Inc. Microwave plasma generator
US5160545A (en) * 1989-02-03 1992-11-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for epitaxial deposition
US5311103A (en) * 1992-06-01 1994-05-10 Board Of Trustees Operating Michigan State University Apparatus for the coating of material on a substrate using a microwave or UHF plasma
JP3111395B2 (ja) * 1993-06-15 2000-11-20 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
RU2199792C2 (ru) * 1997-09-30 2003-02-27 Тетра Лаваль Холдинг Энд Финанс С.А. Способ и устройство для плазменной обработки внутренней поверхности пластиковых бутылок
FR2776540B1 (fr) * 1998-03-27 2000-06-02 Sidel Sa Recipient en matiere a effet barriere et procede et appareil pour sa fabrication
US6211621B1 (en) * 1999-03-18 2001-04-03 Gasonics International Energy transfer microwave plasma source
FR2792854B1 (fr) * 1999-04-29 2001-08-03 Sidel Sa Dispositif pour le depot par plasma micro-ondes d'un revetement sur un recipient en materiau thermoplastique
FR2799994B1 (fr) * 1999-10-25 2002-06-07 Sidel Sa Dispositif pour le traitement d'un recipient a l'aide d'un plasma a basse pression comportant un circuit de vide perfectionne
JP2001196321A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Ohkura Electric Co Ltd ガス冷却式縦型ウェーハ処理装置
AU2002239243A1 (en) * 2000-11-13 2002-06-03 Fusion Lighting, Inc. Sealed microwave lamp and light distribution system
FR2847912B1 (fr) * 2002-11-28 2005-02-18 Sidel Sa Procede et dispositif pour deposer par plasma micro-ondes un revetement sur une face d'un recipient en materiau thermoplastique
JP4311109B2 (ja) * 2003-08-22 2009-08-12 東洋製罐株式会社 プラスチック容器内面への蒸着膜の成膜方法

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