TW201439354A - 蒸發沉積設備 - Google Patents

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evaporator
nozzle
vapor
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Joo-In Lee
Jung-Hyung Kim
Yong-Shim Yoo
Shin-Jae You
Yong-Hyeon Shin
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Abstract

一種蒸發沉積設備及其操作方法,此種蒸發沉積設備包含:一蒸發器,係由一導體製成且具有接收一蒸發材料的一第一腔室、通過第一腔室及一連接路徑接收蒸氣的一第二腔室、以及形成於第二腔體中以透過一點源徑向釋放蒸氣的一出口,一反射噴嘴,係由一導體製成且具有連接至此出口及具有一增加的直徑的一通孔,一感應線圈,用以圍繞反射噴嘴及蒸發器,以及一交流電源,用以將交流電提供至感應線圈。感應線圈感應加熱蒸發器及反射噴嘴以蒸發此蒸發材料,並且蒸氣通過反射噴嘴釋放出。

Description

蒸發沉積設備
這裡所描述的本發明關於一種蒸發沉積設備,更具體地,涉及一種使用反射噴嘴的蒸發沉積設備。
在真空蒸發沉積中,一待沉積的目標材料放置於一高真空腔內。沉積目標材料受到加熱以蒸發其顆粒,並且蒸氣移動以在基板上形成一薄膜。
一蒸發沉積設備包括一陶瓷坩堝以及用以加熱坩堝的一加熱單元。通常,蒸發沉積設備進行自下而上的沉積,透過使用蒸氣在相對重力的一頂表面上設置的基板上沉積一薄膜。
然而,隨著基板尺寸的增加,一自底向頂的沉積設備的基板可翹曲。因此,一自頂向底的沉積設備或側流沉積設備是必需的。
通常,組成一有機發光二極管顯示器的一有機發光二極管(OLED)包含一透明基板,透明電極上形成一陽極。一電洞注入層(HIL)、一電洞傳輸層(HTL)、一發光層(EML)、一電子傳輸層(ETL)以及一電子注入層(EIL)順次沉積於此陽極上。一陰極形成於電子傳輸層(ETL)上。
特別地,當一薄膜透過傳統的噴鍍方法沉積時,在陰極下的發光層或類似物可透過電漿或紫外線受到損傷。因此,需要一種利用不 使用電漿的側流或自頂向底的沉積方法來沉積一導電材料。
本發明的實施例提供了一種使用感應加熱及一反射噴嘴的蒸發沉積設備。
根據本發明的實施例,提供了一種蒸發沉積設備,此種蒸發沉積設備包含:一蒸發器,係由一導體製成且具有接收一蒸發材料的一第一腔室、通過第一腔室及一連接路徑接收蒸氣的一第二腔室、以及形成於第二腔體中以透過一點源徑向釋放蒸氣的一出口,一反射噴嘴,係由一導體製成且具有連接至此出口及具有一增加的直徑的一通孔,一感應線圈,用以圍繞反射噴嘴及蒸發器,以及一交流電源,用以將交流電提供至感應線圈,其中感應線圈感應加熱蒸發器及反射噴嘴以蒸發此蒸發材料,並且蒸氣通過反射噴嘴釋放出。
在一示例性實施例中,反射噴嘴與蒸發器可彼此焊接為一體。
在一示例性實施例中,反射噴嘴的通孔可為一圓錐、一多棱錐或具有一曲率的一圓錐的形狀。
在一示例性實施例中,第二腔室的出口可具有與反射噴嘴的通孔相同的形狀。
在一示例性實施例中,此種蒸發沉積設備可更包含:一電介質容器,設置於感應線圈的內部且安裝於在一真空腔室中形成的一腔室通孔上,以允許電介質容器的內部維持真空且用以覆蓋蒸發器。電介質容器可設置為突出至真空腔室的外側。
在一示例性實施例中,此種蒸發沉積設備可更包含:一支撐件,支撐由介電材料形成的電介質容器內部的蒸發器或反射噴嘴,並且位於真空腔室中形成的腔室通孔上。
在一示例性實施例中,此種蒸發沉積設備可更包含:一氣體分佈單元,設置於蒸發器與電介質容器之間,其中氣體分佈單元將一惰性氣體提供於電介質容器與蒸發器之間。惰性氣體可提供於反射噴嘴的一底表面。
在一示例性實施例中,通孔的一中心軸與一內表面之間的一傾斜角可為35度和55度之間。
在一示例性實施例中,感應線圈的單位長度的繞組數目在反射噴嘴附近可相比較於在蒸發器的附近更大。
在一示例性實施例中,蒸發器的一外徑可與反射噴嘴的一外徑相等或大於反射噴嘴的外徑。
在一示例性實施例中,蒸發器為一圓柱體的形式,第一腔室可為包含具有一突起中心的一突起部一圓柱體的形式,連接路徑可通過突起部形成,第二腔室可為一球體或一圓柱體的形式,連接路徑可設置於第二腔室的中心中,蒸發器可更包含設置於第二腔室及連接路徑的一連接部附近的一擋板,以及蒸氣可以自頂向底方式釋放。
在一示例性實施例中,蒸發器可為一圓柱體的形式,第一腔室可為一圓柱體的形式,第二腔室可為一球體或一圓柱體的形式,連接路徑可設置於第一腔室的邊緣,以及蒸氣以橫向流動的方式釋放。
在一示例性實施例中,蒸發器可為一圓柱體的形式,第一 腔室可為在第一腔室的邊緣形成有一突起部的圓柱體形式,連接路徑可通過突起部形成,第二腔室可為一球體或一圓柱體的形式,以及蒸氣可以自頂向底的方式釋放。
在一示例性實施例中,蒸發器可為一圓柱體的形式,第一腔室可為一圓柱體的形式,第二腔室可為一球體或一圓柱體的形式,連接路徑可形成於第一腔室的中心中,以及蒸氣可以自底向頂的方式釋放。
在一示例性實施例中,此種蒸發沉積設備可更包含一管路以將一承載氣體供給至第一腔室。
根據本發明的實施例,提供了一種蒸發沉積設備,此種蒸發沉積設備可包含:一蒸發器,係由一電介質製成且具有接收一蒸發材料的一第一腔室、通過第一腔室及一連接路徑接收蒸氣的一第二腔室、以及形成於第二腔體中以透過一點源徑向釋放蒸氣的一出口;一加熱塊,覆蓋蒸發器且由一導體製成;一反射噴嘴,係由一導體製成且具有連接至此出口及具有一增加的直徑的一通孔;一感應線圈,用以圍繞反射噴嘴及蒸發器;以及一交流電源,用以將交流電提供至感應線圈,其中感應線圈感應加熱此加熱塊及反射噴嘴以蒸發此蒸發材料,並且蒸氣通過反射噴嘴釋放出。
根據本發明的一些實施例,提供了一種蒸發沉積設備的操作方法,其中蒸發沉積設備包含:一蒸發器,係由一導體製成且具有接收一蒸發材料的一第一腔室、通過第一腔室及一連接路徑接收蒸氣的一第二腔室、以及形成於第二腔體中以透過一點源徑向釋放蒸氣的一出口;一反射噴嘴,係由一導體製成且具有連接至出口及具有一增加的直徑的一通 孔;一感應線圈,用以圍繞反射噴嘴及蒸發器;以及一交流電源,用以將交流電提供至感應線圈,其中感應線圈感應加熱蒸發器及反射噴嘴以蒸發此蒸發材料,並且蒸氣通過該反射噴嘴釋放出。此種蒸發沉積設備的操作方法可包含:通過蒸發器及連接路徑的出口將珠粒狀或粉狀蒸發材料提供至第一腔室中;將蒸發器安裝於一真空腔室上;加熱蒸發器及反射噴嘴以融化蒸發材料;以及通過反射噴嘴在一基板上執行蒸發沉積。
100‧‧‧蒸發沉積設備
100a‧‧‧框架
110‧‧‧蒸發器
110a‧‧‧蒸發器
110b‧‧‧蒸發器
110c‧‧‧蒸發器
111‧‧‧蒸發材料
111a‧‧‧蒸發材料
112‧‧‧第一腔室
113‧‧‧擋板
114‧‧‧突起部
116‧‧‧連接路徑
118‧‧‧第二腔室
119‧‧‧出口
120‧‧‧反射噴嘴
120a‧‧‧通孔
130‧‧‧電介質容器
132‧‧‧支撐件
140‧‧‧感應線圈
150‧‧‧交流電源
160‧‧‧真空腔室
162‧‧‧腔室通孔
172‧‧‧基板保持件
174‧‧‧基板
181‧‧‧氣體注入器
183‧‧‧管路
191‧‧‧開口
200‧‧‧蒸發沉積設備
220‧‧‧反射噴嘴
220a‧‧‧通孔
300‧‧‧蒸發沉積設備
320‧‧‧反射噴嘴
320a‧‧‧通孔
400‧‧‧蒸發沉積設備
420‧‧‧反射噴嘴
420a‧‧‧通孔
500‧‧‧蒸發沉積設備
520‧‧‧反射噴嘴
520a‧‧‧通孔
521‧‧‧輔助反射器
522‧‧‧輔助支撐件
600‧‧‧蒸發沉積設備
θ‧‧‧傾斜角
第1圖係為根據本發明一實施例的一蒸發沉積設備的橫截面圖。
第2A圖至第2D圖係為根據本發明實施例的反射噴嘴的透視圖。
第3A圖係為根據本發明另一實施例的一反射噴嘴的透視圖。
第3B圖係為沿第3A圖的線I-I'的橫截面圖。
第4圖係為根據本發明另一實施例的一蒸發沉積設備的橫截面圖。
第5圖係為根據本發明再一實施例的一蒸發沉積設備的橫截面圖。
第6圖係為第1圖中的蒸發器的橫截面圖。
第7圖係為根據本發明又一實施例的蒸發沉積設備的橫截面圖。
第8圖係為根據本發明又一實施例的蒸發沉積設備的橫截面圖。
第9圖係為根據本發明又一實施例的蒸發沉積設備的橫截面圖。
第10圖係為根據本發明又一實施例的蒸發沉積設備的橫截面圖。以及 第11A圖至第11C圖係為根據本發明其他實施例的基板的俯視圖。
一傳統的蒸發沉積設備包括一陶瓷坩堝以及用以加熱坩堝 的一加熱單元。蒸發沉積設備進行自底至頂的沉積,透過使用蒸氣在相對重力的一頂表面上設置的基板上沉積一薄膜。加熱單元通過使用導熱性,使用熱絲的輻射熱加熱坩堝。
根據本發明實施例的一蒸發沉積方法可包含,通過感應加熱在一導電蒸發器的第一腔室內加熱蒸發材料,將產生蒸氣的一蒸發材料引入至一第二腔室中,以及感應加熱第二腔室以使得出口是一個點源的徑向蒸氣提供給基板,以形成一薄膜。
當一蒸發器與複數個部件結合在一起時,一蒸發材料可產生高壓蒸氣。因此,高壓蒸氣可通過一結合部的間隙流出來。當蒸發器受到冷卻時,此間隙可透過一凝固的蒸發材料而受到阻擋。大部分的蒸氣通過此間隙流出而不通過出口流出,這可能導致沉積效率降低。
為了克服了上述缺點,根據本發明的實施例的一蒸發器可製造成一體。在一體型的蒸發器的情況下,蒸發材料可製造為小珠粒的形式,這些小珠粒通過蒸發器的出口可接收於第一腔室中。
以下將參照附圖更詳細地描述本發明的優選實施例。然而,本發明也可實現為不同的形式且不應該理解為對在此所闡述的實施例的限制。然而,提供這些實施例使得本公開將是徹底和完整的,並且將充分地將本發明的範圍傳遞給本領域的技術人員。
第1圖係為根據本發明一實施例的一蒸發沉積設備的剖視圖。
請參考第1圖,一蒸發沉積設備100包含蒸發器110、一反射噴嘴120、一感應線圈140、以及一交流電源150,蒸發器110由一導體製 且具有接收蒸發材料111的一第一腔室112,通過第一腔室112及一連接路徑116接收蒸氣的一第二腔室118,以及形成在第二腔室118中以由一點源徑向釋放蒸氣的一出口119。反射噴嘴120由導體構成,並具有連接至出口119且具有一逐漸增加直徑的一通孔120a,感應線圈140包圍反射噴嘴120及蒸發器110,交流電源150向感應線圈140提供交流電。感應線圈140加熱蒸發器110及反射噴嘴120以蒸發此蒸發材料111,並且蒸氣反射噴嘴120排出蒸氣。
蒸發器110可傳統上為圓柱形式,並且可轉換成一個多棱錐形狀。蒸發器110可製造為一體型或一可拆卸的類型。蒸發器110的材料可包括金屬,例如不鏽鋼、鉬、鎢、以及鈦。第一腔室112、位於第一腔室下方的第二腔室118、以及將第一腔室112和第二腔室118彼此連接的連接路徑116可在蒸發器110的內部形成。蒸發器110可以是製造為具有複數個部件的一可拆卸的蒸發器,但是這些部件可焊接在一起以進行連接。第二腔室118可沿著蒸發器110的中心軸線在第一腔室112的下方垂直隔開。蒸發器110可透過流到感應線圈140的交流電而感應加熱。蒸發器110可安裝在一個真空腔室160的頂表面上。
蒸發材料111可以是鋁、氧化銦錫(ITO)或一有機材料。如果在蒸發材料111為一體型,則它可以顆粒或粉末的形式接收於第一腔室112中。
第一腔室112可以是圓柱體的形式,包括具有一突起中心部分的一突起部114。突起部114可具有恆定的高度的凸起部位。突起部114可為一圓柱體形式。突起部114可佈置在第一腔室112的底表面。蒸發材料 111可接收於第一腔室112中。當蒸發材料111熔化時,熔化的材料可由於突起部114不向下流動到連接路徑116。蒸發材料111可被蒸發以產生蒸氣。
連接路徑116可沿著蒸發器110的中心軸線通過突起部114在垂直方向上形成。連接路徑116可通過突起部114將第一腔室112和第二腔室118彼此連接。
第二腔室118可以是球體或圓柱體的形式。連接路徑116可設置於第二腔室118的上部中央,並且蒸發器110可包括設置於第二腔室118及連接路徑116的連接部附近的一擋板113。第二腔室118可藉由連接路徑116接收蒸氣。擋板113可由受到感應加熱的導電材料製成。蒸氣的方向透過擋板113改變,以防止藉由連接路徑116供給的蒸氣從第二腔室118的出口119出去。蒸氣可在第二腔室118內的散射兩次或更多次。此蒸氣可具有玻爾茲曼速度分佈。雖然第二腔室118的形式為球體或圓柱體,但本發明並不限於此。也就是說,第二腔室118可以具有不同的形式。第二腔室118可在與連接路徑116相對的一方向上具有出口119。出口119的尺寸可充分小。到達出口119的蒸氣可流出。到達出口119的蒸氣可流出。到達出口119的蒸氣可直接噴出或在反射噴嘴120的內表面或在通孔120a中反射後可噴出。較佳地,出口119為淺的。可替換地,出口119可具有與反射噴嘴120的傾斜角相同的角度。出口119的截面可具有與反射噴嘴120相同的形狀。
第二腔室118可將通過複數個散射步驟凝結的蒸氣分解為單個原子或分子。第二腔室118可具有當蒸氣通過出口119噴出時的透過一點源的輻射形狀。因此,通過出口119噴出的蒸氣可具有均勻的角分佈。 在這種情況下,出口119可不僅為圓形而且可為多邊形的形式。第二腔室118可加熱到相比較於第一腔室112更高的溫度,第一腔112和第二腔室118的溫度可通過感應線圈140的每個長度的繞組的數量來調整。
反射噴嘴120可為圓柱體形狀,其中通孔120a形成為與出口119對齊。反射噴嘴120可與蒸發器110形成為一體。反射噴嘴120的外觀可與蒸發器110的外觀相同。通孔120a可以是圓錐、多棱錐或具有一曲率的圓錐體的形狀。在這種情況下,出口119的形狀可與通孔120a相匹配。舉例而言,當出口119為圓形時,通孔120a可為圓錐體的形式。當出口119為多邊形的形式時,通孔120a可為棱錐的形狀。通孔120a的中心軸與內表面之間的傾斜角可為35度和55度之間。反射噴嘴120可由導體製成,並且感應線圈140可加熱反射噴嘴120。提供到通孔120a之表面的蒸氣可通過反射行進。反射噴嘴120的一外徑可相比較於蒸發器110的一外徑為小。反射噴嘴120可通過焊接與蒸發器110製造為一體。
反射噴嘴120可執行類似以反射杯反射光線的功能。因此,反射噴嘴120可沉積厚度均勻的薄膜於一平坦的基板上。
反射噴嘴120的溫度可相比較於蒸發器110的溫度更高。因此,衝擊在噴嘴120的蒸氣可不液化而反射提供於基板174。為了提高反射噴嘴120的溫度,感應線圈140的單位長度的繞組數目在反射噴嘴120附近可相比較於在蒸發器110的附近更大。
一電介質容器130可以是有蓋圓柱體或鐘罩的形式。電介質容器130可安裝在真空腔室160的一腔室通孔162上以保持真空狀態。電介質容器130可設置為突出到真空腔室160的外側。
反射噴嘴120和蒸發器110可佈置在電介質容器130的內部。電介質容器130的一內徑可大於蒸發器110的外徑。電介質容器130的材料可以是陶瓷、氧化鋁、石英或藍寶石。感應線圈140可覆蓋電介質容器130的外側表面。
一支撐件132可支撐電介質容器130內的蒸發器110或反射噴嘴120,並且可位於真空腔室160中形成的腔室通孔162上。支撐件132可由電介質材料製成。支撐件132可以是圓柱體的形式。
感應線圈140可以是螺線管的形式,並且一冷卻劑可流過感應線圈140的內部。感應線圈140的每一長度的繞組數目可根據位置而不相同。更特別地,反射噴嘴120附近的每單位長度的繞組數目可大於蒸發器110附近的每單位長度的繞組數目。
交流電源150可向感應線圈140提供交流電源。因此,流向感應線圈140的交流電可感應加熱蒸發器110及反射噴嘴120。交流電源150的頻率可以是數千赫(kHz)或幾個兆赫(MHz)。一裝置(圖未示)可安裝在蒸發器110上,以控制蒸發器110的溫度。
基板174水平地佈置在真空腔室160的內部,並且蒸發器110設置在面向基板174的頂表面上。一遮罩(圖未示)可佈置在基板174上。基板174及遮罩可相互對準,並當在基板保持件172上彼此緊密接觸時可以是固定的。
蒸發器110和反射噴嘴120可以自頂向底的方式向基板174提供蒸氣。到達基板174的蒸氣可在基板174上形成一薄膜。基板174的大小或沉積區域或形狀可取決於反射噴嘴120的通孔120a的形狀以及基板174 與反射噴嘴120之間的一距離。如果出口119與反射噴嘴120的通孔120a為圓形或圓錐形狀,則沉積的薄膜可以是在圓形。如果出口119和反射噴嘴120的通孔120a是四邊形或棱錐的形狀,則沉積的薄膜可為四邊形的形式。
如果蒸發材料為一導體,則蒸發器110和蒸發材料111兩者可直接感應加熱。在第一腔室112中的蒸發材料111可被蒸發,以通過連接路徑116提供給第二腔室118。到達第二腔室118的蒸氣通過多個散射步驟可具有玻耳茲曼速率分佈。蒸氣可藉由第二腔室118的出口噴出。連接到出口119的反射噴嘴120可具有一圓錐形或多棱錐狀的通孔120a,以在基板174上沉積一預定的沉積圖案。
如果蒸發材料是絕緣體,則在第一腔室112中接收的蒸發材料111可透過蒸發器110被加熱,因此,蒸發材料111可受到蒸發以提供到第二腔室118中。感應加熱的第二腔室118可通過出口提供蒸氣,同時抑制蒸氣凝結。因此,一更好質量的薄膜可在一低處理溫度下不需要在高溫下加熱基板174而形成。第二腔室118的出口可為圓形或多邊形的形狀,並且可連接到一圓錐或多棱錐形的反射噴嘴。由於反射噴嘴可在內部反射釋放的蒸氣以調整蒸氣的釋放角度,一自底而頂,橫向流動或自頂向底的蒸發沉積設備可在一大面積基板上沉積一均勻的薄膜。
第2A圖至第2D圖係為根據本發明實施例的反射噴嘴的透視圖。
請參考第2A圖,一反射噴嘴120可具有形成於一圓柱體內部的一圓錐形通孔120a。通孔120的一傾斜角θ可為35度和55度之間。 蒸發器110的一出口119可以是圓錐形或圓柱體形狀。出口119的大小可以等於通孔120的一入口的大小。
請參考第2B圖,一反射噴嘴220可具有形成於一四角形柱狀或圓柱體內部的一四角錐形狀的通孔220a。蒸發器110的一出口119可為一棱錐或四棱柱的形式。
請參考第2C圖,一反射噴嘴320可具有一圓錐形通孔320a,此圓錐形通孔具有恆定的厚度和曲率以更精確地調整一均勻薄膜的厚度。
請參考第2D圖,一反射噴嘴420可具有形成於一圓柱體或六邊柱體內部的一六邊形錐體形的通孔420a。一蒸發器110的一出口119可為一六角錐或一六棱柱的形式。
第3A圖係為根據本發明另一實施例的一反射噴嘴的透視圖。
第3B圖係為沿第3A圖的線I-I'的橫截面圖。
參考第3A圖及第3B圖,一反射噴嘴520可具有一圓錐形通孔520a,通孔520a具有在一圓柱體內形成的一曲率。一輔助反射器521可設置於通孔520a的中心軸線上。輔助反射器521可為圓錐的形式。輔助反射器521可根據一輔助支撐件522與通孔520a的一內側表面相組合。因此,可減少在通孔520a的中心軸線方向的粒子通量。反射噴嘴520可提供一均勻的薄膜。
第4圖係為本發明另一實施例的一蒸發沉積設備的橫截面圖。
請參考第4圖,一蒸發沉積設備200包含蒸發器110、一反射噴嘴120、一感應線圈140、以及一交流電源,蒸發器110由一導體製且具有接收蒸發材料的一第一腔室112,通過第一腔室112及一連接路徑116接收蒸氣的一第二腔室118,以及形成在第二腔室118中以由一點源徑向釋放蒸氣的一出口119。反射噴嘴120由導體構成,並具有連接至出口119且具有一逐漸增加直徑的一通孔120a,感應線圈140包圍反射噴嘴120及蒸發器110,交流電源向感應線圈140提供交流電。感應線圈140感應加熱蒸發器110及反射噴嘴120以蒸發蒸發材料111,並且蒸氣反射噴嘴120排出蒸氣。
蒸發器110可為圓柱體的形式,第一腔室112可為包括具有一突起中心的一突起部114的圓柱體的形式。連接路徑116可通過突起部114形成,而第二腔室118可以是圓柱體的形式。連接路徑116可設置於第二腔室118的中心中,並且蒸發器110可包含設置於第二腔室118及連接路徑116的一連接部附近的一擋板113。蒸氣可以自頂向底的方式排出。
反射噴嘴120可包含在一圓柱體內部具有一曲率的圓錐形通孔120a。
一載體氣體可提供於蒸發器110中一攜帶蒸氣。承載氣體可為一惰性氣體。一通孔可形成於電介質容器130的頂表面上,因此,一管路183可穿透電介質容器130而插入。管路183可連接到蒸發器110的頂面。因此,惰性氣體可藉由管路183提供到第一腔室112。提供到第一腔室112的惰性氣體可通過連接路徑116提供蒸氣順暢的排空。
一氣體注入器181可設置於蒸發器110的頂表面與電介質容 器130之間。氣體注入器181可以是環的形式。氣體注入器181可從電介質容器130的外部接收惰性氣體。氣體注入器181可包含以規則間隔隔開的注入噴嘴。惰性氣體可提供到蒸發器110和電介質容器130之間的空間。惰性氣體可通過反射噴嘴120的一底表面或支撐件132的一底表面提供到一真空腔室160中。惰性氣體可抑制蒸氣在支撐件132的內表面及反射噴嘴120的底表面上的沉積。此外,惰性氣體可控制蒸氣的方向性,以改善基板的沉積均勻性。
第5圖係為根據本發明再一實施例的一蒸發沉積設備的橫截面圖。
請參考第5圖,一蒸發沉積設備300包含蒸發器110、一反射噴嘴120、一感應線圈140、以及一交流電源,蒸發器110由一導體製且具有接收蒸發材料的一第一腔室112,通過第一腔室112及一連接路徑116接收蒸氣的一第二腔室118,以及形成在第二腔室118中以由一點源徑向釋放蒸氣的一出口119。反射噴嘴120由導體構成,並具有連接至出口119且具有一逐漸增加直徑的一通孔120a,感應線圈140包圍反射噴嘴120及蒸發器110,交流電源向感應線圈140提供交流電。感應線圈140感應加熱蒸發器110及反射噴嘴120以蒸發蒸發材料111,並且蒸氣反射噴嘴120排出蒸氣。
蒸發器110可以是圓柱體的形式。蒸發器110可具有一第一腔室112以及一第二腔室118,第一腔室112可為在其邊緣形成有一突起部114的圓柱體形式。突起部114可從第一腔室112的一底表面沿著第一腔室112的側壁延伸。
第二腔室118可佈置為從第一腔室112的底部垂直間隔開。連接路徑116可通過突起部114形成,第二腔室118可以是球體的形式。連接路徑116可連接到第二腔室118的邊緣。連接路徑116可形成為連接第二腔室118的一水平軸。因此,珠粒狀的蒸發材料可通過連接路徑116接收於第一腔室112中。
第6圖係為第1圖中的蒸發器110的橫截面圖。
請參考第6圖,提供珠粒狀或粉末狀的蒸發材料111a。每一蒸發材料111a具有相比較於蒸發器110的出口119更小直徑的蒸發材料111a。蒸發材料111a可通過一澆口提供給反射噴嘴120。因此,蒸發材料111a可通過蒸發器110的出口119及連接路徑116提供至第一腔室112。然後,蒸發器110安裝於真空腔室160上,然後,珠粒形的蒸發材料111a可透過加熱蒸發器110及反射噴嘴120而熔化。然後,蒸發沉積可通過反射噴嘴120在基板上執行。
第7圖係為根據本發明又一實施例的一蒸發沉積之橫截面圖。
請參考第7圖,一蒸發沉積設備400包含蒸發器110、一反射噴嘴120、一感應線圈140、以及一交流電源,蒸發器110由一導體製且具有接收蒸發材料的一第一腔室112,通過第一腔室112及一連接路徑116接收蒸氣的一第二腔室118,以及形成在第二腔室118中以由一點源徑向釋放蒸氣的一出口119。反射噴嘴120由導體構成,並具有連接至出口119且具有一逐漸增加直徑的一通孔120a,感應線圈140包圍反射噴嘴120及蒸發器110,交流電源向感應線圈140提供交流電。感應線圈140感應加熱蒸 發器110及反射噴嘴120以蒸發蒸發材料111,並且蒸氣反射噴嘴120排出蒸氣。
蒸發器110可安裝於一真空腔室160的一側表面上。蒸發器110可以是圓柱體的形式。蒸發器110可具有一第一腔室112以及一第二腔室118。第一腔室112可為圓柱體形式。第二腔室118可為球體形式。第二腔室118可形成於第一腔室112之下的蒸發器110的中心軸上。連接路徑116可設置在第一腔室112的邊緣。蒸氣可通過出口119橫向設置。蒸氣可通過連接路徑116提供給第二腔室118。提供給第二腔室118的蒸氣可通過形成在第二腔室118的底表面上的出口噴出。
一基板174設置為垂直於一真空腔室160,並且蒸發器110設置於面對基板174的一側表面上。基板174可在與一基板保持件172緊密接觸的狀態下固定。
第8圖係為根據本發明又一實施例的一蒸發沉積設備的橫截面圖。
請參考第8圖,一蒸發沉積設備500包含蒸發器110、一反射噴嘴120、一感應線圈140、以及一交流電源,蒸發器110由一導體製且具有接收蒸發材料的一第一腔室112,通過第一腔室112及一連接路徑116接收蒸氣的一第二腔室118,以及形成在第二腔室118中以由一點源徑向釋放蒸氣的一出口119。反射噴嘴120由導體構成,並具有連接至出口119且具有一逐漸增加直徑的一通孔120a,感應線圈140包圍反射噴嘴120及蒸發器110,交流電源向感應線圈140提供交流電。感應線圈140感應加熱蒸發器110及反射噴嘴120以蒸發蒸發材料111,並且蒸氣反射噴嘴120排出 蒸氣。
蒸發器110可安裝於一真空腔室160的底表面上。蒸發器110可為一圓柱體形式。第一腔室112可為一圓柱體形式。第二腔室118可以是球形或圓柱體形式。連接路徑116可形成於第一腔室112的中心,並且蒸氣可自自底向頂的方式釋放。在第二腔室118中,一擋板113可設置於連接路徑116的附近。
反射噴嘴120可設置於出口119上,並且可具有形成於反射噴嘴120的圓柱中心的一通孔120a。通孔120a可為圓錐體的形式。反射噴嘴120的外徑可以等於蒸發器110的外徑。
第9圖係為根據本發明又一實施例的一蒸發沉積設備之橫截面圖。
請參考第9圖,一蒸發沉積設備包含一蒸發器、一加熱塊、一反射噴嘴、一感應線圈以及一交流電源。蒸發器係由介電材料製成,並具有接收一蒸發材料的一第一腔室、通過第二腔室及連接路徑接收蒸氣的一第二腔室、以及形成於第二腔室中透過點源徑向釋放蒸氣的一出口。加熱塊係由一導體製成且覆蓋蒸發器。交流電源將交流電提供給感應線圈。感應線圈感應地加熱加熱塊和反射噴嘴以蒸發蒸發材料,並且蒸氣通過反射噴嘴排出。
蒸發器可由陶瓷材料製成。加熱塊可透過感應線圈被感應加熱,並且可通過熱傳導和輻射加熱蒸發器。
第10圖係為根據本發明又一實施例的一蒸發沉積設備之橫截面圖。
請參考第10圖,一蒸發沉積設備可包含複數個蒸發器110a、110b以及110c。蒸發器110a、110b以及110c可在一真空腔室160的頂表面上安裝於一線,因此,每一蒸發器110a、110b以及110c可在一預定區域中沉積一薄膜。如果每一蒸發器110a、110b以及110c具有一方形截面,則可在一相應的分割基板區域中沉積一薄膜。
第11A圖至第11C圖係為根據本發明其他實施例的基板的俯視圖。
請參考第11A圖,一反射噴嘴120的通孔120a可分別分配給一基板174上的固定沉積區域。反射噴嘴120的外觀可為一圓柱體形式。每一通孔120a的可為一四棱錐的形式。蒸發器的出口119可以呈四邊形柱或角錐的形式。每一通孔120a的可具有一正方形截面。通孔120a可在一條線上對齊。基板174可為一正方形基板。
請參考第11B圖,通孔120a設置為矩陣。每一通孔120a可具有一正方形截面。一基板174可以是正方形基板。
請參考第11C圖,複數個蒸發器可以恆定的方式安裝於一真空腔室的頂表面上而對齊。通孔120a可設置於一蜂窩狀中心。因此,每一蒸發器可在基板174上的一預定的六邊形區域沉積一薄膜,如果每一通孔120a具有一六角形截面,則每一蒸發器可在一對應分割的基板區域上沉積一薄膜。基板174可為一圓形基板。
根據本發明的上述實施例,一蒸發沉積設備可透過加熱蒸發器內接收到的沉積材料而產生蒸氣。蒸氣可提供給蒸發器內的一空腔,並且可通過複數個反射程式具有點源的特性。通過在腔室形成的出口放射 狀噴出的蒸氣可由於一反射噴嘴而在預定圖案的基板上沉積質量更好的薄膜。因此,橫向流動蒸發沉積或自頂向底的蒸發沉積可在大面積的OLED及一太陽能電池基板上進行。此外,可抑制在傳統的自頂而底的沉積源中非均勻蒸氣分佈產生的蒸氣凝結。此外,執行感應加熱,以防止第二腔室和一反射噴嘴之間的出口堵塞,且覆蓋於反射噴嘴上。
儘管本發明已經結合在附圖中示出了本發明的實施例進行了描述,但並不限於此。顯而易見的是,本領域技術人員可在不脫離本發明的範圍和精神的情況下進行各種替換、修改和變化。
100‧‧‧蒸發沉積設備
110‧‧‧蒸發器
111‧‧‧蒸發材料
112‧‧‧第一腔室
113‧‧‧擋板
114‧‧‧突起部
116‧‧‧連接路徑
118‧‧‧第二腔室
119‧‧‧出口
120‧‧‧反射噴嘴
120a‧‧‧通孔
130‧‧‧電介質容器
132‧‧‧支撐件
140‧‧‧感應線圈
150‧‧‧交流電源
160‧‧‧真空腔室
162‧‧‧腔室通孔
172‧‧‧基板保持件
174‧‧‧基板

Claims (17)

  1. 一種蒸發沉積設備,包含:一蒸發器,係由一導體製成且具有接收一蒸發材料的一第一腔室、通過該第一腔室及一連接路徑接收蒸氣的一第二腔室、以及形成於該第二腔體中以透過一點源徑向釋放該蒸氣的一出口;一反射噴嘴,係由一導體製成且具有連接至該出口及具有一增加的直徑的一通孔;一感應線圈,用以圍繞該反射噴嘴及該蒸發器;以及一交流電源,用以將交流電提供至該感應線圈,其中該感應線圈感應加熱該蒸發器及該反射噴嘴以蒸發該蒸發材料,並且該蒸氣通過該反射噴嘴釋放出。
  2. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該反射噴嘴與該蒸發器彼此焊接為一體。
  3. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該反射噴嘴的該通孔係為一圓錐、一多棱錐或具有一曲率的一圓錐的形狀。
  4. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該第二腔室的該出口具有與該反射噴嘴的該通孔相同的形狀。
  5. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,更包含:一電介質容器,設置於該感應線圈的內部且安裝於在一真空腔室中形成的一腔室通孔上,以允許該電介質容器的內部維持真空且用以覆蓋該蒸發器, 其中該電介質容器設置為突出至該真空腔室的外側。
  6. 如請求項5所述之蒸發沉積設備,更包含:一支撐件,支撐由介電材料形成的該電介質容器內部的該蒸發器或該反射噴嘴,並且位於該真空腔室中形成的該腔室通孔上。
  7. 如請求項5所述之蒸發沉積設備,更包含:一氣體分佈單元,設置於該蒸發器與該電介質容器之間,其中該氣體分佈單元將一惰性氣體提供於該電介質容器與該蒸發器之間,以及其中該惰性氣體提供於該反射噴嘴的一底表面。
  8. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該通孔的一中心軸與一內表面之間的一傾斜角為35度和55度之間。
  9. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該感應線圈的單位長度的繞組數目在該反射噴嘴附近可相比較於在該蒸發器的附近更大。
  10. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該蒸發器的一外徑與該反射噴嘴的一外徑相等或大於該反射噴嘴的該外徑。
  11. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該蒸發器為一圓柱體的形式,其中該第一腔室為包含具有一突起中心的一突起部一圓柱體的形式, 其中該連接路徑通過該突起部形成,其中該第二腔室係為一球體或一圓柱體的形式,其中該連接路徑設置於該第二腔室的該中心中,其中該蒸發器更包含設置於該第二腔室及該連接路徑的一連接部附近的一擋板,以及其中該蒸氣以自頂向底方式釋放。
  12. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該蒸發器係為一圓柱體的形式,其中該第一腔室係為一圓柱體的形式,其中該第二腔室係為一球體或一圓柱體的形式,其中該連接路徑設置於該第一腔室的邊緣,以及其中該蒸氣以橫向流動的方式釋放。
  13. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該蒸發器係為一圓柱體的形式,其中該第一腔室係為在該第一腔室的邊緣形成有一突起部的圓柱體形式,其中該連接路徑通過該突起部形成,其中該第二腔室係為一球體或一圓柱體的形式,以及其中該蒸氣以自頂向底的方式釋放。
  14. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,其中該蒸發器係為一圓柱體的形式,其中該第一腔室係為一圓柱體的形式, 其中該第二腔室係為一球體或一圓柱體的形式,其中該連接路徑形成於該第一腔室的中心中,以及其中該蒸氣以自底向頂的方式釋放。
  15. 如請求項1所述之蒸發沉積設備,更包含一管路以將一承載氣體供給至該第一腔室。
  16. 一種蒸發沉積設備,包含:一蒸發器,係由一電介質製成且具有接收一蒸發材料的一第一腔室、通過該第一腔室及一連接路徑接收蒸氣的一第二腔室、以及形成於該第二腔體中以透過一點源徑向釋放該蒸氣的一出口;一加熱塊,覆蓋該蒸發器且由一導體製成;一反射噴嘴,係由一導體製成且具有連接至該出口及具有一增加的直徑的一通孔;一感應線圈,用以圍繞該反射噴嘴及該蒸發器;以及一交流電源,用以將交流電提供至該感應線圈,其中該感應線圈感應加熱該加熱塊及該反射噴嘴以蒸發該蒸發材料,並且該蒸氣通過該反射噴嘴釋放出。
  17. 一種蒸發沉積設備的操作方法,該蒸發沉積設備包含:一蒸發器,係由一導體製成且具有接收一蒸發材料的一第一腔室、通過該第一腔室及一連接路徑接收蒸氣的一第二腔室、以及形成於該第二腔體中以透過一點源徑向釋放該蒸氣的一出口;一反射噴嘴,係由一導體製成且具有連接至 該出口及具有一增加的直徑的一通孔;一感應線圈,用以圍繞該反射噴嘴及該蒸發器;以及一交流電源,用以將交流電提供至該感應線圈,其中該感應線圈感應加熱該蒸發器及該反射噴嘴以蒸發該蒸發材料,並且該蒸氣通過該反射噴嘴釋放出,該種蒸發沉積設備的操作方法包含:通過該蒸發器及該連接路徑的該出口將珠粒狀或粉狀蒸發材料提供至該第一腔室中;將該蒸發器安裝於一真空腔室上;加熱該蒸發器及該反射噴嘴以融化該蒸發材料;以及通過該反射噴嘴在一基板上執行蒸發沉積。
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