ES2314804T3 - Modulo semiconductor de potencia con capa intermedia aislante y procedimiento para su fabricacion. - Google Patents
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Abstract
Módulo semiconductor de potencia (1) con una caja (3) con elementos de conexión (42, 44) dirigidos hacia fuera, con por lo menos un material de base (5) aislado eléctricamente y dispuesto dentro de la caja (3), que consta por lo menos de un cuerpo de material aislante (54) y sobre la primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia se encuentran varias pistas de unión metálicas (52) aisladas eléctricamente entre sí y con por lo menos un elemento semiconductor de potencia (70) dispuesto sobre una de dichas pistas de unión, con por lo menos un elemento de unión (40) y por lo menos un cuerpo moldeado aislante (80) extraordinariamente dúctil, que en estado no deformado presenta un grosor igual al del componente semiconductor de potencia (70) que debe envolverse y que entre el cuerpo moldeado aislante (80) y el componente semiconductor de potencia (70) envuelto por éste se forma una ranura, de modo que se forma por lo menos una unión entre un elemento semiconductor de potencia (70) y un elemento de unión (40), o bien entre el componente semiconductor de potencia (70) y la tira de unión (52) como unión por sinterización a presión, de modo que el cuerpo moldeado aislante (80) se encuentra dispuesto de tal manera que en su forma original se deforma mediante presión y se amolda completamente a los márgenes de por lo menos un componente semiconductor de potencia (70) asignado, envolviéndolo.
Description
Módulo semiconductor de potencia con capa
intermedia aislante y procedimiento para su fabricación.
El invento describe un módulo semiconductor de
potencia compuesto por una caja que contiene por lo menos un
material de base electroaislante, preferentemente para el montaje
directo sobre un disipador de calor. El material de base se compone
de un cuerpo de material aislante, sobre el cual hay dispuestas
varias pistas de unión metálicas aisladas entre sí, y sobre éstas
se encuentran dispuestos componentes semiconductores de potencia
unidos a dichas pistas de unión mediante cableado. Además, el módulo
semiconductor de potencia presenta elementos de conexión para
conexiones auxiliares y de carga y también elementos de unión para
uniones en el interior del módulo semiconductor de potencia. Se
describe asimismo un procedimiento para la fabricación del módulo
semiconductor de potencia mencionado anteriormente.
Los módulos semiconductores de potencia, que son
la base del presente invento, se conocen, por ejemplo, a partir de
la patente DE-19.617.055-C1. Dicho
documento divulga un módulo semiconductor de potencia del tipo
anteriormente indicado, donde los componentes semiconductores de
potencia se encuentran situados sobre las pistas de unión del
material mediante soldadura.
Según la documentación mencionada conforme al
estado de la técnica, los materiales de base de los módulos
semiconductores de potencia de este tipo, formados por materiales
electroaislantes, están compuestos por un cuerpo de material
aislante como material portante para el aislamiento eléctrico de una
placa base o un disipador de calor. Este cuerpo de material
aislante, conforme al estado de la técnica, se compone de cerámica
de uso industrial, por ejemplo, óxido de aluminio o nitrito de
aluminio. Sobre este cuerpo aislante, donde la primera superficie
principal se dirige al interior del módulo semiconductor de
potencia, se encuentran varias pistas de unión metálicas aisladas
eléctricamente entre sí. Sobre dichas pistas hay a su vez dispuestos
componentes semiconductores de potencia.
Por lo general, el cuerpo de material aislante
presenta también sobre su segunda superficie principal, dirigida
hacia el interior del módulo semiconductor de potencia, una capa
metálica del mismo material y el mismo grosor que la de las pistas
de unión dispuestas sobre la primera superficie principal.
Normalmente, esta capa no posee una estructura por sí misma, ya que
sirve, por ejemplo, como soldadura a una placa base o como unión
termoconductiva para un disipador de calor. Las pistas de unión, así
como la capa metálica de la segunda superficie principal, se
componen preferentemente de cobre aplicado mediante el procedimiento
DCB (direct copper bonding), donde el cobre presenta un
grosor típico inferior a 1 mm.
A menudo, los elementos de unión descritos entre
los componentes semiconductores de potencia y las pistas de unión
son uniones metálicas, en este caso concreto, uniones por hilo. La
documentación anteriormente mencionada divulga como solución
alternativa de las uniones mediante cableado de los componentes
semiconductores de potencia entre sí y/o con pistas de unión, una
placa de circuitos impresos flexible realizada mediante unión
material por soldadura con los componentes semiconductores de
potencia y/o las pistas de unión, o bien mediante una técnica de
contacto por presión en unión material. La placa de circuitos
impresos divulgada presenta también una construcción multicapa, a
fin de facilitar tanto uniones de conexión de carga como uniones de
conexión auxiliar y de control. Dentro de la construcción de capa
de esta placa de circuitos impresos flexible es posible estructurar
capas independientes y/o unirlas con otras capas o secciones de capa
mediante la conexión de paso.
Para el aislamiento interno se conocen numerosos
módulos semiconductores de potencia, los cuales en el área de los
componentes semiconductores de potencia y hasta por encima de los
elementos de unión, a menudo dispuestos como uniones Bond, están
sellados con una masa de relleno con una elevada constante
dieléctrica. La documentación anteriormente mencionada
DE-19.617.055-C1 sustituye las masas
de relleno de este tipo mediante capas intermedias aislantes, que
se conocen básicamente por la fabricación de placas de circuitos
impresos. Dichas capas intermedias aislantes envuelven los
componentes semiconductores de potencia y presentan en su margen un
recubrimiento que debe impedir las descargas de tensión en esta
zona marginal. Además, las capas intermedias aislantes están
conformadas de tal modo que presentan el mismo grosor que los
componentes semiconductores de potencia que envuelven, formando así
una superficie plana para la disposición del circuito impreso
flexible.
Una desventaja del acondicionamiento de un
módulo semiconductor de potencia conforme a la documentación
anteriormente citada es que las capas intermedias aislantes sirven
exclusivamente para el aislamiento interno del módulo semiconductor
de potencia, por lo que la fabricación de un módulo semiconductor de
potencia de estas características en comparación con uno con masa
de relleno con la misma utilidad es más costoso, puesto que las
capas intermedias aislantes deben amoldarse y tratarse
posteriormente con un producto de partida en un paso adicional para
conseguir una capa aislante resistente. Otra desventaja es el hecho
de que los bordes de la capa intermedia aislante deben revestirse
adicionalmente para impedir de un modo seguro descargas de
tensión.
Por ejemplo, el documento
DE-3.414.065-C2 y el documento no
publicado
DE-10-2004/019.567-A1
divulgan procedimientos de sinterización a presión que presentan
una unión duradera entre el componente semiconductor de potencia y
un elemento de conexión. Los procedimientos presentados resultan
apropiados sólo para la unión de sinterización simultánea de un
componente semiconductor de potencia individual con un elemento de
conexión o un material de base. Esto se debe a que la aplicación de
la presión solamente puede realizarse sobre la superficie plana del
componente semiconductor de potencia. En caso de aplicarse la
potencia en la zona marginal del componente semiconductor de
potencia, los valores conocidos de la presión pasan de una magnitud
de 10 MPa a 60 MPa, hasta generar la destrucción mecánica de dicha
zona marginal y, por tanto, del componente semiconductor de
potencia.
El documento
WO-2005/027.222-A2 divulga la
disposición de un elemento eléctrico sobre un material de base, de
modo que una lámina aislante eléctrica se utiliza para el
aislamiento eléctrico del elemento sobre la disposición de elemento
y material de base, de tal modo que la estructura superficial
existente reproduce el contorno de la superficie de la lámina
aislante. Para ello se estratifica sobre la estructura superficial
una lámina que presenta preferentemente un grosor notablemente
inferior en comparación con un elemento.
El invento se basa en la presentación de un
módulo semiconductor de potencia y el correspondiente procedimiento
de fabricación, presentando un medio para el aislamiento interno de
la mayoría de funciones, como por ejemplo, una mejora de dicho
aislamiento interno, y resulta asequible una producción
económica.
El objetivo se consigue conforme al invento
mediante las medidas indicadas en las características de las
reivindicaciones 1 y 2. Las reivindicaciones subordinadas describen
formas de realización preferentes.
La idea del invento parte de un módulo
semiconductor de potencia, preferentemente a partir del montaje
directo sobre un disipador de calor o con una placa base. Dicho
módulo semiconductor de potencia presenta por lo menos los
siguientes componentes: una caja, elementos de conexión para
conexiones de carga y conexiones auxiliares, por lo menos un
material de base con pistas de unión y por lo menos un componente
semiconductor de potencia.
Los elementos de conexión para las conexiones de
carga salen de la caja hacia el exterior y sirven para la unión
eléctrica de los componentes semiconductores de potencia colocados
en el interior de la caja. El material de base formado para aislar
eléctricamente la placa base o un disipador de calor consta por su
parte de un cuerpo de material aislante, preferentemente cerámica
de uso industrial y, por encima de éste, situadas sobre la primera
superficie principal apartada de la placa base o el disipador de
calor, se encuentran varias pistas de unión metálicas aisladas
eléctricamente entre sí. Sobre dichas pistas de unión se encuentran
dispuestos componentes semiconductores de potencia, unidos por
cableado mediante elementos de unión. Dichos elementos de unión
están formados, por ejemplo, por una placa de circuitos impresos
flexible conforme al estado de la técnica anteriormente indicado, o
bien como conducción mediante barras de unión metálicas fabricadas
con técnica de estampación y plegado.
El módulo semiconductor de potencia presenta
además por lo menos un cuerpo moldeado aislante que envuelve por lo
menos un componente semiconductor de potencia y que está formado del
modo descrito en el procedimiento indicado a continuación, de modo
que se amolda a todo el margen del componente semiconductor de
potencia en cuestión y lo envuelve. El elemento de unión
correspondiente está formado, por ejemplo, por una placa de
circuitos impresos flexible y une el componente semiconductor de
potencia envuelto por el cuerpo moldeado aislante con, por ejemplo,
un elemento de conexión, o con otro componente semiconductor de
potencia. La unión electroconductiva del componente semiconductor
de potencia para el correspondiente circuito impreso del material de
base y/o el elemento de unión, en este caso la placa de circuitos
impresos flexible, presenta la forma de unión de sinterización a
presión.
El procedimiento conforme al invento para la
fabricación de un componente semiconductor de potencia, además de
los pasos de fabricación conocidos para los módulos semiconductores
de potencia, presenta también los siguientes pasos:
- \bullet
- Colocación de por lo menos un cuerpo moldeado aislante extraordinariamente dúctil, de modo que éste envuelva por lo menos un componente semiconductor de potencia sobre el material de base y no se amolde a los márgenes del componente semiconductor de potencia. Este cuerpo moldeado aislante presenta una altura superior a la del componente semiconductor de potencia envuelto. Además, el cuerpo moldeado aislante y el componente semiconductor de potencia están dispuestos de tal modo que entre el cuerpo moldeado aislante y el componente semiconductor de potencia envuelto por éste se forma una ranura con una anchura básicamente igual por todos los lados.
- \bullet
- En una disposición adicional preferente, por lo menos un elemento de unión para la unión por cableado del componente semiconductor de potencia por encima de dicho componente semiconductor de potencia y el cuerpo moldeado aislante que lo envuelve.
- \bullet
- Presurización en el marco de un proceso de sinterización a presión sobre el elemento de unión, o bien directamente sobre por lo menos un componente semiconductor de potencia y el cuerpo moldeado aislante que lo envuelve. En este caso, se forma una unión de sinterización a presión del componente semiconductor de potencia con un circuito impreso del material de base y/o con los elementos de unión. En ambos acondicionamientos de esta presurización, preferentemente con una admisión de temperatura adicional, se deforma el cuerpo moldeado aislante de tal modo que se amolda totalmente a los márgenes del módulo semiconductor de potencia, envolviendo así el componente semiconductor de potencia. Este amoldamiento del cuerpo moldeado aislante impide la destrucción del componente semiconductor de potencia durante el proceso de sinterización a presión.
La solución del invento se detalla a
continuación mediante las figuras 1 a 4.
La figura 1 muestra un módulo semiconductor de
potencia conforme al invento mediante sección transversal;
La figura 2 muestra los pasos de fabricación del
procedimiento conforme al invento;
La figura 3 muestra una representación
tridimensional de una disposición de un cuerpo moldeado aislante y
de un material de base;
La figura 4 muestra un plano horizontal del
cuerpo moldeado aislante y del material de base conforme a la
\hbox{figura 3.}
La figura 1 muestra un módulo semiconductor de
potencia (1) para el montaje directo sobre un disipador de calor
(2). El módulo semiconductor de potencia (1) presenta una caja (3),
así como un material de base (5) dispuesto dentro de ella,
compuesto por un cuerpo de material aislante (54), así como
estratificaciones metálicas dispuestas sobre ambas superficies
principales del cuerpo de material aislante (54). La estratificación
metálica (56) dirigida hacia el disipador de calor (2) de la
segunda superficie principal del cuerpo de material aislante (54)
sirve para el acoplamiento térmico, es de forma aplanada y no posee
una estructura por sí misma. En cambio, la estratificación de la
primera superficie del cuerpo de material aislante (54) dirigida al
interior del módulo semiconductor de potencia, posee una estructura
por sí misma, formando las pistas de unión (52) del material de
base (5).
Los elementos de conexión (42, 44) de las
conexiones de ramal se forman mediante cuerpos moldeados de metal
que se encuentran unidos por uno de sus extremos, por ejemplo,
mediante soldadura, con la pista de unión correspondiente (52) y
que en su otro extremo presentan una escotadura para la unión por
tornillos.
Sobre las pistas de unión (52) se encuentran
dispuestos los componentes semiconductores de potencia (70),
representados aquí como diodos de potencia. La unión por cableado de
los diodos de potencia (70) entre ellos y con un elemento de
conexión (40) presenta la forma de placa de circuitos impresos
flexible (40). La unión electroconductiva entre los diodos de
potencia (70) y la placa de circuitos impresos flexible (40)
presenta la forma de unión por sinterización a presión, establecida
como unión por soldadura entre el componente semiconductor de
potencia (70) y la pista de unión (52).
Para el aislamiento eléctrico interno, el módulo
semiconductor de potencia presenta un cuerpo moldeado aislante
(80). Dicho cuerpo envuelve totalmente los diodos de potencia (70),
de modo que la superficie de contacto (90) entre el cuerpo moldeado
aislante (80) y el margen del componente semiconductor de potencia
(70) presenta una altura (900) superior a la mitad del grosor (700)
del componente semiconductor de potencia (70). Esto resulta
decisivo para impedir descargas marginales en el componente
semiconductor de potencia (70). Además, este cuerpo moldeado
aislante (80) alcanza hasta el elemento de conexión (42) una
polaridad positiva y está conectado electroconductivamente con por
lo menos una superficie de este elemento de conexión (42). El cuerpo
moldeado aislante (80) recubre en este caso dos circuitos impresos
(52) y debido al procedimiento de fabricación descrito del módulo
semiconductor de potencia (1), mediante técnica de sinterización a
presión, una parte del cuerpo moldeado aislante (80) llega hasta la
ranura situada entre ambas pistas de unión (52).
La figura 2 muestra los pasos de fabricación del
procedimiento conforme al invento. Una primera variante de
ejecución del procedimiento conforme al invento parte de un material
de base con un circuito impreso (52) dispuesto sobre éste. Sobre
dicho circuito impreso (52) se coloca por lo menos un componente
semiconductor de potencia (70) con una capa intermedia adecuada
para la unión por sinterización a presión (figura 2a). Dicha capa
envuelve totalmente el componente semiconductor de potencia y se
asigna a un cuerpo moldeado aislante (80 a/b) (figura 2b). El
cuerpo presenta preferentemente un grosor superior entre 2 de 100 y
10 de 100 al grosor del componente semiconductor de potencia (70).
La distancia entre el componente semiconductor de potencia (70) del
margen y el cuerpo de moldeado aislante (80) se encuentra
preferentemente entre 10 de 100 y 30 de 100 del grosor del
componente semiconductor de potencia (70). Dicho cuerpo moldeado
aislante (80) se forma preferentemente a partir de un plástico
extraordinariamente dúctil bajo presión y, dado el caso, con una
admisión de temperatura adicional. Una deformación irreversible
resulta aquí especialmente ventajosa.
En la conexión se ejecuta la presurización plana
(100) sobre el componente semiconductor de potencia (70) y el
cuerpo de material aislante (80) que se deforma en este caso. Dicha
deformación, que preferentemente está unida a una admisión de
temperatura precedente y/o simultánea entre 50ºC y 300ºC, reduce el
grosor del cuerpo moldeado aislante (80) al grosor del componente
semiconductor de potencia (70), de modo que el cuerpo moldeado
aislante (80) se extiende lateralmente (86) y de forma simultánea.
Así, la ranura entre el componente semiconductor de potencia (70) y
el cuerpo moldeado aislante (80) se cierra, envolviendo dicho
cuerpo moldeado aislante (80), así como el componente semiconductor
de potencia (70) antes de que se produzca la aplicación de la
presión sobre el componente semiconductor de potencia (70). Las
superficies de contacto (90) presentan aquí preferentemente una
altura superior a la mitad del grosor del componente semiconductor
de potencia (70). Mediante la elección del material adecuado para el
cuerpo moldeado aislante (80), se conserva este enlace, que sirve
en un módulo semiconductor de potencia (1) para el aislamiento
interno e impide mediante su acondicionamiento durante el
funcionamiento las descargas marginales del componente semiconductor
de potencia (70).
Tras la finalización del proceso de
sinterización a presión y su aplicación en el módulo semiconductor
de potencia, el cuerpo moldeado aislante presenta un grosor igual
(figura 2d) o ligeramente superior al del componente semiconductor
de potencia envuelto.
En una segunda variante de ejecución del
procedimiento conforme al invento, antes del proceso de
sinterización a presión se dispone otra placa de circuitos impresos
flexible (40), o por lo menos una barra de unión como elemento de
unión, por encima del componente semiconductor de potencia (70) y
sobre el cuerpo de material aislante (80) (figura 2c). Las zonas
que más adelante conforman las superficies de contacto entre el
componente semiconductor de potencia (70) y el elemento de unión
(40) están preparadas convenientemente para un procedimiento de
sinterización a presión. Para ello, en la zona de las superficies de
contacto se forma una superficie de metal noble adecuada sobre el
componente semiconductor de potencia (70) y sobre el elemento de
unión (40). También se dispone el metal sinterizado adecuado. En
caso de una presurización plana y preferentemente una admisión de
temperatura simultánea sobre el elemento de unión (40), se genera
una unión de sinterización a presión entre éste y el componente
semiconductor de potencia (70) y a la vez entre el componente
semiconductor de potencia y el circuito impreso (52) del material
de base (5).
Una tercera variante de ejecución del
procedimiento conforme al invento parte de un componente
semiconductor de potencia (70) soldado al circuito impreso (52) de
un material de base (5) (figura 2a), el cual rodea un cuerpo
moldeado aislante (80), con lo cual se asigna un circuito impreso
flexible (40) a éste. De este modo, mediante el proceso de
sinterización a presión se consigue una unión de sinterización a
presión entre el componente semiconductor de potencia (70) y el
elemento de unión (40).
En todas las formas de ejecución del
procedimiento descritas anteriormente, resulta ventajoso que en un
proceso de sinterización a presión individual, mediante la
colocación del cuerpo moldeado aislante (80) se puedan unir
simultáneamente la mayoría de componentes semiconductores de
potencia (70) con circuitos impresos (52) y/o con elementos de
unión (40).
La figura 3 muestra en una representación
tridimensional la colocación del cuerpo moldeado aislante (80) y
del substrato (5). El punto inicial de la fabricación del módulo
semiconductor de potencia (1) descrito en la figura 1, conforme al
procedimiento de fabricación descrito bajo la figura 2, es un
material de base conforme al estado de la técnica. Éste presenta un
cuerpo de material aislante (54), en este caso, cerámica de óxido
de aluminio, sobre el cual se forman circuitos impresos de cobre
(52). Dichos circuitos impresos de cobre (52) presentan por lo
menos en cada zona, que sirve como superficie de contacto para una
unión por sinterización a presión, otra capa de un metal noble,
preferentemente oro. Sobre dichas superficies de contacto se aplica
el metal sinterizado, preferentemente mediante un procedimiento de
serigrafía. Finalmente, se colocan los componentes semiconductores
de potencia (70). A continuación, envolviendo los componentes
semiconductores de potencia (70), se dispone el cuerpo moldeado
aislante (80). Su grosor es entre 2 de 100 y 10 de 100 superior al
del componente semiconductor de potencia (70). La longitud (802) de
la escotadura (86) del cuerpo moldeado aislante (80) se encuentra
en este caso entre 20 de 100 y 60 de 100 del grosor del componente
semiconductor de potencia (70), superior a la longitud (702) del
componente semiconductor de potencia (70). Lo mismo es aplicable a
la anchura (804) de la escotadura (86) y la anchura (704) del
componente semiconductor de potencia (70).
La figura 4 muestra un plano horizontal sobre el
cuerpo moldeado aislante (80) y el material de base (5) conforme a
la figura 3. En este caso puede apreciarse también como el
componente semiconductor de potencia (70) lo envuelve el cuerpo
moldeado aislante (80) sin que entren en contacto antes del proceso
de sinterización a presión.
Claims (7)
1. Módulo semiconductor de potencia (1) con una
caja (3) con elementos de conexión (42, 44) dirigidos hacia fuera,
con por lo menos un material de base (5) aislado eléctricamente y
dispuesto dentro de la caja (3), que consta por lo menos de un
cuerpo de material aislante (54) y sobre la primera superficie
principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de
potencia se encuentran varias pistas de unión metálicas (52)
aisladas eléctricamente entre sí y con por lo menos un elemento
semiconductor de potencia (70) dispuesto sobre una de dichas pistas
de unión, con por lo menos un elemento de unión (40) y por lo menos
un cuerpo moldeado aislante (80) extraordinariamente dúctil, que en
estado no deformado presenta un grosor igual al del componente
semiconductor de potencia (70) que debe envolverse y que entre el
cuerpo moldeado aislante (80) y el componente semiconductor de
potencia (70) envuelto por éste se forma una ranura, de modo que se
forma por lo menos una unión entre un elemento semiconductor de
potencia (70) y un elemento de unión (40), o bien entre el
componente semiconductor de potencia (70) y la tira de unión (52)
como unión por sinterización a presión, de modo que el cuerpo
moldeado aislante (80) se encuentra dispuesto de tal manera que en
su forma original se deforma mediante presión y se amolda
completamente a los márgenes de por lo menos un componente
semiconductor de potencia (70) asignado, envolviéndolo.
2. Procedimiento para la fabricación de un
módulo semiconductor de potencia (1) conforme a la reivindicación
1, que consta de los siguientes pasos: colocación de por lo menos un
componente semiconductor de potencia (70) sobre un circuito impreso
(52) del material de base; colocación de por menos un cuerpo
moldeado aislante (80) que rodea por lo menos un componente
semiconductor de potencia (70), donde dicho cuerpo moldeado aislante
(80) presenta una altura (800) superior a la altura (700) del
componente semiconductor de potencia asignado, con lo cual, entre
el cuerpo moldeado aislante (80) y el componente semiconductor de
potencia (70) envuelto por éste se forma una ranura; presurización
(100) encuadrada en un proceso de sinterización a presión sobre por
lo menos un componente semiconductor de potencia (70) y el cuerpo
moldeado aislante (80) que lo rodea para la unión por sinterización
a presión del componente semiconductor de potencia (70), de modo que
el cuerpo moldeado aislante (80) se deforme bajo presurización
(100) de tal manera que se amolde completamente a los márgenes del
componente semiconductor de potencia (70), envolviéndolo.
3. Módulo semiconductor de potencia (1) conforme
a la reivindicación 1, donde la superficie de contacto (90) entre
el cuerpo moldeado aislante (80) y el margen del componente
semiconductor de potencia (70) presenta una altura superior a la
mitad del grosor (700) del componente semiconductor de potencia
(70).
4. Módulo semiconductor de potencia (1) conforme
a la reivindicación 1, donde el elemento de unión (40) presenta la
forma de placa de circuitos impresos flexible o barra de unión con
los correspondientes puntos de contacto planos para el componente
semiconductor de potencia (70).
5. Procedimiento para la fabricación de un
módulo semiconductor de potencia (1) conforme a la reivindicación
2, donde según la disposición del componente semiconductor de
potencia (70) y del cuerpo moldeado aislante (80) que lo envuelve
sobre un material de base (5) hay por lo menos un elemento de
conexión (40) sobre el cuerpo moldeado aislante (80) y el
componente semiconductor de potencia (70), y que mediante la
presurización plana (100) enmarcada en un proceso de sinterización a
presión sobre el elemento de unión (80), éste deforma el cuerpo
moldeado aislante (80) del componente semiconductor de potencia (70)
de tal modo que se amolda completamente a los márgenes del
componente semiconductor de potencia (70), y que en caso de la
presurización (100) posterior, se establece una unión por
sinterización a presión del componente semiconductor de potencia
(70) con el circuito impreso (52) correspondiente del material de
base (5) y/o con el elemento de unión (40).
6. Procedimiento para la fabricación de un
módulo semiconductor de potencia (1) conforme a las reivindicaciones
2 o 5, donde además de la presurización (100) durante y/o antes del
proceso de sinterización a presión del cuerpo moldeado aislante,
también se admite una temperatura entre 50ºC y 300ºC.
7. Procedimiento para la fabricación de un
módulo semiconductor de potencia (1) conforme a la reivindicación
2, de modo que la mayoría de componentes semiconductores de potencia
(70), simultáneamente y mediante un proceso de sinterización a
presión, se unen con los circuitos impresos (52) correspondientes
y/o con uno o varios elementos de unión (40).
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