ES2229274T3 - Fase final de encendido. - Google Patents

Fase final de encendido.

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ES2229274T3 ES96920714T ES96920714T ES2229274T3 ES 2229274 T3 ES2229274 T3 ES 2229274T3 ES 96920714 T ES96920714 T ES 96920714T ES 96920714 T ES96920714 T ES 96920714T ES 2229274 T3 ES2229274 T3 ES 2229274T3
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Abstract

LA DESCRIPCION SE REFIERE A UNA ETAPA (1) DE IGNICION FINAL, EN ESPECIAL PARA MOTORES DE COMBUSTION INTERNA, EN LA CUAL LA ETAPA FINAL CONSISTE EN DOS O TRES CIRCUITOS (T1, T2) DE ETAPA DARLINGTON Y, PARA PROTECCION DE SOBRETENSIONES, TIENE O BIEN UNA MORDAZA DE UNA SOLA ETAPA O INTERNA O UNA MORDAZA MULTIETAPA EXTERNA VIA UN DIODO ZENER (Z1) DONDE UN TRANSISTOR DE CORTOCIRCUITOS (T3) ESTA DISPUESTO EN EL TERMINAL (B) EXCITADOR DEL CIRCUITO DARLINGTON EN PARALELO A LA LINEA EMISORA BASE DEL CIRCUITO DARLINGTON (T1, T2) DE IGNICION PARA SU PROTECCION CONTRA CORRIENTES PARASITAS.

Description

Fase final de encendido.
Estado de la técnica
La invención se refiere a una fase final de encendido para un motor de combustión interna. Se conoce a partir del documento DE-OS 23 39 896 una fase final de encendido para motores de combustión interna, en la que el arrollamiento primario de la bobina de encendido está conectado en serie con el trayecto de conmutación de un transistor de conmutación. El transistor de conmutación está realizado como circuito Darlington, estando conectado un diodo Zener en paralelo al trayecto de base del colector. Este diodo Zener se ocupa de que la tensión en el trayecto de conmutación del transistor de conmutación no exceda un valor admisible. Las altas tensiones, que representan un peligro para el transistor de conmutación, aparecen especialmente durante la transición del trayecto de conmutación del transistor de conmutación al estado no conductor y son generadas por la alta tensión transformada en el lado prima-
rio.
Si la tensión del emisor del colector alcanza la tensión Zener del diodo del colector de base, entonces fluye una corriente Zener a la base del Darlington de encendido. Éste se conmuta de esta manera de nuevo de forma conductora, de modo que en el funcionamiento de conexión de abrazadera se aplica al mismo tiempo una tensión y fluye una corriente hasta que la chispa de encendido salta sobre el lado secundario de la bobina y la energía restante de la bobina fluye al trayecto de la chispa.
La bobina de encendido de un circuito de encendido está conectada, durante la distribución giratoria a través de un distribuidor de encendido o en el caso de una distribución de reposo directamente con la bujía de encendido correspondiente del motor de combustión interna. En este caso, puede existir longitudes de cables muy largas entre las conexiones individuales, por ejemplo entre el transistor de conmutación y la bujía de encendido y entre el transistor de conmutación y masa y entre el circuito de conmutación de activación del Darlington de encendido y la base del Darlington de encendido. Las resistencias óhmicas y las inductividades existentes en virtud de los cables eléctricos poseen una actuación sobre la antena, de manera que durante el proceso de encendido, la línea de base del transistor de conmutación es alimentada débilmente con corriente de base parásita, lo que conduce a que la tensión de encendido alcance sólo lentamente el valor completo necesario para el encendido, puesto que el transistor de conmutación es controlado de nuevo a través de esta corriente parásita. Este efecto puede ser tenido en cuenta a través de la realización de líneas del emisor y de líneas del colector lo más cortas posible o a través de la utilización de líneas de activación blindadas para la base del transistor de conmutación.
Se conoce a partir del documento DE-A-2 703 120 una fase final de encendido según el preámbulo de la presente reivindicación principal.
Ventajas de la invención
La invención según la presente reivindicación principal tiene, frente a lo conocido, la ventaja de que se consigue un seguro sencillo, de coste favorable y muy efectivo de la línea de base del transistor de conmutación frente a las repercusiones parásitas. Por lo demás, este circuito se puede integrar muy bien monolíticamente.
Ejemplos de realización
En las figuras se representan ejemplos de realización de la invención. En este caso:
La figura 1 muestra una fase final de encendido con conexión de abrazadera interna monofásica y con un transistor de cortocircuito.
La figura 2 muestra una segunda fase final de encendido con conexión de abrazadera externa de varias fases y con transistor de cortocircuito.
La figura 3 muestra un primer ejemplo de realización de una fase final de encendido con conexión de abrazadera interna monofásica y con transistor de cortocircuito.
La figura 4 muestra la curva de la tensión de conexión de abrazadera sin transistor de cortocircuito.
La figura 5 muestra la curva de la tensión de conexión de abrazadera con transistor de cortocircuito.
La figura 6 muestra el transistor de cortocircuito integrado monolíticamente en el Darlington de encendido.
Descripción de los ejemplos de realización
La figura 1 muestra un diagrama de principio de una fase final de encendido con una conexión de abrazadera interna, monofásica, por medio de un diodo Zener, como se emplean en instalaciones de encendido para motores de combustión interna. El circuito mostrado en la figura 1 está constituido por una bobina de encendido 1, que está conectada en el lado secundario con una bujía de encendido no representada. El arrollamiento primario de la bujía de encendido está conectado, por una parte, con la tensión de alimentación U_{B}, por ejemplo, de la batería no representada del vehículo y, por otra parte, con masa a través de un transistor de potencia T1. Aguas arriba del transistor de potencia T1 está conectado un transistor de accionamiento T2, de tal manera que se obtiene un transistor Darlington de dos fases. El trayecto emisor - colector del transistor de potencia T1 está en serie con el arrollamiento primario, y la base del transistor de potencia T1 está conectada con el emisor del transistor de accionamiento T2. Al transistor de potencia T1 y a la fase de accionamiento T2 están asociadas en cada caso las resistencias del emisor de base R1 y R2, respectivamente.
Un diodo Zener Z1 está previsto en paralelo al trayecto de la base del colector del transistor de potencia T1. Este diodo Zener T1 sirve para proteger el transistor de potencia T1 frente a la sobretensión, cuando durante la desconexión de la corriente de carga induce una alta tensión en la bobina de encendido. Esto se realiza porque la corriente de rotura del diodo Zener fluye a la base del transistor de potencia T1 y se activa de nuevo totalmente el Darlington. Esta disposición del diodo Zener Z1 en paralelo al trayecto de la base del colector del transistor de potencia T1 dentro del transistor Darlington es una conexión de abrazadera interna monofásica. No obstante, esta disposición ya se conoce. Una característica esencial consiste en la disposición de un transistor de cortocircuito T3, en la que el trayecto del emisor - colector del transistor de cortocircuito T3 está conectado en paralelo al trayecto base - emisor del transistor Darlington, es decir, que el colector del transistor de cortocircuito está conectado con la conexión de base del transistor de accionamiento T2 y el emisor del transistor de cortocircuito T3 está conectado a través de la masa con el emisor del transistor de accionamiento T2. En la conexión desde el colector del transistor de accionamiento T2 del transistor Darlington hasta la base del transistor de cortocircuito T3 se encuentra una resistencia R3 y un segundo diodo Zener Z2. El segundo diodo Zener Z2 impide que el transistor de cortocircuito T3 sea activado ya durante la fase de carga de la bobina de encendido, cuando el potencial del colector Darlington se encuentra en la proximidad de la tensión de funcionamiento. La resistencia R3 está fijada en este caso de tal forma que con una tensión de conexión de abrazadera de 300 a 400 V del diodo Zener Z1 puede fluir una corriente de base suficiente para el transistor de cortocircuito T3.
En la figura 2 se muestra otro ejemplo. La disposición del transistor Darlington y de la bobina de encendido corresponde a la disposición mostrada en la figura 1 y los mismos componentes están provistos con el mismo signo de referencia. A diferencia de la figura 1, esta instalación de encendido tiene una conexión de abrazadera externa, de fases múltiples, es decir, que el diodo Zener Z1 para la conexión de abrazadera está dispuesto en paralelo al trayecto del emisor - colector del transistor de accionamiento T2, es decir, fuera del transistor Darlington de dos fases. Por lo demás, en serie con el primer diodo Zener Z1, entre el diodo Zener Z1 y la conexión de base del transistor de accionamiento T1 está dispuesto un diodo D1. Este diodo D1 sirve para el desacoplamiento de la base del transistor de accionamiento fuera del colector Darlington. Desde la toma de conexión entre el arrollamiento primario y el colector del transistor de control, que forma, en efecto, al mismo tiempo el colector del Darlington, está guiada la derivación de conexión de abrazadera, que está constituida por el diodo Zener Z1 y el diodo D1 en la conexión de activación del Darlington, es decir, en la base del transistor de accionamiento T2. Además, está toma de conexión está conectada en el punto de unión entre el arrollamiento primario y el colector del Darlington de la misma manera que en la figura 1 a través de la resistencia de protección R3 y a través del segundo diodo Zener Z2 con la base del transistor de cortocircuito T3. Su modo de actuación ya ha sido explicado con relación a la figura 1. En esta figura 2, a diferencia de la figura 1, entre el colector del transistor de cortocircuito T3 y la conexión de activación del Darlington está dispuesto un segundo diodo D2, que desacopla el circuito de conexión de abrazadera, de manera que a través del circuito de conexión de abrazadera solamente fluye la corriente de base que es necesaria para el mantenimiento de la corriente del colector que fluye en cada caso. Aquí se cortocircuita toda corriente de base parásita entrante.
La figura 3 muestra un ejemplo de realización del circuito de cortocircuito según la invención. Como en la figura 1, también en esta disposición, la activación de la corriente de carga a través de la bobina de encendido se realiza sobre un transistor Darlington de dos fases. La conexión de abrazadera de la tensión para la protección frente a las sobretensiones está realizada como conexión de abrazadera interna monofásica, que ya ha sido explicada con relación a la figura 1. A diferencia de la figura 1, el Darlington tiene una resistencia de entrada de base R4, que se ocupa de que el Darlington se pueda conectar desde el funcionamiento sin corriente al funcionamiento activado. Entre la resistencia de entrada de base R4 y la conexión de activación del Darlington está conectado el colector del transistor de cortocircuito T3. La base del transistor de cortocircuito T3 está conectada, como en la figura 1, a través de una resistencia de protección R3 con el colector del Darlington. En paralelo a la resistencia de entrada de base R4 está dispuesto hacia masa un divisor de la tensión, que está constituido por las resistencias R5 y R6, estando la toma de conexión del divisor de la tensión en contacto con la base de un cuarto transistor T4. El colector del cuarto transistor T4 está guiado en la conexión entre la resistencia de protección R3 y la base del transistor de cortocircuito T3. De esta manera, la corriente de activación para el transistor de cortocircuito T3 se obtiene a partir de la señal de activación invertida para la base del Darlington. Si se encuentra una señal de activación en la base del Darlington, entonces el colector del cuarto transistor está en potencial de masa y el transistor de cortocircuito T3 permanece sin corriente. En ausencia de la señal de activación en la base del Darlington, el transistor T4 está sin corriente y el transistor de cortocircuito T3 es alimentado con la corriente de base a través de la resistencia de protección R3 de alta impedancia y cortocircuita el trayecto base - emisor del Darlington. En esta disposición de circuito, se puede suprimir el diodo Zener que está conectado aguas arriba del transistor de cortocircuito. La resistencia de entrada de base R4 posibilita la transición desde el funcionamiento Darlington sin corriente (transistor de cortocircuito T3 activo) al funcionamiento activado (transistor de cortocircuito T3 abierto). El divisor de la tensión R5/R6 impide que se pierda la corriente de activación en el transistor 4. Al mismo tiempo, esta divisor de la tensión se ocupa de que, independientemente de la tensión del trayecto base - emisor, se alcance el umbral de conexión del transistor T1. Este circuito según la figura 3 tiene la ventaja de que, en oposición a los ejemplos de realización de las figuras 1 y 2, es posible también un encendido siguiente de las chispas, puesto que se desconecta de nuevo el transistor de cortocircuito T3 y de esta manera se puede conectar otra vez el Darlington.
El modo de funcionamiento de los ejemplos descritos se explica de nuevo con la ayuda de las figuras 4 y 5. Aquí se representan las curvas de la tensión una vez sin el transistor de cortocircuito (figura 4) y una vez con el transistor de cortocircuito (figura 5). En el circuito de encendido estudiado se trata de un Darlington trifásico con conexión de abrazadera interna directamente sobre el transistor de activación T1, mientras que el transistor de cortocircuito T3 actúa sobre la tercera base del transistor Darlington. La conexión de abrazadera alcanza su valor total sin el transistor de cortocircuito T3 ya después de aproximadamente 30 \mus, acompañado por varias interrupciones de la tensión, y la corriente del colector es atenuada sólo lentamente y de ninguna manera de forma lineal de acuerdo con los efectos de reconexión múltiple. El sobre-oscilador está relacionado con el sistema especial de conexión de abrazadera, en el que el divisor capacitivo y el divisor óhmico no están adaptados con exactitud. Por medio de esta mejora del proceso de desconexión y por medio de la supresión de la reconexión parásita de abrazaderas, este circuito se puede emplear para todas las aplicaciones de encendido.
Con frecuencia existen también instalaciones de encendido, en las que el Darlington de encendido es conectado por medio de un diodo Zener externamente a través de la conexión de base exterior. En este caso, el transistor de cortocircuito debe conectarse como se indica en la figura 2.
Ya se conoce a partir de los aparatos de control que el Darlington de encendido se puede constituir como circuito integrado. Pero también el transistor de cortocircuito se puede integrar aquí bien monolíticamente en este circuito.
La realización del transistor de cortocircuito T3 en tipo de construcción integrado se realiza por medio de difusión de aislamiento, por lo que el colector del transistor de cortocircuito T3 está separado del colector del Darlington. En estas difusiones de aislamiento deben incrustarse bandejas n+ y p+ en otras bandejas \gamma y \pi, como se representa en la figura 6. Por medio de estas difusiones \gamma y \pi de alta impedancia se pueden aislar de una manera efectiva la base y el colector del puente de cortocircuito frente al colector del substrato. La capacidad de bloqueo del trayecto base - colector de T3 no tiene que corresponden necesariamente a la tensión de conexión de abrazadera, porque en la resistencia R3 conectada aguas arriba cae la parte principal de la tensión de conexión de abrazadera.
De la misma manera se puede realizar una integración del diodo Zener a través de una zona p, incrustada en bandejas 2 \gamma/\pi, con tensiones de bloqueo de 20 - 50 V. El diodo Zener está aislado igualmente de nuevo a través de la difusión \pi del colector del substrato.
La integración de la resistencia de protección R3 es relativamente costosa de superficie, de manera que las resistencias parciales de los electrodos de la tapa ya existentes se pueden utilizar al mismo tiempo también como resistencia de activación para el transistor de cortocircuito T3. De esta manera, en el caso de una conexión de abrazadera de los diodos de la tapa, no se produce ninguna necesidad adicional de superficie para la resistencia de activación.

Claims (4)

1. Fase final de encendido para motores de combustión interna con un transistor Darlington, con un transistor de accionamiento (T2) y con un transistor de control (T1), estando dispuesto paralelamente al trayecto base - emisor del transistor Darlington el trayecto colector - emisor de un transistor de cortocircuito (T3), presentando el transistor Darlington una conexión de abrazadera por medio de diodo Zener (Z1) y estando conectada la conexión de control del transistor de cortocircuito, a través de una resistencia de protección (R3) de alta impedancia, con el colector del transistor Darlington y estando dimensionada la resistencia de protección (R3) de tal forma que fluye una corriente de base suficiente para el transistor de cortocircuito (T3), caracterizada porque entre la resistencia de alta impedancia (R3) y la conexión de activación del transistor de cortocircuito (T3) está conectado el colector de un cuarto transistor (T4) y la base del cuarto transistor (T4) está conectada a través de un divisor de la tensión (R5, R6) con la conexión de activación del transistor Darlington y el emisor del cuarto transistor está conectado a masa.
2. Fase final de encendido según la reivindicación 1, caracterizado porque entre el colector del transistor de cortocircuito (T3) y la conexión de activación del transistor Darlington está conectado un yodo de desacoplamiento (D2).
3. Fase final de encendido según la reivindicación 1 ó 2, caracterizada porque el transistor Darlington presenta una conexión de abrazadera interna monofásica por medio de diodo Zener (Z1), que está conectado paralelamente al trayecto colector - emisor del transistor de accionamiento (T2) del transistor Darlington.
4. Fase final de encendido según una de las reivindicaciones anteriores, caracterizada porque todos los componentes, tales como diodo Zener, transistor de cortocircuito, resistencia de alta impedancia (R3) y cuarto transistor (T4), están integrados monolíticamente.
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