RU2169287C2 - Выходной каскад системы зажигания - Google Patents

Выходной каскад системы зажигания Download PDF

Info

Publication number
RU2169287C2
RU2169287C2 RU98107165/06A RU98107165A RU2169287C2 RU 2169287 C2 RU2169287 C2 RU 2169287C2 RU 98107165/06 A RU98107165/06 A RU 98107165/06A RU 98107165 A RU98107165 A RU 98107165A RU 2169287 C2 RU2169287 C2 RU 2169287C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
circuit
collector
darlington pair
short
Prior art date
Application number
RU98107165/06A
Other languages
English (en)
Other versions
RU98107165A (ru
Inventor
Хорст МАЙНДЕРС (DE)
Хорст МАЙНДЕРС
Рихард ШЛОЙПЕН (DE)
Рихард ШЛОЙПЕН
Original Assignee
Роберт Бош Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Роберт Бош Гмбх filed Critical Роберт Бош Гмбх
Publication of RU98107165A publication Critical patent/RU98107165A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2169287C2 publication Critical patent/RU2169287C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/615—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors in a Darlington configuration
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
    • F02P3/00—Other installations
    • F02P3/02—Other installations having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
    • F02P3/04—Layout of circuits
    • F02P3/0407—Opening or closing the primary coil circuit with electronic switching means
    • F02P3/0435—Opening or closing the primary coil circuit with electronic switching means with semiconductor devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
    • F02P3/00—Other installations
    • F02P3/02—Other installations having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
    • F02P3/04—Layout of circuits
    • F02P3/045—Layout of circuits for control of the dwell or anti dwell time
    • F02P3/0453—Opening or closing the primary coil circuit with semiconductor devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
    • F02P3/00—Other installations
    • F02P3/02—Other installations having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
    • F02P3/04—Layout of circuits
    • F02P3/055—Layout of circuits with protective means to prevent damage to the circuit, e.g. semiconductor devices or the ignition coil
    • F02P3/0552—Opening or closing the primary coil circuit with semiconductor devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
    • F02P9/00—Electric spark ignition control, not otherwise provided for
    • F02P9/002—Control of spark intensity, intensifying, lengthening, suppression
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/04213—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit in bipolar transistor switches
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
    • F02P15/00—Electric spark ignition having characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F02P1/00 - F02P13/00 and combined with layout of ignition circuits
    • F02P15/10—Electric spark ignition having characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F02P1/00 - F02P13/00 and combined with layout of ignition circuits having continuous electric sparks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
    • F02P3/00—Other installations
    • F02P3/02—Other installations having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
    • F02P3/04—Layout of circuits
    • F02P3/05—Layout of circuits for control of the magnitude of the current in the ignition coil
    • F02P3/051—Opening or closing the primary coil circuit with semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение предназначено для двигателей внутреннего сгорания с парой Дарлингтона. Каскад содержит активный транзистор Т2 и управляющий транзистор Т1, при этом параллельно участку база-эмиттер пары Дарлингтона включен участок коллектор-эмиттер закорачивающего транзистора Т3, пара Дарлингтона имеет внутреннюю схему фиксации с помощью полупроводникового стабилизатора Z1, включающего параллельно участку коллектор-эмиттер активного транзистора Т2 пары Дарлингтона, и управляющий вывод закорачивающего транзистора через последовательное включение высокоомного защитного сопротивления R3 и полупроводникового стабилитрона Z2 соединен с коллектором пары Дарлингтона, а защитное сопротивление R3 рассчитано таким образом, чтобы для закорачивающего транзистора Т3 проходил базовый ток достаточной величины, причем запирающее напряжение полупроводникового стабилитрона Z2 лежит в диапазоне 20-50 В. Технический результат - повышение надежности. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Изобретение относится к выходному каскаду системы зажигания для двигателей внутреннего сгорания с парой Дарлингтона, имеющей активный транзистор и управляющий транзистор, при этом параллельно участку база-эмиттер пары Дарлингтона включен участок коллектор-эмиттер закорачивающего транзистора, и управляющий вывод закорачивающего транзистора через последовательное включение высокоомного защитного сопротивления и полупроводникового стабилитрона соединен с коллектором пары Дарлингтона, а защитное сопротивление рассчитано таким образом, чтобы для закорачивающего транзистора проходил базовый ток достаточной величины.
Из DE-OS 2339896 уже известен такой выходной каскад системы зажигания. У известного выходного каскада, используемого в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, первичная обмотка катушки зажигания последовательно включена на участке переключения переключающего транзистора. Переключающий транзистор реализован в виде схемы Дарлингтона, причем параллельно участку коллектор-база включен полупроводниковый стабилитрон (диод Зенера). Этот полупроводниковый стабилитрон предотвращает превышение напряжением допустимого значения на участке переключения переключающего транзистора. Высокие значения напряжения, представляющие опасность для переключающего транзистора, возникают прежде всего при переходе участка переключения переключающего транзистора в закрытое или непроводящее состояние и обусловлены высоким напряжением, трансформирующимся на первичную сторону катушки.
По достижении напряжением коллектор-эмиттер напряжения стабилизации коллекторного диода зенеровский ток начинает поступать на базу схемы Дарлингтона. В результате схема снова переключается, начиная проводить ток, вследствие чего в режиме фиксации уровня одновременно появляется напряжение и протекает ток до тех пор, пока не произойдет проскакивания воспламеняющей искры на вторичной стороне катушки, а остаточная энергия катушки не уйдет в искровой промежуток. Катушка зажигания в схеме зажигания соединена с соответствующей свечой двигателя внутреннего сгорания через распределитель зажигания в случае вращающегося распределения или напрямую в случае неподвижного распределения. При этом кабели, используемые для соединения отдельных контактных выводов, например, между переключающим транзистором и катушкой зажигания и между переключающим транзистором и клеммой массы, а также между схемой управления парой Дарлингтона и ее базой могут иметь очень большую длину. Электрические кабели с возникающими омическими сопротивлениями и индуктивностью действуют как антенны, поэтому в процессе зажигания на провод базы переключающего транзистора поступает малый паразитный базовый ток, в результате чего напряжение лишь медленно возрастает до полного необходимого для зажигания значения, поскольку паразитные токи снова немного отпирают переключающий транзистор. Этого эффекта можно избежать, сделав эмиттерную и коллекторную проводку как можно короче или используя экранированные управляющие провода для базы переключающего транзистора.
Задача изобретения заключается в создании выходного каскада системы зажигания, в которой обеспечивалась бы защита цепи базы переключающего транзистора от указанных выше помех.
Эта задача решается с помощью предложенного выходного каскада системы зажигания для двигателей внутреннего сгорания с парой Дарлингтона, имеющей активный транзистор и управляющий транзистор, при этом параллельно участку база-эмиттер пары Дарлингтона включен участок коллектор-эмиттер закорачивающего транзистора, и управляющий вывод закорачивающего транзистора через последовательное включение высокоомного защитного сопротивления и полупроводникового стабилитрона соединен с коллектором пары Дарлингтона, а защитное сопротивление рассчитано таким образом, чтобы для закорачивающего транзистора проходил базовый ток достаточной величины. Согласно изобретению пара Дарлингтона имеет внутреннюю схему фиксации с помощью полупроводникового стабилитрона, включенного параллельно участку коллектор-эмиттер активного транзистора пары Дарлингтона, причем запирающее напряжение полупроводникового стабилитрона лежит в диапазоне 20-50 В.
Предпочтительно между коллектором закорачивающего транзистора и управляющим выводом пары Дарлингтона предусмотреть развязывающий диод.
Предпочтительно также между высокоомным сопротивлением и управляющим выводом закорачивающего транзистора включить коллектор четвертого транзистора, база которого через делитель напряжения соединена с управляющим выводом пары Дарлингтона, а его эмиттер соединен с массой.
В соответствии с изобретением целесообразно все компоненты каскада, а именно полупроводниковый стабилитрон, закорачивающий транзистор, высокоомное сопротивление и четвертый транзистор, выполнить с возможностью интегрирования в монолитную полупроводниковую схему.
Преимущество настоящего изобретения по сравнению с известным выходным каскадом системы зажигания заключается в том, что обеспечивается простая, недорогая и очень эффективная защита цепи базы переключающего транзистора от помех. Кроме того, предложенная схема очень просто может быть реализована в виде монолитной полупроводниковой схемы.
Ниже изобретение более подробно поясняется на примерах его выполнения со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых показано:
на фиг. 1 - первый пример выполнения выходного каскада системы зажигания с внутренней однокаскадной схемой фиксации и закорачивающим транзистором;
на фиг. 2 - второй пример выполнения выходного каскада системы зажигания с внешней многокаскадной схемой фиксации и закорачивающим транзистором;
на фиг. 3 - третий пример выполнения выходного каскада системы зажигания с внутренней однокаскадной схемой фиксации и закорачивающим транзистором;
на фиг. 4 - характеристика напряжения фиксации без закорачивающего транзистора;
на фиг. 5 - характеристика напряжения фиксации с закорачивающим транзистором;
на фиг. 6 - закорачивающий транзистор, монолитно интегрированный в схему Дарлингтона.
На фиг. 1 показана принципиальная схема выходного каскада системы зажигания с внутренней однокаскадной зенеровской схемой фиксации, используемой в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания. Схема на фиг. 1 состоит из катушки 1 зажигания, соединенной со вторичной стороны с не изображенной свечой зажигания. Первичная обмотка катушки 1 зажигания с одной стороны соединена с источником питающего напряжения UB, например, с не показанной аккумуляторной батареей автомобиля, а с другой стороны соединена с массой через мощный транзистор T1. Перед мощным транзистором T1 включен активный или управляющий транзистор T2 таким образом, что образуется двухкаскадная схема Дарлингтона. Участок коллектор-эмиттер мощного транзистора T1 последовательно подключен к первичной обмотке, а база мощного транзистора T1 соединена с эмиттером активного транзистора T2. Мощный транзистор T1 и каскад с активным транзистором T2 имеют соответствующие сопротивления база-эмиттер, обозначенные как R1 и R2. Параллельно участку коллектор-база мощного транзистора T1 включен полупроводниковый стабилитрон Z1. Этот полупроводниковый стабилитрон Z1 предназначен для защиты транзистора T1 от перенапряжения, когда тот индуцирует высокое напряжение при отключении зарядного тока в катушке зажигания. Это происходит в том случае, когда ток пробоя стабилитрона поступает на базу транзистора T1 и пара Дарлингтона снова полностью отпирается. Такое расположение стабилитрона Z1 параллельно участку коллектор-база мощного транзистора T1 внутри пары Дарлингтона образует внутреннюю однокаскадную схему фиксации. Однако эта схема уже известна. Предлагаемое согласно изобретению отличие состоит в размещении закорачивающего транзистора T3, при этом участок коллектор-эмиттер транзистора T3 подключается параллельно участку база-эмиттер пары Дарлингтона, т.е. коллектор закорачивающего транзистора соединяется с выводом базы активного транзистора T2, а эмиттер закорачивающего транзистора T3 через массу соединяется с эмиттером активного транзистора T2. На участке, соединяющем коллектор активного транзистора T2 пары Дарлингтона с базой закорачивающего транзистора T3, включены сопротивление R3 и второй полупроводниковый стабилитрон Z2. Второй стабилитрон Z2 не допускает отпирания транзистора T3 еще в процессе заряда катушки зажигания, когда потенциал коллектора пары Дарлингтона приближается к рабочему напряжению. При этом сопротивление R3 подбирается таким образом, чтобы при напряжении фиксации стабилитрона Z1 в пределах 300-400 В для закорачивающего транзистора T3 обеспечивался достаточный ток базы.
Следующий пример выполнения показан на фиг. 2. Расположение пары Дарлингтона и катушки зажигания соответствует компоновке по фиг. 1, а одинаковые элементы обозначены теми же позициями. В отличие от фиг. 1 в этой системе зажигания имеется внешняя многокаскадная схема фиксации, а именно стабилитрон Z1 для фиксации уровня включен параллельно участку коллектор-эмиттер активного транзистора T2, т.е. вне двухкаскадной схемы Дарлингтона. Кроме того, последовательно с первым стабилитроном Z1 между ним и выводом базы активного транзистора T2 расположен диод D1. Этот диод D1 предназначен для развязки базы активного транзистора и коллектора пары Дарлингтона. От точки ответвления между первичной обмоткой и коллектором управляющего транзистора, являющегося одновременно коллектором пары Дарлингтона, отходит ветвь схемы фиксации, состоящей из полупроводникового стабилитрона Z1 и диода D1, соединенных с управляющим выводом схемы Дарлингтона, т.е. с базой активного транзистора T2. Кроме того, данная ветвь, отходящая в точке соединения первичной обмотки и коллектора пары Дарлингтона, аналогично фиг. 1 через защитное сопротивление R3 и второй стабилитрон Z2 соединена с базой закорачивающего транзистора T3. Функциональное назначение второго стабилитрона уже было описано выше на примере по фиг. 1. На фиг. 2 в отличие от фиг. 1 между коллектором закорачивающего транзистора T3 и управляющим выводом схемы Дарлингтона предусмотрен второй диод D2, служащий для развязки схемы фиксации таким образом, чтобы по ней протекал только базовый ток, необходимый для поддержания соответствующего протекающего коллекторного тока. Любой поступающий паразитный ток базы в данном случае закорачивается.
На фиг. 3 показан третий пример выполнения предлагаемой закорачивающей схемы. Аналогично фиг. 1 при данной компоновке управление зарядным током также осуществляется с помощью катушки зажигания через двухкаскадную схему Дарлингтона. Схема фиксации уровня напряжения для защиты от перенапряжений выполнена в виде однокаскадной внутренней схемы фиксации, уже описанной выше на примере по фиг. 1. В отличие от фиг. 1 пара Дарлингтона имеет одно базовое входное сопротивление R4, которое служит для переключения схемы Дарлингтона с обесточенного режима на управляемый. Между базовым входным сопротивлением R4 и управляющим выводом пары Дарлингтона включен коллектор закорачивающего транзистора T3. База закорачивающего транзистора T3, как и на фиг. 1, через защитное сопротивление R3 соединена с коллектором пары Дарлингтона. Параллельно базовому входному сопротивлению R4 после массы включен делитель напряжения, состоящий из сопротивлений R5 и R6, причем ответвление делителя напряжения контактирует с базой четвертого транзистора T4. Коллектор четвертого транзистора T4 выведен в точку соединения защитного сопротивления R3 и базы закорачивающего транзистора T3. Таким образом, ток, управляющий закорачивающим транзистором T3, получается из инвертированного управляющего сигнала для базы пары Дарлингтона. При наличии управляющего сигнала на базе пары Дарлингтона коллектор четвертого транзистора замыкается на массу, а закорачивающий транзистор T3 остается обесточенным. При отсутствии управляющего сигнала на базе пары Дарлингтона транзистор T4 остается обесточенным, а на закорачивающий транзистор T3 через высокоомное защитное сопротивление R3 поступает базовый ток, замыкая накоротко участок база-эмиттер пары Дарлингтона. При такой компоновке схемы можно отказаться от применения включенного перед закорачивающим транзистором полупроводникового стабилитрона. Базовое входное сопротивление R4 позволяет осуществить на паре Дарлингтона переход от обесточенного режима пары Дарлингтона (закорачивающий транзистор T3 работает) к управляемому режиму (транзистор T3 разомкнут). Делитель напряжения R5/R6 препятствует потере управляющего тока на транзисторе T4. Одновременно этот делитель напряжения обеспечивает достижение транзистором T1 порога включения независимо от напряжения на участке база-эмиттер. Преимущество показанной на фиг. 3 схемы состоит в том, что в отличие от примеров по фиг. 1 и 2 в данном случае возможно зажигание с использованием части искрового разряда, поскольку закорачивающий транзистор T3 снова отключается, а пара Дарлингтона может вследствие этого снова включиться.
Принцип действия описанных выше и выполненных согласно изобретению схем еще раз поясняется на фиг. 4 и 5. На этих чертежах представлены характеристики напряжения без закорачивающего транзистора (фиг. 4) и с закорачивающим транзистором (фиг. 5). Испытания проводили с использованием схемы зажигания с трехкаскадной схемой Дарлингтона с внутренней фиксацией уровня непосредственно на управляющем транзисторе T1, в то время как закорачивающий транзистор T3 взаимодействовал с третьей базой пары Дарлингтона. Схема фиксации без закорачивающего транзистора T3 достигает своего полного значения лишь по истечении примерно 30 мкс, что сопровождается неоднократными прорывами напряжения, а коллекторный ток в соответствии с эффектом неоднократного повторного включения снижается лишь медленно и никоим образом не линейно. В схеме зажигания с закорачивающим транзистором T3 уровень напряжения достигается уже по истечении 20 мкс. Положительный выброс импульса связан с конкретной системой фиксации уровня, в которой неточно согласованы емкостные и омические делители. Благодаря такому улучшению процесса отключения и подавления паразитного повторного включения фиксаторов уровня данную схему можно использовать для всех типов систем зажигания.
Часто встречаются также системы зажигания, в которых пара Дарлингтона имеет внешнее подключение к полупроводниковому стабилитрону через наружный контакт базы. В этом случае закорачивающий транзистор следует включать в схему согласно фиг. 2.
Из технологии изготовления блоков управления уже известно, что пару Дарлингтона можно выполнять в виде интегральной схемы. Однако закорачивающий транзистор также можно легко интегрировать в эту монолитную полупроводниковую схему.
Реализация закорачивающего транзистора T3 в виде интегральной схемы осуществляется при помощи изолирующей диффузии, позволяющей отделить коллектор закорачивающего транзистора T3 от коллектора пары Дарлингтона. При такой изоляционной диффузии карманы n+- и p+-типа необходимо заделывать в дополнительные ν - и π - карманы, как это показано на фиг. 6. Данные высокоомные ν - и π - диффузии позволяют эффективно изолировать базу и коллектор закорачивающей перемычки от коллектора-подложки. Запирающая способность участка коллектор-база у T3 не обязательно должна соответствовать напряжению фиксации, поскольку основная часть этого напряжения падает на предвключенном сопротивлении R3.
Аналогичным образом можно интегрировать полупроводниковый стабилитрон через p-зону путем заделки в два ν/π - кармана с запирающим напряжением 20-50 В. Полупроводниковый стабилитрон в свою очередь также посредством π -диффузии изолируется от коллектора-подложки.
Интеграция защитного сопротивления R3 требует относительно большой площади, поэтому уже имеющиеся сопротивления на участках цепи электродов крышки можно одновременно использовать в качестве управляющего сопротивления закорачивающего транзистора T3. Поэтому в имеющейся схеме фиксации, использующей электроды крышки, не требуется дополнительной площади для размещения управляющего сопротивления.

Claims (4)

1. Выходной каскад системы зажигания для двигателей внутреннего сгорания с парой Дарлингтона, имеющей активный транзистор (Т2) и управляющий транзистор (Т1), при этом параллельно участку база - эмиттер пары Дарлингтона включен участок коллектор - эмиттер закорачивающего транзистора (Т3), пара Дарлингтона имеет внутреннюю схему фиксации с помощью полупроводникового стабилитрона (Z1), включенного параллельно участку коллектор - эмиттер активного транзистора (Т2) пары Дарлингтона, и управляющий вывод закорачивающего транзистора через последовательное включение высокоомного защитного сопротивления (R3) и полупроводникового стабилитрона (Z2) соединен с коллектором пары Дарлингтона, а защитное сопротивление (R3) рассчитано таким образом, чтобы для закорачивающего транзистора (Т3) проходил базовый ток достаточной величины, причем запирающее напряжение полупроводникового стабилитрона (Z2) лежит в диапазоне 20 - 50 В.
2. Выходной каскад по п.1, отличающийся тем, что между коллектором закорачивающего транзистора (Т3) и управляющим выводом пары Дарлингтона предусмотрен развязывающий диод (D2).
3. Выходной каскад по п.1 или 2, отличающийся тем, что между высокоомным сопротивлением (R3) и управляющим выводом закорачивающего транзистора (Т3) включен коллектор четвертого транзистора (Т4), база которого через делитель напряжения (R5/R6) соединена с управляющим выводом пары Дарлингтона, а его эмиттер соединен с массой.
4. Выходной каскад по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что все его компоненты, а именно полупроводниковый стабилитрон, закорачивающий транзистор, высокоомное сопротивление (R3) и четвертый транзистор, (Т4) выполнены с возможностью интегрирования в монолитную полупроводниковую схему.
RU98107165/06A 1995-09-12 1996-06-27 Выходной каскад системы зажигания RU2169287C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19533637A DE19533637A1 (de) 1995-09-12 1995-09-12 Zündendstufe
DE19533637.2 1995-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98107165A RU98107165A (ru) 2000-02-10
RU2169287C2 true RU2169287C2 (ru) 2001-06-20

Family

ID=7771880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98107165/06A RU2169287C2 (ru) 1995-09-12 1996-06-27 Выходной каскад системы зажигания

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6018202A (ru)
EP (1) EP0850358B1 (ru)
JP (1) JPH11512504A (ru)
CN (1) CN1070578C (ru)
BR (1) BR9610177A (ru)
CZ (1) CZ73398A3 (ru)
DE (2) DE19533637A1 (ru)
ES (1) ES2229274T3 (ru)
HK (1) HK1016240A1 (ru)
RU (1) RU2169287C2 (ru)
SK (1) SK283436B6 (ru)
WO (1) WO1997010432A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU207064U1 (ru) * 2021-05-28 2021-10-11 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия им. Адмирала Флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова" Переключающее транзисторное устройство

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19711204C2 (de) * 1997-03-18 1999-01-14 Bosch Gmbh Robert Schaltungsanordnung einer Zündendstufe
US7764130B2 (en) * 1999-01-22 2010-07-27 Multigig Inc. Electronic circuitry
US6300815B1 (en) * 2000-01-31 2001-10-09 Texas Instruments Incorporated Voltage reference overshoot protection circuit
US6333604B1 (en) * 2000-09-25 2001-12-25 Semiconductor Components Industries Llc Integrated ignition circuit and method
DE102006022158A1 (de) * 2006-05-12 2007-11-15 Beckhoff Automation Gmbh Leistungsschaltung mit Kurzschlussschutzschaltung
JP5201321B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-05 富士電機株式会社 イグナイタシステム
KR101533298B1 (ko) * 2008-09-23 2015-07-09 엘지이노텍 주식회사 전원 공급 장치
US9605644B2 (en) * 2013-06-06 2017-03-28 Ford Global Technologies, Llc Dual coil ignition system
CN103595377A (zh) * 2013-11-20 2014-02-19 桂林机床电器有限公司 一种三极管开关控制电路
CN110259620B (zh) * 2019-06-27 2021-05-25 浙江吉利控股集团有限公司 用于发动机点火系统的过压保护装置、点火系统及车辆

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2339896B2 (de) * 1973-08-07 1977-12-08 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Zuendeinrichtung fuer brennkraftmaschinen
US4064415A (en) * 1976-02-18 1977-12-20 The Bendix Corporation Inductive spark ignition for combustion engine
DE3334833A1 (de) * 1983-09-27 1985-04-04 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Ansteuerschaltung fuer einen leistungstransistor
DE3723581A1 (de) * 1986-07-16 1988-03-03 Siemens Ag Verlustarme schaltungsanordnung zur verringerung der abschaltverluste von bipolaren schalttransistoren
DE3839039A1 (de) * 1988-11-18 1990-05-23 Bosch Gmbh Robert Zuendendstufe einer transistor-zuendanlage
US5559661A (en) * 1990-03-23 1996-09-24 Robert Bosch Gmbh Short-circuit-proof transistor output stage, especially ignition output stage for motor vehicles
DE4009304A1 (de) * 1990-03-23 1991-09-26 Bosch Gmbh Robert Kurzschlussfeste transistorendstufe, insbesondere zuendungsendstufe fuer kraftfahrzeuge
DE4030418A1 (de) * 1990-09-26 1992-04-02 Bosch Gmbh Robert Leistungsendstufe mit einer darlington-schaltung zum schalten einer induktiven last, insbesondere der zuendspule einer brennkraftmaschine
DE4039356C1 (ru) * 1990-12-10 1992-07-16 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US5410190A (en) * 1992-12-17 1995-04-25 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Circuit for shortening the turn-off time of a power transistor
IT1275159B (it) * 1995-02-15 1997-07-30 Ducati Energia Spa Sistema di accensione induttiva per motori a combustione interna con anticipo controllato elettronicamente

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU207064U1 (ru) * 2021-05-28 2021-10-11 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия им. Адмирала Флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова" Переключающее транзисторное устройство

Also Published As

Publication number Publication date
SK283436B6 (sk) 2003-07-01
US6018202A (en) 2000-01-25
HK1016240A1 (en) 1999-10-29
SK29398A3 (en) 1999-04-13
EP0850358B1 (de) 2004-10-13
CN1195390A (zh) 1998-10-07
EP0850358A1 (de) 1998-07-01
BR9610177A (pt) 1998-08-11
ES2229274T3 (es) 2005-04-16
DE59611117D1 (de) 2004-11-18
WO1997010432A1 (de) 1997-03-20
DE19533637A1 (de) 1997-03-13
CN1070578C (zh) 2001-09-05
CZ73398A3 (cs) 1998-12-16
JPH11512504A (ja) 1999-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3949722A (en) Semiconductor controlled ignition systems for internal combustion engines
RU2169287C2 (ru) Выходной каскад системы зажигания
US5044349A (en) High-voltage switch
EP0009957B1 (en) Four lead monolithic darlington and opto-electronic ignition system incorporating it
US4361129A (en) Ignition system for internal combustion engines
US4359038A (en) Electronic ignition-coil control device for an internal combustion engine
KR19980025136A (ko) 유도부하를 스위칭하기 위한 파워출력단
US4077379A (en) Internal combustion engine semi-conductor ignition control system
US4117818A (en) Ignition system for internal combustion engines with tapped ignition coil
JPH0694864B2 (ja) 内燃機関用点火装置
GB1560772A (en) Ignition systems
US4036199A (en) Device for protecting an ignition device for motor vehicles
JPH0587967B2 (ru)
US4280166A (en) Over-voltage protected solid-state ignition system
GB2056808A (en) Power transistor protection
JP3121834B2 (ja) 誘導負荷、例えば内燃機関の点火コイルを切り換えるためのダーリントン回路を備えた高出力段
US4167170A (en) Turn-off protected ignition system for internal combustion engines
EP0071366B1 (en) Lamp drive circuit
US4105006A (en) Ignition system for internal combustion engine
US3367313A (en) Device for producing highvoltage pulses
US4969447A (en) Inductive-discharge ignition device for an internal combustion engine
US11183494B2 (en) Semiconductor integrated circuit
CN112970163B (zh) 针对瞬态电流、电压或电能进行保护的保护电路
US3285234A (en) Ignition system with inductor connected between breaker points and semiconductor device
US6748937B2 (en) Hall effect ignition system

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20030628