EP4118252A1 - Verfahren zum herstellen einer beschichtung eines grundkörpers und funktionselement mit einem grundkörper mit einer beschichtung - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer beschichtung eines grundkörpers und funktionselement mit einem grundkörper mit einer beschichtung

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EP4118252A1
EP4118252A1 EP21713587.0A EP21713587A EP4118252A1 EP 4118252 A1 EP4118252 A1 EP 4118252A1 EP 21713587 A EP21713587 A EP 21713587A EP 4118252 A1 EP4118252 A1 EP 4118252A1
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EP
European Patent Office
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coating
target
base body
sputtering
particles
Prior art date
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Pending
Application number
EP21713587.0A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Nils Schäfer
Lambert Alff
Márton MAJOR
Stefan Petzold
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Technische Universitaet Darmstadt
Original Assignee
Technische Universitaet Darmstadt
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Filing date
Publication date
Application filed by Technische Universitaet Darmstadt filed Critical Technische Universitaet Darmstadt
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Pending legal-status Critical Current

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    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0184—Manufacture or treatment of devices comprising intermetallic compounds of type A-15, e.g. Nb3Sn

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a coating of a base body with a coating made of a first material and a second material, a first target made of the first material and a second target made of the second material being arranged in a vacuum chamber, one to be coated
  • the base body is arranged in the vacuum chamber, a sputtering gas being introduced into the vacuum chamber and wherein, during a sputtering process with sputtering gas ions, first target particles are detached from the first target and attached to the base body as coating particles, and second target particles are detached from the second target and applied as coating particles are attached to the base body.
  • a base body Numerous different methods are known from practice with which an often comparatively thin coating can be produced on a base body.
  • a process known as sputtering atoms are released from a solid body known as a target by bombarding them with high-energy ions, so that the released target atoms pass into the gas phase and are deposited on nearby surfaces.
  • the base body to be coated is arranged in the vicinity of a target during a sputtering process, so that the target atoms released from the target are preferably deposited on a surface of the base body and form the desired coating on the base body.
  • A15 phase group of substances two or three different metals usually form an intermetallic phase with an A15 structure. Some of the A15 phases have advantageous superconducting properties, so that these A15 phases are suitable for numerous areas of application in which superconducting properties are advantageous or necessary.
  • the A15 phases usually have a composition with the empirical formula A3B, where A is a transition metal and B is a metallic main group element of the periodic table. Component B can also be a mixture of different metallic main group elements.
  • A15 phases such as NbsGe or NbsSn enable the construction of superconducting magnets or cables with magnetic flux densities of more than 10T.
  • a functional element with superconducting properties from a base body which is coated with a suitable coating of an A15 phase, such as NbsSn.
  • a superconducting cavity of a particle accelerator which is usually made of high-purity niobium
  • a functional element with a base body made of copper and a coating made of NbsSn could be replaced by a functional element with a base body made of copper and a coating made of NbsSn.
  • the base body can be made of copper, for example.
  • Such a functional element with a base body made of copper could be significantly more cost-effective than a corresponding functional element made of high-purity niobium.
  • the production of the coating of the base body from NbsSn is complex and leads to restrictions in the use of such a functional element.
  • such a coating can be produced on a base body, for example made of copper, by a number of successive sputtering processes, with thin layers, for example of niobium and tin, being applied to the base body alternately with the aid of sputtering . Subsequently, the base body with the layer sequence of niobium and tin applied to it must be heated so that the heating of the layers caused diffusion of the individual atoms of the layers and the desired material NbsSn is formed.
  • NbsSn requires heat treatment at high temperatures of about one thousand Degrees Celsius and more is required, with the resulting coating often being inhomogeneous even under advantageous process conditions and also various compounds and phases being created, so that the superconducting properties of the coating produced in this way are impaired.
  • atoms from the base body also diffuse into the coating and accumulate in the coating. Diffusion of atoms from the base body into the coating can be reduced with a diffusion barrier made of a suitable material, the diffusion barrier being designed as a thin layer and arranged between the base body and the coating made of NbsSn.
  • this diffusion barrier usually hampers heat removal from the coating into the base body, which is advantageous or even necessary for many applications, and thereby impairs the properties and possible uses of such a functional element.
  • this object is achieved in that a first sputter rate for the first target and a second sputter rate for the second target are specified during the sputtering process in such a way that the Coating is produced with a desired stoichiometric ratio of the first target particles to the second target particles, and that the base body is heated to a coating temperature of less than six hundred degrees Celsius during the sputtering process with a heating device.
  • the first target particles and the second target particles initially accumulate randomly on the base body at the respective location where they hit the surface of the base body. It has been shown that by heating the base body to a coating temperature of less than six hundred degrees Celsius, the first target particles and second target particles deposited on the surface of the base body have sufficient mobility due to the thermal energy to form the desired A15 phase and in the The result is a homogeneous coating with a phase-pure crystal lattice to grow on the base body. Since the first target particles and the second target particles impinging on the base body are comparatively mobile on the surface, heating to less than six hundred degrees Celsius is sufficient to form the desired A15 phase from the first target particles and the second target particles on the surface.
  • the base body can consist of different materials which are advantageous for different functional elements or areas of application of the relevant functional elements.
  • a material of the base body which is advantageous for many areas of application is, for example, copper. If the base body made of copper is heated to less than six hundred degrees Celsius, there is no significant diffusion of the copper material into the coating that is deposited on the surface of the base body. If the base body is heated to less than six hundred degrees Celsius, it is therefore not necessary to arrange a diffusion barrier made of a suitable material between the base body and the coating applied to it, with which the undesired diffusion of copper into the coating is reduced or, if possible, largely suppressed can.
  • the first material is a first metal and that the second material is a second metal or a mixture of metals.
  • the metal mixture can contain, for example, two or more different metals which each form a compound with the first metal.
  • the respective connections can then be combined with one another and combine to form a homogeneous crystal lattice according to the respective proportions.
  • the second material is a second metal, by suitably specifying the process parameters, it can be achieved that only a single compound of the first metal with the second metal is created, so that a phase-pure crystal lattice is formed.
  • the first target particles from the first material and the second target particles from the second material form an A15 phase.
  • the material of the first target and the material of the second target can be selected so that the first target particles and second target particles released from the first target and from the second target form an A15 phase which has particularly advantageous properties for certain areas of application.
  • the first sputter rate and the second sputter rate are specified so that the stoichiometric ratio required for the formation of the A15 phase of the first target particle is given to the second target particle.
  • a stoichiometric ratio of 75% to 25% is advantageous.
  • Functional elements with a base body for example made of copper or a material with comparable thermal conductivity, can thus be provided with a superconducting coating, so that the functional element produced in this way can be used advantageously for numerous applications because of the superconducting properties of the coating.
  • At least one further third target is arranged in the vacuum chamber during the sputtering process, and that for each further third target a third sputter rate for the accumulation of third target particles in the coating is specified so that the coating is generated with a desired stoichiometric ratio of the third target particles to the first and second target particles.
  • a second target with a metal mixture instead of a second target with a metal mixture, a second target with a second metal and additionally a third target with a further third material can be used, so that all three targets consist of pure metals or elements.
  • An individual sputter rate can be specified for all three targets, so that complex stoichiometric ratios can also be specified and achieved for the desired coating.
  • a coating can be produced in which NbsSn and NbsGe are combined to form a homogeneous crystal lattice. It is preferably provided that the base body is heated to a coating temperature between two hundred degrees Celsius and six hundred degrees Celsius and particularly preferably to a coating temperature between four hundred degrees Celsius and five hundred degrees Celsius during the sputtering process. It has been shown that for many material combinations of two metals that form an A15 phase, a coating temperature between two hundred degrees Celsius and six hundred degrees Celsius, or in many cases between four hundred degrees Celsius and five hundred degrees Celsius, is sufficient to achieve that on the surface of the base body impinging first target particles and second target particles to allow sufficient mobility to form the desired A15 phase with a phase-pure crystal lattice.
  • magnetron sputtering In order to improve the efficiency of the sputtering process, provision is optionally made for magnetron sputtering to be carried out during the sputtering process.
  • an additional magnetic field is generated in the vicinity of the first target and in the vicinity of the second target, through which the electron density in an area above that for the dissolving out of target surfaces provided for target particles is increased and, due to the increased ionization of the sputtering gas in this area, the sputtering rate of the target material in question and thus the layer growth of the coating are increased.
  • a person skilled in the art is aware of the options available for effectively carrying out magnetron sputtering and optimizing individual process parameters.
  • the base body to be treated in an adhesion increase step preceding the sputtering process in order to strengthen the adhesion of the coating to a surface of the base body to be coated.
  • the surface of the base body can be treated chemically or physically, for example by an etching process or by irradiation with ion beams or with laser light.
  • a region of the base body adjoining the surface of the base body can be changed or partially or completely removed.
  • chemical or physical properties of the surface can be changed in such a way that the subsequently applied coating adheres much more strongly to the surface. It is also possible to apply an adhesive layer that enhances the adhesive effect on the surface of the base body.
  • the adhesive layer can serve as an adhesion promoter.
  • the base body can also be cooled during the adhesion increase step or heated to an adhesion step temperature that corresponds to the coating temperature or is lower, but is higher than room temperature. If necessary, the liability increase step can be used for
  • the surface of a base body provided for the coating can be changed in such a way that a coating is possible in the first place.
  • a simple control of the individual components that are used and operated during a sputtering process to carry out the method according to the invention can be achieved according to one embodiment of the inventive concept in that a predetermined sputtering power ratio is specified for the first sputter rate and the sputter rate.
  • the sputtering power ratio can, for example, be determined in advance by means of separate examinations as a function of the target materials used.
  • the sputtering power ratio as the ratio of the first sputtering rate to the second sputtering rate can also be determined in advance as a function of the coating temperature specified in an individual case and specified for carrying out the sputtering process.
  • the first sputtering rate and the second sputtering rate can be changed during a coating process in order, for example, to accelerate or slow down the layer growth as a function of the increasing distance from the surface of the base body, with the fixedly specified sputtering power ratio the stoichiometric ratio of the first target particles relative to the second target particles is kept constant and a homogeneous formation of an A15 phase with a phase-pure crystal lattice is promoted.
  • the first metal is niobium and the second metal is tin or a mixture of two or more elements with more than 50 mol percent tin.
  • an intermetallic chemical compound and particularly advantageously also the A15 phase NbsSn can be produced during the coating process.
  • the coating material NbsSn produced in this way has very advantageous superconducting properties and is also suitable for applications that require large currents and magnetic fields, as is the case, for example, with particle accelerators.
  • niobium instead of a combination of exclusively niobium and tin, or instead of an A15 phase NbsSn, a coating of niobium on the one hand and a mixture of tin and another element such as gallium or aluminum on the other hand is produced .
  • the respective proportions can be predetermined by the mixture used for the second material in such a way that a coating with advantageous properties is formed.
  • a coating described above with a layer thickness between 200 nm and 5 ⁇ m is advantageous.
  • the layer thickness can be precisely specified with the described sputtering process as a function of the respective requirements.
  • the coating is produced with a layer sequence of at least two layers of a coating material, with a separating layer of a different and non-superconducting material being arranged between adjacent layers of a superconducting coating material.
  • the separating layer allows two layers of the Coating material are separated from one another in order to enable or strengthen particularly advantageous properties of the coating by such a layer sequence.
  • a sequence of two or more thin layers of a superconducting coating material, which are separated from one another by a separating layer made of a non-superconducting material, can improve the practical electrical conduction properties and thus the use of the base body coated in this way as a functional element, for example in particle accelerators or made possible or favored in the case of superconducting cables.
  • the separating layer can consist of an insulator material such as, for example, plastic and can be applied using conventional coating processes to a layer made of a superconducting coating material, which in turn has been applied by sputtering. It is also conceivable that the separating layer is made of an electrically conductive material such as a metal or a metallic compound, which, however, at least under conditions in which the
  • Coating material has superconducting properties, has no superconducting properties.
  • a separating layer made of a metallic material can also be applied by a sputtering process.
  • a separating layer made of a metallic material usually has a high thermal conductivity, as a result of which a very advantageous thermal conductivity of the coated base body can be achieved in some applications.
  • Refractory metals such as tantalum, Molybdenum or tungsten are also viewed as advantageous materials for a separating layer due to their high thermal conductivity. It is also conceivable that the material of the separating layer corresponds to the material from which the base body is made.
  • a ceramic layer and preferably a layer of aluminum nitride ceramic is applied as the separating layer.
  • Aluminum nitride ceramics have a particularly high thermal conductivity and, in contrast to metals, are poorly electrically conductive.
  • a layer of aluminum nitride ceramic can also be applied by a sputtering process to a base body previously coated with a superconducting coating material. Since only the targets have to be exchanged for this purpose, a coating consisting of several layers with several layers of superconducting coating material and with one or more layers of aluminum nitride ceramic can be produced with the sputtering method according to the invention almost without interruption and without major changeover times.
  • the first target and the second target are arranged in a recess or in an externally accessible cavity of a base body and that an inner wall of the base body delimiting the recess or the cavity is coated in the sputtering process . Since the inner wall of the recess or cavity to be coated surrounds the target, almost all of the target particles released from the target during the sputtering process are deposited on the inner surface of the base body to be coated and form the desired coating. As a result, the sputtering process can be carried out particularly effectively and economically.
  • the base body on the one hand and the first and second target on the other hand are displaced relative to one another during the sputtering process.
  • the base body surrounding the targets can be set in a rotational movement while the sputtering process is being carried out.
  • the targets are fixed to a rotatably or movably mounted target holder and the target holder is displaced relative to the base body.
  • both the base body and the targets can be displaced at the same time in order, for example, to be able to implement complex movement sequences relative to one another as simply as possible. This enables a very short process duration for the sputtering process and a very uniform formation of the sputtered coating. Areas of the inner wall of the recess or of the not intended for a coating Cavities can be covered before the sputtering process is carried out.
  • the invention also relates to a functional element with a base body with a coating of an A15 phase.
  • a functional element can have a base body and a coating made of an A15 phase, such as NbsSn, applied to it.
  • a functional element of this type could serve, for example, as a replacement for a functional element which is manufactured entirely from a uniform, but cost-intensive material.
  • a practical example of such a functional element is a cavity of a particle accelerator. Such cavities are usually made of high-purity niobium, which results in high material and manufacturing costs. It has been shown that for many applications and in particular for cavities of a particle accelerator, functional elements are also suitable in which a base body with a coating of a superconducting A15 phase and in particular with a coating NbsSn are suitable. However, the previously known manufacturing processes for such functional elements are costly and unsatisfactory as a result.
  • this object is achieved in that the coating is produced directly on a surface of the base body using a previously described sputtering method.
  • the arrangement of a diffusion barrier between the base body and the coating can be dispensed with.
  • a suitable diffusion barrier not only has the desired property of preventing the undesired diffusion of particles from the base body into the coating during the production of the coating or during any subsequent heat treatment that may be required, but also provides a comparatively effective, but represent an undesirable barrier for heat transport.
  • the base body is made of copper.
  • Copper is a comparatively inexpensive material that has high electrical conductivity and high thermal conductivity, which is advantageous for many areas of application of such functional elements. Copper can also be machined in a simple manner, so that inexpensive production of the base body is also favored in the case of complex shapes.
  • an inner wall of a recess or a cavity in the base body it can be advantageous for an inner wall of a recess or a cavity in the base body to be coated with a superconducting coating. It is therefore optionally provided that the coating partially or completely covers an inner wall of a recess or a cavity in the base body.
  • the functional element has a cavity for an accelerator.
  • a cavity that can be used as a functional element in a particle accelerator usually has a rotationally symmetrical shape with a continuous cavity.
  • This cavity can be coated with a superconducting coating according to the invention.
  • Such a cavity can be produced particularly inexpensively and has the superconducting or electrically conductive and heat-conductive properties required for use in a particle accelerator.
  • the base body coated according to the invention relates to superconducting motors or generators, it being possible for the functional element to be a superconducting cable or a superconducting line element for magnet coils.
  • the functional element for example, copper foils or copper strips with a coating according to the invention can be provided with superconducting properties, for example with NbsSn, in order then to be used as superconducting magnet coils in superconducting motors or generators that can be used very efficiently.
  • the copper foils or copper strips or corresponding functional elements with a base body made of another suitable material can be shaped into the desired shape using conventional methods.
  • the superconducting coating can be applied in a simple manner using the sputtering method according to the invention.
  • FIG. 1 shows a schematic structure of a device with which the method according to the invention for producing a coating can be carried out
  • FIG. 2 shows a schematic representation of measurement results of an X-ray diffraction measurement of a coating with NbsSn produced at a coating temperature of four hundred and thirty-five degrees Celsius, the intensity of the scattered X-rays being shown over the diffraction angle two theta,
  • FIG. 3 Measured values of the electrical resistance of the coating measured in FIG. 2 in a temperature range between twelve degrees Kelvin and twenty degrees Kelvin, normalized to the electrical resistance at twenty degrees Kelvin,
  • FIG. 4 shows a schematic representation of a partial area of a functional element according to the invention with a base body and a coating arranged directly on a surface of the base body
  • FIG. 5 shows a schematic sectional view of a partial area of the coated base body as in FIG. 4, an area of the base body adjoining the surface being treated and modified in an adhesion increase step in order to increase the adhesion effect for the coating applied thereon,
  • FIG. 6 shows a schematic sectional view of a partial area of the coated base body as in FIGS. 4 and 5, the coating consisting of a sequence of layers, and FIG.
  • FIG. 7 shows a schematic sectional view through a cavity of a base body in which two targets are arranged while the sputtering process is being carried out.
  • FIG. 1 shows an example of a device 1 with which a method according to the invention for coating a base body 2 with a coating from an A15 phase can be carried out.
  • a coating chamber 3 in which a vacuum can be generated, a first target 4 made of a first target material and a second target 5 made of a second target material are arranged next to one another.
  • the target material of the first target 4 is a first metal, namely niobium (Nb).
  • the target material of the second target 5 is a second metal, namely tin (Sn).
  • the base body 2 made of copper is arranged opposite the two targets 4, 5, with a surface 6 of the base body 2 facing the two targets 4, 5 being to be coated.
  • the base body 2 can be opened from a rear side 7 with a heating device 8 during a sputtering process a predefinable coating temperature can be heated.
  • the coating temperature specified for the coating process in question is 435 ° C.
  • the coating chamber 3 has an inlet 9 for a suitable sputtering gas, which can be, for example, a noble gas and preferably argon.
  • a suitable sputtering gas which can be, for example, a noble gas and preferably argon.
  • the sputtering gas can already have been ionized beforehand or else in the
  • Coating chamber 3 are ionized.
  • the two targets 4, 5 and the base body 2 can each be brought to an individually specifiable electrical potential, so that an electrical field is formed in the coating chamber 3, which accelerates positively charged sputtering gas ions 16 in the direction of the two targets 4, 5.
  • the sputtering gas ions 16 can be accelerated sufficiently on the way to the first target 4 or to the second target 5 in order to release first target particles 10 when they strike the first target 4, or to detach them when they strike the second target 5 to detach second target particles 11.
  • the respective sputtering rates of the first target 4 and the second target 5 can be influenced and specified by suitably specifying the respective electrical potentials and thus the potential differences which the sputter gas ions 16 pass through on the way to the first or second target 4, 5.
  • the first and second target particles 10, 11 released by the bombardment with sputtering gas ions 16 are deposited on the surface 6 of the base body 2, among other things.
  • Sputter gas ions 16, used sputter gas particles or target particles 10, 11 emanating from the first target 4 or from can pass through an outlet 12 the second target 5 have been dissolved out and are not deposited on a surface, are discharged from the coating chamber 3.
  • a magnetic field is generated in an area between the two targets 4, 5 and the base body 2 in the immediate vicinity of the two targets 4, 5, through which free electrons in an area above a respective surface 14, 15 of the two targets 4, 5 are concentrated.
  • the density of the sputtering gas ions 16 striking the respective target 4, 5 and thus the sputtering rates for the first target 4 and for the second target 5 can be influenced.
  • the first target particles 10 released from the first target 4 by the sputtering gas ions 16 and the second target particles 11 released from the second target 5 are deposited on the surface 6 of the base body 2 heated with the heating device 8. Due to the thermal energy of the heated base body 2, sufficient energy is transferred to the adhering target particles 10, 11 so that they can migrate along the surface 6 and react to the desired A15 phase.
  • the first target particles 10 made of niobium and deposited on the surface 6 react with the second target particles 11 made of tin to form the intermetallic phase NbsSn. This creates a very homogeneous coating with a phase-pure crystal lattice.
  • X-ray diffraction measurement one with the previous one described method in the exemplified device 1 shown coating produced from NbsSn.
  • the intensity I of the X-ray radiation scattered on the coating is shown in any unit as a function of the respective diffraction angle 2Q over a range of the diffraction angle 2Q between 30 ° and 90 °.
  • NbsSn characteristic diffraction peaks of NbsSn
  • Other possible compounds of niobium and tin, such as NbSn2 or Nb 2 Sn 5 on the other hand, as well as pure niobium or pure tin, could not be detected.
  • the measurement result accordingly confirms that the desired coating of the base body 2 with the superconducting material NbsSn with a very phase-pure crystal lattice could be produced with the method according to the invention.
  • the electrical resistance R is shown as a function of the temperature T, the electrical resistance R being normalized to the measured resistance value R (20K) at a temperature T of 20K. It can be seen that the coating has superconducting properties and a negligibly low normalized resistance R / R (20K) at a temperature T below about 15.3 K. The transition temperature above which the superconducting property disappears is around 16.3 K and is close to the highest transition temperature of 18.3 K ever proven for a bulk material or for a solid body with comparatively large dimensions for this coating material. This measurement also proves that a high-quality coating of NbsSn with a phase-pure crystal lattice could be produced with the method according to the invention.
  • FIG. 4 a section of a functional element 17 according to the invention is shown as an example.
  • a coating 18 made of NbsSn is applied directly to the surface 6 of the base body 2, which in the exemplary embodiment shown consists of copper.
  • no separate diffusion barrier is arranged between the surface 6 of the base body 2 and the coating 18. This promotes very effective heat transfer from the base body 2 into the coating 18 and vice versa, which is advantageous for numerous applications of such functional elements 17.
  • the surface 6 of the base body 2 to be coated was treated by an etching process in an adhesion increase step preceding the sputtering process, and an area 19 of the base body 2 adjoining the surface 6 was thereby changed in such a way that the subsequently applied to the surface 6 Coating 18 adheres more strongly.
  • the coating 18 has a layer sequence which consists of two layers 20, 21 made of a superconducting coating material, between which a separating layer 22 made of a non-superconducting metal is arranged.
  • the two layers 20, 21 have each been applied using the sputtering method according to the invention.
  • the separating layer 22 can also be applied using a sputtering method or using any conventional coating method.
  • the outer surfaces, which are then covered by a layer 20, 21, 22 applied thereon, can each be treated in an adhesion increase step and the adhesion effect for the subsequently applied layer 20, 21, 22 can thereby be improved.
  • FIG. 7 An exemplary embodiment for a base body 2 with a cavity 23 is shown only schematically in FIG. 7, an inner wall 24 of the cavity 23 in the base body 2 being provided with the coating 18 during the sputtering process.
  • the first target 4 and the second target 5 and the associated components of the magnetic field generating device 13 are arranged in the cavity 23 of the base body 2 during the sputtering process.
  • a relative movement indicated only by way of example with an arrow 25, can be brought about between the base body 2 and the first and second targets 4, 5 arranged in the cavity 23 of the base body 2.
  • the base body 2 can rotate around the first and second target 4, 5, which are fixed on a target holder (not shown) that protrudes into the cavity 23 of the base body 2, in order to achieve a coating 18 of the inner wall 24 of the cavity 23 that is as uniform as possible as quickly as possible to be produced in the base body 2.

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Abstract

Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung eines Grundkörpers (2) mit einer Beschichtung sind ein erstes Target (4) aus dem ersten Metall und ein zweites Target (5) aus dem zweiten Metall in einer Vakuumkammer angeordnet. Ein zu beschichtender Grundkörper (2) ist in der Vakuumkammer angeordnet und wird von einer Heizvorrichtung (8) auf eine Beschichtungstemperatur von weniger als 600° C erwärmt. Während eines Sputtervorgangs mit Sputtergasionen (16) werden erste Targetteilchen (10) aus dem ersten Target (4) herausgelöst sowie zweite Targetteilchen (11) aus dem zweiten Target (5) herausgelöst und als Beschichtungsteilchen an dem Grundkörper (2) angelagert. Während des Sputtervorgangs werden für das erste Target (4) eine erste Sputterrate und für das zweite Target (5) eine zweite Sputterrate so vorgegeben, dass während des Sputtervorgangs die Beschichtung als A15-Phase mit einem angestrebten stöchiometrischen Verhältnis der ersten Targetteilchen (10) zu den zweiten Targetteilchen (11) erzeugt wird. Ein Funktionselement weist einen Grundkörper (2) und eine unmittelbar auf der Oberfläche (6) des Grundkörpers (2) aufgebrachte Beschichtung aus Nb3Sn auf.

Description

Technische Universität Darmstadt
Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung eines Grundkörpers und Funktionselement mit einem Grundkörper mit einer Beschichtung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung eines Grundkörpers mit einer Beschichtung aus einem ersten Material und aus einem zweiten Material, wobei ein erstes Target aus dem ersten Material und ein zweites Target aus dem zweiten Material in einer Vakuumkammer angeordnet sind, wobei ein zu beschichtender Grundkörper in der Vakuumkammer angeordnet ist, wobei ein Sputtergas in die Vakuumkammer eingebracht wird und wobei während eines Sputtervorgangs mit Sputtergasionen erste Targetteilchen aus dem ersten Target herausgelöst und als Beschichtungsteilchen an dem Grundkörper angelagert werden, sowie zweite Targetteilchen aus dem zweiten Target herausgelöst und als Beschichtungsteilchen an dem Grundkörper angelagert werden.
Aus der Praxis sind zahlreiche verschiedene Verfahren bekannt, mit denen eine oftmals vergleichsweise dünne Beschichtung auf einem Grundkörper hergestellt werden kann. Bei einem als Sputtern bezeichneten Verfahren werden Atome aus einem als Target bezeichneten Festkörper durch einen Beschuss mit energiereichen Ionen herausgelöst, sodass die herausgelösten Targetatome in die Gasphase übergehen und sich an in der Nähe befindlichen Oberflächen niederschlagen. Der zu beschichtende Grundkörper wird während eines Sputtervorgangs in der Nähe eines Targets angeordnet, sodass die aus dem Target herausgelösten Targetatome sich bevorzugt auf einer Oberfläche des Grundkörpers anlagern und die gewünschte Beschichtung des Grundkörpers bilden.
Aus zahlreichen verschiedenen Anwendungsbereichen sind Funktionselemente bekannt und benötigt, bei denen ein Grundkörper eine Beschichtung aufweist, die sich aus einer Kombination von zwei oder mehr Ausgangsmaterialien zusammensetzt. Eine derartige Beschichtung lässt sich mit Hilfe des Sputterns oftmals nicht oder nur mit einem erheblichen Aufwand hersteilen. Aus diesem Grund werden derartige Beschichtungen üblicherweise mit anderen Verfahren hergestellt .
Es ist bekannt, dass sich eine Stoffgruppe der A15-Phasen in vorteilhafterweise für die Herstellung von supraleitenden Funktionselementen eignet. Bei der Stoffgruppe der A15-Phasen bilden üblicherweise zwei oder drei verschiedene Metalle eine intermetallische Phase mit einer A15-Struktur. Einige der A15-Phasen weisen vorteilhafte supraleitende Eigenschaften auf, sodass diese A15-Phasen für zahlreiche Anwendungsbereiche geeignet sind, bei denen supraleitende Eigenschaften vorteilhaft oder notwendig sind. Üblicherweise haben die A15-Phasen eine Zusammensetzung mit einer Summenformel A3B, wobei A ein Übergangsmetall und B ein metallisches Hauptgruppenelement des Periodensystems ist. Die Komponente B kann auch ein Gemisch aus verschiedenen metallischen Hauptgruppenelementen sein. A15-Phasen wie beispielsweise NbsGe oder NbsSn ermöglichen den Bau von supraleitenden Magneten oder Kabeln mit magnetischen Flussdichten von mehr als 10T. Insbesondere aus dem Bereich der Supraleitung sind verschiedene Überlegungen und Versuche bekannt, ein Funktionselement mit supraleitenden Eigenschaften aus einem Grundkörper herzustellen, der mit einer geeigneten Beschichtung aus einer A15-Phase, wie beispielsweise NbsSn, beschichtet ist. So könnte beispielsweise eine supraleitende Kavität eines Teilchenbeschleunigers, die üblicherweise aus hochreinem Niob hergestellt ist, durch ein Funktionselement mit einem Grundkörper aus Kupfer und einer Beschichtung aus NbsSn ersetzt werden. Der Grundkörper kann beispielsweise aus Kupfer hergestellt sein. Ein derartiges Funktionselement mit einem Grundkörper aus Kupfer könnte wesentlich kostengünstiger als ein entsprechendes Funktionselement aus hochreinem Niob sein. Die Herstellung der Beschichtung des Grundkörpers aus NbsSn ist jedoch aufwendig und führt zu Einschränkungen bei der Verwendung eines derartigen Funktionselements .
Aus der Praxis ist es bekannt, dass eine derartige Beschichtung auf einem Grundkörper, beispielsweise aus Kupfer, durch eine Anzahl von aufeinander folgenden Sputtervorgängen hergestellt werden kann, wobei nacheinander mit Hilfe von Sputtern abwechselnd dünne Schichten beispielsweise aus Niob und aus Zinn auf den Grundkörper aufgebracht werden. Im Anschluss daran muss der Grundkörper mit der darauf aufgebrachten Schichtenabfolge aus Niob und Zinn erhitzt werden, damit durch die dadurch verursachte Erwärmung der Schichten eine Diffusion der einzelnen Atome der Schichten bewirkt wird und sich das gewünschte Material NbsSn bildet.
Es hat sich jedoch gezeigt, dass die Bildung von NbsSn eine Wärmebehandlung mit hohen Temperaturen von etwa eintausend Grad Celsius und mehr erfordert, wobei selbst bei vorteilhaften Verfahrensbedingungen die dabei entstehende Beschichtung oftmals inhomogen ausgebildet ist und zudem verschiedene Verbindungen und Phasen entstehen, sodass die supraleitenden Eigenschaften der derart hergestellten Beschichtung beeinträchtigt sind. Zudem kann kaum verhindert werden, dass bei der Wärmebehandlung auch Atome aus dem Grundkörper in die Beschichtung hinein diffundieren und sich in der Beschichtung anlagern. Eine Diffusion von Atomen aus dem Grundkörper in die Beschichtung hinein kann mit einer Diffusionsbarriere aus einem geeigneten Material reduziert werden, wobei die Diffusionsbarriere als eine dünne Schicht ausgebildet und zwischen dem Grundkörper und der Beschichtung aus NbsSn angeordnet ist. Diese Diffusionsbarriere behindert jedoch üblicherweise eine für viele Anwendungsfälle vorteilhaft oder sogar notwendige Wärmeabfuhr aus der Beschichtung in den Grundkörper und beeinträchtigt dadurch die Eigenschaften und Verwendungsmöglichkeiten eines derartigen Funktionselements.
Es wird deshalb als eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung angesehen, ein Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung eines Grundkörpers mit einer Beschichtung gemäß der Eingangs genannten Gattung so auszugestalten, dass eine Beschichtung aus zwei verschiedenen Metallen mit einem möglichst homogenen Kristallgitter kostengünstig und zuverlässig hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass während des Sputtervorgangs für das erste Target eine erste Sputterrate und für das zweite Target eine zweite Sputterrate so vorgegeben werden, dass während des Sputtervorgangs die Beschichtung mit einem angestrebten stöchiometrischen Verhältnis der ersten Targetteilchen zu den zweiten Targetteilchen erzeugt wird, und dass der Grundkörper während des Sputtervorgangs mit einer Heizvorrichtung auf eine Beschichtungstemperatur von weniger als sechshundert Grad Celsius erwärmt ist. Es hat sich gezeigt, dass bei einem Sputtervorgang, bei dem gleichzeitig das erste Target und das zweite Target mit den Sputtergasionen beschossen und erste Targetteilchen und zweite Targetteilchen in einem vorgegebenen stöchiometrischen Verhältnis erzeugt werden, eine vergleichsweise homogene Beschichtung des Grundkörpers auf einer Oberfläche des Grundkörpers abgeschieden werden kann.
Die ersten Targetteilchen und die zweiten Targetteilchen lagern sich zunächst zufällig an dem jeweiligen Ort des Auftreffens auf die Oberfläche des Grundkörpers an dem Grundkörper an. Es hat sich gezeigt, dass durch eine Erwärmung des Grundkörpers auf eine Beschichtungstemperatur von weniger als sechshundert Grad Celsius die an der Oberfläche des Grundkörpers angelagerten ersten Targetteilchen und zweiten Targetteilchen durch die Wärmeenergie eine ausreichende Mobilität aufweisen, um die gewünschte A15-Phase zu bilden und im Ergebnis eine homogene Beschichtung mit einem phasenreinen Kristallgitter auf dem Grundkörper anwachsen lassen. Da die auf den Grundkörper auftreffenden ersten Targetteilchen und zweiten Targetteilchen an der Oberfläche vergleichsweise beweglich sind reicht eine Erwärmung auf weniger als sechshundert Grad Celsius aus, um aus den ersten Targetteilchen und den zweiten Targetteilchen auf der Oberfläche die gewünschte A15-Phase zu bilden. Es ist nicht erforderlich, den beschichteten Grundkörper während des Sputtervorgangs oder im Anschluss daran einer Wärmebehandlung mit einer Erhitzung auf über eintausend Grad Celsius zu unterziehen, wie es bei einem aus der Praxis bereits bekannten Beschichtungsverfahren erforderlich ist, bei welchem nacheinander dünne Schichten aus ersten Targetteilchen und anschließend aus zweiten Targetteilchen aufgesputtert werden, die anschließend während der Wärmebehandlung durch Diffusion miteinander kombinieren und die Beschichtung ausbilden.
Bei einer Erwärmung des Grundkörpers während des Sputtervorgangs auf weniger als sechshundert Grad Celsius kann der Grundkörper aus verschiedenen Materialien bestehen, die für verschiedene Funktionselemente, beziehungsweise Anwendungsbereiche der betreffenden Funktionselemente vorteilhaft sind. Ein für viele Anwendungsbereiche vorteilhaftes Material des Grundkörpers ist beispielsweise Kupfer. Bei einer Erwärmung des Grundkörpers aus Kupfer auf weniger als sechshundert Grad Celsius findet keine nennenswerte Diffusion des Kupfermaterials in die sich auf der Oberfläche des Grundkörpers anlagernde Beschichtung statt. Es ist deshalb bei einer Erwärmung des Grundkörpers auf weniger als sechshundert Grad Celsius nicht erforderlich, zwischen dem Grundkörper und der darauf aufgebrachten Beschichtung eine Diffusionsbarriere aus einem geeigneten Material anzuordnen, mit welchem die unerwünschte Diffusion von Kupfer in die Beschichtung reduziert oder nach Möglichkeit weitgehend unterdrückt werden kann.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung des
Erfindungsgedankens ist vorgesehen, dass das erste Material ein erstes Metall ist und dass das zweite Material ein zweites Metall oder ein Metallgemisch ist. Das Metallgemisch kann beispielsweise zwei oder mehr verschiedene Metalle enthalten, die jeweils eine Verbindung mit dem ersten Metall eingehen. Bei der Ausbildung des angestrebten Kristallgitters der Beschichtung können dann die jeweiligen Verbindungen miteinander kombiniert werden und sich gemäß den jeweiligen Anteilen zu einem homogenen Kristallgitter verbinden. Wenn das zweite Material ein zweites Metall ist kann durch eine geeignete Vorgabe der Verfahrensparameter erreicht werden, dass lediglich eine einzige Verbindung des ersten Metalls mit dem zweiten Metall entsteht, sodass ein phasenreines Kristallgitter gebildet wird.
Vorzugsweise ist optional vorgesehen, dass das die ersten Targetteilchen aus dem ersten Material und die zweiten Targetteilchen aus dem zweiten Material eine A15-Phase bilden. Dabei kann erfindungsgemäß das Material des ersten Targets und das Material des zweiten Targets so gewählt werden, dass die aus dem ersten Target und aus dem zweiten Target herausgelösten ersten Targetteilchen und zweiten Targetteilchen eine A15-Phase bilden, die für bestimmte Anwendungsbereiche besonders vorteilhafte Eigenschaften aufweist. In Abhängigkeit von dem ersten Metall und dem zweiten Metall oder Metallgemisch sowie der gewünschten A15- Phase, die aus den Metallen gebildet werden soll, werden die erste Sputterrate und die zweite Sputterrate so vorgegeben, dass das für die Bildung der A15-Phase erforderliche stöchiometrische Verhältnis der ersten Targetteilchen zu den zweiten Targetteilchen vorgegeben wird. Für viele Anwendungen, bei denen eine intermetallische Phase mit einer A15-Struktur eines Typs A3B erzeugt werden soll, ist ein stöchiometrisches Verhältnis von 75% zu 25 % vorteilhaft. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es demzufolge möglich, eine sehr homogene und phasenreine Beschichtung einer A15- Phase unmittelbar auf einer Oberfläche eines Grundkörpers anzuordnen, ohne dass dazwischen eine Diffusionsbarriere ausgebildet werden muss. Damit können Funktionselemente mit einem Grundkörper, beispielsweise aus Kupfer oder aus einem vergleichbar gut wärmeleitenden Material mit einer supraleitenden Beschichtung versehen werden, sodass sich das derart hergestellte Funktionselement wegen der supraleitenden Eigenschaften der Beschichtung für zahlreiche Anwendungsfälle vorteilhaft einsetzen lässt.
Einer Ausgestaltung des Erfindungsgedankens zufolge kann vorgesehen sein, dass während des Sputtervorgangs mindestens ein weiteres drittes Target in der Vakuumkammer angeordnet ist, und dass für jedes weitere dritte Target eine dritte Sputterrate für die Anlagerung von dritten Targetteilchen in der Beschichtung so vorgegeben wird, dass die Beschichtung mit einem angestrebten stöchiometrischen Verhältnis der dritten Targetteilchen zu den ersten und zweiten Targetteilchen erzeugt wird. So kann beispielsweise anstelle eines zweiten Targets mit einem Metallgemisch ein zweites Target mit einem zweiten Metall und zusätzlich ein drittes Target mit einem weiteren dritten Material verwendet werden, sodass alle drei Targets aus reinen Metallen oder Elementen bestehen. Für alle drei Targets kann eine individuelle Sputterrate vorgegeben werden, sodass auch komplexe stöchiometrische Verhältnisse für die angestrebte Beschichtung vorgegeben und erreicht werden können. Auf diese Weise kann beispielsweise eine Beschichtung hergestellt werden, bei der NbsSn und NbsGe zu einem homogenen Kristallgitter kombiniert werden. Vorzugsweise ist vorgesehen, dass der Grundkörper während des Sputtervorgangs auf eine Beschichtungstemperatur zwischen zweihundert Grad Celsius und sechshundert Grad Celsius und besonders vorzugsweise auf eine Beschichtungstemperatur zwischen vierhundert Grad Celsius und fünfhundert Grad Celsius erwärmt ist. Es hat sich gezeigt, dass für viele Materialkombinationen von zwei Metallen, die eine A15-Phase bilden, eine Beschichtungstemperatur zwischen zweihundert Grad Celsius und sechshundert Grad Celsius, beziehungsweise in vielen Fällen zwischen vierhundert Grad Celsius und fünfhundert Grad Celsius ausreicht, um den auf die Oberfläche des Grundkörpers auftreffenden ersten Targetteilchen und zweiten Targetteilchen eine ausreichende Beweglichkeit zu ermöglichen, um die gewünschte A15-Phase mit einem phasenreinen Kristallgitter auszubilden. Durch die im Vergleich zu anderen Beschichtungsverfahren, bei denen nacheinander unterschiedliche Schichten aufgesputtert werden, erforderliche Erwärmung auf eine deutlich geringere Beschichtungstemperatur können unerwünschte Diffusionsprozesse aus dem Grundkörper in die während des Sputtervorgangs allmählich anwachsende Beschichtung oder einzelner Komponenten der Beschichtung in den Grundkörper unterdrückt und gegebenenfalls nahezu vollständig vermieden werden.
Um die Effizienz des Sputtervorgangs zu verbessern, ist es optional vorgesehen, dass während des Sputtervorgangs ein Magnetronsputtern durchgeführt wird. Dabei wird in der Umgebung des ersten Targets sowie in der Umgebung des zweiten Targets jeweils ein zusätzliches Magnetfeld erzeugt, durch welches die Elektronendichte in einem Bereich über der für das Herauslösen von Targetteilchen vorgesehenen Targetoberflächen erhöht wird und aufgrund der dadurch verstärkten Ionisation des Sputtergases in diesem Bereich die Sputterrate des betreffenden Targetmaterials und damit das Schichtwachstum der Beschichtung erhöht werden. Einem Fachmann sind die zur Verfügung stehenden Möglichkeiten für eine effektive Durchführung des Magnetronsputterns und die Optimierung einzelner Verfahrensparameter bekannt.
Einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens zufolge ist optional vorgesehen, dass in einem dem Sputtervorgang vorausgehenden Haftsteigerungsschritt der Grundkörper behandelt wird, um eine Anhaftung der Beschichtung an einer zu beschichtenden Oberfläche des Grundkörpers zu verstärken. Die Oberfläche des Grundkörpers kann dabei chemisch oder physikalisch behandelt werden, beispielsweise durch einen Ätzvorgang oder durch eine Bestrahlung mit Ionenstrahlen oder mit Laserlicht. Auf diese Weise kann ein an die Oberfläche des Grundkörpers angrenzender Bereich des Grundkörpers verändert oder teilweise, bzw. vollständig abgetragen werden. Dadurch können chemische oder physikalische Eigenschaften der Oberfläche so verändert werden, dass die anschließend aufgebrachte Beschichtung deutlich stärker an der Oberfläche anhaftet. Es ist ebenfalls möglich, eine die Haftwirkung verstärkende Haftschicht auf der Oberfläche des Grundkörpers aufzubringen. Die Haftschicht kann als Haftvermittler dienen. Dabei kann der Grundkörper während des Haftungssteigerungsschritts auch gekühlt oder auf eine der Beschichtungstemperatur entsprechende oder geringere, aber gegenüber Raumtemperatur erhöhte Haftungsschritttemperatur erwärmt werden. Gegebenenfalls kann mit dem Haftsteigerungsschritt die für die Beschichtung vorgesehene Oberfläche eines Grundkörpers so verändert werden, dass eine Beschichtung überhaupt erst möglich wird.
Eine einfache Ansteuerung der einzelnen Komponenten, die während eines Sputtervorgangs zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet und betrieben werden, kann gemäß einer Ausgestaltung des Erfindungsgedankens dadurch erreicht werden, dass für die erste Sputterrate und die Sputterrate ein vorgegebenes Sputterleistungsverhältnis vorgegeben wird. Das Sputterleistungsverhältnis kann beispielsweise vorab durch gesonderte Untersuchungen in Abhängigkeit von den verwendeten Targetmaterialien ermittelt werden. Das Sputterleistungsverhältnis als Verhältnis der ersten Sputterrate zur zweiten Sputterrate kann auch in Abhängigkeit von der in einem Einzelfall vorgegebenen Beschichtungstemperatur vorab ermittelt und für die Durchführung des Sputtervorgangs vorgegeben werden. Durch die Vorgabe eines während eines Sputtervorgangs konstant gehaltenen Sputterleistungsverhältnisses können die erste Sputterrate und die zweite Sputterrate während eines Beschichtungsvorgangs verändert werden, um beispielsweise das Schichtwachstum in Abhängigkeit von dem zunehmenden Abstand von der Oberfläche des Grundkörpers zu beschleunigen oder zu verlangsamen, wobei durch das festvorgegebene Sputterleistungsverhältnis das stöchiometrische Verhältnis der ersten Targetteilchen relativ zu den zweiten Targetteilchen konstant gehalten wird und ein homogenes Ausbilden einer A15-Phase mit einem phasenreinen Kristallgitter begünstigt wird. Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, dass das erste Metall Niob ist und das zweite Metall Zinn oder eine Mischung von zwei oder mehr Elementen mit mehr als 50 Molprozent Zinn ist. Durch die Kombination von Niob und Zinn kann eine intermetallische chemische Verbindung und besonders vorteilhaft auch die A15-Phase NbsSn während des Beschichtungsvorgangs erzeugt werden. Das derart hergestellte Beschichtungsmaterial NbsSn weist sehr vorteilhafte supraleitende Eigenschaften auf und ist auch für Anwendungen geeignet, die große Ströme und Magnetfelder erfordern, wie es beispielsweise bei Teilchenbeschleunigern der Fall ist.
Es kann für bestimmte Anwendungen zweckmäßig sein, dass an Stelle einer Kombination von ausschließlich Niob und Zinn, bzw. anstelle einer A15-Phase NbsSn auch eine Beschichtung aus Niob einerseits und einem Gemisch aus Zinn und einem weiteren Element wie beispielsweise Gallium oder Aluminium andererseits erzeugt wird. Die jeweiligen Mengenanteile können durch das für das zweite Material verwendete Gemisch so vorgegeben werden, dass sich eine Beschichtung mit vorteilhaften Eigenschaften ausbildet.
Es ist ebenfalls möglich, an Stelle von zwei Targets aus einem ersten Metall und aus einem zweiten Metallgemisch, die gleichzeitig während des Sputtervorgangs gesputtert werden, drei Targets vorzusehen, deren Material aus einem ersten Metall, aus einem zweiten Metall und aus einem dritten Metall besteht, die gleichzeitig gesputtert werden. Dabei kann über die jeweiligen Sputterraten das stöchiometrische Verhältnis der drei verschiedenen Metalle in der sich ergebenden Beschichtung so vorgegeben werden, dass das gewünschte Beschichtungsmaterial entsteht.
Es hat sich gezeigt, dass eine besonders effektive Bildung der A15-Phase NbsSn mit einem phasenreinen Kristallgitter dadurch begünstigt wird, dass die Sputterrate von Niob der 5,25-fachen Sputterrate von Zinn entspricht. Insbesondere bei einer Beschichtungstemperatur von etwa vierhundertfünfzig Grad Celsius kann bei diesem Sputterleistungsverhältnis eine besonders homogene Beschichtung mit NbsSn erzeugt werden. Für andere Kombinationen von Targetmaterialien kann gegebenenfalls in Abhängigkeit von der gewünschten Beschichtungstemperatur ein hiervon abweichendes Sputterleistungsverhältnis ermittelt und vorgegeben werden.
Es hat sich weiterhin gezeigt, dass für Funktionselemente, die supraleitende Eigenschaften aufweisen und beispielsweise für die Verwendung in Teilchenbeschleunigern vorgesehen und geeignet sind, eine vorangehend beschriebene Beschichtung mit einer Schichtdicke zwischen 200 nm und 5 pm vorteilhaft ist. Die Schichtdicke kann mit den beschriebenen Sputtervorgang in Abhängigkeit von den jeweiligen Anforderungen präzise vorgegeben werden.
Es ist ebenfalls denkbar, dass einer Ausgestaltung des Erfindungsgedankens zufolge die Beschichtung mit einer Schichtenabfolge von mindestens zwei Schichten aus einem Beschichtungsmaterial hergestellt wird, wobei zwischen benachbarten Schichten aus einem supraleitenden Beschichtungsmaterial jeweils eine Trennschicht aus einem anderen und nicht supraleitenden Material angeordnet wird. Durch die Trennschicht können zwei Schichten aus dem Beschichtungsmaterial voneinander getrennt werden, um durch eine derartige Schichtenabfolge besonders vorteilhafte Eigenschaften der Beschichtung zu ermöglichen oder zu verstärken. Dabei können insbesondere durch eine Abfolge von zwei oder mehr dünnen Schichten aus einem supraleitenden Beschichtungsmaterial, die voneinander durch eine Trennschicht aus einem nicht supraleitenden Material voneinander getrennt sind, die praxisrelevanten elektrischen Leitungseigenschaften verbessert werden und dadurch die Verwendung des derart beschichteten Grundkörpers als Funktionselement beispielsweise bei Teilchenbeschleunigern oder bei supraleitenden Kabeln ermöglicht oder begünstigt werden.
Die Trennschicht kann aus einem Isolatormaterial wie beispielsweise Kunststoff bestehen und mit üblichen Beschichtungsverfahren auf eine Schicht aus einem supraleitenden Beschichtungsmaterial aufgebracht werden, die ihrerseits durch Sputtern aufgebracht wurde. Es ist ebenfalls denkbar, dass die Trennschicht aus einem elektrisch leitenden Material wie beispielsweise aus einem Metall oder einer metallischen Verbindung hergestellt wird, welches jedoch zumindest bei Bedingungen, bei denen das
Beschichtungsmaterial supraleitende Eigenschaften aufweist, keine supraleitenden Eigenschaften aufweist. Eine Trennschicht aus einem metallischen Material kann ebenfalls durch einen Sputtervorgang aufgebracht werden. Eine Trennschicht aus einem metallischen Material weist üblicherweise ein hohes Wärmeleitvermögen auf, wodurch bei einigen Anwendungen eine sehr vorteilhafte Wärmeleitfähigkeit des beschichteten Grundkörpers erreicht werden kann. Dabei werden hochschmelzende Metalle wie beispielsweise Tantal, Molybdän oder Wolfram auch auf Grund der hohen Wärmeleitfähigkeit als vorteilhafte Materialien für eine Trennschicht angesehen. Denkbar ist auch, dass das Material der Trennschicht mit dem Material übereinstimmt, aus welchem der Grundkörper besteht.
Gemäß einer als besonders vorteilhaft erachteten Ausgestaltung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, dass als Trennschicht eine Keramikschicht und vorzugsweise eine Schicht aus Aluminiumnitridkeramik aufgebracht wird. Eine Aluminiumnitridkeramik weist eine besonders hohe Wärmeleitfähigkeit auf und ist im Gegensatz zu Metallen elektrisch schlecht leitend. Eine Schicht aus Aluminiumnitridkeramik kann ebenfalls durch einen Sputtervorgang auf einem zuvor mit einem supraleitenden Beschichtungsmaterial beschichteten Grundkörper aufgebracht werden. Da zu diesem Zweck lediglich die Targets ausgetauscht werden müssen kann eine aus mehreren Schichten bestehende Beschichtung mit mehreren Schichten aus supraleitendem Beschichtungsmaterial und mit einer oder mehreren Schichten aus Aluminiumnitridkeramik nahezu unterbrechungsfrei und ohne größere Umrüstzeiten mit dem erfindungsgemäßen Sputterverfahren hergestellt werden. Durch die Beschichtung eines Grundkörpers mit einer derartigen Beschichtung können Funktionselemente mit besonders vorteilhaften supraleitenden Eigenschaften in Verbindung mit einer sehr hohen Wärmeleitfähigkeit im Bereich der supraleitenden Beschichtung und in dem Grundkörper ermöglicht und hergestellt werden.
Für die Herstellung verschiedener Funktionselemente mit einer Ausnehmung oder mit einem Hohlraum ist es vorteilhaft oder sogar notwendig, dass eine Innenwand der Ausnehmung oder des Hohlraums mit einer Beschichtung versehen wird. Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung des Erfindungsgedankens ist deshalb vorgesehen, dass das erste Target und das zweite Target in einer Ausnehmung oder in einem von außen zugänglichen Hohlraum eines Grundkörpers angeordnet werden und dass eine die Ausnehmung oder den Hohlraum begrenzende Innenwand des Grundkörpers in dem Sputtervorgang beschichtet wird. Da die zu beschichtende Innenwand der Ausnehmung oder des Hohlraums die Targets umgibt, lagern sich nahezu alle bei dem Sputtervorgang aus den Targets herausgelösten Targetteilchen auf der zu beschichtenden Innenfläche des Grundkörpers an und bilden die angestrebte Beschichtung. Dadurch kann der Sputtervorgang besonders effektiv und wirtschaftlich durchgeführt werden.
Optional kann zudem vorgesehen sein, dass der Grundkörper einerseits sowie das erste und zweite Target andererseits während des Sputtervorgangs relativ zueinander verlagert werden. So kann beispielsweise der die Targets umgebende Grundkörper in eine Rotationsbewegung versetzt werden, während der Sputtervorgang durchgeführt wird. Es ist ebenfalls denkbar, dass die Targets an einem drehbar oder beweglich gelagerten Targethalter festgelegt sind und der Targethalter relativ zu dem Grundkörper verlagert wird. Weiterhin ist es ebenfalls möglich, dass sowohl der Grundkörper als auch die Targets gleichzeitig verlagert werden, um beispielsweise komplexe Bewegungsabläufe relativ zueinander möglichst einfach realisieren zu können. Dadurch können eine sehr kurze Verfahrensdauer für den Sputtervorgang und eine sehr gleichmäßige Ausbildung der gesputterten Beschichtung ermöglicht werden. Nicht für eine Beschichtung vorgesehene Bereiche der Innenwand der Ausnehmung oder des Hohlraums können vor der Durchführung des Sputtervorgangs abgedeckt werden.
Die Erfindung betrifft auch ein Funktionselement mit einem Grundkörper mit einer Beschichtung aus einer A15-Phase. Es sind zahlreiche verschiedene Anwendungsbereiche aus der Praxis bekannt, bei denen ein Funktionselement einen Grundkörper und eine darauf aufgebrachte Beschichtung aus einer A15-Phase, wie beispielsweise NbsSn, aufweisen kann.
Ein derartiges Funktionselement könnte beispielsweise als Ersatz für ein Funktionselement dienen, welches vollständig aus einem einheitlichen, jedoch kostenintensiven Material hergestellt ist. Ein praktisches Beispiel für ein derartiges Funktionselement ist eine Kavität eines Teilchenbeschleunigers. Derartige Kavitäten werden üblicherweise aus hochreinem Niob hergestellt, wodurch hohe Material- und Herstellungskosten anfallen. Es hat sich gezeigt, dass für viele Anwendungen und insbesondere für Kavitäten eines Teilchenbeschleunigers auch Funktionselemente geeignet sind, bei denen ein Grundkörper mit einer Beschichtung aus einer supraleitenden A15-Phase und insbesondere mit einer Beschichtung NbsSn geeignet sind. Allerdings sind die bislang bekannten Herstellungsverfahren für derartige Funktionselemente kostenintensiv und im Ergebnis unbefriedigend.
Es wird deshalb als eine weitere Aufgabe der Erfindung angesehen, ein Funktionselement so auszugestalten, dass es kostengünstig herstellbar ist und für die Verwendung beispielsweise als Kavität in einem Teilchenbeschleuniger geeignete Eigenschaften aufweist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Beschichtung unmittelbar auf einer Oberfläche des Grundkörpers mit einem vorangehend beschriebenen Sputterverfahren hergestellt ist. Durch die Verwendung des erfindungsgemäßen Sputterverfahrens kann auf die Anordnung einer Diffusionsbarriere zwischen dem Grundkörper und der Beschichtung verzichtet werden. Eine geeignete Diffusionsbarriere hat nicht nur die gewünschte Eigenschaft, während der Herstellung der Beschichtung oder während einer anschließend gegebenenfalls erforderlichen Wärmebehandlung die unerwünschte Diffusion von Teilchen aus dem Grundkörper in die Beschichtung hinein zu verhindern, sondern stellt während der bestimmungsgemäßen Verwendung des Funktionselements auch eine vergleichsweise effektive, aber unerwünschte Barriere für einen Wärmetransport dar. Durch den Verzicht auf eine derartige Diffusionsbarriere wird ein Wärmeaustausch zwischen der Beschichtung und dem Grundkörper verbessert und dadurch die Eignung eines derartigen Funktionselements für verschiedene Anwendungsbereiche verbessert .
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung des
Erfindungsgedankens ist vorgesehen, dass der Grundkörper aus Kupfer ist. Kupfer ist ein vergleichsweise kostengünstiges Material, das eine hohe elektrische Leitfähigkeit sowie eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, was für viele Anwendungsbereiche von derartigen Funktionselementen vorteilhaft ist. Kupfer lässt sich zudem in einfacher Weise bearbeiten, sodass eine kostengünstige Herstellung des Grundkörpers auch bei komplexen Formgebungen begünstigt wird. Für viele Anwendungsbereiche beispielsweise im Zusammenhang mit Teilchenbeschleunigern oder mit supraleitenden Motoren oder Generatoren kann es vorteilhaft sein, dass eine Innenwand einer Ausnehmung oder eines Hohlraums in dem Grundkörper mit einer supraleitenden Beschichtung beschichtet ist. Optional ist deshalb vorgesehen, dass die Beschichtung eine Innenwand einer Ausnehmung oder eines Hohlraums des Grundkörpers teilweise oder vollständig bedeckt.
Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, dass das Funktionselement eine Kavität für einen Beschleuniger. Eine Kavität, die als Funktionselement in einem Teilchenbeschleuniger eingesetzt werden kann, weist üblicherweise eine rotationssymmetrische Formgebung mit einem durchgehenden Hohlraum auf. Dieser Hohlraum kann mit einer erfindungsgemäßen supraleitenden Beschichtung beschichtet sein. Eine derartige Kavität kann besonders kostengünstig hergestellt werden und weist die für eine Verwendung in einem Teilchenbeschleuniger erforderlichen supraleitenden bzw. elektrisch leitenden und wärmeleitenden Eigenschaften auf.
Eine weitere und ebenfalls vorteilhafte
Verwendungsmöglichkeit für erfindungsgemäß beschichtete Grundkörper betrifft supraleitende Motoren oder Generatoren, wobei das Funktionselement ein supraleitendes Kabel oder ein supraleitendes Leitungselement für Magnetspulen sein kann. So können beispielsweise Kupferfolien oder Kupferbänder mit einer erfindungsgemäßen Beschichtung beispielsweise mit NbsSn mit supraleitenden Eigenschaften versehen werden, um dann Verwendung als supraleitende Magnetspulen in sehr effizient nutzbaren supraleitenden Motoren oder Generatoren zu finden. Die Kupferfolien oder Kupferbänder oder entsprechende Funktionselemente mit einem Grundkörper aus einem anderen geeigneten Material können mit üblichen Verfahren in die gewünschte Formgebung verformt werden. Die supraleitende Beschichtung kann in einfacher Weise mit dem erfindungsgemäßen Sputterverfahren aufgebracht werden.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele des Erfindungsgedankens näher erläutert, die in der Zeichnung schematisch dargestellt sind. Es zeigt:
Figur 1 einen schematischen Aufbau einer Vorrichtung, mit welcher das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung durchgeführt werden kann,
Figur 2 eine schematische Darstellung von Messergebnissen einer Röntgendiffraktometriemessung einer bei einer Beschichtungstemperatur von vierhundertfünfunddreißig Grad Celsius hergestellten Beschichtung mit NbsSn, wobei die Intensität der gestreuten Röntgenstrahlung über dem Beugungswinkel zwei Theta dargestellt ist,
Figur 3 Messerwerte des elektrischen Widerstands der in Figur 2 vermessenen Beschichtung in einem Temperaturbereich zwischen zwölf Grad Kelvin und zwanzig Grad Kelvin, normiert auf den elektrischen Widerstand bei zwanzig Grad Kelvin,
Figur 4 eine schematische Darstellung eines Teilbereichs eines erfindungsgemäßen Funktionselements mit einem Grundkörper und einer unmittelbar auf einer Oberfläche des Grundkörpers angeordneten Beschichtung, Figur 5 eine schematische Schnittansicht eines Teilbereichs des beschichteten Grundkörpers wie in Figur 4, wobei ein an die Oberfläche angrenzender Bereich des Grundkörpers in einem Haftsteigerungsschritt behandelt und verändert wurde, um die Haftwirkung für die darauf aufgebrachte Beschichtung zu erhöhen,
Figur 6 eine schematischen Schnittansicht eines Teilbereichs des beschichteten Grundkörpers wie in den Figuren 4 und 5, wobei die Beschichtung aus einer Schichtenabfolge besteht, und
Figur 7 eine schematische Schnittansicht durch einen Hohlraum eines Grundkörpers, in welchem während der Durchführung des Sputtervorgangs zwei Targets angeordnet sind.
In Figur 1 ist exemplarisch eine Vorrichtung 1 dargestellt, mit welcher ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Beschichten eines Grundkörpers 2 mit einer Beschichtung aus einer A15- Phase durchgeführt werden kann. In einer Beschichtungskammer 3, in welcher ein Vakuum erzeugt werden kann, sind ein erstes Target 4 aus einem ersten Targetmaterial und ein zweites Target 5 aus einem zweiten Targetmaterial nebeneinander angeordnet. Das Targetmaterial des ersten Targets 4 ist ein erstes Metall, nämlich Niob (Nb). Das Targetmaterial des zweiten Targets 5 ist ein zweites Metall, nämlich Zinn (Sn).
Gegenüber von den beiden Targets 4, 5 ist der Grundkörper 2 aus Kupfer angeordnet, wobei eine den beiden Targets 4, 5 zugewandte Oberfläche 6 des Grundkörpers 2 beschichtet werden soll. Der Grundkörper 2 kann während eines Sputtervorgangs von einer Rückseite 7 aus mit einer Heizvorrichtung 8 auf eine vorgebbare Beschichtungstemperatur erwärmt werden. Bei den nachfolgend wiedergegebenen Ausführungsbeispielen beträgt die für den betreffenden Beschichtungsvorgang vorgegebene Beschichtungstemperatur 435 °C.
Die Beschichtungskammer 3 weist einen Einlass 9 für ein geeignetes Sputtergas auf, welches beispielsweise ein Edelgas und vorzugsweise Argon sein kann. Das Sputtergas kann bereits vorab ionisiert worden sein oder aber in der
Beschichtungskammer 3 ionisiert werden. Die beiden Targets 4, 5 sowie der Grundkörper 2 können jeweils auf ein individuell vorgebbares elektrisches Potential gebracht werden, sodass sich ein elektrisches Feld in der Beschichtungskammer 3 ausbildet, welches positiv geladene Sputtergasionen 16 in Richtung der beiden Targets 4, 5 hin beschleunigt. Durch die Vorgabe einer ausreichend hohen Potentialdifferenz können die Sputtergasionen 16 auf dem Weg zu dem ersten Target 4 oder zu dem zweiten Target 5 ausreichend beschleunigt werden, um bei deren Auftreffen auf das erste Target 4 erste Targetteilchen 10 herauszulösen, bzw. um bei deren Auftreffen auf das zweite Target 5 zweite Targetteilchen 11 herauszulösen. Durch eine geeignete Vorgabe der jeweiligen elektrischen Potentiale und damit der Potentialdifferenzen, welche die Sputtergasionen 16 auf dem Weg zu dem ersten bzw. zweiten Target 4, 5 durchlaufen, können die jeweiligen Sputterraten des ersten Targets 4 und des zweiten Targets 5 beeinflusst und vorgegeben werden. Die durch den Beschuss mit Sputtergasionen 16 herausgelösten ersten und zweiten Targetteilchen 10, 11 lagern sich unter anderem an der Oberfläche 6 des Grundkörpers 2 an. Durch einen Auslass 12 können Sputtergasionen 16, verbrauchte Sputtergasteilchen oder Targetteilchen 10, 11, die aus dem ersten Target 4 oder aus dem zweiten Target 5 herausgelöst wurden und sich nicht an einer Oberfläche anlagern, aus der Beschichtungskammer 3 abgeführt werden.
Mit einer geeigneten Magnetfelderzeugungsvorrichtung 13 wird in einem Bereich zwischen den beiden Targets 4, 5 und dem Grundkörper 2 in der unmittelbaren Umgebung der beiden Targets 4, 5 jeweils ein Magnetfeld erzeugt, durch welches freie Elektronen in einem Bereich über einer jeweiligen Oberfläche 14, 15 der beiden Targets 4, 5 konzentriert werden. Dadurch kann die Dichte der auf das jeweilige Target 4, 5 auftreffenden Sputtergasionen 16 und damit die Sputterraten für das erste Target 4 und für das zweite Target 5 beeinflusst werden.
Die durch die Sputtergasionen 16 aus dem ersten Target 4 herausgelösten ersten Targetteilchen 10 und aus dem zweiten Target 5 herausgelösten zweiten Targetteilchen 11 lagern sich an der Oberfläche 6 des mit der Heizvorrichtung 8 erwärmten Grundkörpers 2 an. Durch die Wärmeenergie des erwärmten Grundkörpers 2 wird ausreichend Energie auf die sich anlagernden Targetteilchen 10, 11 übertragen, sodass diese entlang der Oberfläche 6 wandern und zu der gewünschten A15- Phase reagieren können. Bei dem exemplarisch dargestellten Ausführungsbeispiel reagieren die an der Oberfläche 6 angelagerten ersten Targetteilchen 10 aus Niob mit den zweiten Targetteilchen 11 aus Zinn zu der intermetallischen Phase NbsSn. Dabei wird eine sehr homogene Beschichtung mit einem phasenreinen Kristallgitter erzeugt.
In Figur 2 ist das Messergebnis einer
Röntgendiffraktometriemessung einer mit dem vorausgehend beschriebenen Verfahren in der exemplarisch dargestellten Vorrichtung 1 hergestellten Beschichtung aus NbsSn dargestellt. Dabei ist die Intensität I der an der Beschichtung gestreuten Röntgenstrahlung in einer beliebigen Einheit in Abhängigkeit von dem jeweiligen Beugungswinkel 2Q über einen Bereich des Beugungswinkels 2Q zwischen 30° und 90° dargestellt. Mit der Messung konnten ausschließlich charakteristischen Beugungspeaks von NbsSn nachgewiesen werden, die bei den jeweils durch eine gestrichelte Linie mit einem abschließenden Dreieck angedeuteten Beugungswinkeln 2Q aufgetreten sind. Andere ebenfalls mögliche Verbindungen von Niob und Zinn wie beispielsweise NbSn2 oder Nb2Sn5 konnten dagegen ebenso wie reines Niob oder reines Zinn nicht nachgewiesen werden. Das Messergebnis bestätigt demzufolge, dass mit dem erfindungsgemäßen Verfahren die gewünschte Beschichtung des Grundkörpers 2 mit dem supraleitenden Material NbsSn mit einem sehr phasenreinen Kristallgitter erzeugt werden konnte.
In Figur 3 ist für die in Figur 2 mit der
Röntgendiffraktometrie vermessene Beschichtung aus NbsSn der elektrische Widerstand R in Abhängigkeit von der Temperatur T dargestellt, wobei der elektrische Widerstand R auf den gemessenen Widerstandswert R(20K) bei einer Temperatur T von 20 K normiert ist. Es zeigt sich, dass die Beschichtung bei einer Temperatur T unterhalb von etwa 15.3 K supraleitende Eigenschaften und einen verschwindend geringen normierten Widerstand R/R(20K) aufweist. Die Sprungtemperatur, oberhalb der die supraleitende Eigenschaft verschwindet, beträgt etwa 16.3 K und ist nahe an der höchsten jemals für ein Bulkmaterial bzw. für einen Festkörper mit vergleichsweise großen Abmessungen nachgewiesenen Sprungtemperatur von 18.3 K für dieses Beschichtungsmaterial. Auch diese Messung belegt, dass mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine qualitativ hochwertige Beschichtung aus NbsSn mit einem phasenreinen Kristallgitter hergestellt werden konnte.
In Figur 4 ist exemplarisch ein Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Funktionselements 17 dargestellt. Unmittelbar auf der Oberfläche 6 des Grundkörpers 2, der bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel aus Kupfer besteht, ist eine Beschichtung 18 aus NbsSn aufgebracht. Im Gegensatz zu den mit herkömmlichen Methoden hergestellten Funktionselementen mit einer derartigen Beschichtung ist zwischen der Oberfläche 6 des Grundkörpers 2 und der Beschichtung 18 keine gesonderte Diffusionsbarriere angeordnet. Dadurch wird eine sehr effektive Wärmeübertragung von dem Grundkörper 2 in die Beschichtung 18 und umgekehrt begünstigt, welche für zahlreiche Anwendungen derartiger Funktionselemente 17 vorteilhaft ist.
Bei dem in Figur 5 dargestellten Ausführungsbeispiel wurde die zu beschichtende Oberfläche 6 des Grundkörpers 2 in einem dem Sputtervorgang vorausgehenden Haftsteigerungsschritt durch einen Ätzvorgang behandelt und dadurch ein an die Oberfläche 6 angrenzender Bereich 19 des Grundkörpers 2 so verändert, dass die anschließend auf die Oberfläche 6 aufgebrachte Beschichtung 18 stärker anhaftet.
Bei dem in Figur 6 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Beschichtung 18 eine Schichtenabfolge auf, die aus zwei Schichten 20, 21 aus einem supraleitenden Beschichtungsmaterial besteht, zwischen denen eine Trennschicht 22 aus einem nicht supraleitenden Metall angeordnet ist. Die beiden Schichten 20, 21 sind jeweils mit dem erfindungsgemäßen Sputterverfahren aufgebracht worden.
Die Trennschicht 22 kann ebenfalls mit einem Sputterverfahren oder aber mit einem beliebigen konventionellen Beschichtungsverfahren aufgebracht sein. Dabei können die jeweils außenliegenden und anschließend von einer darauf aufgebrachten Schicht 20, 21, 22 bedeckten Flächen jeweils in einem Haftsteigerungsschritt behandelt und dadurch die Haftwirkung für die nachfolgend aufgebrachte Schicht 20, 21, 22 verbessert werden.
In Figur 7 ist lediglich schematisch ein Ausführungsbeispiel für einen Grundkörper 2 mit einem Hohlraum 23 dargestellt, wobei eine Innenwand 24 des Hohlraums 23 in dem Grundkörper 2 während des Sputtervorgangs mit der Beschichtung 18 versehen wird. Zu diesem Zweck sind das erste Target 4 und das zweite Target 5 sowie die zugeordneten Komponenten der Magnetfelderzeugungsvorrichtung 13 während des Sputtervorgangs in dem Hohlraum 23 des Grundkörpers 2 angeordnet. Zusätzlich kann während des Sputtervorgangs eine lediglich exemplarisch mit einem Pfeil 25 angedeutete Relativbewegung zwischen dem Grundkörper 2 und den in dem Hohlraum 23 des Grundkörpers 2 angeordneten ersten und zweiten Target 4, 5 bewirkt werden. So kann beispielsweise der Grundkörper 2 um das jeweils ortsfest an einer nicht dargestellten Targethalterung, die in den Hohlraum 23 des Grundkörpers 2 ragt, festgelegte erste und zweite Target 4, 5 rotieren, um möglichst rasch eine möglichst gleichmäßige Beschichtung 18 der Innenwand 24 des Hohlraums 23 in dem Grundkörper 2 zu erzeugen.

Claims

PA T E N TA N S P R Ü C H E
1. Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung (18) eines Grundkörpers (2) mit einer Beschichtung (18) aus einem ersten Material und aus einem zweiten Material, wobei ein erstes Target (4) aus dem ersten Material und ein zweites Target (5) aus dem zweiten Material in einer Vakuumkammer angeordnet sind, wobei ein zu beschichtender Grundkörper (2) in der Vakuumkammer angeordnet ist, wobei ein Sputtergas in die Vakuumkammer eingebracht wird und wobei während eines Sputtervorgangs mit Sputtergasionen (16) erste Targetteilchen (10) aus dem ersten Target (4) herausgelöst und als Beschichtungsteilchen an dem Grundkörper (2) angelagert werden sowie zweite Targetteilchen (11) aus dem zweiten Target (5) herausgelöst und als Beschichtungsteilchen an dem Grundkörper (2) angelagert werden, dadurch gekennzeichnet, dass während des Sputtervorgangs für das erste Target (4) eine erste Sputterrate und für das zweite Target (5) eine zweite Sputterrate so vorgegeben werden, dass während des Sputtervorgangs die Beschichtung (18) mit einem angestrebten stöchiometrischen Verhältnis der ersten Targetteilchen (10) zu den zweiten Targetteilchen (11) erzeugt wird, und dass der Grundkörper (2) während des Sputtervorgangs mit einer Heizvorrichtung (8) auf eine Beschichtungstemperatur von weniger als 600° C erwärmt ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Material ein erstes Metall ist und dass das zweite Material ein zweites Metall oder ein Metallgemisch ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das die ersten Targetteilchen (10) aus dem ersten Material und die zweiten Targetteilchen (11) aus dem zweiten Material eine A15-Phase bilden.
4. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während des Sputtervorgangs mindestens ein weiteres drittes Target in der Vakuumkammer angeordnet ist, und dass für jedes weitere dritte Target eine dritte Sputterrate für die Anlagerung von dritten Targetteilchen in der Beschichtung so vorgegeben wird, dass die Beschichtung mit einem angestrebten stöchiometrischen Verhältnis der dritten Targetteilchen zu den ersten und zweiten Targetteilchen (10, 11) erzeugt wird.
5. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper (2) während des Sputtervorgangs auf eine Beschichtungstemperatur zwischen 200° C und 600° C und vorzugsweise auf eine Beschichtungstemperatur zwischen 400° C und 500°C erwärmt ist.
6. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während des Sputtervorgangs ein Magnetronsputtern durchgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einem dem Sputtervorgang vorausgehenden Haftsteigerungsschritt der Grundkörper (2) behandelt wird, um eine Anhaftung der Beschichtung (18) an einer zu beschichtenden Oberfläche (6) des Grundkörpers (2) zu verstärken.
8. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für die erste Sputterrate und die zweite Sputterrate ein vorgegebenes Sputterleistungsverhältnis vorgegeben wird.
9. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Material Niob ist und das zweite Material Zinn oder eine Mischung von zwei oder mehr Elementen mit mehr als 50 Molprozent Zinn ist.
10. Verfahren nach Anspruch 8 und Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Sputterrate von Niob der 5,25-fachen Sputterrate von dem zweiten Material entspricht.
11. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (18) mit einer Schichtenabfolge von mindestens zwei Schichten (20, 21) aus einem Beschichtungsmaterial hergestellt wird, wobei zwischen benachbarten Schichten (20, 21) aus einem supraleitenden Beschichtungsmaterial jeweils eine Trennschicht (22) aus einem anderen und nicht supraleitenden Material angeordnet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass als Trennschicht (22) eine Keramikschicht und vorzugsweise eine Schicht aus Aluminiumnitridkeramik aufgebracht wird.
13. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, wobei das erste Target (4) und das zweite Target (5) in einer Ausnehmung oder in einem von außen zugänglichen Hohlraum (23) des Grundkörpers (2) angeordnet werden und dass eine die Ausnehmung oder den Hohlraum (23) begrenzende Innenwand (24) des Grundkörpers (2) in dem Sputtervorgang beschichtet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper (2) einerseits sowie das erste und zweite Target (4, 5) andererseits während des Sputtervorgangs relativ zueinander verlagert werden.
15. Funktionselement (17) mit einem Grundkörper (2) mit einer Beschichtung (18) aus einer A15-Phase, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (18) unmittelbar auf einer Oberfläche (6) des Grundkörpers (2) mit einem Sputterverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14 hergestellt ist.
16. Funktionselement (17) nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper (2) aus Kupfer ist.
17. Funktionselement (17) nach Anspruch 15 oder Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper (2) eine Ausnehmung oder einen Hohlraum (23) aufweist und die Beschichtung (18) eine Innenwand (24) der Ausnehmung oder des Hohlraums (23) teilweise oder vollständig bedeckt.
18. Funktionselement (17) nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement (17) eine Kavität für einen Beschleuniger ist
19. Funktionselement (17) nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Funktionselement (17) ein supraleitendes Kabel oder ein supraleitendes Leitungselement für Magnetspulen ist.
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