JPS60251198A - 超伝導膜の製造方法 - Google Patents
超伝導膜の製造方法Info
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- JPS60251198A JPS60251198A JP59106512A JP10651284A JPS60251198A JP S60251198 A JPS60251198 A JP S60251198A JP 59106512 A JP59106512 A JP 59106512A JP 10651284 A JP10651284 A JP 10651284A JP S60251198 A JPS60251198 A JP S60251198A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明線、常温常圧下においては熱平衡状態で存在しな
い熱的非平衡相の高ＴＣ（超伝導転移臨界温度）を有す
るＡ１５Ｎｂ−Ｘ化合物（Ｘ＝Ｓｉするい番ユＧｅ ）
膜の製造において、熱的平衡相の析出を抑制し、Ａ１５
相の結晶成長を促進させる製造方法に関するものである
。
い熱的非平衡相の高ＴＣ（超伝導転移臨界温度）を有す
るＡ１５Ｎｂ−Ｘ化合物（Ｘ＝Ｓｉするい番ユＧｅ ）
膜の製造において、熱的平衡相の析出を抑制し、Ａ１５
相の結晶成長を促進させる製造方法に関するものである
。
〈従来技術〉
ＡＬ５構造Ｎ’ｂ ａ Ｑｅは、現存する物質では最高
の超伝導転移温度’ｌ’ｃ（〜２３１＜） ｔ−示す物
質として知られている。またＡ Ｉ ５ Ｎｂｓ Ｓｉ
は、完全秩序度を有する化学量論組成（Ｎｂ−２５ａｔ
ｓｓ； ）のＡ１５相が合′成できればＡ １５ Ｎｂ
３Ｇｅ ＠凌ぐ２５〜３５にの高Ｔｃが得られると予測
されている物質である。ここでＡｌ５ｍ結晶構造をＮ１
図に示す。１“Ｃと格子定数ａＱは現象論的に密接に関
係しており、同一組成のＡ １５ Ｎｂ−Ｘにおいては
、ＴＣはａｇの減少と共に上昇する。Ｎｂ −Ｇｅ２元
平衡状態図においては、Ａ１５相は〜１８６５℃におけ
る２ ３ ａｔ％ＱｅがＱｅの固溶限であシ、最高ＴＣ
ヲ示すＡ １５ Ｎｂ３Ｇｅ （Ｎｂ−２５ａｔＧｅ
）は熱的平衡には存在しない。そのため、スパッタリン
グ、蒸着法などの非平衡合成手法によル高’ｌ’ｃ Ａ
１５ Ｎｂ５Ｇｅが製造されている。一方、Ｎｂ−８
１２元平衡状態図においてはＡ１５相は全く存在せず、
スパッタリング、Ｍ着、爆縮、超高圧法などの非平衡合
成手法によｊＤＡｌ ５相は合成できるものの、Ａ１５
相単相が得られるＳｉの固溶限は２１ａｔ％前後にとど
まってお９、’ｌ’ｃもＩＯＫ以下と低い。
の超伝導転移温度’ｌ’ｃ（〜２３１＜） ｔ−示す物
質として知られている。またＡ Ｉ ５ Ｎｂｓ Ｓｉ
は、完全秩序度を有する化学量論組成（Ｎｂ−２５ａｔ
ｓｓ； ）のＡ１５相が合′成できればＡ １５ Ｎｂ
３Ｇｅ ＠凌ぐ２５〜３５にの高Ｔｃが得られると予測
されている物質である。ここでＡｌ５ｍ結晶構造をＮ１
図に示す。１“Ｃと格子定数ａＱは現象論的に密接に関
係しており、同一組成のＡ １５ Ｎｂ−Ｘにおいては
、ＴＣはａｇの減少と共に上昇する。Ｎｂ −Ｇｅ２元
平衡状態図においては、Ａ１５相は〜１８６５℃におけ
る２ ３ ａｔ％ＱｅがＱｅの固溶限であシ、最高ＴＣ
ヲ示すＡ １５ Ｎｂ３Ｇｅ （Ｎｂ−２５ａｔＧｅ
）は熱的平衡には存在しない。そのため、スパッタリン
グ、蒸着法などの非平衡合成手法によル高’ｌ’ｃ Ａ
１５ Ｎｂ５Ｇｅが製造されている。一方、Ｎｂ−８
１２元平衡状態図においてはＡ１５相は全く存在せず、
スパッタリング、Ｍ着、爆縮、超高圧法などの非平衡合
成手法によｊＤＡｌ ５相は合成できるものの、Ａ１５
相単相が得られるＳｉの固溶限は２１ａｔ％前後にとど
まってお９、’ｌ’ｃもＩＯＫ以下と低い。
熱平衡的に存在しないＡ１５相の晶出機構としては、こ
れまで多（の研究がなされて来ておル、次のような機構
で進行すると考えられている。堆積初期には原子置換に
よる結晶の乱れ（ａｎｔｉ−ｓｉｔｅ ｄｉｓｏｒｄｅ
ｒｉ Ｎｂ 、 Ｘ原子がそれぞれ第１図のＯｌ・位置
を占めずにＮｂ ｓｕｅ ＶｃＸ原子が、Ｘ ｓ ｉ
ｔｅ Ｋ Ｎｂ原子が入シ混じること）のため格子定数
ａＯが太きく ＴＣの低いＡ１５相が先ず形成され、堆
積が進行すると共に上記原子置換による結晶の乱れが減
少して行き、ａ、）の減少、ＴＣの上昇が生ずる。この
過程はホモエピタキシャル成長と呼ばれている。第２図
にＡ １５ Ｎｂ５Ｇｅの膜厚によるａｏ＋Ｔｃの変化
を示す。従来の研究によれば、堆積初期にａｏの大きな
Ａ１５相が晶出するには０２のとり込みが不可欠であ夛
、さらに積極的に０２を膜成長雰囲気に導入することに
よりＡ１５相の成長全促進し、平衡相の晶出全抑制する
効果のあることが知られている。０２の供給源としては
、（１）残留ガス中の０２．（２Ｊ基板表面の酸化膜、
（３）膜成長雰囲気への０２ガスの導入がある。しかし
、上記（１） 、 （２）の場合には０２ドーピングの
制御性に乏しい。また上記（３）の場合には多層に種々
の薄膜を形成する場合、余分な不純物０２の混入を極力
抑える必要のある電極膜（Ｎｂなと）の形成や清浄表面
を形成するためのスパッタクリーニングなどにおいては
、Ａ１５Ｎｂ−Ｘ膜の形成時に導入した０２を排気して
取除く必要がある。しかし、ベルジャ壁に吸着された０
２ｒａ、除去され難く、排気後も膜形成時の温度上昇な
どにより放出され膜特性の低下をもたらす原因となる。
れまで多（の研究がなされて来ておル、次のような機構
で進行すると考えられている。堆積初期には原子置換に
よる結晶の乱れ（ａｎｔｉ−ｓｉｔｅ ｄｉｓｏｒｄｅ
ｒｉ Ｎｂ 、 Ｘ原子がそれぞれ第１図のＯｌ・位置
を占めずにＮｂ ｓｕｅ ＶｃＸ原子が、Ｘ ｓ ｉ
ｔｅ Ｋ Ｎｂ原子が入シ混じること）のため格子定数
ａＯが太きく ＴＣの低いＡ１５相が先ず形成され、堆
積が進行すると共に上記原子置換による結晶の乱れが減
少して行き、ａ、）の減少、ＴＣの上昇が生ずる。この
過程はホモエピタキシャル成長と呼ばれている。第２図
にＡ １５ Ｎｂ５Ｇｅの膜厚によるａｏ＋Ｔｃの変化
を示す。従来の研究によれば、堆積初期にａｏの大きな
Ａ１５相が晶出するには０２のとり込みが不可欠であ夛
、さらに積極的に０２を膜成長雰囲気に導入することに
よりＡ１５相の成長全促進し、平衡相の晶出全抑制する
効果のあることが知られている。０２の供給源としては
、（１）残留ガス中の０２．（２Ｊ基板表面の酸化膜、
（３）膜成長雰囲気への０２ガスの導入がある。しかし
、上記（１） 、 （２）の場合には０２ドーピングの
制御性に乏しい。また上記（３）の場合には多層に種々
の薄膜を形成する場合、余分な不純物０２の混入を極力
抑える必要のある電極膜（Ｎｂなと）の形成や清浄表面
を形成するためのスパッタクリーニングなどにおいては
、Ａ１５Ｎｂ−Ｘ膜の形成時に導入した０２を排気して
取除く必要がある。しかし、ベルジャ壁に吸着された０
２ｒａ、除去され難く、排気後も膜形成時の温度上昇な
どにより放出され膜特性の低下をもたらす原因となる。
このように、０２添加法はＡ１５相の合成に効果はある
ものの、制御性が低いこと、膜形成雰囲気の汚染をもた
らすなどの欠点があった。因に、０２によるＡ１５相安
定化の理由は明らかではないが、実験事実によれば、０
２の添加された堆積初期のＡ１５相の結晶粒は著しく微
細化されていることから、安定機構の１つのモデルとし
て次のように考えられている。
ものの、制御性が低いこと、膜形成雰囲気の汚染をもた
らすなどの欠点があった。因に、０２によるＡ１５相安
定化の理由は明らかではないが、実験事実によれば、０
２の添加された堆積初期のＡ１５相の結晶粒は著しく微
細化されていることから、安定機構の１つのモデルとし
て次のように考えられている。
即ち、０２によシ堆積原子の移動度が減少されその結果
、ミクロな組成のゆらぎが減少するために平衡相の析出
が抑えられ、Ａ１５相単相膜の形成が可能となるものと
考えられる（ ３３ 、 Ｋｒｅｖｅシ。
、ミクロな組成のゆらぎが減少するために平衡相の析出
が抑えられ、Ａ１５相単相膜の形成が可能となるものと
考えられる（ ３３ 、 Ｋｒｅｖｅシ。
Ｎ、５Ｃｈａｕｅｒ ａｎｄ ｐ、ＷｕＣｈｎｅｒ、
ｒ Ａｐｐｌｎ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ３６（１９８０）
７０４）。非平衡Ａ１５相の合成に有効なもう一つの方
法は、ヘテロエピタキシィ−金利用するものである。こ
れは、格子定数がほぼ等しいＡ １５ Ｎｂ３Ｉｒ ＋
ＭｏＢＲｅなどの安定相を形成し、その上にエピタキ
シャル的にＡ１５Ｎｂ−Ｘ膜成長させるものである。し
かし乍ら本方法はエピタキシャル下地Ａ１５相膜の形成
全必要とし、製造プロセスの複雑さの増加、十分良質な
Ａ１５相下地膜を得るために５００〜１００ＯＡの下地
膜厚全必要とし残留応力の増大、膜段差の増大など素子
作製の技術的困難性を増大させる欠点がある。
ｒ Ａｐｐｌｎ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ３６（１９８０）
７０４）。非平衡Ａ１５相の合成に有効なもう一つの方
法は、ヘテロエピタキシィ−金利用するものである。こ
れは、格子定数がほぼ等しいＡ １５ Ｎｂ３Ｉｒ ＋
ＭｏＢＲｅなどの安定相を形成し、その上にエピタキ
シャル的にＡ１５Ｎｂ−Ｘ膜成長させるものである。し
かし乍ら本方法はエピタキシャル下地Ａ１５相膜の形成
全必要とし、製造プロセスの複雑さの増加、十分良質な
Ａ１５相下地膜を得るために５００〜１００ＯＡの下地
膜厚全必要とし残留応力の増大、膜段差の増大など素子
作製の技術的困難性を増大させる欠点がある。
以上述べたように、非平衡Ａ１５相の析出を促進させる
従来の手法においては、素子作製に用いる際の技術的困
難性のため、新たな手法の開発が強く望まれている状態
にめった。
従来の手法においては、素子作製に用いる際の技術的困
難性のため、新たな手法の開発が強く望まれている状態
にめった。
〈発明の目的〉
本発明はこれらの欠点を除去するため、基板上にあらか
じめ熱的平衡相の析出を抑制する下地層を形成すること
によシ、熱的非平衡であル高ＴＣｅ有するＡ１５相の結
晶成長を促進させるようにした超伝導膜の製造方法を提
供することを目的とする１、 〈発明の構成〉 上記目的を達成する本発明の構成はＡ１５型結晶構造を
有するＮｂ−Ｘ膜ＣＸ＝Ｓ＋あるいはＱｅ）の製造にお
いて、予め基板上にｓｔｈるいＩａ、ｃあるいはＱｅか
うなる下地層を形成し、該下地層の上にＮｂ−Ｘ膜を形
成することｔ−％黴とする。
じめ熱的平衡相の析出を抑制する下地層を形成すること
によシ、熱的非平衡であル高ＴＣｅ有するＡ１５相の結
晶成長を促進させるようにした超伝導膜の製造方法を提
供することを目的とする１、 〈発明の構成〉 上記目的を達成する本発明の構成はＡ１５型結晶構造を
有するＮｂ−Ｘ膜ＣＸ＝Ｓ＋あるいはＱｅ）の製造にお
いて、予め基板上にｓｔｈるいＩａ、ｃあるいはＱｅか
うなる下地層を形成し、該下地層の上にＮｂ−Ｘ膜を形
成することｔ−％黴とする。
次に基板として多結晶サファイヤを用いた下地層の形成
について説明する。Ｓｊ下地層は、Ｓ１ターケツトを用
いたイオンビームスパッタ法ニよル、加熱されていない
サファイヤ基板上に、堆積速度０．５〜１ノ贋にて膜厚
４ｏ〜２００Ｘの範囲でＳｉミラ積させ形成する。同様
な方法にて、Ｇｅ、Ｃ下地層も形成すればよい。これら
下地層の表面にＡ１５Ｎｂ−Ｘ膜全形成する。ＡＩ５Ｎ
ｂ−Ｘ膜の形成は、２連マグネトロン直流スパツタ装置
を用いて行うとよい。本装置によれば組成の異なる２つ
のターゲットのスパッタ速度を独立に制御してマグネト
ロンスパッタを行うことにより、所望の組成を有する薄
膜全堆積することができる。上記下地層としてはｓｒ、
ｃあるいハＧｅの単体層でもよ（、またこれらの混合層
でもよい。下地層の形成にょＦ）Ｎｂ−Ｘ膜の熱的平衡
相の析出が抑制され、熱的非平衡である高Ｔｃｆ有する
Ａ１５相の結晶成長が促進される。
について説明する。Ｓｊ下地層は、Ｓ１ターケツトを用
いたイオンビームスパッタ法ニよル、加熱されていない
サファイヤ基板上に、堆積速度０．５〜１ノ贋にて膜厚
４ｏ〜２００Ｘの範囲でＳｉミラ積させ形成する。同様
な方法にて、Ｇｅ、Ｃ下地層も形成すればよい。これら
下地層の表面にＡ１５Ｎｂ−Ｘ膜全形成する。ＡＩ５Ｎ
ｂ−Ｘ膜の形成は、２連マグネトロン直流スパツタ装置
を用いて行うとよい。本装置によれば組成の異なる２つ
のターゲットのスパッタ速度を独立に制御してマグネト
ロンスパッタを行うことにより、所望の組成を有する薄
膜全堆積することができる。上記下地層としてはｓｒ、
ｃあるいハＧｅの単体層でもよ（、またこれらの混合層
でもよい。下地層の形成にょＦ）Ｎｂ−Ｘ膜の熱的平衡
相の析出が抑制され、熱的非平衡である高Ｔｃｆ有する
Ａ１５相の結晶成長が促進される。
即ち、下地層を形成することにょシ、例えば励−８ｉ膜
の成長においては基板から堆積膜へのｓｉの拡散が生じ
堆積初期のＮｂ−８ｊ展が微結晶化する。この微結晶内
に生じたＡ１５相の格子定数は充分小さく、ホモエピタ
キシャル成長にょ５Ａ１５相単相膜に成長するものと考
えられる。
の成長においては基板から堆積膜へのｓｉの拡散が生じ
堆積初期のＮｂ−８ｊ展が微結晶化する。この微結晶内
に生じたＡ１５相の格子定数は充分小さく、ホモエピタ
キシャル成長にょ５Ａ１５相単相膜に成長するものと考
えられる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を示す。
実施例１゜
Ａ １５ Ｎｂ−８４膜０形ｆｆ１ＫＵ、Ｎｂ −１７
ａｔ％ｓｊとＮｂ−３２ａｔ％Ｓ＋の２種の合金ターゲ
ラトラ用いた。スパッタ条件を表１に示す。第３図に、
Ｓ１プリコート厚を変えた場合のＮｂ −Ｓ ｉ薄膜の
Ｘ線回折図形（ディフラクトメータ、Ｃｕ Ｋａ線使用
）変化を示す。％Ｎｂ−８ｉ膜の相、Ａ１５相の格子定
数ａｏヲ表２に示す。Ｓｉ下地層全形成せず直接サファ
イヤ基板に堆積されたＮｂ−８ｉ膜（図中ｄ＝ＯＡ）は
、Ａ１５相と’ｌ’ｉ３Ｐ型正方晶系Ｎｂ５Ｓｉ相の２
相混合状態を示し、平均組成Ｎｂ−２１ａｔ％Ｓ１よル
も５４−ｒｉｃｈな正方晶系Ｎｂ５Ｓｉ相の析出と原子
置換による結晶の乱れの為、Ａ１５相の格子定数ａＱは
５．１７Ａと大きい（完全規則度のＡ １５ Ｎｂ−２
１ａｔ％Ｓｔ （Ｄ ａｏはｓ、ｘ２Ｘ）。
ａｔ％ｓｊとＮｂ−３２ａｔ％Ｓ＋の２種の合金ターゲ
ラトラ用いた。スパッタ条件を表１に示す。第３図に、
Ｓ１プリコート厚を変えた場合のＮｂ −Ｓ ｉ薄膜の
Ｘ線回折図形（ディフラクトメータ、Ｃｕ Ｋａ線使用
）変化を示す。％Ｎｂ−８ｉ膜の相、Ａ１５相の格子定
数ａｏヲ表２に示す。Ｓｉ下地層全形成せず直接サファ
イヤ基板に堆積されたＮｂ−８ｉ膜（図中ｄ＝ＯＡ）は
、Ａ１５相と’ｌ’ｉ３Ｐ型正方晶系Ｎｂ５Ｓｉ相の２
相混合状態を示し、平均組成Ｎｂ−２１ａｔ％Ｓ１よル
も５４−ｒｉｃｈな正方晶系Ｎｂ５Ｓｉ相の析出と原子
置換による結晶の乱れの為、Ａ１５相の格子定数ａＱは
５．１７Ａと大きい（完全規則度のＡ １５ Ｎｂ−２
１ａｔ％Ｓｔ （Ｄ ａｏはｓ、ｘ２Ｘ）。
一方、ＳＩプリコート厚４０〜８０Ａにおいては、正方
晶系Ｎｂ５Ｓｉ相の析出はわずかに見られるが、ｉｔぼ
Ａ１５相単相である。ａ（、値も５．１４〜ｓ、ｔｓＸ
と小さい。特に、超伝導転移温度幅ΔＴｃに０．７〜０
．８にと小さく、Ｓｒ下地層なしの場合と較べ約１／２
に減少している。ＳＩ下地層厚を１６０λ以上にすると
、Ａ１５相と正方晶系Ｎｂ５Ｓ１相の他にａ （ｂｃｃ
）、 Ｎｂ相、Ｎｂ５Ｓｉ３相も析出し、４相混合状
態となる。
晶系Ｎｂ５Ｓｉ相の析出はわずかに見られるが、ｉｔぼ
Ａ１５相単相である。ａ（、値も５．１４〜ｓ、ｔｓＸ
と小さい。特に、超伝導転移温度幅ΔＴｃに０．７〜０
．８にと小さく、Ｓｒ下地層なしの場合と較べ約１／２
に減少している。ＳＩ下地層厚を１６０λ以上にすると
、Ａ１５相と正方晶系Ｎｂ５Ｓ１相の他にａ （ｂｃｃ
）、 Ｎｂ相、Ｎｂ５Ｓｉ３相も析出し、４相混合状
態となる。
表 １゜
到達真空度 ２Ｘ １０−” ＴｏｒｒスパッタＡｒ圧
力 ２００ ｍＴｏｒｒ基板温度 ８５０Ｃ Ｎｂ−８ｉ膜厚 ２５０ＯＡ 堆積速度 ２０Ａ／分 Ｎｂ−Ｓｉ膜組成 Ｎｂ−２１ａｔ％Ｓｉ表２゜ な し Ａ１５相＋Ｔｉ５Ｐ相 ５．１７ ６．３５
１５５４ＯＡ厚 Ａ１５相 ５．１４５ ６．３５ ０
．７８０ｔｔ ｔｔ ａ１５ ６．５ ０．８１６０／
／ ”５相＋ＴｉａＰ相十 −６，４５０，８５αＮｂ
５−１−Ｎｂ５印３相 ２００〃ｔｔ −７，２０，８６ 実施例２ 実施例１と同じ方法によ、ｌ） Ｓｔを下地層として４
００Ａ厚のＮｂ−２１ａｔ％Ｓｉ薄膜を形成した。
力 ２００ ｍＴｏｒｒ基板温度 ８５０Ｃ Ｎｂ−８ｉ膜厚 ２５０ＯＡ 堆積速度 ２０Ａ／分 Ｎｂ−Ｓｉ膜組成 Ｎｂ−２１ａｔ％Ｓｉ表２゜ な し Ａ１５相＋Ｔｉ５Ｐ相 ５．１７ ６．３５
１５５４ＯＡ厚 Ａ１５相 ５．１４５ ６．３５ ０
．７８０ｔｔ ｔｔ ａ１５ ６．５ ０．８１６０／
／ ”５相＋ＴｉａＰ相十 −６，４５０，８５αＮｂ
５−１−Ｎｂ５印３相 ２００〃ｔｔ −７，２０，８６ 実施例２ 実施例１と同じ方法によ、ｌ） Ｓｔを下地層として４
００Ａ厚のＮｂ−２１ａｔ％Ｓｉ薄膜を形成した。
８１下地効果は、Ｎｂ−８ｉ膜の初期堆積膜においても
顕著に現われることが判る。第４図は実施例１と同じ方
法によ多形成した４００Ａ厚のＮｂ−２１ａｔ％Ｓｉ薄
膜のＸ線回折図形を示す。図中（ａ）はＳｉ下地層を形
成せずに直接サファイヤ基板上に堆積したもの、Φ）は
４０Ｘ厚のＳｒ下地層を形成したサファイヤ基板上に堆
積させたものである。（ａ）の場合、はぼＡ１５相単相
であるのに較べ、（ｂ） （Ｄ場合は、Ａ１５相０（２
１０）回折線の半価幅は広がフ、〜５０Ｘの微結晶とな
っている。この結果は、前述したＡ１５相を安定化させ
る効果のある０２ドーピングの場合と類似しておｊｉｌ
ｔ、Ｓｉ下地層はＡ１５相の粒成長を抑制する効果があ
ることが判る。堆積初期においてＡ１５相結晶の粒成長
を抑制することが、その後の平衡相（ＴｈＰ型ＮｂａＳ
ｊ相）の析出を抑制し、格子定数の小さいＡ１５相単相
Ｎｂ −Ｓ ｉ膜を形成すルコトに、効果があることは
、実施例１の結果（４０゜８０λ厚のＳｉ下地層の上に
堆積させた２５０ＯＡ厚のＮｂ−２１ａｔ＊Ｓ１薄膜）
よル明らかであシ、本実施例においてもＳｉ下地層の形
成がＡ１５相単相Ｎｂ−８ｊ膜の製造に有効であること
が判る。
顕著に現われることが判る。第４図は実施例１と同じ方
法によ多形成した４００Ａ厚のＮｂ−２１ａｔ％Ｓｉ薄
膜のＸ線回折図形を示す。図中（ａ）はＳｉ下地層を形
成せずに直接サファイヤ基板上に堆積したもの、Φ）は
４０Ｘ厚のＳｒ下地層を形成したサファイヤ基板上に堆
積させたものである。（ａ）の場合、はぼＡ１５相単相
であるのに較べ、（ｂ） （Ｄ場合は、Ａ１５相０（２
１０）回折線の半価幅は広がフ、〜５０Ｘの微結晶とな
っている。この結果は、前述したＡ１５相を安定化させ
る効果のある０２ドーピングの場合と類似しておｊｉｌ
ｔ、Ｓｉ下地層はＡ１５相の粒成長を抑制する効果があ
ることが判る。堆積初期においてＡ１５相結晶の粒成長
を抑制することが、その後の平衡相（ＴｈＰ型ＮｂａＳ
ｊ相）の析出を抑制し、格子定数の小さいＡ１５相単相
Ｎｂ −Ｓ ｉ膜を形成すルコトに、効果があることは
、実施例１の結果（４０゜８０λ厚のＳｉ下地層の上に
堆積させた２５０ＯＡ厚のＮｂ−２１ａｔ＊Ｓ１薄膜）
よル明らかであシ、本実施例においてもＳｉ下地層の形
成がＡ１５相単相Ｎｂ−８ｊ膜の製造に有効であること
が判る。
実施例３゜
４０Ｘ厚のＱｅおよびＣ下地層上に実施例１と同様の方
法に”ＣＮｂ−２１ａｔ ％Ｓｉ膜１２５００Ａ堆積さ
せた。これらの膜のＸ線回折図形全第５図に示す。直接
サファイヤ基板上に堆積させた膜については実施例１で
述べた如＜、Ａ１５相と正方晶系Ｎｂ５Ｓｉ相の混相と
なるが、ＧｅおよびＣ下地層上にＮｂ−８１ｇを堆積さ
せた場合にはＳｉ下地層におけると同様はぼＡ１５相単
相となる。このように、ＱｅおよびＣもＳｌと同じ（平
衡相の析出全抑制し、Ａ１５相の結晶成長を促進させる
効果がある。
法に”ＣＮｂ−２１ａｔ ％Ｓｉ膜１２５００Ａ堆積さ
せた。これらの膜のＸ線回折図形全第５図に示す。直接
サファイヤ基板上に堆積させた膜については実施例１で
述べた如＜、Ａ１５相と正方晶系Ｎｂ５Ｓｉ相の混相と
なるが、ＧｅおよびＣ下地層上にＮｂ−８１ｇを堆積さ
せた場合にはＳｉ下地層におけると同様はぼＡ１５相単
相となる。このように、ＱｅおよびＣもＳｌと同じ（平
衡相の析出全抑制し、Ａ１５相の結晶成長を促進させる
効果がある。
尚、第５囚中（ａ）はＣ下地層、ψ）はＧｅ下地層を設
けた場合を示す。
けた場合を示す。
実施例４゜
サファイヤ基板上に４０Ｘ厚の３ｉ下地層を形成した後
、該下地層表面にＡ１５相単相Ｎｂ−８ｉ膜を形成し、
これを出発膜として、さらにその上に徐々にＳｉ組成’
ｅ５ａｔ％増加させて形成した組成傾斜効果の実験を行
った。本実施例において使用した２種のターゲット組成
は、実施例１と同じ（、Ｎｂ−１７ａｔ％ＳｉとＮｂ−
３２ａｔｌｉである。組成傾斜は、徐々にＮｂ−１７ａ
ｔ％Ｓ１ターゲットのスパッタレートを低下させ同時に
Ｎｂ−３２ａｔ％Ｓｉターゲットのスパッタレートを増
加させることによル行った。出発Ｎｂ−８ｉ膜厚μ２５
００人５組成傾斜部の膜厚は１２０ＯＡである。このよ
うにして作製したＮｂ−８１膜および下地膜についての
格子定数ａｏとＴＣＯＮ （１％オンセット値）の出発
膜Ｓｉ濃度依存性を第６図に示す。組成傾斜効果は、格
子定数ａＱの減少とＴｃの上昇によシ認められる。最高
ＴＣＯＮは、出発膜組成がＮｂ−２１，４ａｔ％Ｓｉに
おいて得られた１３．９にである。
、該下地層表面にＡ１５相単相Ｎｂ−８ｉ膜を形成し、
これを出発膜として、さらにその上に徐々にＳｉ組成’
ｅ５ａｔ％増加させて形成した組成傾斜効果の実験を行
った。本実施例において使用した２種のターゲット組成
は、実施例１と同じ（、Ｎｂ−１７ａｔ％ＳｉとＮｂ−
３２ａｔｌｉである。組成傾斜は、徐々にＮｂ−１７ａ
ｔ％Ｓ１ターゲットのスパッタレートを低下させ同時に
Ｎｂ−３２ａｔ％Ｓｉターゲットのスパッタレートを増
加させることによル行った。出発Ｎｂ−８ｉ膜厚μ２５
００人５組成傾斜部の膜厚は１２０ＯＡである。このよ
うにして作製したＮｂ−８１膜および下地膜についての
格子定数ａｏとＴＣＯＮ （１％オンセット値）の出発
膜Ｓｉ濃度依存性を第６図に示す。組成傾斜効果は、格
子定数ａＱの減少とＴｃの上昇によシ認められる。最高
ＴＣＯＮは、出発膜組成がＮｂ−２１，４ａｔ％Ｓｉに
おいて得られた１３．９にである。
Ｓｉ下地層を形成せずに直接Ｎｂ−２１，ｄ ａｔ％Ｓ
ｔ ｏ出発膜を形成し同様にＳｉを５ ａｔチ増加させ
て形成Ｌ ｆｃ、 Ｎｂ−８ｉ膜のＴＣＯＮは９．２に
であった。さらに、サファイヤ基板上に直接組成傾斜さ
せて形成ｔ、 タＮｂ −８ｉ膜のＴＣＯＮは６．４Ｋ
に過ぎなかった・・このように、Ｓｉ下地層上に堆積さ
れたＮｂ−ｆ３ｉ膜は、平衡相の析出が少な（、よｐ
５Ｉ−ｒ−ｉｃｈなＡ １５ Ｎｂ−８ｔ相の形成に効
果のあることが分る。
ｔ ｏ出発膜を形成し同様にＳｉを５ ａｔチ増加させ
て形成Ｌ ｆｃ、 Ｎｂ−８ｉ膜のＴＣＯＮは９．２に
であった。さらに、サファイヤ基板上に直接組成傾斜さ
せて形成ｔ、 タＮｂ −８ｉ膜のＴＣＯＮは６．４Ｋ
に過ぎなかった・・このように、Ｓｉ下地層上に堆積さ
れたＮｂ−ｆ３ｉ膜は、平衡相の析出が少な（、よｐ
５Ｉ−ｒ−ｉｃｈなＡ １５ Ｎｂ−８ｔ相の形成に効
果のあることが分る。
実施例５゜
実施例１および３の方法と同様な方法にて（１）サファ
イヤ基板、（２）Ｓｉ下地層（４ｏｉ厚）、（３）Ｇｅ
下地層（４０Ｘ厚）、（４）Ｃ下地層（４０＾厚）を形
成されたサファイヤ基板上に、Ｎｂ −２５ａｔ％Ｑｅ
膜ｔｌ−２５０ＯＡ堆積した。２連ターゲツトの各組成
はいずれもＮｂ−２５ａｔ％Ｇｅ合金を用いた。スパッ
タ条件は表３に示す通シである。
イヤ基板、（２）Ｓｉ下地層（４ｏｉ厚）、（３）Ｇｅ
下地層（４０Ｘ厚）、（４）Ｃ下地層（４０＾厚）を形
成されたサファイヤ基板上に、Ｎｂ −２５ａｔ％Ｑｅ
膜ｔｌ−２５０ＯＡ堆積した。２連ターゲツトの各組成
はいずれもＮｂ−２５ａｔ％Ｇｅ合金を用いた。スパッ
タ条件は表３に示す通シである。
表 ３
到達真空度 ２ Ｘ １０ ”’ｌ’ｏｒｒスパッタＡ
ｒガス圧 ２００ ｍＴｏｒｒ堆積速Ｋ ｌ ００ Ａ
／ｍ１ｎ Ｎｂ−Ｇｅ組成 Ｎｂ１５ａｔ％Ｑｅ これらのＮｂ−Ｇｅ膜のＸｆｓ回折による合成和、ａｇ
＋ ’ｉ’ｃ ＋ΔＴＣ’を表４に示す。本実施例か
ら明らかなように、Ｓｉ 、 Ｇｅ 、 Ｃ下地層の形
成は、平衡Ｎｂ５Ｇｅｓ相の析出を抑制し、Ａ１５相の
析出を促進する効果のあることが分る。
ｒガス圧 ２００ ｍＴｏｒｒ堆積速Ｋ ｌ ００ Ａ
／ｍ１ｎ Ｎｂ−Ｇｅ組成 Ｎｂ１５ａｔ％Ｑｅ これらのＮｂ−Ｇｅ膜のＸｆｓ回折による合成和、ａｇ
＋ ’ｉ’ｃ ＋ΔＴＣ’を表４に示す。本実施例か
ら明らかなように、Ｓｉ 、 Ｇｅ 、 Ｃ下地層の形
成は、平衡Ｎｂ５Ｇｅｓ相の析出を抑制し、Ａ１５相の
析出を促進する効果のあることが分る。
表 ４゜
（１）す７フイヤ基板 Ａ１５＋Ｎｂ５Ｇｅａ相 ５．
１４５ ２１ １（２）Ｓｉ下地層 Ａ１５ ５．１４
３２２．５０．５（３）Ｑ Ｃ下地層 ＡＩ ５ ５．
１４０２２．８０．４（４）Ｃ下地層 ＡＩ ５ ５．
１４０２２．００．７英雄例６゜ 実施例５の方法と同様な方法にて（リサファイヤ基板、
（２）サファイヤ基板上にＧｅ下地層（８０Ａ）を形成
したもの、これら基板上［Ｎｂ−２５ａｔ％Ｇ・２膜を
２５０ＯＡ堆積した。スパッタは表３に示した条件に従
い、スパッタＡｒガス圧のみを変化させ、ｌ Ｑ Ｑ
ｍＴｏｒｒで行なツタ。
１４５ ２１ １（２）Ｓｉ下地層 Ａ１５ ５．１４
３２２．５０．５（３）Ｑ Ｃ下地層 ＡＩ ５ ５．
１４０２２．８０．４（４）Ｃ下地層 ＡＩ ５ ５．
１４０２２．００．７英雄例６゜ 実施例５の方法と同様な方法にて（リサファイヤ基板、
（２）サファイヤ基板上にＧｅ下地層（８０Ａ）を形成
したもの、これら基板上［Ｎｂ−２５ａｔ％Ｇ・２膜を
２５０ＯＡ堆積した。スパッタは表３に示した条件に従
い、スパッタＡｒガス圧のみを変化させ、ｌ Ｑ Ｑ
ｍＴｏｒｒで行なツタ。
これらのＮｂ−Ｇｅ膜のＸ線回折′ｆｆ、第７図に示す
。
。
尚、第７図中、（ａ）はサファイヤ基板上への堆積、（
ｂ）ｉｒ、Ｇｅ下地層への堆積を示す。このように、Ｇ
ｅ下地層の形成は平衡Ｎｂ５Ｇｅ３相の析出全抑制し、
低Ａｒガス圧下においてＡ１５相の析出を促進する効果
があることが分る。
ｂ）ｉｒ、Ｇｅ下地層への堆積を示す。このように、Ｇ
ｅ下地層の形成は平衡Ｎｂ５Ｇｅ３相の析出全抑制し、
低Ａｒガス圧下においてＡ１５相の析出を促進する効果
があることが分る。
尚、従来非平衡相である高ＴＣＡｌ ５Ｎｂ３Ｇは、低
Ａｒガス圧では得ることが困難であったがこれに低Ａｒ
ガス圧の場合は、結晶粒の成長が著しくなル安定相のＮ
ｂ５Ｇｅ３相が析出するためである。
Ａｒガス圧では得ることが困難であったがこれに低Ａｒ
ガス圧の場合は、結晶粒の成長が著しくなル安定相のＮ
ｂ５Ｇｅ３相が析出するためである。
ところがＧｅ下地層を形成することにより実施例２で示
したように堆積初期にＡ１５相の粒成長を抑制し、その
後の平衡相Ｎｂ５Ｇｅａの析出を抑制したものと考えら
れる〇 実施例７゜ サファイヤ基板および４０Ａ厚のＧｅおよびＣ下地層上
に実施例３と同様の方法にてＳｉ組成を２ ａｔ％増加
させＮｂ−２３ａｔ％Ｓ１膜’１２５００Ａ堆積させた
。これらの膜のＸ線回折図形に’ｌＥＢ図に示す。
したように堆積初期にＡ１５相の粒成長を抑制し、その
後の平衡相Ｎｂ５Ｇｅａの析出を抑制したものと考えら
れる〇 実施例７゜ サファイヤ基板および４０Ａ厚のＧｅおよびＣ下地層上
に実施例３と同様の方法にてＳｉ組成を２ ａｔ％増加
させＮｂ−２３ａｔ％Ｓ１膜’１２５００Ａ堆積させた
。これらの膜のＸ線回折図形に’ｌＥＢ図に示す。
尚、第８図中（ａ）はサファイヤ基板上への堆積、（ｂ
）はＧｅ下地層上への堆積、（Ｃ）はＣ下地層十への堆
積を示す。直接サファイヤ基板上に堆積させた膜（ａ）
については実施例１で述べた如く、Ａ１５相と正方晶系
Ｎｂ３Ｓｉ相の混相となる。Ｇｅ下地層上にＮｂ−２３
ａｔ％Ｓｉ膜を堆積させた場合（ｂ） Ｋ ｔｉ、実施
例３とは異なり正方晶系Ｎｂ５ＳＩ相の混相となる。と
ころが、Ｃ下地層上にＮｂ−２３ａｔ％膜を堆積させた
場合（Ｃ）には小量の正方晶系Ｎｂ５ＳＩａの相が認め
られるが、いぜんＳＩ組成２３ ａｔ％と上昇してもＡ
１５相主体の膜となることが分る。
）はＧｅ下地層上への堆積、（Ｃ）はＣ下地層十への堆
積を示す。直接サファイヤ基板上に堆積させた膜（ａ）
については実施例１で述べた如く、Ａ１５相と正方晶系
Ｎｂ３Ｓｉ相の混相となる。Ｇｅ下地層上にＮｂ−２３
ａｔ％Ｓｉ膜を堆積させた場合（ｂ） Ｋ ｔｉ、実施
例３とは異なり正方晶系Ｎｂ５ＳＩ相の混相となる。と
ころが、Ｃ下地層上にＮｂ−２３ａｔ％膜を堆積させた
場合（Ｃ）には小量の正方晶系Ｎｂ５ＳＩａの相が認め
られるが、いぜんＳＩ組成２３ ａｔ％と上昇してもＡ
１５相主体の膜となることが分る。
これによシ、Ｃは、Ｇｅ 、 Ｓｉよシも平衡相の析出
を抑制し、Ａ１５相の結晶成長を促進させる効果がある
と考えられる− 〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、熱的平衡相の析
出を抑制し、熱的非平衡相でめるＡ１５相の結晶成長を
促進させた超伝導膜を製造することができる。従って、
その効果として、（１） ０２添加手法と異なル、チャ
ンバー内の雰囲気を汚染することなく高ＴｃＡ１５相を
形成することができ、多層膜形成工程を必要とする素子
作製を容易にする３゜ （２） ＪＲ化膜基板を用いる手法と異なり、同一チャ
ンバー内で多層膜全形成する場合、酸化工程を省略でき
るので高ＴｅＡ１５相を用いた素子作製を容易にする。
を抑制し、Ａ１５相の結晶成長を促進させる効果がある
と考えられる− 〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、熱的平衡相の析
出を抑制し、熱的非平衡相でめるＡ１５相の結晶成長を
促進させた超伝導膜を製造することができる。従って、
その効果として、（１） ０２添加手法と異なル、チャ
ンバー内の雰囲気を汚染することなく高ＴｃＡ１５相を
形成することができ、多層膜形成工程を必要とする素子
作製を容易にする３゜ （２） ＪＲ化膜基板を用いる手法と異なり、同一チャ
ンバー内で多層膜全形成する場合、酸化工程を省略でき
るので高ＴｅＡ１５相を用いた素子作製を容易にする。
（３）残留酸素によらず高ＴｅＡ１５相の形成が可能と
なるため素子作製時の再現性がすぐれている。
なるため素子作製時の再現性がすぐれている。
など実用上程々の利点を有する。
１８１図は、Ａ １５ Ｎｂ５Ｘの結晶構造を示す説明
図、第２図は、Ａ １５ Ｎｂ３Ｇｅの超伝導転移温度
ＴＣ１格子定数ａ、の膜厚依存性を示すグラフ、第３図
は、ＳＩ下地層厚を変化させた場合の得られたＮｂ−８
ｉ膜のＸ線回折パターン図、第４図は、Ｎｂ−８ｉ膜（
４００Ａ ）の＞１回折パターン図であシ、第５図は、
Ｑｅ 、 Ｃ下地層形成にょって得られるＮｂ−８ｉ膜
の回折パターン図、第６図は、組成Ｍ新法によるＡ １
５Ｎｂ−８ｊ膜形成における出発膜の’ｌ’ｃ 、 Ａ
６のｓｊ濃度依存性および組成傾斜膜の’ｌ’ｃ 、
ａｏの出発腰ｓｊ濃度依存性を示すグラフ、第７図は、
Ｎｂ−Ｇｅ膜のＸ線回折パターン図、第８因は、Ｎｂ−
２３ａｔ％ｓ１膜ｏＸ線回折パターン図である。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光石士部（他１名〕 第１図 県 ○ Ｎｂ原子 嬰 ・Ｘ Ｎ子 第２ＴＩ！Ｊ 膜厚 （入］ 第３図 Ｘ線回折角度 ２θ（度）ＣｕＫｗ線使用第４図 Ｘ線回折角度 ２６（度）ＣｕＫべ線使用第６図 ２０．５ ２１．０ ２＋、５ 出発膜Ｓ１濃度（ａｔ％） 第７ （ａ）２θ（０） サフフイヤム板 Ａｒガス圧１００ｍＴｏｒｒ 図 （ｂ）２θ（０） Ｇｅ下地層形成
図、第２図は、Ａ １５ Ｎｂ３Ｇｅの超伝導転移温度
ＴＣ１格子定数ａ、の膜厚依存性を示すグラフ、第３図
は、ＳＩ下地層厚を変化させた場合の得られたＮｂ−８
ｉ膜のＸ線回折パターン図、第４図は、Ｎｂ−８ｉ膜（
４００Ａ ）の＞１回折パターン図であシ、第５図は、
Ｑｅ 、 Ｃ下地層形成にょって得られるＮｂ−８ｉ膜
の回折パターン図、第６図は、組成Ｍ新法によるＡ １
５Ｎｂ−８ｊ膜形成における出発膜の’ｌ’ｃ 、 Ａ
６のｓｊ濃度依存性および組成傾斜膜の’ｌ’ｃ 、
ａｏの出発腰ｓｊ濃度依存性を示すグラフ、第７図は、
Ｎｂ−Ｇｅ膜のＸ線回折パターン図、第８因は、Ｎｂ−
２３ａｔ％ｓ１膜ｏＸ線回折パターン図である。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光石士部（他１名〕 第１図 県 ○ Ｎｂ原子 嬰 ・Ｘ Ｎ子 第２ＴＩ！Ｊ 膜厚 （入］ 第３図 Ｘ線回折角度 ２θ（度）ＣｕＫｗ線使用第４図 Ｘ線回折角度 ２６（度）ＣｕＫべ線使用第６図 ２０．５ ２１．０ ２＋、５ 出発膜Ｓ１濃度（ａｔ％） 第７ （ａ）２θ（０） サフフイヤム板 Ａｒガス圧１００ｍＴｏｒｒ 図 （ｂ）２θ（０） Ｇｅ下地層形成
Claims (1)
- Ａ１５型結晶構造を有するＮｂ−Ｘ膜（Ｘ＝Ｓｉあるい
はＧｅ ）の製造において、予め基板上にＳＩあるいは
ＣあるいはＧｅからなる下地層全形成し、該下地層の上
にＮｂ−Ｘ膜を形成することを特徴とする超伝導膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106512A JPS60251198A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 超伝導膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59106512A JPS60251198A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 超伝導膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251198A true JPS60251198A (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=14435467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59106512A Pending JPS60251198A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 超伝導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251198A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0436698A1 (en) * | 1989-07-27 | 1991-07-17 | Cornell Res Foundation Inc | SUPERCONDUCTING LINEAR ACCELERATOR CHARGED WITH A SAPPHIRE CRYSTAL. |
| CN109285942A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 中国计量科学研究院 | 超导薄膜及其制备方法、超导量子干涉器件和感应式超导边缘探测器 |
| DE102020107059A1 (de) | 2020-03-13 | 2021-09-16 | Technische Universität Darmstadt | Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung eines Grundkörpers und Funktionselement mit einem Grundkörper mit einer Beschichtung |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP59106512A patent/JPS60251198A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0436698A1 (en) * | 1989-07-27 | 1991-07-17 | Cornell Res Foundation Inc | SUPERCONDUCTING LINEAR ACCELERATOR CHARGED WITH A SAPPHIRE CRYSTAL. |
| CN109285942A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 中国计量科学研究院 | 超导薄膜及其制备方法、超导量子干涉器件和感应式超导边缘探测器 |
| CN109285942B (zh) * | 2017-07-21 | 2022-07-08 | 中国计量科学研究院 | 超导薄膜及其制备方法、超导量子干涉器件和感应式超导边缘探测器 |
| DE102020107059A1 (de) | 2020-03-13 | 2021-09-16 | Technische Universität Darmstadt | Verfahren zum Herstellen einer Beschichtung eines Grundkörpers und Funktionselement mit einem Grundkörper mit einer Beschichtung |
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