EP3554723A1 - Separating device for polycrystalline silicon - Google Patents

Separating device for polycrystalline silicon

Info

Publication number
EP3554723A1
EP3554723A1 EP17746082.1A EP17746082A EP3554723A1 EP 3554723 A1 EP3554723 A1 EP 3554723A1 EP 17746082 A EP17746082 A EP 17746082A EP 3554723 A1 EP3554723 A1 EP 3554723A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
polysilicon
openings
screen
sieve
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP17746082.1A
Other languages
German (de)
French (fr)
Other versions
EP3554723B1 (en
Inventor
Thomas Buschhardt
Simon Ehrenschwendtner
Thomas HINTERBERGER
Hans-Günther WACKERBAUER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltronic AG filed Critical Siltronic AG
Publication of EP3554723A1 publication Critical patent/EP3554723A1/en
Application granted granted Critical
Publication of EP3554723B1 publication Critical patent/EP3554723B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
    • B07B13/00—Grading or sorting solid materials by dry methods, not otherwise provided for; Sorting articles otherwise than by indirectly controlled devices
    • B07B13/04—Grading or sorting solid materials by dry methods, not otherwise provided for; Sorting articles otherwise than by indirectly controlled devices according to size
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
    • B07B13/00—Grading or sorting solid materials by dry methods, not otherwise provided for; Sorting articles otherwise than by indirectly controlled devices
    • B07B13/04—Grading or sorting solid materials by dry methods, not otherwise provided for; Sorting articles otherwise than by indirectly controlled devices according to size
    • B07B13/07—Apparatus in which aggregates or articles are moved along or past openings which increase in size in the direction of movement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
    • B07B1/00—Sieving, screening, sifting, or sorting solid materials using networks, gratings, grids, or the like
    • B07B1/46—Constructional details of screens in general; Cleaning or heating of screens
    • B07B1/4609—Constructional details of screens in general; Cleaning or heating of screens constructional details of screening surfaces or meshes
    • B07B1/4654—Corrugated Screening surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
    • B07B13/00—Grading or sorting solid materials by dry methods, not otherwise provided for; Sorting articles otherwise than by indirectly controlled devices
    • B07B13/14—Details or accessories
    • B07B13/16—Feed or discharge arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
    • B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
    • B07B4/00—Separating solids from solids by subjecting their mixture to gas currents
    • B07B4/08—Separating solids from solids by subjecting their mixture to gas currents while the mixtures are supported by sieves, screens, or like mechanical elements

Definitions

  • the invention relates to a deposition device for polysilicon.
  • Polycrystalline silicon (polysilicon in short) serves as the starting material for
  • Polycrystalline silicon is usually produced by means of the Siemens process. For most applications, the thus produced polycrystalline
  • Silicon rods are broken down into small fragments, which are usually classified according to size.
  • screening machines are used to sort or classify polycrystalline silicon after comminution into different size classes.
  • polycrystalline silicon granules are produced in a fluidized bed reactor.
  • the polysilicon granule is usually divided into two or more fractions or classes after its preparation by means of a sieve
  • a screening machine is generally a machine for screening, ie the separation (separation) of solid mixtures to particle sizes.
  • Planschwangsiebmaschinen occurs in litter screening machines in addition to the horizontal and a vertical screen acceleration.
  • dust particles and fines are formed in such significant quantities that a yield loss during crystal pulling occurs without further screening or separation. Therefore, there is a need to separate small particles and dust from the polysilicon prior to crystal pulling.
  • From DE 198 22 996 C1 is a separation device for elongated solid parts, which has a vibrating floor with a number extending in the conveying direction
  • the object of the invention is achieved by a separation device for
  • Polysilicon with at least one screen plate comprising a polysilicon feed region, a profiled region with peaks and valleys, one on the profiled area adjoining area with sieve openings, and one
  • Removal area wherein the screen openings expand in the direction of the removal area, and arranged below the screen openings partition plate, which is horizontally and vertically displaceable.
  • the screen plate according to the invention provides a partition plate which is arranged below the screen openings or the area with screen openings.
  • Removal range can be varied because the partition plate is horizontally displaceable.
  • the partition plate can also be moved vertically, so that the distance to the screen openings can be varied.
  • the effective size of the screen openings can be varied.
  • the separator plate can be arranged so that polysilicon of a size of less than or equal to 4 mm falls through the sieve opening and is separated from the remaining polysilicon via the separator plate.
  • the partition plate may be inclined to the vertical, that the separated polysilicon is accommodated in a collecting container, while larger polysilicon also falls through the screen openings, but is taken up in another collecting container, which is arranged in the conveying direction behind the partition plate.
  • the partition plate can therefore fulfill very different functions.
  • the object is also achieved by a method wherein Polysiliciunn on the
  • Sieve plate of a deposition device according to the invention is applied, which is set in such a way that the Polysiliciunn a movement in
  • Polysilicon is separated, wherein the discontinued polysilicon is processed without the separated small particle polysilicon.
  • the position and height of the separator plate is chosen in one embodiment depending on how much the polysilicon has been vibrated.
  • the partition plate preferably has a distance to the wire stretch of 5 mm to 20 mm, more preferably a distance of 1 mm to 5 mm.
  • Small-particle polysilicon is to be understood as meaning a subset of the discontinued amount of polysilicon which is to be separated off by means of the sieve system.
  • the finely divided polysilicon thus corresponds to the fraction to be separated.
  • the screen plate comprises a feed area in which the polysilicon is applied.
  • the polysilicon is conveyed by means of a conveyor trough
  • the screen plate also comprises a profiled area with grooves or grooves or generally depressions and projections, so that the profiled area depressions and peaks.
  • the screen plate comprises - next to the profiled area - an area with screen openings.
  • the screen openings are arranged in the conveying direction immediately behind the wells of the profiled area.
  • the tips of the profiled area continue into the area with screen openings, so that the entire screen plate is profiled, but the screen plate has screen openings instead of depressions at its rear end in the conveying direction.
  • the profile of the profiled area may differ from the profile in the area of the sieve openings.
  • the latter may be particularly advantageous if the Siebrow or with the polysilicon in
  • the separation of the fine fraction or small fragments / particles thus takes place via the sieve openings of the sieve plate in conjunction with the separating plate.
  • Fragments / particles received by a arranged below the screen openings of the screen plate collecting container are received by a arranged below the screen openings of the screen plate collecting container. Larger fragments are in the profiled area over the tips to
  • the removal area is connected to a conveyor trough, over which the larger fragments are removed.
  • another screen plate may join to separate another fraction from the polysilicon.
  • the invention thus provides a screen plate, which can be used in all types of screening, in which in the first region of the screen plate of
  • Fines or small-scale silicon collects in sinks and is selectively separated in the last region of the sieve plate by expanding sieve openings.
  • the design of the profiled area of the sieve plate depends on the fraction to be separated.
  • the depth and angle of the depressions of the profiled area are to be designed in such a way that the fraction to be separated, e.g. the fine fraction collects there.
  • the severing device consists essentially of a sieving line which can be divided into two areas.
  • the first area is the inlet area. In this area, the fines accumulate in the sinks and thus targeted the
  • Siebmple on there introduced screen openings which expand in the conveying direction. Through these screen openings, the separation of the desired Si fraction occurs or fine fraction. The fact that the sieve openings in the conveying direction is wide, this system does not tend to clog.
  • the sieve openings extend up to the end of the separating device located in the conveying direction.
  • the screen openings are therefore open towards the end. This is an essential feature to ensure that no silicon fragments accumulate or block the sieve opening in the separator.
  • the screen openings preferably have an opening angle of 1 to 20 ° and more preferably of 5-15 °.
  • the screen openings preferably have a length of 5 mm to 50 mm, particularly preferably a length of 20 to 40 mm.
  • the screen openings at the end in the conveying direction continue to widen.
  • the opening angle of this second expansion is preferably 40-150 °, more preferably 60-120 °.
  • the angle of the screen openings can be changed by suitable devices.
  • elements made of an elastic material can be used for this purpose. It has been shown that this
  • the suction mounted below the screen openings, which is positioned so that the suction is preferably between the beginning of the screen openings and the partition plate itself.
  • the suction preferably has a distance to the lower sieve plate of 1 mm to 50 mm, more preferably a distance of 5 mm to 20 mm.
  • Another preferred embodiment of the deposition according to the invention is the installation of a gas stream above the screen openings.
  • This comprises one or more gas nozzles, which are directed to the screen openings.
  • the gas jet may tend to be soft or hard.
  • a soft jet is preferably used to support the deposition of dust.
  • a hard jet is preferably suitable for the deposition of the smaller polysilicon fragments, 0.1 mm to 4 mm.
  • the gas stream can also be formed as laminar flow.
  • Suitable gases are clean room air according to DIN EN ISO 14644-1 (ISO1 to ISO6), clean dry air, nitrogen and argon.
  • the gas stream is preferably to be positioned between the beginning of the sieve openings and the separating plate.
  • the removal area is connected to a conveyor trough, over which the larger fragments are removed.
  • another screen plate can then be used to separate another fraction from the polysilicon.
  • the sieving path is one or more
  • the screen stretch is lined or coated with one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, and silicon.
  • the polysilicon contacting portions of the screen are lined or coated with one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, and silicon.
  • the screening line comprises a metallic base body and a coating or lining of one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon and silicon.
  • the screen path comprises a plastic body and a coating or lining of one or more materials selected from the group consisting of ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, and silicon.
  • the screen comprises a coating of titanium nitride, titanium carbide, aluminum titanium nitride, DLC (Diamond Like Carbon), silicon carbide, nitride bonded silicon carbide, or tungsten carbide.
  • the breaking sizes (BG) 1, 2, 3 can be used via this screening device.
  • these fraction sizes have the following
  • the individual fractions have small and larger size classes
  • the proportion of larger and smaller fragments can be up to 5% each.
  • the screening device is suitable for the deposition of small cells
  • Polysilicon pieces which have a diameter of 0.05 to 2 mm as well
  • the separation device comprises a funnel for depositing polysilicon material, two delivery units, and two
  • the first unit is referred to as unit 1 and the second unit as unit 2.
  • the delivery rate of polysilicon in kg / min can be set separately for each unit.
  • the delivery rate of polysilicon in kg / min can be set separately for each unit.
  • Flow rate of the unit 1 equal to the unit 2.
  • the flow rate of the unit 1 is smaller than that
  • the removal area is designed so that the polysilicon material in the
  • This sampling area can also be vibrated to ensure that no polysilicon material remains.
  • the angle of this outlet is preferably 5 to 45 ° and more preferably 15 to 25 °.
  • Fig. 1 shows the schematic structure of a screen plate of a separating device according to the invention.
  • Fig. 2 shows schematically a separation device with suction and separation plate.
  • Fig. 3 shows schematically a separation device with suction and gas flow.
  • the sieve plate 1 comprises a feed area 2, in which the polysilicon
  • the polysilicon can be conveyed for example by means of a conveyor trough to the screen and delivered to the feed area 2 of the screen plate 1.
  • the screen plate 1 also comprises a profiled area 3. This profiled area
  • the fine fraction contained in the polysilicon accumulates during the movement of the polysilicon on the profiled area 3 in the depressions 31 of the profiled area 3.
  • the screen plate 1 comprises - following the profiled area 3 - an area
  • the depressions 31 of the profiled portion 3 are arranged.
  • the fines of the polysilicon located in the depressions 31 of the profiled area 3 are guided in a targeted manner to the sieve openings 41 of the area 4.
  • the tips 32 of the profiled area 3 preferably also continue in the area 4, so that the entire screen plate 1 is profiled, but in the area 4 instead of depressions 31 it has screen openings 41.
  • the separation of the fine fraction thus takes place via the sieve openings 41 of the sieve plate 1.
  • the separated fine fractions can be absorbed, for example, by a collecting container arranged below the sieve openings 41 of the sieve plate 1. Larger fragments are in the profiled area over the tips 32 to
  • the sieve openings 41 widen in the conveying direction by an opening angle a1.
  • the screen openings 41 have at the end of the area 4 a further widening 6, characterized by an opening angle a2.
  • Suction 8 mounted below the screen openings 41, which is positioned so that the suction 8 is preferably located between the beginning of the screen openings 41 and the partition plate 7.
  • Another preferred embodiment of the deposition according to the invention is the installation of a gas stream 9 above the sieve openings 41.
  • the polysilicon material delivered by the polysilicon manufacturer in the bag also contains smaller debris and fines.
  • the fine material in particular with grain sizes smaller than 4 mm, has a negative influence on the drawing process and must therefore be removed before use.
  • the Polybruch answering 2 was used.
  • Testpoylsiliciummaterial of the fraction size 2 (without fines ⁇ 4 mm) were given.
  • the application of the test polysilicon material is preferably carried out via a funnel.
  • the container to be filled is positioned over the first conveyor unit at the end of the strainer, so that the
  • Test polysilicon material can be promoted in the container without problems.
  • the preliminarily separated test material is used for this test.
  • the conveyor unit 2 g of separated fine material are added after 2 kg of test polymaterial, so that in the end a total of 10 g of fine material was added for this test.
  • the conveyor unit and the strainer were started.
  • the flow rate was set to 3kg +/- 0.5kg per minute before the test.
  • Test 3 For this purpose, a conveyor unit plus a suction sieve with a gas flow from above was used.
  • the separation device comprises two screen plates, each comprising a polysilicon loading area, a profiled area with peaks and troughs, an area adjoining the profiled area with screen openings, and a removal area, wherein the screen openings in Direction of the removal area on wide, and arranged below the screen openings separating plate which is horizontally and vertically displaceable, and an exhaust below the screen openings.
  • the removal area of the first sieve plate adjoins the feed area of the second sieve plate, ie polysilicon which was not separated in the first sieving line is placed on the second sieve line. In both screens, exhausts are provided below the screen openings.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Combined Means For Separation Of Solids (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

The invention relates to a separating device for polycrystalline silicon having at least one screen plate (1), comprising a feed region (2) for polycrystalline silicon, a profiled region (3) with tips (32) and wells (31), a region (4) which adjoins the profiled region (3) and has screen openings (41), and a removal region (5), the screen openings (41) expanding in the direction of said removal region (5), as well as a separating plate (7) which is arranged beneath the screen openings and can be displaced horizontally and vertically.

Description

Abscheidevorrichtung für Polysilicium  Separator for polysilicon
Gegenstand der Erfindung ist eine Abscheidevorrichtung für Polysilicium. Polykristallines Silicium (kurz: Polysilicium) dient als Ausgangsmaterial zur The invention relates to a deposition device for polysilicon. Polycrystalline silicon (polysilicon in short) serves as the starting material for
Herstellung von einkristallinem Silicium für Halbleiter nach dem Czochralski(CZ)- oder Zonenschmelz(FZ)-Verfahren, sowie zur Herstellung von ein- oder multikristallinem Silicium nach verschiedenen Zieh- und Gieß-Verfahren zur Produktion von  Production of single-crystal silicon for semiconductors according to the Czochralski (CZ) or zone melting (FZ) method, as well as for the production of monocrystalline or multicrystalline silicon by various drawing and casting processes for the production of
Solarzellen für die Photovoltaik. Solar cells for photovoltaic.
Polykristallines Silicium wird in der Regel mittels des Siemens-Verfahrens hergestellt. Für die meisten Anwendungen werden die derart hergestellten polykristallinen Polycrystalline silicon is usually produced by means of the Siemens process. For most applications, the thus produced polycrystalline
Siliciumstäbe auf kleine Bruchstücke gebrochen, welche üblicherweise anschließend nach Größen klassiert werden. Üblicherweise werden Siebmaschinen eingesetzt, um polykristallines Silicium nach der Zerkleinerung in unterschiedliche Größenklassen zu sortieren bzw. zu klassieren. Silicon rods are broken down into small fragments, which are usually classified according to size. Usually screening machines are used to sort or classify polycrystalline silicon after comminution into different size classes.
Alternativ wird polykristallines Siliciumgranulat in einem Wirbelschichtreaktor produziert. Das Polysiliciumgranulat wird üblicherweise nach dessen Herstellung mittels einer Siebanlage in zwei oder mehr Fraktionen oder Klassen geteilt Alternatively, polycrystalline silicon granules are produced in a fluidized bed reactor. The polysilicon granule is usually divided into two or more fractions or classes after its preparation by means of a sieve
(Klassierung). (Classification).
Eine Siebmaschine ist allgemein eine Maschine zum Sieben, also der Trennung (Separation) von Feststoffgemischen nach Korngrößen. Nach A screening machine is generally a machine for screening, ie the separation (separation) of solid mixtures to particle sizes. To
Bewegungscharakteristik wird zwischen Planschwingsiebmaschinen und Movement characteristics are between planing vibrating screens and
Wurfsiebmaschinen unterschieden. Der Antrieb der Siebmaschinen erfolgt meist elektromagnetisch bzw. durch Unwuchtmotoren oder -getriebe. Die Bewegung des Siebbelags dient dem Weitertransport des Aufgabeguts in Sieblängsrichtung und dem Durchtritt der Feinfraktion durch die Sieböffnungen. Im Gegensatz zu  A distinction is made between litter screening machines. The drive of the screening machines is usually electromagnetic or by unbalance motors or gearbox. The movement of the Siebbelags serves the further transport of the feedstock in Sieblängsrichtung and the passage of the fine fraction through the sieve openings. In contrast to
Planschwingsiebmaschinen tritt bei Wurfsiebmaschinen neben der horizontalen auch eine vertikale Siebbeschleunigung auf. Beim Brechen von Polysilicium, bei dessen Verpackung sowie beim Transport entstehen Staubpartikel und Feinanteile in so signifikanten Mengen, das ohne weitere Aussiebung oder Abscheidung ein Ausbeuteverlust beim Kristallziehen entsteht. Daher besteht das Bedürfnis, vor dem Kristallziehen kleine Partikel und Staub vom Polysilicium zu trennen. Planschwangsiebmaschinen occurs in litter screening machines in addition to the horizontal and a vertical screen acceleration. When breaking polysilicon, during its packaging as well as during transport, dust particles and fines are formed in such significant quantities that a yield loss during crystal pulling occurs without further screening or separation. Therefore, there is a need to separate small particles and dust from the polysilicon prior to crystal pulling.
Abtrennvorrichtungen nach dem Stand der Technik wie Stangensiebe neigen aber bei der Feinanteilabtrennung zum Verstopfen. Dies hat zur Folge, dass diese However, prior art separators, such as bar screens, tend to clog during fines separation. As a result, these
Abtrennvorrichtungen zyklisch gereinigt werden müssen und dadurch keine Separators must be cleaned cyclically and thus no
kontinuierliche, gleichbleibende Trenngenauigkeit erreichen. Zudem erfordert dies Anlagenstillständen und zusätzlichen Aufwand für die Reinigung. achieve continuous, consistent separation accuracy. In addition, this requires plant downtime and additional effort for cleaning.
Aus DE 198 22 996 C1 ist eine Abscheidevorrichtung für langgestreckte Feststoffteile, die einen Schwingboden mit einer Anzahl sich in Förderrichtung erstreckenderFrom DE 198 22 996 C1 is a separation device for elongated solid parts, which has a vibrating floor with a number extending in the conveying direction
Längsrillen aufweist, an die sich Sieböffnungen zum Abscheiden der langgestreckten Feststoffteile anschließen, wobei die Rillentiefe der Längsrillen in Förderrichtung abnimmt. Zur Vermeidung von Verstopfungen und zur Gewährleistung eines möglichst flüssigen Feststofflusses, ist in einer Ausgestaltung vorgesehen, dass sich die Sieböffnungen in Förderrichtung aufweiten. Auf in der Sieböffnung verklemmte Feststoffteile wird durch den nachfolgenden Feststoff eine Kraft in Förderrichtung ausgeübt. Das verklemmte Feststoffteil kann dabei in Förderrichtung bewegt werden und fällt dann durch die sich erweiternde Sieböffnung. Allerdings kann durch die in DE 198 22 996 C1 vorgeschlagene Vorrichtung ein möglichst vollständiges Abscheiden von kleinen Siliciumpartikeln und Staub nicht erreicht werden. Having longitudinal grooves, followed by the sieve openings for separating the elongated solid particles, wherein the groove depth of the longitudinal grooves decreases in the conveying direction. To avoid clogging and to ensure the most liquid possible flow of solids, it is provided in one embodiment that expand the screen openings in the conveying direction. On solid particles jammed in the sieve opening, a force is exerted in the conveying direction by the following solid. The jammed solid part can be moved in the conveying direction and then falls through the expanding sieve opening. However, the device proposed in DE 198 22 996 C1 can not achieve the most complete possible separation of small silicon particles and dust.
Aus der beschriebenen Problematik ergab sich die Aufgabenstellung der Erfindung. From the problem described, the problem of the invention resulted.
Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch eine Abscheidevorrichtung für The object of the invention is achieved by a separation device for
Polysilicium mit wenigstens einer Siebplatte, umfassend einen Aufgabebereich für Polysilicium, einen profilierten Bereich mit Spitzen und Senken, einen an den profilierten Bereich anschließenden Bereich mit Sieböffnungen, und einen Polysilicon with at least one screen plate comprising a polysilicon feed region, a profiled region with peaks and valleys, one on the profiled area adjoining area with sieve openings, and one
Entnahmebereich, wobei sich die Sieböffnungen in Richtung des Entnahmebereichs aufweiten, und eine unterhalb der Sieböffnungen angeordnete Trennplatte, die horizontal und vertikal verschiebbar ist. Removal area, wherein the screen openings expand in the direction of the removal area, and arranged below the screen openings partition plate, which is horizontally and vertically displaceable.
Die erfindungsgemäße Siebplatte sieht eine Trennplatte vor, die unterhalb der Sieböffnungen bzw. des Bereiches mit Sieböffnungen angeordnet ist. The screen plate according to the invention provides a partition plate which is arranged below the screen openings or the area with screen openings.
Die Position der Trennplatte in Förderrichtung bzw. in Richtung des The position of the separating plate in the conveying direction or in the direction of
Entnahmebereichs kann variiert werden, da die Trennplatte horizontal verschiebbar ist. Removal range can be varied because the partition plate is horizontally displaceable.
Ebenso kann die Trennplatte auch vertikal verschoben werden, so dass der Abstand zu den Sieböffnungen variiert werden kann. Likewise, the partition plate can also be moved vertically, so that the distance to the screen openings can be varied.
Es hat sich gezeigt, dass dies zur Erhöhung der Trennschärfe und zur It has been shown that this is to increase the selectivity and to
Gewährleistung einer möglichst gleichbleibenden Abscheiderate erforderlich ist. Ensuring the most consistent deposition rate is required.
Durch eine Verschiebung der Trennplatte in Förderrichtung kann die effektive Größe der Sieböffnungen variiert werden. Beispielsweise kann die Trennplatte so angeordnet werden, dass Polysilicium einer Größe von kleiner oder gleich 4 mm durch die Sieböffnung fällt und über die Trennplatte vom restlichen Polysilicium abgetrennt wird. Außerdem kann die Trennplatte so gegen die Vertikale geneigt sein, dass das abgetrennte Polysilicium in einem Auffangbehälter aufgenommen wird, während größeres Polysilicium zwar ebenfalls durch die Sieböffnungen fällt, jedoch in einen anderen Auffangbehälter aufgenommen wird, der in Förderrichtung hinter der Trennplatte angeordnet ist. By shifting the partition plate in the conveying direction, the effective size of the screen openings can be varied. For example, the separator plate can be arranged so that polysilicon of a size of less than or equal to 4 mm falls through the sieve opening and is separated from the remaining polysilicon via the separator plate. In addition, the partition plate may be inclined to the vertical, that the separated polysilicon is accommodated in a collecting container, while larger polysilicon also falls through the screen openings, but is taken up in another collecting container, which is arranged in the conveying direction behind the partition plate.
Somit können durch die Siebplatte in Verbindung mit der Trennplatte auch zwei Fraktionen vom aufgegebenen Polysilicium abgetrennt werden. Durch Variation des vertikalen Abstands der Trennplatte zu den Sieböffnungen kann sichergestellt werden, dass längliche Polysiliciumbruchstücke nicht mit abgetrennt werden. Thus, two fractions can be separated from the discontinued polysilicon through the sieve plate in conjunction with the separator plate. By varying the vertical distance of the separation plate to the screen openings, it can be ensured that elongated polysilicon fragments are not separated off.
Die Trennplatte kann also ganz unterschiedliche Funktionen erfüllen. The partition plate can therefore fulfill very different functions.
Die Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren, wobei Polysiliciunn auf die The object is also achieved by a method wherein Polysiliciunn on the
Siebplatte einer erfindungsgemäßen Abscheidevorrichtung aufgegeben wird, die derart in Schwingungen versetzt wird, dass das Polysiliciunn eine Bewegung inSieve plate of a deposition device according to the invention is applied, which is set in such a way that the Polysiliciunn a movement in
Richtung des Entnahmebereichs ausführt, wobei sich kleinteiliges Polysiliciunn in den Senken der Siebplatte sammelt und durch die Sieböffnungen der Siebplatte über die Trennplatte in einen Auffangbehälter fällt und dadurch vom aufgegebenen Direction of the removal area, wherein small-scale Polysiliciunn collects in the wells of the sieve plate and through the sieve openings of the sieve plate on the separating plate into a collecting container and thereby from the discontinued
Polysilicium getrennt wird, wobei das aufgegebene Polysilicium ohne das abgetrennte kleinteil ige Polysilicium weiterverarbeitet wird. Polysilicon is separated, wherein the discontinued polysilicon is processed without the separated small particle polysilicon.
Die Position und Höhe der Trennplatte wird in einer Ausführungsform abhängig davon gewählt, wie stark das Polysilicium in Schwingungen versetzt wurde. Die Trennplatte hat bevorzugt einen Abstand zur Siebstrecke von 5 mm bis 20 mm, besonders bevorzugt ist ein Abstand von 1 mm bis 5 mm. The position and height of the separator plate is chosen in one embodiment depending on how much the polysilicon has been vibrated. The partition plate preferably has a distance to the wire stretch of 5 mm to 20 mm, more preferably a distance of 1 mm to 5 mm.
Unter kleinteiligem Polysilicium ist eine Teilmenge aus der aufgegebenen Menge an Polysilicium zu verstehen, die mittels der Siebanlage abgetrennt werden soll. Das kleinteilige Polysilicium entspricht also der abzutrennenden Fraktion. Small-particle polysilicon is to be understood as meaning a subset of the discontinued amount of polysilicon which is to be separated off by means of the sieve system. The finely divided polysilicon thus corresponds to the fraction to be separated.
Nachfolgend sollen unter kleinteiligem Polysilicium polykristalline Bruchstücke verstanden werden, deren längste Entfernung zweier Punkte auf der Oberfläche eines Siliciumbruchstücks (=max. Länge) kleiner oder gleich 4 mm beträgt. Dies soll auch Feinanteil, kleine Siliciumpartikel und Siliciumstaub (Größe kleiner oder gleich 100 μιτι) umfassen. In the following, small-particle polysilicon is to be understood as meaning polycrystalline fragments whose longest distance of two points on the surface of a silicon fragment (= maximum length) is less than or equal to 4 mm. This should also include fines, small silicon particles and silicon dust (size less than or equal to 100 μιτι).
Die Siebplatte umfasst einen Aufgabebereich, in dem das Polysilicium aufgegeben wird. In einer Ausführungsform wird das Polysilicium mittels einer Förderrinne zur The screen plate comprises a feed area in which the polysilicon is applied. In one embodiment, the polysilicon is conveyed by means of a conveyor trough
Siebanlage befördert und an den Aufgabebereich der Siebplatte abgegeben. Die Siebplatte umfasst zudem einen profilierten Bereich mit Rillen oder Nuten oder allgemein Vertiefungen und Erhebungen, so dass der profilierte Bereich Senken und Spitzen aufweist. Carried sieve and delivered to the task area of the screen plate. The screen plate also comprises a profiled area with grooves or grooves or generally depressions and projections, so that the profiled area depressions and peaks.
Während der Bewegung des Polysiliciums auf dem profilierten Bereich sammeln sich kleine Bruchstücke oder kleine Siliciumpartikel (klein in Bezug auf die Zielfraktion) oder Feinanteil in den Senken des profilierten Bereichs. During the movement of the polysilicon on the profiled area, small fragments or small silicon particles (small in relation to the target fraction) or fines accumulate in the depressions of the profiled area.
Die Siebplatte umfasst - an den profilierten Bereich anschließend - einen Bereich mit Sieböffnungen. Die Sieböffnungen sind in Förderrichtung unmittelbar hinter den Senken des profilierten Bereichs angeordnet. Dadurch werden die in den Senken des profilierten Bereichs befindlichen Feinanteile des Polysiliciums gezielt zu den The screen plate comprises - next to the profiled area - an area with screen openings. The screen openings are arranged in the conveying direction immediately behind the wells of the profiled area. As a result, the fines of the polysilicon located in the depressions of the profiled area are targeted to the
Sieböffnungen geführt. Screen openings out.
In einer Ausführungsform setzen sich die Spitzen des profilierten Bereichs auch in den Bereich mit Sieböffnungen fort, so dass die gesamte Siebplatte profiliert ist, wobei die Siebplatte jedoch an seinem in Förderrichtung hinteren Ende Sieböffnungen statt Senken aufweist. In one embodiment, the tips of the profiled area continue into the area with screen openings, so that the entire screen plate is profiled, but the screen plate has screen openings instead of depressions at its rear end in the conveying direction.
Dabei kann hinsichtlich Querschnitt und Winkel das Profil des profilierten Bereichs vom Profil im Bereich der Sieböffnungen abweichen. Letzteres kann insbesondere dann von Vorteil sein, wenn die Siebstrecke oder die mit dem Polysilicium in In this case, in terms of cross section and angle, the profile of the profiled area may differ from the profile in the area of the sieve openings. The latter may be particularly advantageous if the Siebstrecke or with the polysilicon in
Berührung kommenden Teile der Siebstrecke aus Kunststoff bestehen. Contact coming parts of the strainer strip made of plastic.
Die Abtrennung des Feinanteils oder kleiner Bruchstücke/Partikel erfolgt somit über die Sieböffnungen der Siebplatte in Verbindung mit der Trennplatte. In einer Ausführungsform werden die abgetrennten Feinanteile oder kleinen The separation of the fine fraction or small fragments / particles thus takes place via the sieve openings of the sieve plate in conjunction with the separating plate. In one embodiment, the separated fines or small
Bruchstücke/Partikel durch einen unterhalb der Sieböffnungen der Siebplatte angeordneten Auffangbehälter aufgenommen. Größere Bruchstücke werden im profilierten Bereich über die Spitzen zum Fragments / particles received by a arranged below the screen openings of the screen plate collecting container. Larger fragments are in the profiled area over the tips to
Entnahmebereich geführt. Removal area led.
In einer Ausführungsform ist der Entnahmebereich mit einer Förderrinne verbunden, über die die größeren Bruchstücke abgeführt werden. Ebenso kann sich eine weitere Siebplatte anschließen, um eine weitere Fraktion vom Polysilicium abzutrennen. In one embodiment, the removal area is connected to a conveyor trough, over which the larger fragments are removed. Likewise, another screen plate may join to separate another fraction from the polysilicon.
Die Erfindung sieht also eine Siebplatte vor, die in allen Arten von Siebanlagen eingesetzt werden kann, bei welcher sich im ersten Bereich der Siebplatte der The invention thus provides a screen plate, which can be used in all types of screening, in which in the first region of the screen plate of
Feinanteil oder kleinteiliges Silicium in Senken sammelt und im letzten Bereich der Siebplatte gezielt durch sich weitende Sieböffnungen abgetrennt wird. Fines or small-scale silicon collects in sinks and is selectively separated in the last region of the sieve plate by expanding sieve openings.
Die Ausführung des profilierten Bereichs der Siebplatte ist abhängig von der abzutrennenden Fraktion. Tiefe und Winkel der Senken des profilierten Bereichs sind so auszugestalten, dass sich die abzutrennende Fraktion, also z.B. der Feinanteil dort sammelt. The design of the profiled area of the sieve plate depends on the fraction to be separated. The depth and angle of the depressions of the profiled area are to be designed in such a way that the fraction to be separated, e.g. the fine fraction collects there.
Bei der Erfindung handelt sich also um eine Siebstrecke, bei welcher sich im ersten Bereich der Vorrichtung der Feinanteil in Senken sammelt und im letzten Bereich der Vorrichtung gezielt durch sich weitenden Sieböffnungen abgetrennt wird. Somit wird dem Siebschlitz nicht die ganze Fraktion zugeführt. In the invention, therefore, is a Siebstrecke, in which in the first region of the device, the fine fraction collects in sinks and is selectively separated in the last region of the device by expanding sieve openings. Thus, not the entire fraction is fed to the screen slot.
Die Abtrennvorrichtung besteht im Wesentlichen aus einer Siebstrecke welche in zwei Bereiche eingeteilt werden kann. Der erste Bereich ist der Einlaufbereich. In diesem Bereich sammelt sich der Feinanteil in den Senken und wird somit gezielt den The severing device consists essentially of a sieving line which can be divided into two areas. The first area is the inlet area. In this area, the fines accumulate in the sinks and thus targeted the
Sieböffnungen (welche sich im zweiten Bereich, am Ende der Siebstrecke befinden) zugeführt. Der Trennschnitt für die Abtrennung erfolgt im zweiten Bereich der Screen openings (which are located in the second area, at the end of the screen stretch) supplied. The separation cut for the separation takes place in the second area of the
Siebstrecke über dort eingebrachte Sieböffnungen welche sich in Förderrichtung weiten. Durch diese Sieböffnungen erfolgt die Abtrennung der gewollten Si-Fraktion bzw. des Feinanteils. Dadurch dass sich die Sieböffnungen in Förderrichtung weiten neigt dieses System nicht zum Verstopfen. Siebstrecke on there introduced screen openings which expand in the conveying direction. Through these screen openings, the separation of the desired Si fraction occurs or fine fraction. The fact that the sieve openings in the conveying direction is wide, this system does not tend to clog.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung erstrecken sich die Sieböffnungen bis zu dem in Förderrichtung gelegenen Ende der Abscheidevorrichtung. Die Sieböffnungen sind daher zum Ende hin offen ausgebildet. Dies ist ein wesentliches Merkmal, um sicherzustellen, dass sich in der Abscheidevorrichtung keine Siliciumbruchstücke ansammeln oder die Sieböffnung verblockt. Die Sieböffnungen haben bevorzugt einen Öffnungswinkel von 1 bis 20° und besonders bevorzugt von 5-15°. In an advantageous embodiment, the sieve openings extend up to the end of the separating device located in the conveying direction. The screen openings are therefore open towards the end. This is an essential feature to ensure that no silicon fragments accumulate or block the sieve opening in the separator. The screen openings preferably have an opening angle of 1 to 20 ° and more preferably of 5-15 °.
Die Sieböffnungen haben bevorzugt eine Länge von 5 mm bis 50mm besonders bevorzugt eine Länge von 20 bis 40mm. The screen openings preferably have a length of 5 mm to 50 mm, particularly preferably a length of 20 to 40 mm.
Zur Vermeidung von Verstopfungen ist eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung vorgesehen, dass sich die Sieböffnungen am Ende in Förderrichtung weiter aufweiten. Der Öffnungswinkel dieser zweiten Aufweitung beträgt vorzugsweise 40- 150°, besonders bevorzugt sind 60 bis 120°. To avoid clogging, a further advantageous embodiment is provided that the screen openings at the end in the conveying direction continue to widen. The opening angle of this second expansion is preferably 40-150 °, more preferably 60-120 °.
In einer Ausführungsform lässt sich der Winkel der Sieböffnungen durch geeignete Vorrichtungen verändern. Beispielsweise können dazu Elemente aus einem elastischen Material verwendet werden. Es hat sich gezeigt, dass dies zur In one embodiment, the angle of the screen openings can be changed by suitable devices. For example, elements made of an elastic material can be used for this purpose. It has been shown that this
Vermeidung von Steckkorn vorteilhaft ist. Preventing pinch is advantageous.
Bei der Abscheidevorrichtung ist in einer bevorzugten Ausführungsform eine In the deposition device is in a preferred embodiment a
Absaugung unterhalb der Sieböffnungen angebracht, die so positioniert ist, dass die Absaugung bevorzugt zwischen Anfang der Sieböffnungen und der Trennplatte sich befindet. Die Absaugung hat bevorzugt einen Abstand zur unteren Siebplatte von I mm bis 50 mm, besonders bevorzugt ist ein Abstand von 5mm bis 20 mm. Suction mounted below the screen openings, which is positioned so that the suction is preferably between the beginning of the screen openings and the partition plate itself. The suction preferably has a distance to the lower sieve plate of 1 mm to 50 mm, more preferably a distance of 5 mm to 20 mm.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Abscheidung ist die Installation eines Gasstromes oberhalb der Sieböffnungen. Another preferred embodiment of the deposition according to the invention is the installation of a gas stream above the screen openings.
Diese umfasst eine oder mehrere Gasdüsen, welche auf die Sieböffnungen gerichtet sind. Je nach Konfiguration der Gasdüsen kann der Gasstrahl eher weich oder hart ausfallen. This comprises one or more gas nozzles, which are directed to the screen openings. Depending on the configuration of the gas nozzles, the gas jet may tend to be soft or hard.
Ein weicher Strahl eignet sich dabei bevorzugt zur Unterstützung der Abscheidung vom Staub. Ein harter Strahl eignet sich hingegen bevorzugt zur Abscheidung von den kleineren Polysiliciumbruchstücken, 0,1 mm bis 4mm. Der Gasstrom kann auch als Laminarfluss ausgebildet werden. A soft jet is preferably used to support the deposition of dust. By contrast, a hard jet is preferably suitable for the deposition of the smaller polysilicon fragments, 0.1 mm to 4 mm. The gas stream can also be formed as laminar flow.
Als Gase kommen Reinraumluft nach DIN EN ISO 14644-1 (ISO1 bis ISO6), saubere Trockenluft, Stickstoff und Argon in Betracht. Suitable gases are clean room air according to DIN EN ISO 14644-1 (ISO1 to ISO6), clean dry air, nitrogen and argon.
Der Gasstrom ist bevorzugt zwischen Anfang der Sieböffnungen und der Trennplatte zu positionieren. The gas stream is preferably to be positioned between the beginning of the sieve openings and the separating plate.
In einer Ausführungsform ist der Entnahmebereich mit einer Förderrinne verbunden, über die die größeren Bruchstücke abgeführt werden. Ebenso kann sich eine weitere Siebplatte anschließend, um einen weitere Fraktion vom Polysilicium abzutrennen. In one embodiment, the removal area is connected to a conveyor trough, over which the larger fragments are removed. Likewise, another screen plate can then be used to separate another fraction from the polysilicon.
In einer Ausführungsform besteht die Siebstrecke aus einem oder mehreren In one embodiment, the sieving path is one or more
Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff, Silicium oder Metall, Metall mit Quarzglas Materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, silicon or metal, metal with quartz glass
ausgekleidet und Metall mit Silicium ausgekleidet In einer Ausführungsform ist die Siebstrecke mit einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium ausgekleidet oder beschichtet. In einer Ausführungsform sind die mit dem Polysilicium in Berührung kommenden Teile der Siebstrecke mit einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium ausgekleidet oder beschichtet. In einer Ausführungsform umfasst die Siebstrecke einen metallischen Grundkörper sowie eine Beschichtung oder Auskleidung aus einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Kunststoff, Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium. In einer Ausführungsform umfasst die Siebstrecke einen aus Kunststoff bestehenden Grundkörper sowie eine Beschichtung oder Auskleidung aus einem oder mehreren Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Keramik, Glas, Diamant, amorpher Kohlenstoff und Silicium. In einer Ausführungsform der Erfindung wird der bei den zuvor genannten lined and metal lined with silicon In one embodiment, the screen stretch is lined or coated with one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, and silicon. In one embodiment, the polysilicon contacting portions of the screen are lined or coated with one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, and silicon. In one embodiment, the screening line comprises a metallic base body and a coating or lining of one or more materials selected from the group consisting of plastic, ceramic, glass, diamond, amorphous carbon and silicon. In one embodiment, the screen path comprises a plastic body and a coating or lining of one or more materials selected from the group consisting of ceramic, glass, diamond, amorphous carbon, and silicon. In one embodiment of the invention, that in the aforementioned
Ausführungen verwendete Kunststoff ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus PVC (Polyvinylchlorid), PP (Polypropylen), PE (Polyethylen), PU (Polyurethan), PFA (Perfluoralkoxy), PVDF (Polyvinylidenfluorid) und PTFE (Polytetrafluorethylen). In einer Ausführungsform umfasst die Siebstrecke eine Beschichtung aus Titannitrid, Titancarbid, Aluminiumtitannitrid, DLC (Diamond Like Carbon), Siliciumcarbid, nitridgebundenes Siliciumcarbid oder Wolframcarbid.  Types of plastic used selected from the group consisting of PVC (polyvinyl chloride), PP (polypropylene), PE (polyethylene), PU (polyurethane), PFA (perfluoroalkoxy), PVDF (polyvinylidene fluoride) and PTFE (polytetrafluoroethylene). In one embodiment, the screen comprises a coating of titanium nitride, titanium carbide, aluminum titanium nitride, DLC (Diamond Like Carbon), silicon carbide, nitride bonded silicon carbide, or tungsten carbide.
Bevorzugt können über diese Siebvorrichtung die Bruchgrößen (BG) 1 , 2, 3 eingesetzt werden. Typischer weise haben diese Bruchgrößen folgende Preferably, the breaking sizes (BG) 1, 2, 3 can be used via this screening device. Typically, these fraction sizes have the following
Abmessungen. Dimensions.
Bruchgröße 1 3 bis 15 mm Bruchgröße 2 10 bis 40 mm Break size 1 3 to 15 mm Break size 2 10 to 40 mm
Bruchgröße 3 20 bis 60 mm Break size 3 20 to 60 mm
Typischerweise weisen die einzelnen Bruchgrößenklassen kleine und größere Typically, the individual fractions have small and larger size classes
Bruchstücke auf. Der Anteil von größeren und kleineren Bruchstücken kann jeweils bis zu 5 % betragen. Fragments on. The proportion of larger and smaller fragments can be up to 5% each.
Insbesondere eignet sich die Siebvorrichtung zur Abscheidung von kleinen In particular, the screening device is suitable for the deposition of small
Polysiliciumstücken, die etwa einen Durchmesser von 0,05 bis 2 mm sowie Polysilicon pieces, which have a diameter of 0.05 to 2 mm as well
typischerweise eine Länge von bis zu 4 mm aufweisen. typically have a length of up to 4 mm.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Abscheidevorrichtung einen Trichter für das Aufgeben vom Polysiliciummaterial, zwei Fördereinheiten und zwei In a further embodiment, the separation device comprises a funnel for depositing polysilicon material, two delivery units, and two
Siebstrecken, wobei nach jeder Fördereinheit eine Siebstrecke folgt. Dabei bildet eine Fördereinheit und eine Siebstrecke eine Einheit. Die erste Einheit wird als Einheit 1 und die zweite Einheit als Einheit 2 bezeichnet. Die Fördermenge von Polysilicium in kg/min kann für jede Einheit separat eingestellt werden. Vorzugsweise ist die Siebstrecken, whereby after each conveyor unit follows a Siebstrecke. This forms a conveyor unit and a Siebstrecke a unit. The first unit is referred to as unit 1 and the second unit as unit 2. The delivery rate of polysilicon in kg / min can be set separately for each unit. Preferably, the
Fördermenge der Einheit 1 gleich der Einheit 2. Besonders bevorzugt ist die Fördermenge der Einheit 1 kleiner ist als die Flow rate of the unit 1 equal to the unit 2. Particularly preferably, the flow rate of the unit 1 is smaller than that
Fördermenge der Einheit 2, weil sich dadurch eine Vereinzelung der Flow rate of the unit 2, because this is a separation of the
Polysiliciumbruchstücke auf der Einheit 2 einstellen kann mit dem Ergebnis, dass die kleinen Polysiliciumbruchstücke und der Staub besser abgeschieden werden können. Natürlich können auch noch mehrere Einheiten hintereinander angebracht werden. Can adjust polysilicon fragments on the unit 2 with the result that the small polysilicon fragments and the dust can be better deposited. Of course, several units can be attached one behind the other.
Durch eine solche Maßnahme verbessert sich die Abscheidung kleiner By such a measure, the deposition improves smaller
Polysiliciumstücke und von Staub. Am Ende der letzten Siebstrecke befindet sich ein Entnahmebereich. Polysilicon pieces and dust. At the end of the last sieving stretch there is a withdrawal area.
Der Entnahmebereich ist so gestaltet, dass das Polysiliciummaterial in den The removal area is designed so that the polysilicon material in the
vorgesehen Behälter hineingleitet. Dieser Entnahmebereich kann ebenfalls in Schwingung gebracht werden, damit sichergestellt ist, dass kein Polysiliciummaterial liegen bleibt. Der Winkel von diesem Auslass beträgt vorzugsweise 5 bis 45° und besonders bevorzugt 15 bis 25°. provided container slides into it. This sampling area can also be vibrated to ensure that no polysilicon material remains. The angle of this outlet is preferably 5 to 45 ° and more preferably 15 to 25 °.
Es kommt zu keinem Verstopfen des Siebes womit eine gleichbleibende There is no clogging of the screen with what a consistent
Absiebqualität erreicht wird. Dadurch entfallen die Reinigungsschritte (steigende Anlagenlaufzeiten, sinkende Personalkosten). Ebenso ist die Trenngenauigkeit deutlich höher als bei Stangensieben womit deutlich weniger Fehlkorn abgetrennt. Absiebqualität is achieved. This eliminates the cleaning steps (increasing system running times, decreasing personnel costs). Likewise, the separation accuracy is significantly higher than with bar screens which significantly less defective grain separated.
Die bezüglich der vorstehend aufgeführten Ausführungsformen des With respect to the above-mentioned embodiments of the
erfindungsgemäßen Verfahrens angegebenen Merkmale können entsprechend auf die erfindungsgemäße Vorrichtung übertragen werden. Umgekehrt können die bezüglich der vorstehend ausgeführten Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtung angegebenen Merkmale entsprechend auf das erfindungsgemäße Verfahren übertragen werden. Diese Merkmale der Erfindung und die in den features of the invention can be correspondingly transferred to the device according to the invention. Conversely, the features specified with regard to the embodiments of the device according to the invention described above can be correspondingly transferred to the method according to the invention. These features of the invention and in the
Ansprüchen sowie in der Figurenbeschreibung genannten Merkmale können entweder separat oder in Kombination als Ausführungsformen der Erfindung verwirklicht werden. Weiterhin können sie vorteilhafte Ausführungen beschreiben, die selbstständig schutzfähig sind. Claims and features mentioned in the description of the figures can be realized either separately or in combination as embodiments of the invention. Furthermore, they can describe advantageous embodiments that are independently protectable.
Kurzbeschreibung der Figuren Brief description of the figures
Fig. 1 zeigt den schematischen Aufbau einer Siebplatte einer erfindungsgemäßen Abscheidevorrichtung. Fig. 1 shows the schematic structure of a screen plate of a separating device according to the invention.
Fig. 2 zeigt schematisch eine Abscheidevorrichtung mit Absaugung und Trennplatte. Fig. 2 shows schematically a separation device with suction and separation plate.
Fig. 3 zeigt schematisch eine Abscheidevorrichtung mit Absaugung und Gasstrom. Fig. 3 shows schematically a separation device with suction and gas flow.
Liste der verwendeten Bezugszeichen 1 Siebplatte List of reference numbers used 1 sieve plate
2 Aufgabebereich  2 task area
3 Profilierter Bereich der Siebplatte  3 Profiled area of the sieve plate
31 Senken des profilierten Bereichs  31 Lowering the profiled area
32 Spitzen des profilierten Bereichs  32 tips of the profiled area
4 Bereich mit Sieböffnungen  4 area with sieve openings
41 Sieböffnung mit Öffnungswinkel a1  41 sieve opening with opening angle a1
5 Entnahmebereich  5 removal area
6 Aufweitung mit Öffnungswinkel a2  6 expansion with opening angle a2
7 Trennplatte  7 separating plate
8 Absaugung  8 suction
9 Zuführung Gasstrom Die Siebplatte 1 umfasst einen Aufgabebereich 2, in dem das Polysilicium  9 feed gas flow The sieve plate 1 comprises a feed area 2, in which the polysilicon
aufgegeben wird. Das Polysilicium kann beispielsweise mittels einer Förderrinne zur Siebanlage befördert und an den Aufgabebereich 2 der Siebplatte 1 abgegeben werden. Die Siebplatte 1 umfasst zudem einen profilierten Bereich 3. Dieser profilierte Bereichis abandoned. The polysilicon can be conveyed for example by means of a conveyor trough to the screen and delivered to the feed area 2 of the screen plate 1. The screen plate 1 also comprises a profiled area 3. This profiled area
3 sieht Rillen oder Nuten oder Vertiefungen anderer Art vor, so dass der profilierte Bereich 3 Senken 31 und Spitzen 32 aufweist. 3 provides for grooves or grooves or depressions of another kind, so that the profiled area 3 has depressions 31 and tips 32.
Der im Polysilicium enthaltene Feinanteil sammelt sich während der Bewegung des Polysiliciums auf dem profilierten Bereich 3 in den Senken 31 des profilierten Bereichs 3. The fine fraction contained in the polysilicon accumulates during the movement of the polysilicon on the profiled area 3 in the depressions 31 of the profiled area 3.
Die Siebplatte 1 umfasst - an den profilierten Bereich 3 anschließend - einen BereichThe screen plate 1 comprises - following the profiled area 3 - an area
4 mit Sieböffnungen 41. Die Sieböffnungen 41 sind unmittelbar hinter (In 4 with sieve openings 41. The sieve openings 41 are immediately behind (In
Förderrichtung) den Senken 31 des profilierten Bereichs 3 angeordnet. Dadurch werden die in den Senken 31 des profilierten Bereichs 3 befindlichen Feinanteile des Polysiliciums gezielt zu den Sieböffnungen 41 des Bereichs 4 geführt. Die Spitzen 32 des profilierten Bereichs 3 setzen sich vorzugweise auch im Bereich 4 fort, so dass die gesamte Siebplatte 1 profiliert ist, jedoch im Bereich 4 statt Senken 31 Sieböffnungen 41 aufweist. Die Abtrennung des Feinanteils erfolgt somit über die Sieböffnungen 41 der Siebplatte 1. Die abgetrennten Feinanteile können beispielsweise durch einen unterhalb der Sieböffnungen 41 der Siebplatte 1 angeordneten Auffangbehälter aufgenommen werden. Größere Bruchstücke werden im profilierten Bereich über die Spitzen 32 zum Conveying direction) the depressions 31 of the profiled portion 3 are arranged. As a result, the fines of the polysilicon located in the depressions 31 of the profiled area 3 are guided in a targeted manner to the sieve openings 41 of the area 4. The tips 32 of the profiled area 3 preferably also continue in the area 4, so that the entire screen plate 1 is profiled, but in the area 4 instead of depressions 31 it has screen openings 41. The separation of the fine fraction thus takes place via the sieve openings 41 of the sieve plate 1. The separated fine fractions can be absorbed, for example, by a collecting container arranged below the sieve openings 41 of the sieve plate 1. Larger fragments are in the profiled area over the tips 32 to
Entnahmebereich 5 geführt. Removal area 5 out.
Die Sieböffnungen 41 weiten sich in Förderrichtung um einen Öffnungswinkel a1. Die Sieböffnungen 41 weisen am Ende des Bereichs 4 eine weitere Aufweitung 6 auf, gekennzeichnet durch einen Öffnungswinkel a2. The sieve openings 41 widen in the conveying direction by an opening angle a1. The screen openings 41 have at the end of the area 4 a further widening 6, characterized by an opening angle a2.
Bei der Abscheidevorrichtung ist in einer bevorzugten Ausführungsform eine In the deposition device is in a preferred embodiment a
Absaugung 8 unterhalb der Sieböffnungen 41 angebracht, die so positioniert ist, dass sich die Absaugung 8 bevorzugt zwischen Anfang der Sieböffnungen 41 und der Trennplatte 7 befindet. Suction 8 mounted below the screen openings 41, which is positioned so that the suction 8 is preferably located between the beginning of the screen openings 41 and the partition plate 7.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Abscheidung ist die Installation eines Gasstromes 9 oberhalb der Sieböffnungen 41. Beispiele Another preferred embodiment of the deposition according to the invention is the installation of a gas stream 9 above the sieve openings 41. Examples
Das vom Polysiliziumhersteller im Beutel angelieferte Polysiliziummaterial enthält auch kleinere Bruchstücke und Feinmaterialien. Das Feinmaterial, insbesondere mit Korngrößen kleiner als 4 mm, hat einen negativen Einfluss auf den Ziehprozess und muss aus diesem Grund vor der Verwendung entfernt werden. Für den Test wurde die Polybruchgröße 2 eingesetzt. Das für den Test verwendete Polysiliziummaterial mit Polybruchgrößen 2 wurde mit einem Analysesieb (DIN ISO 3310-2) mit einer Nennlochweite W = 4mm The polysilicon material delivered by the polysilicon manufacturer in the bag also contains smaller debris and fines. The fine material, in particular with grain sizes smaller than 4 mm, has a negative influence on the drawing process and must therefore be removed before use. For the test the Polybruchgröße 2 was used. The polysilicon material with polystyrene size 2 used for the test was coated with an analytical sieve (DIN ISO 3310-2) with a nominal hole width W = 4 mm
(Quadratlochung) abgesiebt und für die Tests zur Verfügung gestellt. Das abgetrennte Feinmaterial wurde aufgefangen und verwogen. (Square holes) screened and provided for the tests. The separated fine material was collected and weighed.
Auf einer Fördereinheit wurden 10 kg Testpoylsiliciummaterial von der Bruchgröße 2 (ohne Feinmaterial < 4 mm) gegeben. Das Aufgeben des Testpolysiliciummaterials wird bevorzugt über einen Trichter vorgenommen. Der zu befüllende Behälter wird am Ende der Siebstrecke über der ersten Fördereinheit positioniert, so dass das On a conveyor unit 10 kg Testpoylsiliciummaterial of the fraction size 2 (without fines <4 mm) were given. The application of the test polysilicon material is preferably carried out via a funnel. The container to be filled is positioned over the first conveyor unit at the end of the strainer, so that the
Testpolysiliziummaterial in den Behälter ohne Probleme gefördert werden kann. Test polysilicon material can be promoted in the container without problems.
Das im Vorfeld für den Test abgetrennte Feinmaterial wird für diesen Test verwendet. Beim Befüllen der Fördereinheit werden jeweils nach 2 kg Testpolymaterial 2g abgetrenntes Feinmaterial zugegeben, so dass am Ende in Summe 10g Feinmaterial für diesen Test zugegeben wurde. The preliminarily separated test material is used for this test. When filling the conveyor unit 2 g of separated fine material are added after 2 kg of test polymaterial, so that in the end a total of 10 g of fine material was added for this test.
Danach wurden die Fördereinheit und die Siebstrecke gestartet. Die Fördermenge wurde vor dem Test auf 3kg +/- 0,5kg pro Minute eingestellt. Das entfernte After that, the conveyor unit and the strainer were started. The flow rate was set to 3kg +/- 0.5kg per minute before the test. The remote
Feinmaterial wurde aufgefangen und zurückgewogen. Pro Einstellung wurden die Versuche fünfmal vorgenommen. Fine material was collected and weighed back. Per setting, the experiments were made five times.
Tabelle 1 zeigt die mittleren Ergebnisse: Table 1 shows the mean results:
Test 1 Test 1
Hierfür wurde eine Fördereinheit plus eine Siebstrecke ohne Absaugung und ohne Gasstrom von oben verwendet. For this purpose, a feed unit plus a Siebstrecke without suction and gas flow from above was used.
Test 2 Test 2
Hierfür wurde eine Fördereinheit plus eine Siebstrecke mit Absaugung, aber ohne Gasstrom von oben verwendet.  For this purpose, a feed unit plus a suction sieve with suction, but without gas flow from above was used.
Test 3 Hierfür wurde eine Fördereinheit plus eine Siebstrecke mit Absaugung und mit einem Gasstrom von oben verwendet. Test 3 For this purpose, a conveyor unit plus a suction sieve with a gas flow from above was used.
Test 4 Test 4
Hierfür wurden zwei Fördereinheiten plus zwei Siebstrecken ohne Absaugung und ohne Gasstrom von oben verwendet, wobei nach jeder Fördereinheit eine Siebstrecke folgte.  For this purpose, two conveyor units plus two suction sections without suction and without gas flow from above were used, with one conveyor line following each conveyor unit.
Test 5 Test 5
Hierfür wurden zwei Fördereinheiten plus zwei Siebstrecken mit Absaugung und ohne Gasstrom von oben verwendet, wobei nach jeder Fördereinheit eine Siebstrecke folgte-  For this purpose, two conveying units plus two suction suction sections and without gas flow from above were used, with one finishing line following each conveying unit.
Tabelle 1 Table 1
Die Ergebnisse zeigen, dass die Verwendung von Absaugung und Gasstrom von oben zu einer Verbesserung der Entfernungsrate um 8% führen. Eine weitere Verbesserung der Entfernungsrate ist möglich, wenn zwei Siebstrecken zum Einsatz kommen und eine Absaugung vorgesehen ist. The results show that the use of suction and gas flow from above leads to an improvement of the removal rate by 8%. A further improvement of the removal rate is possible when two sieve sections are used and an extraction is provided.
In einer Ausführungsform umfasst die Abscheidevorrichtung daher zwei Siebplatten, umfassend jeweils einen Aufgabebereich für Polysilicium, einen profilierten Bereich mit Spitzen und Senken, einen an den profilierten Bereich anschließenden Bereich mit Sieböffnungen, und einen Entnahmebereich, wobei sich die Sieböffnungen in Richtung des Entnahmebereichs auf weiten, und eine unterhalb der Sieböffnungen angeordnete Trennplatte, die horizontal und vertikal verschiebbar ist, sowie eine Absaugung unterhalb der Sieböffnungen. Der Entnahmebereich der ersten Siebplatte schließt an den Aufgabebereich der zweiten Siebplatte an, d.h. Polysilicium, das in der ersten Siebstrecke nicht abgetrennt wurde, wird auf die zweite Siebstrecke gegeben. Bei beiden Siebstrecken sind Absaugungen unterhalb der Sieböffnungen vorgesehen. In one embodiment, therefore, the separation device comprises two screen plates, each comprising a polysilicon loading area, a profiled area with peaks and troughs, an area adjoining the profiled area with screen openings, and a removal area, wherein the screen openings in Direction of the removal area on wide, and arranged below the screen openings separating plate which is horizontally and vertically displaceable, and an exhaust below the screen openings. The removal area of the first sieve plate adjoins the feed area of the second sieve plate, ie polysilicon which was not separated in the first sieving line is placed on the second sieve line. In both screens, exhausts are provided below the screen openings.
Die vorstehende Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen ist exemplarisch zu verstehen. Die damit erfolgte Offenbarung ermöglicht es dem Fachmann einerseits, die vorliegende Erfindung und die damit verbundenen Vorteile zu verstehen, und umfasst andererseits im Verständnis des Fachmanns auch offensichtliche The above description of exemplary embodiments is to be understood by way of example. The disclosure thus made makes it possible for the skilled person, on the one hand, to understand the present invention and the associated advantages, and on the other hand, in the understanding of the person skilled in the art, also includes obvious ones
Abänderungen und Modifikationen der beschriebenen Strukturen und Verfahren. Daher sollen alle derartigen Abänderungen und Modifikationen sowie Äquivalente durch den Schutzbereich der Ansprüche abgedeckt sein. Modifications and Modifications of the Structures and Methods Described. It is therefore intended that all such alterations and modifications as well as equivalents be covered by the scope of the claims.

Claims

Patentansprüche claims
1 . Abscheidevornchtung für Polysilicium mit wenigstens einer Siebplatte (1 ), 1 . Separation device for polysilicon with at least one screen plate (1),
umfassend einen Aufgabebereich (2) für Polysilicium, einen profilierten Bereich (3) mit Spitzen (32) und Senken (31 ), einen an den profilierten Bereich (3)  comprising a polysilicon application region (2), a profiled region (3) with tips (32) and depressions (31), a profiled region (3)
anschließenden Bereich (4) mit Sieböffnungen (41 ), und einen Entnahmebereich (5), wobei sich die Sieböffnungen (41 ) in Richtung des Entnahmebereichs (5) aufweiten, und eine unterhalb der Sieböffnungen angeordnete Trennplatte (7), die horizontal und vertikal verschiebbar ist.  adjoining region (4) with sieve openings (41), and a removal region (5), wherein the sieve openings (41) expand in the direction of the removal region (5), and a separating plate (7) arranged below the sieve openings, which can be displaced horizontally and vertically is.
2. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 1 , wobei ein Öffnungswinkel der Aufweitung der Sieböffnungen (41 ) größer oder gleich 1 ° und kleiner oder gleich 20° beträgt. 2. Separating device according to claim 1, wherein an opening angle of the widening of the screen openings (41) is greater than or equal to 1 ° and less than or equal to 20 °.
3. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 2, wobei ein Öffnungswinkel der Aufweitung der Sieböffnungen (41 ) größer oder gleich 5° und kleiner oder gleich 15° beträgt. 3. Separating device according to claim 2, wherein an opening angle of the widening of the screen openings (41) is greater than or equal to 5 ° and less than or equal to 15 °.
4. Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Sieböffnungen (41 ) eine Länge von 5 mm bis 50 mm aufweisen. 4. Separating device according to one of claims 1 to 3, wherein the screen openings (41) have a length of 5 mm to 50 mm.
5. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Sieböffnungen (41 ) eine Länge von 20 mm bis 40 mm aufweisen. 5. deposition apparatus according to claim 4, wherein the screen openings (41) have a length of 20 mm to 40 mm.
6. Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei sich die 6. Separating device according to one of claims 1 to 5, wherein the
Sieböffnungen (41 ) in Richtung des Entnahmebereichs nach einer ersten  Screen openings (41) in the direction of the removal area after a first
Aufweitung ein zweites Mal aufweiten, wobei ein Öffnungswinkel dieser zweiten Aufweitung 40- 150° beträgt.  Widen expansion a second time, wherein an opening angle of this second expansion is 40-150 °.
7. Abscheidevorrichtung nach Anspruch 6, wobei ein Öffnungswinkel der zweiten Aufweitung 60 bis 120° beträgt. 7. Separating device according to claim 6, wherein an opening angle of the second expansion is 60 to 120 °.
8. Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, umfassend eine 8. Separator device according to one of claims 1 to 7, comprising a
Absaugung (8) unterhalb der Sieböffnungen (41 ). Extraction (8) below the sieve openings (41).
9. Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, umfassend eine 9. Separating device according to one of claims 1 to 8, comprising a
Vorrichtung, um einen Gasstrom (9) von oben auf die Sieböffnungen (41 ) zu richten.  Device for directing a gas flow (9) from above onto the screen openings (41).
10.Verfahren, wobei Polysilicium auf die Siebplatte (1 ) einer Abscheidevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9 aufgegeben wird, die derart in Schwingungen versetzt wird, dass das Polysilicium eine Bewegung in Richtung des 10.A method wherein polysilicon is applied to the screen plate (1) of a separator according to any one of claims 1 to 9, which is vibrated in such a way that the polysilicon movement in the direction of
Entnahmebereichs (5) ausführt, wobei sich kleinteiliges Polysilicium in den Senken (31 ) der Siebplatte (1 ) sammelt und durch die Sieböffnungen (41 ) der Siebplatte (1 ) über die Trennplatte (7) in einen Auffangbehälter fällt und dadurch vom aufgegebenen Polysilicium getrennt wird, wobei das aufgegebene Polysilicium ohne das abgetrennte kleinteilige Polysilicium weiterverarbeitet wird.  Carrying out removal region (5), wherein small-scale polysilicon in the wells (31) of the sieve plate (1) collects and through the sieve openings (41) of the sieve plate (1) via the separating plate (7) falls into a collecting container and thereby separated from the discontinued polysilicon wherein the discontinued polysilicon is processed without the separated particulate polysilicon.
EP17746082.1A 2016-12-16 2017-07-28 Separating device for polycrystalline silicon Active EP3554723B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016225248.8A DE102016225248A1 (en) 2016-12-16 2016-12-16 Separator for polysilicon
PCT/EP2017/069199 WO2018108334A1 (en) 2016-12-16 2017-07-28 Separating device for polycrystalline silicon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP3554723A1 true EP3554723A1 (en) 2019-10-23
EP3554723B1 EP3554723B1 (en) 2022-11-30

Family

ID=59501437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP17746082.1A Active EP3554723B1 (en) 2016-12-16 2017-07-28 Separating device for polycrystalline silicon

Country Status (9)

Country Link
US (1) US11154908B2 (en)
EP (1) EP3554723B1 (en)
JP (1) JP7005627B2 (en)
KR (1) KR102330224B1 (en)
CN (1) CN110072638B (en)
DE (1) DE102016225248A1 (en)
FI (1) FI3554723T3 (en)
TW (1) TWI660793B (en)
WO (1) WO2018108334A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116096509A (en) 2020-08-24 2023-05-09 瓦克化学股份公司 Sieve plate for a separating device for classifying bulk material
CN117430119B (en) * 2023-12-20 2024-02-20 四川优赛思智能科技有限公司 Industrial silicon smelting system with automatic eye blocking function

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2074515A (en) * 1934-08-11 1937-03-23 Valdis M Pyatt Separator
DE826211C (en) * 1950-06-13 1951-12-27 Dr Albert Remien Device for sorting fruit u. like
EP0139783A1 (en) * 1983-11-01 1985-05-08 Ventilatorenfabrik Oelde Gmbh Device for processing scrap, waste or the like
CA2045659C (en) * 1989-02-15 2000-04-11 Keith Piggott Air concentrator
JPH05168450A (en) 1991-12-24 1993-07-02 Mitsuwa:Kk Unmatured soybean sorting machine
DE4307138A1 (en) 1993-03-06 1994-09-08 Seichter Gmbh Conveyor for bulk goods
ES2135290T3 (en) * 1996-01-18 1999-10-16 Siemens Ag EVACUATION DEVICE.
US5819951A (en) * 1996-10-29 1998-10-13 A.S.T. Advanced Screening Technologies Ltd. Separator plate for the screening of a particulate material and a sorting apparatus comprising same
AUPO638997A0 (en) * 1997-04-23 1997-05-22 Unisearch Limited Metal contact scheme using selective silicon growth
DE19822996C1 (en) * 1998-05-22 1999-04-22 Siemens Ag Temperature-resistant gradient material for heat shield or gas turbine blade
DE19839024A1 (en) * 1998-08-27 2000-03-09 Wacker Chemie Gmbh Air classifiers for polysilicon
DE19914998A1 (en) * 1999-04-01 2000-10-12 Wacker Chemie Gmbh Vibratory conveyor and method for promoting silicon breakage
JP2002011408A (en) 2000-06-30 2002-01-15 Sumitomo Heavy Ind Ltd Vibration sieving device
US8021483B2 (en) * 2002-02-20 2011-09-20 Hemlock Semiconductor Corporation Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods
US6889846B2 (en) * 2002-03-15 2005-05-10 Johnson Crushers International Hybrid screen
DE102006035081A1 (en) 2006-07-28 2008-01-31 Wacker Chemie Ag Method and apparatus for producing classified polycrystalline silicon fracture in high purity
KR100882556B1 (en) * 2007-06-21 2009-02-17 주식회사 블루웨일스크린 Screen bar fixing structure of screening apparatus for treating wastewater
CN202799718U (en) * 2012-01-07 2013-03-20 阿不都克友木·哈地尔 Threshing separator
CN104944069A (en) * 2014-03-24 2015-09-30 湖北国煤煤矿机械有限公司 Adjustable screening middle trough
DE102015206849A1 (en) 2015-04-16 2016-10-20 Wacker Chemie Ag Apparatus and method for classifying and dedusting polysilicon granules
DE102015211351A1 (en) 2015-06-19 2016-12-22 Siltronic Ag Sieve plate for screening equipment for the mechanical classification of polysilicon
CN205161144U (en) * 2015-12-02 2016-04-20 蒋和忠 Harvester with chain vibration isolation sieves device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020513313A (en) 2020-05-14
TW201838726A (en) 2018-11-01
JP7005627B2 (en) 2022-01-21
CN110072638A (en) 2019-07-30
TWI660793B (en) 2019-06-01
EP3554723B1 (en) 2022-11-30
KR102330224B1 (en) 2021-11-22
WO2018108334A1 (en) 2018-06-21
US20200086348A1 (en) 2020-03-19
DE102016225248A1 (en) 2018-06-21
FI3554723T3 (en) 2023-03-21
KR20190097152A (en) 2019-08-20
CN110072638B (en) 2022-08-26
US11154908B2 (en) 2021-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2055395B1 (en) Method and device for sieving out particles
EP3043929B1 (en) Classification of polycrystalline silicon
EP3310499B1 (en) Process for the mechanical classifying of polysilicon
EP0332929B2 (en) Process and apparatus for fluidized-bed granulation
EP1125508A2 (en) Process and apparatus for processing tobacco dust
EP2666750A1 (en) Polycrystalline silicon
EP2730510B1 (en) Method for packaging of polycrystalline silicon
EP0982081B1 (en) Pneumatic classification for polysilicon
DE19719698A1 (en) Optoelectronic classifying device
EP3554723A1 (en) Separating device for polycrystalline silicon
DE112017002332B4 (en) SIDE FINE GRAIN GUTTERS OF A TURNTAKER
EP3115151B1 (en) Recovery of abrasive from abrasive - water jet - cutting installations
EP3871776B1 (en) Device for treating a mixture of materials consisting of substitute fuel and impurities
EP3871777A1 (en) Device for treating a mixture of materials consisting of substitute fuel and impurity
DE102005062090B4 (en) Visual device and method for separating heavy and light particles of tobacco material
EP2818250B1 (en) Method for the treatment of refuse incineration slag
EP2228114A1 (en) Cleaning assembly
EP4200085B1 (en) Screen plate for a separating device for classifying bulk material
DE102011107643A1 (en) Cigarette decomposing apparatus for filter cigarettes and cigarette breaking machine and method for cutting a filter cigarette
DE102008058998B4 (en) Process for the screening or classification of cut, vegetable bulk material, in particular tobacco, and apparatus for carrying out the process
EP0995500B1 (en) Classification of semiconductor material
DE872304C (en) Method and device for classifying powdery material
AT513285B1 (en) Apparatus / method for classifying polydisperse feedstock

Legal Events

Date Code Title Description
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: UNKNOWN

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE INTERNATIONAL PUBLICATION HAS BEEN MADE

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20190603

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAV Request for validation of the european patent (deleted)
DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20200715

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: SILTRONIC AG

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20220623

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE PATENT HAS BEEN GRANTED

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: REF

Ref document number: 1534277

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20221215

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: GERMAN

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 502017014160

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: LT

Ref legal event code: MG9D

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: MP

Effective date: 20221130

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20230331

Ref country code: NO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20230228

Ref country code: LT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: RS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: PL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: LV

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20230330

Ref country code: HR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20230301

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SM

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: RO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: CZ

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

Ref country code: AL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 502017014160

Country of ref document: DE

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Payment date: 20230724

Year of fee payment: 7

Ref country code: FI

Payment date: 20230719

Year of fee payment: 7

26N No opposition filed

Effective date: 20230831

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20230719

Year of fee payment: 7

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20221130

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

REG Reference to a national code

Ref country code: BE

Ref legal event code: MM

Effective date: 20230731

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20230728

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20230728

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20230728

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: MM4A

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20230728

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20230731

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20230731

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20230731