EP2600996A2 - Verfahren zum pulvermetallurgischen herstellen eines cu-cr-werkstoffs - Google Patents

Verfahren zum pulvermetallurgischen herstellen eines cu-cr-werkstoffs

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EP2600996A2
EP2600996A2 EP11751787.0A EP11751787A EP2600996A2 EP 2600996 A2 EP2600996 A2 EP 2600996A2 EP 11751787 A EP11751787 A EP 11751787A EP 2600996 A2 EP2600996 A2 EP 2600996A2
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EP
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powder
grains
maximum
switching contact
temperature limit
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Plansee Powertech AG
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Definitions

  • the present invention relates to a method for powder metallurgy
  • Vacuum switch and a powder metallurgically produced Cu-Cr switching contact, in particular for vacuum switch. It involves the production of a high-performance Cu-Cr material. It is known to use Cu-Cr materials as material for switching contacts, in particular in the field of application of the vacuum switching principle.
  • the vacuum switching principle has been found in the range of medium voltage, i. in the range of approx. 7.2 kV to 40 kV, already established as the leading switching principle worldwide, and there is also a trend towards use at higher voltages.
  • Such switching contacts come here, e.g. used in both vacuum medium-voltage circuit breakers and vacuum contactors.
  • the switching contacts require a switching capacity that is as constant as possible over the service life, a high dielectric strength and the lowest possible burnup. It is desired, a high erosion resistance, a good electrical and thermal conductivity, the lowest possible
  • DE 10 2006 021 772 A1 describes a method for producing copper-chrome contacts for vacuum switches. Copper-chrome contacts for vacuum switches are thereby produced by producing a thin copper-chromium sheet as the starting material for the contacts by means of a casting or spraying process with subsequent rapid cooling. In this case, concentration profiles set in a direction perpendicular to the belt direction. A state diagram of the Cu-Cr system is also shown and described.
  • Vacuum switching technology are purely powder metallurgical processes
  • Cu-Cr materials have not yet satisfactorily exhibit the desired properties. It is an object of the present invention to provide a method for powder metallurgy producing a Cu-Cr material for a switching contact and a
  • the method for powder metallurgy producing a Cu-Cr material for a switching contact comprises the following steps: pressing a Cu-Cr powder mixture formed from Cu powder and Cr powder, sintering the pressed Cu-Cr powder mixture to the material of the
  • Treatment process is carried out with an alternating temperature profile in which the Cu-Cr powder mixture or the Cu-Cr material is heated at least twice alternately above an upper temperature limit and cooled again below a lower temperature limit. All steps are performed at temperatures that do not form a molten phase. The entire manufacturing process of the Cu-Cr material is thus pure
  • molten phase comes. It will either be sintering or a
  • Temperature increase and a decrease in temperature take place, with a Temperature increase and a temperature decrease in each case at least twice.
  • the temperature increase and the temperature reduction preferably take place at least three times.
  • the alternating temperature profile can be traversed, for example, during the sintering of the pressed Cu-Cr green body.
  • the upper temperature limit can preferably be chosen so that the greatest possible solubility of Cr in Cu is given in solid solution.
  • the lower temperature limit may preferably be chosen to provide a significantly lower solubility of Cr in Cu in solid solution than at the upper temperature limit.
  • the production of the Cu-Cr material may be e.g. such that already the finished switching contact is provided in its final form, or e.g. also such that the switching contact is given its final shape only by suitable post-processing.
  • the alternating temperature profile ensures that many Cr grains with grain sizes with a cross section between 0.1 pm 2 and 50 pm 2 (measured in the micrograph) are formed in a Cu matrix.
  • the Cu-Cr material formed thus has a particle size distribution of the Cr grains measured in the micrograph, which has a first maximum in the range of grain sizes with a cross section between 0.1 pm 2 and 50 pm 2 . The determination of the particle size distribution takes place
  • the described advantageous particle size distribution is also easily achieved when relatively coarse Cr powder (eg with particle diameters between 20 pm and 200 pm) is used as the starting material.
  • the resulting Cu-Cr material has a microstructure in which the micrograph in a Cu -Matrix next to some smaller Cr-Kömern relatively large Cr grains with a grain diameter in the range between 100 pm and 150 ⁇ are present. This then typically results in a unimodal grain size distribution with a maximum, for example, with grain sizes in the range between 100 pm 2 and 25000 ⁇ m 2 . This suggests that the particle sizes of the Cr powder as the starting material in the resulting Cu-Cr material are substantially maintained unless the alternating temperature profile is traversed.
  • Cr powder fractions is higher than in coarse-grained powders. Another difficulty in the processing of fine powders is the handling of the
  • the resulting Cu-Cr material is ideal for switching contacts for use in vacuum switching technology, both as a circuit breaker in the high and medium voltage range as well as a vacuum contactor switch in the
  • the upper temperature limit is in a range between 1065 ° C and 1025 ° C and the lower temperature limit is at least 50 ° C below the upper temperature limit.
  • the lower temperature limit is preferably at least 100 ° C below the upper temperature limit.
  • the upper temperature limit is in a temperature range just below the temperature of the eutectic (1075 ° C), that is, a range in which up to about 0.7 at% Cr can be dissolved in the Cu matrix in solid solution. This corresponds to the range in which the maximum solubility of Cr in Cu is given in solid solution.
  • the upper temperature limit is far enough below the temperature of the eutectic that the formation of a
  • the lower temperature limit is well below the upper temperature limit, ie in a range in which (in thermal equilibrium) a significantly smaller amount of Cr in the Cu matrix can be dissolved in solid solution.
  • the upper temperature limit Cr it is enriched in the material of the Cu matrix (up to a maximum of approximately 0.7 at%).
  • the method further comprises the step of: mixing Cu powder and Cr powder into a Cu-Cr powder mixture.
  • the Cu-Cr powder mixture can be easily provided by using conventional Cr powder and Cu powder.
  • the Cu particles in the Cu-Cr powder mixture have a particle size distribution with a maximum particle diameter 80 ⁇ , preferably
  • Particle diameter is determined by means of a sieve analysis.
  • a sieve with a corresponding mesh size for example 80 ⁇ m or 50 ⁇ m is used and only particles which fall through the sieve are used.
  • the Cr particles in the Cu-Cr powder mixture have a particle size distribution with a maximum particle diameter of 200 ⁇ m, preferably
  • Sieve analysis determined with a corresponding mesh size of the sieve.
  • the value for the maximum particle diameter is small enough so as not to form excessively large Cr grains in the Cu-Cr material.
  • the individual particles can also be formed large enough so that no excessive risk of contamination by oxides occurs and in conventional production plants, a high density and a low degree of porosity can be achieved.
  • the Cr particles in the Cu-Cr powder mixture have a particle size distribution with a minimum particle diameter of 20 ⁇ m, preferably z 32 ⁇ m.
  • the minimum particle diameter is also determined using a sieve analysis (with a mesh size of, for example, 20 ⁇ m or 32 ⁇ m), but in this case only the particles that do not fall through the sieve are used. In this case, the minimum particle diameter is large enough so that there is no undue risk of contamination by oxides and conventional ones Production facilities high density and a low degree of porosity can be achieved.
  • the Cu-Cr powder mixture has a Cu content between 30% by weight and 80% by weight and a Cr content between 70% by weight and 20% by weight. In this case it is achieved that both a high
  • the object is also achieved by a powder-metallurgically produced Cu-Cr switching contact according to claim 8.
  • Advantageous developments are specified in the dependent claims.
  • the Cu-Cr switch contact can for
  • Vacuum switch be formed.
  • the powder-metallurgically produced Cu-Cr switch contact has a Cu content between 30 wt .-% and 80 wt .-% and a Cr content between 70 wt .-% and 20 wt .-%.
  • the Cu-Cr switch contact has Cr grains in a Cu matrix.
  • a particle size distribution of Cr grains measured in the micrograph has a first
  • a Cu matrix is understood to mean a material which mainly consists of Cu but may also have a small proportion of Cr in solid solution. There may also be traces of impurities.
  • Cr grains are formed.
  • the grain size distribution of the Cr grains is determined as follows: A micrograph of the Cu-Cr material of the switch contact is made and analyzed microscopically. The micrograph identifies the Cr grains and the Cross-sectional areas of the Cr grains are measured. The evaluation takes place over a sufficiently large surface area or different
  • the evaluation can be done eg by hand or supported by a suitable software.
  • the particle size distribution is seen.
  • the particle size distribution has a maximum in a range of grain sizes with a measured cross-sectional area between 0.1 ⁇ 2 and 50 ⁇ 2 .
  • the powder-metallurgically produced Cu-Cr switch contact achieves the advantages described above with respect to the method of powder metallurgy producing a Cu-Cr material for a switch contact. Due to the pure powder metallurgical production a particularly economical production is possible. Due to the grain size distribution with the maximum in the range of grain sizes with a cross-sectional area between 0.1 pm 2 and 50 pm 2 , the Cu-Cr switch contact has a large number of fine Cr grains. The fine ones
  • powder metallurgical process is available, is carried out in the sintering or a subsequent thermal treatment process with an alternating temperature profile in which a Cu-Cr powder mixture or the material of the
  • Temperature limit is heated and cooled again below a lower temperature limit and wherein all steps are carried out at temperatures at which no molten phase is formed.
  • the production in a purely powder metallurgical process can be seen on the Cu-Cr switch contact.
  • the grain size distribution of the Cr grains has a second maximum in the range of grain sizes with a cross-sectional area between 100 pm 2 and 10000 pm 2 .
  • a bimodal Cr phase distribution having two maxima, a first maximum at grain sizes with one measured cross-sectional area between 0.1 ⁇ 2 and 50 pm 2 and a second maximum at grain sizes with a measured cross-sectional area between 100 pm 2 and 10,000 pm 2 .
  • This particle size distribution results from the pure powder metallurgical production process using coarse Cr powder, for example with particle diameters between 20 pm and 200 pm.
  • the number of Cr grains corresponding to the first maximum is greater than the number of the second maximum
  • the Cu-Cr switch contact has a relative density> 90%.
  • good electrical and thermal conductivity and high mechanical strength are reliably provided.
  • Such a high relative density can be reliably achieved by using relatively coarse
  • relative density is meant the ratio between the density achieved and the theoretically achievable density for the composition.
  • the combination of this high density and the high proportion of fine Cr grains in the Cu matrix can be achieved by combining a use of coarse Cr powder (with particle diameters between 20 pm and 200 pm) and using a
  • Fig. 1 shows a grain size distribution of the Cr grains in a powder metallurgically produced Cu-Cr material in the initial state (solid line) and after passing through an alternating temperature profile (dashed line).
  • Fig. 2 shows a light microscopic micrograph of a powder metallurgical
  • Fig. 3 shows a light microscopic micrograph of a powder metallurgy
  • Fig. 4 shows schematically the method steps of a method for
  • a first step -S1- is Cu powder with a maximum
  • Cu-Cr powder mixture having a Cr content of 43 wt .-% and a Cu content of 57 wt .-% produced.
  • a second step -S2- the Cu-Cr powder mixture is pressed.
  • the Cu-Cr powder mixture is compacted by cold pressing at a compression pressure in a range between 400 MPa and 850 MPa.
  • a subsequent step -S3- the green compact thus formed in a sintering process at temperatures in a temperature range well below the temperature of the eutectic (ie, well below 1075 ° C) sintered.
  • Steps -S1- to -S3- a molten phase in the Cu-Cr powder mixture or in the pressed green compact from.
  • the sintering process can be used, for example, in
  • the temperatures must be high enough so that the sintering process proceeds sufficiently and with sufficient speed, and low enough that even in unavoidable
  • FIG. 2 An exemplary light microscopic micrograph of a powder-metallurgically produced Cu-Cr material after step -S3- is shown in FIG. In Fig. 2 it can be seen that in a Cu matrix Cr grains with different
  • Fig. 1 An evaluation of the grain size distribution of the Cr grains in the thus prepared Cu-Cr material is shown in Fig. 1 by a solid line. A micrograph of the Cu-Cr material was prepared and the size of the Cr grains was examined microscopically and measured. There were 10 different
  • Fig. 1 the measured cross-sectional area of the Cr grains in pm 2 is plotted on a logarithmic scale on the horizontal axis. On the vertical axis, the corresponding number of grains normalized to a unit area of 1 mm 2 is also shown in a logarithmic representation.
  • the Cu-Cr material in this process stage has a monomodal particle size distribution with particle sizes in a range between approximately 10 ⁇ m 2 and 25000 ⁇ m 2 .
  • the particle size distribution has a maximum, which is in the range of> 100 pm 2 for particle sizes.
  • the Cu-Cr material is then subjected to a thermal treatment process with an alternating temperature profile, as described below becomes.
  • the Cu-Cr material is alternately heated to a temperature above an upper temperature limit and cooled to a temperature below a lower temperature limit.
  • the alternating heating and cooling take place at least twice. In these process steps, too, care is taken to ensure that no molten phase is formed, ie
  • Cu-Cr material is kept at temperatures below the temperature of the eutectic (1075 ° C) of the Cu-Cr system. This will be described in more detail below.
  • the Cu-Cr material is heated to a temperature above the upper temperature limit.
  • the upper temperature limit is preferably relatively close below the temperature of the eutectic of the Cu-Cr system, so that the Cu-Cr material is brought to a temperature just below the temperature of the eutectic, but far enough from the
  • the upper temperature limit value is thus preferably in a range between 1025 ° C and 1065 ° C.
  • the lower temperature limit value is preferably in a range which is at least 50 ° C. below the upper temperature limit value, more preferably in a range of more than 100 ° C. below the upper temperature limit value.
  • the lower temperature limit is preferably at most 250 ° C below the upper temperature limit, more preferably at most 180 ° C below the upper temperature limit.
  • the lower temperature limit should be chosen so that there is a much lower solubility of Cr in solid solution in Cu than at the upper temperature limit. The reason for this choice will be explained in more detail. For example, can the Cu-Cr material on
  • the step -S5- is repeated, i. the Cu-Cr material is again cooled to a temperature below the lower temperature limit.
  • the steps -S4- and -S5- are repeated a total of n times, but a total of at least twice, preferably at least three times. It has been shown that at 2 times to about 6 times (2: £ n £ 6) go through the steps -S4- and
  • Cu-Cr material is therefore exposed to a pendulum annealing. At least the
  • Steps -S4- and -S5- are performed in a protective gas oven under reducing
  • Fig. 3 shows a light microscopic micrograph of a powder metallurgy
  • Fig. 1 is shown as a dashed line, the determined particle size distribution after passing through the alternating temperature profile.
  • Grain size distribution was determined in the same manner as described above with reference to the solid line of FIG. It can be seen that after the pendulum annealing instead of the previously existing monomodal
  • Grain size distribution (solid line) is a bimodal grain size distribution.
  • the particle size distribution has a first maximum in a range of grain sizes with a cross-sectional area between 0.1 pm 2 and 50 pm 2 .
  • the particle size distribution has a second maximum in the range of grain sizes a cross-sectional area between 100 ⁇ 2 and 10000 ⁇ 2 on.
  • the number of Cr grains corresponding to the first maximum is greater than the number of Cr grains corresponding to the second maximum.
  • the number of Cr grains corresponding to the first maximum is larger than the number of Cr grains corresponding to the second maximum by a factor> 5. Furthermore, there is a very homogeneous distribution of the Cr grains in the Cu matrix.
  • the proportion of Cr grains with a cross-sectional area ⁇ 10 ⁇ 2 measured in the microsection is thus very high.
  • the thermal treatment with the alternating temperature profile thus achieves a shift to a high proportion of very small finely divided Cr grain precipitates in the Cu matrix.
  • the described starting materials having a relatively coarse particle size of the Cr powder, it is possible to produce very dense Cu-Cr materials with low porosity in a purely powder metallurgical process with conventional production plants, which also have a low level of impurities.
  • the pure powder metallurgy production is recognizable on the Cu-Cr material. Due to the very finely distributed Cr grains, the purely powder-metallurgically produced Cu-Cr material has a high erosion resistance, a high dielectric strength and a sufficient mechanical strength of the switching contact.
  • the temperature change between the high and the low temperature level in the pendulum annealing should be chosen to be sufficiently slow that Cr is reliably precipitated from the Cu matrix on cooling, but not too slow so that larger Cr grains are not produced again by grain coarsening.
  • Experiments were also carried out with Cu-Cr powder mixtures with other ratios between Cr and Cu, which also led to comparable results.
  • experiments with a Cr content of 70 wt .-% and a Cu content of 30 wt .-% resulted in respect to the fine Cr precipitates to a comparable result.
  • Temperature profile takes place after the step -S3- of sintering in the Cu-Cr material, it is e.g. also possible already to carry out the sintering process itself with an alternating temperature profile.
  • the pressed Cu-Cr green compact is already subjected to the steps -S4- and -SS- repeatedly during the sintering process.
  • the separate step -S3- is omitted and the sintering takes place during the steps -S4- and -S5-.

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Abstract

Es wird ein Verfahren zum pulvermetallurgischen Herstellen eines Cu-Cr-Werkstoffs für einen Schaltkontakt, insbesondere für Vakuumschalter, bereitgestellt, mit den Schritten: (S2) Pressen eines aus Cu-Pulver und Cr-Pulver gebildeten Cu-Cr-Pulvergemischs, (S3) Sintern des gepressten Cu-Cr-Pulvergemischs zu dem Werkstoff des Cu-Cr-Schaltkontakts. Das Sintern oder ein nachfolgender thermischer Behandlungsprozess wird mit einem alternierenden Temperaturprofil durchgeführt, bei dem das Cu-Cr-Pulvergemisch bzw. der Cu-Cr-Werkstoff zumindest zweimal abwechselnd über einen oberen Temperaturgrenzwert erwärmt (S4) und wieder unter einen unteren Temperaturgrenzwert abgekühlt (S5) wird. Sämtliche Schritte werden bei Temperaturen durchgeführt, bei denen sich keine schmelzflüssige Phase ausbildet.

Description

VERFAHREN ZUM PULVERMETALLURGISCHEN HERSTELLEN EINES
CU-CR-WERKSTOFFS
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum pulvermetallurgischen
Herstellen eines Cu-Cr-Werkstoffs für einen Schaltkontakt, insbesondere für
Vakuumschalter, sowie einen pulvermetallurgisch hergestellten Cu-Cr-Schaltkontakt, insbesondere für Vakuumschalter. Es handelt sich dabei um das Herstellen eines Hochleistungs-Cu-Cr-Werkstoffs. Es ist bekannt, als Material für Schaltkontakte, insbesondere im Einsatzbereich des Vakuumschaltprinzips, Cu-Cr-Werkstoffe einzusetzen. Das Vakuumschaltprinzip hat sich im Bereich der Mittelspannung, d.h. im Bereich von ca. 7,2 kV bis 40 kV, bereits weltweit als führendes Schaltprinzip durchgesetzt und es ist auch ein Trend zu einem Einsatz bei höheren Spannungen ersichtlich. Derartige Schaltkontakte kommen dabei z.B. sowohl bei Vakuum-Mittelspannungs-Leistungsschaltern als auch bei Vakuumschützen zum Einsatz.
Von den Schaltkontakten werden unter anderem ein über die Lebensdauer möglichst gleichbleibend hohes Schaltvermögen, eine hohe dielektrische Festigkeit und ein möglichst geringer Abbrand gefordert. Es wird erstrebt, eine hohe Abbrandfestigkeit, eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit, eine möglichst geringe
Verschweißneigung beim Schaltvorgang sowie eine hohe dielektrische Festigkeit und eine ausreichende mechanische Festigkeit des Schaltkontakts zu erzielen. DE 10 2006 021 772 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Chrom- Kontakten für Vakuumschalter. Kupfer-Chrom-Kontakte für Vakuumschalter werden dabei dadurch hergestellt, dass als Ausgangsmaterial für die Kontakte ein dünnes Kupfer-Chrom-Blech nach einem Gieß- oder Sprühverfahren mit nachfolgender rascher Abkühlung erzeugt wird. Dabei stellen sich in einer Richtung senkrecht zur Bandrichtung Konzentrationsprofile ein. Es ist auch ein Zustandsdiagramm des Cu-Cr-Systems dargestellt und beschrieben.
Wie aus dem Zustandsdiagramm ersichtlich ist, existiert in der festen Phase nahezu keine Mischbarkeit zwischen Cu und Cr. Lediglich in einem kleinen Bereich unterhalb des Eutektikums, das sich bei einer Temperatur von ca. 1075 °C befindet, existiert ein Bereich, in dem eine geringe Löslichkeit von Cr in fester Lösung in Cu gegeben ist. Die maximale Löslichkeit von Cr in Cu in fester Lösung ist im thermodynamischen Gleichgewicht mit ca. 0,7 at.-% bei 1075 °C gegeben. Zu niedrigeren Temperaturen nimmt die Löslichkeit von Cr in Cu ab und bei 400 °C sind im thermodynamischen Gleichgewicht nur noch 0,03 at.-% Cr in Cu in fester Lösung gegeben. Ein
detaillierteres Zustandsdiagramm des Cu-Cr-Systems ist z.B. in dem Handbuch von M. Hansen und K. Anderko„Constitution of Binary Alloys", McGraw-Rill Book Company, Inc. (1958) auf Seite 524 dargestellt.
Aus dem Zustandsdiagramm ergibt sich, dass bei Cu-Cr-Werkstoffen mit einem typischen Gehalt von 30-80 Gew.-% Cu und 70-20 Gew.-% Cr bei Temperaturen unterhalb des Eutektikums Cr-Körner in einer Cu-Matrix vorliegen. Aufgrund der geringen Löslichkeit von Cr in Cu in diesem Bereich, kann dabei in der Cu-Matrix ein geringer Anteil von Cr in fester Lösung vorliegen. Im Folgenden wird der Begriff Cu-Matrix auch dann verwendet, wenn ein geringer Anteil von Cr in fester Lösung in dem Cu vorhanden ist.
Zur Herstellung von Cu-Cr-Werkstoffen für Schaltkontakte für die
Vakuumschalttechnik sind rein pulvermetallurgische Verfahren,
Sinter-Tränk-Verfahren und auch schmelzmetallurgische Verfahren bekannt.
Aufgrund des komplexen Zustandsdiagramms des Systems Cu-Cr, ist die direkte Herstellung von homogenen Schmelzwerkstoffen nicht möglich. Aus diesem Grund werden häufig für hochwertige Cu-Cr-Werkstoffe für Schaltkontakte für Vakuumschalter sogenannte Umschmelzwerkstoffe eingesetzt, wobei z.B. ein Umschmelzen unter Verwendung eines Lasers oder eines Lichtbogens zum Einsatz kommen kann.
Eine rein pulvermetallurgische Herstellung von Cu-Cr-Werkstoffen für Schaltkontakte für Vakuumschalter (im Folgenden auch: Vakuumschaltkontakte) stellt sich, verglichen mit einer schmelzmetallurgischen Herstellung, wesentlich wirtschaftlicher dar. Es hat sich jedoch gezeigt, dass die pulvermetallurgisch hergestellten
Cu-Cr-Werkstoffe bisher noch nicht in zufriedenstellendem Maße die gewünschten Eigenschaften aufweisen. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum pulvermetallurgischen Herstellen eines Cu-Cr-Werkstoffs für einen Schaltkontakt und einen
pulvermetallurgisch hergestellter Cu-Cr-Schaltkontakt bereitzustellen, die sowohl eine hohe Abbrandfestigkeit, eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit, eine möglichst geringe Verschweißneigung beim Schaltvorgang sowie eine hohe dielektrische Festigkeit und eine ausreichende mechanische Festigkeit des
Schaltkontakts bereitstellen als auch eine wirtschaftliche Herstellung ermöglichen. Die Aufgabe wird durch ein Verfahren zum pulvermetallurgischen Herstellen eines Cu-Cr-Werkstoffs für einen Schaltkontakt nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Das Verfahren zum pulvermetallurgischen Herstellen eines Cu-Cr-Werkstoffs für einen Schaltkontakt, insbesondere für Vakuumschalter, weist die folgenden Schritte auf: Pressen eines aus Cu-Pulver und Cr-Pulver gebildeten Cu-Cr-Pulvergemischs, Sintern des gepressten Cu-Cr-Pulvergemischs zu dem Werkstoff des
Cu-Cr-Schaltkontakts. Das Sintern und/oder ein nachfolgender thermischer
Behandlungsprozess wird mit einem alternierenden Temperaturprofil durchgeführt, bei dem das Cu-Cr-Pulvergemisch bzw. der Cu-Cr-Werkstoff zumindest zweimal abwechselnd über einen oberen Temperaturgrenzwert erwärmt und wieder unter einen unteren Temperaturgrenzwert abgekühlt wird. Sämtliche Schritte werden bei Temperaturen durchgeführt, bei denen sich keine schmelzflüssige Phase ausbildet. Der gesamte Herstellungsprozess des Cu-Cr-Werkstoffs wird somit rein
pulvermetallurgisch bei Temperaturen durchgeführt, die unterhalb der Temperatur des Eutektikums (1075 °C) des Cu-Cr-Systems liegen, sodass sich keine
schmelzflüssige Phase ausbildet. Der Begriff„rein pulvermetallurgisch" bezeichnet dabei vorliegend einen Prozess, bei dem es nicht zur Ausbildung einer
schmelzflüssigen Phase kommt. Es wird entweder das Sintern oder ein
nachfolgender thermischer Behandlungsprozess (oder beides) mit einem
alternierenden Temperaturprofil durchgeführt. Unter einem alternierenden
Temperaturprofil wird dabei verstanden, dass abwechselnd eine
Temperaturerhöhung und eine Temperaturerniedrigung stattfinden, wobei eine Temperaturerhöhung und eine Temperaturerniedrigung jeweils zumindest zweimal erfolgen. Bevorzugt erfolgen die Temperaturerhöhung und die Temperaturerniedrigung zumindest dreimal. Das alternierende Temperaturprofil kann dabei z.B. bereits bei dem Sintern des gepressten Cu-Cr-Grünlings durchlaufen werden. Es ist z.B. aber auch möglich, den bereits (konventionell) gesinterten Cu-Cr-Werkstoff in einem nachfolgenden thermischen Behandlungsprozess dem alternierenden
Temperaturprofil auszusetzen. Der obere Temperaturgrenzwert kann dabei vorzugsweise so gewählt werden, dass eine möglichst große Löslichkeit von Cr in Cu in fester Lösung gegeben ist. Der untere Temperaturgrenzwert kann vorzugsweise so gewählt werden, dass eine deutlich niedrigere Löslichkeit von Cr in Cu in fester Lösung gegeben ist, als bei dem oberen Temperaturgrenzwert.
Das Herstellen des Cu-Cr-Werkstoffs kann dabei z.B. derart erfolgen, dass bereits der fertige Schaltkontakt in seiner Endform bereitgestellt wird, oder z.B. auch derart, dass der Schaltkontakt erst durch eine geeignete Nachbearbeitung seine endgültige Form erhält.
Durch die rein pulvermetallurgische Herstellung kann der Cu-Cr-Werkstoff in besonders wirtschaftlicher Weise bereitgestellt werden. Durch das alternierende Temperaturprofil (Pendelglühen) wird erreicht, dass viele Cr-Kömer mit Korngrößen mit einem Querschnitt zwischen 0,1 pm2 und 50 pm2 (gemessen im Schliffbild) in einer Cu-Matrix ausgebildet werden. Der gebildete Cu-Cr-Werkstoff weist somit eine Korngrößenverteilung der Cr-Körner gemessen im Schliffbild auf, die ein erstes Maximum im Bereich von Korngrößen mit einem Querschnitt zwischen 0,1 pm2 und 50 pm2 aufweist. Die Bestimmung der Korngrößenverteilung erfolgt dabei
mikroskopisch in einem Schliff durch Ausmessen der Flächen der jeweiligen
Cr-Körner. Unter mikroskopisch wird vorliegend lichtmikroskopisch und elektronenmikroskopisch verstanden. In dieser Weise wird ein Cu-Cr-Werkstoff für einen Schaltkontakt bereitgestellt, der in sehr wirtschaftlicher Weise hergestellt ist und dabei gleichzeitig eine hohe
Abbrandfestigkeit, eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit, eine geringe Verschweißneigung beim Schaltvorgang sowie eine hohe dielektrische Festigkeit und eine ausreichende mechanische Festigkeit des Schaltkontakts erzielt. Durch die Realisierung des alternierenden Temperaturprofils wird die beschriebene vorteilhafte Korngrößenverteilung auch dann problemlos erreicht, wenn relativ grobes Cr-Pulver (z.B. mit Partikeldurchmessern zwischen 20 pm und 200 pm) als Ausgangsmaterial verwendet wird.
Bei einem rein pulvermetallurgischen Herstellungsverfahren ohne Durchlaufen des alternierenden Temperaturprofils, bei dem z.B. Cu-Pulver und Cr-Pulver mit maximalen Partikeldurchmessern bis etwa 200 pm eingesetzt wird, weist der resultierende Cu-Cr-Werkstoff eine Gefügestruktur auf, bei der im Schliffbild in einer Cu-Matrix neben einigen kleineren Cr-Kömern relativ große Cr-Körner mit einem Korndurchmesser im Bereich zwischen 100 pm und 150 μιη vorhanden sind. Es ergibt sich dann typischerweise eine unimodale Korngrößenverteilung mit einem Maximum z.B. bei Korngrößen im Bereich zwischen 100 pm2 und 25000 μιτι2. Dies lässt darauf schließen, dass die Partikelgrößen des Cr-Pulvers als Ausgangsmaterial in dem resultierenden Cu-Cr-Werkstoff im Wesentlichen erhalten bleiben, wenn nicht das alternierende Temperaturprofil durchlaufen wird.
Eine Verwendung von deutlich feinkörnigerem Cr-Pulver als Ausgangsmaterial würde hingegen zu weiteren Problemen führen. Der Herstellungsprozess würde deutlich erschwert. Feinkörnige Cr-Pulver haben einen deutlich höheren Sauerstoffanteil als grobkörnige Pulver. Dadurch wird die Einbindung der Cr-Phase in das
Cu-Matrixmaterial erschwert, was eine höhere Porosität nach sich zieht. Es hat sich zudem gezeigt, dass der Grad an Verunreinigungen durch Oxide in feinen
Cr-Pulverfraktionen höher ist, als in grobkörnigen Pulvern. Eine weitere Schwierigkeit bei der Verarbeitung von feinen Pulvern sind die Handhabung bezüglich der
Vermeidung der Sauerstoffaufnahme während des Herstellungsprozesses sowie die Gewährleistung einer ausreichenden Arbeitsplatzsicherheit. Desweiteren würde zum Erreichen einer zufriedenstellenden Dichte und einer geringen Porosität des
Werkstoffs ein höherer Pressdruck erfordert oder eine Kaltverformung des
gesinterten Werkstoffs würde nötig. Mit den angegebenen Verfahrensschritten können die gewünschten Eigenschaften des Cu-Cr-Werkstoffs hingegen unter Verwendung konventioneller Produktionsanlagen in wirtschaftlicher Weise erreicht werden. Mit dem Verfahren zum Herstellen des Cu-Cr-Werkstoffs werden eine geringe
Porosität, eine hohe Dichte, ein äußerst geringer Grad an Verunreinigungen, fein und homogen isotrop verteilte Cr-Körner in einer Cu-Matrix sowie eine gleichbleibende homogene chemische Zusammensetzung des Cu-Cr-Werkstoffs erreicht. Der resultierende Cu-Cr-Werkstoff eignet sich hervorragend für Schaltkontakte für die Anwendung in der Vakuumschalttechnik, sowohl als Leistungsschalter im Hoch- und Mittelspannungsbereich als auch als Vakuumschützschalter im
Niederspannungsbereich. Gemäß einer Ausgestaltung liegt der obere Temperaturgrenzwert in einem Bereich zwischen 1065 °C und 1025 °C und der untere Temperaturgrenzwert liegt zumindest 50 °C unterhalb des oberen Temperaturgrenzwerts. Der untere Temperaturgrenzwert liegt bevorzugt zumindest 100 °C unterhalb des oberen Temperaturgrenzwerts. In diesem Fall liegt der obere Temperaturgrenzwert in einem Temperaturbereich knapp unterhalb der Temperatur des Eutektikums (1075 °C), also einem Bereich, in dem bis zu etwa 0,7 at-% Cr in der Cu-Matrix in fester Lösung gelöst werden können. Dies entspricht dem Bereich, in dem die maximale Löslichkeit von Cr in Cu in fester Lösung gegeben ist. Andererseits liegt der obere Temperaturgrenzwert weit genug unterhalb der Temperatur des Eutektikums, sodass das Ausbilden einer
schmelzflüssigen Phase selbst bei leichten Temperaturschwankungen zuverlässig verhindert wird. Der untere Temperaturgrenzwert liegt deutlich unterhalb des oberen Temperaturgrenzwerts, also in einem Bereich in dem (im thermischen Gleichgewicht) eine wesentlich geringere Menge Cr in der Cu-Matrix in fester Lösung gelöst werden kann. Somit wird bei der Erwärmung über den oberen Temperaturgrenzwert Cr in dem Material der Cu-Matrix angereichert (bis auf maximal ca. 0,7 at-%). Bei dem Abkühlen unter den unteren Temperaturgrenzwert (was einer senkrechten
Bewegung in dem Zustandsdiagramm entspricht) übersteigt die in fester Lösung gelöste Cr-Menge die diesem tieferen Temperaturwert entsprechende Löslichkeit, die deutlich geringer als 0,7 at-% ist. Folglich wird Cr aus der Cu-Matrix ausgeschieden und es bilden sich Cr-Körner mit kleinen Korngrößen aus. Bei einem wiederholten Durchlaufen des alternierenden Temperaturprofils nimmt zunächst die Anzahl der gebildeten Cr-Körner mit kleinen Korngrößen zu. Gemäß einer Ausgestaltung weist das Verfahren ferner den Schritt auf: Mischen von Cu-Pulver und Cr-Pulver zu einem Cu-Cr-Pulvergemisch. In diesem Fall kann das Cu-Cr-Pulvergemisch in einfacher Weise durch Verwendung üblicher Cr-Pulver und Cu-Pulver bereitgestellt werden.
Gemäß einer Ausgestaltung weisen die Cu-Partikel in dem Cu-Cr-Pulvergemisch eine Partikelgrößenverteilung mit einem maximalen Partikeldurchmesser 80 μιτι, bevorzugt
< 50 μιτι, auf. In diesem Fall wird bei dem Sinterprozess eine zuverlässige
Ausbildung der Cu-Matrix ermöglicht und der Cu-Cr-Werkstoff kann zuverlässig mit geringer Porosität und hoher Dichte bereitgestellt werden. Der maximale
Partikeldurchmesser wird dabei mittels einer Siebanalyse bestimmt. Dabei wird ein Sieb mit einer entsprechenden Maschenweite (z.B. 80 pm bzw. 50 pm) verwendet und nur Partikel, die durch das Sieb fallen, werden verwendet.
Gemäß einer Ausgestaltung weisen die Cr-Partikel in dem Cu-Cr-Pulvergemisch eine Partikelgrößenverteilung mit einem maximalen Partikeldurchmesser 200 pm, bevorzugt
-S 160 pm, auf. Der maximale Partikeldurchrnesser wird wiederum mit einer
Siebanalyse mit einer entsprechenden Maschenweite des Siebs bestimmt. In diesem Fall ist der Wert für den maximalen Partikeldurchmesser klein genug, um zu erreichen, dass in dem Cu-Cr-Werkstoff keine übermäßig großen Cr-Körner ausgebildet werden. Andererseits können die einzelnen Partikel auch groß genug ausgebildet sein, sodass keine übermäßige Gefahr von Verunreinigungen durch Oxide auftritt und in konventionellen Produktionsanlagen eine hohe Dichte und ein geringes Maß an Porosität erreicht werden können.
Gemäß einer Ausgestaltung weisen die Cr-Partikel in dem Cu-Cr-Pulvergemisch eine Partikelgrößenverteilung mit einem minimaler Partikeldurchmesser 20 pm, bevorzugt z 32 pm, auf. Der minimale Partikeldurchmesser wird dabei ebenfalls mit einer Siebanalyse (mit einer Maschenweite von z.B. 20 pm bzw. 32 pm) bestimmt, allerdings werden in diesem Fall nur die Partikel verwendet, die nicht durch das Sieb fallen. In diesem Fall ist der minimale Partikeldurchmesser groß genug, sodass keine übermäßige Gefahr von Verunreinigungen durch Oxide auftritt und in konventionellen Produktionsanlagen eine hohe Dichte und ein geringes Maß an Porosität erreicht werden können.
Gemäß einer Ausgestaltung weist das Cu-Cr-Pulvergemisch einen Cu-Gehalt zwischen 30 Gew.-% und 80 Gew.-% und einen Cr-Gehalt zwischen 70 Gew.-% und 20 Gew.-% auf. In diesem Fall wird erreicht, dass sowohl eine hohe
Abbrandfestigkeit und eine geringe Verschweißneigung als auch gute elektrische und thermische Leitfähigkeit und eine ausreichende mechanische Festigkeit bereitgestellt werden können. Wenn der Cr-Gehalt 70 Gew.-% übersteigt, führt dies zu einer merklichen Verschlechterung der thermischen sowie elektrischen Leitfähigkeit. Wenn der Cr-Gehalt kleiner als 20 Gew.-% ist, können keine zufriedenstellende
Abbrandfestigkeit und Verschweißneigung erzielt werden.
Die Aufgabe wird auch durch einen pulvermetallurgisch hergestellten Cu-Cr- Schaltkontakt nach Anspruch 8 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Der Cu-Cr-Schaltkontakt kann für
Vakuumschalter ausgebildet sein.
Der pulvermetallurgisch hergestellte Cu-Cr-Schaltkontakt hat einen Cu-Gehalt zwischen 30 Gew.-% und 80 Gew.-% und einen Cr-Gehalt zwischen 70 Gew.-% und 20 Gew.-%. Der Cu-Cr-Schaltkontakt weist Cr-Körner in einer Cu-Matrix auf. Eine Korngrößenverteilung der Cr-Körner gemessen im Schliffbild weist ein erstes
Maximum im Bereich von Korngrößen mit einer Querschnittsfläche zwischen 0,1 pm2 und 50 pm2 auf. Der Schaltkontakt ist durch einen pulvermetallurgischen Prozess aus Cu-Pulver und Cr-Pulver ohne Ausbildung einer schmelzflüssigen Phase gefertigt. Es handelt sich somit um einen rein pulvermetallurgisch hergestellten
Cu-Cr-Schaltkontakt.
Unter einer Cu-Matrix wird dabei ein Material verstanden, das hauptsächlich aus Cu besteht, jedoch auch einen geringen Anteil an Cr in fester Lösung aufweisen kann. Es können ferner auch Spuren an Verunreinigungen vorliegen. In der Cu-Matrix sind Cr-Körner ausgebildet. Die Korngrößenverteilung der Cr-Körner bestimmt sich dabei wie folgt: Von dem Cu-Cr-Werkstoff des Schaltkontakts wird ein Schliffbild angefertigt und mikroskopisch analysiert. Im Schliffbild werden die Cr-Körner identifiziert und die Querschnittsflächen der Cr-Körner werden ausgemessen. Die Auswertung erfolgt dabei über einen ausreichend großen Flächenbereich bzw. verschiedene
Flächenbereiche, die eine ausreichend große Gesamtfläche bilden, sodass eine repräsentative, statistische Aussage ermöglicht ist. Die Auswertung kann z.B. per Hand oder aber auch durch eine geeignete Software unterstützt durchgeführt werden. Bei einer graphischen Auftragung mit der gemessenen Querschnittsfläche auf der x-Achse und der zugehörigen Anzahl der ermittelten Cr-Körner mit der jeweiligen Querschnittsfläche pro Einheitsfläche (z.B. pro mm2) auf der y-Achse (bevorzugt jeweils in logarithmischer Darstellung), ist die Korngrößenverteilung ersichtlich. Die Korngrößenverteilung weist ein Maximum in einem Bereich von Korngrößen mit einer gemessenen Querschnittsfläche zwischen 0,1 μιτι2 und 50 μιη2 auf.
Mit dem pulvermetallurgisch hergestellten Cu-Cr-Schaltkontakt werden die oben in Bezug auf das Verfahren zum pulvermetallurgischen Herstellen eines Cu-Cr- Werkstoffs für einen Schaltkontakt beschriebenen Vorteile erreicht. Durch die rein pulvermetallurgische Herstellung ist eine besonders wirtschaftliche Herstellung ermöglicht. Aufgrund der Korngrößenverteilung mit dem Maximum im Bereich von Korngrößen mit einer Querschnittsfläche zwischen 0,1 pm2 und 50 pm2 weist der Cu-Cr-Schaltkontakt eine große Anzahl von feinen Cr-Körnern auf. Die feinen
Cr-Körner sind dabei weitestgehend homogen verteilt. In dieser Weise ist eine sehr gute Abbrandfestigkeit erreicht. Der Cu-Cr-Schaltkontakt ist durch ein rein
pulvermetallurgisches Verfahren erhältlich, bei dem Sintern oder ein nachfolgender thermischer Behandlungsprozess mit einem alternierenden Temperaturprofil durchgeführt wird, bei dem ein Cu-Cr-Pulvergemisch bzw. der Werkstoff des
Cu-Cr-Schaltkontakts zumindest zweimal abwechselnd über einen oberen
Temperaturgrenzwert erwärmt und wieder unter einen unteren Temperaturgrenzwert abgekühlt wird und wobei sämtliche Schritte bei Temperaturen durchgeführt werden, bei denen sich keine schmelzflüssige Phase ausbildet. Die Herstellung in einem rein pulvermetallurgischen Prozess ist an dem Cu-Cr-Schaltkontakt ersichtlich.
Gemäß einer Ausgestaltung weist die Korngrößenverteilung der Cr-Körner ein zweites Maximum im Bereich von Korngrößen mit einer Querschnittsfläche zwischen 100 pm2 und 10000 pm2 auf. Es liegt somit eine bimodale Cr-Phasenverteilung vor, die zwei Maxima aufweist, ein erstes Maximum bei Korngrößen mit einer gemessenen Querschnittsfläche zwischen 0,1 μπι2 und 50 pm2 und ein zweites Maximum bei Korngrößen mit einer gemessenen Querschnittsfläche zwischen 100 pm2 und 10000 pm2. Diese Korngrößenverteilung resultiert aus dem rein pulvermetallurgischen Herstellungsprozess unter Verwendung von grobem Cr-Pulver z.B. mit Partikeldurchmessern zwischen 20 pm und 200 pm.
Gemäß einer Ausgestaltung ist die Anzahl der dem ersten Maximum entsprechenden Cr-Körner größer als die Anzahl der dem zweiten Maximum entsprechenden
Cr-Kömer, d.h. es liegen mehr Körner vor, die eine dem ersten Maximum
entsprechende Korngröße aufweisen, als Körner, die eine dem zweiten Maximum entsprechende Korngröße aufweisen. In diesem Fall liegen im Verhältnis zu der Gesamtzahl der Cr-Körner viele feine Cr-Körner mit Querschnittsflächen zwischen 0,1 pm2 und 50 pm2 vor. Es wird eine besonders vorteilhafte Abbrandfestigkeit erreicht. Wenn die Anzahl der dem ersten Maximum entsprechenden Cr-Körner um einen Faktor > 5 größer als die Anzahl der dem zweiten Maximum entsprechenden Cr-Körner ist, liegt ein besonders vorteilhafter Anteil an feinen Cr-Körnern mit kleiner Querschnittsfläche vor.
Gemäß einer Ausgestaltung weist der Cu-Cr-Schaltkontakt eine relative Dichte > 90 % auf. In diesem Fall werden zuverlässig eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit sowie eine hohe mechanische Festigkeit bereitgestellt. Eine derart hohe relative Dichte lässt sich zuverlässig bei der Verwendung von relativ grobem
Cr-Pulver und Cu-Pulver in konventionellen Produktionsanlagen erzielen. Unter relativer Dichte wird dabei das Verhältnis zwischen der erreichten Dichte und der theoretisch erreichbaren Dichte für die Zusammensetzung verstanden. Die
Kombination aus dieser hohen Dichte und dem hohen Anteil feiner Cr-Körner in der Cu-Matrix lässt sich durch die Kombination einer Verwendung grober Cr-Pulver (mit Partikeldurchmessern zwischen 20 pm und 200 pm) und Nutzung eines
alternierenden Temperaturprofils, bei dem zumindest zweimal abwechselnd eine Er- wärmung über einen oberen Temperaturgrenzwert und wieder eine Abkühlung unter einen unteren Temperaturgrenzwert erfolgt, erreichen. Weitere Vorteile und Weiterbildungen ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung einer Ausführungsform unter Bezugnahme auf die Figuren.
Fig. 1 zeigt eine Korngrößenverteilung der Cr-Körner bei einem pulvermetallurgisch hergestellten Cu-Cr-Werkstoff im Ausgangszustand (durchgezogene Linie) und nach Durchlaufen eines alternierenden Temperaturprofils (gestrichelte Linie).
Fig. 2 zeigt ein lichtmikroskopisches Schliffbild eines pulvermetallurgisch
hergestellten Cu-Cr-Werkstoffs.
Fig. 3 zeigt ein lichtmikroskopisches Schliffbild eines pulvermetallurgisch
hergestellten Cu-Cr-Werkstoffs nach Durchlaufen eines alternierenden
Temperaturprofils.
Fig. 4 zeigt schematisch die Verfahrensschritte eines Verfahrens zum
pulvermetallurgischen Herstellen eines Cu-Cr-Werkstoffs für einen
Schaltkontakt.
Im Folgenden wird unter Bezug auf die Fig. 1 bis 4 ein Verfahren zum
pulvermetallurgischen Herstellen eines Cu-Cr-Werkstoffs für einen Schaltkontakt für Vakuumschalter gemäß einer ersten Ausführungsform beschrieben.
In einem ersten Schritt -S1- wird Cu-Pulver mit einem maximalen
Partikeldurchmesser von bevorzugt höchstens 50 pm mit Cr-Pulver mit einem maximalen Partikeldurchmesser von höchstens 200 pm (bevorzugt höchstens 160 pm) und einem minimalen Partikeldurchmesser von mindestens 20 pm
(bevorzugt mindestens 32 pm) zu einem Cu-Cr-Pulvergemisch vermischt. Es wurden z.B. als Beispiele ein erstes Cu-Cr-Pulvergemisch mit einem Cr-Gehalt von
25 Gew.-% und einem Cu-Gehalt von 75 Gew.-% und ein zweites
Cu-Cr-Pulvergemisch mit einem Cr-Gehalt von 43 Gew.-% und einem Cu-Gehalt von 57 Gew.-% erzeugt.
In einem zweiten Schritt -S2- wird das Cu-Cr-Pulvergemisch gepresst. Bevorzugt wird das Cu-Cr-Pulvergemisch durch Kaltpressen mit einem Pressdruck in einem Bereich zwischen 400 MPa und 850 MPa verdichtet. In einem nachfolgenden Schritt -S3- wird der derart gebildete Grünling in einem Sinterprozess bei Temperaturen in einem Temperaturbereich deutlich unterhalb der Temperatur des Eutektikums (also deutlich unterhalb von 1075 °C) gesintert. Somit bildet sich bei keinem der
Schritte -S1- bis -S3- eine schmelzflüssige Phase in dem Cu-Cr-Pulvergemisch bzw. in dem gepressten Grünling aus. Der Sinterprozess kann zum Beispiel bei
Temperaturen in einem Temperaturbereich zwischen 850 °C und 1070 °C
durchgeführt werden. Die Temperaturen müssen dabei hoch genug sein, dass der Sinterprozess in ausreichendem Maß und mit ausreichender Geschwindigkeit abläuft, und niedrig genug, dass sich auch bei unvermeidlichen
Temperaturgradienten keine schmelzflüssige Phase ausbildet.
Ein beispielhaftes lichtmikroskopisches Schliffbild eines pulvermetallurgisch hergestellten Cu-Cr-Werkstoffs nach dem Schritt -S3- ist in Fig. 2 dargestellt. In Fig. 2 ist zu erkennen, dass in einer Cu-Matrix Cr-Körner mit unterschiedlichen
Korngrößen eingebunden sind. Eine eingehendere Analyse der
Korngrößenverteilung bei den genannten Beispielen ergab, dass die Korngrößen der Cr-Körner im Wesentlichen den Partikelgrößen des Cr-Pulvers des
Ausgangsmaterials entsprachen.
Eine Auswertung der Korngrößenverteilung der Cr-Körner in dem derart hergestellten Cu-Cr-Werkstoff ist in Fig. 1 mit einer durchgezogenen Linie dargestellt. Es wurde ein Schliffbild des Cu-Cr-Werkstoffs angefertigt und die Größe der Cr-Körner wurde mikroskopisch untersucht und ausgemessen. Dabei wurden 10 verschiedene
Bereiche des Cu-Cr-Werkstoffs analysiert, um eine statistisch aussagefähige
Verteilung zu erhalten. In Fig. 1 ist auf der horizontalen Achse die gemessene Querschnittsfläche der Cr-Körner in pm2 in einer logarithmischen Skala aufgetragen. Auf der vertikalen Achse ist die entsprechende Anzahl der Körner normiert auf eine Einheitsfläche von 1 mm2 ebenfalls in einer logarithmischen Darstellung dargestellt. Wie in Fig. 1 zu sehen ist, weist der Cu-Cr-Werkstoff in diesem Verfahrensstadium eine monomodale Korngrößenverteilung mit Korngrößen in einem Bereich zwischen etwa 10 μπι2 und 25000 pm2 auf. Die Korngrößenverteilung weist dabei ein Maximum auf, das bei Korngrößen in einem Bereich > 100 pm2 liegt.
Der Cu-Cr-Werkstoff wird anschließend einem thermischen Behandlungsprozess mit einem alternierenden Temperaturprofil unterworfen, wie im Folgenden beschrieben wird. Dabei wird der Cu-Cr-Werkstoff abwechselnd auf eine Temperatur oberhalb eines oberen Temperaturgrenzwerts erwärmt und auf eine Temperatur unterhalb eines unteren Temperaturgrenzwerts abgekühlt. Dabei erfolgen das abwechselnde Erwärmen und Abkühlen zumindest zweimal. Auch bei diesen Prozessschritten wird darauf geachtet, dass sich keine schmelzflüssige Phase ausbildet, d.h. der
Cu-Cr-Werkstoff wird auf Temperaturen unterhalb der Temperatur des Eutektikums (1075 °C) des Cu-Cr-Systems gehalten. Dies wird im Folgenden noch eingehender beschrieben. In einem Schritt -S4- wird der Cu-Cr-Werkstoff auf eine Temperatur oberhalb des oberen Temperaturgrenzwerts erwärmt. Der obere Temperaturgrenzwert liegt dabei bevorzugt relativ nah unterhalb der Temperatur des Eutektikums des Cu-Cr- Systems, sodass der Cu-Cr-Werkstoff auf eine Temperatur knapp unterhalb der Temperatur des Eutektikums gebracht wird, allerdings weit genug von der
Temperatur des Eutektikums entfernt, dass ein Ausbilden einer flüssigen Phase zuverlässig verhindert ist. Der obere Temperaturgrenzwert liegt somit bevorzugt in einem Bereich zwischen 1025 °C und 1065 °C.
Anschließend wird in einem Schritt -S5- der Cu-Cr-Werkstoff auf eine
Temperatur unterhalb eines unteren Temperaturgrenzwerts abgekühlt. Der untere Temperaturgrenzwert liegt dabei bevorzugt in einem Bereich der sich zumindest um 50 °C unterhalb des oberen Temperaturgrenzwerts befindet, mehr bevorzugt in einem Bereich um mehr als 100 °C unterhalb des oberen Temperaturgrenzwerts. Der untere Temperaturgrenzwert liegt dabei bevorzugt höchstens 250 °C unterhalb des oberen Temperaturgrenzwerts, mehr bevorzugt höchstens 180 °C unterhalb des oberen Temperaturgrenzwerts. Der untere Temperaturgrenzwert sollte so gewählt werden, dass bei diesem eine deutlich geringere Löslichkeit von Cr in fester Lösung in Cu gegeben ist, als bei dem oberen Temperaturgrenzwert. Der Grund für diese Wahl wird noch eingehender erläutert. Z.B. kann der Cu-Cr-Werkstoff auf
Temperaturen im Bereich von ca. 850 °C abgekühlt werden. Es empfiehlt sich, den unteren Temperaturgrenzwert nicht zu niedrig zu wählen, um ein ausreichendes Maß an Diffusionsprozessen in dem Cu-Cr-Werkstoff zu gewährleisten. Auf dem oberen Temperaturniveau und dem unteren Temperaturniveau wird der Cu-Cr-Werkstoff jeweils für einige Zeit gehalten. Anschließend wird der Schritt -S4- wiederholt, d.h. der Cu-Cr-Werkstoff wird wieder auf eine Temperatur oberhalb des oberen Temperaturgrenzwerts erhöht.
Nachfolgend wird der Schritt -S5- wiederholt, d.h. der Cu-Cr-Werkstoff wird wieder auf eine Temperatur unterhalb des unteren Temperaturgrenzwerts abgekühlt. Die Schritte -S4- und -S5- werden insgesamt n-mal wiederholt, jedoch insgesamt zumindest zweimal, bevorzugt mindesten dreimal. Es hat sich gezeigt, dass bei 2-maligem bis ca. 6-maligem (2 :£ n £ 6) Durchlaufen der Schritte -S4- und
-S5- eine Verbesserung des Cu-Cr-Werkstoffs erreicht wird und bei einer größeren Anzahl von Wiederholungen keine weitere Verbesserung zu erwarten ist. Der
Cu-Cr-Werkstoff wird also einem Pendelglühen ausgesetzt. Zumindest die
Schritte -S4- und -S5- werden in einem Schutzgasofen unter reduzierender
Atmosphäre und/oder in einem Vakuumofen durchgeführt, um eine unerwünschte Oxidation mit Sauerstoff zu vermeiden. Anschließend wird der Herstellungsprozess beendet.
Fig. 3 zeigt ein lichtmikroskopisches Schliffbild eines pulvermetallurgisch
hergestellten Cu-Cr-Werkstoffs nach Durchlaufen des beschriebenen alternierenden Temperaturprofils. In Fig. 3 ist zu erkennen, dass nach dem Durchführen des
Pendelglühens der Anteil an Cr-Kömern mit einer kleinen Querschnittsfläche, verglichen mit dem Zustand vor dem Pendelglühen (vgl. Fig. 2), deutlich
zugenommen hat. Eine genauere Analyse der Korngröße der Cr-Körner ergibt, dass sich eine bimodale Korngrößenverteilung eingestellt hat, die zwei Maxima aufweist. In Fig. 1 ist als gestrichelte Linie die ermittelte Korngrößenverteilung nach dem Durchlaufen des alternierenden Temperaturprofils dargestellt. Die
Korngrößenverteilung wurde in derselben Weise ermittelt, wie oben bereits in Bezug auf die durchgezogene Linie von Fig. 1 beschrieben wurde. Es ist ersichtlich, dass nach dem Pendelglühen anstelle der zuvor vorhandenen monomodalen
Korngrößenverteilung (durchgezogene Linie) eine bimodale Korngrößenverteilung vorliegt. Die Korngrößenverteilung weist ein erstes Maximum in einem Bereich von Korngrößen mit einer Querschnittsfläche zwischen 0,1 pm2 und 50 pm2 auf. Ferner weist die Korngrößenverteilung ein zweites Maximum im Bereich von Korngrößen mit einer Querschnittsfläche zwischen 100 μιτι2 und 10000 μιη2 auf. Die Anzahl der dem ersten Maximum entsprechenden Cr-Körner ist größer als die Anzahl der dem zweiten Maximum entsprechenden Cr-Körner. Die Anzahl der dem ersten Maximum entsprechenden Cr-Körner ist um einen Faktor > 5 größer als die Anzahl der dem zweiten Maximum entsprechenden Cr-Körner. Es liegt ferner eine sehr homogene Verteilung der Cr-Körner in der Cu-Matrix vor. Der Anteil von Cr-Körnern mit einer Querschnittsfläche < 10 μιη2 gemessen im Schliffbild ist somit sehr hoch. Durch die thermische Behandlung mit dem alternierenden Temperaturprofil wird somit eine Verschiebung zu einem hohen Anteil an sehr kleinen fein verteilten Cr- Kornausscheidungen in der Cu-Matrix erreicht.
Mit den beschriebenen Ausgangsmaterialien mit einer relativ groben Partikelgröße des Cr-Pulvers lassen sich in einem rein pulvermetallurgischen Verfahren mit konventionellen Herstellungsanlagen sehr dichte Cu-Cr-Werkstoffe mit geringer Porosität herstellen, die zudem ein geringes Maß an Verunreinigungen aufweisen. Die rein pulvermetallurgische Herstellung ist an dem Cu-Cr-Werkstoff erkennbar. Aufgrund der sehr fein verteilten Cr-Körner weist der rein pulvermetallurgisch gefertigte Cu-Cr-Werkstoff eine hohe Abbrandfestigkeit, eine hohe dielektrische Festigkeit und eine ausreichende mechanische Festigkeit des Schaltkontakts auf.
Die Ausbildung der fein verteilten Cr-Körner in der Cu-Matrix lässt sich im Hinblick auf das z.B. in der eingangs genannten DE 10 2006 021 772 A1 dargestellte Zustandsdiagramm wie folgt erklären: Bei Temperaturen oberhalb des oberen Temperaturgrenzwerts in einem Bereich nahe unterhalb der Temperatur des Eutektikums können bis zu etwa 0,7 at-% Cr in fester Lösung in dem Material der Cu-Matrix gelöst werden (im thermodynamischen Gleichgewicht). Bei dem Abkühlen des Cu-Cr-Werkstoffs auf eine Temperatur unterhalb des unteren
Temperaturgrenzwerts wird der Werkstoff auf eine Temperatur gebracht, bei der im thermodynamischen Gleichgewicht nur ein viel geringerer Anteil von Cr in fester Lösung in dem Material der Cu-Matrix gelöst werden kann. Bei dem Abkühlen wird somit Cr aus dem Material der Cu-Matrix ausgeschieden und dieses Ausscheiden erfolgt in Form von kleinen Körnern. Bei einem erneuten Erhöhen der Temperatur über den oberen Temperaturgrenzwert gelangt wieder Cr in fester Lösung in das Material der Cu-Matrix. Bei einem erneuten Absenken der Temperatur unter den unteren Temperaturgrenzwert wird aufgrund der geringeren Löslichkeit in fester Lösung wieder Cr ausgeschieden, was zu feinen Cr-Körnern führt. In dieser Weise bildet sich die beschriebene bimodale Korngrößenverteilung der Cr-Körner aus. Es hat sich gezeigt, dass für eine zufriedenstellende Bildung von feinen Cr-Körnern zumindest zweimal der obere Temperaturgrenzwert überschritten und der untere Temperaturgrenzwert unterschritten werden sollte. Ab einer gewissen Anzahl von Wiederholungen bei dem Pendelglühen kann allerdings keine Verbesserung der Struktur mehr beobachtet werden. Die Temperaturänderung zwischen dem hohen und dem niedrigen Temperaturniveau bei dem Pendelglühen sollte ausreichend langsam gewählt werden, dass Cr zuverlässig beim Abkühlen aus der Cu-Matrix ausgeschieden wird, andererseits aber auch nicht zu langsam, damit nicht durch Kornvergröberung wieder größere Cr-Körner entstehen. Es wurden auch Versuche mit Cu-Cr-Pulvergemischen mit anderen Verhältnissen zwischen Cr und Cu durchgeführt, die ebenfalls zu vergleichbaren Ergebnissen führten. Auch Versuche mit einem Cr-Gehalt von 70 Gew.-% und einem Cu-Gehalt von 30 Gew.-% führten in Bezug auf die feinen Cr-Ausscheidungen zu einem vergleichbaren Ergebnis.
Obwohl beschrieben wurde, dass die Behandlung mit den alternierenden
Temperaturprofil erst nach dem Schritt -S3- des Sinterns bei dem Cu-Cr-Werkstoff erfolgt, ist es z.B. auch möglich, bereits den Sinterprozess selbst mit einem alternierenden Temperaturprofil durchzuführen. In diesem Fall wird bereits der ge- presste Cu-Cr-Grünling während des Sintervorgangs den Schritten -S4- und -SS- wiederholt unterworfen. In diesem Fall entfällt der separate Schritt -S3- und das Sintern erfolgt während der Schritte -S4- und -S5-.

Claims

Ansprüche
Verfahren zum pulvermetallurgischen Herstellen eines Cu-Cr-Werkstoffs für einen Schaltkontakt, insbesondere für Vakuumschalter, mit den Schritten:
(52) Pressen eines aus Cu-Pulver und Cr-Pulver gebildeten Cu-Cr- Pulvergemischs,
(53) Sintern des gepressten Cu-Cr-Pulvergemischs zu dem Werkstoff des Cu-Cr-Schaltkontakts,
dadurch gekennzeichnet, dass
das Sintern und/oder ein nachfolgender thermischer Behandlungsprozess mit einem alternierenden Temperaturprofil durchgeführt wird, bei dem das
Cu-Cr-Pulvergemisch bzw. der Cu-Cr-Werkstoff zumindest zweimal abwechselnd über einen oberen Temperaturgrenzwert erwärmt (S4) und wieder unter einen unteren Temperaturgrenzwert abgekühlt (S5) wird und wobei sämtliche Schritte bei Temperaturen durchgeführt werden, bei denen sich keine schmelzflüssige Phase ausbildet.
Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der obere
Temperaturgrenzwert in einem Bereich zwischen 1065 °C und 1025 °C liegt und der untere Temperaturgrenzwert zumindest 50 °C unterhalb des oberen Temperaturgrenzwerts liegt, bevorzugt zumindest 100 °C unterhalb des oberen Temperaturgrenzwerts.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner den Schritt aufweist: (S1) Mischen von Cu-Pulver und Cr-Pulver zu einem Cu-Cr-Pulvergemisch.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass die Cu-Partikel in dem Cu-Cr-Pulvergemisch eine Partikelgrößenverteilung mit einem maximalen Partikeldurchmesser < 80 μιτι, bevorzugt < 50 μιη, aufweisen. 5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass die Cr-Partikel in dem Cu-Cr-Pulvergemisch eine Partikelgrößenverteilung mit einem maximalen Partikeldurchmesser 200 μιτι, bevorzugt £ 160 μιη, aufweisen.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass die Cr-Partikel in dem Cu-Cr-Pulvergemisch eine Partikelgrößenverteilung mit einem minimalen Partikeldurchmesser 20 pm, bevorzugt 32 pm, aufweisen.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, dass das Cu-Cr-Pulvergemisch einen Cu-Gehalt zwischen 30 Gew.-% und 80 Gew.-% und einen Cr- Gehalt zwischen 70 Gew.-% und 20 Gew.-% aufweist.
8. Pulvermetallurgisch hergestellter Cu-Cr-Schaltkontakt, insbesondere für
Vakuumschalter, mit einem Cu-Gehalt zwischen 30 Gew.-% und
80 Gew.-% und einem Cr-Gehalt zwischen 70 Gew.-% und 20 Gew.-% dadurch gekennzeichnet, dass
der Cu-Cr-Schaltkontakt Cr-Körner in einer Cu-Matrix aufweist und eine
Korngrößenverteilung der Cr-Körner gemessen im Schliffbild ein erstes
Maximum im Bereich von Korngrößen mit einer Querschnittsfläche zwischen 0,1 pm2 und 50 pm2 aufweist, und
der Schaltkontakt durch einen pulvermetallurgischen Prozess aus Cu-Pulver und Cr-Pulver ohne Ausbildung einer schmelzflüssigen Phase gefertigt ist.
9. Pulvermetallurgisch hergestellter Cu-Cr-Schaltkontakt nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, dass die Korngrößenverteilung der Cr-Körner ein zweites Maximum im Bereich von Korngrößen mit einer Querschnittsfläche zwischen 00 pm2 und 10000 pm2 aufweist.
10. Pulvermetallurgisch hergestellter Cu-Cr-Schaltkontakt nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der dem ersten Maximum entsprechenden Cr-Körner größer als die Anzahl der dem zweiten Maximum entsprechenden Cr-Körner ist.
1. Pulvermetallurgisch hergestellter Cu-Cr-Schaltkontakt nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der dem ersten Maximum entsprechenden Cr-Körner um einen Faktor > 5 größer als die Anzahl der dem zweiten Maximum entsprechenden Cr-Körner ist.
2. Pulvermetallurgisch hergestellter Cu-Cr-Schaltkontakt nach einem der
Ansprüche 8 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, dass der Cu-Cr-Schaltkontakt eine relative Dichte > 90 % aufweist.
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