CN101786164A - 采用CrMo合金粉制备CuCrMo触头材料的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的采用先把Cr块和Mo块制成中间合金，再经过低温研磨制粉，制出CrMo合金粉替代Cr、Mo混合粉制备CuCrMo电触头，按重量百分比其组成为：10％的Mo，40％的Cr，其余为Cu。通过以下方法制备得到：将Cr块与Mo块在真空炉内进行熔炼；经过低温制粉，制出CrMo合金粉，再经压制成型、烧结制成CrMo骨架，随后渗Cu，制得CuCrMo复合材料。本发明的制备方法，工艺简单、成本低，制得的CuCrMo复合材料与直接混粉制得的CuCrMo复合材料相比具有更优越的性能。
Description
技术领域
本发明属于金属材料制备技术领域，具体涉及先把Cr块和Mo块制成中间合金，合金在低温液体保护下，通过研磨破碎机加工制成CrMo合金粉，制出CrMo合金粉替代Cr、Mo混合粉制备CuCrMo电触头的方法。
背景技术
Cu-Cr合金触头材料的优点源于Cu和Cr之间具有很小的互溶度。Cu-Cr合金实际上是两相结构的假合金，从而使Cu和Cr都充分保留各自良好的性能。具有较低熔点，高导电率和热导率的Cu组元，有利于提高真空开关的分断能力；另一方面，Cr组元具有较高的熔点，机械强度和较低的截流值，保证了真空开关具有良好的耐电压、抗烧蚀、抗熔焊和低截流值等特性。但CuCr合金主要缺点是熔焊性能较差，在不影响其他性能的情况下，适当的加入脆性相能很好地改善关合能力和动热稳定性，是解决CuCr触头材料抗熔焊性能的有效途径之一。特别是对于开断电流50kA以上的大容量真空断路器产品，触头熔焊是需要解决的关键问题之一。提高触头接触压力也可以帮助解决熔焊问题，但势必带来机械可靠性方面的副作用。试验证明，用添加脆性相材料的方法可以改善CuCr触头材料的抗熔焊性能，降低熔焊强度。在CuCr合金中引入高熔点脆性相Mo降低其熔焊力，由于材料中有高熔点的CrMo相存在，其强度高、耐电压性能和抗熔焊性能更好。CuCrMo触头材料的研制，对于真空开关小型化和真空开关向高电压、超高电压等级领域的应用，起到了一定的作用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用先把Cr块和Mo块制成中间合金，合金在低温液体保护下，通过研磨破碎机加工制成CrMo合金粉，制出CrMo合金粉替代Cr、Mo混合粉制备CuCrMo电触头的方法。不仅解决了CrMo混合粉的均匀性问题，而且提高了触头材料的抗熔焊性能。
本发明所提出的采用CrMo合金粉制备CuCrMo触头材料的方法，其特征在于：它包括以下步骤：
a.真空熔炼
Cr块与Mo块在真空炉内进行熔炼，熔炼温度控制在1700～1900℃，熔炼时间为15～20min，制备成CrMo合金。
c.低温制粉
CrMo合金在低温液体保护下，通过研磨破碎机加工制成CrMo合金粉，制粉温度控制在-150℃以下。
d.真空烧结熔渗
合金粉末经压坯，1200～1400℃烧结，升温速度为15℃/min，保温时间为2～4h；渗铜温度在1100～1300℃保温时间为1～2h，制得CuCrMo电触头材料。
按以上工艺生产的CuCrMo电触头材料，抗熔焊性能得到显著提高。
附图说明
附图1是本发明制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
本发明的复合材料通过附图1所示的步骤来实现，包括以下步骤：
a.真空熔炼
Cr块与Mo块在真空炉内进行熔炼，熔炼温度控制在1700～1900℃，熔炼时间为15～20min，制备成CrMo合金。
c.低温制粉
CrMo合金在低温液体保护下，通过研磨破碎机加工制成CrMo合金粉，制粉温度控制在-150℃以下。
d.真空烧结熔渗
合金粉末经压坯，1200～1400℃烧结，升温速度为15℃/min，保温时间为2～4h；渗铜温度在1100～1300℃保温时间为1～2h，制得CuCrMo电触头材料。
实施例1
称取Cr块8kg，Mo块2kg在1700℃熔炼20min制成CrMo合金，将CrMo合金在-150℃液体保护下，通过研磨破碎机加工制成CrMo合金粉，，合金粉经压制后在1200℃烧结4小时，然后在1100℃熔渗2小时，即制得CuCrMo电触头材料。
实施例2
称取Cr块0.64kg，Mo块0.16kg在1800℃熔炼8min制成CrMo合金，将CrMo合金在-150℃液体保护下，通过研磨破碎机加工制成CrMo合金粉，合金粉经压制后在1300℃烧结3小时，然后在1200℃熔渗1.5小时，即制得CuCrMo电触头材料。
实施例3
称取Cr块6.0kg，Mo块1.5kg在1900℃熔炼5min制成CrMo合金，将CrMo合金在-150℃液体保护下，通过研磨破碎机加工制成CrMo合金粉，合金粉经压制后在1400℃烧结2小时，然后在1300℃熔渗1小时，即制得CuCrMo电触头材料。
本发明所制备的复合材料具有优良的综合性能。所制备的CuCrMo复合材料与直接混粉制得的CuCrMo复合材料的性能对比见表1所示。
表1Cu-W复合材料的性能对比
Claims (3)
1.本发明所提出的采用CrMo合金粉制备CuCrMo触头材料的方法，其特征在于：它包括以下步骤：
a.真空熔炼
Cr块与Mo块在真空炉内进行熔炼，熔炼温度控制在1700～1900℃，熔炼时间为15～20min，制备成CrMo合金。
c.低温制粉
CrMo合金在低温液体保护下，通过研磨破碎机加工制成CrMo合金粉，制粉温度控制在-150℃以下。
d.真空烧结熔渗
合金粉末经压坯，1200～1400℃烧结，升温速度为15℃/min，保温时间为2～4h；渗铜温度在1100～1300℃保温时间为1～2h，制得CuCrMo电触头材料。
2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于，Mo的添加量为10％，Cr的添加量为40％，适合制备CuCr40Mo10产品。
3.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所制备CuCrMo电触头材料的抗熔焊性能得到了提高。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102912208A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-06 | 哈尔滨工业大学 | 一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法 |
| CN103201059A (zh) * | 2010-08-03 | 2013-07-10 | 普兰西电力技术股份公司 | Cu-Cr材料的粉末冶金制造方法 |
| CN109261974A (zh) * | 2018-08-23 | 2019-01-25 | 长沙升华微电子材料有限公司 | 一种多元假合金复合材料及其制备方法和应用 |
| CN111074209A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-28 | 西安交通大学 | 一种真空灭弧室触头材料表面镀层及其处理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4870231A (en) * | 1984-12-13 | 1989-09-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Contact for vacuum interrupter |
| US6551374B2 (en) * | 2000-12-06 | 2003-04-22 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of controlling the microstructures of Cu-Cr-based contact materials for vacuum interrupters and contact materials manufactured by the method |
| CN1684214A (zh) * | 2004-04-14 | 2005-10-19 | 山东晨鸿电工有限责任公司 | 高压真空灭弧室触头材料及其制备方法 |
| CN101290838A (zh) * | 2008-06-19 | 2008-10-22 | 河南科技大学 | 一种弥散铜基真空开关触头复合材料的制备工艺方法 |
| CN101402137A (zh) * | 2008-10-30 | 2009-04-08 | 陕西斯瑞工业有限责任公司 | 采用真空熔铸法制备CuCr40触头材料的方法 |
-
2010
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4870231A (en) * | 1984-12-13 | 1989-09-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Contact for vacuum interrupter |
| US6551374B2 (en) * | 2000-12-06 | 2003-04-22 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of controlling the microstructures of Cu-Cr-based contact materials for vacuum interrupters and contact materials manufactured by the method |
| CN1684214A (zh) * | 2004-04-14 | 2005-10-19 | 山东晨鸿电工有限责任公司 | 高压真空灭弧室触头材料及其制备方法 |
| CN101290838A (zh) * | 2008-06-19 | 2008-10-22 | 河南科技大学 | 一种弥散铜基真空开关触头复合材料的制备工艺方法 |
| CN101402137A (zh) * | 2008-10-30 | 2009-04-08 | 陕西斯瑞工业有限责任公司 | 采用真空熔铸法制备CuCr40触头材料的方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103201059A (zh) * | 2010-08-03 | 2013-07-10 | 普兰西电力技术股份公司 | Cu-Cr材料的粉末冶金制造方法 |
| CN103201059B (zh) * | 2010-08-03 | 2016-06-29 | 普兰西电力技术股份公司 | Cu-Cr材料的粉末冶金制造方法 |
| CN102912208A (zh) * | 2012-11-08 | 2013-02-06 | 哈尔滨工业大学 | 一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法 |
| CN102912208B (zh) * | 2012-11-08 | 2014-06-04 | 哈尔滨工业大学 | 一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法 |
| CN109261974A (zh) * | 2018-08-23 | 2019-01-25 | 长沙升华微电子材料有限公司 | 一种多元假合金复合材料及其制备方法和应用 |
| CN111074209A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-28 | 西安交通大学 | 一种真空灭弧室触头材料表面镀层及其处理方法 |
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