CN102912208B - 一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，它涉及一种电接触材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的铜基电接触材料的由于纳米相分散差和致密度低的问题。制备方法为：一、称取所需金属和铜合金粉末；二、将所需金属分别溶于硫酸后混合，再加入铜合金粉末，搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入碳酸钠溶液，静置得到沉淀物；四、将沉淀物洗涤后进行干燥，然后进行煅烧，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物和铜合金的混合粉末；五、将混合粉末冷压成型后进行烧结，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料。本发明制备的铜基电接触材料的纳米相分散好和致密度高。本发明应用于电工材料领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种电接触材料的制备方法。
背景技术
中等电流和大电流电器及能量传递与转换装置用电接触元件，通常采用粉末冶金方法制造的铜基电接触材料。电接触元件在机械冲击和局部电弧烧蚀等交变载荷条件下服役，因而对对电接触材料机械稳定性和耐电弧烧蚀特性提出了很高要求。
随着纳米技术的发展，纳米相改性铜基复合材料作为电接触材料的应用越来越多，尤其纳米氧化物改性铜基电接触材料在实际使用中表现出良好的综合性能，具有巨大的应用潜力。纳米相具有较高的比表面积，因而其粉体具有强烈的团聚倾向以降低其表面能。采用常规的粉末混合工艺难以制备理想的含纳米相的铜基电接触材料。目前已报道的纳米相改性铜基复合材料的制备方法主要有：高能球磨、反应球磨法、化学镀法、内氧化法和化学共沉积法等。鉴于铜合金的物理化学特性，上述方法很难在实际应用中实现微纳米第二相在铜合金基体中的理想分散。同时，纳米相表面微观结构对其与铜基体之间的润湿性有着至关重要的影响，上述方法很难实现第二相表面微观结构的调控。如果铜基体与第二相之间润湿性不好，首先影响到的是材料致密化程度，即难于获得低孔隙率致密材料。对于粉末冶金体来说，相对于无孔隙坯件，含2%孔隙率的坯件抗拉强度下降50%。
目前，纳米相改性铜基复合材料制备的各种方法中，最广泛应用的仍然是传统的粉末冶金致密化工艺方法，即将混合的复合粉体冷压成型，然后通过烧结、复压、退火等环节实现致密化。复压环节的目的在于降低残余孔隙率（烧结后的坯件孔隙率一般为15—20%），但其并不能充分保证残余孔隙率达到所要求的水平，这一点对铜基电接触材料尤为明显。也有些方法为降低触头烧结时的孔隙率，在混合粉末中引入具有活化烧结作用的添加剂，但这种条件下会出现成品件的强度不足的问题。利用复压和中间热处理工艺，使触头坯件多次变形的达到致密化的方法已经一种成型的工艺技术。但这种方法的缺点在于，采用两次复压，甚至三次复压，孔隙率也难于降低到1.0%以下。
因此这类材料在电工领域的进一步应用和发展遇到的主要障碍在于，现行工艺方法无法解决其纳米相分散差和致密度低这两方面的问题。
发明内容
本发明是要解决现有方法制备的铜基电接触材料的由于纳米相分散差和致密度低的问题，提供了一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法。
本发明一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，是按以下步骤进行：一、称取金属X、锌和铜合金粉末，其中金属X和锌的质量比为任意比，金属X和锌的总量与铜合金粉末的质量比为（1～3）：（22～24）；二、将步骤一中的金属X和锌分别溶于质量百分含量为20～25%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在60～85℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入13～16%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0～7.4后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为900～950℃，煅烧时间为2～4h，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物A和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为860～930℃，烧结时间为2～4h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中金属X为铝或镓，铜合金粉末是由0.004%～0.01%镧、0.1%～0.2%锆和余量铜组成；步骤四中的透明导电氧化物A为铝掺杂氧化锌或镓掺杂氧化锌。
本发明一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，是按以下步骤进行：一、称取金属Y、锡和铜合金粉末，其中金属Y和锡的质量比为任意比，金属Y和锡的总量与铜合金粉末的质量比为（1～3）：（14～17）；二、将步骤一中的金属Y和锡分别溶于质量百分含量为20～25%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在60～85℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入13～16%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0～7.4后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧时间为2～4h，煅烧温度为900～950℃，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物B和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为860～930℃，烧结时间为2～4h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中金属Y为锑或钼，铜合金粉末是由0.004%～0.01%镧、0.1%～0.2%锆和余量铜组成；步骤四中的透明导电氧化物B为锑掺杂氧化锡或钼掺杂氧化锡。
本发明一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，是按以下步骤进行：一、称取金属Z、锡和铜合金粉末，其中金属Z、锡的摩尔比为1：1，金属Z和锡总量与铜合金粉末的质量比为（1～3）：（13～16）；二、将步骤一中的金属Z和锡分别溶于质量百分含量为20～25%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在60～85℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入13～16%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0～7.4后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为900～950℃，煅烧时间为2～4h，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物C和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为860～930℃，烧结时间为2～4h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中金属Z为锌或镉，铜合金粉末是由0.005%～0.01%镧、0.2%～0.3%锆和余量铜组成；步骤四中的透明导电氧化物C为锡酸锌或锡酸镉。
本发明采用化学共沉积法制备纳米氧化物改性铜基电接触材料，化学共沉积的方法首先可以保证第二相先驱体以纳米尺度存在，并在铜粉末体中均匀分布，因而在煅烧形成了均匀分散的复合体系。在后续的挤压和轧制过程中，由于强塑性变形，还会使第二相的分布更加均匀和弥散，从而充分保证了纳米氧化物在铜合金基体中的分散性。由于第二相均匀弥散，不存在明显的团聚现象，避免了颗粒团聚形成的孔隙的存在，从而提高复合材料的致密度。同时，后续强烈的塑性变形使材料中可能存在的孔隙闭合，并在后续热处理过程中形成冶金结合，从而降低材料的孔隙率，达到致密化的目的。
具体实施方式
具体实施方式一：本实施方式的一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，是按以下步骤进行：一、称取金属X、锌和铜合金粉末，其中金属X和锌的质量比为任意比，金属X和锌的总量与铜合金粉末的质量比为（1～3）：（22～24）；二、将步骤一中的金属X和锌分别溶于质量百分含量为20～25%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在60～85℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入13～16%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0～7.4后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为900～950℃，煅烧时间为2～4h，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物A和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为860～930℃，烧结时间为2～4h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中金属X为铝或镓，铜合金粉末是由0.004%～0.01%镧、0.1%～0.2%锆和余量铜组成；步骤四中的透明导电氧化物A为铝掺杂氧化锌或镓掺杂氧化锌。
本实施方式中所用的金属和铜合金均为粉体，煅烧后过筛的目数取决于铜合金粉末的粒度。
本实施方式采用化学共沉积法制备纳米氧化物改性铜基电接触材料，化学共沉积的方法首先可以保证第二相先驱体以纳米尺度存在，并在铜粉末体中均匀分布，因而在煅烧形成了均匀分散的复合体系。在后续的挤压和轧制过程中，由于强塑性变形，还会使第二相的分布更加均匀和弥散，从而充分保证了纳米氧化物在铜合金基体中的分散性。由于第二相均匀弥散，不存在明显的团聚现象，避免了颗粒团聚形成的孔隙的存在，从而提高复合材料的致密度。同时，后续强烈的塑性变形使材料中可能存在的孔隙闭合，并在后续热处理过程中形成冶金结合，从而降低材料的孔隙率，达到致密化的目的。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是，步骤三中加入质量百分含量为15%碳酸钠溶液。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是，步骤五中煅烧温度为930℃，煅烧时间为3h。其它与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四：本实施方式的一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法是按以下步骤进行：一、称取金属Y、锡和铜合金粉末，其中金属Y和锡的质量比为任意比，金属Y和锡的总量与铜合金粉末的质量比为（1～3）：（14～17）；二、将步骤一中的金属Y和锡分别溶于质量百分含量为20～25%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在60～85℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入13～16%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0～7.4后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为900～950℃，煅烧时间为2～4h，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物B和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为860～930℃，烧结时间为2～4h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中金属Y为锑或钼，铜合金粉末是由0.004%～0.01%镧、0.1%～0.2%锆和余量铜组成；步骤四中的透明导电氧化物B为锑掺杂氧化锡或钼掺杂氧化锡。
本实施方式中所用的金属和铜合金均为粉体，煅烧后过筛的目数取决于铜合金粉末的粒度。
本实施方式采用化学共沉积法制备纳米氧化物改性铜基电接触材料，化学共沉积的方法首先可以保证第二相先驱体以纳米尺度存在，并在铜粉末体中均匀分布，因而在煅烧形成了均匀分散的复合体系。在后续的挤压和轧制过程中，由于强塑性变形，还会使第二相的分布更加均匀和弥散，从而充分保证了纳米氧化物在铜合金基体中的分散性。由于第二相均匀弥散，不存在明显的团聚现象，避免了颗粒团聚形成的孔隙的存在，从而提高复合材料的致密度。同时，后续强烈的塑性变形使材料中可能存在的孔隙闭合，并在后续热处理过程中形成冶金结合，从而降低材料的孔隙率，达到致密化的目的。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是，步骤三中加入质量百分含量为15%碳酸钠溶液。其它与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是，步骤五中煅烧温度为930℃，煅烧时间为3h。其它与具体实施方式一至五之一相同。本具体实施方式
具体实施方式七：本实施方式的一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法是按以下步骤进行：一、称取金属Z、锡和铜合金粉末，其中金属Z和锡的摩尔比为1：1，金属Z和锡总量与铜合金粉末的质量比为（1～3）：（13～16）；二、将步骤一中的金属Z和锡分别溶于质量百分含量为20～25%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在60～85℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入13～16%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0～7.4后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为900～950℃，煅烧时间为2～4h，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物C和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为860～930℃，烧结时间为2～4h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中金属Z为锌或镉，铜合金粉末是由0.005%～0.01%镧、0.2%～0.3%锆和余量铜组成；步骤四中的透明导电氧化物C为锡酸锌或锡酸镉。
本实施方式中所用的金属和铜合金均为粉体，煅烧后过筛的目数取决于铜合金粉末的粒度。
本实施方式采用化学共沉积法制备纳米氧化物改性铜基电接触材料，化学共沉积的方法首先可以保证第二相先驱体以纳米尺度存在，并在铜粉末体中均匀分布，因而在煅烧形成了均匀分散的复合体系。在后续的挤压和轧制过程中，由于强塑性变形，还会使第二相的分布更加均匀和弥散，从而充分保证了纳米氧化物在铜合金基体中的分散性。由于第二相均匀弥散，不存在明显的团聚现象，避免了颗粒团聚形成的孔隙的存在，从而提高复合材料的致密度。同时，后续强烈的塑性变形使材料中可能存在的孔隙闭合，并在后续热处理过程中形成冶金结合，从而降低材料的孔隙率，达到致密化的目的。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是，步骤三中加入质量百分含量为15%碳酸钠溶液。其它与具体实施方式一至七之一相同。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是，步骤五中煅烧温度为800℃，煅烧时间为3h。其它与具体实施方式一至八之一相同。
通过以下试验验证本发明的有益效果：
试验1：
本试验分为试验组和对照组。
试验组1的纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，是按以下步骤进行：一、称取铝、锌和铜合金粉末，其中铝和锌的质量比为任意比，铝和锌的总量与铜合金粉末的质量比为1：11；二、将步骤一中的铝和锌分别溶于质量百分含量为22%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在80℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入15%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为930℃，煅烧时间为3h，煅烧后过筛，得到铝掺杂氧化锌和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为900℃，烧结时间为3h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中铜合金粉末是由0.0045%镧、0.15%锆和余量铜组成。
试验组2的纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法是按以下步骤进行：一、称取钼、锡和铜合金粉末，其中钼和锡的质量比为任意比，钼和锡的总量与铜合金粉末的质量比为1：8；二、将步骤一中的钼和锡分别溶于质量百分含量为22%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在80℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入15%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧时间为3h，煅烧温度为930℃，煅烧后过筛，得到钼掺杂氧化锡和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为900℃，烧结时间为3h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中铜合金粉末是由0.0045%镧、0.15%锆和余量铜组成。
试验组3的纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法是按以下步骤进行：一、称取锌、锡和铜合金粉末，其中锌和锡的摩尔比为1:1，锌和锡的总量与铜合金粉末的质量比为1:7；二、将步骤一中的锌和锡分别溶于质量百分含量为22%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在80℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入15%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为930℃，煅烧时间为3h，煅烧后过筛，得到锡酸锌和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为900℃，烧结时间为3h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中铜合金粉末是由0.007%镧、0.25%锆和余量铜组成。
对照组的铜基电接触材料采用粉末冶金典型工艺方法制备，制备方法为：球磨混粉，球料比为2：1，球磨时间为4h；烧结坯件采用两次复压，压制压强为1100MPa，中间退火温度为500℃。
将试验组和对照组电接触材料制备成触头件。
对触头件进行了密度d(dт–材料理论密度，d/dт–相对密度)、电阻率ρ、硬度HB、对称触头副接触电阻RK电磨损量G（mg/每次开—关循环，I=30A，U=380V，
磨损量为触头副上失重量的平均值）。表中所列数据为10次测量结果的平均值。
表1试验组和对照组触头件性能对照表
由表中可见，本试验中试验组制备触头的相对密度、电导率和硬度值相对较高，对称触头副之间的接触电阻相对较低，而且耐烧蚀性能提高。这些都源于残余孔隙率的降低和组织的优化，通过计算试验组的孔隙率在0.2%以下。与对照组相比，试验组可以提高电器开关触头件的可靠性和持久性。
Claims (9)
1.一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法是按以下步骤进行：一、称取金属X、锌和铜合金粉末，其中金属X和锌的质量比为任意比，金属X和锌的总量与铜合金粉末的质量比为（1～3）：（22～24）；二、将步骤一中的金属X和锌分别溶于质量百分含量为20～25%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在60～85℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入13～16%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0～7.4后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为900～950℃，煅烧时间为2～4h，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物A和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为860～930℃，烧结时间为2～4h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中金属X为铝或镓，铜合金粉末是由0.004%～0.01%镧、0.1%～0.2%锆和余量铜组成；步骤四中的透明导电氧化物A为铝掺杂氧化锌或镓掺杂氧化锌。
2.根据权利要求1所述的一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于步骤三中加入质量百分含量为15%碳酸钠溶液。
3.根据权利要求1所述的一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于步骤五中煅烧温度为930℃，煅烧时间为3h。
4.一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法是按以下步骤进行：一、称取金属Y、锡和铜合金粉末，其中金属Y和锡的摩尔比为任意比，金属Y和锡的总量与铜合金粉末的质量比为（1～3）：（14～17）；二、将步骤一中的金属Y和锡分别溶于质量百分含量为20～25%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在60～85℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入13～16%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0～7.4后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为900～950℃，煅烧时间为2～4h，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物B和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为860～930℃，烧结时间为2～4h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中金属Y为锑或钼，铜合金粉末是由0.004%～0.01%镧、0.1%～0.2%锆和余量铜组成；步骤四中的透明导电氧化物B为锑掺杂氧化锡或钼掺杂氧化锡。
5.根据权利要求4所述的一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于步骤三中加入质量百分含量为15%碳酸钠溶液。
6.根据权利要求4所述的一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于步骤五中煅烧温度为930℃，煅烧时间为3h。
7.一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法是按以下步骤进行：一、称取金属Z、锡和铜合金粉末，其中金属Z、锡的摩尔比为1：1，金属Z和锡的总量与铜合金粉末的质量比为（1～3）：（13～16）；二、将步骤一中的金属Z和锡分别溶于质量百分含量为20～25%的硫酸，溶解后再混合，然后再加入铜合金粉末，在60～85℃水浴条件下搅拌形成悬浊液；三、向悬浊液中滴入13～16%碳酸钠溶液，至悬浊液pH值为7.0～7.4后静置，得到沉淀物；四、将沉淀物经蒸馏水洗涤后进行真空干燥，在氩气保护条件下进行煅烧，煅烧温度为900～950℃，煅烧时间为2～4h，煅烧后过筛，得到透明导电氧化物C和铜合金的混合粉末；五、将步骤四中的混合粉末冷压成型后进行烧结，烧结温度为860～930℃，烧结时间为2～4h，再进行挤压和轧制，即得纳米氧化物改性铜基电接触材料；其中步骤一中金属Z为锌或镉，铜合金粉末是由0.005%～0.01%镧、0.2%～0.3%锆和余量铜组成；步骤四中的透明导电氧化物C为锡酸锌或锡酸镉。
8.根据权利要求7所述的一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于步骤三中加入质量百分含量为15%碳酸钠溶液。
9.根据权利要求7所述的一种纳米氧化物改性铜基电接触材料的制备方法，其特征在于步骤五中煅烧温度为800℃，煅烧时间为3h。
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