EP2210456A2 - Verfahren und generatorschaltung zur erzeugung von plasmen mittels hochfrequenzanregung - Google Patents

Verfahren und generatorschaltung zur erzeugung von plasmen mittels hochfrequenzanregung

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EP2210456A2
EP2210456A2 EP08848965A EP08848965A EP2210456A2 EP 2210456 A2 EP2210456 A2 EP 2210456A2 EP 08848965 A EP08848965 A EP 08848965A EP 08848965 A EP08848965 A EP 08848965A EP 2210456 A2 EP2210456 A2 EP 2210456A2
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EP
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operating frequency
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EP08848965A
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Roland Gesche
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Aurion Anlagentechnik GmbH
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    • H05H1/24—Generating plasma
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    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H01J37/32165—Plural frequencies

Abstract

Zur Bereitstellung einer das Plasma aufrechterhaltenden Spannung wird nach dem Verfahren einer hochfrequente Spannung mit einer definierten Arbeitsfrequenz mindestens eine weitere hochfrequente Spannung mit jeweils einem Vielfachen dieser Arbeitsfrequenz und jeweils einstellbarer Amplitude und Phase phasenstarr überlagert. Für eine entsprechende Generatorschaltung sind mindestens zwei Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren (1 bis 4) vorgesehen, von denen einer (1) bei einer definierten Arbeitsfrequenz (f) und der oder die die anderen (2 bis 4) bei jeweils einem Vielfachen dieser Arbeitsfrequenz (f) arbeiten. Alle Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren (1 bis 4) sind phasenstarr miteinander gekoppelt und die relative Phasenlage sowie die jeweilige Amplitude jedes Hochfrequenz-Leistungsgenerators (1 bis 4) sind mittels einer eigenen Anpassungsschaltung (5 bis 8) einzeln regelbar. Alternativ dazu kann ein bei einer definierten Arbeitsfrequenz (f) arbeitender Oszillator und mindestens ein weiterer, dem Oszillator nachgeschalteter Frequenzvervielfacher vorgesehen sein, der oder die Harmonische dieser Arbeitsfrequenz (f) erzeugen.

Description

VERFAHREN UND GENERATORSCHALTUNG ZUR ERZEUGUNG VON PLASMEN MITTELS HOCHFREQUENZANREGUNG
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Generatorschaltung zur Erzeugung von Plasmen mittels Hochfrequenzanregung .
Plasmen werden bei vielen Sedimentations-, Ätz- und Schichtbildungsprozessen (zum Beispiel HF-Sputtern, PECVD) eingesetzt. Bekannt ist die Anregung von Plasmen mittels Gleichspannung, Mikrowellen oder durch Hochfrequenz. Vorliegende Erfindung befasst sich mit der Anregung mittels Hochfrequenz, die insbesondere für Sputtervorgänge geeignet ist .
Bei einem Plasmaerzeuger auf der Basis von Hochfrequenzanregung wird ein Leistungsgenerator über ein Anpassungsnetzwerk an eine Plasmaelektrode in einer Vakuumkammer angeschlossen, um einen Niederdruck-Plasmaprozess durchzuführen. Typisch sind Generatoren mit einer Frequenz von f = 13,56 MHz bei einer Leistung von 300 W bis 50 kW. Das Anpassungsnetzwerk wird für die Arbeitsfrequenz des Generators so eingestellt, dass dieser an seiner Nennimpedanz betrieben wird.
Gegebenenfalls wird noch ein zweiter Plasmaerzeuger eingesetzt, der zusätzlich Hochfrequenz über eine die Vakuumkammer umgebende Induktionsspule in die Kammer und damit Energie in den Plasmaraum einkoppelt.
Durch die Nichtlinearität der Impedanz des Plasmas entstehen Harmonische mit Vielfachen der Frequenz des Generators, die von der Elektrode aus zurück in das Anpassungsnetzwerk fließen. Die Reflexionsfaktoren, auf die diese Harmonischen treffen, sind nicht definiert und werden nicht kontrolliert. Dadurch entsteht an der Plasmaelektrode eine Kurvenform der Spannung, die mit der Arbeitsfrequenz des Generators periodisch ist, die aber innerhalb der Spannungsperiode einen nicht kontrollierten Verlauf hat. Mangelnde Reproduzierbarkeit eines Prozesses, „mystische" Prozessänderungen nach Service, Reparatur oder Austausch von Hochfrequenzkomponenten sind die Folge. Der Prozess wird abhängig vom Design und Aufbau der Hochfrequenzversorgung, insbesondere des Anpassungsnetzwerkes.
Nach der US 6 537 421 B2 ist ein Plasmaerzeuger bekannt, bei dem zur Beherrschung dieses Problems zwischen Plasmaelektrode und Anpassungsnetzwerk Filter geschaltet sind, die jeweils auf eine Harmonische der Arbeitsfrequenz des Hochfrequenzgenerators abgestimmt sind.
Nach der US 7 084 369 B2 ist eine weitere Lösung bekannt, nach der die rücklaufenden Wellen in einem frequenzselektiven
Multiplexer aufgeteilt werden. Sie werden anschließend jeweils auf einstellbare Impedanzen geführt, so dass sie definierte
Reflexionfaktoren finden. Somit lassen sich zwar reproduzierbare Verhältnisse schaffen, die Einflussnahme auf die Kurvenform der Hochfrequenzanregung ist jedoch limitiert. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Generatorschaltung zum Erzeugen von Plasmen mittels Hochfrequenzanregung anzugeben, mit denen der Zeitverlauf der Hochfrequenzanregung reproduzierbar kontrolliert werden kann.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch die Merkmale der Ansprüche 1, 2 und 4. Zweckmäßige Ausgestaltungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
Danach wird zur Bereitstellung einer das Plasma aufrechterhaltenden Spannung einer hochfrequenten Spannung mit einer definierten Arbeitsfrequenz mindestens eine weitere hochfrequente Spannung mit jeweils einem Vielfachen dieser Arbeitsfrequenz und jeweils einstellbarer Amplitude und Phase phasenstarr überlagert.
Zur Realisierung des Verfahrens sind mindestens zwei Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren vorgesehen, von denen einer bei einer Arbeitsfrequenz und der oder die anderen bei jeweils einem Vielfachen dieser Arbeitsfrequenz arbeiten. Alle Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren sind phasenstarr miteinander gekoppelt. Die relative Phasenlage und die jeweilige Amplitude eines Hochfrequenz-Leistungsgenerators können zweckmäßig einzeln geregelt werden. Die Spannungen der Hochfrequenz- Leistungsgeneratoren mit ihrer jeweiligen Signalfrequenz werden jeweils über eine eigene Anpassungsschaltung geführt und an der Zuleitung zur Plasmaelektrode mittels Multiplexer überlagert. Durch die Einstellung der verschiedenen Amplituden und Phasenlagen kann die Kurvenform der Spannung gezielt kontrolliert werden. Statt mehrerer Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren können alternativ auch ein Oszillator und mindestens ein Frequenzvervielfacher eingesetzt werden, der oder die die Harmonischen erzeugen. Den Frequenzvervielfachern wird dann zweckmäßig jeweils ein Phasenschieber nachgeschaltet. Die Ankopplung an die Plasmaelektrode erfolgt über einen Breitbandverstärker oder mehrere schmalbandige Verstärker für die jeweilige Frequenz.
Mit dem Verfahren kann zum Beispiel die so genannte selfbias- DC-Spannung beeinflusst werden. Neben einer Sinusspannung kann dann auch eine kleine Spitzenspannung (Rechteckspannung) oder eine hohe Spitzenspannung (Pulsspannung) eingestellt werden. Dies ergibt vielfältige Möglichkeiten zur kontrollierbaren und reproduzierbaren Prozessgestaltung.
Die Erfindung soll nachstehend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt eine erfindungsgemäße Generatorschaltung. Der Ausgang eines Hochfrequenz-Leistungsgenerators 1, der eine Arbeitsfrequenz f erzeugt, wird über ein Anpassungsnetzwerk 5 an einen Multiplexer 9 geführt, dessen Ausgang wiederum an eine Elektrode 10 in einer Vakuumkammer 11 geschaltet ist. Das Anpassungsnetzwerk 5 ist auf die Arbeitsfrequenz f des Hochfrequenz-Leistungsgenerators 1 abgestimmt.
Weitere Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren 2, 3, 4 arbeiten jeweils bei einem n-fachen der Arbeitsfrequenz f, wobei n beispielsweise 2, 3 und 4 beträgt, das heißt, sie erzeugen jeweils eine Harmonische der Arbeitsfrequenz f. Alle Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren 1 bis 4 sind phasenstarr miteinander gekoppelt (zum Beispiel durch Synchronisation, nicht gezeigt) . Über den Multiplexer 9 sind die Hochfrequenz- Leistungsgeneratoren 1 bis 4 mit der Elektrode 10 der Vakuumkammer 11 verbunden. Jede Harmonische wird über ein eigenes Anpassungsnetzwerk 6, 7, 8 an den Multiplexer 9 geführt. Damit können die Harmonischen jeweils angepasst, das heißt nach Betrag und Phase eingestellt und damit auf die im Plasma entstehenden Harmonischen abgestimmt werden, indem sie im Zurückfließen auf Reflexionsfaktoren F2, F3, F4 treffen.
Mit der Anregung der Harmonischen lässt sich dann je nach den Erfordernissen eine sinusförmige oder auch eine pulsförmige oder eine rechteckförmige Spannung für das Plasma erzeugen.
Liste der Bezugszeichen
1-4 Hochfrequenz-Leistungsgenerator 5-8 Anpassungsnetzwerk
9 Multiplexer
10 Elektrode
11 Vakuumkammer
f Arbeitsfrequenz n 2, 3, 4...
F Reflexionsfaktor

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Erzeugung von Plasmen mittels Hochfrequenzanregung, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bereitstellung einer das Plasma aufrechterhaltenden Spannung eine hochfrequente Spannung mit einer definierten Arbeitsfrequenz und mindestens eine weitere hochfrequente Spannung mit jeweils einem Vielfachen dieser Arbeitsfrequenz und jeweils einstellbarer Amplitude und Phase phasenstarr überlagert werden.
2. Generatorschaltung zur Erzeugung von Plasmen mittels Hochfrequenzanregung zur Realisierung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bereitstellung einer das Plasma aufrechterhaltenden Spannung mindestens zwei Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren (1 bis 4) vorgesehen sind, von denen einer (1) bei einer definierten Arbeitsfrequenz (f) und der oder die die anderen
(2 bis 4) bei jeweils einem Vielfachen dieser Arbeitsfrequenz
(f) arbeiten, alle Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren (1 bis 4) phasenstarr miteinander gekoppelt sind und die relative Phasenlage sowie die jeweilige Amplitude jedes Hochfrequenz- Leistungsgenerators (1 bis 4) mittels einer eigenen Anpassungsschaltung (5 bis 8) einzeln regelbar sind.
3. Generatorsschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenz-Leistungsgeneratoren (1 bis 4) über einen Multiplexer (9) mit einer Elektrode [ 10) einer Vakuumkammer (11) verbunden sind.
4. Generatorschaltung zur Erzeugung von Plasmen mittels Hochfrequenzanregung zur Realisierung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bereitstellung einer das Plasma aufrechterhaltenden Spannung ein bei einer definierten Arbeitsfrequenz (f) arbeitender Oszillator und mindestens ein weiterer, dem Oszillator nachgeschalteter Frequenzvervielfacher vorgesehen sind, der oder die Harmonische dieser Arbeitsfrequenz (f) erzeugen .
5. Generatorschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass den Frequenzvervielfachern jeweils ein Phasenschieber nachgeschaltet ist.
6. Generatorschaltung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangsspannung der Frequenzvervielfacher auf einen Breitbandverstärker geführt ist.
7. Generatorschaltung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Frequenzvervielfacher ein Verstärker nachgeschaltet ist.
EP08848965A 2007-11-14 2008-10-28 Verfahren und generatorschaltung zur erzeugung von plasmen mittels hochfrequenzanregung Withdrawn EP2210456A2 (de)

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