EP1292965A1 - Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique - Google Patents

Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique

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EP1292965A1
EP1292965A1 EP01919529A EP01919529A EP1292965A1 EP 1292965 A1 EP1292965 A1 EP 1292965A1 EP 01919529 A EP01919529 A EP 01919529A EP 01919529 A EP01919529 A EP 01919529A EP 1292965 A1 EP1292965 A1 EP 1292965A1
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EP
European Patent Office
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column according
focusing
electrode
optical
outlet
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Withdrawn
Application number
EP01919529A
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German (de)
English (en)
Inventor
Gérard BENASSAYAG
Patrick Bouchet
Antoine Corbin
Pierre Sudraud
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orsay Physics SA
FEI EFA Inc
Original Assignee
Orsay Physics SA
Schlumberger Technologies Inc
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Filing date
Publication date
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Publication of EP1292965A1 publication Critical patent/EP1292965A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H01J37/02Details
    • H01J37/22Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/226Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
    • H01J37/228Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object whereby illumination or light collection take place in the same area of the discharge
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    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
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    • H01J37/12Lenses electrostatic
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    • H01J2237/2482Optical means
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    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/31749Focused ion beam

Definitions

  • the present invention relates to an optical column capable of focusing both an ion beam and a photon beam on the same area.
  • the invention finds a particularly advantageous application in the field of analysis and repair and manufacturing of integrated circuits.
  • the focused ion beams such as ion beams or electron, are now widely used to carry various types of analysis and manufacturing operations on integrated circuits, including characterization, identification, analysis design and failures, depassivation. vapor deposition under vacuum, micro-machining, etc. These operations are carried out by means of a column producing a particle beam intended to be focused on the integrated circuit at the place provided for carrying out the desired intervention .
  • Such a column comprises, for example, an ion source, such as the Ga + ions produced from liquid metal, which after extraction form an ion beam, which is then treated by a focusing device comprising a number of carried electrodes at potentials determined so as to form a system of electrostatic lenses capable of focusing the ion beam on the integrated circuit.
  • a focusing device comprising a number of carried electrodes at potentials determined so as to form a system of electrostatic lenses capable of focusing the ion beam on the integrated circuit.
  • Each electrode of the focusing device in particular the output electrode, is constituted by a series of metal electrodes having a hole for the passage of the particle beam. It is important to note here that the shape of the different electrodes, as well as the diameter of the holes plays a decisive role in the aberrations, in particular spherical and chromatic, of the particle focusing device.
  • Some columns for producing ion beams also comprises an optical focusing device, a mirror objective Cassegrain-Schwartzfield (C S), for example, terminated by an outlet opening positioned proximate to the surface of a sample subjected to the ion beam.
  • C S Cassegrain-Schwartzfield
  • French patent No. 2,437,695 discloses an ionic emission lens associated with a CS type mirror objective.
  • the ion lens part the elements of which consist of two pierced electrodes and of the sample itself, is located between said object and the mirror lens.
  • the holes of the electrodes of the ion focusing device must, at the same time, be large enough to offer the optical beam a geometric extent allowing sufficient illumination of the sample, and relatively small so as not to degrade the quality of the ion beam by high aberrations.
  • the diameter finally chosen for the exit hole is therefore a compromise which is neither satisfactory for the extent of the optical beam nor for the focusing of the ion beam.
  • a technical problem to be solved by the object of the present invention is to propose a column for producing a focused particle beam, comprising:
  • a particle focusing device comprising an output electrode having an outlet hole for the passage of the particle beam
  • the solution to the technical problem posed consists, according to the present invention, in that said outlet opening is transparent to the light beam, while said outlet electrode is formed by a metal insert held in said opening and pierced with a central hole forming said outlet hole.
  • the column, object of the invention introduces independence between the diameter of the outlet hole of the particle focusing device and the diameter of the outlet opening of the optical focusing device. It is therefore possible to adjust the diameter of the central hole of the metal insert to an optimal value to reduce the aberrations of the output electrode, without prejudicing the digital aperture of the optical beam, which is determined by the diameter of the opening transparent to the optical beam.
  • the particle focusing device comprising an intermediate electrode
  • said electrode metal insert projects from the opening towards said intermediate electrode.
  • the particle production column according to the invention is capable of a large number of applications. Among others:
  • Figure 1 is a partial side view in section of a column for producing a particle beam, according to a first embodiment according to the invention.
  • Figure 2 is a partial side view in section of a column for producing a particle beam, according to a second embodiment according to the invention.
  • Figure 1 is shown partially in section of a tubing string of a particle beam to be focused on an integrated circuit 1.
  • the axis of the particle beam which coincides with the axis of the column, is referenced by the letter A.
  • the column of figure 1 applies to all kinds of charged particles, electrons or ions, we will take in the following the example of an ion beam.
  • the part of the column illustrated in FIG. 1 essentially comprises a device 100 for focusing the ion beam on the integrated circuit 1.
  • This device 100 comprises three electrodes, namely an input electrode 110 grounded, an electrode intermediate 120 brought to a non-zero potential V, positive or negative, of 20 keN for example, and an output electrode 130 also grounded. These electrodes 110, 120, 130 are contained between side walls 140 of the column, grounded.
  • the intermediate electrode 120 is a complex electrode in two parts, consisting of a first intermediate electrode
  • This device 200 makes it possible to focus the optical beam F on the sample 1 as well and therefore to form the enlarged image of the sample, as to collect the opti radiation ( ⁇ e emitted by said sample or by the atomized atoms, following ion bombardment
  • the optical beam F is obtained by means of a light source, not shown, generally arranged laterally with respect to the column with reference parallel to the axis A by a 45 ° mirror placed on said axis and pierced with a hole for passage of the ion beam.
  • the optical focusing device 200 is a Cassegrain type mirror objective comprising a first convex spherical mirror 210 located on the path of the optical beam F and a second concave spherical mirror 220 focusing on the integrated circuit 1 the beam coming from the first mirror 210.
  • the latter is provided with a hole 21 1 to allow passage of the ion beam through the second intermediate electrode 122, the assembly formed by the first mirror 210 and said second intermediate electrode 122 being held in the center of the column by a metal tripod 212 providing great transparency to the optical beam.
  • a metal tripod 212 providing great transparency to the optical beam.
  • the optical focusing device 200 also includes an outlet opening 230 itself comprising a window 240 transparent to the photons of the optical beam F, held by its edges to the outer casing of the grounded column.
  • the outlet electrode 130 is formed by a metal insert, passing through the window 240, the holding of which is ensured by the said window 240 and being drilled in the middle of a central hole 131 for the outlet of the electrode 130.
  • the transparent window 240 is provided electrically conductive.
  • it can be a glass plate covered with at least one conductive layer 241, such as indium and / or tin oxide.
  • the outlet hole 131 a diameter of small value, compatible with the resolution desired for the ion beam, while retaining independently, an aperture 230 of larger diameter, providing the optical beam with a geometrical extent allowing sufficient digital aperture, and therefore obtaining a good quality optical image of the sample 1 observed.
  • the outlet window 240 could just as easily be constituted by a solid material transparent to photons and any conductor of electricity.
  • the metal insert 130 projects from the surface of the window 240 towards the second intermediate electrode 122, this so as to protect said window in the event of an electrical breakdown, this occurring between the insert 130 and the second electrode 122.
  • the optical focusing device 200 of the embodiment of the invention presented in FIG. 2 is a mirror lens 210. 220 of the Cassegrain type brought to a high voltage, for example between 10 and 20 keN.
  • a first mirror 300 is placed in the axis A of the ion beam, between the first 121 and second 122 intermediate electrodes and, more precisely, between the first intermediate electrode 121 and the mirror lens 210, 220 of the Cassegrain type.
  • This mirror 300 is pierced with a hole 310 intended for the passage of the ion beam. It is oriented substantially at 45 ° relative to the axis A so as to deflect the optical beam F by approximately 90 °, laterally, in the direction of a second mirror 320 disposed in the space between the side walls 140 of the column and the room 120.
  • This second mirror 300 is placed in the axis A of the ion beam, between the first 121 and second 122 intermediate electrodes and, more precisely, between the first intermediate electrode 121 and the mirror lens 210, 220 of the Cassegrain type.
  • This mirror 300 is pierced with a hole 310 intended for the passage of the ion beam. It is oriented substantially at 45 ° relative to the axis
  • 320 is itself oriented at 45 ° relative to the axis A. It deflects the beam F by 90 ° in the same direction as that of this axis. parallel to this one.
  • the diameter of the hole 1 1 1 formed at the end of the input electrode 110. which is intended to allow the ion beam A to pass, but which does not have a function, unlike the embodiment of the Figure 1, to let the optical beam pass, can be reduced to values of the order of a millimeter.
  • the deflection plates 10, located upstream of the input electrode 110 no longer have to undergo anti-reflection treatment necessary for the good conduction of the optical beam.
  • the artefacts due to the interaction of the light beam with the walls of the ion optical elements, which existed upstream of the first mirror 300, in particular at the level of the deflection plates 10 of the embodiment of FIG. 1, and which in particular reduced the quality of the interpretation of the images obtained, are eliminated.
  • the opening 230 does not include a window 240, but a set of metal tabs or, at the very least, electrically conductive. These legs, for example three in number, form a metal tripod 250 held by the edges of the outer casing of the grounded column which delimit the opening 230. They ensure good maintenance of the insert 130 while preserving the transparency property of the opening 230 to the optical beam.
  • the outlet hole 131 it is possible to choose, for the outlet hole 131, a diameter of small value, compatible with the desired resolution for the ion beam, any retaining, independently, an opening 230 of larger diameter, providing the optical beam with a geometrical extent allowing sufficient illumination of the sample 1 observed.
  • the legs of the metal tripod 212 intended to hold the assembly formed by the mirror 210 and the second intermediate electrode 122, are curved so as to increase their distance from the legs of the tripod 250 and the output electrode 130. Therefore, the risks of breakdown are limited, as well as the electric field distortions caused by the tripod.

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Abstract

L'invention concerne une colonne de production d'un faisceau de particules focalisé, comprenant: un dispositif (100) de focalisation de particules comportant une électrode (130) de sortie présentant un trou (131) de sortie pour le passage du faisceau de particules (A); un dispositif (200) de focalisation optique pour la focalisation simultanée d'un faisceau optique (F) comportant une ouverture (230) de sortie. L'invention se caractérise en ce que ladite ouverture (230) de sortie est transparente au faisceau optique (F), tandis que ladite électrode (130) de sortie est formée par un insert métallique (130) maintenu dans ladite ouverture (230) et percé d'un trou (131) central formant ledit trou de sortie.

Description

COLONNE A FOCALISATION SIMULTANEE D'UN FAISCEAU DE PARTICULES ET D'UN FAISCEAU OPTIQUE
La présente invention concerne une colonne optique capable de focaliser à la fois un faisceau d'ions et un faisceau de photons sur une même zone.
L'invention trouve une application particulièrement avantageuse dans le domaine de l'analyse et de la réparation et de la fabrication des circuits intégrés.
Les faisceaux d'ions focalisés, tels que les faisceaux d'ions ou d'électrons, sont aujourd'hui largement utilisés pour mener divers types d'opérations d'analyse et de fabrication sur les circuits intégrés, notamment caractérisation, identification, analyse de conception et de défaillances, dépassivation. dépôt de vapeur sous vide, micro-usinage, etc.. Ces opérations sont réalisées au moyen d'une colonne de production d'un faisceau de particules destiné à être focalisé sur le circuit intégré à l'endroit prévu pour effectuer l'intervention désirée.
Une telle colonne comprend, par exemple, une source d'ions, comme les ions Ga+ produits à partir de métal liquide, qui après extraction forment un faisceau ionique, lequel est ensuite traité par un dispositif de focalisation comprenant un certain nombre d'électrodes portées à des potentiels déterminés de manière à former un système de lentilles électrostatiques apte à focaliser le faisceau d'ions sur le circuit intégré. Chaque électrode du dispositif de focalisation, notamment l'électrode de sortie, est constituée par une série d'électrodes métalliques présentant un trou pour le passage du faisceau de particules. Il est important de noter ici que la forme des différentes électrodes, ainsi que le diamètre des trous intervient de façon déterminante sur les aberrations, notamment sphériques et chromatiques, du dispositif de focalisation de particules.
Une des limites des applications des faisceaux d'ions focalisés est l'impossibilité de les utiliser pour fournir une image profonde d'un solide. Seules des images de la surface peuvent être obtenues. S 'agissant de circuits intégrés passives et planarisés, l'image superficielle ne renseigne pas sur les couches et circuits sous-jacents. ce qui présente l'inconvénient de rendre très difficile toute intervention dans l'épaisseur des circuits, comme, en particulier, le sectionnement de pistes métalliques enterrées, impliqué dans l'analyse de conception et de défaillances. Pour remédier à cet inconvénient, nous avons recours à un faisceau auxiliaire de lumière (photons) focalisé simultanément et coaxialement au faisceau de particules. En effet, avec le faisceau lumineux permettant d'obtenir des images dans l'épaisseur des circuits, il est possible de visualiser les couches et les pistes en profondeur et de les explorer, en temps réel, à l'aide du faisceau d'ions. On comprend alors que le couplage des deux types de faisceaux, ionique et photons, permette à l'opérateur d'amener le faisceau d'ions exactement au point voulu de l'objet au moyen de l'image fournie par le faisceau lumineu .
Certaines colonnes de production de faisceaux d'ions comprennent également un dispositif de focalisation optique, un objectif à miroirs de Cassegrain-Schwartzfield (C- S) par exemple, terminé par une ouverture de sortie placée à proximité de la surface d'un échantillon soumis au faisceau d'ions. On connaît du brevet français No. 2 437 695 une lentille ionique à émission associée à un objectif à miroirs type C-S.
Dans ce système, la partie lentille ionique, dont les éléments sont constitués par deux électrodes percées et par l'échantillon lui-même est située entre ledit objet et l'objectif à miroirs. Dans cette configuration, les trous des électrodes du dispositif de focalisation des ions doivent, à la fois, être assez grand pour offrir au faisceau optique une étendue géométrique permettant un éclairement suffisant de l'échantillon, et relativement petit pour ne pas dégrader la qualité du faisceau ionique par des aberrations élevées. Le diamètre finalement choisi pour le trou de sortie est donc un compromis qui n'est satisfaisant ni pour l'étendue du faisceau optique ni pour la focalisation du faisceau ionique.
D'autre part, le système décrit dans le brevet français No. 2 437 695 impose une distance de travail très faible (quelques millimètres) et de soumettre l'échantillon à un champ électrique. Ces deux contraintes sont inacceptables en technologie des faisceaux d'icns focalisés appliqués aux circuits intégrés: risques de destruction des circuits par micro-claquages électrostatiques, impossibilité d'incliner l'échantillon, difficultés pour collecter les électrons secondaires, et quasi-impossibilité, faute de place, d'associer le système à un capillaire d'injection de gaz précurseur qui est un accessoire indispensable à la technologie des faisceaux d'ions focalisés. Aussi, un problème technique à résoudre par l'objet de la présente invention est de proposer une colonne de production d'un faisceau de particules focalisé, comprenant :
- un dispositif de focalisation de particules comportant une électrode de sortie présentant un trou de sortie pour le passage du faisceau de particules,
- un dispositif de focalisation optique pour la focalisation simultanée d'un faisceau lumineux, comportant une ouverture de sortie, colonne qui permettrait d'associer :
- une distance de travail confortable, de l'ordre de 15 à 20 mm ;
- une lentille ionique finale à coefficients d'aberration chromatiques et sphériques de l'ordre de grandeur des coefficients d'aberration rencontrés sur une lentille ionique classique ;
- une ouverture numérique suffisante pour l'optique à miroirs, de l'ordre de 0,3 ; et
- un champ électrique zéro sur l'objet.
La solution au problème technique posé consiste, selon la présente invention, en ce que ladite ouverture de sortie est transparente au faisceau lumineux, tandis que ladite électrode de sortie est formée par un insert métallique maintenu dans ladite ouverture et percé d'un trou central formant ledit trou de sortie.
Ainsi, la colonne, objet de l'invention, introduit une indépendance entre le diamètre du trou de sortie du dispositif de focalisation de particules et le diamètre de l'ouverture de sortie du dispositif de focalisation optique. Il est donc possible d'ajuster le diamètre du trou central de l' insert métallique à une valeur optimale pour réduire les aberrations de l'électrode de sortie, sans pour autant porter préjudice à l'ouverture numérique du faisceau optique, laquelle est déterminée par le diamètre de l'ouverture transparente au faisceau optique.
Selon un mode de réalisation avantageux de l'invention, il est prévu que. le dispositif de focalisation de particules comportant une électrode intermédiaire, ledit insert métallique fait saillie de l'ouverture vers ladite électrode intermédiaire. De cette manière, si un claquage électrique se produisait accidentellement entre l'électrode de sortie et l'électrode intermédiaire, il a une probabilité maximale d'apparaître qu'au niveau de 1" insert métallique, protégeant ainsi les moyens de maintien dudit insert métallique, notamment le traitement de surface d'une fenêtre transparente de l'ouverture de sortie.
La colonne de production de particules conforme à l'invention est susceptible d'un grand nombre d'applications. Entre autres :
- le traitement d'un échantillon par un faisceau de particules chargées, utilisant des informations fournies par le faisceau optique et, en particulier, l'exploration précise des effets d'un faisceau de particules sur un circuit intégré au moyen d'informations fournies par le faisceau optique,
- le traitement d'un échantillon faisant appel à un laser focalisé sur ledit échantillon et, en particulier, l'enlèvement de couches de circuits intégrés par laser assisté ou non chimiquement, afin d'en permettre l'abrasion à une échelle plus fine et plus locale, le dépôt assisté, ou l'analyse par faisceaux d'électrons ou d'ions,
- l'intégration de faisceaux d'électrons ou d'ions à la microscopie infra-rouge aux fins d'analyse de circuits intégrés,
- le décapage chimique laser afin de permettre un meulage de circuits intégrés par faisceau ionique ou un sondage par faisceau électronique,
- la visualisation de transitions optiques créées, par exemple, sous l'effet du faisceau d'ions, ou d'autres phénomènes lumineux apparaissant sur un échantillon,
- le marquage laser des circuits intégrés,
- le sondage par faisceau électronique de diffusions dans les circuits intégrés ou d'autres échantillons,
- l'annulation d'effets de charges statiques par photons UN lors de traitements par électrons ou ions focalisés,
- la micro-analyse spectroscopique des photons émis sous l'impact de particules. La description qui va suivre en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples non limitatifs, fera bien comprendre en quoi consiste l'invention et comment elle peut être réalisée.
La figure 1 est une vue de côté partielle en coupe d'une colonne de production d'un faisceau de particules, conforme à un premier mode de réalisation selon l'invention.
La figure 2 est une vue de côté partielle en coupe d'une colonne de production d'un faisceau de particules, conforme à un second mode de réalisation selon l'invention. Sur la figure 1 est représentée partiellement en coupe une colonne de production d'un faisceau de particules destiné à être focalisé sur un circuit intégré 1. L'axe du faisceau de particules, qui coïncide avec l'axe de la colonne, est référencé par la lettre A. Bien que la colonne de la figure 1 s'applique à toutes sortes de particules chargées, électrons ou ions, on prendra dans la suite l'exemple d'un faisceau d'ions.
Seule la partie aval de la colonne est montrée à la figure 1, la source d'ions et les dispositifs d'extraction et de conditionnement du faisceau ionique, connus en soi, n'étant pas représentés.
La partie de la colonne illustrée sur la figure 1 comprend essentiellement un dispositif 100 de focalisation du faisceau d'ions sur le circuit intégré 1. Ce dispositif 100 comporte trois électrodes, à savoir une électrode 110 d'entrée mise à la masse, une électrode intermédiaire 120 portée à un potentiel non nul V, positif ou négatif, de 20 keN par exemple, et une électrode 130 de sortie également mise à la masse. Ces électrodes 1 10, 120, 130 sont contenues entre des parois latérales 140 de la colonne, mises à la masse.
En fait, on peut voir sur la figure 1 que l'électrode intermédiaire 120 est une électrode complexe en deux parties, constituée d'une première électrode intermédiaire
121 disposée à proximité de l'électrode 1 10 d'entrée et d'une deuxième électrode intermédiaire 122 disposée à proximité de l'électrode 130 de sortie. L'ensemble de ces électrodes forme une lentille électrostatique du type épaisse, asymétrique géométriquement mais symétrique électriquement. Il apparaît sur la figure 1 qu'un dispositif 200 de focalisation optique destiné à focaliser un faisceau optique F simultanément et coaxialement au faisceau de particules d'axe A est placé entre les deux électrodes intermédiaires 121, 122 est occupé par. Ce dispositif 200 permet tout aussi bien de focaliser le faisceau optique F sur l'échantillon 1 et donc de former l'image agrandie de l'échantillon, que de recueillir le rayonnement opti( <e émis par ledit échantillon ou par les atomes pulvérisés, à la suite du bombardement ionique. Le faisceau optique F est obtenu au moyen d'une source lumineuse, non représentée, généralement disposée latéralement par rapport à la colonne avec renvoi parallèlement à l'axe A par un miroir à 45° placé sur ledit axe et percé d'un trou pour le passage du faisceau d'ions.
Dans le mode de réalisation donné à la figure 1 , le dispositif 200 de focalisation optique est un objectif à miroirs du type Cassegrain comprenant un premier miroir sphérique convexe 210 situé sur le trajet du faisceau optique F et un deuxième miroir sphérique concave 220 focalisant sur le circuit intégré 1 le faisceau provenant du premier miroir 210. Ce dernier est muni d'un trou 21 1 pour laisser le passage au faisceau ionique à travers la deuxième électrode intermédiaire 122, l'ensemble formé par le premier miroir 210 et ladite deuxième électrode intermédiaire 122 étant maintenu au centre de la colonne par un tripode métallique 212 offrant une grande transparence au faisceau optique. Comme le montre la figure 1 , le dispositif 200 de focalisation optique comporte également une ouverture 230 de sortie comportant elle-même une fenêtre 240 transparente aux photons du faisceau optique F, maintenue par ses bords au boîtier extérieur de la colonne mis à la masse. L'électrode 130 de sortie est formée par un insert métallique, traversant la fenêtre 240, dont le maintien est assuré par ladite fenêtre 240 et étant percé en son milieu d'un trou central 131 de sortie de l'électrode 130. De manière à porter ladite électrode 130 de sortie à la masse, la fenêtre 240 transparente est prévue conductrice de l'électricité. En particulier, elle peut être une plaque de verre recouverte d'au moins une couche 241 conductrice, telle que l'oxyde d'indium et/ou d'étain. Il est donc possible de choisir pour le trou 131 de sortie un diamètre de faible valeur, compatible avec la résolution souhaitée pour le faisceau ionique, tout en conservant, de manière indépendante, une ouverture 230 de diamètre plus grand, offrant au faisceau optique une étendue géométrique permettant une ouverture numérique suffisante, et donc d'obtenir une image optique de bonne qualité de l'échantillon 1 observé. Bien entendu, la fenêtre 240 de sortie pourrait tout aussi bien être constituée par un matériau massif transparent aux photons et conducteur de l'électricité quelconque.
On peut voir sur la figure 1 que l'insert métallique 130 fait saillie de la surface de la fenêtre 240 vers la deuxième électrode intermédiaire 122, ceci de façon à protéger ladite fenêtre en cas de claquage électrique, celui-ci se produisant entre l'insert 130 et la deuxième électrode 122. De même que dans le mode de réalisation de l'invention présenté à la figure 1. le dispositif 200 de focalisation optique du mode de réalisation de l'invention présenté à la figure 2 est un objectif à miroirs 210. 220 du type Cassegrain porté à une haute tension, comprise par exemple entre 10 et 20 keN.
Toutefois, un premier miroir 300 est placé dans l'axe A du faisceau ionique, entre les première 121 et seconde 122 électrodes intermédiaires et, plus précisément, entre la première électrode intermédiaire 121 et l'objectif à miroirs 210, 220 du type Cassegrain. Ce miroir 300 est percé d'un trou 310 destiné au passage du faisceau ionique. Il est orienté sensiblement à 45° par rapport à l'axe A de manière à dévier le faisceau optique F d'environ 90°, latéralement, en direction d'un second miroir 320 disposé dans l'espace compris entre les parois latérales 140 de la colonne et la pièce 120. Ce second miroir
320 est lui-même orienté à 45° par rapport à l'axe A. Il dévie le faisceau F de 90° selon une même direction que celle de cet axe. parallèlement à celui-ci.
Ainsi, le diamètre du trou 1 1 1 ménagé à l'extrémité de l'électrode d'entrée 110. qui est destiné à laisser passer le faisceau ionique A, mais qui n'a pas pour fonction, contrairement au mode de réalisation de la figure 1, de laisser passer le faisceau optique, peut être ramené à des valeurs de l'ordre du millimètre. De plus, les plaques de déflection 10, localisées en amont de l'électrode d'entrée 110, n'ont plus à subir de traitement anti-reflets nécessaire à la bonne conduction du faisceau optique. Enfin, les artefacts dûs à l'interaction du faisceau lumineux avec les parois des éléments d'optique ionique, qui existaient en amont du premier miroir 300, en particulier au niveau des plaques de déflection 10 du mode de réalisation de la figure 1, et qui diminuaient notamment la qualité de l'interprétation des images obtenues, sont supprimés.
Par ailleurs, dans le mode de réalisation de la figure 2. l'ouverture 230 ne comporte pas de fenêtre 240, mais un ensemble de pattes métalliques ou, à tout le moins, électro-conductrices. Ces pattes, par exemple au nombre de trois, forment un tripode métallique 250 maintenu par les bords du boîtier extérieur de la colonne mis à la masse qui délimitent l'ouverture 230. Elles assurent un bon maintien de l'insert 130 tout en préservant la propriété de transparence de l'ouverture 230 au faisceau optique. Ainsi, de même que dans le mode de réalisation de l'invention présenté dans cette figure 1. il est possible de choisir, pour le trou 131 de sortie, un diamètre de faible valeur, compatible avec la résolution souhaitée pour le faisceau ionique, tout en conservant, de manière indépendante, une ouverture 230 de diamètre plus grand, offrant au faisceau optique une étendue géométrique permettant un éclairement suffisant de l'échantillon 1 observé.
Enfin, dans le mode de réalisation de la figure 2, les pattes du tripode métallique 212. destinées au maintien de l'ensemble formé par le miroir 210 et la deuxième électrode intermédiaire 122, sont courbées de manière à augmenter leur éloignement des pattes du tripode 250 et de l'électrode 130 de sortie. De ce fait, les risques de claquage sont limités, ainsi que les distorsions de champ électrique provoqués par le tripode.

Claims

REVENDICATIONS
1 - Colonne de production d'un faisceau de particules focalisé, comprenant : - un dispositif (100) de focalisation de particules comportant une électrode ( 130) de sortie présentant un trou (131) de sortie pour le passage du faisceau de particules (A), - un dispositif (200) de focalisation optique pour la focalisation simultanée d'un faisceau lumineux (F), comportant une ouverture (230) de sortie. caractérisée en ce que ladite ouverture (230) de sortie est transparente au faisceau lumineux (F), tandis que ladite électrode ( 130) de sortie est formée par un insert métallique (130) maintenu dans ladite ouverture (230) et percé d'un trou (13 1) central formant ledit trou de sortie.
2 - Colonne selon la revendication 1. caractérisée en ce que, le dispositif de focalisation de particules comportant une électrode intermédiaire (120), ledit insert (130) métallique fait saillie de l'ouverture (230) vers ladite électrode intermédiaire
(120).
3 - Colonne selon l'une des revendications 1 ou 2. caractérisée en ce que le dispositif (100) de focalisation de particules comporte une électrode intermédiaire ( 120) en deux parties, une première électrode intermédiaire (121) et une deuxième électrode intermédiaire (122) disposée à proximité de l'électrode (130) de sortie, entre lesquelles est placé le dispositif (200) de focalisation optique.
4 - Colonne selon la revendication 3 caractérisée en ce que le dispositif ( 100) de focalisation de particules comporte une électrode (1 10) d'entrée disposée à proximité de la première électrode intermédiaire (121). lesdites électrodes d'entrée (1 10) et de sortie (130) étant mises à la masse tandis que l'électrode intermédiaire (120) est portée à un potentiel non nul.
5 - Colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que l'ouverture (230) de sortie comporte une fenêtre (240) assurant le maintien de l'insert métallique (130). 6 - Colonne selon la revendication 4. caractérisée en ce que ladite fenêtre (240) de sortie est constituée par une plaque de verre ou de tout autre matériau transparent aux photons. recouverte d'au moins une couche mince (241) d'un matériau conducteur de l'électricité et transparent aux photons. 7 - Colonne selon l'une quelconque des revendications 5 et 6. caractérisée en ce que ladite fenêtre (240) de sortie est constituée par un matériau massif transparent et conducteur de l'électricité.
8 - Colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que l'ouverture (230) de sortie comporte un ensemble de pattes électro-conductrices (250) assurant le maintien de l'insert métallique (130).
9 - Colonne selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'un premier miroir (300) est placé dans l'axe (A) du faisceau ionique, entre les premières (121) et secondes (122) électrodes intermédiaires, ledit premier miroir (300) étant, d'une part, orienté par rapport audit axe (A) de manière à dévier le faisceau optique (F) latéralement, en direction d'un second miroir (320) et, d'autre part, percé d'un trou (310) destiné au passage du faisceau ionique (A).
10 - Colonne selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce que le dispositif de focalisation optique comprend un objectif à miroirs (210. 220). un ensemble formé par un miroir (210) dudit objectif et la deuxième électrode intermédiaire (122), étant maintenu par des pattes électro-conductrices courbées.
11 - Application d'une colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 au traitement d'un échantillon par un faisceau de particules chargées, utilisant des informations fournies par le faisceau optique.
12 - Application d'une colonne à faisceau de particules chargées selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 à un traitement d'un échantillon faisant appel à un laser focalisé sur ledit échantillon.
13 - Application d'une colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 à l'intégration de faisceaux d'électrons ou d'ions à la microscopie infra-rouge aux fins d'analyse de circuits intégrés. 14 - Application d'une colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 au décapage chimique laser afin de permettre une gravure de circuits intégrés par faisceau ionique ou un sondage par faisceau électronique.
15 - Application d'une colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 à la visualisation de transitions optiques créées ou d'autres phénomènes lumineux apparaissant sur un échantillon.
16 - Application d'une colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 au marquage laser des circuits intégrés.
17 - Application d'une colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 au sondage par faisceau électronique de diffusions dans les circuits intégrés ou d'autres échantillons.
18 - Application d'une colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 à l'annulation d'effets de charges statiques par photons UN lors de traitements par électrons ou ions focalisés, 19 - Application d'une colonne selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 à la micro-analyse spectroscopique des photons émis sous l'impact de particules.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2806527B1 (fr) 2000-03-20 2002-10-25 Schlumberger Technologies Inc Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique
US8202440B1 (en) * 2002-08-27 2012-06-19 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for electron beam assisted etching at low temperatures
US7103505B2 (en) 2002-11-12 2006-09-05 Fei Company Defect analyzer
NL1026547C2 (nl) * 2004-07-01 2006-01-03 Fei Co Apparaat voor het evacueren van een sample.
US7245133B2 (en) 2004-07-13 2007-07-17 Credence Systems Corporation Integration of photon emission microscope and focused ion beam
US7612321B2 (en) * 2004-10-12 2009-11-03 Dcg Systems, Inc. Optical coupling apparatus for a dual column charged particle beam tool for imaging and forming silicide in a localized manner
US7439168B2 (en) 2004-10-12 2008-10-21 Dcg Systems, Inc Apparatus and method of forming silicide in a localized manner
EP1724809A1 (fr) * 2005-05-18 2006-11-22 FEI Company Appareil optique à particules d'irradiation d' un échantillon
GB2428868B (en) * 2005-10-28 2008-11-19 Thermo Electron Corp Spectrometer for surface analysis and method therefor
US7842920B2 (en) * 2006-12-14 2010-11-30 Dcg Systems, Inc. Methods and systems of performing device failure analysis, electrical characterization and physical characterization
EP1956633A3 (fr) 2007-02-06 2009-12-16 FEI Company Appareil optique corpusculaire pour l'observation simultanée d'un échantillon avec des particules et des photons
EP1956632A1 (fr) * 2007-02-14 2008-08-13 FEI Company Appareil optique corpusculaire pour l'observation simultanée d'un échantillon avec des particules et des photons
US7781733B2 (en) * 2007-05-16 2010-08-24 International Business Machines Corporation In-situ high-resolution light-optical channel for optical viewing and surface processing in parallel with charged particle (FIB and SEM) techniques
EP2105944A1 (fr) * 2008-03-28 2009-09-30 FEI Company "Cellule environnementale" pour appareil optique à particules chargées
EP2313230A4 (fr) * 2008-07-09 2017-03-08 FEI Company Procédé et appareil d'usinage laser
US7961397B2 (en) * 2008-08-29 2011-06-14 Omniprobe, Inc Single-channel optical processing system for energetic-beam microscopes
DE102008045336B4 (de) * 2008-09-01 2022-05-25 Carl Zeiss Microscopy Gmbh System zur Bearbeitung einer Probe mit einem Laserstrahl und einem Elektronenstrahl oder einem Ionenstrahl
JP5492409B2 (ja) * 2008-12-26 2014-05-14 株式会社堀場製作所 電子顕微鏡装置
DE102010011898A1 (de) * 2010-03-18 2011-09-22 Carl Zeiss Nts Gmbh Inspektionssystem
JP5756585B2 (ja) * 2010-04-07 2015-07-29 エフ・イ−・アイ・カンパニー 組合せレーザおよび荷電粒子ビーム・システム
JP5770434B2 (ja) * 2010-06-24 2015-08-26 株式会社堀場製作所 電子顕微鏡装置
EP2591490B1 (fr) * 2010-07-08 2016-02-03 FEI Company Système de traitement par faisceau de particules chargées à imagerie visuelle et infrarouge
EP2601477B1 (fr) 2010-08-02 2021-09-22 Oxford Instruments America, Inc. Procédé permettant d'acquérir des images simultanées et superposées à partir de faisceaux optique et de particules chargées
EP2573796B1 (fr) 2011-09-22 2014-05-07 Carl Zeiss Microscopy Limited Système de faisceau à particules doté d'un guide lumineux creux
JP5825964B2 (ja) * 2011-10-05 2015-12-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査又は観察装置及び試料の検査又は観察方法
US9349564B2 (en) * 2014-07-17 2016-05-24 Fei Company Charged-particle lens that transmits emissions from sample
US9991091B1 (en) 2015-07-02 2018-06-05 Battelle Memorial Institute Optical column for focused ion beam workstation
US10546719B2 (en) 2017-06-02 2020-01-28 Fei Company Face-on, gas-assisted etching for plan-view lamellae preparation

Family Cites Families (106)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1298094A (fr) * 1960-08-18 1962-07-06 Rca Corp Dispositifs magnétiques, notamment pour la commande de signaux, et leurs procédésde fabrication
NL268333A (fr) 1960-08-18
US3378670A (en) * 1964-03-23 1968-04-16 Westinghouse Electric Corp Method of craterless electron beam welding
US3573454A (en) * 1968-04-22 1971-04-06 Applied Res Lab Method and apparatus for ion bombardment using negative ions
US3508045A (en) * 1968-07-12 1970-04-21 Applied Res Lab Analysis by bombardment with chemically reactive ions
US3740147A (en) * 1972-01-10 1973-06-19 Farrand Optical Co Inc Microspectrophotometer with two fields of view
DE2223367C3 (de) 1972-05-12 1978-11-30 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen Mikrostrahlsonde zur quantitativen Erfassung von geladenen Sekundärteilchen
US3944826A (en) * 1973-07-19 1976-03-16 Applied Research Laboratories Limited Methods and apparatus for analyzing mixtures
DE2340372A1 (de) * 1973-08-09 1975-02-20 Max Planck Gesellschaft Doppelfokussierendes massenspektrometer hoher eingangsapertur
FR2245937A1 (en) * 1973-10-01 1975-04-25 Beauvineau Jacky Study of luminescent materials by electron beam microscope - involves spectroscope with slit adjustable in height and width
US3878392A (en) * 1973-12-17 1975-04-15 Etec Corp Specimen analysis with ion and electrom beams
US3970960A (en) 1974-01-31 1976-07-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Broadly tunable continuous-wave laser using color centers
DE2408646A1 (de) 1974-02-22 1975-08-28 Max Planck Gesellschaft Reaktionskinetisches messgeraet
US4017730A (en) 1974-05-01 1977-04-12 Raytheon Company Radiographic imaging system for high energy radiation
US3936639A (en) 1974-05-01 1976-02-03 Raytheon Company Radiographic imaging system for high energy radiation
US4009391A (en) 1974-06-25 1977-02-22 Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. Suppression of unwanted lasing in laser isotope separation
US3961197A (en) 1974-08-21 1976-06-01 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration X-ray generator
US4036946A (en) 1975-10-20 1977-07-19 Marcos Kleinerman Immunofluorometric method for measuring minute quantities of antigens, antibodies and other substances
US4087763A (en) 1975-11-10 1978-05-02 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for secondary laser pumping by electron beam excitation
FR2376511A1 (fr) * 1976-12-31 1978-07-28 Cameca Spectrometre de masse a balayage ultra-rapide
FR2443085A1 (fr) 1978-07-24 1980-06-27 Thomson Csf Dispositif de microlithographie par bombardement electronique
DE2842527C3 (de) 1978-09-29 1981-12-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Elektrostatische Emissionslinse
US4330295A (en) 1979-03-05 1982-05-18 Wisconsin Alumni Research Foundation Microwave discharge degradation of organics for analysis
US4345331A (en) 1980-01-14 1982-08-17 Locke Technology, Inc. Apparatus for generating an electric field
FR2498767A1 (fr) * 1981-01-23 1982-07-30 Cameca Micro-analyseur a sonde electronique comportant un systeme d'observation a double grandissement
US4578279A (en) 1981-05-26 1986-03-25 International Business Machines Corporation Inspection of multilayer ceramic circuit modules by electrical inspection of unfired green sheets
US4443278A (en) 1981-05-26 1984-04-17 International Business Machines Corporation Inspection of multilayer ceramic circuit modules by electrical inspection of green specimens
FR2520553A1 (fr) * 1982-01-22 1983-07-29 Cameca Appareil d'optique electronique comportant des elements en graphite pyrolytique
DE3231036A1 (de) * 1982-08-20 1984-02-23 Max Planck Gesellschaft Kombinierte elektrostatische objektiv- und emissionslinse
JPS6020440A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Tokyo Daigaku イオンビ−ム加工装置
US4564758A (en) * 1984-02-01 1986-01-14 Cameca Process and device for the ionic analysis of an insulating sample
US4782840A (en) 1984-03-02 1988-11-08 Neoprobe Corporation Method for locating, differentiating, and removing neoplasms
JPH0630235B2 (ja) * 1985-06-11 1994-04-20 浜松ホトニクス株式会社 高時間分解電子顕微鏡装置
US4714902A (en) 1985-06-17 1987-12-22 Avco Everett Research Laboratory, Inc. Gaseous non linear dispersion laser beam control
US4673257A (en) 1985-06-19 1987-06-16 Avco Corporation Method of and apparatus for correction of laser beam phase front aberrations
JPH067471B2 (ja) * 1986-03-26 1994-01-26 株式会社日立製作所 質量分析装置
US4670685A (en) 1986-04-14 1987-06-02 Hughes Aircraft Company Liquid metal ion source and alloy for ion emission of multiple ionic species
FR2602051B1 (fr) * 1986-07-23 1988-09-16 Cameca Procede et dispositif pour la decharge d'echantillons isolants lors d'une analyse ionique
US4988879A (en) 1987-02-24 1991-01-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior College Apparatus and method for laser desorption of molecules for quantitation
GB8707516D0 (en) 1987-03-30 1987-05-07 Vg Instr Group Surface analysis
US4788431A (en) 1987-04-10 1988-11-29 The Perkin-Elmer Corporation Specimen distance measuring system
US4797892A (en) 1987-05-11 1989-01-10 Oregon Graduate Center Longitudinally coupled surface emitting semiconductor laser array
JPH0754684B2 (ja) * 1987-08-28 1995-06-07 株式会社日立製作所 電子顕微鏡
FR2620532B1 (fr) * 1987-09-11 1989-12-01 Cameca Procede d'analyse d'un echantillon par erosion au moyen d'un faisceau de particules, et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede
US4755683A (en) 1987-10-05 1988-07-05 Oregon Graduate Center Liquid-metal ion beam source substructure
DE3803424C2 (de) * 1988-02-05 1995-05-18 Gsf Forschungszentrum Umwelt Verfahren zur quantitativen, tiefendifferentiellen Analyse fester Proben
JP2753306B2 (ja) * 1988-03-18 1998-05-20 株式会社日立製作所 イオンビーム加工方法及び集束イオンビーム装置
US5202744A (en) 1988-07-29 1993-04-13 Louis Thomas A Electro-optical measuring instruments
JPH0262039A (ja) * 1988-08-29 1990-03-01 Hitachi Ltd 多層素子の微細加工方法およびその装置
US4948941A (en) * 1989-02-27 1990-08-14 Motorola, Inc. Method of laser drilling a substrate
US5020411A (en) 1989-03-06 1991-06-04 Larry Rowan Mobile assault logistic kinetmatic engagement device
US5061838A (en) 1989-06-23 1991-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Toroidal electron cyclotron resonance reactor
US5063280A (en) * 1989-07-24 1991-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming holes into printed circuit board
US5063586A (en) 1989-10-13 1991-11-05 At&T Bell Laboratories Apparatus for semiconductor lithography
DE4000579A1 (de) * 1990-01-10 1991-07-11 Integrated Circuit Testing Ionenstrahlgeraet sowie verfahren zur durchfuehrung von potentialmessungen mittels eines ionenstrahles
US5206594A (en) 1990-05-11 1993-04-27 Mine Safety Appliances Company Apparatus and process for improved photoionization and detection
JP2578519B2 (ja) * 1990-06-01 1997-02-05 株式会社日立製作所 光線による位置検出機能付き荷電粒子線露光装置
JPH0487148A (ja) * 1990-07-26 1992-03-19 Shimadzu Corp 試料移動経路指定自動分析装置
US5342283A (en) 1990-08-13 1994-08-30 Good Roger R Endocurietherapy
FR2666171B1 (fr) * 1990-08-24 1992-10-16 Cameca Spectrometre de masse stigmatique a haute transmission.
US5128509A (en) * 1990-09-04 1992-07-07 Reliant Laser Corp. Method and apparatus for transforming and steering laser beams
FR2674768B1 (fr) 1991-04-02 1994-09-02 France Telecom Procede de traitement photochimique d'un materiau utilisant une source de lumiere a tubes a eclairs.
US5429730A (en) * 1992-11-02 1995-07-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of repairing defect of structure
US5401973A (en) 1992-12-04 1995-03-28 Atomic Energy Of Canada Limited Industrial material processing electron linear accelerator
US5504340A (en) * 1993-03-10 1996-04-02 Hitachi, Ltd. Process method and apparatus using focused ion beam generating means
US5359621A (en) 1993-05-11 1994-10-25 General Atomics High efficiency gas laser with axial magnetic field and tunable microwave resonant cavity
JP2875940B2 (ja) * 1993-08-26 1999-03-31 株式会社日立製作所 試料の高さ計測手段を備えた電子ビーム装置
US5401972A (en) * 1993-09-02 1995-03-28 Schlumberger Technologies, Inc. Layout overlay for FIB operations
US5394500A (en) 1993-12-22 1995-02-28 At&T Corp. Fiber probe device having multiple diameters
US5679952A (en) * 1994-05-23 1997-10-21 Hitachi, Ltd. Scanning probe microscope
WO1996000803A1 (fr) 1994-06-28 1996-01-11 Fei Company Depot par faisceau de particules chargees de films electriquement isolants
US5485277A (en) 1994-07-26 1996-01-16 Physical Optics Corporation Surface plasmon resonance sensor and methods for the utilization thereof
US5504772A (en) 1994-09-09 1996-04-02 Deacon Research Laser with electrically-controlled grating reflector
US5488681A (en) 1994-09-09 1996-01-30 Deacon Research Method for controllable optical power splitting
US5491762A (en) 1994-09-09 1996-02-13 Deacon Research ATM switch with electrically-controlled waveguide-routing
US5770123A (en) * 1994-09-22 1998-06-23 Ebara Corporation Method and apparatus for energy beam machining
US5838005A (en) * 1995-05-11 1998-11-17 The Regents Of The University Of California Use of focused ion and electron beams for fabricating a sensor on a probe tip used for scanning multiprobe microscopy and the like
US5936237A (en) 1995-07-05 1999-08-10 Van Der Weide; Daniel Warren Combined topography and electromagnetic field scanning probe microscope
JPH09203864A (ja) * 1996-01-25 1997-08-05 Nikon Corp Nfm一体型顕微鏡
US5905266A (en) 1996-12-19 1999-05-18 Schlumberger Technologies, Inc. Charged particle beam system with optical microscope
JP3689516B2 (ja) * 1997-01-29 2005-08-31 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置
JPH10293134A (ja) * 1997-02-19 1998-11-04 Canon Inc 光検出または照射用のプローブ、及び該プローブを備えた近視野光学顕微鏡・記録再生装置・露光装置、並びに該プローブの製造方法
US5821549A (en) * 1997-03-03 1998-10-13 Schlumberger Technologies, Inc. Through-the-substrate investigation of flip-chip IC's
JP3484042B2 (ja) * 1997-05-21 2004-01-06 株式会社日立製作所 パターン検査方法およびその装置
US6014203A (en) * 1998-01-27 2000-01-11 Toyo Technologies, Inc. Digital electron lithography with field emission array (FEA)
US5945672A (en) 1998-01-29 1999-08-31 Fei Company Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope
US6376985B2 (en) * 1998-03-31 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Gated photocathode for controlled single and multiple electron beam emission
JP2000011937A (ja) 1998-06-26 2000-01-14 Advantest Corp 電子ビーム露光装置の静電偏向器
EP1048071B1 (fr) 1998-10-09 2008-04-23 Fei Company Recablage de circuits integres par gravage a faisceau ionique focalise (fib) facilite par gaz
US6268608B1 (en) 1998-10-09 2001-07-31 Fei Company Method and apparatus for selective in-situ etching of inter dielectric layers
US6373071B1 (en) * 1999-06-30 2002-04-16 Applied Materials, Inc. Real-time prediction of proximity resist heating and correction of raster scan electron beam lithography
US6414307B1 (en) 1999-07-09 2002-07-02 Fei Company Method and apparatus for enhancing yield of secondary ions
US6373070B1 (en) 1999-10-12 2002-04-16 Fei Company Method apparatus for a coaxial optical microscope with focused ion beam
WO2001054163A1 (fr) 2000-01-21 2001-07-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Faisceaux ioniques focalises modeles et a faible densite
AU2001238148A1 (en) 2000-02-09 2001-08-20 Fei Company Through-the-lens collection of secondary particles for a focused ion beam system
US6727500B1 (en) 2000-02-25 2004-04-27 Fei Company System for imaging a cross-section of a substrate
FR2806527B1 (fr) 2000-03-20 2002-10-25 Schlumberger Technologies Inc Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique
GB2367686B (en) 2000-08-10 2002-12-11 Leo Electron Microscopy Ltd Improvements in or relating to particle detectors
US6539521B1 (en) 2000-09-29 2003-03-25 Numerical Technologies, Inc. Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects
JP2006114225A (ja) * 2004-10-12 2006-04-27 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
US7439168B2 (en) * 2004-10-12 2008-10-21 Dcg Systems, Inc Apparatus and method of forming silicide in a localized manner
US7612321B2 (en) * 2004-10-12 2009-11-03 Dcg Systems, Inc. Optical coupling apparatus for a dual column charged particle beam tool for imaging and forming silicide in a localized manner
US7884024B2 (en) * 2005-02-24 2011-02-08 Dcg Systems, Inc. Apparatus and method for optical interference fringe based integrated circuit processing
US7697146B2 (en) * 2005-02-24 2010-04-13 Dcg Systems, Inc. Apparatus and method for optical interference fringe based integrated circuit processing
US7312448B2 (en) * 2005-04-06 2007-12-25 Carl Zeiss Nts Gmbh Method and apparatus for quantitative three-dimensional reconstruction in scanning electron microscopy
EP1956633A3 (fr) * 2007-02-06 2009-12-16 FEI Company Appareil optique corpusculaire pour l'observation simultanée d'un échantillon avec des particules et des photons

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO0171766A1 *

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Publication number Publication date
AU2001246611A1 (en) 2001-10-03
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US7297948B2 (en) 2007-11-20
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US7573050B2 (en) 2009-08-11
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