EP1093132A2 - Planarer Abgleichwiderstand, Anwendungen und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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EP1093132A2
EP1093132A2 EP00115803A EP00115803A EP1093132A2 EP 1093132 A2 EP1093132 A2 EP 1093132A2 EP 00115803 A EP00115803 A EP 00115803A EP 00115803 A EP00115803 A EP 00115803A EP 1093132 A2 EP1093132 A2 EP 1093132A2
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EP
European Patent Office
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layer
resistance
contact
resistor
contact layer
Prior art date
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EP00115803A
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English (en)
French (fr)
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EP1093132B1 (de
EP1093132A3 (de
Inventor
Walter Emili
Herbert Goebel
Harald Wanka
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Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
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Publication date
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Publication of EP1093132A3 publication Critical patent/EP1093132A3/de
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/22—Elongated resistive element being bent or curved, e.g. sinusoidal, helical

Definitions

  • the invention relates to a planar trimming resistor with a substrate and one deposited thereon Resistor layer, a resistor bridge circuit and a sensor that such Use trimming resistor and procedure to manufacture the trimming resistor respectively the resistance bridge circuit or the Sensors.
  • Trimming resistors are used in circuits, which were initially manufactured with a certain tolerance and their behavior afterwards by adjusting the resistance value of said Trimming resistors is set exactly.
  • Trimmer resistors with a planar resistance layer known, the resistance value after installation of the trimming resistor in a circuit local removal of material from the resistance layer can be adjusted. This is the result Problem that a change in resistance value by removing material of the resistance layer also affects their capacity, especially if if the resistance layer is in the immediate Extends near another conductor, e.g. because they are only separated by a thin layer of insulation is deposited on a metallic substrate.
  • the present invention makes a planar Trimming resistor of the type described in the introduction created its capacity through the matching process is not affected.
  • This advantage is achieved in that a contact layer, which have better conductivity than that Has resistance layer on the resistance layer is arranged so that it is at least individual positions in contact with the latter stands, and the at least locally ablating Treatment is accessible. If at one such a resistance, the contact layer locally is eliminated, this has the consequence that a Current that would otherwise flow through the contact layer would have, at least partially, in the resistance layer is pushed so that by the removal the contact layer controls the resistance value is increased. But at the same time the resistance layer exist under the worn contact layer remains, the one opposite the substrate changes electrically conductive surface of the Trimming resistor not, and its capacity is not changed by the removal process.
  • the contact layer may extend over the Limits of the resistance layer beyond on the substrate extend. However, those areas are allowed the contact layer that is not above the Resistance layer, cannot be removed, otherwise the surface of the balancing resistor would be reduced and thus the capacity would be affected undesirably. To such To rule out problems, it is appropriate to Contact layer in the manufacture of the balancing resistor dimensioned so that they do not have the Edges of the resistance layer protrude.
  • the contact layer and the resistance layer are preferably formed in strips. Connection contacts are on opposite ends of the contact layer strip intended.
  • the Stripes can be zigzag or meandering in a space-saving manner be arranged on the substrate.
  • the trimming resistor preferably has a passivation layer on the the resistance layer essentially covered and only locally individual Window that has the conductive contact enable the contact layer with the resistance layer.
  • the passivation layer is between two windows preferably one bottleneck of the contact layer intended. At such a narrow point to cut through the contact layer particularly easily, their severance means that a electrical current that would otherwise pass through the contact layer would have flowed between the two windows must take the path across the resistance layer.
  • the passivation layer is not just for protection the resistance layer from environmental influences, their Window structure also has the advantage that it is enough to keep the contact layer on a small Cut length between two windows to the current path in the resistance layer around the im Compared to this length greater distance between extend two windows.
  • a preferred application of the trimming resistor is a resistance bridge circuit.
  • a resistance bridge circuit At a such a bridge circuit are conveniently the Resistance elements and the at least one trimming resistor formed on the same substrate. So the resistance elements and the Trimming resistor partly with the same process steps getting produced.
  • trimming resistor is a sensor that is a deformable Comprises substrate and at least one resistance element, its resistance due to deformation of the substrate is changeable and the one according to the invention Trimming resistor is assigned.
  • This resistance element can in turn be part of a Resistor bridge circuit.
  • the sensor can advantageously be act a pressure sensor; the substrate can be part a pressure capsule of such a sensor.
  • the invention further relates to a method for Manufacture a trimming resistor in which a Resistance layer on an insulating substrate is separated and structured, and in which over the resistance layer in at least local Contact with this formed a contact layer which has better conductivity than the resistance layer Has.
  • a passivation layer applied the windows to manufacture of local contact.
  • the different layers are photolithographic Process or - especially with sensors advantageous - laser structuring process.
  • the Contact layer can in particular also by sputtering of the layer material are generated. It is also conceivable to apply the material of the Contact layer directly through a mask, see above that the contact layer on the resistance layer (separated by passivation) immediately in the desired shape is created.
  • the resistance is preferably adjusted by cutting the contact layer between two Windows, preferably by laser ablation.
  • This Laser ablation is with the same equipment feasible, which may also previously be used for laser structuring of the different layers used have been.
  • FIGs 1, 2 and 3 show a section of a trimming resistor according to the invention in a Top view or in two cuts.
  • the Trimming resistor is on a substrate 1, here a stainless steel sheet with an insulation layer 2 built on it from silicon oxide. It includes one Resistance layer 3 made of a material with moderate good conductivity on the insulation layer 2 forms a meandering or zigzag pattern, of which two full periods are shown in Figure 1 are.
  • a passivation layer 5 which consists of Silicon nitride or like the insulation layer 2 Silicon oxide exists.
  • the contact layer 6 is over the Window 4 with the resistance layer 3 in conductive Contact.
  • the conductivity of the contact layer 6 is clear is better than that of the resistance layer 3, flows in the unbalanced state of the balancing resistor a current in the essentially through the contact layer 6.
  • the resistance it is intended to adjust the contact layer 6 at a narrow point, e.g. to area 7 cut through.
  • the method of laser ablation is suitable, especially with an excimer laser. So that's it easily possible, one on area 7 dosed laser energy so that the Contact layer 6 at the point in question is removed without the underlying one Resistor layer 3 with damaged becomes. For this purpose e.g.
  • the materials the contact layer 6 and the resistance layer 3 and the wavelength of the laser are chosen so that the ablation energy of the contact layer 6 is smaller than that of the resistance layer 3, so that the energy of the excimer, even after it Destruction of the contact layer 6 the resistance layer 3 reached, not enough to do this too to destroy.
  • other - known - Cutting processes such as spark erosion, applicable.
  • the composition of the Passivation layer 5 serve.
  • the penetration depth of the laser radiation so that this over the Total thickness of the passivation layer 5 from this is absorbed and so their energy in their distributed over the entire volume.
  • the resistance layer essential smaller, so that the heating induced by the laser of these layers are on a thin surface layer of these concentrated and sufficient to evaporate this surface layer.
  • the contact layer 6 cuts at the narrow point 7 is, the current is forced between the the bottleneck 7 adjacent windows 4 through the Resistive layer 3 to flow.
  • Figures 4 and 5 show a preferred application example of the balancing resistance described above.
  • FIG 4 is a plan view of the membrane 12 of a Pressure sensor, which is the role of the substrate 1 plays.
  • the resistance elements and the trimming resistors are in a common process, to which later is discussed in more detail on the membrane 12 generated; have the resistance elements R1, R2, R3, R4 a resistance layer, that of the resistance layer 3 corresponds to the trimming resistors, however, they do not have a continuous one Contact layer, and the passivation layer 5 is over the resistance elements R1, R2, R3, R4 with Except for their connection pads throughout.
  • Figure 5 shows the membrane 12 of Figure 4 in cross section. It is part of a high pressure sensor 11 and is in one piece with a rigid metal frame 13 connected. Is between the two sides the membrane 12 a pressure drop, this leads to a deformation of the membrane 12, and it comes to Example if the pressure below the membrane is higher is as above, in the area of the resistance elements R1 and R2 for compression and in the area of the resistance elements R3 and R4 to stretch at the Surface of the membrane. Affect these deformations the conductivity of the resistance layers of the resistance elements and thus cause a detuning the Wheatstone Bridge leading to one two of the connections K1 to K4, from Zero different measuring voltage leads.
  • the resistance layer expediently selected a material that a significant dependence of the specific resistance from deformation.
  • suitable Materials e.g. polycrystalline silicon, Chromium-nickel alloy or platinum to mention.
  • NiCr layers show practically none Temperature dependence of the resistance, but one relatively small effect when bending while polycrystalline silicon a non-linear temperature dependency, but a much larger one Has an effect when bending.
  • Platinum shows also a clear effect with a linear Temperature dependence of the resistance.
  • Suitable Layer thicknesses range from 500 to 600 nm for polycrystalline silicon and from 50 to 100 nm for CrNi or platinum.
  • the layer thicknesses should be chosen so that the layer conductivity of the resistance layer is smaller than that of the contact layer, regardless the specific conductivities for this Layers of materials used.
  • Stage A shows the still empty substrate 1 or the pressure cell of Figure 5, consisting of the Frame 13 and the membrane 12.
  • This substrate will first subjected to an incoming inspection for roughness and then wet first and then finally cleaned by argon sputtering.
  • the substrate treated in this way is then opened preheated to about 300 ° C for a PECVD oxide deposition prepare.
  • the Insulation layer 2 in a thickness of 7-10 microns Silicon oxide deposited. This insulation layer on the substrate is randomly checked for thickness and tension controlled.
  • the resistance layer 3 is sputtered applied.
  • the surface resistance is checked by the 4-tip method, and the layer thickness is determined by X-ray fluorescence (Level C).
  • a structuring step follows in which the first, a large-area resistance layer the meandering structure shown in Figure 1 will be produced.
  • the photolithographic Technique involves applying one Lacquer layer, the exposure of the lacquer layer with the desired pattern and its development post-chemical etching of those areas by development have lost their paint layer, and finally the removal of the rest Paint layer.
  • the laser structuring stops particularly advantageous structuring process
  • laser light becomes a suitable energy density through a mask on the surface of the membrane irradiated. With the help of the deepening on the It is the back of the membrane 12 (see FIG. 5) possible, the sensor suitable for structuring to center. Also, the coated layer automatically brought to the focus level.
  • the Laser exposure through the mask causes that layer material exposed to the laser radiation is removed (ablated) so that the multitude the steps of the photolithographic process can be omitted.
  • the strength of the absorption of the excimer laser radiation used in the insulation layer 2 can by setting a desired silicon content the insulation layer can be varied. This makes possible it that radiation that towards the end of erosion the resistance layer 3 the insulation layer 2 reached, absorbed over their entire thickness and so the interface between Substrate and insulation layer not or not in of such strength that it becomes a Damage to this boundary layer could result.
  • a such a silicon-rich oxide layer can also be used advantageous due to a sputtered silicon oxide layer to reach.
  • Such a sputtered layer also has the advantage that the subsequent resistance layer to be applied a higher Long-term stability achieved because of the resistance layer protected from hydrogen is, which is usually in PECVD oxide or Nitride layers built into the deposition becomes. Consequently, should also before the Passivation of the resistance layer a sputtered Oxide layer can be provided.
  • Stage (D) shows the substrate with the finished structured one Resistance layer 3.
  • a subsequent structuring of the passivation layer 5 can in turn be a photolithographic Technology or laser structuring applied as already for the structuring of the resistance layer 3 described.
  • window 4 will be above of the remaining pieces of the resistance layer 3 generated. Those pieces that are one of the Resistance elements R1 to R4 are to be obtained two windows for the connection contacts, those pieces that have the trimming resistors A1, A2 should form a variety of distributed over their surface Windows.
  • the finished structured passivation layer 5 (Level F) is checked optically.
  • the contact layer 6 applied by sputtering.
  • the material for the contact layer 6 is preferred Gold - also because of its stability against Environmental influences - with a layer thickness of 0.3 used up to 0.5 nm. If necessary, however including a metallic adhesive layer and a more metal as a diffusion barrier in the same Step applied. Aluminum or nickel come as materials also in question.
  • the thickness of the Contact layer 6 is then made using X-ray fluorescence controlled.
  • the contact layer 6 For the subsequent structuring of the contact layer 6 come the photolithographic Process or the process of laser structuring in question.
  • the nominal dimensions of the contact layer areas, the the contact layer of the trimming resistors are intended to be chosen that taking into account mask tolerances and other manufacturing inaccuracies guaranteed is that the one that remains after structuring Nowhere in the contact layer over the edge protrudes from the underlying resistance layer.
  • This measure ensures that the capacitance of the resistance elements and the trimming resistors exclusively through the area its resistance layers 3 is fixed and of possible inaccuracies in positioning the contact layers cannot be influenced. So it is possible to connect the bridge with one high degree of symmetry of the capacity of their individual To make branches. Consequently, the bridge circuit in a wide frequency range of input voltages be operated without unequal distributions the capacity to the individual Branches their output voltage depending on frequency influence.
  • Stage (H) shows the sensor with the structured contact layer 6.
  • the bridge circuit can be calibrated.
  • the proposed method is excellent for the production of high pressure sensors in Large series, because the manufacturing steps up to Level (H) can be advantageous in a holder for a large number of sensors performed simultaneously without any steps in between are an individual treatment of the Require sensors; after adjustment is the Sensor completely finished, without further coating steps would be required.
  • H Level

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  • Electromagnetism (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
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Abstract

Ein Abgleichwiderstand wird hergestellt durch Abscheiden einer Widerstandsschicht (3) auf einem Substrat (1), einer Passivierungsschicht (5) mit Fenstern (4) und einer Kontaktschicht (6), die mit der Widerstandsschicht (3) durch die Fenster (4) in Kontakt steht. Ein Abgleich erfolgt durch Unterbrechen der Kontaktschicht (6) an Engstellen (7). Anwendung für die Herstellung von Hochdrucksensoren. <IMAGE>

Description

Stand der Technik
Die Erfindung betrifft einen planaren Abgleichwiderstand mit einem Substrat und einer darauf abgeschiedenen Widerstandsschicht, eine Widerstandsbrückenschaltung sowie einen Sensor, die einen derartigen Abgleichwiderstand verwenden, und Verfahren zur Herstellung des Abgleichwiderstandes beziehungsweise der Widerstandsbrückenschaltung oder des Sensors.
Abgleichwiderstände kommen in Schaltungen zum Einsatz, die zunächst mit einer gewissen Toleranz gefertigt werden und deren Verhalten anschließend durch Einstellen des Widerstandswertes besagter Abgleichwiderstände exakt eingestellt wird. Es sind Abgleichwiderstände mit einer planaren Widerstandsschicht bekannt, deren Widerstandswert nach Einbau des Abgleichwiderstandes in eine Schaltung durch lokales Abtragen von Material der Widerstandsschicht angepaßt werden kann. Dabei ergibt sich das Problem, daß eine Veränderung des Widerstandswertes durch Abtragen von Material der Widerstandsschicht auch deren Kapazität beeinflußt, insbesondere dann, wenn die Widerstandsschicht sich in unmittelbarer Nähe eines weiteren Leiters erstreckt, z.B. weil sie nur durch eine dünne Isolationsschicht getrennt auf einem metallischen Substrat abgeschieden ist. Eine solche Kapazitätsveränderung kann den Wert des Abgleiches zunichte machen, wenn das Verhalten der abzugleichenden Gesamtschaltung nicht nur vom Widerstandswert, sondern auch von der Kapazität des Abgleichwiderstandes beeinflußt wird. Dieses Problem tritt immer dann auf, wenn der Abgleichwiderstand Teil eines Resonanzkreises ist.
Vorteile der Erfindung
Durch die vorliegende Erfindung wird ein planarer Abgleichwiderstand der eingangs beschriebenen Art geschaffen, dessen Kapazität durch den Abgleichvorgang nicht beeinflußt wird.
Dieser Vorteil wird dadurch erreicht, daß eine Kontaktschicht, die eine bessere Leitfähigkeit als die Widerstandsschicht aufweist, auf der Widerstandsschicht angeordnet wird, so daß sie wenigstens an einzelnen Stellen mit letzterer in leitendem Kontakt steht, und die wenigstens lokal einer abtragenden Behandlung zugänglich ist. Wenn bei einem solchen Abgleichwiderstand die Kontaktschicht lokal beseitigt wird, so hat dies zur Folge, daß ein Strom, der sonst die Kontaktschicht durchflossen hätte, wenigstens teilweise in die Widerstandsschicht abgedrängt wird, so daß durch die Abtragung der Kontaktschicht der Widerstandswert kontrolliert erhöht wird. Da gleichzeitig aber die Widerstandsschicht unter der abgetragenen Kontaktschicht bestehen bleibt, ändert sich die dem Substrat gegenüberliegende elektrisch leitfähige Oberfläche des Abgleichwiderstandes nicht, und seine Kapazität wird durch den Abtragungsvorgang nicht verändert.
Grundsätzlich darf die Kontaktschicht sich über die Grenzen der Widerstandsschicht hinaus auf dem Substrat erstrecken. Allerdings dürfen diejenigen Bereiche der Kontaktschicht, die nicht oberhalb der Widerstandsschicht liegen, nicht abgetragen werden, da anderenfalls die Oberfläche des Abgleichwiderstandes verringert würde und die Kapazität somit dennoch unerwünscht beeinflußt würde. Um solche Probleme auszuschließen, ist es zweckmäßig, die Kontaktschicht bei der Herstellung des Abgleichwiderstandes so zu bemessen, daß sie nicht über die Ränder der Widerstandsschicht übersteht.
Die Kontaktschicht und die Widerstandsschicht sind vorzugsweise streifenförmig ausgebildet. Anschlußkontakte sind an entgegengesetzten Enden des Kontaktschicht-Streifens vorgesehen. Die Streifen können in platzsparender Weise zickzack- oder mäanderförmig auf dem Substrat angeordnet sein. Vorzugsweise weist der Abgleichwiderstand eine Passivierungsschicht auf, die die Widerstandsschicht im wesentlichen überdeckt und lediglich lokal einzelne Fenster aufweist, die den leitenden Kontakt der Kontaktschicht mit der Widerstandsschicht ermöglichen.
Zwischen zwei Fenstern der Passivierungsschicht ist vorzugsweise jeweils eine Engstelle der Kontaktschicht vorgesehen. An einer solchen Engstelle ist die Kontaktschicht besonders einfach zu durchtrennen, ihre Durchtrennung hat zur Folge, daß ein elektrischer Strom, der sonst durch die Kontaktschicht geflossen wäre, zwischen den zwei Fenstern den Weg über die Widerstandsschicht nehmen muß.
Die Passivierungsschicht dient nicht nur dem Schutz der Widerstandsschicht vor Umwelteinflüssen, ihre Fensterstruktur hat darüber hinaus den Vorteil, daß es genügt, die Kontaktschicht auf einer geringen Länge zwischen zwei Fenstern zu durchtrennen, um den Stromweg in der Widerstandsschicht um den im Vergleich zu dieser Länge größeren Abstand zwischen zwei Fenstern zu verlängern.
Eine bevorzugte Anwendung des Abgleichwiderstandes ist eine Widerstandsbrückenschaltung. Bei einer solchen Brückenschaltung sind zweckmäßigerweise die Widerstandselemente und der wenigstens eine Abgleichwiderstand auf dem gleichen Substrat ausgebildet. So können die Widerstandselemente und der Abgleichwiderstand zum Teil mit den gleichen Prozeßschritten hergestellt werden.
Eine weitere bevorzugte Anwendung des Abgleichwiderstandes ist ein Sensor, der ein verformbares Substrat und wenigstens ein Widerstandselement umfaßt, dessen Widerstandswert durch eine Verformung des Substrates veränderbar ist und dem ein erfindungsgemäßer Abgleichwiderstand zugeordnet ist. Dieses Widerstandselement kann wiederum Teil einer Widerstandsbrückenschaltung sein.
Bei dem Sensor kann es sich vorteilhafterweise um einen Drucksensor handeln; das Substrat kann Teil einer Druckkapsel eines solchen Sensors sein.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Abgleichwiderstandes, bei dem eine Widerstandsschicht auf einem isolierenden Substrat abgeschieden und strukturiert wird, und bei dem über der Widerstandsschicht in wenigstens lokalem Kontakt mit dieser eine Kontaktschicht gebildet wird, die eine bessere Leitfähigkeit als die Widerstandsschicht hat.
Auf der Widerstandsschicht wird vor der Bildung der Kontaktschicht vorzugsweise eine Passivierungsschicht aufgebracht, die Fenster zur Herstellung des lokalen Kontaktes aufweist. Zur Strukturierung der verschiedenen Schichten eignen sich photolithographische Verfahren oder - bei Sensoren besonders vorteilhaft - Laserstrukturierungsverfahren. Die Kontaktschicht kann insbesondere auch durch Aufsputtern des Schichtmaterials erzeugt werden. Denkbar ist auch die Aufbringung des Materials der Kontaktschicht direkt durch eine Maske hindurch, so daß die Kontaktschicht auf der Widerstandsschicht (getrennt durch die Passivierung) unmittelbar in der gewünschten Gestalt entsteht.
Der Abgleich des Widerstandes erfolgt vorzugsweise durch Durchtrennen der Kontaktschicht zwischen zwei Fenstern, vorzugsweise durch Laserablation. Diese Laserablation ist mit den gleichen Apparaturen durchführbar, die ggf. auch zuvor für die Laserstrukturierung der verschiedenen Schichten eingesetzt worden sind.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen mit Bezug auf die Figuren.
Figuren
  • Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Abschnitt eines erfindungsgemäßen Abgleichwiderstandes.
  • Figur 2 zeigt den Ausschnitt im Schnitt entlang der Linie II-II aus Figur 1.
  • Figur 3 zeigt einen zweiten Schnitt entlang der Linie III-III aus Figur 1.
  • Figur 4 zeigt eine Widerstandsbrücke mit Ausgleichwiderständen gemäß der Erfindung auf einer Membran eines Drucksensors;
  • Figur 5 zeigt einen Teil dieses Drucksensors im Schnitt; und
  • Figur 6 zeigt die einzelnen Schritte des Herstellungsverfahrens des Sensors der Figuren 4 und 5.
    • Beschreibung der Ausführungsbeispiele
    Die Figuren 1, 2 und 3 zeigen einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Abgleichwiderstandes in einer Draufsicht beziehungsweise in zwei Schnitten. Der Abgleichwiderstand ist auf einem Substrat 1, hier einem Edelstahlblech mit einer Isolationsschicht 2 aus Siliziumoxid darauf aufgebaut. Er umfaßt eine Widerstandsschicht 3 aus einem Material mit mäßig guter Leitfähigkeit, die auf der Isolationsschicht 2 ein mäander- oder zickzackförmiges Muster bildet, von dem zwei vollständige Perioden in Figur 1 gezeigt sind.
    Auf der Widerstandsschicht 3 ist auf ihrer gesamten Oberfläche mit Ausnahme von einzelnen Fenstern 4, eine Passivierungsschicht 5 aufgebracht, die aus Sliliziumnitrid oder wie die Isolationsschicht2 aus Siliziumoxid besteht. Eine Kontaktschicht 6 aus einem Metall mit guter elektrischer Leitfähigkeit, hier Gold, folgt dem mäanderartigen Verlauf der Widerstandsschicht 3, hat allerdings eine geringere Breite als diese und ist so plaziert, daß ihre Ränder nirgends über die Ränder der Widerstandsschicht 3 überstehen. Die Kontaktschicht 6 ist über die Fenster 4 mit der Widerstandsschicht 3 in leitendem Kontakt.
    Kontaktanschlüsse (nicht dargestellt) befinden sich an den gegenüberliegenden Enden der streifenartigen Kontaktschicht 6.
    Da die Leitfähigkeit der Kontaktschicht 6 deutlich besser ist als die der Widerstandsschicht 3, fließt im unabgeglichenen Zustand des Abgleichwiderstandes ein über die Kontaktanschlüsse angelegter Strom im wesentlichen durch die Kontaktschicht 6. Um den Widerstand abzugleichen, ist vorgesehen, die Kontaktschicht 6 an einer Engstelle, z.B. dem Bereich 7 zu durchtrennen. Um diese Durchtrennung auszuführen, eignet sich das Verfahren der Laserablation, insbesondere mit einem Excimerlaser. Damit ist es ohne weiteres möglich, eine auf den Bereich 7 eingestrahlte Laserenergie so zu dosieren, daß die Kontaktschicht 6 an der betreffenden Stelle abgetragen wird, ohne daß gleichzeitig die darunterliegende Widerstandsschicht 3 mit beschädigt wird. Zu diesem Zweck können z.B. die Materialien der Kontaktschicht 6 und der Widerstandsschicht 3 und die Wellenlänge des Lasers so gewählt werden, daß die Ablationsenergie der Kontaktschicht 6 kleiner ist als die der Widerstandsschicht 3, so daß die Energie des Excimers, selbst wenn sie nach Zerstörung der Kontaktschicht 6 die Widerstandsschicht 3 erreicht, nicht ausreicht, um auch diese zu zerstören. Es sind aber auch andere - bekannte - Verfahren zum Durchtrennen, wie zum Beispiel Funkenerosion, anwendbar.
    Als Hilfsmittel zum Schutz der Widerstandsschicht 3 vor Beschädigung kann auch die Zusammensetzung der Passivierungsschicht 5 dienen. So ist z.B. durch geeignete Wahl des Siliziumgehaltes der Passivierungsschicht 5 möglich, die Eindringtiefe der Laserstrahlung so einzustellen, daß diese über die Gesamtdicke der Passivierungsschicht 5 hinweg von dieser absorbiert wird und so ihre Energie in deren gesamtem Volumen verteilt. Im Vergleich dazu ist die Eindringtiefe der Strahlung bei den Metallen oder Halbleitermaterialien der Kontaktschicht beziehungsweise der Widerstandsschicht wesentlich kleiner, so daß die durch den Laser induzierte Erhitzung dieser Schichten sich auf eine dünne Oberflächenlage von diesen konzentriert und ausreicht, um diese Oberflächenlage zu verdampfen.
    Wenn die Kontaktschicht 6 an der Engstelle 7 durchtrennt ist, ist der Strom gezwungen, zwischen den der Engstelle 7 benachbarten Fenstern 4 durch die Widerstandsschicht 3 zu fließen. Durch Zerstören der Kontaktschicht 6 zwischen einer wählbaren Zahl von Fenstern 4 ist es auf diese Weise möglich, die Weglänge, die der Strom in der Widerstandsschicht 3 zurücklegen muß, und damit den Widerstandswert des Abgleichwiderstandes schrittweise sehr genau einzustellen.
    Die Figuren 4 und 5 zeigen ein bevorzugtes Anwendungsbeispiel des oben beschriebenen Abgleichwiderstandes.
    Figur 4 ist eine Draufsicht auf die Membran 12 eines Drucksensors, die hier die Rolle des Substrates 1 spielt. Auf dieser Membran sind vier Widerstandselemente R1, R2, R3, R4 mit Anschlüssen A1, A2, A3, A4 zu einer Wheatstone-Brücke verschaltet. Abgleichwiderstände A1, A2 der mit Bezug auf Figuren 1 bis 3 beschriebenen Art sind mit den Widerstandselementen R3, R4 in Reihe geschaltet. Die Widerstandselemente und die Abgleichwiderstände sind in einem gemeinsamen Prozeß, auf den später noch genauer eingegangen wird, auf der Membran 12 erzeugt; die Widerstandselemente R1, R2, R3, R4 besitzen eine Widerstandsschicht, die der Widerstandsschicht 3 der Abgleichwiderstände entspricht, sie besitzen jedoch keine durchgehende Kontaktschicht, und die Passivierungsschicht 5 ist über den Widerstandselementen R1, R2, R3, R4 mit Ausnahme von ihren Anschlußpads durchgehend.
    Figur 5 zeigt die Membran 12 der Figur 4 im Querschnitt. Sie ist Teil eines Hochdrucksensors 11 und ist einstückig mit einem starren Metallrahmen 13 verbunden. Befindet sich zwischen den zwei Seiten der Membran 12 ein Druckgefälle, so führt dies zu einer Verformung der Membran 12, und es kommt, zum Beispiel wenn der Druck unterhalb der Membran höher ist als darüber, im Bereich der Widerstandselemente R1 und R2 zu einer Stauchung und im Bereich der Widerstandselemente R3 und R4 zu einer Dehnung an der Oberfläche der Membran. Diese Verformungen beeinflussen die Leitfähigkeit der Widerstandsschichten der Widerstandselemente und bewirken so eine Verstimmung der Wheatstone-Brücke, die zu einer an zweien der Anschlüsse K1 bis K4 abgreifbaren, von Null verschiedenen Meßspannung führt.
    Für diese Anwendung wird für die Widerstandsschicht zweckmäßigerweise ein Material gewählt, das eine deutliche Abhängigkeit des spezifischen Widerstandes von einer Verformung aufweist. Als geeignete Materialien sind hier z.B. polykristallines Silizium, Chrom-Nickellegierung oder auch Platin zu erwähnen. Dabei zeigen NiCr-Schichten praktisch keine Temperaturabhängigkeit des Widerstandes, aber einen relativ kleinen Effekt beim Verbiegen, während polykristallines Silizium eine nichtlineare Temperaturabhängigkeit, dafür aber einen deutlich größeren Effekt beim Verbiegen aufweist. Platin zeigt ebenfalls einen deutlichen Effekt bei einer linearen Temperaturabhängigkeit des Widerstandes. Geeignete Schichtdicken liegen im Bereich von 500 bis 600 nm für polykristallines Silizium und von 50 bis 100 nm für CrNi oder Platin.
    Generell sind die Schichtdicken so zu wählen, daß die Schichtleitfähigkeit der Widerstandsschicht kleiner als die der Kontaktschicht ist, ungeachtet der spezifischen Leitfähigkeiten der für diese Schichten verwendeten Materialien.
    In Figur 6 sind die aufeinanderfolgenden Stufen A bis H des Verfahrens zur Herstellung eines Abgleichwiderstandes gemäß Figuren 1 bis 3 beziehungsweise des mit Abgleichwiderständen A1, A2 ausgestatteten Sensors aus Figur 4 und 5 gezeigt.
    Stufe A zeigt das noch leere Substrat 1 beziehungsweise die Druckdose aus Figur 5, bestehend aus dem Rahmen 13 und der Membran 12. Dieses Substrat wird zunächst einer Eingangskontrolle auf Rauhigkeit unterzogen und anschließend zunächst naß und dann durch Argon-Rück-Kathodenzerstäubung endgereinigt. Das so behandelte Substrat wird anschließend auf etwa 300°C vorgeheizt, um es für eine PECVD-Oxidabscheidung vorzubereiten. Anschließend wird die Isolationsschicht 2 in einer Dicke von 7-10 µm aus Siliziumoxid abgeschieden. Diese Isolationsschicht auf dem Substrat wird stichprobenweise auf Dicke und Spannung kontrolliert.
    Ausgehend von dem beschichteten Substrat 1 (Stufe B) wird die Widerstandsschicht 3 durch Kathodenzerstäubung aufgetragen. Der Oberflächenwiderstand wird durch das 4-Spitzen-Verfahren überprüft, und die Schichtdicke wird durch Röntgenfluoreszenz bestimmt (Stufe C).
    Es folgt ein Strukturierungsschritt, in dem aus der zunächst großflächig aufgebrachten Widerstandsschicht die in Figur 1 gezeigte Mäanderstruktur hergestellt wird. Für diese Strukturierung kann eine photolithographische Technik oder eine Laserstrukturierungstechnik eingesetzt werden. Die photolithographische Technik umfaßt das Aufbringen einer Lackschicht, das Belichten der Lackschicht mit dem gewünschten Muster und ihre Entwicklung, ein nachchemisches Ätzen derjenigen Bereiche, die durch die Entwicklung ihre Lackschicht verloren haben, und abschließend die Entfernung der restlichen Lackschicht. Die Laserstrukturierung stellt ein besonders vorteilhaftes Strukturierungsverfahren dar. Hierbei wird Laserlicht geeigneter Energiedichte durch eine Maske auf die Oberfläche der Membran eingestrahlt. Mit Hilfe der Vertiefung an der Rückseite der Membran 12 (siehe Figur 5) ist es möglich, den Sensor geeignet für die Strukturierung zu zentrieren. Außerdem wird die beschichtete Ebene automatisch in die Fokusebene gebracht. Die Laserbelichtung durch die Maske bewirkt, daß das mit der Laserstrahlung beaufschlagte Schichtmaterial entfernt (ablatiert) wird, so daß die Vielzahl der Schritte des photolithographischen Verfahrens entfallen können.
    Die Stärke der Absorption der verwendeten Excimer-Laserstrahlung in der Isolationsschicht 2 kann durch Einstellen eines gewünschten Siliziumgehaltes der Isolationsschicht variiert werden. Dies ermöglicht es, daß Strahlung, die gegen Ende der Abtragung der Widerstandsschicht 3 die Isolationsschicht 2 erreicht, über deren gesamte Dicke verteilt absorbiert wird und so die Grenzfläche zwischen Substrat und Isolationsschicht nicht oder nicht in einer solchen Stärke erreicht, daß sie zu einer Schädigung dieser Grenzschicht führen könnte. Eine solche siliziumreiche Oxidschicht läßt sich auch vorteilhaft durch eine aufgesputterte Siliziumoxidschicht erreichen. Eine solche gesputterte Schicht hat außerdem den Vorteil, daß dadurch die anschließend aufzubringende Widerstandsschicht eine höhere Langzeitstabilität erreicht, weil dadurch die Widerstandsschicht vor dem Wasserstoff geschützt wird, der üblicherweise in PECVD-Oxid- beziehungsweise Nitrid-Schichten bei der Abscheidung mit eingebaut wird. Folgerichtig sollte dann auch vor der Passivierung der Widerstandsschicht eine gesputterte Oxidschicht vorgesehen werden.
    Stufe (D) zeigt das Substrat mit der fertig strukturierten Widerstandsschicht 3.
    In dieser Stufe findet eine optische Kontrolle statt, anschließend wird eine Passivierungsschicht 5 abgeschieden (Stufe E). Dicke und Spannung dieser Schicht werden in ähnlicher Weise wie bei der Widerstandsschicht 3 in Stufe (C) kontrolliert. Anschließend findet eine Temperung bei 350°C statt. Für eine nachfolgende Strukturierung der Passivierungsschicht 5 können wiederum eine photolithographische Technik oder Laserstrukturierung angewendet werden, wie bereits für die Strukturierung der Widerstandsschicht 3 beschrieben. In diesem Strukturierungsschritt werden Fenster 4 jeweils oberhalb der bestehengebliebenen Stücke der Widerstandsschicht 3 erzeugt. Diejenigen Stücke, die eines der Widerstandselemente R1 bis R4 bilden sollen, erhalten zwei Fenster für die Durchführung der Anschlußkontakte, diejenigen Stücke, die die Abgleichwiderstände A1, A2 bilden sollen, erhalten eine Vielzahl von über ihre Oberfläche verteilten Fenstern.
    Die fertig strukturierte Passivierungsschicht 5 (Stufe F) wird optisch kontrolliert.
    In einem nachfolgenden Schritt wird die Kontaktschicht 6 durch Kathodenzerstäubung aufgetragen. Als Material für die Kontaktschicht 6 wird vorzugsweise Gold - auch wegen seiner Stabilität gegen Umwelteinflüsse - mit einer Schichtdicke von 0,3 bis 0,5 nm verwendet. Gegebenenfalls wird aber darunter noch eine metallische Haftschicht und ein weiteres Metall als Diffusionsbarriere im gleichen Schritt aufgebracht. Aluminium oder Nickel kommen als Materialien ebenfalls in Frage. Die Dicke der Kontaktschicht 6 wird anschließend mittels Röntgenfluoreszenz kontrolliert.
    Für die darauffolgende Strukturierung der Kontaktschicht 6 kommen wiederum das photolithographische Verfahren oder das Verfahren der Laserstrukturierung in Frage. Die Sollabmessungen der Kontaktschichtbereiche, die die Kontaktschicht der Abgleichwiderstände bilden sollen, sind so gewählt, daß unter Berücksichtigung von Maskentoleranzen und sonstigen Fertigungsungenauigkeiten gewährleistet ist, daß die nach der Strukturierung bestehenbleibende Kontaktschicht an keiner Stelle über den Rand der darunterliegenden Widerstandsschicht hinausragt. Durch diese Maßnahme ist sichergestellt, daß die Kapazität der Widerstandselemente und der Abgleichwiderstände ausschließlich durch die Fläche ihrer Widerstandsschichten 3 festgelegt ist und von eventuellen Ungenauigkeiten bei der Positionierung der Kontaktschichten nicht beeinflußt werden kann. So ist es möglich, die Brückenschaltung mit einem hohen Maß an Symmetrie der Kapazität ihrer einzelnen Zweige zu fertigen. Folglich kann die Brückenschaltung in einem weiten Frequenzbereich von Eingangsspannungen betrieben werden, ohne daß Ungleichverteilungen der Kapazität auf die einzelnen Zweige ihre Ausgangsspannung frequenzabhängig beeinflussen.
    Eine Alternative bei der Herstellung der Kontaktschicht 6 ist die Verwendung einer "Schattenmaske", die während des Aufbringens des Materials der Kontakt nur diejenigen Bereiche an der Oberfläche des Substrates freiläßt, an denen beim fertigen Sensor tatsächlich eine Kontaktschicht benötigt wird. Auf diese Weise besteht die Möglichkeit, die Strukturierung der Kontaktschicht völlig einzusparen, das heißt die Stufe (G) der Fertigung wird übersprungen.
    Stufe (H) zeigt den Sensor mit fertig strukturierter Kontaktschicht 6.
    Auf dieser Stufe der Fertigung, nach vollständigem Abschluß sämtlicher Beschichtungs- und Strukturierungsschritte, kann das Einmessen der Brückenschaltung erfolgen.
    Beim nachfolgenden Einmessen der Widerstandsbrücke wird eine Eingangsspannung an diagonal gegenüberliegende Anschlüsse, z.B. K1, K3, der Brückenschaltung angelegt, und eine Ausgangsspannung an den beiden anderen Ausgingen gemessen. Wenn diese von Null verschieden ist, ist ein Abgleich des Sensors erforderlich, der dadurch erfolgt, daß bei einem der zwei Abgleichwiderstände A1, A2 Bereiche der Kontaktschicht wie der Bereich 7 aus Figur 1 in der Zahl zerstört werden, wie notwendig ist, um die Ausgangsspannung auf Null zu bringen. Diese lokale Zerstörung wird mit einem Excimerlaser durchgeführt. Wenn die vorhergehenden Strukturierungsschritte bereits durch Laserablation durchgeführt worden sind, kann zweckmäßigerweise der gleiche Laser auch für den Abgleich zum Einsatz kommen. Es sind aber auch andere - bekannte - Verfahren zum Durchtrennen, wie zum Beispiel Funkenerosion, anwendbar.
    Das vorgeschlagene Verfahren eignet sich ausgezeichnet zur Herstellung von Hochdrucksensoren in Großserie, denn die Herstellungsschritte bis zur Stufe (H) können vorteilhaft in einer Halterung für eine große Zahl von Sensoren gleichzeitig durchgeführt werden, ohne daß zwischendurch Schritte erforderlich sind, die eine Einzelbehandlung der Sensoren erfordern; nach erfolgtem Abgleich ist der Sensor vollständig fertig, ohne daß weitere Beschichtungsschritte erforderlich wären.
    Der Sensor kann sogar auch erst dann abgeglichen werden, wenn die Membran 12 mit dem Metallrahmen 13 - Figur 5 - auf einen Druckstutzen geschweißt worden ist, was unter Umständen zu einer geringen Verstimmung der Widerstandsbrücke führen kann.

    Claims (24)

    1. Planarer Abgleichwiderstand mit einem Substrat (1) und einer darauf abgeschiedenen Widerstandsschicht (3), dadurch gekennzeichnet, daß eine Kontaktschicht (6), die eine bessere Leitfähigkeit als die Widerstandsschicht aufweist, auf der Widerstandsschicht (3) angeordnet ist, wenigstens an einzelnen Stellen (4) mit der Widerstandsschicht (3) in leitendem Kontakt steht und wenigstens lokal (7) oberhalb der Widerstandsschicht (3) einer abtragenden Behandlung zugänglich ist.
    2. Abgleichwiderstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht (6) nicht über die Ränder der Widerstandsschicht (3) übersteht.
    3. Abgleichwiderstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht (6) und die Widerstandsschicht (3) streifenförmig sind, und daß Anschlußkontakte an entgegengesetzten Enden der Kontaktschicht (6) vorgesehen sind.
    4. Abgleichwiderstand nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen zickzack- oder mäanderförmig auf dem Substrat (1) angeordnet sind.
    5. Abgleichwiderstand nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolationsschicht (2) zwischen der Widerstandsschicht (3) und dem Substrat (1) angeordnet ist.
    6. Abgleichwiderstand nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (3) zwischen dem Substrat (1) und einer Passivierungsschicht (5) eingeschlossen ist, die Fenster (4) aufweist, durch die hindurch die Kontaktschicht (6) die Widerstandsschicht berührt.
    7. Abgleichwiderstand nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht (6) jeweils zwischen zwei Fenstern (4) eine Engstelle (7) aufweist.
    8. Abgleichwiderstand nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht (6) an wenigstens einer Stelle (7) zwischen zwei Fenstern (4) durchtrennt ist.
    9. Abgleichwiderstand nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (3) aus einer Nickel-Chrom-Legierung, aus Platin oder aus Poly-Silizium besteht.
    10. Abgleichwiderstand nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht (6) eine Schicht aus Gold umfaßt.
    11. Abgleichwiderstand nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht (6) eine Haftschicht und/oder eine Diffusionsbarriere an ihrer Unterseite aufweist.
    12. Widerstandsbrückenschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß sie wenigstens einen Abgleichwiderstand (A1, A2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweist.
    13. Widerstandsbrückenschaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandselemente (R1, R2, R3, R4) der Widerstandsbrückenschaltung und der Abgleichwiderstand (A1, A2) auf einem gleichen Substrat (11) ausgebildet sind.
    14. Sensor mit einem verformbaren Substrat (1,12) und wenigstens einem Widerstandselement (R3, R4), dadurch gekennzeichnet, daß dem Widerstandselement (R3, R4) ein Abgleichwiderstand (A1, A2) nach einem der Ansprüche 1 bis 11 zugeordnet ist.
    15. Sensor nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandselement (R3, R4) Teil einer Widerstandsbrückenschaltung ist.
    16. Sensor nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1,12) Teil einer Druckkapsel ist.
    17. Verfahren zum Herstellen eines Abgleichwiderstandes, bei dem eine Widerstandsschicht (3) auf einem isolierten Substrat (1) abgeschieden und strukturiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß über der Widerstandsschicht (3) in wenigstens lokalem Kontakt mit dieser eine Kontaktschicht (6) gebildet wird, die eine bessere Leitfähigkeit als die Widerstandsschicht hat.
    18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Widerstandsschicht (3) vor der Bildung der Kontaktschicht (6) eine Passivierungsschicht (5) aufgebracht wird, die Fenster (4) zur Herstellung des lokalen Kontaktes aufweist.
    19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (3) und/oder gegebenenfalls die Passivierungsschicht (5) photolithographisch und/oder durch Laserbestrahlung strukturiert werden.
    20. Verfahren nach Anspruch 17, 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht (6) durch Sputtern oder Aufdampfen erzeugt wird.
    21. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Substrat (11) vor Erzeugung der Widerstandsschicht (3) eine Isolationsschicht (12) durch Aufsputtern einer Siliziumschicht erzeugt wird.
    22. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Kontaktschicht (6) durch eine Maske hindurch aufgebracht wird.
    23. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß für den Abgleich des Abgleichwiderstandes (A1, A2) die Kontaktschicht (6) zwischen zwei Fenstern (4) durchtrennt wird, um einen Stromfluß durch die Widerstandsschicht (3) zu erzwingen.
    24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchtrennung durch Laserablation oder Funkenerosion erfolgt.
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    Cited By (1)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    WO2007034463A1 (en) 2005-09-20 2007-03-29 Analog Devices, Inc. A trimmable film resistor and a method for forming and trimming a film resistor

    Families Citing this family (4)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    US6647614B1 (en) * 2000-10-20 2003-11-18 International Business Machines Corporation Method for changing an electrical resistance of a resistor
    KR20050026904A (ko) * 2001-09-10 2005-03-16 마이크로브리지 테크놀로지스 인크. 저항기 트리밍 방법
    JP3915586B2 (ja) * 2002-04-24 2007-05-16 株式会社デンソー 力学量検出装置の製造方法
    US20060039419A1 (en) * 2004-08-16 2006-02-23 Tan Deshi Method and apparatus for laser trimming of resistors using ultrafast laser pulse from ultrafast laser oscillator operating in picosecond and femtosecond pulse widths

    Citations (5)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    DE2039920A1 (de) * 1970-08-11 1972-02-17 Siemens Ag Verfahren zum nachtraeglichen Erniedrigen der Widerstandswerte von Duennschichtwiderstaenden
    US3996551A (en) * 1975-10-20 1976-12-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Chromium-silicon oxide thin film resistors
    EP0325234A2 (de) * 1988-01-20 1989-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Anpassungselement für mikroelektronische Schaltungen
    DE3919059A1 (de) * 1989-06-10 1991-01-03 Bosch Gmbh Robert Drucksensor zum erfassen von druckschwankungen einer druckquelle
    JPH0677021A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Murata Mfg Co Ltd 抵抗体の抵抗値調整方法

    Family Cites Families (5)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    US4150366A (en) * 1976-09-01 1979-04-17 Motorola, Inc. Trim network for monolithic circuits and use in trimming a d/a converter
    US4200970A (en) * 1977-04-14 1980-05-06 Milton Schonberger Method of adjusting resistance of a thermistor
    US4201970A (en) * 1978-08-07 1980-05-06 Rca Corporation Method and apparatus for trimming resistors
    US4586988A (en) * 1983-08-19 1986-05-06 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming an electrically conductive member
    US5363084A (en) * 1993-02-26 1994-11-08 Lake Shore Cryotronics, Inc. Film resistors having trimmable electrodes

    Patent Citations (5)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    DE2039920A1 (de) * 1970-08-11 1972-02-17 Siemens Ag Verfahren zum nachtraeglichen Erniedrigen der Widerstandswerte von Duennschichtwiderstaenden
    US3996551A (en) * 1975-10-20 1976-12-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Chromium-silicon oxide thin film resistors
    EP0325234A2 (de) * 1988-01-20 1989-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Anpassungselement für mikroelektronische Schaltungen
    DE3919059A1 (de) * 1989-06-10 1991-01-03 Bosch Gmbh Robert Drucksensor zum erfassen von druckschwankungen einer druckquelle
    JPH0677021A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Murata Mfg Co Ltd 抵抗体の抵抗値調整方法

    Non-Patent Citations (1)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Title
    PATENT ABSTRACTS OF JAPAN Bd. 018, Nr. 324 (E-1564), 20. Juni 1994 (1994-06-20) & JP 06 077021 A (MURATA MFG CO LTD), 18. März 1994 (1994-03-18) *

    Cited By (3)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    WO2007034463A1 (en) 2005-09-20 2007-03-29 Analog Devices, Inc. A trimmable film resistor and a method for forming and trimming a film resistor
    US7598841B2 (en) 2005-09-20 2009-10-06 Analog Devices, Inc. Film resistor and a method for forming and trimming a film resistor
    US7719403B2 (en) 2005-09-20 2010-05-18 Analog Devices, Inc. Film resistor and a method for forming and trimming a film resistor

    Also Published As

    Publication number Publication date
    US6667683B1 (en) 2003-12-23
    EP1093132B1 (de) 2005-12-28
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    DE50011959D1 (de) 2006-02-02
    DE19949607A1 (de) 2001-04-19

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