DE2708792A1 - Ionenaetzverfahren zum strukturieren von halbleiterschichten - Google Patents

Ionenaetzverfahren zum strukturieren von halbleiterschichten

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Description

Licentia Pa tent-Vet v,altun.js-GmbH 2708792 Theodor-Stern-Kai 1, 6ΟΟΟ Frankfurt/Main
Heilbronn, den 16. Febr. 1977 PT-Ma/sr - HN 77/1
Ionenätzverfahren zum Strukturieren von Halbleiterschichten
Es ist bekannt, daß Ionenstrahlen zum Ätzen und Strukturieren von Silizium-Halbleiteranordnungen verwendet werden können. Die Erfindung besteht dem gegenüber darin, das an sich bekannte Ionenätzverfahren auf ein Halbleitermaterial aus Cadmium-Quecksilber-Tellurid anzuwenden.
Cadraium-Quecksilber-Tellurid ist ein sehr temperaturempfindliches Material, da das darin enthaltene Quecksilber schon bei geringen Temperaturen verdampft, überraschend hat sich nun gezeigt, daß trotz dieser extremen Temperaturempfindlichkeit Halbleiterschichten aus Cadmium-Quecksilber-Tellurid mit einer Ionenstrahlätzanlage strukturiert werden können, überraschend war ferner, daß Cadmium-Quecksilber-Tellurid gegenüber geeigneten Abdeckmaterialien, wie Fotolack oder Titan, hohe Abtragraten aufweist. Es ist daher leicht möglich, die nicht zu ätzenden Teile der Halbleiteroberfläche mit Fotolack oder mit Titan abzudecken, so daß
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die nicht abgedeckten Teile selbst einer relativ dicken Halbleiterschicht aus Cadmium-Quecksilber-Tellurid mit Hilfe eines geeigneten lonenstrahls abgetragen werden können.
Das Ionenätzverfahren hat gegenüber der Ätzung mit chemischen Mitteln den wesentlichen Vorteil, daß unterätzungsfreie scharfe Karten entstehen, so daß sehr feine Strukturen verwirklicht werden können.
Cadmium-Quecksilber-Tellurid ist ein geeignetes Halbleitermaterial zur Herstellung von Infrarotdetektorzellen. Zu ihrer Herstellung geht man beispielsweise so vor, daß auf einen Trägerkörper eine Halbleiterschieht aufgeklebt wird. Diese Halbleiterschieht muß beispielsweise kammförmig ausgebildet werden, so daß sie dann aus einem breiten Steg besteht, von dem zahlreiche fingerförmige Zungen parallel zueinander und in einer Richtung ausgehen. Diese kammförmige Halbleiterschieht wird ganzflächig mit einem Kontaktmetall bedeckt, das jeweils nur einen kleinen Spalt im Ubergangsbereich zwischen den fingerförmigen Zungen und dem breiten Steg freiläßt. Dieser Spalt, in dem allein Infrarotlicht auf die Halbleiterschieht auftreffen kann, bildet jeweils eine Detektorzelle, die einerseits an den breiten Steg und andererseits an eine fingerförmige Zunge angeschlossen ist. Allen Detektorzellen ist somit ein Anschluß, nämlich der die Zungen miteinander verbindende breite Steg, gemeinsam. Das erfindungsgeraäße Ionenätzverfahren
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soll zur Strukturierung der Halbleiterschicht in der geschilderten Weise eingesetzt werden.
Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung soll im folgenden noch anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden.
In der Figur 1 ist in einer perspektivischen Ansicht ein Trägerkörper 1 dargestellt, der beispielsweise aus Keramik oder aus einem Saphir besteht. Auf diesen Trägerkörper wird mit Hilfe einer Klebeschicht 2 eine Halbleiterschicht 3 aus Cd_ oHg_ oTe befestigt. Diese gegen Infrarotlicht empfίηα-liehe Halbleiterschicht wird beispielsweise bis auf eine Dicke von 20 ,um abgearbeitet. Danach werden die Teile der Halbleiteroberfläche, die durch den Ionenstrahl nicht abgeätzt werden sollen, mit einer Schicht 4 abgedeckt, die eine möglichst kleine Ätzrate aufweist. Hierfür ist eine mehrere ,um dicke Fotolackschicht oder eine Platinschicht geeignet. Die freibleibenden Teile 5 der Halbleiteroberfläche sollen dagegen bis zum Grundkörper 1 abgetragen werden.
Die in der Figur 1 dargestellte Halbleiteranordnung wird daher in eine Ionenstrahl-Ätzanlage eingebracht. Zum Ätzen werden vorzugsweise senkrecht auf die Halbleiteroberfläche auftreffende Argon-Ionen verwendet. Bei einem erfolgreich durchgeführten Test betrug die Spannung 700 V bei einem
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Druck von 8.10 Torr. Die Atzzeit lag bei 4 Stunden; während dieser Zeit wurden die freiliegenden Teile der Halbleiteroberfläche bis zum Grundkörper abgetragen, wobei man sehr scharfe Ätzkanten ohne Unterätzungen erhielt.
In der Figur 2 ist die Halbleiteranordnung nach dem Ätzen dargestellt. Die verbleibende kammförmige Halbleiterschicht wurde mit Anschlußkontakten 6 und 7 versehen, wobei der freibleibende Spalt 8 der Halbleiteroberfläche jeweils eine Detektorzelle bildet. Es sei darauf hingewiesen, daß beim Ionenätzen der Halbleiterschicht auch die Fotolackschicht 4 bzw. eine andersartige Abdeckschicht ganz odet: teilweise abgetragen wird. Die Schichtdicke der Abdeckschicht 4 ist daher bei dem jeweils verwendeten Material so zu wählen, daß diese Abdeckschicht im wesentlichen erst dann vom Ionenstrahl abgetragen ist, wenn der Ionenstrahl in den nicht abgedeckten Oberflächenbereichen die Halbleiterschicht bis zum Grundkörper abgeätzt hat.
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Claims (6)

Patentansprüche
1)) Ionenätzverfahren zum Strukturieren von Halbleiterschichten, gekennzeichnet durch seine Anwendung auf ein Halbleitermaterial aus Cadmium-Quecksilber-Tellurid.
2) Ionenätzverf ahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch seine Anwendung auf CdQ 2**9Ο oTe-Halbleitermaterial.
3) Ionenätzverf ahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht zu ätzenden Teile der Halbleiteroberfläche mit einem Material geringer Xtzrate abgedeckt werden.
4) Ionenätzverfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht zu ätzenden Teile der Halbleiteroberfläche mit Photolack oder mit Titan abgedeckt werden.
5) Ionenätzverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum strukturierten Ätzen der Halbleiteroberfläche Argonionen im Hochvakuum senkrecht auf die Halbleiteroberfläche auftreffen.
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ORIGINAL INSPECTED
6) Ionenätsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch seine Verwendung zum Strukturieren dünner, auf einem Trägerkörper angeordneter Halbleiterschichten, wobei die Halbleiterschicht teilweise bis zum Trägerkörper abgetragen wird.
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DE2708792A 1977-03-01 1977-03-01 Verwendung des Ionenätzverf ahrens zum Strukturieren von Halbleiterschichten und Ionenätzverfahren für diese Verwendung Expired DE2708792C3 (de)

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DE2708792A DE2708792C3 (de) 1977-03-01 1977-03-01 Verwendung des Ionenätzverf ahrens zum Strukturieren von Halbleiterschichten und Ionenätzverfahren für diese Verwendung
US05/881,007 US4128467A (en) 1977-03-01 1978-02-24 Method of ion etching Cd-Hg-Te semiconductors

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Publications (3)

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DE2708792A1 true DE2708792A1 (de) 1978-09-07
DE2708792B2 DE2708792B2 (de) 1979-09-13
DE2708792C3 DE2708792C3 (de) 1980-07-10

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2940626A1 (de) * 1979-10-06 1981-04-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum plasma-aetzen in plasma-reaktoren

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2027556B (en) * 1978-07-31 1983-01-19 Philips Electronic Associated Manufacturing infra-red detectors
GB2027985B (en) * 1978-07-31 1983-01-19 Philips Electronic Associated Infra-red detectors
US4275286A (en) * 1978-12-04 1981-06-23 Hughes Aircraft Company Process and mask for ion beam etching of fine patterns
US4290844A (en) * 1979-02-26 1981-09-22 Carson Alexiou Corporation Focal plane photo-detector mosaic array fabrication
GB2095898B (en) * 1981-03-27 1985-01-09 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing a detector device
US4559695A (en) * 1981-03-27 1985-12-24 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing an infrared radiation imaging device
US4698129A (en) * 1986-05-01 1987-10-06 Oregon Graduate Center Focused ion beam micromachining of optical surfaces in materials
GB9204078D0 (en) * 1992-02-26 1992-04-08 Philips Electronics Uk Ltd Infrared detector manufacture

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3860783A (en) * 1970-10-19 1975-01-14 Bell Telephone Labor Inc Ion etching through a pattern mask
US3988564A (en) * 1972-07-17 1976-10-26 Hughes Aircraft Company Ion beam micromachining method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2940626A1 (de) * 1979-10-06 1981-04-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum plasma-aetzen in plasma-reaktoren

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DE2708792C3 (de) 1980-07-10
US4128467A (en) 1978-12-05
DE2708792B2 (de) 1979-09-13

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