EP0810612A1 - Indiumhaltiger, oxidkeramischer Thermistor - Google Patents

Indiumhaltiger, oxidkeramischer Thermistor Download PDF

Info

Publication number
EP0810612A1
EP0810612A1 EP97201533A EP97201533A EP0810612A1 EP 0810612 A1 EP0810612 A1 EP 0810612A1 EP 97201533 A EP97201533 A EP 97201533A EP 97201533 A EP97201533 A EP 97201533A EP 0810612 A1 EP0810612 A1 EP 0810612A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
spinel
composition
thermistor
oxide
oxide ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP97201533A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0810612B1 (de
Inventor
Wilhelm Albert Dr. Groen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Koninklijke Philips Electronics NV
Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH, Koninklijke Philips Electronics NV, Philips Electronics NV filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Publication of EP0810612A1 publication Critical patent/EP0810612A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP0810612B1 publication Critical patent/EP0810612B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
    • H01C7/043—Oxides or oxidic compounds

Definitions

  • the invention relates to a thermistor with a semiconductor ceramic with an oxide spinel.
  • Thermistors also called NTC resistors, have a negative temperature coefficient (NTC), their resistivity decreases almost exponentially with temperature.
  • Semiconducting oxide ceramics are usually used as resistance-determining materials. Ceramic thermistors are widely used as temperature sensors, e.g. B. in the food and plastics industry, in automotive electronics, in portable industrial measuring instruments and in medical technology, also as clinical thermometers. Some of the applications concern the temperature compensation of coils, the operating point stabilization of transistors and the overtemperature protection of electronic devices. Advantageous applications also arise in low-temperature measurement technology, as radiation receivers in pyrometers and as transmitters in flow anemometers.
  • oxide spinels An important group of ceramic materials for the manufacture of thermistors are the oxide spinels. These are ionic crystals with the composition AB 2 O 4 , the structure of which is determined by the cubic closest packing of the large negatively charged oxygen ions O 2- . The larger cations A occupy octahedral gaps in the anion lattice, the smaller cations B occupy the tetrahedral gaps in the anion lattice.
  • Today's thermistor components are based almost exclusively on mixed crystals with spinel structure, which are generally composed of 2 to 4 cations from the group manganese, nickel, cobalt, iron, copper and titanium.
  • One problem, however, is the thermal stability of these connections. In order to obtain uniform spinel phases, precise process control is necessary even in the manufacturing process. In addition, the working temperatures must not exceed certain upper limit values.
  • NTC resistors with the general formula Zn z Fe xz III Ni Mn 2-xz III Mn z IV O 4 with 0> z ⁇ x. These oxide spinels form a uniform spinel phase, they do not fall into separate oxide phases during production and can therefore be produced with a reproducible setting of the thermistor parameters.
  • the object is achieved by a thermistor with a semiconductor ceramic with an oxide spinel, which contains the elements manganese, nickel and indium.
  • a thermistor with a semiconductor ceramic with an oxide spinel which contains the elements manganese, nickel and indium, is thermodynamically very stable because indium only occurs in one oxidation state (+3) and therefore not with oxygen the atmosphere reacts. It is also characterized by high values for the specific resistance and the B value.
  • the oxide spinel has the composition Mn 2.33-x In x Ni 0.67 O 4 with 0.05 x x 0,7 0.75.
  • Spinels with this composition are particularly stable at high working temperatures because their crystal structure is monomorphic, ie they do not change at higher temperatures.
  • the spinel has the composition Mn 2.33-x In x Ni 0.67 O 4 with 0.5 ⁇ x ⁇ 0.66.
  • a thermistor with such a composition has a surprisingly high thermal stability of the resistance value in the long-term test.
  • Fig. 1 Specific resistance and B value as a function of the indium content x in Mn 2.33-x In x Ni 0.67 O 4 .
  • the thermistor according to the invention contains a semiconductor ceramic with an oxide spinel, which contains the elements manganese, nickel and indium, in particular those of the composition Mn 2.33-x In x Ni 0.67 O 4 with 0.05 x x 0,7 0.75 . Due to the low electron affinity and the high ionization potential of indium (+3), this oxide spinel is redox-stable and does not change through interaction with the atmosphere at elevated temperatures.
  • the composition of the spinel is preferably chosen so that it is close to the phase transition from the cubic to the tetragonal spinel structure and the composition Mn 2.33-x In x Ni 0.67 O 4 with 0.05 ⁇ x ⁇ 0 , 75 has. Surprisingly, it has been found that these compositions show minimal aging.
  • the thermistor is manufactured according to the usual ceramic manufacturing methods, with numerous variants being possible depending on the desired tolerances and the field of application.
  • oxides, hydroxides, carbonates, oxalates and the like. use. These are weighed in according to the desired composition, wet milled, dried and granulated.
  • the oxide mixture can then be calcined at 900 ° C to 1000 ° C to achieve pre-compression and chemical homogenization.
  • the calcined mixture is ground again and suspended with a binder composition. This is followed by the design.
  • the powder suspension can be cast into foils or screen printed onto a substrate for thick-film circuits.
  • the suspension can also be processed into granules, from which any shaped body can then be pressed.
  • the binder is burned out and then the final sintering, in which the spinel phase is formed.
  • the contacts are applied in a further process step.
  • Single-phase oxide spinels are formed, which contain the elements manganese, nickel and indium. This is confirmed by X-ray examinations.
  • the corresponding starting oxides are mixed in a stoichiometric mixing ratio and 16 Milled for hours with zircon grinding balls.
  • the premixed powder is granulated with a conventional binder preparation. Tablets with a diameter of 6 mm and a thickness of 1 mm are pressed from the granules. These tablets are sintered in the air for six hours at 1250 ° C. X-ray diffraction images show that the semiconductor ceramic obtained in this way is a single-phase material with a spinel structure.
  • the relative density of the mixed crystal oxides is greater than 97% of the theoretical density.
  • Fig. 1 shows that the main thermistor parameters, ie the specific resistance (R 25 ) and the B value increase with increasing indium content.
  • the aging tests were carried out at 150 ° C for 1800 h.
  • the thermistor parameters R 25 and the thermal constant B were measured at intervals. The tests showed that the aging is practically complete after 150 h.
  • the experiments further showed that the relative change in the resistance R / R 0 with time near the phase boundary between the cubic and tetragonal phase boundary has a minimum.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

Ein Thermistor mit einer Halbleiterkeramik mit einem Oxid-Spinell, der die Elemente Mangan, Nickel und Indium enthält, ist thermisch stabil und zeichnet sich weiterhin durch hohe Werte für den spezifischen Widerstand und den B-Wert aus. <IMAGE>

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Thermistor mit einer Halbleiterkeramik mit einem Oxid-Spinell.
  • Thermistoren, auch NTC-Widerstände genannt, haben einen negativen Temperaturkoeffizienten (NTC), ihr spezifischer Widerstand nimmt mit der Temperatur annähernd exponentiell ab. Als widerstandsbestimmende Materialien werden üblicherweise halbleitende Oxidkeramiken verwendet. Keramische Thermistoren sind als Temperatursensoren weitverbreitet, z. B. in der Lebensmittel- und Kunststoffindustrie, in der Kfz-Elektronik, in transportablen Betriebsmeßgeräten und in der medizinischen Technik, auch als Fieberthermometer. Ein Teil der Anwendungen betrifft die Temperaturkompensation von Spulen, die Arbeitspunktstabilisierung von Transistoren und die Übertemperatursicherung von elektronischen Geräten. Vorteilhafte Anwendungen ergeben sich auch in der Tieftemperatur-Meßtechnik, als Strahlungsempfänger in Pyrometern und als Geber in Strömungsanemometern.
  • Es existiert eine Vielzahl von halbleitenden Oxidkeramiken mit NTC-Characteristik. Für die praktische Anwendbarkeit müssen neben der Temperaturabhängigkeit des Widerstandes weitere Bedingungen wie gute Sinterbarkeit, mechanische und chemische Stabilität erfüllt sein.
  • Eine wichtige Gruppe von keramischen Werkstoffen für die Herstellung von Thermistoren sind die Oxid-Spinelle. Dabei handelt es sich um Ionenkristalle der Zusammensetzung AB2O4, deren Aufbau durch die kubisch dichteste Kugelpackung der großen negativ geladenen Sauerstoffionen O2-, bestimmt wird. Die größeren Kationen A besetzen Oktaederlücken des Anionengitters, die Kleineren Kationen B die Tetraederlücken des Anionengitters. Heutige Thermistor-Bauelemente basieren fast ausschließlich auf Mischkristallen mit Spinellstruktur, die sich im allgemeinen aus 2 bis 4 Kationen der Gruppe Mangan, Nickel, Cobalt, Eisen, Kupfer und Titan zusammensetzen. Ein Problem ist jedoch die thermische Stabilität dieser Verbindungen. Um einheitliche Spinellphasen zu erhalten, ist schon beim Herstellungsverfahren eine genaue Prozeßführung notwendig. Außerdem dürfen die Arbeitstemperaturen bestimmte obere Grenzwerte nicht überschreiten.
  • Es ist in der DE 42 13 629 vorgeschlagen worden, NTC-Widerstände mit der allgemeinen Formel ZnzFex-z IIINi Mn2-x-z IIIMnz IVO4 mit 0 > z < x herzustellen. Diese Oxidspinelle bilden eine einheitliche Spinellphase, sie verfallen bei der Herstellung nicht in separate Oxidphasen und lassen sich daher mit reproduzierbarer Einstellung der Thermistorparameter herstellen.
  • Im Gebrauch verändert sich jedoch in diesen Spinellphasen durch Wechselwirkung mit der Atmosphäre die Oxidationsstufen des Eisens und damit auch die Themistorparameter. Außerdem lassen sich so nur Spinelle mit bestimmten Thermistorparameterbereichen herstellen.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Thermistor mit einer Halbleiterkeramik mit einem Oxid-Spinell zu schaffen, der thermisch stabil ist und hohe Thermistorparameter aufweist.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch einen Thermistor mit einer Halbleiterkeramik mit einem Oxid-Spinell, der die Elemente Mangan, Nickel und Indium enthält.
  • Ein Thermistor mit einer Halbleiterkeramik mit einem Oxid-Spinell, der die Elemente Mangan, Nickel und Indium enthält, ist thermodynamisch sehr stabil, weil Indium nur in einer Oxidatonsstufe (+3) auftritt und daher nicht mit dem Sauerstoff der Atmospäre reagiert. Er zeichnet sich weiterhin durch hohe Werte für den spezifischen Widerstand und den B-Wert aus.
  • Es ist im Rahmen der vorliegenden Erfindung besonders bevorzugt, daß der Oxid-Spinell die Zusammensetzung Mn2,33-xInxNi0,67O4 mit 0,05 ≤ x ≤ 0,75 hat. Spinelle mit dieser Zusammensetzung zeichnen sich durch eine besondere Stabilität bei hohen Arbeitstemperaturen aus, weil ihre Kristallstruktur monomorph ist, d.h. sie verändert sich nicht bei höheren Temperaturen.
  • Es ist bevorzugt, daß der Spinell die Zusammensetzung Mn2,33-xInxNi0,67O4 mit 0,5 ≤ x ≤ 0,66 hat.
  • Es ist besonders bevorzugt, daß der Spinell die Zusammensetzung Mn2,33-xInxNi0,67O4 mit x =0.58 ± 0,02 hat. Ein Thermistor mit einer derartigen Zusammensetzung hat eine überraschend hohe thermische Stabilität des Widerstandswertes im Langzeittest.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Beispielen und einer Zeichnung weiter erläutert.
  • Fig. 1: Spezifischer Widerstand und B-Wert als Funktion des Indium-Gehaltes x in Mn2.33-xInxNi0.67O4.
  • Der erfindungsgemäße Thermistor enthält eine Halbleiterkeramik mit einem Oxid-Spinell, der die Elemente Mangan, Nickel und Indium enthält, insbesondere solche der Zusammensetzung Mn2,33-xInxNi0,67O4 mit 0,05 ≤ x ≤ 0,75. Durch die geringe Elektronenaffinität und das hohe Ionisationspotential des Indiums(+3) ist dieser Oxid-Spinell redoxstabil und verändert sich nicht durch Wechselwirkung mit der Atmosphäre bei erhöhten Temperaturen.
  • Die Zusammensetzung des Spinell wird bevorzugt so gewählt, daß sie in der Nähe des Phasenüberganges von der kubischen zur tetragonalen Spinell-Struktur liegt und die Zusammensetzung Mn2,33-xInxNi0,67O4 mit 0,05 ≤ x ≤ 0,75 hat. Überraschenderweise wurde gefunden, daß diese Zusammensetzungen minimale Alterung zeigen.
  • Die Herstellung des Thermistors erfolgt nach den üblichen keramischen Fertigungsmethoden, wobei je nach den angestrebten Toleranzen und dem Anwendungsgebiet zahlreiche Varianten möglich sind. Als Ausgangsverbindungen kann man von Oxiden, Hydroxiden, Carbonaten, Oxalaten u. ä. verwenden. Diese werden gemäß der gewünschten Zusammensetzung eingewogen, naß gemahlen, getrocknet und granuliert. Anschließend kann man das Oxid- Gemisch bei 900°C bis 1000°C kalzinieren, um eine Vorverdichtung und chemische Homogenisierung zu erreichen. Die kalzinierte Mischung wird erneut gemahlen und mit einer Bindemittelzusammensetzung suspendiert. Daran schließt sich die Formgebung an. Die Pulversuspension kann zu Folien gegossen werden oder für Schaltungen in Dickschichttechnik auf ein Substrat siebgedruckt werden. Die Suspension kann auch zu Granulat verarbeitet werden, aus dem dann beliebige Formkörper gepreßt werden können. Anschließend erfolgt zunächst der Binderausbrand und dann die abschließende Sinterung, bei dem die Spinellphase gebildet wird. In einem weiteren Verfahrensschritt werden die Kontakte aufgebracht.
  • Es bilden sich einphasige Oxid-Spinelle, die die Elemente Mangan, Nickel und Indium enthalten. Dies wird durch röntgenographische Untersuchungen bestätigt.
    • Ausführungsbeispiel
  • Es werden Halbleiterkeramiken mit Oxidspinellen hergestellt, die Zusammensetzung Mn2,33-xInxNi0,67O4 mit x= 1/12, 1/6,1/3 und 2/3 haben . Die entsprechenden Ausgangsoxide werden im stöchiometrischen Mischungsverhältnis gemischt und 16 Stunden mit Zirkon-Mahlkugeln gemahlen. Das vorgemischte Pulver wird mit einer konventionellen Bindemittelzubereitung granuliert. Aus dem Granulat werden Tabletten mit einem Durchmesser von 6mm und einer Dicke von 1mm gepreßt. Diese Tabletten werden sechs Stunden bei 1250°C an der Luft gesintert. Röntgenbeugungsaufnahmen zeigen, daß die so erhaltene Halbleiterkeramik ein einphasiges Material mit Spinell - Struktur ist. Die relative Dichte der Mischkristalloxide ist größer als 97 % der theoretischen Dichte.
    • Testergebnisse
  • Fig. 1 zeigt, daß wichtigsten Thermistorparameter, d.h. der spezifische Widerstand (R25) und der B-Wert mit wachsendem Indium-Gehalt zunehmen.
  • Die Alterungsversuche wurden bei 150°C über 1800 h durchgeführt. Dabei wurden in Abständen die Thermistorparameter R25 und die thermische Konstante B gemessen. Die Versuche ergaben, daß die Alterung nach 150 h praktisch abgeschlossen ist. Die Versuche ergaben weiterhin, daß die relative Änderung des Widerstandes R/R0 mit der Zeit in der Nähe der Phasengrenze zwischen kubischer und tetragonaler Phasengrenze ein Minimum hat.

Claims (4)

  1. Thermistor mit einer Halbleiterkeramik mit einem Oxid-Spinell, der die Elemente Mangan, Nickel und Indium enthält.
  2. Thermistor nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Oxid- Spinell die Zusammensetzung Mn2,33-xInxNi0,67O4 mit 0,05 ≤ x ≤ 0,75 hat.
  3. Thermistor nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Oxid- Spinell die Zusammensetzung Mn2,33-xInxNi0,67O4 mit 0,5 ≤ x ≤ 0,66 hat.
  4. Thermistor nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Oxid- Spinell die Zusammensetzung Mn2,33-xInxNi0,67O4 mit x =0.58 ± 0,02 hat.
EP97201533A 1996-06-01 1997-05-22 Indiumhaltiger, oxidkeramischer Thermistor Expired - Lifetime EP0810612B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19622112 1996-06-01
DE19622112A DE19622112A1 (de) 1996-06-01 1996-06-01 Indiumhaltiger, oxidkeramischer Thermistor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0810612A1 true EP0810612A1 (de) 1997-12-03
EP0810612B1 EP0810612B1 (de) 1999-09-01

Family

ID=7795932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP97201533A Expired - Lifetime EP0810612B1 (de) 1996-06-01 1997-05-22 Indiumhaltiger, oxidkeramischer Thermistor

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5976421A (de)
EP (1) EP0810612B1 (de)
JP (1) JPH1092609A (de)
DE (2) DE19622112A1 (de)
TW (1) TW406061B (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001082314A1 (de) * 2000-04-25 2001-11-01 Epcos Ag Elektrisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung
JP3711857B2 (ja) * 2000-10-11 2005-11-02 株式会社村田製作所 負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物及び負特性サーミスタ
JP4601300B2 (ja) * 2004-01-28 2010-12-22 京セラ株式会社 半導電性セラミックス及びこれを用いた画像形成装置
DE102008009817A1 (de) * 2008-02-19 2009-08-27 Epcos Ag Verbundwerkstoff zur Temperaturmessung, Temperatursensor aufweisend den Verbundwerkstoff und Verfahren zur Herstellung des Verbundwerkstoffs und des Temperatursensors
EP3823157A4 (de) 2018-07-13 2022-03-30 Hitachi, Ltd. Steuerungsvorrichtung für permanentmagnet-synchronmaschine, elektrisches fahrzeug und verfahren zur bestimmung der magnetpolpolarität einer permanentmagnet-synchronmaschine
EP3901115A1 (de) 2020-04-24 2021-10-27 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Druckbare ntc-tintenzusammensetzung und verfahren zu ihrer herstellung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993022255A1 (de) * 1992-04-24 1993-11-11 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Sinterkeramik für hochstabile thermistoren und verfahren zu ihrer herstellung
EP0641144A1 (de) * 1993-08-09 1995-03-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Metalloxidfilm-Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0687656A1 (de) * 1994-06-14 1995-12-20 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Sinterkeramik für hochstabile Thermistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54111700A (en) * 1978-02-22 1979-09-01 Hitachi Ltd Thermistor composition
US5246628A (en) * 1990-08-16 1993-09-21 Korea Institute Of Science & Technology Metal oxide group thermistor material
DE4213629C1 (de) * 1992-04-24 1994-02-17 Siemens Matsushita Components Sinterkeramik für hochstabile Thermistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5830268A (en) * 1995-06-07 1998-11-03 Thermometrics, Inc. Methods of growing nickel-manganese oxide single crystals

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993022255A1 (de) * 1992-04-24 1993-11-11 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Sinterkeramik für hochstabile thermistoren und verfahren zu ihrer herstellung
EP0641144A1 (de) * 1993-08-09 1995-03-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Metalloxidfilm-Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0687656A1 (de) * 1994-06-14 1995-12-20 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Sinterkeramik für hochstabile Thermistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FELTZ A: "TRENDS IN THE DEVELOPMENT AND APPLICATION OF NEGATIVE TEMPERATURE COEFFICIENT OXIDE CERAMICS", 5 September 1994, ELECTROCERAMICS. PROCEEDINGS OF ELECTROCERAMICS. ELECTRONIC CONFERENCE ON ELECTRONIC CERAMICS AND APPLICATIONS, VOL. 2, PAGE(S) 677 - 684, XP000607908 *
YAMAMOTO H ET AL: "THE DEVELOPMENT OF HIGH SENSITIVITIY NTC THERMISTORS", 7 August 1994, PROCEEDINGS OF THE NINTH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON APPLICATIONS OF FERROELECTRICS (ISAF), UNIVERSITY PARK, PENNSYLVANIA, AUG. 7 - 10. 1994, NR. SYMP. 9, PAGE(S) 735 - 738, PANDEY R K;LIU M; AHMAD SAFARI, XP000553200 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE59700382D1 (de) 1999-10-07
EP0810612B1 (de) 1999-09-01
DE19622112A1 (de) 1997-12-04
JPH1092609A (ja) 1998-04-10
US5976421A (en) 1999-11-02
TW406061B (en) 2000-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1189770A (en) Semiconductive barium titanate
CN105967656B (zh) 一种基于氧化镍的新型ntc热敏电阻材料
DE69432116T2 (de) Keramikzusammensetzung und diese Keramikzusammensetzung enthaltender Thermistor
EP0810612B1 (de) Indiumhaltiger, oxidkeramischer Thermistor
EP0810611B1 (de) Seltenerdmetallhaltiger Hochtemperatur-Thermistor
US2981699A (en) Positive temperature coefficient thermistor materials
DE19740262C1 (de) Sinterkeramik für hochstabile Thermistoren und Verfahren zur Herstellung
KR930005249B1 (ko) 금속산화물계 써미스터 재료
EP1564197B1 (de) Sinterköper für thermistorelement, herstellungsverfahren dafür,thermistorelement und temperaturfühler
DE19834423B4 (de) Verwendung einer Sinterkeramik für hochstabile NTC-Einschaltstrombegrenzer und niederohmige NTC-Thermistoren
US5296169A (en) Method of producing varistor
DE2637227C3 (de) Heißleiter für hohe Temperaturen
JPS6143841B2 (de)
DE808851C (de) Elektrischer Widerstand
JPH0552642B2 (de)
JP3598177B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器
JPH0128481B2 (de)
DE2627192C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines nichtlinearen keramischen Widerstandsmaterials
DE2627191C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines nichtlinearen keramischen Widerstandsmaterials
JPH0383846A (ja) バルスタの製造方法
JPH043642B2 (de)
JPH0380108A (ja) 酸化物材料
JPH0224361B2 (de)
JPH0214763B2 (de)
JPH0128484B2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE FR GB

17P Request for examination filed

Effective date: 19980603

RAP3 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Owner name: PHILIPS PATENTVERWALTUNG GMBH

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

17Q First examination report despatched

Effective date: 19981209

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE FR GB

REF Corresponds to:

Ref document number: 59700382

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19991007

ET Fr: translation filed
GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 19991014

RAP4 Party data changed (patent owner data changed or rights of a patent transferred)

Owner name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Owner name: PHILIPS CORPORATE INTELLECTUAL PROPERTY GMBH

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Opponent name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20010523

Year of fee payment: 5

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20010531

Year of fee payment: 5

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20010717

Year of fee payment: 5

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: IF02

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20020522

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20021203

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20020522

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20030131

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST